TWI813129B - 化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法 - Google Patents

Abstract

本申請案提供一種化學鍍槽、一種包含上述化學鍍槽之化學鍍系統及一種使用上述化學鍍槽之化學鍍方法。上述化學鍍槽包含槽體及位於該槽體中之可旋轉承載盤。

Description

化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法

本申請案係關於化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法。

為了提供更多的功能，目前開發在半導體基板封裝中併入兩個以上半導體基板之技術。在此技術中，一半導體基板可能堆疊至另一半導體基板上，為了使兩個半導體基板之信號能彼此溝通，必須在兩個半導體基板間製備接合結構，使上述兩個半導體基板彼此電性連接。期望能製備一種良好的接合結構，使上述半導體基板封裝得以發揮其功能，且同時能達成使半導體基板封裝小型化之目的。

在一些實施例中，本申請案提供一種化學鍍槽。上述化學鍍槽包含槽體及位於上述槽體中之可旋轉承載盤。

在一些實施例中，本申請案提供一種化學鍍系統。上述化學鍍系統包含化學鍍槽及一或多個原料槽。上述化學鍍槽包含槽體及位於上述槽體中之可旋轉承載盤。

在一些實施例中，本申請案提供一種化學鍍方法。上述方法包含將待鍍物固定於化學鍍槽之可旋轉承載盤上；及將化鍍液注入上述化學鍍槽，以於上述待鍍物上鍍覆金屬層。

以下揭示內容提供用於實施所提供之標的物之不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例。當然，此等僅係實例且並不意圖係限制性的。在本申請案中，在以下描述中，參考第一特徵在第二特徵上方或上之形成或安置可包含第一特徵及第二特徵直接接觸地形成或安置之實施例，且亦可包含額外特徵可形成或安置在第一特徵與第二特徵之間使得第一特徵及第二特徵可並不直接接觸之實施例。另外，本申請案可在各種實例中重複參考標號及/或字母。此重複係出於簡單及清晰之目的，且本身並不規定所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。

下文詳細論述本申請案之實施例。然而，應瞭解，本申請案提供可在多種多樣的特定情境中實施之許多適用的概念。所論述之特定實施例僅僅係說明性的且並不限制本申請案之範疇。

本申請案提供一種新穎的化學鍍槽、一種包含上述化學鍍槽之化學鍍系統及一種使用上述化學鍍槽之化學鍍方法。上述化學鍍槽包含槽體及位於該槽體中之可旋轉承載盤。待鍍物置放於可旋轉承載盤上，藉由旋轉上述可旋轉承載盤，可使化鍍液濃度均勻化，使金屬沈積厚度一致，並能藉由離心力使氣體排出。因此，本申請案能在兩個半導體基板間製備結構良好的接合結構，所得接合結構具有良好的信賴度及電氣效能。化學鍍又稱無電鍍，相較於其他先前技術，本申請案利用化學鍍可在相對較低溫度下完成金屬接合結構。

圖1及圖2說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍槽1的截面圖。

參考圖1，化學鍍槽1包含槽體10及位於上述槽體中之可旋轉承載盤11。上述槽體10頂部具有一開口(圖1未標號)，且上述化學鍍槽1另包含蓋體15，上述蓋體15組態於上述槽體10頂部且封閉上述開口。

上述化學鍍槽1進一步包含一或多個流體連接至槽體10之入口17；及一或多個流體連接至槽體10之出口18。在一些實施例中，上述入口17可組態於槽體10側壁，或如圖1所示組態於蓋體上，化鍍液20可通過入口17注入化學鍍槽1。上述出口18可組態於槽體10側壁或底部，反應後之廢棄化鍍液可通過出口18排出至化學鍍槽1外部。

上述可旋轉承載盤11可連續旋轉或脈衝旋轉，並藉由旋轉產生攪拌效果，使化鍍液濃度均勻化，因此可使金屬沈積厚度更為均勻。此外，亦能藉由旋轉產生離心力作用，將雜質或氣體(例如，化學鍍反應產生之氫氣等)排出，避免雜質或氣體殘留在接合結構中，影響接合結構之機械強度及電效能表現。在一些實施例中，上述可旋轉承載盤11之轉速位於0至300 rpm範圍，例如，可為0 rpm、25 rpm、50 rpm、75 rpm、100 rpm、125 rpm、150 rpm、175 rpm、200 rpm、225 rpm、250 rpm、275 rpm或300 rpm。在一些實施例中，上述化學鍍槽1包含轉軸13，上述可旋轉承載盤11藉由上述轉軸13固定於上述槽體中，且藉由上述轉軸13進行連續旋轉或脈衝旋轉。在一些實施例中，上述轉軸13設置於上述可旋轉承載盤11中心處。

上述可旋轉承載盤11可為圓盤或其他適當形狀。在一些實施例中，上述可旋轉承載盤11為圓盤，有利於在旋轉時提供穩定的離心力。在一些實施例中，上述可旋轉承載盤11具有底部111及側壁112，上述側壁112組態於上述底部111之邊緣。在一些實施例中，上述側壁112環繞上述底部111之邊緣。在一些實施例中，上述可旋轉承載盤11具有一或多個可用以固定待鍍物21之固持部件16，例如，二個、三個、四個或更多個固持部件16，上述固持部件16可組態於上述可旋轉承載盤11底部111。在一些實施例中，上述固持部件16可視待鍍物尺寸移動，以增進固持效果，並使上述可旋轉承載盤11適用於不同尺寸之待鍍物。

上述可旋承轉載盤11之邊緣包含犧牲電極12。上述犧牲電極12可獨立組態於上述可旋轉承載盤11之邊緣；或組態於上述可旋轉承載盤11之側壁112之內表面上。在一些實施例中，上述犧牲電極12環繞上述可旋轉承載盤11邊緣。上述犧牲電極可使雜質沈積或吸附於其上，避免雜質沈積於槽體之內側壁或游離在化鍍液中影響沈積效果。在一些實施例中，上述犧牲電極12為不易被酸或鹼腐蝕之材料，且可藉由清洗移除沈積或吸附於其上之雜質。在一些實施例中，上述犧牲電極12包含貴金屬(例如，鉑)或不鏽鋼。在一些實施例中，上述犧牲電極12可為網狀或片狀。在一些實施例中，上述犧牲電極12為可拆卸式，當沈積物或吸附物達一定厚度時，可直接更換新的犧牲電極繼續化學鍍反應，同時將使用過的犧牲電極12移除進行清洗，因此能提高清洗及化學鍍效率。在一些實施例中，當上述可旋轉承載盤進行旋轉時，雜質因離心力作用向外移動，可被組態於上述可旋轉承載盤11邊緣之犧牲電極攔截，沈積在上述犧牲電極上，避免污染整個化學鍍槽1。

在一些實施例中，上述可旋轉承載盤11相對於水平方向具有一傾斜角，因此可藉由重力，使氣體自化學鍍反應處排出，避免氣體殘留在接合結構中。在一些實施例中，上述傾斜角大於0°且不大於60°，例如可為3°、5°、10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°或60°。在一些實施例中，藉由使化學鍍槽1底部相對於水平方向具有一傾斜角，可使上述可旋轉承載盤11具有上述傾斜角。例如，在如圖2所示之一些實施例中，上述可旋轉承載盤11經組態鄰近於化學鍍槽1底部，且實質上平行於化學鍍槽1底部，化學鍍槽1底部及上述可旋轉承載盤11相對於水平方向具有傾斜角θ。

在一些實施例中，藉由使上述可旋轉承載盤11旋轉及使上述可旋轉承載盤11相對於水平方向具有一傾斜角，可藉由離心力及重力協同作用，增進氣體排出效果。

圖3說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍系統3的示意圖。

參考圖3，上述化學鍍系統3包含化學鍍槽1及一或多個原料槽(例如，31、32、33及34)。上述一或多個原料槽流體連接至上述化學鍍槽1，且可獨立操作將儲存於上述原料槽中之化鍍液注入化學鍍槽1。在一些實施例中，上述一或多個原料槽可選自無電鍍銅(electroless copper)集液槽31、無電鍍鎳(electroless nickel)集液槽32、無電鍍金(electroless gold)集液槽33及無電鍍銀(electroless silver)集液槽34中之一或多種，但不以此為限。上述無電鍍銅集液槽31、無電鍍鎳集液槽32、無電鍍金集液槽33及無電鍍銀集液槽34可提供各別化鍍液。在待鍍物上沈積銅、鎳、金或銀等金屬，並藉由所沈積之銅、鎳、金或銀等金屬使待鍍物上相對的兩個金屬結構接合在一起，形成接合結構，提供待鍍物上、下側之電連接。

在一些實施例中，上述化學鍍系統3可進一步包含廢液收集槽35及清洗液槽36。上述原料槽31、32、33及34及清洗液槽36通過管道連接至化學鍍槽1之入口17。在一些實施例中，可在上述原料槽及清洗液槽與化學鍍槽1之入口17之間組態一或多個閥25 (或多項閥)，藉由閥25之開關切換，可將特定化鍍液引入化學鍍槽進行化學鍍反應，或將清洗液(如去離子水)引入管道或化學鍍槽進行清洗。在一些實施例中，可依序使用二種或二種以上化鍍液進行化學鍍反應，並在更化化鍍液之前，將清洗液引入化學鍍槽進行清洗，避免不同化鍍液之間造成污染。此外，在一些實施例中，可在上述原料槽及清洗液槽與化學鍍槽1之入口17之間組態一或多個過濾裝置(圖3未顯示)，以在化鍍液注入化學鍍槽1之前移除化鍍液中之雜質。上述廢液收集槽35通過管道連接至化學鍍槽1之出口18，用以收集廢棄化鍍液。

在一些實施例中，上述化學鍍系統3可進一步包含壓力控制裝置26。在一些實施例中，上述壓力控制裝置26可於化學鍍槽中提供低壓環境。在一些實施例中，上述壓力控制裝置26為真空泵浦。低壓環境可促使化學鍍槽中之化鍍液由各個方向流向待鍍物21，因此所得到之鍍覆金屬層厚度更為均勻。此外，亦能藉由上述壓力控制裝置(如真空泵浦)將化學鍍反應產生之氣體移除，甚或自化學鍍槽排出，因此，可進一步避免氣體殘留在接合結構中，影響接合結構之機械強度及電效能表現。

在一些實施例中，上述化學鍍系統3可進一步包含控制裝置37、盛液盤38、流量計39a、壓力計39b及其他適當裝置。上述控制裝置37可獨立控制或設定各個原料槽及化學鍍槽之溫度、化鍍液流速及可旋轉承載盤之轉速等等。在一些實施例中，上述控制裝置37為電控箱。上述流量計39a可組態在任何適當位置(例如，組態在入口17，或組態在連接至各個原料槽之個別管道上)。上述壓力計39b可組態在任何適當位置，以監測化學鍍槽內部之壓力。上述盛液盤38可組態在化學鍍槽1、原料槽31、32、33及34及清洗液槽36下方，避免漏液污染工作環境。

圖4、圖5、圖6及圖7說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍方法之各個階段。以下以圖4、圖5、圖6及圖7，配合圖1，進行說明。

圖4及圖5說明待鍍物21之製備。

參考圖4，提供第一基板40。上述第一基板40具有第一圖案化金屬層41。上述第一圖案化金屬層41包含電連接結構(例如，金屬墊、金屬柱或金屬凸塊)

參考圖5，提供第二基板50。上述第二基板50具有第二圖案化金屬層51，上述第二圖案化金屬層51具有與上述第一圖案化金屬層41相對應之電連接結構(例如，金屬墊、金屬柱或金屬凸塊)。將上述第二基板50設置於上述第一基板40上方，使上述第二圖案化金屬層51朝向上述第一圖案化金屬層41，並使上述第一圖案化金屬層第二圖案化金屬層41之電連接結構與上述第二圖案化金屬層51之電連接結構相對應。於上述第一基板及上述第二基板之間設置一或多個間隔物55，使上述第一圖案化金屬層41不接觸上述第二圖案化金屬層51 (即，上述第一圖案化金屬層41之電連接結構之上表面與上述第二圖案化金屬層51之電連接結構之下表面之間具有一距離)，完成待鍍物21之製備。藉由調整間隔物55之高度，可調控上述第二圖案化金屬層51及上述第一圖案化金屬層41兩相對應之電連接結構之間的距離。

在下文中，為便於說明，符號41及51可用於係指第一圖案化金屬層及第二圖案化金屬層，或係指第一圖案化金屬層之電連接結構及第二圖案化金屬層之電連接結構。

接著，參考圖1，將待鍍物21固定於化學鍍槽1之可旋轉承載盤11上；及將化鍍液20注入上述化學鍍槽1，使化鍍液20在待鍍物21上進行化學鍍反應，藉由化學鍍(即，無電鍍)於上述待鍍物21上鍍覆金屬層(參考圖6，化鍍金屬層64及65)。

參考圖6，化學鍍反應可在待鍍物21部分或完全地浸漬於化鍍液20後開始，此時化鍍液中之金屬離子開始沈積在上述第一圖案化金屬層之電連接結構41之頂部及側壁形成化鍍金屬層64，以及沈積在上述第二圖案化金屬層之電連接結構51之底部及側壁形成化鍍金屬層65。上述化鍍金屬層64及上述化鍍金屬層65隨著時間逐漸增厚，最終連接在一起，並與第一圖案化金屬層之電連接結構及第二圖案化金屬層之電連接結構41及51一起形成接合結構100，上述第一基板40可藉由上述接合結構100電性連接至上述第二基板50。化鍍金屬層64及化鍍金屬層65係由相同材料所構成。在一些實施例中，化鍍金屬層64及化鍍金屬層65連接處存在界面。在一些實施例中，化鍍金屬層64及化鍍金屬層65連接處無界面存在或僅存在不明顯界面。在一些實施例中，上述接合結構由金屬所構成，因此又可稱為金屬接合結構；在一些實施例中，上述接合結構為兩個或多個半導體基板間之互連結構，因此又可稱為半導體接合結構。

在一些實施例中，上述第一基板40可為晶圓或晶片。在一些實施例中，上述第二基板50可為晶圓或晶片。舉例而言，圖5及圖6所示之待鍍物21包含第一基板40及第二基板50，上述第一基板40及上述第二基板50皆為晶圓。

圖7說明相對於圖6的根據本申請案之一些實施例之已完成鍍覆之待鍍物21'。圖7所示之待鍍物21'具有與圖6相似之結構，然而，在圖7所示之待鍍物21'中，上述第一基板40為晶圓，上述第二基板50a及50b為晶片。

可在完成如圖6或圖7所示之接合結構100後，進行切單。

圖8說明根據本申請案之一些實施例之接合結構200。接合結構200包含上下對應之電連接結構41及51；個別鍍覆於上述電連接結構41及51之第一化鍍金屬層64及65；及個別鍍覆於上述第一化鍍金屬層64及65之第二化鍍金屬層66及66'。第二化鍍金屬層66及66'連接在一起(即，第二化鍍金屬層66之上表面與第二化鍍金屬層66'之下表面相接或共面)。第二化鍍金屬層及第一化鍍金屬層係由不同材料所構成。在一些實施例中，可依序使用不同化鍍液製備接合結構200，例如，可先將第一化鍍液注入化學鍍槽，以於上述第一圖案化金屬層之電連接結構41及上述第二圖案化金屬層之電連接結構51上分別鍍覆第一化鍍金屬層64及65；然後將第二化鍍液注入上述化學鍍槽，以於上述第一化鍍金屬層64及65上分別鍍覆第二化鍍金屬層66及66'，第二化鍍金屬層66及66'隨著時間逐漸增厚，最終連接在一起，並與第一化鍍金屬層64及65、第一圖案化金屬層之電連接結構41及第二圖案化金屬層之電連接結構51一起形成接合結構200，使得上述第一基板40可藉由上述接合結構200電性連接至上述第二基板50。

使用不同化鍍液製備具有二個或多個不同化鍍金屬層之接合結構，可使接合結構兼具多項優點(更優異的效能表現、相對較低的成本等)。例如，金具有優異的抗氧化能力且優異的電效能，但是成本昂貴且沈積速度慢，因此，在一些實施例中，可先利用含有便宜且沈積速率快的金屬之第一化鍍液(例如，銅)進行第一次化學鍍，在電連接結構41及51上沈積第一化鍍金屬層64及65，當第一化鍍金屬層64及65達一定沈積厚度後，切換至含有金之第二化鍍液進行第二次化學鍍，在第一化鍍金屬層64及65上沈積第二化鍍金屬層66及66'，完成上述接合結構。藉此，可節省時間及成本，且所得接合結構具有優異的電效能及抗氧化能力。

圖9說明根據本申請案之一些實施例之接合結構。使用根據本申請案之化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法，可於兩個基板之間提供多個化鍍金屬層厚度均勻的接合結構，且所得接合結構具有較少的雜質及殘留氣體。如圖9所示，第二基板50設置於第一基板40上方，第一基板40具有相鄰的電連接結構411及412，第二基板50具有相鄰的電連接結構511及512。兩個相鄰的電連接結構(411及412，511及512)之距離為D1。電連接結構411對應至電連接結構511，電連接結構412對應至電連接結構512。兩個相對的電連接結構(411及511，412及512)之距離為H。第一組電連接結構411及511上分別沈積化鍍金屬層641及651，厚度為T1。第二組電連接結構412及512上分別沈積化鍍金屬層642及652，厚度為T2。由於本申請案之化學鍍槽中設置可旋轉承載盤，待鍍物置放於可旋轉承載盤上，藉由旋轉上述可旋轉承載盤，可使化鍍液濃度均勻化，並可將化學鍍反應產生之氣體排出，故可在不同位置處製備厚度相對一致的化鍍金屬層(T1與T2實質相同，或僅有較小的差異)，且接合結構中兩個相接之化鍍金屬層(641及651，642及652)之間無氣體殘留或僅有微量氣體殘留。

圖10及圖11說明根據本申請案之一些比較實施例之接合結構。在圖10及圖11之比較實施例中使用微流道裝置(圖中未顯示)持續注入化鍍液，化鍍液由入口91進入反應槽(圖中未顯示)通過待鍍物之後，朝向出口92流動。然而，此技術流場方向較為單一，導致所鍍覆之化鍍金屬層隨位置不同產生厚度不均勻現象。

如圖10所示，靠近入口91之化鍍金屬層(641及651)沈積厚度T1大於靠近出口92之化鍍金屬層(642及652)沈積厚度T2且T1與T2具有較大的差異，第一組電連接結構411及511藉由化鍍金屬層641及651完成接合時，第二組電連接結構412及512尚未完成接合，將影響所得半導體裝置結構之電效能表現。為使第二組電連接結構412及512完成接合，必須加長化鍍時間。

如圖11所示，在加長化鍍時間之後，靠近入口91之化鍍金屬層(641及651)沈積厚度增加至T3，靠近出口92之化鍍金屬層(642及652)沈積厚度增加至T4，然而，若兩個相鄰的電連接結構(411及412，511及512)之距離D1過小，在完成第二組電連接結構412及512之接合時，可能因化鍍金屬層沈積厚度過厚，而使兩個相鄰的電連接結構(411及412，511及512)接合在一起，產生短路風險，信賴度不佳。

相較於圖10及圖11之比較實施例，使用根據本申請案之化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法，可於兩個基板之間提供多個化鍍金屬層厚度均勻的接合結構，即使在兩個相鄰的電連接結構(411及412，511及512)間之距離D1降低時(例如，降低至16 µm或更小)，亦未發生兩個相鄰的電連接結構接合在一起的情況。因此，本申請案之化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法有助於達成小型化之目標。此外，圖10及圖11之比較實施例使用之微流道裝置僅適用於小尺寸基板之間的金屬對接，不利於量產；本申請案之化學鍍槽、化學鍍系統及化學鍍方法則適用至大尺寸基板之間的金屬對接，有助於量產。

除非另外規定，否則例如「上方」、「下方」、「上」、「左」、「右」、「下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」、「側面」、「高於」、「低於」、「上部」、「上方」、「下面」等等之空間描述係相對於圖中所示之定向來指示的。應理解，本文中所使用之空間描述僅出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施方案可以任何定向或方式在空間上配置，其前提係本申請案之實施例之優點係不會因此類配置而有偏差。

如本文中所使用，術語「近似地」、「基本上」、「基本」及「約」用於描述及解釋小的變化。當與事件或情況結合使用時，上述術語可指事件或情況精確地發生之例項以及事件或情況極近似地發生之例項。舉例而言，當與數值結合使用時，術語可指小於或等於上述數值之±10%之變化範圍，例如，小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%。舉例而言，若第一數值在第二數值之小於或等於±10%之變化範圍內，例如小於或等於±5%，小於或等於±4%，小於或等於±3%，小於或等於±2%，小於或等於±1%，小於或等於±0.5%，小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%，則第一數值可被認為「基本上」相同於或等於第二數值。舉例而言，「基本上」垂直可指相對於90°之小於或等於±10°之角度變化範圍，例如，小於或等於±5°、小於或等於±4°、小於或等於±3°、小於或等於±2°、小於或等於±1°、小於或等於±0.5°、小於或等於±0.1°，或小於或等於±0.05°。

若兩個表面之間的位移不大於5 µm、不大於2 µm、不大於1 µm或不大於0.5 µm，則可認為上述兩個表面係共面的或基本上共面的。若表面之最高點與最低點之間的移位不大於5 µm，不大於2 µm，不大於1 µm，或不大於0.5 µm，則可認為上述表面係基本上平坦的。

如本文中所使用，除非上下文另外明確規定，否則單數術語「一(a/an)」及「該」可包含複數指示物。

如本文中所使用，術語「導電(conductive)」、「導電(electrically conductive)」及「電導率」係指輸送電流之能力。導電材料通常指示呈現對於電流流動之極少或零對抗的彼等材料。電導率之一個量度係西門子/公尺(S/m)。通常，導電材料係電導率大於近似地104 S/m (例如，至少105 S/m或至少106 S/m)之一種材料。材料之電導率有時可隨溫度而改變。除非另外規定，否則材料之電導率係在室溫下量測的。

另外，有時在本文中以範圍格式呈現量、比率及其他數值。應理解，此類範圍格式係為了便利及簡潔而使用，且應靈活地理解為不僅包含明確地規定為範圍限制之數值，而且亦包含涵蓋於彼範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地規定每一數值及子範圍一般。

雖然已參考本申請案之特定實施例描述並說明本申請案，但是此等描述及說明並非限制性的。熟習此項技術者應理解，在不脫離如由所附申請專利範圍定義的本申請案之真實精神及範疇的情況下，可作出各種改變並且可取代等效物。圖示可能未必按比例繪製。歸因於製造過程及公差，本申請案中之工藝再現與實際設備之間可能存在區別。可能存在未特別說明的本申請案之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性而非限制性的。可進行修改，以使特定情形、材料、物質組成、方法或過程適應於本申請案之目標、精神及範疇。所有此類修改都意圖在所附申請專利範圍之範疇內。雖然本文中揭示之方法已參考按特定次序執行之特定操作加以描述，但是應理解，可在不脫離本申請案之教示的情況下組合、細分或重新排序此等操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作之次序及分組並非本申請案之限制。

1:化學鍍槽 3:化學鍍系統 10:槽體 11:可旋轉承載盤 12:犧牲電極 13:轉軸 15:蓋體 16:固持部件 17:入口 18:出口 20:化鍍液 21:待鍍物 21':待鍍物 25:閥 26:壓力控制裝置 31:原料槽/無電鍍銅集液槽 32:原料槽/無電鍍鎳集液槽 33:原料槽/無電鍍金集液槽 34:原料槽/無電鍍銀集液槽 35:廢液收集槽 36:清洗液槽 37:控制裝置 38:盛液盤 39a:流量計 39b:壓力計 40:第一基板 41:第一圖案化金屬層 50:第二基板 50a:第二基板 50b:第二基板 51:第二圖案化金屬層 55:間隔物 64:化鍍金屬層 65:化鍍金屬層 66:第二化鍍金屬層 66':第二化鍍金屬層 91:入口 92:出口 100:接合結構 111:底部 112:側壁 200:接合結構 411:電連接結構 412:電連接結構 511:電連接結構 512:電連接結構 641:化鍍金屬層 642:化鍍金屬層 651:化鍍金屬層 652:化鍍金屬層 D ₁:距離 H:距離 T ₁:厚度 T ₂:厚度 T ₃:厚度 T ₄:厚度 θ:傾斜角

當結合附圖閱讀時，自以下詳細描述容易理解本申請案之一些實施例之態樣。應注意，各種結構可能未按比例繪製，且各種結構之尺寸可出於論述之清楚起見任意增大或減小。 圖1說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍槽的截面圖。 圖2說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍槽的截面圖。 圖3說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍系統的示意圖。 圖4、圖5、圖6及圖7說明根據本申請案之一些實施例之化學鍍方法之各個階段。 圖8說明根據本申請案之一些實施例之接合結構。 圖9說明根據本申請案之一些實施例之接合結構。 圖10及圖11說明根據本申請案之一些比較實施例之接合結構。

貫穿圖式及詳細描述使用共用參考標號來指示相同或類似組件。根據以下結合附圖作出之詳細描述將容易理解本申請案之實施例。

1:化學鍍槽 10:槽體 11:可旋轉承載盤 12:犧牲電極 13:轉軸 15:蓋體 16:固持部件 17:入口 18:出口 20:化鍍液 21:待鍍物 111:底部 112:側壁

Claims (10)

1. 一種化學鍍槽，包含：槽體；位於該槽體中之可旋轉承載盤，上述可旋轉承載盤具有承載面；及犧牲電極，其由上述可旋轉承載盤的上述承載面突出，其中上述犧牲電極並未對外連接至電源。
2. 如請求項1之化學鍍槽，其中上述可旋轉承載盤的上述承載面用以承載待鍍物，上述可旋轉承載盤更具有由上述承載面的邊緣延伸的側壁，上述犧牲電極經組態於上述可旋轉承載盤的上述側壁的內表面上。
3. 如請求項1之化學鍍槽，其中上述可旋轉承載盤相對於水平方向具有一傾斜角。
4. 如請求項1之化學鍍槽，其中上述可旋轉載盤之邊緣包含上述犧牲電極。
5. 如請求項1之化學鍍槽，其中上述可旋轉載盤具有固持部件。
6. 如請求項2之化學鍍槽，其中上述犧牲電極環繞上述可旋轉承載盤。
7. 如請求項6之化學鍍槽，其中上述犧牲電極為網狀。
8. 如請求項6之化學鍍槽，其中上述犧牲電極的上表面與上述可旋轉承載盤的上述側壁的上表面齊平。
9. 如請求項2之化學鍍槽，其中上述側壁經組態以環繞上述待鍍物。
10. 一種化學鍍槽，包含：槽體；位於該槽體中之可旋轉承載盤，上述可旋轉承載盤具有承載面；及犧牲電極，其由上述可旋轉承載盤的上述承載面突出，其中上述可旋轉承載盤的上述承載面用以承載待鍍物，上述可旋轉承載盤更具有由上述承載面的邊緣延伸的側壁，上述犧牲電極經組態於上述可旋轉承載盤的上述側壁的內表面上，且其中上述犧牲電極為可拆卸式。