[go: up one dir, main page]

TWI828322B - 描繪裝置及描繪裝置的控制方法 - Google Patents

描繪裝置及描繪裝置的控制方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI828322B
TWI828322B TW111135702A TW111135702A TWI828322B TW I828322 B TWI828322 B TW I828322B TW 111135702 A TW111135702 A TW 111135702A TW 111135702 A TW111135702 A TW 111135702A TW I828322 B TWI828322 B TW I828322B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
stage
drawing device
period
control unit
charged particle
Prior art date
Application number
TW111135702A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202316474A (zh
Inventor
藤崎英太
中山貴仁
Original Assignee
日商紐富來科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商紐富來科技股份有限公司 filed Critical 日商紐富來科技股份有限公司
Publication of TW202316474A publication Critical patent/TW202316474A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI828322B publication Critical patent/TWI828322B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種描繪裝置及描繪裝置的控制方法，能夠抑制對遮沒期間中的漏波束的描繪處理造成的影響。基於本實施方式的描繪裝置是將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在照射對象上描繪規定圖案的描繪裝置，其包括：波束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，對所生成的多帶電粒子束進行遮沒控制；載台，搭載照射對象且能夠移動；以及控制部，控制描繪裝置，控制部控制遮沒孔徑機構以及載台，在遮沒期間中使載台在照射對象表面的面內方向移動。

Description

描繪裝置及描繪裝置的控制方法
本申請案享有以日本專利申請案2021-168403號(申請日：2021年10月13日)為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
本實施方式是有關於一種描繪裝置及描繪裝置的控制方法。
描繪裝置將自電子槍發射的帶電粒子束照射至空白光罩，使空白光罩上的感光材料感光為所需的圖案。描繪裝置中，藉由使帶電粒子束從包括包含多數個孔徑的孔徑陣列的成形孔徑陣列通過而生成所需的多波束。
本實施方式提供一種能夠抑制對遮沒期間中的漏波束的描繪處理造成的影響的描繪裝置及描繪裝置的控制方法。
基於本實施方式的描繪裝置是將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在照射對象上描繪規定圖案的描繪裝置，包括：波束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，對所生成的多帶電粒子束進行遮沒控制；載台，搭載照射對象，可移動；以及控制部，控制描繪裝置，控制部控制遮沒孔徑機構以及載台，在遮沒期間中，使載台在照射對象表面的面內方向移動。
基於本實施方式的描繪裝置的控制方法是包括：生成多帶電粒子束的波束生成機構、將所生成的所述多帶電粒子束進行遮沒控制的遮沒孔徑機構、以及載置所述照射對象且能夠移動的載台的描繪裝置的控制方法，並且包括：多帶電粒子束在遮沒期間中，使載台在照射對象表面的面內方向連續移動。
4:照射控制部
5:載台控制部
7:載台位置測定器
30、40:開口
100:描繪裝置
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:載台
130:偏轉控制電路
131:邏輯電路
132、134:DAC放大器
150:描繪部
160:控制部
201:電子槍
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列機構
205:縮小透鏡
206:限制孔徑基板
207:物鏡
208:主偏轉器
209:副偏轉器
210:鏡子
212:遮沒偏轉器
A1、A2、A3、A4:箭頭
B:多波束
B0:帶電粒子束
S10、S20、S30、S40、S50、S51、S60、S61、S70、S71、S80、S81、S90、S151、S161、S171、S180、S181、S191、S201:步驟
W:試樣
X、Y、Z:方向
圖1是表示基於第一實施方式的描繪裝置的構成例的圖。
圖2是表示基於第一實施方式的描繪裝置的控制方法的一例的流程圖。
圖3是表示浸泡處理中的載台的動作的概念圖。
圖4是表示基於第二實施方式的載台的動作的概念圖。
圖5是表示基於第三實施方式的載台的動作的概念圖。
圖6是表示基於第三實施方式的描繪裝置的控制方法的一例的流程圖。
圖7是表示基於第三實施方式的描繪裝置的控制方法的一例的流程圖。
以下，參照圖式，對本發明的實施方式進行說明。本實施方式並不限定本發明。圖式是示意性或概念性者，各部分的比率等未必與現實相同。說明書及圖式中，關於現有的圖式，對與所述相同的要素標註同一符號，詳細的說明適當省略。
(第一實施方式)
圖1是表示基於第一實施方式的描繪裝置的構成例的圖。描繪裝置100例如為多波束方式的帶電粒子束描繪裝置，用於描繪半導體裝置的製造中所使用的微影的光罩或模板。本實施方式亦可為將電子束以外的離子束等帶電粒子束照射至試樣W的裝置。因此，作為照射對象的試樣W除了空白光罩以外，亦可為半導體基板等。
描繪裝置100包括描繪部150及控制部160。描繪部150包括電子鏡筒102及描繪室103。控制部160包括：照射控制部4、載台控制部5及載台位置測定器7。
在電子鏡筒102內配置有：電子槍201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、物鏡207、主偏轉器208、副偏轉器209及遮沒偏轉器212。
在描繪室(照明腔室)103內，配置在描繪時成為多波束的照射對象的空白光罩等可載置試樣W的載台105。試樣W例如為在玻璃基板上積層有鉻膜等遮光膜及抗蝕膜的空白光罩。載台105能夠在試樣W表面的面內方向、即相互正交的X方向及Y方向(大致水平方向)上移動。而且，在載台105上，為了測定載台105的位置而配置鏡子210。此外，電子鏡筒102及描繪室103的內部被抽成真空，成為減壓狀態。
作為波束照射部的電子槍201生成帶電粒子束B0。帶電 粒子束B0例如為電子束、離子束。電子槍201中生成的帶電粒子束B0照射至試樣W。
成形孔徑陣列基板203包括例如以規定的排列間距來排列為縱m列×橫n列(m、n≧2)的多個開口30。開口30分別以相同尺寸及形狀的矩形來形成。開口30的形狀亦可為圓形。自電子槍201發射的帶電粒子束B0藉由照明透鏡202而大致垂直地對成形孔徑陣列基板203整體進行照明。帶電粒子束B0對包含成形孔徑陣列基板203的全部開口30的區域進行照明。帶電粒子束B0的一部分藉由通過多個開口30而成形為多波束B。如上所述，成形孔徑陣列基板203將來自電子槍201的帶電粒子束B0成形而生成多波束B。
遮沒孔徑陣列機構204以與成形孔徑陣列基板203的各開口30的配置位置對應的方式包括多個開口40。雖未圖示，但在各開口40，分別配置成對的兩個電極的組(遮沒器)。通過各開口40的多波束B藉由對成對的兩個電極施加的電壓而分別獨立地偏轉。即，多個遮沒器進行與從成形孔徑陣列基板203的多個開口30中通過的多波束B中的每一個對應的波束的遮沒偏轉。藉此，遮沒孔徑陣列機構204能夠對通過成形孔徑陣列基板203的多波束B的每一個，對每個波束各別地進行波束的開/關(ON/OFF)控制。即，遮沒孔徑陣列機構204能夠進行是否將多波束B的每一個對試樣W照射的遮沒控制。遮沒孔徑陣列機構204是由偏轉控制電路130來控制。遮沒孔徑陣列機構204的開口40大於成形 孔徑陣列基板203的開口30，使多波束B的各波束容易通過。
在遮沒孔徑陣列機構204的下方，設置有對多波束整體總括地進行遮沒控制的遮沒偏轉器212。遮沒偏轉器212能夠進行是否將多波束B的整體照射至試樣W的遮沒控制。
在遮沒偏轉器212的下方，設置有在中心部形成有開口的限制孔徑基板206。藉由遮沒孔徑陣列機構204或者遮沒偏轉器212，以成為波束關(OFF)的狀態的方式偏轉的電子束從限制孔徑基板206的中心的開口偏離位置，由限制孔徑基板206所遮蔽。如上所述，將電子束由限制孔徑基板206所遮蔽的狀態稱為波束關(OFF)。未藉由遮沒孔徑陣列機構204以及遮沒偏轉器212而偏轉的電子束通過限制孔徑基板206，由主偏轉器208、副偏轉器209來偏轉而照射至試樣W上的所需位置。如上所述，將電子束通過限制孔徑基板206而照射至試樣W的狀態稱為波束開(ON)。
遮沒偏轉器212是由邏輯電路131以及偏轉控制電路130來控制，進行是否將通過遮沒孔徑陣列機構204的開口的多波束B作為整體而照射至試樣W的遮沒控制。藉此，能夠不變更遮沒孔徑陣列機構204的控制狀態，將多波束B整體控制為波束開(ON)/波束關(OFF)。利用包括該些遮沒孔徑陣列機構204、限制孔徑基板206、遮沒偏轉器212的遮沒孔徑機構來控制波束開(ON)/波束(OFF)。主偏轉器208、副偏轉器209分別經由數位類比轉換放大器(Digital Analog Conversion amplifier，DAC Amp)132、DAC放大器134而由偏轉控制電路130所控制。
控制部160只要包括一個或多個電腦、中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、可程式邏輯控制器(Programmable Logic Controller，PLC)等即可。控制部160可與描繪部150構成為一體，亦可構成為不同體。
載台控制部5是以使載台105在X方向或Y方向(大致水平方向)移動的方式來控制載台105的動作。
載台位置測定器7例如包括雷射測長計，對固定於載台105的鏡子210照射雷射光，利用該反射光來測定載台105的X方向的位置。與載台位置測定器7及鏡子210相同的結構不僅設置於X方向，亦可設置於Y方向，亦測定載台105的Y方向的位置。
圖1中，記載有對第一實施方式進行說明所必需的結構。描繪裝置100亦可包括其他的必要結構。
描繪裝置100是以XY載台105一面移動一面連續地依序照射短波束的光柵掃描方式來進行描繪動作。描繪所需的圖案時，根據圖案而必需的波束藉由遮沒控制而控制為波束開(ON)或者波束關(OFF)。
接著，對基於本實施方式的描繪裝置100的控制方法進行說明。
圖2是表示基於第一實施方式的描繪裝置100的控制方法的一例的流程圖。圖2的流程表示描繪前的準備階段的浸泡處理。圖3是表示浸泡處理中的載台105的動作的概念圖。
浸泡處理是將空白光罩等試樣W載置於載台105上後，待機至試樣W的溫度適合於描繪室103內的載台105的溫度為止的處理。浸泡處理中，以不對試樣W照射多波束B的方式，藉由遮沒偏轉器212而成為波束關(OFF)狀態。因此，多波束B由限制孔徑基板206所遮蔽，並未到達試樣W。
但是，散射電子等漏波束的一部分有在遮沒孔徑陣列機構204以及遮沒偏轉器212中無法充分遮蔽的情況。此種漏波束的一部分存在通過遮沒孔徑陣列機構204以及遮沒偏轉器212而照射至試樣W的顧慮。在該情況下，試樣W靜止，若漏波束局部照射至感光材料，則感光材料局部地藉由漏波束而意外曝光。
因此，本實施方式中，例如在描繪前的準備階段中，在遮沒孔徑陣列機構204或者遮沒偏轉器212對多波束B進行遮沒控制的期間(遮沒期間)中，載台控制部5使載台105連續地移動，以使試樣W不會被局部曝光。
首先，遮沒孔徑陣列機構204及/或遮沒偏轉器212使多波束B偏轉而照射至限制孔徑基板206，設為波束關(OFF)(S10)。
接著，將時間t重設為0，開始計時(S20)。例如，偏轉控制電路130或者載台控制部5包括未圖示的計時器，測量自浸泡處理開始起的時間t。時間t自0開始測量。而且，浸泡處理時間T是從試樣W載置於載台105起至試樣W的溫度達到與載台105的溫度大致相同的規定溫度為止的時間(達到平衡狀態為止的時間)，被預先設定。浸泡處理繼續進行至時間t達到浸泡處 理時間T為止。
偏轉控制電路130或者載台控制部5將時間t與浸泡處理時間T進行比較(S30)。在時間t未達到浸泡處理時間T的情況下(S30的否(NO))，載台控制部5使載台105在大致水平面(X-Y面內)連續移動。例如，載台控制部5使載台105向+X方向或-X方向移動(S40)。例如，如圖3的箭頭A1所示，載台控制部5使載台105向+X方向移動。載台位置測定器7測定載台105的位置，反覆進行步驟S30~步驟S50，直至載台105移動至+X方向或-X方向的端部為止(S50的否(NO))。即，載台控制部5使載台105連續移動至+X方向或-X方向的端部。端部可為載台控制部5的可動區域的端部。
若偵測載台105的+X方向或-X方向的端部(S50的是(YES))，則載台控制部5使載台105向+Y方向或-Y方向僅移動規定距離(S60)。例如，如圖3的箭頭A2所示，載台控制部5使載台105向+Y方向移動。規定距離若為漏波束不重覆的程度即可，例如，亦可為與限制孔徑基板206的孔徑開口徑大致相等的大小。
接著，在載台105的Y方向的端部尚未偵測到的情況下(S70的否(NO))，載台控制部5使載台105的X方向的移動方向相反(S80)。即，步驟S40中，在載台105的移動方向為+X方向的情況下，載台控制部5將載台105的移動方向設為-X方向。步驟S40中，在載台105的移動方向為-X方向的情況下，載台控 制部5將載台105的移動方向設為+X方向。例如，如圖3的箭頭A3所示，載台控制部5使載台105自+X方向朝向-X方向來反轉移動方向。然後，反覆進行步驟S30~步驟S50(S50的否(NO))。
再次，若偵測載台105的+X方向或-X方向的端部(S50的是(YES))，則執行步驟S60、步驟S70，載台控制部5使載台105向+Y方向或-Y方向僅移動規定距離。進而，在步驟S80中，載台控制部5使載台105的X方向的移動方向相反。
如上所述，藉由反覆進行步驟S30~步驟S80，載台105一面在Y方向上僅每次移動規定距離，一面在±X方向上往復移動。即，如圖3所示，載台控制部5在浸泡處理時間T中，使載台105鋸齒狀(彎彎曲曲)地連續移動。如上所述，載台控制部5儘可能以載台105不通過同一位置(描繪室103內的某個靜止位置)的方式使載台105移動。
另一方面，在偵測到載台105的Y方向的端部的情況下(S70的是(YES))，載台控制部5使載台105的Y方向的移動方向相反(S90)。即，步驟S60中，在載台105的移動方向為+Y方向的情況下，載台控制部5在步驟S90中，將載台105的移動方向切換為-Y方向。步驟S60中，在載台105的移動方向為-Y方向的情況下，載台控制部5在步驟S90中，將載台105的移動方向切換為+Y方向。然後，反覆進行步驟S80及步驟S30~步驟S70。即，在載台105到達Y方向的端部的情況下，載台105一面在Y方向的反方向上折返而僅每次移動規定距離，一面再次在±X方向 上恢復為鋸齒狀。例如，載台105只要以在反方向上遵循圖3的箭頭的方式來移動即可。如上所述，載台控制部5在浸泡處理時間T中，使載台105不停止而連續移動。在該情況下，載台105多次通過同一位置。但是，試樣W大致均勻地曝露於漏波束下，因此可抑制局部的曝光。
步驟S30中，若時間t達到浸泡處理時間T(S30的是(YES))，則浸泡處理結束。然後，作為描繪前的準備，偏轉控制電路130為了測定試樣W的應變而測定試樣W的表面的高度(Z方向的位置)，並繪圖(Z繪圖測定)。在該Z繪圖測定中，描繪裝置100亦為波束關(OFF)狀態。因此，載台控制部5較佳為使載台105同樣地以鋸齒狀來連續移動。
如以上所述，基於本實施方式的描繪裝置100在浸泡處理時間T中，使載台105在大致水平面(X-Y面)內連續移動。此時，載台控制部5是以載台105不通過同一位置的方式使載台105移動。例如，載台控制部5一面使載台105在Y方向僅每次移動規定距離，一面在±X方向上鋸齒狀地往復移動。藉此，漏波束不會局部地照射至試樣W的特定部分，而是在試樣W的表面整體上分散。因此，抑制試樣W上的感光材料藉由漏波束而局部地曝光，其結果為，能夠抑制漏波束對描繪處理造成的影響。這引起形成於試樣W的表面的圖案的可靠性提高。
(第二實施方式)
圖4是表示基於第二實施方式的載台105的動作的概念圖。 第二實施方式中，載台控制部5使載台105相對於X方向及Y方向(試樣W的邊)而在傾斜方向上鋸齒狀地往復移動。
例如，在圖2的步驟S40中，載台控制部5使載台105相對於X及Y方向而向傾斜方向(圖4的箭頭A1的方向)移動。
在步驟S50中，若偵測載台105的端部(S50的是(YES))，則在步驟S60中，載台控制部5使載台105向-X方向(圖4的箭頭A2的方向)僅移動規定距離。
接著，相對於步驟S40中的載台105的移動方向(箭頭A1的方向)而向反方向(箭頭A3的方向)，使載台105的移動方向反轉。
若再次偵測載台105的+X方向或-X方向的端部(S50的是(YES))，則載台控制部5使載台105向+Y方向僅移動規定距離。進而，在步驟S80中，載台控制部5使載台105的移動方向反轉。
如上所述，藉由反覆進行步驟S30~步驟S80，載台105一面在-X及+Y方向交替地僅每次移動規定距離，一面相對於X方向及Y方向而在傾斜方向往復移動。即，如圖4所示，載台控制部5在浸泡處理時間T中，相對於試樣W的邊而在傾斜方向以鋸齒狀(彎彎曲曲)使載台105連續移動。如上所述，載台控制部5儘可能以載台105不通過同一位置的方式使載台105移動。
第二實施方式中，亦在載台105到達傾斜方向的另一端部的情況下，載台105可向傾斜方向的反方向折返，再次恢復為 鋸齒狀。例如，在載台105自傾斜方向的一端到達另一端的情況下，載台105可以在反方向上遵循圖4的箭頭的方式來移動。如上所述，載台控制部5在浸泡處理時間T中，使載台105不停止而連續移動。在該情況下，載台105多次通過同一位置。但是，由於試樣W大致均勻地曝露於漏波束下，故而可抑制局部的曝光。
第二實施方式的其他動作亦可與第一實施方式的對應動作相同。而且，第二實施方式的描繪裝置100的結構亦可與第一實施方式的描繪裝置100相同。因此，第二實施方式能夠獲得與第一實施方式相同的效果。
(第三實施方式)
圖5是表示基於第三實施方式的載台105的動作的概念圖。第三實施方式中，載台控制部5使載台105螺旋狀地移動。圖6及圖7是表示基於第三實施方式的描繪裝置100的控制方法的一例的流程圖。圖6及圖7的流程表示描繪前的準備階段的浸泡處理。
圖6的步驟S10~步驟S50可與圖2的步驟S10~步驟S50相同。因此，例如在步驟S40中，載台控制部5使載台105向+X方向(圖5的箭頭A1的方向)移動至偵測載台105的端部為止(S50的否(NO))。
步驟S50中，在偵測到載台105的端部的情況下(S50的是(YES))，在步驟S51中，與步驟S30同樣地將時間t與浸泡處理時間T進行比較。在時間t未到達浸泡處理時間T的情況下 (S51的否(NO))，載台控制部5使載台105向+Y方向(圖5的箭頭A2的方向)移動至偵測載台105的端部為止(S71的否(NO))。
然後，在偵測到載台105的端部的情況下(S71的Y方向端部)，載台控制部5使載台105的移動方向在X方向及Y方向反轉。即，載台控制部5使載台105的移動方向朝向-X方向(圖5的箭頭A3的方向)以及-Y方向(圖5的箭頭A4的方向)變更(S81)。
然後，反覆進行步驟S30~步驟S71。由於載台105的移動方向在X方向及Y方向上均反轉，故而在步驟S40中，載台控制部5使載台105向-X方向(圖5的箭頭A3的方向)移動。步驟S61中，載台控制部5使載台105向-Y方向(圖5的箭頭A4的方向)移動。
此處，步驟S71中，在載台105沿著圖5的箭頭A4而移動的情況下，過渡至圖7的流程。圖7的步驟S151中，將時間t與浸泡處理時間T進行比較。在時間t未達到浸泡處理時間T的情況下(S151的否(NO))，載台控制部5使載台105向-Y方向(圖5的箭頭A4的方向)移動。
此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的箭頭A2方向的移動距離僅短了規定距離的距離。即，載台控制部5檢測載台105是否僅移動了自上次的向反方向(+Y方向)的移動距離中僅減去規定距離而得的距離(S171)。
在載台105未到達自上次的向反方向(+Y方向)的移 動距離中僅減去規定距離而得的距離的情況下(S171的否(NO))，反覆進行步驟S151、步驟S161，載台控制部5使載台105向-Y方向(圖5的箭頭A4的方向)繼續移動。
在載台105到達自上次的向反方向(+Y方向)的移動距離中僅減去規定距離而得的距離的情況下(S171的是(YES))，載台控制部5使載台105的移動方向在X方向及Y方向上反轉(S180)。即，載台控制部5使載台105的移動方向朝向+X方向及+Y方向變更。
載台控制部5將時間t與浸泡處理時間T進行比較(S181)。在時間t未到達浸泡處理時間T的情況下(S181的否(NO))，載台控制部5使載台105向+X方向移動(S191)。
此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的向箭頭A3方向的移動距離僅短了規定距離的距離。即，載台控制部5檢測載台105是否僅移動自上次的向反方向(-X方向)的移動距離中僅減去規定距離而得的距離(S201)。
在載台105未到達自上次的向反方向(-X方向)的移動距離中僅減去規定距離而得的距離的情況下(S201的否(NO))，反覆進行步驟S181、S191，載台控制部5使載台105向+X方向繼續移動。
在載台105到達自上次的向反方向(-X方向)的移動距離中僅減去規定距離而得的距離的情況下(S201的是(YES))，反覆進行步驟S151~步驟S201。
如上所述，載台控制部5一面使載台105的移動方向在X方向及Y方向上均反轉，一面僅移動較上次的反方向的移動距離僅短了規定距離的距離。藉此，載台105如圖5所示般螺旋狀地移動。
例如，所述步驟S191中，載台控制部5使載台105向+X方向再次移動。此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的向箭頭A3方向的移動距離僅短了規定距離的距離。
然後，載台控制部5使載台105向+Y方向再次移動。此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的向箭頭A4方向的移動距離僅短了規定距離的距離。
接著，載台控制部5使載台105向-X方向再次移動。此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的向箭頭A1方向的移動距離僅短了規定距離的距離。
接著，載台控制部5使載台105向-Y方向再次移動。此時，載台控制部5使載台105僅移動較上次的向箭頭A2方向的移動距離僅短了規定距離的距離。
如上所述，載台控制部5一面將載台105的移動距離每次縮短規定距離，一面反覆地使XY載台105向+X方向、+Y方向、-X方向、-Y方向移動。藉此，載台105如圖5所示般螺旋狀地移動。
在載台105到達其中心位置(例如原點)的情況下，載台控制部5只要使載台105的移動方向逆轉即可。例如，載台105 亦可以在反方向上遵循圖5的箭頭的方式來移動。在該情況下，載台105多次通過同一位置。但是，試樣W由於大致均勻地曝露於漏波束下，故而可抑制局部的曝光。此外，第三實施方式的描繪裝置100的結構可與第一實施方式的描繪裝置100相同。
如上所述，即便使載台105螺旋狀地移動，亦不會失去本實施方式的效果。第三實施方式中，載台控制部5亦於浸泡處理時間T中，使載台105不停止而連續移動。因此，第三實施方式能夠獲得與第一實施方式相同的效果。
(變形例1)
雖未圖示，但載台105的移動亦可為隨機。在載台105的移動為隨機的情況下，載台控制部5亦儘可能以載台105不通過同一位置的方式使載台105移動。藉此，即便使載台105隨機移動，亦不會失去本實施方式的效果。
(變形例2)
而且，漏波束存在以高強度來照射多波束B的光軸的正下方的情況。因此，載台控制部5較佳為在浸泡處理時間T中，以載台105不通過多波束B的光軸的正下方的方式使載台105移動。在該情況下，載台105的移動範圍受到限制，但能夠有效地抑制來自漏波束的曝光。
(變形例3)
所述第一實施方式~第三實施方式以及變形例1、變形例2為浸泡處理中的形態。但是，第一實施方式~第三實施方式以及 變形例1、變形例2中的任一者亦能夠應用於Z繪圖測定處理。而且，第一實施方式~第三實施方式以及變形例1、變形例2中的任一者亦能夠應用於多波束B的描繪處理與描繪處理之間、或者未形成圖案的區域的波束關(OFF)的期間。例如，當向試樣W照射多波束B時，多波束B沿著試樣W的表面上的多個線來照射。此時，多個線中，第一線的照射結束後，至其接下來的第二線的照射開始為止的期間成為波束關(OFF)。在該波束關(OFF)的期間，可應用所述第一實施方式~第三實施方式以及變形例1、變形例2中的任一者。即，所述第一實施方式~第三實施方式以及變形例1、變形例2中的任一者能夠應用於任意的波束關(OFF)的期間。
該些第一實施方式~第三實施方式以及變形例1~變形例3中，為了有效地抑制來自漏波束的曝光，載台105的移動速率較佳為較描繪時(波束開(ON)的期間)的移動速度(在可變速描繪的情況下為平均速度)更快。
雖已對本發明的若干實施方式進行說明，但該些實施方式作為示例而提示，並非想要限定發明的範圍。該些實施方式能夠以其他的各種形態來實施，能夠在不脫離發明主旨的範圍內進行各種省略、置換、變更。該些實施方式或其變形包含於發明的範圍或主旨中，同樣地，包含於專利申請範圍所記載的發明及其均等的範圍內。
S10、S20、S30、S40、S50、S60、S70、S80、S90:步驟

Claims (19)

  1. 一種描繪裝置，將多帶電粒子束照射至照射對象的規定位置而在所述照射對象上描繪規定圖案，所述描繪裝置包括：波束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，對所生成的所述多帶電粒子束進行遮沒控制；載台，搭載所述照射對象且能夠移動；以及控制部，控制所述描繪裝置，所述控制部控制所述遮沒孔徑機構及所述載台，在描繪準備階段的遮沒期間中，使所述載台在所述照射對象表面的面內方向連續移動。
  2. 如請求項1所述的描繪裝置，更包括遮沒器，用以將所述多帶電粒子束總括地遮沒。
  3. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，以所述載台不通過同一位置的方式使所述載台移動。
  4. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，使所述載台不停止而移動。
  5. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，進行用以將所述照射對象的溫度設為一定的浸泡。
  6. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，使所述載台在水平面內連續移動。
  7. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，使所述載台鋸齒狀、螺旋狀、或者隨機地移動。
  8. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述控制部在所述遮沒期間中，以不從所述多帶電粒子束的光軸的正下方通過的方式使所述載台移動。
  9. 如請求項1所述的描繪裝置，其中所述遮沒期間是將所述照射對象搭載於所述載台，至所述照射對象達到規定溫度為止的期間。
  10. 如請求項1所述的描繪裝置，其中當將所述多帶電粒子束照射至所述照射對象時，將所述多帶電粒子束沿著所述照射對象上的多個線而照射，所述遮沒期間是自所述多個線中第一線的照射結束至接下來的第二線的照射開始為止的期間。
  11. 一種描繪裝置的控制方法，所述描繪裝置包括：波束生成機構，生成多帶電粒子束；遮沒孔徑機構，將所生成的所述多帶電粒子束進行遮沒控制；以及載台，載置所述照射對象且能夠移動，所述描繪裝置的控制方法包括：在所述多帶電粒子束的描繪準備階段的遮沒期間中，使所述載台在所述照射對象表面的面內方向連續移動。
  12. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，以所述載台不通過同一位置的方式使所述載台移動。
  13. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，使所述載台不停止而移動。
  14. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，進行用以將所述照射對象的溫度設為一定的浸泡。
  15. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，使所述載台在水平面內連續移動。
  16. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，使所述載台鋸齒狀、螺旋狀、或者隨機地移動。
  17. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中在所述遮沒期間中，以不從所述多帶電粒子束的光軸的正下方通過的方式使所述載台移動。
  18. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中所述遮沒期間是將所述照射對象搭載於所述載台，至所述照射對象達到規定溫度為止的期間。
  19. 如請求項11所述的描繪裝置的控制方法，其中當將所述多帶電粒子束照射至所述照射對象時，將所述多帶電粒子束沿著所述照射對象上的多個線而照射，所述遮沒期間是自所述多個線中第一線的照射結束至接下來的第二線的照射開始為止的期間。
TW111135702A 2021-10-13 2022-09-21 描繪裝置及描繪裝置的控制方法 TWI828322B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021168403A JP2023058386A (ja) 2021-10-13 2021-10-13 描画装置の制御方法および描画装置
JP2021-168403 2021-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202316474A TW202316474A (zh) 2023-04-16
TWI828322B true TWI828322B (zh) 2024-01-01

Family

ID=85797603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111135702A TWI828322B (zh) 2021-10-13 2022-09-21 描繪裝置及描繪裝置的控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230111566A1 (zh)
JP (1) JP2023058386A (zh)
KR (1) KR20230052818A (zh)
CN (1) CN115963703A (zh)
TW (1) TWI828322B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102890330B1 (ko) 2023-04-21 2025-11-24 메디컬아이피 주식회사 의료영상 변환방법 및 그 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201820027A (zh) * 2016-11-11 2018-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI701702B (zh) * 2017-09-29 2020-08-11 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
US20210249224A1 (en) * 2018-05-28 2021-08-12 Asml Netherlands B.V. Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method
TW202135114A (zh) * 2019-11-21 2021-09-16 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束調整方法，多帶電粒子束照射方法及多帶電粒子束照射裝置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2822055B2 (ja) * 1989-04-27 1998-11-05 東芝機械株式会社 荷電粒子ビーム描画装置における漏れビームの影響除去方法および装置
US6455821B1 (en) * 2000-08-17 2002-09-24 Nikon Corporation System and method to control temperature of an article
JP2008052947A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム装置
JP2010067809A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Nuflare Technology Inc ソーキング時間の取得方法及び描画装置
JP2012004241A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置
JP5905209B2 (ja) * 2011-05-18 2016-04-20 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2017139339A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 株式会社アドバンテスト 露光装置
JP6845000B2 (ja) * 2016-12-08 2021-03-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム露光装置およびマルチ荷電粒子ビーム露光方法
US10866525B2 (en) * 2018-07-31 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus for manufacturing the semiconductor device
KR102863960B1 (ko) * 2018-12-31 2025-09-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 샘플을 스캐닝하기 위한 하전 입자 빔 시스템
JP2020178055A (ja) * 2019-04-19 2020-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
US10748744B1 (en) * 2019-05-24 2020-08-18 D2S, Inc. Method and system for determining a charged particle beam exposure for a local pattern density
JP7296274B2 (ja) * 2019-08-20 2023-06-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置および偏向器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201820027A (zh) * 2016-11-11 2018-06-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI701702B (zh) * 2017-09-29 2020-08-11 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
US20210249224A1 (en) * 2018-05-28 2021-08-12 Asml Netherlands B.V. Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method
TW202135114A (zh) * 2019-11-21 2021-09-16 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束調整方法，多帶電粒子束照射方法及多帶電粒子束照射裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202316474A (zh) 2023-04-16
KR20230052818A (ko) 2023-04-20
CN115963703A (zh) 2023-04-14
US20230111566A1 (en) 2023-04-13
JP2023058386A (ja) 2023-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI654428B (zh) 電子束檢查裝置及電子束檢查方法
TWI476808B (zh) Multi - charged particle beam rendering device and multi - charged particle beam rendering method
TWI649611B (zh) Multi-charged particle beam drawing device and multi-charged particle beam drawing method
JP2015005729A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI675261B (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
TWI695407B (zh) 電子束照射裝置及電子束的動態對焦調整方法
JP6665809B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
TWI828322B (zh) 描繪裝置及描繪裝置的控制方法
US10283316B2 (en) Aperture for inspecting multi beam, beam inspection apparatus for multi beam, and multi charged particle beam writing apparatus
KR102714508B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 그 조정 방법
TWI852145B (zh) 描繪裝置及描繪方法
TW201931421A (zh) 孔徑的校準方法及多帶電粒子束描繪裝置
JP6951123B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
TWI709156B (zh) 多帶電荷粒子束描繪裝置
JP6743787B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及びブランキング回路の故障診断方法
KR102919542B1 (ko) 묘화 장치의 제어 방법 및 묘화 장치
TW202001971A (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及其粒子束評價方法
JP7672932B2 (ja) 検査装置及び検査方法
KR102919640B1 (ko) 빔 검출기, 멀티 하전 입자 빔 조사 장치 및 빔 검출기의 조정 방법
TW202240641A (zh) 多帶電粒子束描繪裝置以及多帶電粒子束的測量方法
TW202522138A (zh) 消隱孔徑陣列基板的異常診斷方法及多光束描繪方法
JP2025059906A (ja) 荷電粒子ビーム装置、および検査アパーチャ基板の洗浄方法