[go: up one dir, main page]

TWI808199B - 選擇性地形成膜之方法及系統 - Google Patents

選擇性地形成膜之方法及系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI808199B
TWI808199B TW108121061A TW108121061A TWI808199B TW I808199 B TWI808199 B TW I808199B TW 108121061 A TW108121061 A TW 108121061A TW 108121061 A TW108121061 A TW 108121061A TW I808199 B TWI808199 B TW I808199B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
substrate
substrate region
forming
aforementioned
Prior art date
Application number
TW108121061A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202014547A (zh
Inventor
東雲秀司
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202014547A publication Critical patent/TW202014547A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI808199B publication Critical patent/TWI808199B/zh

Links

Images

Classifications

    • H10P14/43—
    • H10W20/096—
    • H10P14/6939—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • H10D64/01318—
    • H10D64/01342—
    • H10P14/432—
    • H10P14/61—
    • H10P14/6328—
    • H10P14/6514—
    • H10P14/6532—
    • H10P14/6902—
    • H10P14/69215—
    • H10P14/69391—
    • H10P14/69433—
    • H10P72/0402—
    • H10P72/3302—
    • H10W20/074—
    • H10P14/6339—
    • H10P14/6506—
    • H10W20/037—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

[課題]提供一種「對於具有3種類以上之表面的基板，僅在特定之1個表面選擇性地形成膜」的技術。 [解決手段]一種將膜形成於基板上的方法，其特徵係，具有如下述之步驟：準備具有第1基板區域與第2基板區域的基板，該第2基板區域，係具有由不同於第1基板區域之材料所形成之至少2種類的表面；在第2基板區域的表面，選擇性地形成第1自組織化單分子膜可吸附之中間膜，該第1自組織化單分子膜，係抑制膜形成於第2基板區域；接著，選擇性地使第1自組織化單分子膜吸附於中間膜的表面；及接著，在第1基板區域的表面選擇性地形成膜。

Description

選擇性地形成膜之方法及系統
本揭示，係關於選擇性地形成膜之方法及系統。
在半導體裝置的製造中，廣泛地使用光微影技術作為「在基板之特定的表面區域選擇性地形成膜」的技術。例如，在形成下層配線後形成絕緣膜，藉由光微影及蝕刻形成具有溝槽及導孔的雙鑲嵌構造，並在溝槽及導孔填埋Cu等的導電膜而形成配線。
但是，近來，半導體元件之微細化日益增進，在光微影技術中，亦發生對位精度不足的情形。
因此，尋求一種不使用光微影技術而在基板之特定的區域之表面選擇性地形成膜的手法。作為像這樣的手法，提出一種「在不期望形成膜之基板區域的表面形成自組織化單分子膜(Self-Assembled Monolayer：SAM)，並僅在未形成SAM之基板區域的表面形成膜」的技術(例如專利文獻1~4、非專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2007-501902號公報 [專利文獻2]日本特表2007-533156號公報 [專利文獻3]日本特表2010-540773號公報 [專利文獻4]日本特表2013-520028號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]Hashemi,F.S.M. et.al ACS Appl. Mater. Interfaces 2016,8(48),pp33264-33272, November 7, 2016
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種「對於具有3種類以上之表面的基板，僅在特定之1個表面選擇性地形成膜」的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一實施形態的方法，係一種將膜形成於基板上的方法，其特徵係，具有如下述之步驟：準備具有第1基板區域與第2基板區域的基板，該第2基板區域，係具有由不同於前述第1基板區域之材料所形成之至少2種類的表面；在前述第2基板區域的表面，選擇性地形成第1自組織化單分子膜可吸附之中間膜，該第1自組織化單分子膜，係抑制前述膜形成於前述第2基板區域；接著，選擇性地使前述第1自組織化單分子膜吸附於前述中間膜的表面；及接著，在前述第1基板區域的表面選擇性地形成前述膜。 [發明之效果]
根據本揭示，可對於具有3種類以上之表面的基板，僅在特定之1個表面選擇性地形成膜。
以下，參閱附加圖面，說明關於實施形態。 ＜過程及概要＞ 一開始，說明關於本揭示之方法的過程及概要。 使用了SAM之選擇成膜，係對於以往例如具有表面為金屬之第1基板區域及表面為介電質之第2基板區域的基板而進行。亦即，例如藉由使硫醇系SAM吸附於表面為金屬之第1基板區域的方式，抑制介電質膜之成膜，並僅在第2基板區域形成介電質膜(例如非專利文獻1)。
但是，在像這樣的手法中，係在基板具有3種類以上之表面的情況下，難以在其中一個表面選擇性地形成所期望的膜。
因此，在本揭示之一實施形態中，係在具有第1基板區域與第2基板區域的基板中，當僅於第1基板區域之表面選擇性地形成對象膜之際，實施以下的第1~第3工程，該第2基板區域，係具有由不同於第1基板區域之材料所形成之至少2種類的表面。第1工程，係「在第2基板區域的表面選擇性地形成第1SAM可吸附之中間膜」的工程，該第1SAM，係抑制對象膜形成於第2基板區域。第2工程，係「在第1工程後，選擇性地使第1SAM吸附於中間膜之表面」的工程。第3工程，係「在第2工程後，在第1基板區域之表面選擇性地形成對象膜」的工程。
亦即，在本揭示之一實施形態中，係藉由「對於3種類以上的不同表面中之未形成膜的第2基板區域之複數個種類之表面形成中間膜」的方式，將基板的表面設成為僅具有2種類之表面的狀態。在該狀態下，使抑制對象膜之成膜的第1SAM吸附於由保護膜所覆蓋之第2基板區域的表面，藉此，可僅在第1基板區域的表面選擇性地形成預定膜。
在該情況下，在第1工程之前，實施「對於基板進行可僅在第2基板區域之表面形成中間膜之處理」的工程(第4工程)為較佳。藉此，可輕易地僅在第2基板區域表面形成中間膜。作為第4工程的例子，可列舉出「對基板表面施予電漿處理，並將第1基板區域之表面改質成未形成中間膜之表面」的處理。作為第4工程之其他例子，可列舉出「能選擇性地吸附於第1基板區域之表面，且使具有抑制中間膜之成膜的功能之第2SAM吸附於第1基板區域」的處理。
＜具體之實施形態＞ 其次，說明關於具體之實施形態。
[第1實施形態] 一開始，說明關於第1實施形態。 圖1，係表示第1實施形態之選擇性成膜方法的流程圖；圖2，係其工程剖面圖。 在本實施形態中，係說明如下述之例子：在具有複數個種類之表面(非晶矽(a-Si)膜、碳(C)膜、SiN膜、SiO2 膜)的基板中，僅在a-Si膜之表面選擇性地形成對象膜。
首先，準備基板1，該基板1，係在基體10上形成a-Si膜2、C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5，且具有形成了a-Si膜2的第1基板區域20與形成了C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5的第2基板區域30(步驟1、圖2(a))。亦即，第2基板區域30，係具有由不同於第1基板區域20之材料所形成之至少2種類的表面。第2基板區域30，係即便C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5全不存在，亦只要為該些中至少2種即可。在本實施形態中，係僅在像這樣的基板1之第1基板區域20的表面(a-Si膜2的表面)，形成金屬膜或金屬氮化膜等的金屬化合物膜例如TiN膜來作為對象膜。典型而言，作為基板1，係例示出該些膜被形成於由半導體所構成之基體10上的半導體基板(半導體晶圓)。但是，並不限於此。
其次，對基板1的整面施予H2 電漿處理(步驟2、圖2(b))。該處理，係將a-Si膜2之表面進行氫終端的處理。藉由該處理，a-Si膜之表面變成為Si-H，並抑制對於接下來所形成的中間膜之a-Si膜2的成膜。亦即，該處理，係可僅在第2基板區域30之表面形成中間膜6的處理。
其次，在第2基板區域30之C膜3、SiN膜4及SiO2 膜5的表面，選擇性地形成第1SAM可吸附的中間膜6，該第1SAM，係抑制(阻礙)對象膜例如TiN膜的成膜(步驟3、圖2(c))。
作為中間膜6，係使用Al2 O3 膜等的介電質膜。在Al2 O3 膜的情況下，係例如可使用三甲基鋁(TMA)氣體作為鋁前驅物，並使用H2 O氣體作為氧化劑，藉由ALD進行成膜。此時，a-Si膜2之表面，係經氫終端而變成為Si-H，且由於第2基板區域30之表面(C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5之表面)，係存在有OH，因此，僅在具有OH之第2基板區域30的表面選擇性地形成中間層6。中間膜6之厚度，係1nm左右就足夠。
其次，選擇性地使第1SAM7吸附於中間膜6上(步驟4、圖2(d))。第1SAM7，係可藉由供給預定之有機化合物氣體的方式來形成。第1SAM7，係兼具「僅吸附於在表面具有OH之中間膜6的表面而不吸附於經氫終端之a-Si膜2的表面」之性質及「如上述般抑制對象膜例如TiN膜的成膜」之性質。
作為用以形成第1SAM7之有機化合物，係可列舉出例如矽烷系化合物。作為矽烷系化合物，係可使用以一般式R-SiClx (x=1、2、3)所表示的化合物或以R′-Si(O-R)3 所表示的化合物(矽烷耦合劑)。在此，R、R′，係烷基等的官能基，O-R，係可水解的官能基例如甲氧基、乙氧基。作為矽烷耦合劑，係可使用例如八甲基三甲氧矽烷(octamethyl trimethoxysilane)(OTS)。
其次，僅在第1基板區域20之表面形成對象膜40例如TiN膜(步驟5、圖2(e))。亦即，由於第1SAM7，係具有阻害對象膜40之成膜的功能，因此，其結果，僅在第1基板區域20之表面(a-Si膜2之表面)選擇性地形成對象膜40例如TiN膜。TiN膜，係例如可使用TDMAT等的有機化合物原料氣體或TiCl4 氣體作為原料氣體，並使用NH3 氣體作為反應氣體，藉由ALD進行成膜。
當步驟5之對象膜40的成膜之際，在不具有第1SAM7之阻礙功能的情況下，係重複步驟4與步驟5直至靶材膜厚。
藉由以上，達成「僅在第1基板區域20之a-Si膜2的表面，以預定膜厚形成對象膜40」這樣的目的。另外，作為選擇性地形成對象膜40的膜，係不限於a-Si膜，亦可為金屬膜例如Cu、W、Co、Ru。
其後，以蝕刻來去除第1SAM7及中間膜6，並因應欲獲得之元件，對C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5之表面施予適當的處理。
在使用了以往之SAM的選擇成膜中，係當於基板存在有3種類以上的不同表面之際，若欲僅在其中一個表面選擇性地形成對象膜時，會產生如以下般的問題。亦即，在不形成對象膜之表面為2種類以上的情況下，若欲使SAM吸附於該些面而產生成膜抑制(阻礙)時，會產生其成膜抑制之程度不同而未進行充分之選擇成膜的情形。特別是，作為抑制對於碳膜表面的成膜之SAM，不存在適當的化合物，當在不形成對象膜之表面含有碳膜的情況下，係難以進行利用了SAM之成膜抑制處理(阻礙處理)。
對此，在本實施形態中，係對於具有不形成對象膜的2種類以上之不同表面的第2基板區域30，形成第1SAM7可吸附的中間膜6，該第1SAM7，係抑制(阻礙)對象膜的成膜。藉此，基板表面成為第1SAM7可吸附的中間膜6與第1SAM7不吸附之第1基板區域的表面(亦即a-Si膜2之表面)2種類。因此，可選擇性地將阻礙對象膜40之成膜的第1SAM7吸附於中間膜6，且僅在第1基板區域20形成對象膜40。
又，在第1實施形態中，係在步驟3之中間膜6的成膜之前，實施對基板表面進行H2 電漿處理的步驟2，藉此，將第1基板區域20之a-Si膜2的表面進行氫終端，且阻礙該部分之中間膜6的成膜。藉此，能輕易地形成中間膜6之可選擇成膜的表面。
＜第2實施形態＞ 其次，說明關於第2實施形態。 圖3，係表示第2實施形態之選擇性成膜方法的流程圖；圖4，係其工程剖面圖。 在本實施形態中，亦與第1實施形態相同地說明如下述之例子：在具有複數個種類之表面(非晶矽(a-Si)膜、碳(C)膜、SiN膜、SiO2 膜)的基板中，僅在a-Si膜之表面選擇性地形成對象膜。
首先，準備基板1，該基板1，係在基體10上形成a-Si膜2、C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5，且具有形成了a-Si膜2的第1基板區域20與形成了C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5的第2基板區域30(步驟11、圖4(a))。這是與第1實施形態之步驟1相同，第2基板區域30，係具有由不同於第1基板區域20之材料所形成之至少2種類的表面。在本實施形態中，第2基板區域30，係亦即便C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5全不存在，亦只要為該些中至少2種即可。又，僅在像這樣的基板1之第1基板區域20之a-Si膜2的表面，形成金屬膜或金屬氮化膜等的金屬化合物膜例如TiN膜來作為對象膜。而且，典型而言，作為基板1，係例示出該些膜被形成於由半導體所構成之基體10上的半導體基板(半導體晶圓)。但是，並不限於此。
其次，選擇性地使第2SAM8吸附於第1基板區域10之a-Si膜2的表面(步驟12、圖4(b))。第2SAM8，係可選擇性地吸附於第1基板區域之表面(a-Si膜2之表面)，且具有抑制中間膜6之成膜的功能。作為第2SAM8，係可使用例如以一般式R-SH所表示的硫醇系化合物。在此，R，係鹵素原子抑或也可含有雜原子之取代或非取代的脂肪族烴基或芳香族烴基。硫醇系化合物，係具有「吸附於Si膜或金屬膜之表面，而不吸附於氧化物或碳之表面」的性質，且具有「Al2 O3 膜等的介電質膜不吸附於其本身之表面」的性質。
其次，與第1實施形態之步驟2相同地，在第2基板區域30之C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5的表面，選擇性地形成第1SAM可吸附的中間膜6(步驟13、圖4(c))。使用作為中間膜6之Al2 O3 膜等的介電質膜，係被第2SAM8阻礙，僅在第2基板區域30之表面選擇性地進行成膜。
其次，藉由蝕刻來去除第2SAM8(步驟14、圖4(d))。
其次，與第1實施形態之步驟4相同地，選擇性地使第1SAM7吸附於中間膜6上(步驟15、圖4(e))。
其次，與第1實施形態之步驟5相同地，僅在第1基板區域20之表面形成對象膜40例如TiN膜(步驟16、圖4(f))。
藉由以上，達成「僅在第1基板區域20之a-Si膜2的表面，以預定膜厚形成對象膜40」這樣的目的。另外，作為選擇性地形成對象膜40的膜，係不限於a-Si膜，亦可為金屬膜例如Cu、W、Co、Ru。
其後，以蝕刻來去除第1SAM7及中間膜6，並因應欲獲得之元件，對C膜3、SiN膜4、SiO2 膜5之表面施予適當的處理。
在第2實施形態中，亦對於具有不形成對象膜的2種類以上之不同表面的第2基板區域30，形成第1SAM7可吸附的中間膜6，該第1SAM7，係抑制(阻礙)對象膜的成膜。藉此，基板表面成為第1SAM7可吸附的中間膜6與第1SAM7不吸附之第1基板區域的表面(亦即a-Si膜2之表面)2種類。因此，可選擇性地將阻礙對象膜40之成膜的第1SAM7吸附於中間膜6，且僅在第1基板區域20形成對象膜40。
又，在第2實施形態中，係在步驟13之中間膜6的成膜之前，實施將第2SAM8吸附的步驟12，該第2SAM8，係可選擇性地吸附於a-Si膜，且抑制由Al2 O3 等的介電質膜所構成之中間膜6的成膜。藉此，由於可阻礙中間膜6對於第1基板區域20之表面(a-Si膜2之表面)的吸附，因此，可輕易地僅在第2基板區域30選擇性地形成中間膜6。
＜成膜系統＞ 其次，說明關於用以實施本揭示之一實施形態之選擇性成膜方法的系統。 本揭示之一實施形態之選擇性地形成膜的方法，係亦可為批次裝置、單片裝置、半批次裝置的任一形態。但是，在上述各步驟中，存在有最適溫度不同的情形，又，在基板之表面氧化而表面狀況發生變化時，存在有對各步驟之實施造成障礙的情形。若考慮此點時，則較佳為「容易將各步驟設定成最適溫度，且可在真空中進行所有步驟之多腔室類型的單片式成膜系統」。
以下，說明關於像這樣的多腔室類型之單片式成膜系統。 圖5，係表示用以實施一實施形態之選擇性成膜方法之成膜系統之一例的示意圖。
如圖5所示般，成膜系統100，係具有：中間膜成膜裝置200、SAM形成裝置300、對象膜成膜裝置400、電漿處理裝置500。該些裝置，係經由閘閥G分別被連接於平面形狀呈七角形之真空搬送室101的4個壁部。真空搬送室101內，係藉由真空泵予以排氣而保持為預定真空度。亦即，成膜系統100，係多腔室類型之真空處理系統，且可維持真空來連續進行上述之選擇性成膜方法者。
中間膜成膜裝置200，係對於基板1之第2基板區域30，藉由ALD來形成中間膜6例如Al2 O3 膜者。
SAM形成裝置300，係供給用以在基板1之預定膜形成SAM的有機化合物氣體，且用以選擇性地形成第1SAM7或第2SAM8者。
對象膜成膜裝置400，係對於基板1之第1基板區域20的膜例如a-Si膜2，藉由ALD來形成對象膜40例如TiN膜者。
電漿處理裝置500，係用以進行「藉由H2 電漿來將a-Si膜2之表面進行氫終端」的處理或「蝕刻去除第1SAM7或第2SAM8」的處理者。
又，3個裝載鎖定室102經由閘閥G1被連接於真空搬送室101的其他3個壁部。隔著裝載鎖定室102而在真空搬送室101之相反側，係設置有大氣搬送室103。3個裝載鎖定室102，係經由閘閥G2被連接於大氣搬送室103。裝載鎖定室102，係在大氣搬送室103與真空搬送室101之間搬送基板1之際，在大氣壓與真空之間進行壓力控制者。
在大氣搬送室103之與裝載鎖定室102的安裝壁部相反側之壁部，係具有3個載體安裝埠105，該載體安裝埠105，係安裝收容基板1的載體(FOUP等)C。又，在大氣搬送室103之側壁，係設置有進行基板1之對位的對位腔室104。在大氣搬送室103內，係形成有潔淨空氣之下降流。
在真空搬送室101內，係設置有第1搬送機構106。第1搬送機構106，係對中間膜成膜裝置200、SAM形成裝置300、對象膜成膜裝置400、電漿處理裝置500、裝載鎖定室102搬送基板1。第1搬送機構106，係具有可獨立移動的2個搬送臂107a，107b。
在大氣搬送室103內，係設置有第2搬送機構108。第2搬送機構108，係可對載體C、裝載鎖定室102、對位腔室104搬送基板1。
成膜系統100，係具有整體控制部110。整體控制部110，係具有：主控制部，具有CPU(電腦)；輸入裝置(鍵盤、滑鼠等)；輸出裝置(印表機等)；顯示裝置(顯示器等)；及記憶裝置(記憶媒體)。主控制部，係控制中間膜成膜裝置200、SAM形成裝置300、對象膜成膜裝置400、電漿處理裝置500、真空搬送室101及裝載鎖定室102的各構成部等。整體控制部110之主控制部，係例如根據被內建於記憶裝置之記憶媒體或被安裝於記憶裝置之記憶媒體所記憶的處理配方，使成膜系統100執行用以進行上述第1實施形態及第2實施形態之方法的動作。另外，亦可在各裝置設置下位之控制部，並將整體控制部110構成為上位之控制部。
在如以上般所構成的成膜系統中，係藉由第2搬送機構108，從被連接於大氣搬送室103之載體C取出基板1，並在經由對位腔室104後，搬入至任一裝載鎖定室102內。而且，在對裝載鎖定室102內進行真空排氣後，藉由第1搬送機構106，將基板1搬送至中間膜成膜裝置200、SAM形成裝置300、對象膜成膜裝置400及電漿處理裝置500，進行第1或第2實施形態的處理。其後，因應所需，藉由電漿處理裝置500，進行第1SAM7及中間膜6之蝕刻去除。
在以上的處理結束後，藉由第1搬送機構106，將基板1搬送至任一裝載鎖定室102，並藉由第2搬送機構108，使裝載鎖定室102內的基板1返回到載體C。
針對複數個基板1同時而並行地進行如以上般的處理，從而完成預定片數之基板1的選擇性成膜處理。
由於是以獨立的單片裝置來進行該些各處理，故容易在各處理中設定成最適溫度，又，可維持真空來進行一連串的處理，因此，可抑制處理過程中之氧化。
＜成膜處理及SAM形成裝置之例子＞ 其次，說明關於如中間膜成膜裝置200、對象膜成膜裝置400般的成膜裝置及SAM形成裝置300之一例。 圖6，係表示可使用作為成膜裝置及SAM形成裝置之處理裝置之一例的剖面圖。
如中間膜成膜裝置200、對象膜成膜裝置400般的成膜裝置及SAM形成裝置300，係可設成為具有相同構成之裝置，並可構成為例如如圖6所示般的處理裝置600。
處理裝置600，係具有被構成為氣密之大致圓筒狀的處理容器601，在其中，係藉由被設置於處理容器601之底壁中央之圓筒狀的支撐構件603來支撐配置有用以水平地支撐基板1的基座602。在基座602，係埋入有加熱器605，該加熱器605，係藉由從加熱器電源606所供電的方式，將基板1加熱至預定溫度。另外，在基座602，係設置有複數個晶圓升降銷(未圖示)，該等晶圓升降銷，係用以支撐基板1並使其升降，且可相對於基座602的表面而突出/沒入。
在處理容器601之頂壁，係以與基座602對向的方式，設置有噴頭610，該噴頭610，係用以將成膜或SAM形成用的處理氣體噴淋狀地導入至處理容器601內。噴頭610，係用以將從後述之氣體供給機構630所供給的氣體吐出至處理容器601內者，在其上部，係形成有用以導入氣體的氣體導入口611。又，在噴頭610之內部，係形成有氣體擴散空間612，在噴頭610之底面，係形成有連通於氣體擴散空間612的多數個氣體吐出孔613。
在處理容器601之底壁，係設置有朝向下方突出的排氣室621。在排氣室621之側面，係連接有排氣配管622，在該排氣配管622，係連接有排氣裝置623，該排氣裝置623，係具有真空泵或壓力控制閥等。而且，藉由使該排氣裝置623作動的方式，可使處理容器601內成為預定的減壓(真空)狀態。
在處理容器601之側壁，係設有用以在與真空搬送室101之間搬入搬出基板1的搬入搬出口627，搬入搬出口627，係藉由閘閥G來進行開關。
氣體供給機構630，係具有中間膜之成膜、對象膜之成膜或SAM之形成所需的氣體供給源與從各供給源供給氣體的個別配管、設置於個別配管之開關閥及如進行氣體之流量控制之質流控制器般的流量控制器等，並更具有將來自個別配管之氣體經由氣體導入口611導引至噴頭610的氣體供給配管635。
氣體供給機構630，係在處理裝置600進行將Al2 O3 膜作為中間膜6之ALD成膜的情況下，例如將作為原料氣體之TMA氣體、作為反應氣體之H2 O氣體供給至噴頭610。又，氣體供給機構630，係在處理裝置600進行將TiN膜作為對象膜40之ALD成膜的情況下，例如將作為原料氣體之TDMAT等的有機化合物原料氣體或TiCl4 氣體、作為反應氣體之NH3 氣體供給至噴頭610。而且，氣體供給機構630，係在處理裝置600進行SAM之形成的情況下，將用以形成SAM之化合物的蒸汽供給至處理容器601內。又，氣體供給機構630，係被構成為亦可供給N2 氣體或Ar氣體等的惰性氣體作為沖洗氣體或傳熱氣體。
在像這樣所構成的處理裝置600中，係使閘閥G成為開啟，將基板1從搬入搬出口627搬入至處理容器601內，並載置於基座602上。基座602，係藉由加熱器605被加熱至預定溫度，且藉由惰性氣體被導入至處理容器601內的方式，加熱晶圓W。而且，藉由排氣裝置623之真空泵，對腔室601內進行排氣，將腔室601內的壓力調整至預定壓力。
其次，在處理裝置600進行將Al2 O3 膜作為中間膜6之ALD成膜的情況下，例如使用TMA氣體作為原料氣體、H2 O氣體作為反應氣體，並以夾雜著處理容器601內之沖淨來將該些從氣體供給機構630交互地供給至處理容器601內。其次，在處理裝置600進行將TiN膜作為對象膜40之ALD成膜的情況下，例如使用TDMAT等的有機化合物原料氣體或TiCl4 氣體作為原料氣體、NH3 氣體作為反應氣體，並以夾帶著處理容器601內之沖洗來將該些從氣體供給機構630交互地供給至處理容器601內。而且，在處理裝置600進行SAM之形成的情況下，從氣體供給機構630，將用以形成SAM之有機化合物蒸汽供給至處理容器601內。
＜其他應用＞ 以上，雖說明了關於實施形態，但此次所揭示之實施形態，係所有的要點均為例示，不應被認為限制性之內容。上述之實施形態，係亦可不脫離添附之申請專利範圍及其主旨，以各種形態進行省略､置換､變更。
例如，在上述實施形態中，雖係表示了將SiO2 膜、SiN膜、C膜使用作為構成不形成對象膜之第2基板區域之表面的複數個膜，並將a-Si膜(或金屬膜)作為構成第1基板區域之表面的膜之情形，但並不限於此。又，在上述實施形態中，雖係表示了將TiN膜作為對象膜的例子，但並不限於此。而且，中間膜之材料亦不限於介電質膜，因應於構成第1基板區域的材料及對象膜來適當地設定。例如，第1基板區域亦可為氧化物系膜且對象膜亦可為氧化物系膜，在該情況下，係可使用Si膜或金屬系膜等作為構成第2基板區域之表面的複數個膜，並亦可舉出Si膜或金屬系膜等作為中間膜。再者，作為構成SAM之化合物亦不限定於上述實施形態的化合物，只要因應於所選擇之中間膜及對象膜，選擇吸附於中間膜且對象膜不吸附的化合物即可。
再者，在上述實施形態中，係為了方便起見，雖表示了第1基板區域之表面、第2基板區域之表面為平面狀的情形，但並不限於此，亦可為具有凹部等的預定形狀者。
再者，在上述實施形態中，雖係表示了使用半導體基板(半導體晶圓)作為基板的情形，但並不限於此，亦可為玻璃基板或陶瓷基板等的其他基板。
1:基板 2:a-Si膜 3:碳(C)膜 4:SiN膜 5:SiO2膜 6:中間膜(Al2O3膜) 7:第1SAM(矽烷系化合物) 8:第2SAM(硫醇系化合物) 10:基體 20:第1基板區域 30:第2基板區域 40:對象膜(TiN膜) 100:成膜系統 200:中間膜成膜裝置 300:SAM形成裝置 400:對象膜成膜裝置 500:電漿處理裝置 600:處理裝置
[圖1]表示第1實施形態之選擇性成膜方法的流程圖。 [圖2]表示第1實施形態之選擇性成膜方法的工程剖面圖。 [圖3]表示第2實施形態之選擇性成膜方法的流程圖。 [圖4]表示第2實施形態之選擇性成膜方法的工程剖面圖。 [圖5]表示用以實施一實施形態之選擇性成膜方法之成膜系統之一例的示意圖。 [圖6]表示可使用作為圖5之系統的成膜裝置及SAM形成裝置之處理裝置之一例的剖面圖。

Claims (12)

  1. 一種將膜形成於基板上的方法，其特徵係，具有如下述之步驟：準備具有第1基板區域與第2基板區域的基板，該第2基板區域，係具有由不同於前述第1基板區域之材料所形成之至少2種類的表面；在前述第2基板區域的表面，選擇性地形成第1自組織化單分子膜可吸附之中間膜，該第1自組織化單分子膜，係抑制前述膜形成於前述第2基板區域；接著，選擇性地使前述第1自組織化單分子膜吸附於前述中間膜的表面；及接著，在前述第1基板區域的表面選擇性地形成前述膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，前述第1基板區域，係包含有a-Si膜或金屬膜。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，前述膜，係金屬膜或金屬化合物膜。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，前述膜，係TiN膜。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中，前述第2基板區域，係選自由SiO2膜、SiN膜、碳膜所構成之群組的至少2種材料會形成前述2種類以上的表面。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中，前述中間膜，係介電質膜。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中，前述中間膜，係Al2O3膜。
  8. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中，更具有如下述之步驟：在形成前述中間膜之前所實施，且對於前述基板進行可僅在前述第2基板區域之表面形成中間膜的處理。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中，可僅在前述第2基板區域之表面形成中間膜的處理，係使第2自組織化單分子膜吸附於前述第1基板區域的處理，該第2自組織化單分子膜，係可選擇性地吸附於前述第1基板區域之表面，且具有抑制中間膜之成膜的功能。
  10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中，可僅在前述第2基板區域之表面形成中間膜的處理，係「對前述基板表面施予電漿處理，並將前述第1基板區 域之表面改質成未形成前述中間膜之表面」的處理。
  11. 一種在基板形成膜的系統，其特徵係，具備有：搬送室，具有用以搬送基板的搬送裝置；連結於前述搬送室且形成中間膜的裝置；連結於前述搬送室且形成對象膜的裝置；連結於前述搬送室且使自組織化單分子膜吸附的裝置；及控制部，控制前述搬送裝置、形成前述中間膜的裝置、形成前述對象膜的裝置及使前述自組織化單分子膜吸附的裝置，前述控制部，係以實施如申請專利範圍第1~9項中任一項之方法的方式，控制搬送裝置、形成前述中間膜的裝置、形成前述膜的裝置及使前述自組織化單分子膜吸附的裝置。
  12. 一種在基板形成膜的系統，其特徵係，具備有：搬送室，具有用以搬送基板的搬送裝置；連結於前述搬送室且形成中間膜的裝置；連結於前述搬送室且形成對象膜的裝置；連結於前述搬送室且使自組織化單分子膜吸附的裝置；及連結於前述搬送室且進行電漿處理的裝置，前述控制部，係以實施如申請專利範圍第10項之方法 的方式，控制前述搬送裝置、形成前述中間膜的裝置、形成前述膜的裝置、使前述自組織化單分子膜吸附的裝置及前述進行電漿處理的裝置。
TW108121061A 2018-07-02 2019-06-18 選擇性地形成膜之方法及系統 TWI808199B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-125837 2018-07-02
JP2018125837A JP7101551B2 (ja) 2018-07-02 2018-07-02 選択的に対象膜を形成する方法およびシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202014547A TW202014547A (zh) 2020-04-16
TWI808199B true TWI808199B (zh) 2023-07-11

Family

ID=69054762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108121061A TWI808199B (zh) 2018-07-02 2019-06-18 選擇性地形成膜之方法及系統

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10790138B2 (zh)
JP (1) JP7101551B2 (zh)
KR (1) KR102293637B1 (zh)
TW (1) TWI808199B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11738366B2 (en) * 2019-01-25 2023-08-29 The Regents Of The University Of California Method of coating an object
KR102858005B1 (ko) * 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP7353200B2 (ja) * 2020-02-06 2023-09-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP7507623B2 (ja) * 2020-07-13 2024-06-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
KR102406174B1 (ko) * 2020-09-08 2022-06-08 주식회사 이지티엠 선택성 부여제를 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
KR102513358B1 (ko) * 2020-12-17 2023-03-24 주식회사 포스코 이종코팅 강판 및 디스플레이 장치
KR20230123494A (ko) * 2020-12-25 2023-08-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 접합 시스템 및 기판 접합 방법
KR102366555B1 (ko) * 2021-01-05 2022-02-23 주식회사 이지티엠 핵성장 지연을 이용한 영역 선택적 박막 형성 방법
JP2022137698A (ja) * 2021-03-09 2022-09-22 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜システム
JP7339975B2 (ja) 2021-03-18 2023-09-06 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
WO2022264430A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2023023459A (ja) 2021-08-05 2023-02-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
WO2023096270A1 (ko) * 2021-11-26 2023-06-01 솔브레인 주식회사 고유전율 박막용 가리움제, 이를 이용한 선택영역증착 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자
JP7793870B2 (ja) * 2022-04-19 2026-01-06 インチョン ナショナル ユニバーシティー リサーチ アンド ビジネス ファウンデイション 領域－選択的原子層蒸着法を利用した薄膜の選択的蒸着方法および薄膜が選択的に形成された基板
WO2024062634A1 (ja) * 2022-09-23 2024-03-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP7791633B2 (ja) * 2022-09-26 2025-12-24 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理システム、およびプログラム
JP2024131207A (ja) * 2023-03-15 2024-09-30 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置
WO2025226985A1 (en) * 2024-04-26 2025-10-30 Versum Materials Us, Llc Passivation of polysilicon material and selective deposition of dielectric material utilizing alkynes

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533156A (ja) * 2004-04-19 2007-11-15 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 金属からなるゲート電極を形成するための方法
KR20100107228A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 포항공과대학교 산학협력단 선택적 증착법을 이용한 반도체 소자의 콘택트 형성방법
US20120315740A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Applied Materials, Inc. Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface
US20170342553A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Tokyo Electron Limited Selective deposition with surface treatment
TW201816161A (zh) * 2016-05-06 2018-05-01 應用材料股份有限公司 透過自組裝單層形成而成的選擇性沉積

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101090895B1 (ko) 2003-05-09 2011-12-08 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션
US8030212B2 (en) 2007-09-26 2011-10-04 Eastman Kodak Company Process for selective area deposition of inorganic materials
US8293658B2 (en) 2010-02-17 2012-10-23 Asm America, Inc. Reactive site deactivation against vapor deposition
US11430656B2 (en) * 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
US10176984B2 (en) * 2017-02-14 2019-01-08 Lam Research Corporation Selective deposition of silicon oxide
KR102515131B1 (ko) * 2018-04-13 2023-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 선택적 원자 층 증착 방법들

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533156A (ja) * 2004-04-19 2007-11-15 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 金属からなるゲート電極を形成するための方法
KR20100107228A (ko) * 2009-03-25 2010-10-05 포항공과대학교 산학협력단 선택적 증착법을 이용한 반도체 소자의 콘택트 형성방법
US20120315740A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Applied Materials, Inc. Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface
TW201816161A (zh) * 2016-05-06 2018-05-01 應用材料股份有限公司 透過自組裝單層形成而成的選擇性沉積
US20170342553A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Tokyo Electron Limited Selective deposition with surface treatment

Also Published As

Publication number Publication date
US10790138B2 (en) 2020-09-29
TW202014547A (zh) 2020-04-16
KR102293637B1 (ko) 2021-08-25
JP2020002452A (ja) 2020-01-09
US20200006057A1 (en) 2020-01-02
KR20200004245A (ko) 2020-01-13
JP7101551B2 (ja) 2022-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI808199B (zh) 選擇性地形成膜之方法及系統
TWI648791B (zh) Etching method
CN107851594B (zh) 基板处理装置以及半导体装置的制造方法
JP7353200B2 (ja) 成膜方法
TW202234546A (zh) 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、程式及基板處理方法
TW201624564A (zh) 蝕刻方法
JP7362258B2 (ja) 基板処理方法及び成膜システム
KR20190037126A (ko) 선택 성막 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102651431B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
US12152304B2 (en) Film forming method for forming self-assembled monolayer on substrate
TW202124760A (zh) 成膜方法
US11830741B2 (en) Method for forming film
JP7486321B2 (ja) 成膜方法
KR102589043B1 (ko) 성막 방법
WO2022190889A1 (ja) 成膜方法および成膜システム
KR102650982B1 (ko) 성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 성막 장치 및 반도체 장치를 제조하는 시스템
WO2021060109A1 (ja) 成膜方法
KR102582899B1 (ko) 성막 방법
WO2024122331A1 (ja) 成膜方法及び成膜装置
WO2024090268A1 (ja) 成膜方法及び成膜装置