TWI831161B - 帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

Abstract

本實施形態提供一種可抑制發生遮罩報廢的帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。根據實施形態，帶電粒子束描繪裝置包括：描繪機構、描繪控制部、生成多個帶電粒子束的控制資料的偏轉演算控制電路、保存部、消隱控制電路以及檢測器。當於描繪過程中檢測器檢測到異常時，偏轉演算控制電路中斷控制資料向消隱控制電路的傳送以中斷描繪，並且將保存部中所保存的且與未傳送至消隱控制電路的控制資料相關的擊射資料傳送至描繪控制部。描繪控制部基於自偏轉演算控制電路傳送的擊射資料，生成已中斷描繪的位置的中斷位置資訊。

Description

帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法

本申請案享有以日本專利申請案2021-064193號（申請日：2021年4月5日）為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。

本發明是有關於一種帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。

於半導體元件的製造工序中，使用縮小投影曝光裝置（稱為「步進機（stepper）」或「掃描器（scanner）」），將遮罩上所形成的原畫圖案（以下亦表述為「圖案」）曝光至半導體基板（亦稱為「晶圓」）上。例如，遮罩是利用使用了電子束等帶電粒子束的帶電粒子束描繪裝置來製造。

例如，作為帶電粒子束描繪裝置之一的電子束描繪裝置包括作為射出電子束的射出部的電子槍。於電子槍的陰極與陽極之間，為了使自陰極放出的熱電子加速，施加數十kV以上的比較高的電壓。該經加速的熱電子作為電子束而自電子槍射出。

自電子槍射出的電子束經由包括多個孔、偏轉器、及透鏡等的電子光學系統而於遮罩上成像，從而於遮罩上描繪所需的圖案。

電子束描繪裝置之一有多射束描繪裝置。多射束描繪裝置按照使用多個電子束描繪的圖案的每一畫素進行曝光。於使用消隱孔徑陣列的多射束描繪裝置中，例如使自一個電子槍射出的電子束通過具有多個開口的消隱孔徑陣列，藉此形成多射束。多射束藉由與電子束的各個對應的消隱器（blanker）（電極對）而受到消隱控制。

於此種多射束描繪裝置中，當於遮罩上描繪圖案時，例如，有使用對一個畫素多次照射電子束的多重描繪的情況。藉由多重描繪，圖案的位置精度的誤差、以及於電子束的偏轉區域的邊界產生的圖案的連接精度的誤差藉由平均化的效果而降低。

於電子束描繪裝置中，若於描繪作業中因地震或異常放電等而發生電磁場變動，則會引起描繪異常，有產生圖案形成不良的可能性。因此，在發生了電磁場變動的情況下，需要迅速停止描繪以盡可能地抑制發生遮罩報廢（mask scrap）。

於日本專利申請案公開公報的日本專利特開2013-38397號公報中，揭示了一種電子射線描繪裝置以及電子射線描繪方法，其在接收到地震資訊的情況下，於描繪途中的子區域的描繪完成後使描繪暫時停止，在判斷為能夠再次開始的情況下，再次開始描繪。

若多射束描繪裝置的多重描繪的多重度變高，則即便於多次電子束的照射中發生了一次電磁場異常，只要對圖案的影響小，亦無遮罩報廢的必要。因此，藉由在檢測到電磁場異常後迅速中斷描繪，可抑制於電磁場異常狀態下執行的擊射數。另外，藉由自中斷位置再次開始描繪，可減少遮罩報廢的發生。

本實施形態提供一種可抑制發生遮罩報廢的帶電粒子束描繪裝置以及帶電粒子束描繪方法。

根據本發明的態樣，帶電粒子束描繪裝置包括：描繪機構，將多個帶電粒子束一邊分別消隱一邊照射至對象物來描繪圖案；描繪控制部，基於自圖案生成的擊射資料，對描繪機構進行控制；偏轉演算控制電路，基於自描繪控制部傳送的擊射資料生成控制資料，所述控制資料用於對多個帶電粒子束分別進行消隱控制；保存部，保存擊射資料，直至基於擊射資料的描繪完成；消隱控制電路，基於自偏轉演算控制電路傳送的控制資料，對消隱進行控制；以及檢測器，對異常進行檢測。當於描繪過程中檢測器檢測到異常時，偏轉演算控制電路中斷控制資料向消隱控制電路的傳送以中斷描繪，並且將保存部中所保存的且與未傳送至消隱控制電路的控制資料相關的擊射資料傳送至描繪控制部。描繪控制部基於自偏轉演算控制電路傳送的擊射資料，生成已中斷描繪的位置的中斷位置資訊。

根據本發明的態樣，帶電粒子束描繪方法是將多個帶電粒子束一邊分別消隱一邊照射來描繪圖案的描繪方法，且包括：基於圖案生成擊射資料；基於擊射資料生成控制資料，所述控制資料用於將多個帶電粒子束分別消隱；保存生成了控制資料的擊射資料，直至基於擊射資料的描繪完成；以及基於控制資料，對消隱進行控制來進行描繪，當於描繪過程中檢測到異常時，中斷描繪，並且基於所保存的且與未用於消隱控制的控制資料相關的擊射資料，生成已中斷描繪的位置的中斷位置資訊。

以下，參照圖式對實施形態進行說明。實施形態例示出用以將發明的技術思想具體化的裝置或方法。圖式為示意性或概念性者，各圖式的尺寸及比率等未必與現實中者相同。本發明的技術思想並非由結構要素的形狀、結構、配置等特別指定。

1.第一實施形態 對第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置進行說明。以下，作為本實施形態的帶電粒子束描繪裝置，列舉照射多射束的電子束描繪裝置為例進行說明。再者，帶電粒子束並不限定於電子束。另外，帶電粒子束可為單射束。

1.1 結構 首先，使用圖1對電子束描繪裝置1的整體結構進行說明。圖1是表示電子束描繪裝置1的整體結構的一例的概念圖。再者，於圖1的例子中示出塊之間的連接的一部分，但塊之間的連接並不限定於該些連接。

如圖1所示，電子束描繪裝置1包括描繪機構10以及控制機構20。

描繪機構10包括描繪室101及鏡筒102。

於描繪室101內設置有載置試樣103的平台104。試樣103例如包括遮罩（空白遮罩（mask blank）、標線片（reticule）等）或半導體基板。平台104能夠沿與平台104（試樣103）的表面平行的X方向、及與平台104的表面平行且與X方向交叉的Y方向移動。

平台驅動機構105具有用於使平台104於包括X方向及Y方向的XY平面上移動的驅動機構。再者，平台驅動機構105例如亦可具有以垂直於平台104的表面（XY平面）的Z方向為旋轉軸而使平台104於XY平面上繞旋轉軸旋轉的機構，亦可具有使平台104沿Z方向移動的機構。

平台位置探測器408包括雷射測長系統。雷射測長系統對設置於平台104的反射鏡107照射雷射，並接收被反射鏡107反射的雷射。雷射測長系統根據接收到的雷射的資訊來測定平台104於X方向及Y方向上的位置。

法拉第杯（Faraday cup）106設置於平台104上，且用於監視電子束、或者於躲避後述的射束時使用。

反射鏡107設置於平台104上，且用於平台104的位置探測。

鏡筒102設置於描繪室101上。例如，鏡筒102具有沿Z方向延伸的圓筒形狀。描繪室101及鏡筒102相互接觸的面開口。由描繪室101以及鏡筒102形成的空間被保持為真空（減壓）狀態。例如，鏡筒102由不鏽鋼等導電材料構成，且被接地至接地電位。

於鏡筒102內設置有電子槍（帶電粒子槍）111、以及構成電子光學系統的照明透鏡112、成形孔徑陣列基板113、消隱孔徑陣列機構114、縮小透鏡115、限制孔徑基板116、物鏡117、成批消隱器118及偏轉器119。再者，電子光學系統的結構並不限定於此種結構。

電子槍111被設置成朝向描繪室101射出電子束B。

照明透鏡112藉由使自電子槍111射出的電子束B的軌道相對於成形孔徑陣列基板113大致成為垂直方向（Z方向），來使電子束B將成形孔徑陣列基板113整體照明。再者，照明透鏡112例如可使用電磁透鏡。

成形孔徑陣列基板113具有多個開口部。通過開口部後的電子束B被成形為多射束MB。

圖2中示出成形孔徑陣列基板113的平面圖的一例。如圖2所示，於成形孔徑陣列基板113中，設置有沿著X方向及Y方向配置成矩陣狀的多個開口部130。於圖2的例子中，各開口部130的座標（以下，表述為「孔座標」）自紙面左下朝向紙面右上而以（x，y）=（1，1）～（512，512）表示。再者，開口部130的個數為任意的。另外，開口部130的形狀並無限定。例如，開口部130的形狀可為矩形，亦可為圓形。另外，開口部130的配置能夠任意設計。例如，開口部130可為交錯排列。

消隱孔徑陣列機構114具有如下機構：該機構用於對通過成形孔徑陣列基板113的各開口部130後的電子束（多射束MB）分別獨立地進行消隱控制。消隱孔徑陣列機構114包括分別與成形孔徑陣列基板113的多個開口部130對應的多個消隱器（電極對）。例如，消隱器的其中一個電極被固定為接地電位。消隱器的另一個電極於接地電位與除此以外的電位之間切換。藉由電位的切換，通過消隱器的電子束受到偏轉控制。藉由消隱孔徑陣列機構114而偏轉的電子束由後述的限制孔徑基板116遮蔽，不會到達試樣103（斷開（off）狀態）。另一方面，未藉由消隱孔徑陣列機構114偏轉的電子束到達試樣103（導通（on）狀態）。

縮小透鏡115使多射束MB朝向限制孔徑基板116的中央所設置的開口部縮小。再者，縮小透鏡115例如可使用電磁透鏡。

成批消隱器118對通過消隱孔徑陣列機構114後的射束進行成批偏轉。

限制孔徑基板116將藉由成批消隱器118而成批偏轉的多射束MB、及多射束MB中藉由消隱孔徑陣列機構114的消隱控制而偏轉的電子束遮蔽。

物鏡117對通過限制孔徑基板116後的多射束MB的焦點進行調整。調整了焦點的多射束MB於試樣103上形成預先設定的縮小率的圖案像。再者，物鏡117例如可使用電磁透鏡。

偏轉器119進行偏轉，以使多射束MB照射至平台104（試樣103）的所需位置，從而藉由多射束MB描繪試樣103。

圖3中示出試樣103的表面上的描繪順序一例的概念圖。如圖3所示，試樣103的描繪區域500例如沿著Y方向而虛擬地分割成預先設定寬度的長條狀的多個條紋區域501～508。於圖3的例子中，分割成8個條紋區域501～508，但要分割的條紋區域的個數能夠任意地設定。而且，平台驅動機構105以分割出的8個條紋區域501～508連續地受到描繪的方式使平台104移動。更具體而言，例如，首先於條紋區域501中，平台驅動機構105使藉由一次擊射所能夠照射的照射區域510自紙面左側朝向右側沿X方向移動。即，平台驅動機構105使平台104自紙面右側朝向左側沿X方向移動。於條紋區域501的描繪結束之後，於條紋區域502中，平台驅動機構105使照射區域510沿與條紋區域501的情況相反的方向移動。接著，於條紋區域503中，平台驅動機構105使照射區域510沿與條紋區域502的情況相反的方向移動。於其他條紋區域504～508中，亦同樣地一邊交替改變照射區域510的移動方向一邊進行描繪。例如，當於條紋區域503的描繪結束之前描繪被中斷時，於條紋區域503內停止描繪。

另外，於鏡筒102中，作為檢測器而設置有多個放電檢測器120。放電檢測器120對電子槍111及電子光學系統中產生的異常放電進行檢測。例如，放電檢測器120包括設置於鏡筒102內部的天線電極。例如，放電檢測器120對因天線電極帶電而產生的電流進行檢測。

再者，檢測器並不限定於放電檢測器，另外，能夠應用後述的對包含地震在內的磁場變動進行探測的磁場感測器402、或對其他需要中斷處理的異常進行探測者。設置部位亦不限定於鏡筒102，亦可設置於裝置外部。

控制機構20包括藉由軟體（由包括電路的電腦執行的程式或韌體等）控制的軟體部30以及藉由硬體（即專用電路）控制的硬體部40。軟體例如藉由電腦所包括的處理器（中央處理單元（central processing unit，CPU））執行韌體來達成其功能。

於描繪資料儲存部301中保存自外部輸入的描繪資料（佈局資料）。描繪資料儲存部301例如可使用硬碟驅動機（Hard Disk Drive，HDD）或固態驅動機（Solid State Drive，SSD）等儲存介質。

擊射資料生成部302基於描繪資料儲存部301中所保存的描繪資料，生成與各擊射對應的擊射資料、及成批消隱器118的控制資料。擊射資料生成部302亦可設置於裝置外部。

擊射資料中，例如作為消隱孔徑陣列機構114的控制資料而包括多射束MB的各擊射中的照射條件（每一消隱器的電子束的導通/斷開（ON/OFF）及電子束的照射時間）、及描繪位置等資訊。另外，擊射資料生成部302對擊射資料賦予擊射ID，以便可辨識各擊射。

圖4是表示擊射資料的表格的一例。圖4的例子示出根據擊射的順序而依次重覆賦予預先設定的任意編號（例如，00000～99999）的擊射ID的情況（以下，表述為「循環式」）。循環式擊射ID的個數例如可根據擊射資料保存部406中能夠保持的擊射數來設定。若為循環式擊射ID，則可抑制每一擊射中的擊射ID的資料量（位數）的增加。循環式擊射ID的個數可為條紋區域單位，亦可為較條紋區域窄的區域單位。進而，亦可對所有的擊射賦予不同的擊射ID。再者，無需對所有的擊射賦予擊射ID。例如，只要能夠特別指定硬體部40中的未處理資料（描繪未完成而未用於消隱控制的控制資料）的描繪位置即可。

如圖4所示，表格的各行對應於一次擊射的資訊。孔座標上的各點處的「導通（ON）」或「斷開（OFF）」的指示示出對應的電子束的導通/斷開控制。於擊射資料中，進而亦賦予照射時間的資訊來定義導通狀態的射束的照射時間。再者，亦可藉由設為照射時間0=斷開、照射時間＞0=導通而為僅照射時間的資訊。

描繪控制部303對電子束描繪裝置1進行控制。描繪控制部303具有中斷位置資訊儲存部304。

描繪控制部303保持所生成的擊射資料。描繪控制部303自平台位置探測器408獲取平台104的位置資料，並對平台驅動機構105進行控制。

中斷位置資訊儲存部304儲存中斷位置資訊。中斷位置資訊儲存部304例如可使用隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）。再者，中斷位置資訊儲存部304亦可設置於描繪控制部303的外部。

描繪控制部303可具有用於顯示異常檢測結果的顯示部、或者用於輸出作為日誌（log）而留存的中斷位置座標的輸出部。

描繪控制部303對硬體部40中包括的高壓電源401、磁場感測器402、放電檢測控制電路403、消隱控制電路404、偏轉演算控制電路405及平台位置探測器408進行控制。

高壓電源401對電子槍111施加用於使電子槍111射出電子束B的高電壓。高壓電源401例如在因異常放電而施加至電子槍111的電壓偏離預先設定的標準的情況下，對偏轉演算控制電路405發送通知異常檢測的警報訊號AL1。

磁場感測器402對因地震或電子束描繪裝置1內的各種電路中流動的電流而發生的磁場變動進行探測。而且，磁場感測器402例如在磁場的測定結果偏離預先設定的範圍的情況下，對偏轉演算控制電路405發送通知異常檢測的警報訊號AL2。

放電檢測控制電路403對偏轉演算控制電路405發送通知如下情況的警報訊號AL3，即：放電檢測器120檢測到異常放電。

消隱控制電路404對消隱孔徑陣列機構114及成批消隱器118進行控制。消隱控制電路404自偏轉演算控制電路405接收控制資料。消隱控制電路404例如亦可包括移位暫存器（shift register）等，從而能夠保持多次擊射量的控制資料。消隱控制電路404進行多射束MB中的各電子束的導通/斷開控制。即，消隱控制電路404對要施加至消隱孔徑陣列機構114的各消隱器的電壓進行控制。再者，消隱控制電路404於各消隱器中對電子束的導通/斷開、與電子束的照射時間進行控制。

偏轉演算控制電路405包括擊射資料保存部406、及偏轉演算輸出部407。擊射資料保存部406保存自描繪控制部303傳送的擊射資料。

偏轉演算控制電路405是如下的偏轉演算控制部：為了使多射束MB偏轉以追隨平台104的移動並照射至所需位置，基於位置資料來演算多射束MB的偏轉量資料。偏轉演算控制電路405基於偏轉量資料，例如對偏轉器119進行控制。另外，偏轉演算控制電路405將控制資料傳送至消隱控制電路404，以使消隱控制追隨平台104的移動。

1.2 電子束描繪裝置的動作 接下來，對本實施形態的電子束描繪裝置1的動作進行說明。於本實施形態中，電子束描繪裝置1按照預先描繪的每一試樣，基於其描繪水準選擇三個動作模式中的任一者。而且，當於描繪過程中檢測到異常時，電子束描繪裝置1使描繪中斷之後，執行所選擇的動作模式。例如，選擇待機模式、診斷模式及中止模式此三者中的任一者作為動作模式。

待機模式是於中斷描繪之後、異常平息之前使電子束描繪裝置1成為待機狀態，且於異常平息之後再次開始描繪的模式。例如，在待機模式的情況下，於預先設定的期間，使電子束描繪裝置1成為待機狀態。例如，在該期間內異常未平息而超時的情況下，中止描繪。

診斷模式是於中斷描繪之後執行故障診斷，且在判斷為電子束描繪裝置1正常的情況下，再次開始描繪的模式。例如，在診斷模式的情況下，若故障診斷的結果為發現故障，則中止描繪。

中止模式是當於描繪過程中檢測到異常時使描繪中止的模式。

1.2.1 動作的流程 首先，關於動作的流程，使用圖5的表示描繪動作的一例的流程圖進行說明。

如圖5所示，首先，對檢測到異常放電等異常之後的動作模式進行設定（步驟S1）。

於設定動作模式之後，描繪控制部303執行描繪（步驟S2）。即，對試樣103照射多射束MB來描繪圖案。

當於描繪過程中未檢測到異常時（步驟S3_否（No）），於試樣103上描繪所需的圖案之後，描繪結束。

當於描繪過程中檢測到異常（步驟S3_是（Yes））時，中斷描繪（步驟S4）。然後，依照所設定的動作模式，再次開始/中止描繪（步驟S5～步驟S9）。

1.2.2 待機模式設定時的動作 接著，使用圖6對待機模式設定時的描繪動作進行說明。圖6是表示待機模式設定時的描繪動作的一例的流程圖。於以下的說明中，以有關擊射資料的收發的動作為中心進行說明。再者，於圖6的例子中，表示圖5中所說明的動作模式設定後的動作。

如圖6所示，首先，於描繪工序中，擊射資料生成部302基於自描繪資料儲存部301傳送的描繪資料生成擊射資料（步驟S10）。此時，對擊射資料賦予與描繪位置建立了關聯的擊射ID。擊射資料生成部302將擊射資料發送至描繪控制部303。

描繪控制部303將擊射資料傳送至偏轉演算控制電路405（步驟S11）。偏轉演算控制電路405將所傳送的擊射資料保存於擊射資料保存部406。經保存的擊射資料被保留至資料處理完成、即描繪完成為止。

接著，偏轉演算控制電路405基於擊射資料保存部406中所保存的擊射資料，生成隨著描繪的進行依次開啟/關閉消隱的控制資料（步驟S12）。然後，偏轉演算控制電路405將控制資料傳送至消隱控制電路404（步驟S13）。再者，控制資料中不包含可特別指定描繪位置的資訊。

消隱控制電路404基於控制資料，對消隱孔徑陣列機構114進行控制。於消隱孔徑陣列機構114中經消隱控制的多射束MB被照射至試樣103（步驟S14）。

於描繪工序中，在未檢測到異常的情況下（步驟S15_否），於試樣103上描繪所需的圖案之後，描繪動作結束。

當於描繪過程中檢測到異常時（步驟S15_是），偏轉演算控制電路405接收通知異常發生的警報訊號AL1～警報訊號AL3中的至少一個。

若接收到警報訊號AL1～警報訊號AL3中的至少一個，則偏轉演算控制電路405的偏轉演算輸出部407中斷控制資料向消隱控制電路404的傳送（步驟S16）。消隱控制電路404強制開啟消隱，對多射束MB進行成批偏轉而成為射束斷開狀態，或者對平台驅動機構105進行控制，使平台104移動而使試樣103躲避（步驟S17）。此時，平台驅動機構105亦可移動平台104以使多射束MB照射至法拉第杯106。

另外，偏轉演算控制電路405將未處理的擊射資料傳送至描繪控制部303（步驟S18）。更具體而言，例如，偏轉演算控制電路405將生成了未傳送至消隱控制電路404的控制資料的擊射資料中，生成若不中斷描繪則接下來會被傳送的控制資料的擊射資料的擊射ID傳送至描繪控制部303。再者，偏轉演算控制電路405亦可將關於異常檢測的資訊發送至描繪控制部303。該情況下，描繪控制部303可顯示結果。

描繪控制部303根據所傳送的未處理的擊射資料的擊射ID，生成描繪的中斷位置資訊（描繪位置）（步驟S19）。然後，描繪控制部303將所生成的中斷位置資訊保存於中斷位置資訊儲存部304。

於使描繪工序中斷之後，描繪控制部303將已中斷描繪的描繪位置作為日誌輸出至外部（步驟S20）。再者，描繪控制部303亦可在包括顯示部的情況下於顯示部顯示日誌。

藉由在預先設定的時間（待機時間）內不再接收到警報訊號AL1～警報訊號AL3來判斷異常放電是否平息（步驟S21）。

例如，在異常狀態持續且於預先設定的時間內異常未平息的情況下（步驟S21_否），描繪控制部303中止描繪（步驟S22）。描繪控制部303例如可將有關描繪中止的資訊輸出至外部。

在異常於預先設定的時間內平息的情況下（步驟S21_是）、或者在未檢測到異常的情況下，偏轉演算控制電路405對描繪控制部303發送通知異常平息的資訊。此時，根據需要重新生成擊射資料。描繪控制部303基於中斷位置資訊對平台驅動機構105進行控制，以使平台104移動至中斷位置（步驟S23）。描繪控制部303返回至步驟S11，再次開始擊射資料向偏轉演算控制電路405的傳送，並再次開始描繪。

1.2.3 診斷模式設定時的描繪動作 接下來，使用圖7對診斷模式設定時的描繪動作進行說明。圖7是表示診斷模式設定時的描繪動作的一例的流程圖。於以下的說明中，以與圖6不同的方面為中心進行說明。

如圖7所示，描繪工序及中斷工序（步驟S10～步驟S20）與圖6相同。

若異常平息，則描繪控制部303執行故障診斷（步驟S30）。

故障診斷的方法可適宜地選擇。例如，硬體部40可包括用於執行電子束描繪裝置1的故障診斷的自診斷電路（未圖示）。自診斷電路於異常平息之後，例如將留存於硬體部40內部的資料暫時刪除而進行重設，以執行故障診斷。描繪控制部303基於自診斷電路所進行的故障診斷的結果，判斷能否再次開始描繪。

或者，例如描繪控制部303可使用測試資料執行描繪，並基於其結果進行故障診斷。例如，描繪控制部303包括故障判定部（未圖示）。更具體而言，例如，描繪控制部303對平台驅動機構105進行控制，使平台104移動以使得平台104上的法拉第杯106被配置於描繪位置。然後，描繪控制部303使用測試資料執行描繪，並利用故障判定部對數位資料的輸出與正常時的資料進行比較，藉此進行故障診斷。或者，描繪控制部303亦可藉由如下方式進行故障診斷：利用故障判定部，藉由核對和（checksum）來對數位資料的輸出進行診斷。

另外，例如，作為故障診斷，亦可進行基於電壓測定的設備診斷。更具體而言，對電子束描繪裝置1內所設置的各種電源（例如透鏡或偏轉器等）及數位類比轉換器（Digital to Analog Converter，DAC）放大器等具有類比輸出的電路的類比輸出電壓進行測定，並對測定值與設定值進行比較。

或者，例如，作為故障診斷，亦可對是否正常地照射了多射束MB進行診斷。更具體而言，例如，描繪控制部303利用多射束MB，在設置於試樣103的表面的對位用標記上進行掃描。此時，可對多射束MB的焦點及描繪位置的偏離、以及於多射束MB內是否產生了電子束未正常照射的缺陷射束等進行確認。即，描繪控制部303對是否已獲得試樣103所要求的描繪精度進行確認。

於故障診斷中，亦可執行兩個以上的故障診斷。

在故障診斷的結果判定為存在故障的情況下（步驟S31_是），描繪控制部303中止描繪（步驟S22）。例如，描繪控制部303可將有關描繪中止的資訊輸出至外部。

在判定為無故障的情況下（步驟S31_No），描繪控制部303基於中斷位置資訊對平台驅動機構105進行控制，以使平台104移動至中斷位置（步驟S23）。描繪控制部303返回至步驟S11，再次開始擊射資料向偏轉演算控制電路405的傳送，並再次開始描繪。

1.2.4 中止模式設定時的描繪動作 接下來，使用圖8對中止模式設定時的描繪動作進行說明。圖8是表示中止模式設定時的描繪動作的一例的流程圖。於以下的說明中，以與圖6不同的方面為中心進行說明。

如圖8所示，描繪工序（步驟S10～步驟S13）與圖6相同。

在選擇了中止模式的情況下，若探測出異常，則描繪控制部303中止描繪（步驟S21）。此時，根據需要輸出日誌。

1.3 本實施形態的效果 根據本實施形態，藉由在檢測到異常後中斷來自偏轉演算控制電路的資料傳送，可迅速地中斷描繪，抑制在異常狀態下執行的擊射數。而且，基於偏轉演算控制電路中自未處理的擊射資料生成的中斷位置資訊，自中斷位置再次開始描繪，藉此可減少遮罩報廢的發生。

2.第二實施形態 接下來，對第二實施形態進行說明。於第二實施形態中，對與第一實施形態不同的電子束描繪裝置1的結構進行說明。以下，以與第一實施形態不同的方面為中心進行說明。

2.1 電子束描繪裝置的結構 首先，使用圖9對電子束描繪裝置1的結構進行說明。圖9是表示電子束描繪裝置1的結構的一例的概念圖。再者，於圖9的例子中示出塊之間的連接的一部分，但塊之間的連接並不限定於該些連接。

如圖9所示，描繪機構10與軟體部30的結構與第一實施形態相同。

於本實施形態中，高壓電源401、磁場感測器402、及放電檢測控制電路403對消隱控制電路404分別發送警報訊號AL1～警報訊號AL3。

其他硬體部40的結構與第一實施形態相同。

2.2 描繪動作 接下來，對描繪動作進行說明。描繪動作的流程與第一實施形態相同。

以下，使用圖10對設定待機模式的情況進行說明。圖10是表示待機模式設定時的描繪動作的一例的流程圖。

如圖10所示，描繪工序的步驟S10～步驟S15的動作與第一實施形態的圖6相同。

若檢測到異常（步驟S15_是），則接收到警報訊號AL1～警報訊號AL3中的至少一個的消隱控制電路404中斷消隱控制（步驟S40），與第一實施形態同樣地，使多射束MB成為斷開狀態、或者使試樣103躲避（步驟S17）。然後，消隱控制電路404將內部所保持的未用於消隱控制的未處理的控制資料傳送至偏轉演算控制電路405（步驟S41）。再者，消隱控制電路404亦可將關於異常檢測的資訊發送至偏轉演算控制電路405。

偏轉演算控制電路405將自消隱控制電路404傳送的未處理的控制資料、以及生成未發送至消隱控制電路404的控制資料時所使用的擊射資料中，生成若不中斷描繪則接下來會被傳送至消隱控制電路404的控制資料時所使用的擊射資料的擊射ID傳送至描繪控制部303（步驟S42）。描繪控制部303基於根據所傳送的未處理的控制資料而生成的擊射計數、以及擊射資料的擊射ID，生成中斷位置資訊（步驟S43）。

步驟S20～步驟S23的動作與第一實施形態的圖6相同。

2.3 本實施形態的效果 根據本實施形態，可獲得與第一實施形態相同的效果。進而，由於可中斷來自偏轉演算控制電路405下游側的消隱控制電路404的資料傳送，故可抑制在異常狀態下執行的擊射數，可進一步減少遮罩報廢的發生。

3.第三實施形態 接下來，對第三實施形態進行說明。於第三實施形態中，對與第一實施形態及第二實施形態不同的電子束描繪裝置1的結構進行說明。以下，以與第一實施形態及第二實施形態不同的方面為中心進行說明。

3.1 電子束描繪裝置的整體結構 首先，使用圖11對電子束描繪裝置1的整體結構進行說明。圖11是表示電子束描繪裝置1的整體結構的一例的概念圖。

於本實施形態中，描繪機構10的結構與第一實施形態及第二實施形態相同，但包括利用軟體部30進行偏轉演算控制動作的偏轉演算控制部305來代替第一實施形態及第二實施形態中所說明的偏轉演算控制電路405。

與第二實施形態同樣地，高壓電源401、磁場感測器402、及放電檢測控制電路403對消隱控制電路404分別發送警報訊號AL1～警報訊號AL3。

其他控制機構20的結構與第一實施形態及第二實施形態相同。

3.2 描繪動作 接下來，對描繪動作進行說明。描繪動作的流程與第一實施形態相同。

以下，使用圖12對設定待機模式的情況進行說明。圖12是表示待機模式設定時的描繪動作的一例的流程圖。

如圖12所示，描繪工序的步驟S10～步驟S15的動作與第一實施形態的圖6相同。

若檢測到異常（步驟S15_是），則接收到警報訊號AL1～警報訊號AL3中的至少一個的消隱控制電路404中斷消隱控制（步驟S40）。然後，消隱控制電路404與第一實施形態同樣地，使多射束MB成為斷開狀態、或者使試樣103躲避（步驟S17）。然後，消隱控制電路404將內部所保持的未用於消隱控制的未處理的控制資料傳送至偏轉演算控制部305（步驟S44）。再者，消隱控制電路404亦可將關於異常檢測的資訊發送至偏轉演算控制部305。

偏轉演算控制部305將自消隱控制電路404傳送的未處理的控制資料、以及生成控制資料時所未使用的未處理的擊射資料中，生成若不中斷描繪則接下來會被傳送至消隱控制電路404的控制資料時使用的擊射資料的擊射ID傳送至描繪控制部303（步驟S45）。描繪控制部303基於根據所傳送的未處理的控制資料而生成的擊射計數、以及擊射資料的擊射ID，生成中斷位置資訊（步驟S46）。

步驟S20～步驟S23的動作與第一實施形態的圖6相同。

3.3 本實施形態的效果 根據本實施形態，可獲得與第二實施形態相同的效果。

4. 變形例等 於所述實施形態中，對在描繪前設定動作模式的情況進行了說明，但並不限定於此。於放電檢測控制電路403、高壓電源401及磁場感測器402中，亦可將判定水準設定為兩個階段，並根據判定水準設定動作模式。更具體而言，例如，於放電檢測控制電路403中，在電流的測定值為第一階段的判定水準以上且小於第二階段的判定水準的情況下，選擇待機模式（或診斷模式）。另外，在電流的測定值為第二階段的判定水準以上的情況下，選擇中止模式。

再者，本發明並不限定於所述實施形態，於實施階段能夠於不脫離其要旨的範圍內進行各種變形。另外，各實施形態可適宜地組合實施，該情況下可獲得組合的效果。進而，所述實施形態包括各種發明，可藉由自所揭示的多個結構要件選擇的組合選取各種發明。例如，在即便自實施形態所示的全部結構要件刪除若干結構要件而亦可解決課題、獲得效果的情況下，可選取刪除該結構要件後的結構作為發明。

1:電子束描繪裝置 10:描繪機構 20:控制機構 30:軟體部 40:硬體部 101:描繪室 102:鏡筒 103:試樣 104:平台 105:平台驅動機構 106:法拉第杯 107:反射鏡 111:電子槍（帶電粒子槍） 112:照明透鏡 113:成形孔徑陣列基板 114:消隱孔徑陣列機構 115:縮小透鏡 116:限制孔徑基板 117:物鏡 118:成批消隱器 119:偏轉器 120:放電檢測器 130:開口部 301:描繪資料儲存部 302:擊射資料生成部 303:描繪控制部 304:中斷位置資訊儲存部 305:偏轉演算控制部 401:高壓電源 402:磁場感測器 403:放電檢測控制電路 404:消隱控制電路 405:偏轉演算控制電路 406:擊射資料保存部 407:偏轉演算輸出部 408:平台位置探測器 500:描繪區域 501～508:條紋區域 510:照射區域 AL1、AL2、AL3:警報訊號 B:電子束 MB:多射束 S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8、S9、S10、S11、S12、S13、S14、S15、S16、S17、S18、S19、S20、S21、S22、S23、S30、S31、S40、S41、S42、S43、S44、S45、S46:步驟 X、Y、Z:方向

圖1是第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置的概念圖。 圖2是第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中的成形孔徑陣列基板的平面圖。 圖3是表示第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中作為描繪對象的試樣的描繪區域的概念圖。 圖4是表示第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中擊射辨識符（identifier，ID）與擊射條件的關係的表格。 圖5是表示第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中的描繪動作的流程的流程圖。 圖6是表示在第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中設定了待機模式時描繪動作的流程的流程圖。 圖7是表示在第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中設定了診斷模式時描繪動作的流程的流程圖。 圖8是表示在第一實施形態的帶電粒子束描繪裝置中設定了中止模式時描繪動作的流程的流程圖。 圖9是第二實施形態的帶電粒子束描繪裝置的概念圖。 圖10是表示在第二實施形態的帶電粒子束描繪裝置中設定了待機模式時描繪動作的流程的流程圖。 圖11是第三實施形態的帶電粒子束描繪裝置的概念圖。 圖12是表示在第三實施形態的帶電粒子束描繪裝置中設定了待機模式時描繪動作的流程的流程圖。

1:電子束描繪裝置

10:描繪機構

20:控制機構

30:軟體部

40:硬體部

101:描繪室

102:鏡筒

103:試樣

104:平台

105:平台驅動機構

106:法拉第杯

107:反射鏡

111:電子槍(帶電粒子槍)

112:照明透鏡

113:成形孔徑陣列基板

114:消隱孔徑陣列機構

115:縮小透鏡

116:限制孔徑基板

117:物鏡

118:成批消隱器

119:偏轉器

120:放電檢測器

301:描繪資料儲存部

302:擊射資料生成部

303:描繪控制部

304:中斷位置資訊儲存部

401:高壓電源

402:磁場感測器

403:放電檢測控制電路

404:消隱控制電路

405:偏轉演算控制電路

406:擊射資料保存部

407:偏轉演算輸出部

408:平台位置探測器

AL1、AL2、AL3:警報訊號

B:電子束

MB:多射束

Claims (13)

1. 一種帶電粒子束描繪裝置，包括：描繪機構，將多個帶電粒子束一邊分別消隱一邊照射至對象物來描繪圖案；描繪控制部，基於自所述圖案生成的擊射資料，對所述描繪機構進行控制；偏轉演算控制電路，基於自所述描繪控制部傳送的所述擊射資料生成控制資料，所述控制資料用於對所述多個帶電粒子束分別進行消隱控制；保存部，保存所述擊射資料，直至基於所述擊射資料的描繪完成；消隱控制電路，基於自所述偏轉演算控制電路傳送的所述控制資料，對多個消隱器進行控制以進行所述消隱控制；以及檢測器，對異常進行檢測，所述擊射資料包括對於所述多個消隱器的每一個的所述帶電粒子束的導通或斷開及所述帶電粒子束的照射時間，當於描繪過程中所述檢測器檢測到所述異常時，所述描繪控制部中斷所述描繪，並基於所述保存部中所保存的且與未用於所述消隱的控制的所述控制資料相關的所述擊射資料，生成已中斷所述描繪的位置的中斷位置資訊。
2. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，於所述異常平息後，所述描繪控制部基於所述中斷位置資 訊，再次開始所述描繪。
3. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，若來自所述偏轉演算控制電路的所述控制資料的傳送被中斷，則所述消隱控制電路中斷消隱控制。
4. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，當於所述描繪過程中所述檢測器檢測到所述異常時，所述消隱控制電路中斷消隱控制以中斷所述描繪，並且進一步將未用於所述消隱控制的所述控制資料傳送至所述描繪控制部，所述描繪控制部進一步基於未用於所述消隱控制的所述控制資料，生成所述中斷位置資訊。
5. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，所述描繪控制部基於試樣所要求的描繪精度、待機時間及故障診斷的結果中的至少任意一個，來判斷能否再次開始所述描繪。
6. 如請求項5所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，所述故障診斷包括基於描繪資料的診斷及基於電壓測定的診斷中的至少一個。
7. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，所述保存部保存與所述擊射資料中包含的描繪位置建立了關聯的擊射辨識符。
8. 如請求項1所述的帶電粒子束描繪裝置，其中，所述描繪控制部包括儲存所述中斷位置資訊的中斷位置資訊儲存部。
9. 一種帶電粒子束描繪方法，是將多個帶電粒子束一邊分別消隱一邊照射來描繪圖案的描繪方法，所述描繪方法包括：基於所述圖案生成擊射資料；基於所述擊射資料生成控制資料，所述控制資料用於將所述多個帶電粒子束分別進行消隱控制；保存生成了所述控制資料的所述擊射資料，直至基於所述擊射資料的描繪完成；基於所述控制資料，對多個消隱器進行控制以進行所述消隱控制來進行描繪，所述擊射資料包括對於所述多個消隱器的每一個的所述帶電粒子束的導通或斷開及所述帶電粒子束的照射時間；以及當於所述描繪過程中檢測到異常時，中斷所述描繪，並且基於所保存的且與未用於所述消隱的控制的所述控制資料相關的所述擊射資料，生成已中斷所述描繪的位置的中斷位置資訊。
10. 如請求項9所述的帶電粒子束描繪方法，更包括：於所述異常平息後，基於所述中斷位置資訊，再次開始所述描繪。
11. 如請求項9所述的帶電粒子束描繪方法，其中，中斷所述描繪包括：中斷所述控制資料的傳送；以及中斷所述消隱控制。
12. 如請求項10所述的帶電粒子束描繪方法，其中， 再次開始所述描繪包括：基於試樣所要求的描繪精度、待機時間及故障診斷的結果中的至少任意一個，判斷能否再次開始所述描繪。
13. 如請求項9所述的帶電粒子束描繪方法，其中，所述保存所述擊射資料包括：保存與所述擊射資料中包含的描繪位置建立了關聯的擊射辨識符。