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TWI808751B - 產生元件模型參數的系統及方法 - Google Patents

產生元件模型參數的系統及方法 Download PDF

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TWI808751B
TWI808751B TW111117494A TW111117494A TWI808751B TW I808751 B TWI808751 B TW I808751B TW 111117494 A TW111117494 A TW 111117494A TW 111117494 A TW111117494 A TW 111117494A TW I808751 B TWI808751 B TW I808751B
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游朝荃
陳建志
張祐銘
陳添福
吳浩平
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優智能股份有限公司
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Abstract

一種元件模型參數產生系統，包含有使用者模組，用來獲得元件的參數集合組態及量測資料；參數擷取模組，用來對參數集合組態及量測資料執行參數擷取，以產生參數集合；一模擬模組，用來根據參數集合組態及量測資料執行模擬，以產生模擬結果；分析模組，用來根據參數集合，判斷元件是否符合趨勢，以產生第一判斷結果，以及用來根據第一判斷結果及參數集合，判斷元件是否符合規律性，以產生第二判斷結果；以及元件模型參數產生模組，用來根據第二判斷結果及參數集合，產生元件模型參數。

Description

產生元件模型參數的系統及方法
本發明相關於一種產生元件模型參數的系統及方法。
隨著電路日益複雜(例如電子元件數量或密度的增加)及計算機的運算能力日益改善，使用計算機來模擬電路的特性(例如性能)已成為電路設計/製造領域中的常見手段。一般來說，計算機可儲存(例如安裝)用來模擬電路的模擬軟體，其可包含有多種預設的元件模型，根據元件模型方程式及使用者設定的元件模型參數，模擬軟體可產生元件的模擬結果，以表示元件的特性。
在目前電路設計/製造領域中，業界常見實作方式為根據工程師自身的知識及經驗，重覆人工地調整元件模型參數以產生符合單一元件的最佳元件模型參數。然而，上述實作方式依賴工程師主觀判斷及重覆人工地調整，缺乏效率及可靠性。調整單一元件也未考量到與鄰近元件的元件模型參數的相關性，缺乏一致性，難以滿足業界需求。因此，如何產生元件模型參數以產生元件模型是一亟待解決的問題。
因此，本發明提供了一種產生元件模型參數的系統及方法，用來產生元件模型參數，以解決上述問題。
本發明揭露一種元件模型參數(device model parameter)產生系統，包含有一使用者模組，用來獲得複數個元件的複數個參數集合組態(configuration)及複數個量測資料；一參數擷取(extraction)模組，耦接於該使用者模組，用來對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取，以產生一參數集合；一模擬模組，耦接於該參數擷取模組，用來根據該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果；一分析模組，耦接於該參數擷取模組，用來根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，以產生一第一判斷結果，以及用來根據該第一判斷結果及該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，以產生一第二判斷結果；以及一元件模型參數產生模組，耦接於該分析模組，用來根據該第二判斷結果及該參數集合，產生複數個元件模型參數。
本發明另揭露一種產生元件模型參數(device model parameter)方法，包含有以下運作：獲得複數個元件的複數個參數集合組態(configuration)及複數個量測資料；對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取(extraction)，以產生一參數集合；根據該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果；根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，以產生一第一判斷結果；根據該第一判斷結果及該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，以產生一第二判斷結果；以及根據該第二判斷結果及該參數集合，產生複數個元件模型參數。
10:積體電路產業鏈
100:積體電路設計端
110:積體電路製造端
20:元件模型參數產生系統
200:使用者模組
210:參數擷取模組
2100:模擬模組
220:分析模組
230:元件模型參數產生模組
30、40:流程
300、302、304、306、308、310、312、314、400、402、404、406、408、410、412、414、500、502、504、506、508、510、512、600、602、604、606、608、610、612、614、616:步驟
第1圖為本發明實施例一積體電路產業鏈的示意圖。
第2圖為本發明實施例一元件模型參數產生系統的示意圖。
第3圖為本發明實施例一流程的流程圖。
第4圖為本發明實施例一流程的流程圖。
第5圖為本發明實施例一流程的流程圖。
第6圖為本發明實施例一流程的流程圖。
第1圖為本發明實施例一積體電路(integrated circuit，IC)產業鏈10的示意圖。積體電路產業鏈10可簡略地由一積體電路設計(IC design)端100及一積體電路製造端110所組成。在第1圖中，積體電路設計端100及積體電路製造端110僅是用來說明積體電路產業鏈10的架構。實際上，積體電路設計端100可提供積體電路設計布局(layout)到積體電路製造端110。根據積體電路設計端100提供的積體電路設計布局，積體電路製造端110可產生元件模型參數(device model parameter，亦可翻譯為device model card)，以及可提供元件模型參數到積體電路設計端100。根據積體電路製造端110提供的元件模型參數，積體電路設計端100可處理(例如模擬測試、分析、修改或完成)積體電路設計布局，以獲得可下線(即在生產線中生產)的積體電路設計布局。在一實施例中，積體電路設計端100可包含有積體電路設計廠(fabless)。在一實施例中，積體電路製造端110可包含有積體電路代工廠(foundry)。
在一實施例中，積體電路製造端110產生元件模型參數可包含有以下運作：(1)嘗試生產相同類型但具有不同尺寸的電子元件(例如電晶體(transistor))；(2)量測各尺寸的電子元件的電性(例如不同電壓下的電流)，以產生量測結果；(3)針對具有不同尺寸的電子元件，重覆調整(例如根據工程師自身的知識及經驗人工地調整)元件模型參數以產生符合量測結果的最佳元件模型參數；(4)根據具有不同尺寸的電子元件的最佳元件模型參數，產生可準確描述該相同類型的電子元件中所有尺寸的電子元件的(例如廣義的)元件模型(例如根據內插運算，產生具有特定(例如目標)尺寸的電子元件的元件模型參數)。
第2圖為本發明實施例一元件模型參數產生系統20的示意圖，可用於第1圖的積體電路製造端110中，用於產生元件模型參數。如第2圖所示，元件模型參數產生系統20可包含有一使用者模組200、一參數擷取(extraction)模組210、一分析模組220及一元件模型參數產生模組230。使用者模組200可用來獲得(例如載入)複數個元件的複數個參數集合組態(configuration)及複數個量測資料。參數擷取模組210耦接於(例如連接到)使用者模組200，可用來對複數個參數集合組態及複數個量測資料執行複數個參數擷取，以產生參數集合。分析模組220耦接於參數擷取模組210，可用來根據參數集合，判斷複數個元件是否符合趨勢(例如向上或向下)，以產生第一判斷結果，以及可用來根據第一判斷結果及參數集合，判斷複數個元件是否符合規律性(regularity)，以產生第二判斷結果。元件模型參數產生模組230耦接於分析模組220，可用來根據第二判斷結果及參數集合，產生(例如輸出)複數個元件模型參數。也就是說，透過將複數個元件的趨勢及規律性納入考量，元件模型參數產生系統20產生複數個元件模型參數。
如第2圖所示，元件模型參數產生系統20可包含有一模擬模組2100。模擬模組2100可耦接於參數擷取模組210，或可包含在參數擷取模組210中(未繪示於第2圖中)，可用來根據複數個參數集合組態及複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果。在一實施例中，模擬模組2100可包含(例如儲存或安裝)有用來模擬元件的模擬軟體，例如以積體電路為重點的模擬程式(simulation program with integrated circuit emphasis，SPICE)。在一實施例中，模擬軟體可包含有多種預設的元件模型，例如伯克利短通道絕緣閘極場效應電晶體模型(Berkeley short-channel insulated-gate field effect transistor model，BSIM)、其衍生的元件模型(例如BSIM2或BSIM3或BSIM4)或其它適合的元件模型，但不限於此。詳細來說，在模擬軟體中，透過將元件模型設定(例如輸入)參數集合組態，模擬模組2100可模擬元件的特性(例如性能)，以及可產生模擬結果。在一實施例中，模擬結果可包含有元件的特性(例如臨界值電壓(threshold voltage，vth)、線性區汲極電流開啟(ion at linear mode，idlin)、飽和區汲極電流開啟(ion at saturation mode，idsat)、飽和區汲極電流關閉(ioff at saturation mode，iofn)或其它電氣特性，但不限於此)之間的對應關係，例如不同的臨界值電壓對應於不同的線性區汲極電流開啟的對應關係，但不限於此。
在一實施例中，複數個參數集合組態中的每一參數集合組態可包含有根據元件的特性(例如人工地)設定的數值。在一實施例中，複數個量測資料的每一量測資料可包含有元件的長度及寬度。
在一實施例中，參數擷取模組210對複數個參數集合組態及複數個 量測資料執行複數個參數擷取可包含有以下運作：(A)根據複數個參數集合組態中一參數集合組態及複數個量測資料中一量測資料，產生複數個候選參數集合。(B)提供(例如傳送)複數個候選參數集合到模擬模組2100，以及(例如從模擬模組2100)獲得複數個模擬結果。(C)根據複數個模擬結果，從複數個候選參數集合選擇複數個參數集合。(D)判斷複數個參數集合是否符合終止(terminating)條件，以產生第三判斷結果。(E)根據第三判斷結果，產生(例如輸出)複數個參數集合。
在一實施例中，參數擷取模組210對複數個參數集合組態及複數個量測資料執行複數個參數擷取可另包含有以下運作：根據內插(interpolation)方程式，對複數個參數集合執行內插運算，以產生係數，以及根據係數，產生參數集合(例如虛擬元件的參數集合)。在一實施例中，內插方程式可根據方程式(式1)被實現：P(L,W) i =P i +PL i /L eff +PW i /W eff +PP i /(W eff L eff ) (式1)
其中，P i 為第i箱(bin)內的恆定模型參數(在複數個參數集合中)。PL i 為第i箱內的長度相關模型(在複數個參數集合中)。PW i 為第i箱內的寬度相關模型(在模型參數集合中)。PP i 為第i箱內的長寬相關模型(在複數個參數集合中)。L eff 為有效閘極長度(effective gate length)。W eff 為有效閘極寬度(effective gate width)。i為正整數(例如1、2、3或4)。在一實施例中，係數可根據方程式(式1)中的P i 、PL i 、PW i 及PP i 被實現。
在一實施例中，當第三判斷結果指示複數個參數集合符合終止條件 時，根據複數個參數集合，參數擷取模組210可產生(例如輸出)複數個參數集合。在一實施例中，當第三判斷結果指示複數個參數集合不符合終止條件時，參數擷取模組210可對複數個參數集合執行演化演算法，以產生(例如更新)複數個參數集合(即將更新的複數個參數集合視為複數個候選參數集合)，以及回到運作(B)(例如直到第三判斷結果指示複數個參數集合符合終止條件)。在一實施例中，終止條件可包含有根據複數個參數集合產生複數個模擬結果與其對應(例如擬合(fit))的元件的對應程度(例如達到預設的對應分數或百分比)，或可包含有預設的次數(例如N次，其中N為正整數)。在一實施例中，演化演算法可包含有一互換(crossover)運算、一突變(mutation)運算、其它適用於基因變異的演化演算法或上述演算法的組合，但不限於此。在一實施例中，根據互換運算，複數個參數集合中的任二個參數集合中的至少一參數(例如任二個參數集合中的前M個參數，其中M為正整數)可被互換。在一實施例中，根據突變運算，複數個參數集合中的每一個參數集合可被擾動(perturb)。
在一實施例中，當第一判斷結果指示複數個元件符合趨勢時，分析模組220(例如進一步地)判斷複數個元件是否符合規律性，以產生第二判斷結果。在一實施例中，當第二判斷結果指示複數個元件符合規律性時，根據參數集合，元件模型參數產生模組230產生複數個元件模型參數。在一實施例中，當第二判斷結果指示複數個元件不符合規律性時，回到參數擷取模組210對複數個參數集合組態及複數個量測資料執行複數個參數擷取的運作(例如直到第二判斷結果指示複數個元件符合規律性)。
在一實施例中，當第一判斷結果指示複數個元件不符合趨勢時，回到參數擷取模組210對複數個參數集合組態及複數個量測資料執行複數個參 數擷取的運作(例如直到第一判斷結果指示複數個元件符合趨勢)。
在一實施例中，分析模組220判斷複數個元件是否符合趨勢，以產生第一判斷結果的運作可包含有以下運作：根據複數個量測資料產生第一斜率，以及根據第一斜率，產生趨勢。舉例來說，當第一斜率為正時，趨勢為向上。當第一斜率為負時，趨勢為向下。另一方面，根據模擬結果對應(例如擬合)的複數個元件(例如的特性)產生第二斜率，以及比較第二斜率與第一斜率(例如正負是否為相同的)，以產生第一比較結果。根據第一比較結果，產生第一判斷結果。舉例來說，當第一比較結果指示第二斜率與第一斜率的正負為相同的(例如二者皆為正或皆為負)時，判斷複數個元件符合趨勢，第一判斷結果指示複數個元件符合趨勢。當第一比較結果指示第二斜率與第一斜率為的正負為不相同的(例如一者為正及另一者為負)時，判斷複數個元件不符合趨勢，第一判斷結果指示複數個元件不符合趨勢。
在一實施例中，判斷複數個元件是否符合規律性，以產生第二判斷結果的運作可包含有以下運作：對複數個元件(例如的特性)執行內插運算，以產生複數個虛擬元件，以及根據複數個虛擬元件產生複數個第三斜率。比較複數個第三斜率與第一斜率(例如正負是否為相同的)，以產生複數個第二比較結果。根據複數個第二比較結果，判斷複數個元件是否符合規律性，以產生第二判斷結果。舉例來說，當複數個第二比較結果指示複數個第三斜率與第一斜率皆為相同的(例如二者皆為正或皆為負)時，判斷複數個元件符合規律性，第二判斷結果指示複數個元件符合規律性。當複數個第二比較結果指示複數個第三斜率中一第三斜率與第一斜率為不相同的(例如一者為正及另一者為負)時，判斷複數個元件不符合規律性，第二判斷結果指示複數個元件不符合規律 性。
前述元件模型參數產生系統20的運作可歸納為第3圖的一流程30。流程30包含有以下步驟：
步驟300：開始。
步驟302：獲得複數個元件的複數個參數集合組態及複數個量測資料。
步驟304：對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取，以產生一參數集合。
步驟306：根據該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果。
步驟308：根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，以產生一第一判斷結果。
步驟310：根據該第一判斷結果及該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，以產生一第二判斷結果。
步驟312：根據該第二判斷結果及該參數集合，產生複數個元件模型參數。
步驟314：結束。
在一實施例中，步驟308及步驟310的順序可被交換。
第4圖為本發明實施例一流程40的流程圖，可用於流程30。流程40包含有以下步驟：
步驟400：開始。
步驟402：載入複數個元件的複數個參數集合組態。
步驟404：載入該複數個元件的複數個量測資料
步驟406：對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取，以產生一參數集合。
步驟408：根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，若是，執行步驟410，若否，回到步驟406。
步驟410：根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，若是，執行步驟412，若否，回到步驟406。
步驟412：根據該參數集合，產生複數個元件模型參數。
步驟414：結束。
在一實施例中，步驟408及步驟410的順序可被交換。
前述元件模型參數產生系統20的步驟304可歸納為第5圖的一流程50。流程50包含有以下步驟：
步驟500：開始。
步驟502：根據該複數個參數集合組態中一參數集合組態及該複數個量測資料中一量測資料，產生複數個候選參數集合。
步驟504：提供該複數個候選參數集合到該模擬模組，以及獲得該複數個模擬結果。
步驟506：根據該複數個模擬結果，從該複數個候選參數集合選擇複數個參數集合。
步驟508：判斷該複數個參數集合是否符合一終止條件，以產生一第三判斷結果。
步驟510：根據該第三判斷結果，產生該複數個參數集合。
步驟512：結束。
第6圖為本發明實施例一流程60的流程圖，可用於流程50。流程60包含有以下步驟：
步驟600：開始。
步驟602：根據該複數個參數集合組態中一參數集合組態及該複數個量測資料中一量測資料，產生複數個候選參數集合。
步驟604：對該複數個候選參數集合執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果。
步驟606：根據該複數個模擬結果，從該複數個候選參數集合選擇複數個參數集合。
步驟608：判斷該複數個參數集合是否符合一終止條件，若是，執行步驟610，若否，執行步驟612。
步驟610：根據複數個參數集合，產生該複數個參數集合。
步驟612：對該複數個參數集合執行一突變運算。
步驟614：對該複數個參數集合執行一互換運算，以及回到步驟604。
步驟616：結束。
上述“第一”、“第二”及“第三”是為了區別相關陳述，而非用來限制相關陳述的次序。上述“判斷”可被取代為“決定”、“產生”、“獲得”、“計算出”或“運算出”。上述“根據”可被取代為“藉由使用”或“透過”。上述“獲得”可被取代為“接收”。上述“產生”可被取代為“計算出 ”、“運算出”或“輸出”。
本領域具通常知識者當可依本發明的精神加以結合、修飾及/或變化以上所述的實施例，而不限於此。前述的陳述、系統、模組、方法、運作、元件、步驟及/或流程可透過裝置實現，裝置可為硬體、軟體、韌體(為硬體裝置與計算機指令與資料的結合，且計算機指令與資料屬於硬體裝置上的唯讀軟體)、電子系統、或上述裝置的組合。本發明的實現方式可為元件模型參數產生模組20。元件模型參數產生模組20(及其中的模組)的實現方式可有很多種。舉例來說，可將上述模組整合為一或多個模組。
硬體的實施例可包含有類比電路、數位電路及/或混合電路。舉例來說，硬體可包含有特定應用積體電路(application-specific integrated circuit(s)，ASIC(s))、場域可程式化閘陣列(field programmable gate array(s)，FPGA(s))、可程式化邏輯裝置(programmable logic device(s))、耦合硬體元件(coupled hardware components)或上述裝置的組合。在一實施例中，硬體包含有通用處理器(general-purpose processor(s))、微處理器(microprocessor(s))、控制器(controller(s))、數位訊號處理器(digital signal processor(s)，DSP(s))或上述裝置的組合。在一實施例中，硬體可包含任何種類的電路元件，例如電阻器(resistors)、電容器(capacitors)、電感器(inductors)、互感器(transformers)、傳輸線(transmission Lines)、二極管(diodes)、電晶體(例如雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistor，BJT)、接面場效電晶體(junction gate field-effect transistor，JFET)或金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET))或上述裝置的組合。
軟體的實施例可包含有程式代碼的集合及/或指令的集合，其可被保留(例如存儲)在存儲單元，例如計算機可讀取介質(computer-readable medium)中。計算機可讀取介質可包含有用戶識別模組(Subscriber Identity Module，SIM)、唯讀式記憶體(Read-Only Memory，ROM)、快閃記憶體(flash memory)、隨機存取記憶體(Random-Access Memory，RAM)、CD-ROM/DVD-ROM/BD-ROM、磁帶(magnetic tape)、硬碟(hard disk)、光學資料儲存裝置(optical data storage device)、非揮發性儲存裝置(non-volatile storage device)、或上述裝置的組合。計算機可讀取介質(例如存儲單元)可在內部(例如集成(integrate))或外部(例如分離(separate))耦合到至少一處理器。包含有一個或多個模組的至少一個處理器可(例如被配置為)執行計算機可讀取介質中的軟體。程式代碼的集合及/或指令的集合可使至少一處理器、模組、硬體及/或電子系統執行相關步驟。
綜上所述，本發明提供了用來產生元件模型參數的系統及方法，其不僅可透過重覆自動地執行參數擷取運作以自動地產生元件模型參數，也可將鄰近元件的趨勢及規律性納入考量。因此，產生元件模型參數的效率及可靠性可被改善，與鄰近元件的元件模型參數的變化的一致性也可被改善，可滿足業界需求。如此一來，先前技術的問題可被解決。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
30:流程
300、302、304、306、308、310、312、314:步驟

Claims (12)

  1. 一種元件模型參數(device model parameter)產生系統，包含有：一使用者模組，用來獲得複數個元件的複數個參數集合組態(configuration)及複數個量測資料；一參數擷取(extraction)模組，耦接於該使用者模組，用來對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取，以產生一參數集合；一模擬模組，耦接於該參數擷取模組，用來根據該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果；一分析模組，耦接於該參數擷取模組，用來根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，以產生一第一判斷結果，以及用來根據該第一判斷結果及該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，以產生一第二判斷結果；以及一元件模型參數產生模組，耦接於該分析模組，用來根據該第二判斷結果及該參數集合，產生複數個元件模型參數。
  2. 如請求項1所述的系統，其中對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行該複數個參數擷取包含有以下運作：(A)根據該複數個參數集合組態中一參數集合組態及該複數個量測資料中一量測資料，產生複數個候選參數集合；(B)提供該複數個候選參數集合到該模擬模組，以及獲得該複數個模擬結果；(C)根據該複數個模擬結果，從該複數個候選參數集合選擇複數個參數集合；(D)判斷該複數個參數集合是否符合一終止(terminating)條件，以產生一 第三判斷結果；以及(E)根據該第三判斷結果，產生該複數個參數集合。
  3. 如請求項2所述的系統，其中當該第三判斷結果指示該複數個參數集合符合該終止條件時，根據該複數個參數集合，產生該複數個參數集合。
  4. 如請求項2所述的系統，其中當該第三判斷結果指示該複數個參數集合不符合該終止條件時，對該複數個參數集合執行一演化演算法，以產生該複數個候選參數集合，以及回到運作(B)。
  5. 如請求項4所述的系統，其中該演化演算法包含有一互換(crossover)運算或一突變(mutation)運算。
  6. 如請求項1所述的系統，其中當該第一判斷結果指示該複數個元件符合該趨勢時，該分析模組判斷該複數個元件是否符合該規律性，以產生該第二判斷結果。
  7. 如請求項6所述的系統，其中當該第二判斷結果指示該複數個元件符合該規律性時，根據該參數集合，產生該元件模型參數。
  8. 如請求項6所述的系統，其中當該第二判斷結果指示該複數個元件不符合該規律性時，回到對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行該複數個參數擷取。
  9. 如請求項1所述的系統，其中當該第一判斷結果指示該複數個元件不符合該趨勢時，回到對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行該複數個參數擷取。
  10. 如請求項1所述的系統，其中根據該參數集合判斷該複數個元件是否符合該趨勢，以產生該第一判斷結果的運作包含有以下運作：根據該複數個量測資料產生第一斜率，以及根據該第一斜率，產生該趨勢；根據該模擬結果對應的該複數個元件產生一第二斜率，以及比較該第二斜率與該第一斜率，以產生一第一比較結果；以及根據該第一比較結果，產生該第一判斷結果。
  11. 如請求項10所述的系統，其中判斷該複數個元件是否符合該規律性，以產生該第二判斷結果的運作可包含有以下運作：對複數個元件執行一內插運算，以產生複數個虛擬元件，以及根據該複數個虛擬元件產生複數個第三斜率；比較該複數個第三斜率與該第一斜率，以產生複數個第二比較結果；以及根據該複數個第二比較結果，判斷該複數個元件是否符合該規律性，以產生該第二判斷結果。
  12. 一種產生元件模型參數(device model parameter)方法，包含有以下運作：獲得複數個元件的複數個參數集合組態(configuration)及複數個量測資料；對該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個參數擷取 (extraction)，以產生一參數集合；根據該複數個參數集合組態及該複數個量測資料執行複數個模擬，以產生複數個模擬結果；根據該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一趨勢，以產生一第一判斷結果；根據該第一判斷結果及該參數集合，判斷該複數個元件是否符合一規律性，以產生一第二判斷結果；以及根據該第二判斷結果及該參數集合，產生複數個元件模型參數。
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