TWI830025B

TWI830025B - 用於腔室排氣清潔的行動清潔模組

Info

Publication number: TWI830025B
Application number: TW110119941A
Authority: TW
Inventors: 勁文陳; 菲利浦亞倫克勞司; 泰正蔡; 韓蓋葉; 安納薩沙布藍尼
Original assignee: 美商應用材料股份有限公司
Priority date: 2020-06-10
Filing date: 2021-06-02
Publication date: 2024-01-21
Also published as: KR20230019977A; KR102852597B1; EP4165677A4; TW202212011A; KR20250130718A; EP4165677A1; JP7498802B2; JP2023529667A; US20210391156A1; WO2021252136A1; CN115699246A; TW202417135A

Abstract

本文揭露的實施例包括一種用於腔室的排氣管線的清潔模組。在一實施例中，行動清潔模組包括：一腔室，其中該腔室包括一第一開口及一第二開口。在一實施例中，清潔模組進一步包括一蓋，該蓋密封該第一開口。在一實施例中，該蓋包括：一介電板；一介電諧振器，該介電諧振器耦合至該介電板；一單極天線，將該單極天線放置於一孔中而進入該介電諧振器；及一導電層，該導電層環繞該介電諧振器。

Description

用於腔室排氣清潔的行動清潔模組

實施例相關於真空腔室，且更特定地相關於用於腔室排氣的清潔單元。

在半導體製造中，腔室處理可在排氣管線中產生不需要的沉積物。不需要的沉積物可隨著時間累積並對工具效能產生負面影響。例如，該累積可使排氣管線電導降低及/或沿著排氣管線的部件發生故障。排氣管線中的節流閥特別容易受到該等累積的影響。

目前沒有用於清潔來自節流閥或排氣管線的其他部件的沉積物的解決方案。目前唯一可用的補救措施是更換節流閥。更換節流閥需要處理工具的大量停機時間，因此維護成本高。

本文揭露的額外實施例包括一種用於腔室的排氣管線的行動清潔組件。在一實施例中，行動清潔組件包括：一推車(cart)；及一固態電子裝置模組，該固態電子裝置模組在該推車上，其中該固態電子裝置模組經配置以產生微波電磁輻射。在一實施例中，該組件進一步包括：一處理器，該處理器在該推車上且電耦合至該固態電子裝置模組；及一電漿清潔模組。在一實施例中，該電漿清潔模組電耦合至該固態電子裝置模組。

本文揭露的額外實施例包括一種在排氣管線上具有清潔模組的處理工具。在一實施例中，處理工具包括：一第一腔室，該第一腔室具有一基座以用於支撐一基板；及一排氣管線，該排氣管線流體耦合至該第一腔室。在一實施例中，該排氣管線包括：一泵；一主要排氣管線，該主要排氣管線在該第一腔室及該泵之間；一節流閥，將該節流閥放置於該主要排氣管線中；及一清潔管線，該清潔管線流體耦合至該主要排氣管線。在一實施例中，第二腔室流體耦合至該清潔管線，且提供一電漿源以用於產生該第二腔室中的一電漿。

以上概述不包括所有實施例的詳盡列表。可預期的是，所有系統和方法都被包括在內，可從上面概括的各種實施例的所有合適的組合以及下方的實施方式中所揭露及在與本申請案一起提交的請求項中特別指出的該等實施例來實踐該等系統和方法。該等組合具有以上概述中未特定敘述的特定優點。

100:處理工具

102:處理區域

103:源RF產生器

104:抽空區域

105:基板

106:氣體源

110:蓋組件

113:絕緣層

116:噴頭板

118:傳熱板

119:通道

120:分歧管

125:偏置功率RF產生器

127:匹配

130:電漿源

131:介電諧振器

132:單極天線

133:介電板

141:狹縫閥隧道

142:腔室

149:質量流量控制器

150:電漿清潔模組

151:介電諧振器

152:單極天線

153:介電板

154:清潔腔室

155:排氣管線

156:清潔管線

157:支撐構件

158:氣體管線

159:質量流量控制器

161:下電極

196:排氣區域

197:處理環

203:反射功率

204:前向功率

206:振盪器模組

207:控制信號

208:控制電路模組

209:控制信號

211:電壓控制電路

212:放大模組

213:前置放大器

214:主要功率放大器

215:固態功率源

216:電源

217:循環器

218:檢測器模組

219:熱中斷

220:壓控振盪器

231:施加器

242:處理腔室

254:清潔腔室

350:電漿清潔模組

351:介電諧振器

351_A:介電諧振器

351_B:介電諧振器

352:單極天線

353:介電板

354:清潔腔室

356:清潔管線

358:密封件

359:導電層

359_A:第一導電層

359_B:第二導電層

442:主要處理腔室

450:電漿清潔模組

451:介電諧振器

452:單極天線

453:介電板

454:清潔腔室

455:排氣管線

456:清潔管線

459:導電層

481:第一閥

482:第二閥

483:第三閥

484:節流閥

485:凸緣

486:凸緣

496:排氣區域

506:氣體面板

550:可攜式電漿清潔模組

551:介電諧振器

553:介電板

554:清潔腔室

560:行動清潔組件

561:推車

562:輪子

563:固態微波電子裝置

564:冷卻單元

565:氣體面板

566:處理器

567:插頭

568:管線

569:流體管線

570:處理工具CPU

571:氣體管線

585:凸緣

640:處理

641:操作

642:操作

643:操作

644:操作

702:系統處理器

704:主記憶體

706:靜態記憶體

708:系統網路介面裝置

710:視訊顯示單元

712:字母數字輸入裝置

714:游標控制裝置

716:信號產生裝置

718:次級記憶體

722:軟體

726:處理邏輯

730:匯流排

731:機器可存取儲存媒體

760:電腦系統

761:網路

圖1A是根據一實施例的包括耦合到排氣的電漿清潔模組的處理工具的橫截面圖。

圖1B是根據一實施例的處理工具的橫截面圖，該處理工具包括模組化微波電漿源和耦合到排氣的電漿清潔模組。

圖2是根據一實施例的用於產生微波電磁輻射的固態電子裝置的區塊圖。

圖3A是根據一實施例的電漿清潔模組的橫截面圖。

圖3B是根據一實施例的電漿清潔模組的橫截面圖，該電漿清潔模組具有作為單片結構的介電板和介電諧振器。

圖3C是根據一實施例的具有環繞介電諧振器的導電層的電漿清潔模組的橫截面圖，該介電諧振器包括多個層。

圖3D是根據一實施例的具有複數個介電諧振器的電漿清潔模組的橫截面圖。

圖4A是根據一實施例的具有整合的電漿清潔模組的排氣的橫截面圖。

圖4B是根據一實施例的具有可攜式電漿清潔模組的排氣的橫截面圖。

圖5A是根據一實施例的行動清潔組件的區塊圖。

圖5B是根據額外實施例的行動清潔組件的區塊圖。

圖6是根據一實施例的使用清潔模組來清潔排氣管線的處理的處理流程圖。

圖7根據一實施例圖示了可與電漿清潔模組結合使用的示例性電腦系統的區塊圖。

根據本文描述的實施例的裝置包括用於腔室排氣管線的清潔單元。在以下描述中，闡述了許多特定細節以便提供對實施例的透徹理解。對於發明所屬技術領域具有通常知識者而言顯而易見的是，可在沒有該等特定細節的情況下實踐實施例。在其他情況下，不詳細描述眾所周知的態樣以免不必要地混淆實施例。此外，應理解，附圖中所展示的各種實施例是說明性表示，且不一定按比例繪製。

如上所述，排氣管線中沉積物的累積需要處理工具的昂貴停機時間。據此，本文揭露的實施例包括附接到排氣管線的電漿清潔模組。電漿清潔模組可提供清潔排氣管線的電漿物質。因此，電漿清潔模組可移除沉積物，而無需使處理工具離線顯著的時間。特定地，處理工具在清潔期間可保持在真空下，使得在維護之後不需要重新抽空處理工具和重新建立用於基板處理的穩定條件。這是一個顯著的成本節約。

在一些實施例中，電漿清潔模組是可攜式的。亦即，電漿清潔模組可為可在多個腔室之間共享的行動清潔組件的一部分。這降低了提供清潔功能所需的資本成本。此外，處理工具可能不需要足夠的重新設計來容納電漿清潔模組。電漿清潔模組可連接到沿著排氣管線的端口。

由於電漿源的設計，可攜式電漿清潔模組成為可能。特定地，本文揭露的實施例包括具有固態電子裝置的微波電漿源。與需要龐大波導的磁控管微波功率源相比，使用該微波源可允許緊湊的設計。在本文揭露的實施例中，固態電子裝置模組可儲存在推車(cart)上且藉由同軸纜線附接到可攜式清潔模組的介電諧振器。在一實施例中，推車也可收容也附接到可攜式清潔模組的氣體面板和冷卻源。然而，在一些實施例中，氣體和冷卻流體之其中一者或兩者也可源自處理工具。

另外，由於電漿清潔模組的緊湊設計，電漿清潔模組可與處理工具整合。亦即，電漿清潔模組可被視為處理工具的一部分。在該等實施例中，氣體和冷卻流體可源自處理工具。

現在參考圖1，根據一實施例，展示了包括電漿清潔模組150的處理工具100的橫截面圖。電漿處理工具100可為電漿蝕刻腔室、化學氣相沉積腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室、原子層沉積腔室、電漿增強原子層沉積腔室、物理氣相沉積腔室、電漿處理腔室、離子注入腔室、或其他合適的真空或受控環境處理腔室。

處理工具100包括經接地的腔室142。腔室142可包括處理區域102和抽空區域104。可使用蓋組件110來密封腔室142。從一個或更多個氣體源106(例如，氣體面板)經由質量流量控制器149供應處理氣體至蓋組件110並進入處理區域102。

排氣區域196中的泵可維持腔室142內所需壓力並從腔室142中的處理移除副產物。在一實施例中，排氣區域可包括在腔室142和泵之間的排氣管線155。清潔管線156可與排氣管線155相交。在一實施例中，清潔管線156在排氣管線155和電漿清潔模組150之間。在一實施例中，電漿清潔模組經配置以提供遠端電漿以用於清潔排氣區域196。

在一實施例中，電漿清潔模組150包括清潔腔室154。清潔腔室154是產生電漿的地方。在一實施例中，清潔腔室154包括由介電板153密封的第一開口和連接到清潔管線156的第二開口。可使用模組化微波源產生電漿清潔模組150中的電漿。例如，介電諧振器151耦合到介電板153。單極天線152插入介電諧振器151的軸心。單極天線152連接到固態微波產生電子裝置(下面更詳細地描述)。由於固態設計，不需要磁控管式微波電漿所需的龐大波導和其他部件，且提供了緊湊的設計。緊湊的設計允許電漿清潔模組150與處理工具整合，而無需顯著的重新設計。

在一實施例中，電漿清潔模組150藉由氣體管線158連接到氣體源106。質量流量控制器159可控制氣體流動進入清潔腔室154。在圖示的實施例中，氣體管線158被展示為通過清潔腔室154的壁。然而，應理解，也可經由介電板153供應氣體(例如，使用噴頭設計或其他分歧管類型結構)。在一實施例中，電漿清潔模組150也可為溫度受控的。例如，電漿清潔模組150可連接到冷卻流體源。

在一實施例中，蓋組件110一般包括上電極，該上電極包括噴頭板116和傳熱板118。蓋組件110藉由絕緣層113與腔室142隔離。上電極經由匹配(未展示)耦合到源RF產生器103。源RF產生器103可具有例如在300kHz和60MHz之間或在60MHz和180MHz之間的頻率，且在特定實施例中，在13.56MHz頻帶中。

據此，處理工具100可包括一對電漿源。例如，RF產生器103可在處理區域102中產生第一電漿，且微波電子裝置可在清潔腔室154中產生第二電漿。在圖1A中所圖示的特定實施例中，使用不同波長的電磁輻射來產生第一電漿和第二電漿。

來自氣體源106的氣體進入噴頭板116內的分歧管120並經由進入噴頭板116的開口離開進入腔室142的處理區域102。在一實施例中，傳熱板118包括傳熱流體流過的通道119。噴頭板116和傳熱板118由RF傳導材料製成，例如鋁或不銹鋼。在某些實施例中，提供氣體噴嘴或其他合適的氣體分配組件以用於將處理氣體分配進入腔室142而非(或除了)噴頭板116。

處理區域102可包括下電極161，基板105固定在下電極161上。也可由下電極161來支撐環繞基板105的處理環197的部分。基板105可經由穿過腔室142的狹縫閥隧道141插入腔室142中(或從腔室142提取)。為簡化起見，省略了用於狹縫閥隧道141的門。下電極161可為靜電吸盤。可由支撐構件157來支撐下電極161。在一實施例中，下電極161可包括複數個加熱區，每一區可獨立地控制到溫度設定點。例如，下電極161可包括接近基板105中心的第一熱區和接近基板105周邊的第二熱區。偏置功率RF產生器125經由匹配127耦合到下電極161。如果需要，偏置功率RF產生器125提供偏置功率以對電漿賦能。偏置功率RF產生器125可具有例如約300kHz到60MHz之間的低頻，且在特定實施例中，在13.56MHz頻帶中。

在圖1A中，處理工具100被展示為能夠在處理區域102中形成電漿的電漿反應器。然而，應理解，處理工具100可包括不使用電漿源的處理區域102。例如，處理工具100可包括熔爐。在一些實施例中，處理區域102也可為批次反應器。亦即，處理區域102可同時處理複數個基板。

現在參照圖1B，根據額外實施例展示了處理工具100的橫截面圖。除了用於在處理區域102中產生電漿的電漿源130之外，圖1B中的處理工具可實質類似於圖1A中的處理工具100。代替使用RF電漿源，圖1B中的處理工具 100可使用微波電漿源130。在特定實施例中，微波電漿源130是模組化微波電漿源。例如，微波電漿源130可包括具有佈置在介電板133上的複數個介電諧振器131的介電板133。單極天線132可設置在每一介電諧振器131的軸心中。每一單極天線132可連接到固態微波產生電子裝置。

在一個實施例中，微波電漿源130的固態微波電子裝置可為用於電漿清潔模組150中電漿產生的相同微波電子裝置。在其他實施例中，單獨的微波電子裝置可用於微波電漿源130和電漿清潔模組150。

現在參考圖2，根據一實施例，展示了固態功率源215的示意圖。在一實施例中，固態功率源215包括振盪器模組206。振盪器模組206可包括用於向壓控振盪器220提供輸入電壓以便產生期望頻率的微波電磁輻射的電壓控制電路211。實施例可包括約1V和10V DC之間的輸入電壓。壓控振盪器220是振盪頻率由輸入電壓控制的電子振盪器。根據一實施例，來自電壓控制電路211的輸入電壓導致壓控振盪器220以期望頻率振盪。在一實施例中，微波電磁輻射可具有約0.1MHz和30MHz之間的頻率。在一實施例中，微波電磁輻射可具有約30MHz和300MHz之間的頻率。在一實施例中，微波電磁輻射可具有約300MHz和1GHz之間的頻率。在一實施例中，微波電磁輻射可具有約1GHz和300GHz之間的頻率。

根據一實施例，電磁輻射從壓控振盪器220傳送到放大模組212。放大模組212可包括驅動器/前置放大器 213和主要功率放大器214，每一者耦合到電源216。根據一實施例，放大模組212可以脈衝模式來操作。例如，放大模組212可具有在1%和99%之間的佔空比(duty cycle)。在更特定的實施例中，放大模組212可具有約15%和50%之間的佔空比。

在一實施例中，在被放大模組212處理之後，電磁輻射可被傳送到熱中斷219和施加器231。然而，傳送到熱中斷219的功率的一部分可能由於輸出阻抗不匹配而反射回去。據此，一些實施例包括檢測器模組218，檢測器模組218允許在反射功率到達將反射功率路由到接地的循環器217之前感測前向功率204和反射功率203的層級並將其反饋到控制電路模組208。應理解，檢測器模組218可位於系統中的一個或更多個不同位置處。在一實施例中，控制電路模組208將前向功率204和反射功率203解譯，並決定通訊耦合到振盪器模組206的控制信號209的層級和通訊耦合到放大器模組212的控制信號207的層級。在一實施例中，控制信號209調整振盪器模組206以最佳化耦合到放大模組212的高頻輻射。在一實施例中，控制信號207調整放大器模組212以最佳化經由熱中斷219耦合到施加器231的輸出功率。在一實施例中，除了熱中斷219中阻抗匹配的定制之外，振盪器模組206和放大模組212的反饋控制可允許反射功率的層級小於前向功率的約5%。在一些實施例中，振盪器模組206和放大模組212的反饋控制可允許反射功率的層級小於前向功率的約2%。

據此，實施例允許增加百分比的前向功率耦合進入處理腔室242或清潔腔室254，並增加耦合到電漿的可用功率。此外，使用反饋控制的阻抗調諧優於典型插槽板天線中的阻抗調諧。在插槽板天線中，阻抗調諧涉及移動施加器中形成的兩個介電質塊。這涉及施加器中兩個獨立部件的機械運動，這增加了施加器的複雜性。此外，機械運動可能不如壓控振盪器220可提供的頻率改變那麼精確。

現在參照圖3A至3D，根據各種實施例，展示了各種電漿清潔模組350的橫截面圖。圖3A至3D中的電漿清潔模組350可與處理工具整合。在其他實施例中，電漿清潔模組350可為可攜式電漿清潔模組。亦即，電漿清潔模組350可容易地從處理工具拆卸。下面更詳細地描述可攜式電漿清潔模組。

現在參照圖3A，根據一實施例，展示了電漿清潔模組350的橫截面圖。電漿清潔模組350可包括產生電漿的清潔腔室354。清潔腔室354可具有第一開口和第二開口。第一開口可由介電板353封閉。在一實施例中，可將密封件358(例如，O形環等)放置於介電板353和清潔腔室354之間。第二開口可流體耦合至清潔管線356。清潔管線耦合到處理工具的排氣管線(未展示)。

在一實施例中，介電諧振器351耦合到介電板353。孔可設置在介電諧振器351的軸心。在一實施例中，單極天線352插入孔。單極天線352連接到供應微波電磁輻射的功率源。例如，功率源可為固態微波電子裝置模組，例如上文相關於圖2描述的固態功率源215。在所圖示的實施例中，介電諧振器351抵靠介電板353的外表面。然而，在其他實施例中，介電諧振器351可延伸穿過介電板並延伸進入清潔腔室354內的自由空間。

在一實施例中，導電層359可環繞介電諧振器351。在一些實施例中，導電層359可維持在接地電位。導電層359屏蔽介電諧振器351且提供微波電磁輻射進入清潔腔室354的改進的耦合。在一實施例中，導電層359可為溫度受控部件。例如，導電層可流體耦合到冷卻劑源。導電層359可包括來自冷卻劑源的冷卻劑流過的冷卻通道(未展示)。在其他實施例中，電漿清潔模組也可包括加熱元件或耦合到高溫熱流體源。

在一實施例中，可供應氣體到清潔腔室354。可經由清潔腔室354的壁中的端口注入氣體。在其他實施例中，可經由介電板353供應氣體到清潔腔室354。

現在參照圖3B，根據額外實施例展示了電漿清潔模組350的橫截面圖。除了介電板353和介電諧振器351之間的介面之外，圖3B中的電漿清潔模組350可實質類似於圖3A中的電漿清潔模組350。例如，圖3B中所展示實施例中的介電板353和介電諧振器351之間可能沒有可識別的介面。亦即，介電板353和介電諧振器351可被形成為單個單片結構。

現在參照圖3C，根據額外實施例展示了電漿清潔模組350的橫截面圖。除了導電層359的結構之外，圖3C 中的電漿清潔模組350可實質類似於圖3B中的電漿清潔模組350。如所展示，導電層359可包括複數個導電層。例如，第一導電層359_A在介電板353上，而第二導電層359_B在第一導電層上。可使用與圖3A中所展示的結構類似的結構來實作類似的多層導電層359。亦即，當介電板353和介電諧振器351是分離的部件時，可實作第一導電層359_A和第二導電層359_B。

在一實施例中，第一導電層359_A可具有第一熱膨脹係數(CTE)，且第二導電層359_B可具有大於第一CTE的第二CTE。特定地，第一導電層359_A的第一CTE可與介電板353的CTE緊密匹配，以便最小化可損壞介電板353的熱應力。在特定實施例中，第一導電層359_A可包括鈦，且第二導電層359_B可包括鋁。在一些實施例中，第一導電層359_A可固定到第二導電層359_B。例如，第一導電層359_A可被螺栓連接或以其他方式結合到第二導電層359_B。

現在參照圖3D，根據額外實施例展示了電漿清潔模組350的橫截面圖。除了複數個介電諧振器351設置在介電板353上之外，圖3D中的電漿清潔模組350可實質類似於圖3A中的電漿清潔模組350。雖然展示了兩個介電諧振器351_A和351_B，應理解，在電漿清潔模組350中可包括任意數量的介電諧振器351。增加介電諧振器351的數量可提供對排氣區域的改進的清潔。

現在參照圖4A，根據一實施例展示了排氣區域496的橫截面圖。圖4A中的排氣區域496圖示了整合的電漿清潔模組450。亦即，電漿清潔模組450被整合為處理工具的一部分。在一實施例中，排氣區域496包括將主要處理腔室442流體耦合到泵的排氣管線455。在一實施例中，節流閥484可設置在排氣管線455內。清潔管線456將電漿清潔模組450的清潔腔室454流體耦合到排氣管線455。

在一實施例中，電漿清潔模組450可實質類似於上述任一電漿清潔模組350。例如，電漿清潔模組450可包括清潔腔室454、介電板453、介電諧振器451、單極天線452、和導電層459。

在一實施例中，排氣區域496可包括複數個閥。可沿著主要處理腔室442和節流閥484之間的排氣管線455放置第一閥481。可在清潔期間關閉第一閥481以隔離主要處理腔室442。因此，在維護期間或之後不會改變主要處理腔室442的條件。可沿著節流閥482和泵之間的排氣管線455放置第二閥482。可沿著清潔腔室454和排氣管線455之間的清潔管線456放置第三閥483。可藉由處理工具電腦(未展示)來控制閥481、482和483。

在一實施例中，可根據期望的處理操作開啟或關閉閥481、482和483。例如，在主要處理腔室442中處理基板期間，可開啟第一閥481和第二閥482，而可關閉第三閥483。在清潔操作期間，可開啟第三閥483且可關閉第一閥481。下面相關於圖6更詳細地描述使用電漿清潔模組450實作清潔操作的處理。

現在參照圖4B，根據額外實施例展示了處理工具的排氣區域496的橫截面圖。在一實施例中，除了電漿清潔模組450是可攜式電漿清潔模組之外，圖4B中的排氣區域496可實質類似於圖4A中的排氣區域496。亦即，電漿清潔模組450經配置以容易地從處理工具附接和拆卸。在一實施例中，可攜式電漿清潔模組在不使用時可儲存在推車上(下面更詳細地描述)。

在一實施例中，電漿清潔模組450可包括附接到清潔腔室454的凸緣485。清潔管線456也可包括用於與電漿清潔模組450的凸緣485交界的凸緣486。可使用適用於在清潔管線456和電漿清潔模組450之間提供真空緊密密封的任何合適的凸緣或其他連接方案。例如，凸緣485和486可包括KF40或KF50凸緣。

現在參照圖5A和5B，根據一實施例展示了行動清潔組件560的示意圖。行動清潔組件560允許可攜式電漿清潔模組550在整個設施中容易移動，以便為複數個處理工具提供清潔。在一些實施例中，行動清潔組件560也可包括用於可攜式電漿清潔模組550的一個或更多個周邊設備(例如，氣體、冷卻流體等)。

現在參考圖5A，根據一實施例展示了行動清潔組件560的示意圖。在一實施例中，行動清潔組件560包括推車561和附接到推車561的可攜式電漿清潔模組550。在一實施例中，可攜式電漿清潔模組550可類似於本文揭露的任何電漿清潔模組。例如，可攜式電漿清潔模組550可包括清潔腔室554、介電板553、和介電諧振器551。凸緣585或其他互連部件可連接到清潔腔室554以便將電漿清潔模組附接到處理工具。推車561很容易在設施周圍轉移。例如，推車561可具有一組輪子562。

當不使用時，可攜式電漿清潔模組550被儲存在推車561上。當使用時，可藉由與儲存在推車561上的周邊設備的各種互連將可攜式電漿清潔模組550拴在推車561上。例如，推車561可收容固態微波電子裝置563、傳熱流體的溫控容器(例如，冷卻單元564)、和氣體面板565。可攜式電漿清潔模組550和微波電子裝置563之間的管線568可為同軸纜線。氣體管線571和流體管線569可為分別用於輸送氣體和流體的任何合適的管線。

在又一實施例中，可攜式電漿清潔模組550可與處理工具整合，而非儲存在推車561上，類似於圖4A中所展示的實施例。在該實施例中，儲存在推車561上的周邊設備可藉由管線568、流體管線569和氣體管線571附接到可攜式電漿清潔模組550，當不使用可攜式電漿清潔模組550時，可從可攜式電漿清潔模組550拆卸該等周邊設備。

在一實施例中，也在推車561上提供處理器(例如，CPU)566。處理器566可通訊耦合到推車561上的周邊設備。因此，處理器566可用於控制可攜式電漿清潔模組550(亦即，經由微波電子裝置563的控制)，以及可攜式電漿清潔模組550的溫度(亦即，經由冷卻單元564的控制)，且氣體流到可攜式電漿清潔模組550(亦即，經由氣體面板565的控制)。在一些實施例中，處理器566也可通訊耦合到處理工具CPU 570。因此，也可控制處理工具的部件(未展示)以與可攜式電漿清潔模組550協同工作。例如，可開啟或關閉處理工具的排氣區域中的一個或更多個閥以啟動清潔處理。

在一實施例中，可藉由插頭567來提供用於行動清潔組件560的功率。插頭567可為連接到120V或240V插座的標準插頭。據此，在該等實施例中不需要便於提供更高電壓的專用電源。較低的功率需求可歸因於緊湊的設計和固態電子裝置以驅動一個(或多個)施加器以用於將微波電磁輻射注入清潔腔室554。

現在參考圖5B，根據額外實施例展示了行動清潔組件560的示意圖。除了從推車561移除了可攜式電漿清潔模組550的一個或更多個周邊設備之外，行動清潔組件560可實質類似於圖5A中的行動清潔組件560。特定地，圖5B中的實施例展示了從推車561移除氣體面板。相反，到可攜式電漿清潔模組550的氣體源自處理工具的氣體面板506。

在圖5B中，冷卻單元564保留在推車561上。然而，應理解，也可從推車561移除冷卻單元564。在該等實施例中，用於可攜式電漿清潔模組550的冷卻流體可源自處理工具的冷卻單元。在一些實施例中，氣體面板565和冷卻單元564兩者都可從推車561移除。

在其他實施例中，行動清潔組件560可僅包括可攜式電漿清潔模組550和用於連接到處理工具的對應互連件(例如，管線568、流體管線569和氣體管線571)。在該等實施例中，可攜式電漿清潔模組550可從處理工具提供功率、冷卻流體、和氣體。處理工具的處理器也可控制可攜式電漿清潔模組550的操作。

現在參考圖6，根據一實施例展示了圖示用於清潔處理工具的排氣區域的處理640的處理流程圖。可使用整合的電漿清潔模組或可攜式電漿清潔模組之任一者來實作處理640。在可攜式電漿清潔模組的情況下，處理640也可包括將可攜式電漿清潔模組附接到排氣管線。

在一實施例中，處理640可包括操作641，包括關閉排氣管線中的腔室閥。關閉的腔室閥可為腔室隔離閥。腔室隔離閥可為在主要腔室和清潔管線之間的閥。例如，關閉的閥可為圖4A和4B中所展示的第一閥481。關閉腔室隔離閥允許在不變更主要腔室的壓力的情況下進行清潔處理。因此，維護之後不需要額外的抽氣，且減少了處理工具的停機時間。

在一實施例中，處理640可包括操作642，包括開啟閥以將電漿清潔模組流體耦合到泵。例如，開啟的閥可為圖4A和4B中的第三閥483。

在一實施例中，處理640可包括操作643，包括使用泵抽空電漿清潔模組。例如，可啟動泵以在電漿清潔模組的清潔腔室中產生適用於電漿產生的壓力。

在清潔腔室中提供真空之後，處理640可包括操作644，包括在電漿清潔模組中激發電漿。在一實施例中，電漿可被稱為遠端電漿。亦即，可將電漿遠端地提供到需要清潔的位置。例如，清潔可發生在附接到清潔管線和電漿清潔模組的排氣管線中。在一實施例中，清潔可包括清潔節流閥，該節流閥被包括在排氣管線中。

現在參考圖7，根據一實施例展示了可使用的處理工具或行動電漿清潔模組的示例性的電腦系統760的區塊圖。在一實施例中，電腦系統760耦合到且控制電漿腔室中的處理。電腦系統760可連接(例如，網路連接)至區域網路(LAN)、內聯網路、外聯網路或網際網路中的其他機器。電腦系統760可在客戶端-伺服器網路環境中以伺服器或客戶端機器的能力操作，或作為同級間(或分佈式)網路環境中的同級機器操作。電腦系統760可為個人電腦(PC)、平板電腦、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、行動式電話、網路應用設備、伺服器、網路路由器、交換器或橋、或任何能夠執行指令集(依序或其他)的機器以指定該機器要採取的動作。此外，儘管僅針對電腦系統760圖示了單個機器，術語「機器」也應被視為包含個別地或聯合地執行一指令集(或多個指令集)的任何機器的集合(例如，電腦)，以執行本文描述的任何一個或更多個方法。

電腦系統760可包含電腦程式產品，或軟體722，具有儲存於上的指令的非暫態機器可讀取媒體，可使用該等指令以對電腦系統760(或其他電子裝置)進行編程以執行根據實施例的處理550。機器可讀取媒體包含用於以機器(例如，電腦)可讀取的形式儲存或傳送資訊的任何機制。例如，機器可讀取(例如，電腦可讀取)媒體包含機器(例如，電腦)可讀取儲存媒體(例如，唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體裝置等)、機器(例如，電腦)可讀取傳輸媒體(電、光、聲或其他形式的傳播信號(例如，紅外光信號、數位信號等))等。

在一實施例中，電腦系統760包含彼此經由匯流排730通訊的系統處理器702、主記憶體704(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、諸如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)的動態隨機存取記憶體(DRAM)等)、靜態記憶體706(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)和次級記憶體718(例如，資料儲存裝置)。

系統處理器702表示一個或更多個一般用途處理裝置，諸如微系統處理器、中心處理單元等。更特定地，系統處理器可為複雜指令集計算(CISC)微系統處理器、精簡指令集計算(RISC)微系統處理器、超長指令字(VLIW)微系統處理器、實作其他指令集的系統處理器、或實作指令集的組合的系統處理器。系統處理器702也可為一個或更多個特殊用途處理裝置，例如特定應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、數位信號系統處理器(DSP)、網路系統處理器等。系統處理器702經配置以執行處理邏輯726以用於執行本文描述的操作。

電腦系統760可進一步包含用於與其他裝置或機器通訊的系統網路介面裝置708。電腦系統760也可包含視訊顯示單元710(例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)、或陰極射線管(CRT))、字母數字輸入裝置712(例如，鍵盤)、游標控制裝置714(例如，滑鼠)和信號產生裝置716(例如，揚聲器)。

次級記憶體718可包含機器可存取儲存媒體731(或更特定地，電腦可讀取儲存媒體)，其上儲存了一個或更多個指令集(例如，軟體722)，該等指令集施行本文描述的任何一個或更多個方法或功能。軟體722也可在由電腦系統760執行期間完全或至少部分地駐留在主記憶體704內及/或系統處理器702內，主記憶體704和系統處理器702也構成機器可讀取儲存媒體。可進一步經由系統網路介面裝置708在網路761上傳送或接收軟體722。

儘管在示例性實施例中將機器可存取儲存媒體731展示為單個媒體，術語「機器可讀取儲存媒體」應當被視為包含單個媒體或儲存一個或更多個指令集的多個媒體(例如，集中式或分佈式資料庫及/或相關聯的快取及伺服器)。術語「機器可讀取儲存媒體」也應被視為包含能夠儲存或編碼指令集以供機器執行並且使機器執行任何一個或更多個方法的任何媒體。據此，術語「機器可讀取儲存媒體」應被視為包含但不限於固態記憶體，及光學和磁性媒體。

在前述說明書中，已描述了特定的示例性實施例。明顯地，在不脫離以下請求項的範圍的情況下，可對該等實施例進行各種修改。據此，說明書和圖式被視為是說明性的而不是限制性的。