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TWI828781B - 減弱干涉端點檢測系統中的內部反射的方法及處理腔室 - Google Patents

減弱干涉端點檢測系統中的內部反射的方法及處理腔室 Download PDF

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TWI828781B
TWI828781B TW108137605A TW108137605A TWI828781B TW I828781 B TWI828781 B TW I828781B TW 108137605 A TW108137605 A TW 108137605A TW 108137605 A TW108137605 A TW 108137605A TW I828781 B TWI828781 B TW I828781B
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Abstract

公開了一種用於操作處理腔室的端點檢測系統的方法，所述處理腔室具有形成在其中的頂板、位於所述處理腔室內的基板支撐件和擱置在所述基板支撐件上的基板。透明面板位於所述處理腔室的所述頂板中，所述面板相對於所述基板和所述基板支撐件以第一銳角定向。所述透明面板從所述端點檢測系統接收相對於所述面板為第二銳角的入射光束。所述透明面板以垂直於所述基板和所述基板支撐件的角度將所述入射光束傳輸到所述處理腔室內的所述基板。

Description

減弱干涉端點檢測系統中的內部反射的方法及處理腔室
本發明的實施例大體上涉及用於半導體處理的端點檢測，並且更特定地涉及使入射光和反射光的反射得以減弱的端點檢測系統和方法。
自從數十年前半導體元件初次引入以來，此類元件的幾何結構的尺寸已經急劇地減小。越來越大的電路密度已經對用於製造半導體元件的製程提出了附加要求。例如，隨著電路密度增大，間距尺寸快速地減小到50nm以下的尺寸，而諸如溝槽、溝槽深度的豎直尺寸保持相對恆定，因此特徵的深寬比(即，其高度除以寬度)增大。精確地控制此種高密度和亞微米特徵的尺寸對可靠地形成半導體元件是關鍵的。
習用地透過將基板表面圖案化以限定特徵的橫向尺寸隨後蝕刻基板以移除材料並限定特徵來形成半導體元件，諸如電晶體和電容器。為了形成具有期望電氣性能的特徵，必須在控制規格內形成特徵的尺寸。因此，基板的精確的圖案化和後續蝕刻對可靠地形成具有期望臨界尺寸的特徵是關鍵的。
在積體電路製造中，必須將層結構化以形成高密度半導體元件。因此，可能必須使用電漿蝕刻製程以部分地移除一個或多個層。在電漿蝕刻期間，利用遮罩將圖案轉移到設置在基板上的靶層而不蝕刻到設置在靶層下面的層。為了將下面的層或基板部分地蝕刻到目標深度或厚度，利用干涉端點技術。干涉端點系統使用在晶圓表面上的不同介面反射的反射光波的干涉來識別表面的蝕刻深度或膜厚度的變化。
干涉儀透過重疊來自兩個路徑的餘光測量兩個或更多個光路的差異，從而產生干涉條紋。使用單色光源或寬頻光源並從複合膜堆疊的表面反射單色光源或寬頻光源。可以識別在光源波長的範圍內的細微變化。
反射光是來自設置在基板上的每個層的信號的組合，並且針對每個層形成特殊的干涉條紋。出於端點檢測目的，可以針對各個層類比干涉條紋圖案隨後在蝕刻期間將干涉條紋圖案與測量信號進行比較。該方法很有效並可以用於監測在頂上有多個層的基板的蝕刻或沉積和端點檢測。
傳輸光和反射光一般穿過電漿蝕刻腔室中的大體上平坦的、透明的視窗，其中具有正在被蝕刻的基板的入射視圖。遺憾的是，在蝕刻時，習用平坦干涉測量端點(interferometry endpoint, IEP)檢測視窗遇到顯著的內部反射和對基板上度量的減小的靈敏度問題。減小IEP視窗中的內部反射的典型方法是在視窗表面處使用抗反射塗層(anti-reflective coatings, ARC)。遺憾的是，當必須在大範圍波長內（一般是200 nm到800 nm）移除內部反射時，ARC僅僅對有限範圍的波長起作用。
因此，本領域中需要用於減弱端點檢測系統的內部反射的有效方式。
本文中呈現的實施例提供用於操作端點檢測系統的方法、用於端點檢測系統的透明面板和具有所述端點檢測系統的處理腔室。處理腔室具有形成在其中的頂板、位於處理腔室內的基板支撐件和擱置在基板支撐件上的基板。透明面板位於處理腔室的頂板中，面板相對於基板和基板支撐件以第一銳角定向。透明面板從端點檢測系統接收相對於面板為第二銳角的入射光束。透明面板以垂直於基板和基板支撐件的角度將入射光束傳輸到處理腔室內的基板。
本文中呈現的實施例進一步提供處理腔室。處理腔室包括具有側壁和底部的腔室主體。頂板安裝成上覆於腔室主體，頂板和腔室主體限定處理腔室的內部空間。基板支撐件設置在處理腔室的內部空間中並被配置為在處理期間支撐基板。腔室進一步包括端點檢測系統。腔室進一步包括透明面板，透明面板安裝在頂板中並被配置為允許端點檢測系統經由透明面板與基板對接，透明面板相對於基板和基板支撐件以第一銳角定向。透明面板被配置為從端點檢測系統接收相對於面板為第二銳角的入射光束。透明面板進一步被配置為以垂直於基板和基板支撐件的角度將入射光束傳輸到處理腔室內的基板。
本文中呈現的實施例進一步提供適合在處理腔室的端點檢測系統中使用的傾斜視窗。傾斜視窗包括安裝框，安裝框具有包括第一區段和垂直於第一區段延伸的第二區段的主體。第二區段具有上表面和底表面，第二區段的上表面相對於第二區段的底表面以第一銳角傾斜並且相對於第一區段以第二銳角傾斜。傾斜視窗進一步包括面板，面板具有包括頂表面、底表面和側壁的主體，面板設置在安裝框中。面板的側壁鄰近安裝框的第一區段，並且面板的底表面擱置在相對於安裝框的第二區段的底表面以第一銳角定向的安裝框的第二區段的上表面上。
本文中呈現的實施例進一步提供處理腔室。處理腔室包括具有側壁和底部的腔室主體。頂板安裝成上覆於腔室主體，頂板和腔室主體限定處理腔室的內部空間。基板支撐件設置在處理腔室的內部空間中並被配置為在處理期間支撐基板。腔室進一步包括端點檢測系統。腔室進一步包括傾斜視窗，傾斜視窗安裝在頂板中並被配置為允許端點檢測系統經由傾斜視窗與基板對接。傾斜視窗包括安裝框，安裝框具有包括第一區段和垂直於第一區段延伸的第二區段的主體。第二區段具有上表面和底表面，第二區段的上表面相對於第二區段的底表面以第一銳角傾斜並相對於第一區段以第二銳角傾斜。傾斜視窗進一步包括面板，面板具有包括頂表面、底表面和側壁的主體，面板設置在安裝框中。面板的側壁鄰近安裝框的第一區段，並且面板的底表面擱置在相對於安裝框的第二區段的底表面以第一銳角定向的安裝框的第二區段的上表面上。
本文中呈現的傾斜視窗可以在所關注的大範圍波長內（諸如在約200 nm到800 nm之間）有效地減小內部反射而不需要抗反射塗層。IEP系統的動態範圍得到改善。傾斜視窗的直接益處為改善的蝕刻深度和厚度控制精確度以及延長的視窗使用壽命。傾斜視窗通常與現有腔室主體相容，並且因而可以改裝到幾乎所有現有的使用IEP系統的電漿處理腔室中。
圖1為根據本發明的一個實施例的電漿處理腔室100的示意性剖視圖。適合的處理腔室包括電感耦合和電容耦合電漿蝕刻腔室，諸如可從加州聖克拉拉市（Santa Clara, California）的應用材料公司（Applied Materials, Inc.）購得的SYM3®蝕刻系統等等。其他類型的處理腔室可以適於受益於本發明，包括例如不同設計的化學氣相沉積腔室、電容耦合平行板材腔室和磁性增強離子蝕刻腔室以及電感耦合的電漿蝕刻腔室。
處理腔室100大體上包括腔室主體102和能源透明頂板103。腔室主體102還具有腔室底部107。腔室主體102由金屬製造，諸如陽極化鋁或不銹鋼。頂板103安裝在主體102上。頂板103可以是平坦的、矩形的、弓形的、錐形的、拱頂形的或多半徑形的。頂板103由能源透明材料製造，諸如陶瓷或其他介電材料。電感線圈126設置在處理腔室100的頂板103上方，並且用於在處理期間激勵腔室100內的氣體。
基板支撐件116設置在處理腔室100中，具有基板支撐表面188以在處理期間支撐基板120。基板支撐件116可以包括靜電吸盤，基板支撐件116的至少一部分為導電的並能夠充當處理偏壓陰極。
經由氣體分配器122將處理氣體從處理氣源148引入處理腔室100中。氣體分配器122可以設置在頂板103或腔室主體102中，大體上在基板支撐件116上方。用於每種處理氣體或替代地用於處理氣體的混成物的質量流量控制器（未示出）設置在氣體分配器122與處理氣源148之間以調節進入腔室主體102的處理氣體的相應流率。
電漿區114限定在基板支撐件116與頂板103之間的腔室主體102中。使用線圈電源127在電漿區114中由處理氣體形成電漿，線圈電源127透過RF匹配網路135向電感線圈126供電以在電漿區114中產生電磁場。基板支撐件116可以包括設置在其中的電極，該電極由電極電源128經由RF匹配網路125供電並在處理腔室100中產生電容電場。典型地，在主體102電接地時，向基板支撐件116中的電極施加RF電力/功率。電容電場是橫向於基板支撐件116的平面，並且影響帶電物質的方向為更垂直於基板120以提供基板120的更豎直地定向的各向異性蝕刻。
處理氣體和蝕刻劑副產物透過排氣系統130從處理腔室100中排放。排氣系統130可以設置在處理腔室100的底部107中或可以設置在處理腔室100的主體102的用於移除處理氣體的另一個部分中。在排氣埠134中提供節流閥132以用於控制處理腔室100中的壓力。
圖1進一步示出連接到處理腔室100的端點檢測系統164。端點檢測系統164可以是干涉儀端點(IEP)檢測系統。端點檢測系統164被定位來穿過頂板103的一部分與基板120對接。在一個實例中，端點檢測系統164被定位來穿過頂板103的從頂板103的中心偏離的部分與基板的周邊部分對接。如此，端點檢測系統164可直視檢測基板120的周邊區域表面。
端點檢測系統164大體上包括光源166、對準組件168和光檢測器170。光源166被配置為發射光束。對準元件168被配置為將光束聚焦到入射光束176中。入射光束176以垂直於基板支撐表面188的方向穿過頂板103並照亮基板120的表面上的區域或斑180。入射光束176被基板120的表面反射以形成反射光束178。在垂直於基板支撐表面188的方向上引導反射光束178的至少一部分穿過頂板103回到光檢測器170。光檢測器170被配置為測量反射光束178的強度。電腦系統172計算從基板120上的束斑180反射的反射光束178的即時測量的波形光譜的部分，並且透過使用改進的光譜分析技術處理光譜，包括將光譜與儲存的特徵波形圖案進行比較。
光源166包括單色光源或多色光源，其產生用於照亮基板120上的束斑180的入射光束176。將入射光束176的強度選擇為足夠高的，使得反射光束178能夠具有可測量的強度。在一個版本中，諸如氙燈的光源166提供多色光並產生波長為約200 nm到約800 nm的光發射譜。可以對多色光源166進行濾波以選擇包括入射光束176的頻率。可以將濾色器放置在光檢測器170的前方，以在測量進入光檢測器170的反射光束178的強度之前濾除除光的期望波長外的所有波長。光源166還可以包括單色光源，例如He-Ne或ND-YAG鐳射，其提供選定波長的光。
一個或多個聚焦透鏡174a、174b可以用於對準來自光源166的入射光束176以在基板表面上形成束斑180，並且將反射光束178聚焦回光檢測器170的有效表面上。束斑180的尺寸或面積應當是足夠大的，以補償基板120和元件設計特徵的表面形貌的變化。對於具有可能密集地存在或較分散的小的開口（諸如通孔或窄溝槽、溝槽）的設計特徵，此賦能檢測在目標深度處的蝕刻端點。反射光束的面積應當是足夠大的，以啟動光檢測器170的有效的光檢測表面的一大部分。
引導入射光束176和反射光束178穿過處理腔室100的透明傾斜視窗182。傾斜視窗182允許光束176、178在實質上不產生內部反射的情況下進出處理腔室100的處理環境。傾斜視窗182包括實質上平坦的透明面板204。當傾斜視窗182放置在處理腔室102的實質上平坦的水平頂板103內時，傾斜視窗的平坦透明面板204形成在透明面板204、水平頂板103、基板支撐表面188與基板120之間的第一銳角α。第一銳角可以在2°至5°的範圍內，優選地為3°。平行於頂板103並垂直於(90°)光束176、178設置在上面擱置基板120的基板支撐件116的基板支撐表面188。同時，傾斜視窗182的面板204相對於光束176、178形成第二銳角β。在一個實施例中，β在85°至88°的範圍內，優選地為87°。因此，未產生從面板204的上表面207或面板204的底表面224反射的內部反射。
在一個實施例中，位於處理腔室100的頂板103中的透明面板204被配置為接收相對於面板204為第二銳角β的來自端點檢測系統164的入射光束，面板204相對於基板120和基板支撐件116以第一銳角α定向。面板204進一步被配置為以垂直於基板120和基板支撐件116的角度將入射光束傳輸到處理腔室100內的基板120。面板204進一步被配置為以第二銳角從基板120接收反射光束。面板204進一步被配置為以垂直於端點檢測系統164的角度將反射光束傳輸到端點檢測系統164。
束斑180的直徑通常為約2 mm到約10 mm。然而，若束斑180包圍僅含有少量蝕刻的特徵的基板的較大的分散區域，則可以必須使用較小束斑，以便聚焦所關注的特徵。因此可以取決於用於特定元件的設計特徵來優化束斑的尺寸。
任選地，光束定位器184可以用於在基板120上移動入射光束176以定位在上面定位束斑180的基板表面的適合部分以監測蝕刻製程。光束定位器184可以包括一個或多個主鏡186，主鏡186以小的角度旋轉來使來自光源166的光束偏斜到基板表面的不同位置。可以使用附加輔鏡（未示出）以攔截從基板120表面反射的反射光束178並將反射光束178聚焦在光檢測器170上。光束定位器184也可以用於在基板120表面上以光柵模式掃描光束。在該型式中，光束定位器184包括由可移動台（未示出）組成的掃描組件，在上面安裝有光源166、對準元件168和檢測器170。可以由諸如步進電機的驅動機構將可移動台移動通過設定間隔來在基板120表面上移動束斑180。
光檢測器170包括光敏電子元件（諸如電荷耦合元件(charge coupled device, CCD)、光電二極體或光電電晶體），其回應於從基板120表面反射的反射光束178的測得的強度而提供信號。信號可以呈穿過電氣部件的電流的電位的變化或跨電氣部件施加的電壓的變化的形式。反射光束178經受相長干擾和/或相消干擾，此增大或減小光束的強度，並且光檢測器170提供與反射光束178的測得的強度有關的電氣輸出信號。將電氣輸出信號繪製為隨時間而變化的，以提供具有對應於反射光束178的變化強度的許多波形圖案的波形光譜。
電腦系統172上的電腦程式將反射光束178的測得的波形圖案的形狀與儲存的特徵波形圖案進行比較，並且當測得的波形圖案與特徵波形圖案相同時確定蝕刻製程的端點。因而，隨時間而變化的干擾信號的期間可以用於計算深度和蝕刻速率。程式還可以對干擾趨勢進行運算以檢測特徵圖案，諸如拐點。運算可以是簡單數學運算，諸如評估移動導數以檢測拐點。
儘管端點檢測系統164被定位來穿過處理腔室100的實質上水平的頂板103的一部分與基板120對接，但是在一些實施例中，端點檢測系統164可以水平地位於腔室100上方並進一步包括在腔室100上的折疊鏡以使入射光束176和反射光束178從豎直位置彎折到水平位置。可以將透明傾斜視窗182放置在腔室100的側面或腔室100的底部上。
圖2是在處理腔室100的端點檢測系統164中採用的傾斜視窗182的側視圖。傾斜視窗182包括安裝框202和設置在安裝框202中的面板204。安裝框202具有第一區段206和從第一區段206延伸的第二區段208。第一區段206具有實質上平坦的上表面210和豎直於與第二區段208的上表面216的相交處214延伸的側壁212。第二區段208具有上表面216、實質上豎直的側壁218和底表面220（形成安裝框202的底表面220）。
面板204具有上表面222和底表面224。在一個實施例中，上表面222平行於底表面224。面板204還包括近外邊緣226和遠外邊緣228。在一個實施例中，近外邊緣226和遠外邊緣228相對於上表面222和底表面224成90°角。面板204被配置為擱置在安裝框202的第二區段208的上表面216上。在一個實施例中，面板204的頂表面222相對於安裝框202的第一區段206的上表面210的角度為銳角α。在另一個實施例中，近外邊緣226和遠外邊緣228相對於安裝框202的第二區段208的底表面220以第二銳角β定向，以緊密地配合安裝框202的第一區段206的側壁212和第二區段208的上表面216。
圖3為圖2的傾斜視窗182的俯視圖。在一個實施例中，面板204實質上是圓形的，並且形成在安裝框202內部的盤。在其他實施例中，面板204可以實質上是正方形、矩形、三角形或橢圓形等的形狀。在一個實施例中，面板204可以由藍寶石、熔融石英或MgF2 製成。可設想的是，可以使用其他透明材料。
在一個實施例中，安裝框202實質上為圓形的，並且形成圍繞面板204的環形圈。在其他實施例中，安裝框202可以實質上是正方形、矩形、三角形或橢圓形等的形狀。在一個實施例中，安裝框202可以由金屬或陶瓷製成。設想的是，可以使用其他透明或不透明材料。安裝框202的材料可以不同於面板204的材料，但是一體式設計促進維持安裝框202與面板204之間的真空密封。
圖4為用於操作處理腔室100的端點檢測系統164的方法400，處理腔室100採用包括圖1到圖3的透明面板204的傾斜視窗182。處理腔室100具有形成在其中的頂板103、位於處理腔室100內的基板支撐件116和擱置在基板支撐件116上的基板120。在框405處，位於處理腔室100的頂板103中的透明面板204接收相對於面板204為第二銳角β的來自端點檢測系統164的入射光束，面板204相對於基板120和基板支撐件116以第一銳角α定向。在框410處，面板204以垂直於基板120和基板支撐件116的角度將入射光束傳輸到處理腔室100內的基板120。在框415處，面板204以第二銳角接收來自基板120的反射光束。在框420處，面板204以垂直於端點檢測系統164的角度將反射光束傳輸到端點檢測系統164。
圖5A描繪習用視窗的反射量級對波長的圖。圖5B比較習用視窗與傾斜視窗182相比的反射量級對波長的圖。曲線502指示來自習用視窗的反射量級，而曲線504指示來自傾斜視窗182的反射量級。與習用視窗的20K次計數（計數為光譜儀輸出的單位）相比，幾乎沒有來自成角度的視窗的反射。來自具有成角度的視窗的晶圓的IEP光譜僅由從基板反射的光譜組成，而沒有來自習用IEP視窗的20k計數背景反射。傾斜視窗182顯著地改善IEP調製。
圖6描繪傾斜視窗（曲線602）和習用視窗（曲線604）的正規化幅度量級對蝕刻凹槽深度的圖。可以基於對WEB（WEB代表W（鎢）反蝕刻）晶圓的實驗室測試結果而將透過使用具有成角度的視窗的蝕刻IEP演算法控制的凹槽深度的範圍減小約10 Å。可以使用成角度的視窗達成在5 Å至20 Å內的蝕刻深度變化。
圖7A描繪來自成角度的視窗（曲線702）對習用視窗（曲線704）的條紋曲線光譜的量級對相對時間的圖。圖7B描繪來自成角度的視窗曲線706對習用視窗曲線708的條紋曲線光譜的量級對波長的圖。如可從圖中看到，相比成角度的視窗曲線704、708，習用視窗曲線704、706的IEP調製深度（靈敏度）上升了約80%。這就是期望的，因為光譜分析是依賴於計算晶圓上度量（晶圓表面上的特徵尺寸），並且對微弱的晶圓上度量變化的光譜回應越強烈，信噪比越高，並且可以獲得的晶圓上度量的結果更準確。
儘管上述內容涉及本發明的實施例，但也可以在不脫離本發明的基本範圍的情況下設計本發明的其他和進一步實施例，並且本發明的範圍由所附專利申請範圍確定。
100:電漿處理腔室 102:腔室主體 103:頂板 107:底部 114:電漿區 116:基板支撐件 120:支撐基板 122:氣體分配器 125:RF匹配網路 126:電感線圈 127:線圈電源 128:電極電源 130:排氣系統 132:節流閥 134:排氣埠 135:RF匹配網路 148:處理氣源 164:端點檢測系統 166:光源 168:對準組件 170:光檢測器 172:電腦系統 174a:聚焦透鏡 174b:聚焦透鏡 176:入射光束 178:反射光束 182:傾斜視窗 184:光束定位器 186:主鏡 188:基板支撐表面 202:安裝框 204:透明面板 206:第一區段 207:上表面 208:第二區段 210:上表面 212:側壁 216:上表面 218:側壁 220:底表面 222:上表面 224:底表面 226:近外邊緣 400:方法 405:步驟 410:步驟 415:步驟 420:步驟 502:圖 504:圖 602:圖 604:圖 702:圖 704:圖 706:成角度的視窗圖 708:常規視窗圖
為了能夠詳細地理解本發明的上述特徵所用方式，上文簡要地概述的本發明的更具體的描述可以參考實施例進行，實施例中的一些在附圖中說明。然而，應當注意，附圖僅示出了本發明的典型實施例，並且因此不應視為限制本發明的範圍，因為本發明的實施例可以允許其他等效實施例。
圖1示出根據本發明的一個實施例的電漿蝕刻腔室的示意性剖視圖。
圖2為根據本發明的實施例的用於處理腔室的端點檢測系統的傾斜視窗的側視圖。
圖3為圖2的傾斜視窗的俯視圖。
圖4為用於操作處理系統的端點檢測系統的方法，處理系統的端點檢測系統採用適合在處理腔室的端點檢測系統中使用的圖1到圖3的傾斜視窗。
圖5A為習用視窗的反射量級對波長的圖。
圖5B為習用視窗和傾斜視窗的反射量級對波長的圖之間的比較。
圖6描繪傾斜視窗的正規化幅度對蝕刻凹槽深度的圖。
圖7A描繪來自成角度的視窗對習用視窗的條紋曲線光譜的量級對相對時間的圖。
圖7B描繪來自成角度的視窗對習用視窗的條紋曲線光譜的量級對波長的圖。
為了便於理解，已經儘可能地使用相同的元件符號來指代各圖共同的相同元件。另外，設想的是在一個實施例中公開的元件可以在不具體地敘述的情況下有利地在本文中描述的其他實施例中使用。
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182:傾斜視窗
202:安裝框
204:透明面板
206:第一區段
207:上表面
208:第二區段
210:上表面
212:側壁
216:上表面
218:側壁
220:底表面
222:上表面
224:底表面
226:近外邊緣

Claims (9)

  1. 一種用於操作一蝕刻處理腔室的一端點檢測系統的方法，該蝕刻處理腔室具有形成在其中的一頂板，一實質上為圓形的安裝框，該安裝框包括一第一區段及從該第一區段垂直延伸的一第二區段，該第二區段具有一上表面及一底表面，該第二區段的該上表面相對於該第二區段的該底表面以一第一銳角傾斜並且相對於該第一區段以一第二銳角傾斜，及，位於該蝕刻處理腔室內的一基板支撐件和擱置在該基板支撐件上的一基板，該方法包括：通過位於該蝕刻處理腔室的該頂板中的一透明面板接收來自該端點檢測系統的相對於該透明面板為該第二銳角的一入射光束，該透明面板相對於該基板和該基板支撐件以該第一銳角定向，其中該透明面板包括：一主體，包括一頂表面、一底表面及一側壁，該透明面板被設置在該實質上為圓形的安裝框中，該透明面板的該側壁鄰近於該實質上為圓形的安裝框的該第一區段，該透明面板的該底表面擱置在相對於該實質上為圓形的安裝框的該第二區段的該底表面以該第一銳角定向的該實質上為圓形的安裝框的該第二區段的該上表面上，該實質上為圓形的安裝 框形成圍繞該透明面板的一環行圈，該實質上為圓形的安裝框及該透明面板被配置以維持該實質上為圓形的安裝框及該透明面板之間的真空密封，該實質上為圓形的安裝框暴露該透明面板的一中心，其中該中心與該實質上為圓形的安裝框的該第一區段的內側壁的一徑向中心共軸；和通過該透明面板以垂直於該基板和該基板支撐件的一角度將該入射光束傳輸到該蝕刻處理腔室內的該基板；及於一光檢測器接收一反射光束，該反射光束具有對應於該基板中的一開口的一尺寸的一強度，該尺寸包括一目標深度；及基於該反射光束的一波形光譜計算該尺寸及一蝕刻速率，該尺寸包括該目標深度，該波形光譜對應於該強度。
  2. 如請求項1所述的方法，進一步包括：透過該透明面板以該第二銳角接收來自該基板的該反射光束；和透過該透明面板以垂直於該端點檢測系統的一角度將該反射光束傳輸到該端點檢測系統。
  3. 如請求項2所述的方法，其中該透明面板從該入射光束或該反射光束中從該基板產生超過20000 計數的背景反射。
  4. 如請求項1所述的方法，其中該第二銳角等於90°減去該第一銳角。
  5. 如請求項1所述的方法，其中該第一銳角為3°並且該第二銳角為87°。
  6. 一種蝕刻處理腔室，該蝕刻處理腔室包括：一腔室主體，該腔室主體具有一側壁和一底部；一頂板，該頂板安裝成上覆於該腔室主體，該頂板和該腔室主體限定該蝕刻處理腔室的一內部空間；一基板支撐件，該基板支撐件設置在該蝕刻處理腔室的該內部空間中並被配置為在處理期間支撐一基板；一端點檢測系統；一實質上為圓形的安裝框，具有一主體，該主體包括一第一區段及從該第一區段垂直延伸的一第二區段，該第二區段具有一上表面及一底表面，該第二區段的該上表面相對於該第二區段的該底表面以一第一銳角傾斜並且相對於該第一區段以一第二銳角傾斜；和一透明面板，該透明面板安裝在該頂板中並被配置為允許該端點檢測系統經由該透明面板與該基板對接，該透明面板相對於該基板和該基板支撐件以該第一銳角定向，該透明面板包括： 一主體，包括一頂表面、一底表面及一側壁，該透明面板被設置在該實質上為圓形的安裝框中，該透明面板的該側壁鄰近於該實質上為圓形的安裝框的該第一區段，該透明面板的該底表面擱置在相對於該實質上為圓形的安裝框的該第二區段的該底表面以該第一銳角定向的該實質上為圓形的安裝框的該第二區段的該上表面上，該實質上為圓形的安裝框形成圍繞該透明面板的一環行圈，該實質上為圓形的安裝框及該透明面板被配置以維持該實質上為圓形的安裝框及該透明面板之間的真空密封，該實質上為圓形的安裝框暴露該透明面板的一中心，其中該中心與該實質上為圓形的安裝框的該第一區段的內側壁的一徑向中心共軸，該透明面板被配置以進行以下操作：接收來自該端點檢測系統的相對於該透明面板為該第二銳角的一入射光束，傾斜於該透明面板的該第二區段的該上表面相對於該第一區段以該第二銳角傾斜；和以垂直於該基板和該基板支撐件的一角度將該入射光束傳輸到該蝕刻處理腔室內的該基板；及該端點檢測系統被配置以進行以下操作：於一光檢測器接收一反射光束，該反射光束具有 對應於該基板中的一開口的一尺寸的一強度，該尺寸包括一目標深度；及透過一電腦系統基於該反射光束的一波形光譜計算該尺寸及一蝕刻速率，該尺寸包括該目標深度，該波形光譜對應於該強度。
  7. 如請求項6所述的蝕刻處理腔室，其中該透明面板進一步被配置為：以該第二銳角接收來自該基板的一反射光束；和以垂直於該端點檢測系統的角度將該反射光束傳輸到該端點檢測系統。
  8. 如請求項6所述的蝕刻處理腔室，其中該第二銳角等於90°減去該第一銳角。
  9. 如請求項6所述的蝕刻處理腔室，其中該第一銳角為3°並且該第二銳角為87°。
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