TWI802125B - 檢查方法、檢查裝置、及標記形成方法 - Google Patents

Abstract

一實施形態之檢查方法，係對具有基板SiE及形成於基板SiE上之金屬層ME之半導體器件D進行雷射標記之檢查方法，且包含以下步驟：藉由檢查半導體器件D，特定出半導體器件D中之故障部位fp之步驟；基於故障部位fp，以至少於基板SiE與金屬層ME之邊界形成標記之方式，自基板SiE側對半導體器件D照射透過基板SiE之波長之雷射光之步驟。

Description

檢查方法、檢查裝置、及標記形成方法

本發明之一態樣係關於半導體器件之檢查方法、檢查裝置、及標記形成方法。

作為檢查半導體器件之技術，有一種於已特定出故障部位之情形時，對於故障部位之周圍數個部位，藉由雷射光之照射進行標記之技術。此種技術於故障解析之後步驟中，由於可藉由標記而容易地掌握故障部位，故為極有效之技術。 對已封裝之樣品(半導體器件)及於金屬層側無窗而必須使用探針卡之樣品等進行標記之情形時，由於無法自表面側(金屬層側)照射雷射光，故必須自背面側(基板側)照射雷射光。例如於專利文獻1，揭示一種藉由OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change：光束感應阻抗值變化)法解析使用SiC基板之半導體器件之故障位置的故障解析裝置。於專利文獻1，揭示自背面側照射雷射光，於基板之表面側之器件及電路進行雷射標記。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-97391號公報

[發明所欲解決之問題] 然而，於專利文獻1中標記之詳細位置並未揭示。又，基於標記進行半導體器件之物理解析時，有自表面側確認標記之位置之情形，亦有自背面側確認之情形。因此，標記形成之位置較佳為自表面側及背面側均容易確認之位置。 因此，本發明一態樣之目的係提供一種於自半導體器件之基板側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面側及背面側之任一側都容易確認標記位置之檢查方法、檢查裝置及標記形成方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之檢查方法係對具有基板及形成於基板上之金屬層之半導體器件進行雷射標記之檢查方法，且包含以下步驟：藉由檢查半導體器件，特定出半導體器件中之特定位置之步驟；基於特定位置，以至少於基板與金屬層之邊界形成標記之方式，自基板側對半導體器件照射透過基板之波長之雷射光之步驟。 於該檢查方法中，基於半導體器件中特定出之特定位置(例如故障部位)，以至少於基板與金屬層之邊界形成標記之方式，自基板側對半導體器件照射透過基板之波長之雷射光。如此，藉由於基板與金屬層之邊界形成標記，而可於自表面側(金屬層側)及背面側(基板側)之任一側均容易確認之位置形成標記。藉此，於自半導體器件之基板側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面側及背面側之任一側均可容易確認標記位置。 於照射雷射光之步驟中，亦可以標記不貫通金屬層之方式，控制雷射光之照射。藉此，可使標記留在半導體器件之內部。其結果，可防止因標記形成時可能產生之半導體器件之碎片(debris)而污染半導體器件之表面。 於照射雷射光之步驟中，亦可控制雷射光之照射以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者作為標記。藉此，可適當地形成標記。 上述檢查方法亦可進而包含獲取包含顯示標記之標記像之半導體器件之圖案圖像之步驟。藉此，可獲取可與半導體器件之圖案(例如配線圖案)一起於視覺上掌握標記位置之圖案圖像。藉由如此之圖案圖像，於物理解析中可容易地掌握標記位置。 上述檢查方法亦可進而包含如下步驟：基於圖案圖像，獲取特定出標記位置之位置資訊之步驟，與輸出該位置資訊之步驟。藉此，於物理解析中可向外部裝置等輸出用於特定標記位置之位置資訊。因此，即使於例如進行標記之檢查裝置與進行物理解析之解析裝置配置於不同地點之情形時，亦可適當地交接用於對該解析裝置進行物理解析之必要之位置資訊。 於獲取位置資訊之步驟中，亦可獲取顯示以半導體器件之特徵點之位置為基準之標記之相對位置之資訊作為位置資訊。如此，藉由將對於半導體器件之特徵點(例如配線圖案之溝部等)之位置的標記相對位置作為位置資訊而使用，可正確地掌握標記之位置。 上述檢查方法於照射雷射光之步驟之後，進而包含使基板薄型化，並自薄型化之基板側觀察半導體器件之步驟。藉由使基板薄型化，於上述之觀察步驟中，可容易地確認標記之位置。藉此，可基於標記之位置正確地進行物理解析。 本發明之一態樣之檢查裝置係對具有基板及形成於基板上之金屬層之半導體器件進行雷射標記之檢查裝置，且具備：觀察用光學系統，其傳達來自半導體器件之基板側之光；光檢測器，其檢測經由觀察用光學系統之來自半導體器件之光，並輸出檢測信號；雷射光源，其輸出透過基板之波長之雷射光；標記用光學系統，其自基板側向半導體器件照射由雷射光源輸出之雷射光；標記控制部，其基於根據檢測信號而特定出之特定位置，以至少於基板與金屬層之邊界形成標記之方式，控制雷射光源之輸出。 於該檢查裝置中，基於於半導體器件中特定出之特定位置(例如故障部位)，以至少於基板與金屬層之邊界形成標記之方式，自基板側向半導體器件照射透過基板之波長之雷射光。如此，藉由於基板與金屬層之邊界形成標記，可於表面側(金屬層側)及背面側(基板側)之任一側均容易確認之位置形成標記。藉此，於自半導體器件之基板側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面側及背面側之任一側均可容易地確認標記位置。 標記控制部亦可以標記不貫通金屬層之方式，控制雷射光源之輸出。藉此，可將標記留在半導體器件之內部。其結果，可防止因標記形成時可能產生之半導體器件之碎片(debris)而污染半導體器件之表面。 標記控制部亦可控制雷射光源之輸出以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者作為標記。藉此，可適當地形成標記。 上述檢查裝置亦可進而具備基於檢測信號，獲取包含顯示標記之標記像之半導體器件之圖案圖像之處理部。藉此，可獲取可與半導體器件之圖案(例如配線圖案)一起於視覺上掌握標記位置之圖案圖像。藉由如此之圖案圖像，於物理解析中可容易地掌握標記位置。 處理部亦可基於圖案圖像，獲取特定出標記位置之位置資訊，輸出該位置資訊。藉此，於物理解析中可向外部裝置等輸出用於特定出標記位置之位置資訊。因此，即使於例如進行標記之檢查裝置與進行物理解析之解析裝置配置於不同地點之情形時，亦可適當地交接用於對該解析裝置進行物理解析之必要之位置資訊。 處理部亦可獲取顯示以半導體器件之特徵點為基準之標記之相對位置之資訊作為位置資訊。如此，藉由將標記對於半導體器件之特徵點(例如配線圖案之溝部等)之位置的相對位置作為位置資訊而使用，可正確地掌握標記之位置。 本發明之一態樣之標記形成方法係於具有基板及形成於基板上之金屬層之半導體器件進行雷射標記之標記形成方法，且包含對於半導體器件之特定位置，以至少於基板與金屬層之邊界處形成標記之方式，自基板側對半導體器件照射透過基板之波長之雷射光之步驟。 於該標記形成方法中，以至少於基板與金屬層之邊界形成標記之方式，自基板側對半導體器件照射透過基板之波長之雷射光。如此，藉由於基板與金屬層之邊界形成標記，可於表面側(金屬層側)及背面側(基板側)之任一側均容易確認之位置形成標記。藉此，於自半導體器件之基板側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面側及背面側之任一側均可容易地確認標記位置。 於照射雷射光之步驟中，亦可以標記不貫通金屬層之方式，控制雷射光之照射。藉此，可將標記留在半導體器件之內部。其結果，可防止因於標記形成時可能產生之半導體器件之碎片(debris)而污染半導體器件之表面。 於照射雷射光之步驟中，亦可控制雷射光之照射以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者作為標記。藉此，可適當地形成標記。 [發明之效果] 根據本發明之一態樣，可提供一種於自半導體器件之基板側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面側及背面側之任一側均可容易地確認標記位置之檢查方法、檢查裝置、及標記形成方法。

以下，參照附加圖式，詳細說明本發明之較佳實施形態。再者，於圖式之說明中，對相同或相當之要素標註相同符號並省略重複之說明。 如圖1所示，本實施形態之檢查裝置1係用以於被檢查器件(DUT：Device Under Test：待測器件)即半導體器件D中特定出故障部位(特定位置)等之檢查半導體器件D之裝置。更詳細而言，檢查裝置1特定出故障部位，且於該故障部位之周圍，進行顯示該故障部位之標記。藉由該標記，於故障解析之後步驟(物理解析)中，可容易掌握檢查裝置1所特定出之故障部位。 作為半導體器件D，例如係個別半導體元件(分開)、光電元件、感測器/致動器、邏輯LSI(Large Scale Integration：大型積體電路)、記憶體元件或線型IC(Integrated Circuit：積體電路)等，或該等之混成器件等。個別半導體元件係包含二極體、功率電晶體等。邏輯LSI係由MOS(Metal-Oxide-Semiconductor：金屬氧化物半導體)構造之電晶體、雙極構造之電晶體等構成。又，半導體器件D亦可為包含半導體器件之封裝、複合基板等。半導體器件D具有基板與形成於基板上之金屬層。作為半導體器件D之基板，例如使用矽基板。半導體器件D係載置於樣品載台40。 檢查裝置1進行特定出半導體器件D之故障部位之故障部位特定處理，及於特定出之故障部位之周圍進行顯示該故障部位之標記的標記處理。檢查裝置1具備刺激裝置11、光源12、包含觀察用光學系統13A及標記用光學系統13B之光學系統13、XYZ載台14、光檢測器15、雷射光源16、電腦21、顯示部22、及輸入部23。 首先，對故障部位特定處理之檢查裝置1之功能構成進行說明。檢查裝置1作為故障部位特定處理之功能構成，具備刺激裝置11、光源12、觀察用光學系統13A、XYZ載台14、光檢測器15、電腦21、顯示部22、及輸入部23。 刺激裝置11係經由電纜與半導體器件D電性連接，並作為對半導體器件D施加刺激信號之刺激信號施加部發揮功能。刺激裝置11係例如對半導體器件D施加刺激信號之脈衝發生器、及輸入測試信號之測試單元等。刺激裝置11藉由電源(未圖示)而動作，並對半導體器件D重複施加特定之測試圖案等刺激信號。刺激裝置11可為施加調變電流信號者，亦可為施加直流電流信號者。刺激裝置11係經由電纜與電腦21電性連接，並將由電腦21指定之測試圖案等刺激信號施加於半導體器件D。另，刺激裝置11並非必須與電腦21電性連接。刺激裝置11於未與電腦21電性連接之情形時，以單體決定測試圖案等刺激信號，並將該測試圖案等刺激信號施加於半導體器件D。 光源12係藉由電源(未圖示)而動作，並輸出照明半導體器件D之光。光源12係LED(Light Emitting Diode：發光二極體)及燈光源等。由光源12輸出之光之波長係透過半導體器件D之基板之波長。例如於半導體器件D之基板為矽之情形時，較佳為1064mm以上。自光源12輸出之光被引導至觀察用光學系統13A。 觀察用光學系統13A係將來自半導體器件D之基板側之光導入光檢測器15之光學系統。觀察用光學系統13A可為與後述之標記用光學系統13B共用之構成，亦可與標記用光學系統13B獨立構成。觀察用光學系統13A係自半導體器件D之基板側即半導體器件D之背面D1側向半導體器件D照射自光源12輸出之光。例如，觀察用光學系統13A具有光束分離器及對物透鏡。對物透鏡係將自光源12輸出並藉由光束分離器引導之光聚光於觀察區域。例如，觀察用光學系統13A係載置於XYZ載台14。若將對物透鏡之光軸方向為Z軸方向，則XYZ載台14可向Z軸方向、及正交於Z軸方向之X軸方向及Y軸方向移動。XYZ載台14由電腦21之控制部21b(後述)予以控制，而可於上述之3軸方向移動。根據XYZ載台14之位置決定觀察區域。 觀察用光學系統13A對應於透過半導體器件D之基板而照明之光，將於半導體器件D中被反射之光(反射光)傳達至光檢測器15。具體而言，自觀察用光學系統13A照射之光透過半導體器件D之基板SiE(參照圖4)，並被金屬層ME(參照圖4)反射。且，於金屬層ME反射之光再次透過基板SiE，經由觀察用光學系統13A之對物透鏡及光束分離器輸入至光檢測器15。又，觀察用光學系統13A藉由施加刺激信號而將半導體器件D發出之光傳達至光檢測器15。具體而言，藉由施加刺激信號，主要於半導體器件D之金屬層ME發出之光(例如，發射光)透過基板SiE，經由觀察用光學系統13A之對物透鏡及光束分離器而輸入至光檢測器15。 光檢測器15拍攝來自半導體器件D之光，輸出圖像資料(檢測信號)。例如，光檢測器15拍攝自半導體器件D反射之光，輸出用於產生圖案圖像之圖像資料。基於該圖案圖像，可掌握標記位置。又，光檢測器15拍攝自半導體器件D發出之光，輸出用於產生發光圖像之圖像資料。基於該發光圖像，可特定出半導體器件D中之發光部位。藉由特定出發光部位，可特定出半導體器件D之故障部位。作為計測發光之光檢測器15，例如，可使用搭載有可檢測透過半導體器件D之基板SiE之波長之光之CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合器件)影像感測器、或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補型金屬氧化半導體)影像感測器之相機、InGaAs相機及MCT相機等之二維相機。 電腦21經由電纜而與光檢測器15等電性連接。電腦21係包含例如處理器(CPU：Central Processing Unit：中央處理單元)、及記憶媒體即RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)、SSD(Solid State Drive：固態驅動器）、及HDD(Hard Disk Drive：硬碟驅動器)等之電腦。電腦21對記憶於記憶媒體之資料，執行藉由處理器進行之處理。電腦21基於自光檢測器15輸入之圖像資料，產生圖案圖像及發光圖像。圖案圖像係以可確認半導體器件D之電路(形成於金屬層ME之電路圖案等)之方式拍攝之圖像。另，於電腦21，亦可使用雲端伺服器、智慧型器件(智慧型手機、平板終端等)、微電腦、FPGA(Field Programmable Gate Array：現場可程式化閘陣列)等。 如圖2所示，電腦21針對半導體器件D之包含發光部位之部分，獲取自低倍率至高倍率之各倍率之圖案圖像。圖2之(a)係顯示低倍率之圖案圖像A1，圖2之(b)顯示中倍率之圖案圖像A2，圖2之(c)顯示高倍率之圖案圖像A3。例如，電腦21藉由控制觀察用光學系統13A之對物透鏡，可獲取對應於各倍率之圖案圖像A1～A3。 此處，僅憑上述之發光圖像，係難以特定出半導體器件D之圖案(電路圖案等)中之發光位置。因此，電腦21產生將如上所述產生之圖案圖像與基於自半導體原件D之發光之發光圖像重疊之重疊圖像作為解析圖像。圖3之(a)係顯示使高倍率之圖案圖像A3與顯示發光部位即故障部位fp之發光圖像重疊之解析圖像A4。 電腦21向顯示部22輸出解析圖像A4。顯示部22係用以向使用者顯示解析圖像A4等之顯示器等之顯示裝置。顯示部22係顯示所輸入之解析圖像A4。於該情形時，使用者從顯示於顯示部22之解析圖像A4確認故障部位fp之位置，並將顯示故障部位fp之資訊輸出至輸入部23。輸入部23係接收來自使用者之輸入之鍵盤及滑鼠等之輸入裝置。輸入部23將自使用者接收之顯示故障部位fp之資訊輸出至電腦21。另，電腦21、顯示部22、及輸入部23亦可為平板終端。以上係針對故障部位特定處理之檢查裝置1之功能構成之說明。 其次，針對標記處理中之檢查裝置1之功能構成進行說明。標記處理於藉由故障部位特定處理而特定出之故障部位fp之周圍，進行顯示該故障部位fp之標記之處理。 檢查裝置1作為標記處理之功能構成，除上述之故障部位特定處理之各功能構成以外，進而具備雷射光源16與標記用光學系統13B。又，電腦21具有條件設定部21a、控制部21b(標記控制部)與解析部21c(處理部)。 於標記處理中，基於故障部位特定處理中特定出之故障部位fp(特定位置)，進行雷射標記。如圖3之(b)及圖4所示，於故障部位fp之周圍(此處，作為一例為4個部位)設置有標記部位mp。於標記處理中，由雷射光源16輸出之雷射光經由標記用光學系統13B照射於半導體器件D之標記部位mp。即，自半導體器件D之基板SiE側對標記部位mp，照射透過基板SiE之波長之雷射光。藉此，於基板SiE與金屬層ME之邊界形成標記。以下，針對標記處理之檢查裝置1之功能構成之細節進行說明。 條件設定部21a係基於顯示自輸入部23輸入之故障部位fp之資訊，設定標記部位mp。標記部位mp設定於經特定出之故障部位fp之周圍數個部位。數個部位係例如4個部位。條件設定部21a於輸入顯示例如故障部位fp之資訊時，以該故障部位fp為中心，於該故障部位fp之周圍4個部位，自動地設定標記部位mp。具體而言，於例如俯視下，設定以故障部位fp為中心之十字狀的標記部位mp。另，標記部位mp可自看見顯示於顯示部22之解析圖像之使用者以輸入部23接收顯示標記部位mp之資訊之輸入而設定。於該情形時，條件設定部21a並非自動地設定標記部位mp，而是基於顯示自輸入部23輸入之標記部位mp之資訊，設定標記部位mp。條件設定部21a產生對解析圖像A4附加顯示故障部位fp及標記部位mp之記號後之參考圖像A5(參照圖3之(b))，並將該參考圖像A5保存於電腦21內。 電腦21之控制部21b藉由控制XYZ載台14，而使XYZ載台14於3軸方向移動。具體而言，控制部21b以於藉由條件設定部21a設定之標記部位mp進行雷射標記之方式，使載置標記用光學系統13B之XYZ載台14移動。控制部21b於具有複數個標記部位mp之情形時，以依序進行對所有標記部位mp之雷射標記之方式控制。即，控制部21b以於對一個標記部位mp之雷射標記完成時，進行下一個標記部位mp之雷射標記之方式，使XYZ載台14移動。控制部21b於XYZ載台14之移動完成時，向雷射光源16輸出開始輸出信號。 雷射光源16藉由電源(未圖示)而動作，並向半導體器件D輸出照射之雷射光。雷射光源16於藉由控制部21b輸出開始輸出信號時，開始雷射光之輸出。作為雷射光源16，例如，可使用半導體雷射及光纖雷射等。自雷射光源16輸出之雷射光之波長只要為透過基板SiE之波長區域即可。該波長於例如基板SiE為矽之情形時，較佳為1064nm以上。 標記用光學系統13B自半導體器件D之基板SiE側、即半導體器件D之背面側D1對半導體器件D之標記部位mp照射雷射光源16所輸出之雷射光。標記用光學系統13B具有對物透鏡。對物透鏡將來自雷射光源16之雷射光聚光於標記部位mp。標記用光學系統13B載置於XYZ載台14。XYZ載台14由控制部21b控制，而可向上述3軸方向移動。另，標記用光學系統13B亦可具有光掃描部(例如電流計反射鏡、多面鏡及MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems：微機電系統)鏡面等光掃描元件)作為使雷射光之照射位置變化之構成，而替代上述之XYZ載台14。於該情形時，控制部21b藉由控制該光掃描部之動作，可控制雷射光之照射位置。又，標記用光學系統13B具備快門，藉由來自控制部21b之控制使快門動作，藉由使來自雷射光源16之雷射光通過或遮擋，而控制雷射光之輸出。 控制部21b係與雷射光源16電性連接，控制雷射標記中之雷射光之照射。具體而言，控制部21b以將標記形成於基板SiE與金屬層ME之邊界之方式，控制雷射光源16之輸出。較佳為，控制部21b以使標記不貫通金屬層ME之方式，控制雷射光源16之輸出。藉此，可將標記留在半導體器件D之內部。其結果，可防止因於標記形成時可能產生之半導體器件之碎片(debris)而污染半導體器件D之表面D2。例如，控制部21b控制為使以雷射標記中之雷射光之功率成為10μJ～10mJ。控制部21b於自雷射光源16輸出之雷射光為脈衝雷射之情形時，亦可藉由規定對標記部位mp照射雷射脈衝之次數(例如50～1000發等)作為雷射光之照射條件，而控制雷射光之照射。又，控制部21b於自雷射光源16輸出之雷射光為CW雷射(Continuous wave laser：連續波雷射)之情形時，亦可藉由規定對標記部位mp照射雷射光之時間作為雷射光之照射條件，控制雷射光之照射。 控制部21b於基於如上述般規定之照射條件之雷射光照射完成時，對雷射光源16輸出停止輸出信號。雷射光源16於輸入停止輸出信號時，停止雷射光之輸出。因此，雷射光源16藉由控制部21b於輸入開始輸出信號至輸入停止輸出信號之間輸出雷射光。 藉由上述之雷射光之照射形成之標記只要為可藉由光檢測器15等確認者即可，可考慮各種形態。例如，作為標記，可列舉藉由雷射光之照射產生之空洞，改質而產生之非晶質、及藉由於金屬層ME吸收雷射光而產生之熱量而熔融之金屬層ME或基板SiE之一部分等。 控制部21b於確認於一個標記部位mp適當地形成標記之後，開始下一個標記部位mp之雷射標記之方式進行控制。例如，控制部21b於對一個標記部位mp之雷射標記(即，基於設定之雷射光之照射條件之雷射光照射)完成後，停止雷射光源16之輸出，自標記用光學系統13B切換為觀察用光學系統13A，開始光源12之輸出。藉此，光檢測器15拍攝自半導體器件D反射之來自光源12之光，並將上述之圖像資料(檢測信號)輸出至電腦21之解析部21c。解析部21c基於該圖像資料產生圖案圖像。此處，於標記部位mp未形成適當大小之標記之情形時(標記較小之情形)，於標記部位mp之反射光之強度變化較小，光學反射像之變化亦較小。因此，圖案圖像中之雷射標記之影響較少。另一方面，於標記部位mp形成適當大小之標記之情形時，光之折射率、透過率、吸收率及反射率之至少1個之變化變大。其結果，於標記部位mp之反射光之強度變化變大，於圖案圖像出現顯示形成於標記部位mp之標記之標記像。 解析部21c例如將雷射標記前獲取之圖案圖像(例如圖案圖像A3)與雷射標記後獲取之圖像圖像進行比較，判定圖像間之差異是否在預先決定之規定值以上。解析部21c於圖像間之差異為該規定值以上(或較規定值更大)時，判定為顯現標記像(即，形成適當大小之標記)。另一方面，解析部21c於圖像間之差異較該規定值小(或為規定值以下)時，判定為未顯現標記像(即，未形成適當大小之標記)。 於藉由解析部21c判定為顯現標記像之情形時，控制部21b記錄該標記部位mp中之雷射標記已完成。 且，控制部21b判定為預定之所有標記部位mp(於本實施形態中作為一例為4個部位)之雷射標記是否完成。於所有標記部位mp之雷射標記完成之情形時，控制部21b完成雷射標記之處理。另一方面，仍留有未標記之標記部位mp之情形時，控制部21b控制為開始下一個標記部位mp之雷射標記。 一方面，於藉由解析部21c判定為未顯現標記像之情形時，控制部21b控制為再次執行該標記部位mp之雷射標記。此時，控制部21b亦可根據由解析部21c檢測出之標記像之大小(即，圖像間之差異大小)，設定自雷射光源16輸出之雷射光之照射條件。即，控制部21b亦可對應於已形成之標記大小，算出用以形成預先決定大小之標記而追加之必要雷射光之照射量，並設定與該照射量對應之照射條件。 另，上述之解析部21c之判定亦可藉由使用者之手動操作而執行。例如，解析部21c亦可根據由使用者之輸入內容，判定標記像是否顯現。於該情形時，於顯示部22顯示圖案圖像。且，藉由目視確認到該圖案圖像之使用者，將於圖案圖像是否顯現標記像之資訊輸入至輸入部23。輸入部23向電腦21輸出標記像是否顯現之資訊。解析部21c基於標記像是否顯現之資訊，判定標記像是否顯現。 又，解析部21c於判定為標記像已顯現之情形時，比較參考圖像A5與雷射標記後獲取之圖案圖像。且，解析部21c於圖案圖像中標記形成部位自參考圖像A5中標記部位mp偏離之情形時，判定為產生標記形成偏離。於該情形時，亦可如以下般執行標記部位mp之修正控制。例如，解析部21c將關於標記形成偏離之資訊(偏離方向及偏離大小等)通知至控制部21b。且，控制部21b亦可基於該資訊，以於正確之標記部位mp形成標記之方式，藉由使XYZ載台移動，進行位置修正。 如以上般對所有之標記部位mp之雷射標記完成後，控制部21b使光源12、觀察用光學系統13A及光檢測器15動作。藉此，光檢測器15拍攝自半導體器件D反射之來自光源12之光，將圖像資料(檢測信號)輸出至電腦21之解析部21c。解析部21c基於該圖像資料，產生雷射標記完成後之圖案圖像(包含標記像之圖案圖像)。 如圖5所示，解析部21c藉由於包含標記像之圖案圖像重疊發光圖像，可產生可特定出標記像m及故障部位fp之標記圖像A6。此處，標記圖像A6係與低倍率之圖案圖像A3相同倍率產生之圖像。解析部21c藉由重合標記圖像A6與高倍率之圖案圖像A1，可獲取顯示以半導體器件D之特徵點P0為基準之各標記像m之相對位置的標記位置資訊。例如，解析部21c可如上所述基於藉由重合標記圖像A6與圖案圖像A1而產生之圖像，算出以特徵點P0之座標位置為原點位置之情形之各標記像m之座標位置。 另，如上所述，雷射標記係控制為於標記部位mp形成標記，標記像m之位置與標記部位mp之位置應該為一致。因此，於雷射標記之標記位置之精度較高之情形(標記像m之位置與標記部位mp之位置之誤差較小之情形)，解析部21c亦可基於藉由重合圖案圖像A1與參考圖像A5而產生之圖像，算出以特徵點P0之座標位置為原點位置之情形時之各標記部位mp之座標位置。 又，特徵點P0較佳為顯示不僅可自半導體器件D之背面側D1，還可自表面D2側特定之特徵圖案之部位。於該情形時，即使於自表面D2側對半導體器件D進行物理解析之情形時，亦可基於特徵點P0而容易特定標記像m及故障部位fp之位置。作為此種特徵點P0，例如可列舉記憶墊之角落部等。 解析部21c使如上述般算出之標記像m(或標記部位mp)之標記位置資訊記憶於電腦21所具備之記憶媒體。另，解析部21c亦可將標記位置資訊向可對於電腦21拆卸之記錄媒體(例如USB記憶體等)輸出，亦可經由有線或無線之通信網路向外部之電腦裝置輸出。又，解析部21c亦可向顯示部22輸出標記位置資訊。於該情形時，顯示部22亦可將標記位置資訊以表列顯示，亦可與標記圖像一起顯示。又，該等資訊亦可藉由印表機等外部機器等以紙質媒體輸出。 其次，參照圖6，對自特定出故障部位至輸出標記位置資訊之檢查裝置1之動作之一例進行說明。 首先，檢查裝置1藉由執行上述之故障部位特定處理而檢查半導體器件D，特定出半導體器件D之故障部位fp(步驟S1)。具體而言，檢查裝置1以觀察用光學系13A之視野位於想觀察之區域之方式，控制XYZ載台14。且，檢查裝置1以對物透鏡之焦點對準想觀察之區域之方式，控制XYZ載台14。若觀察用光學系統13A之視野位於想觀察之區域，則檢查裝置1藉由觀察用光學系統13A將自光源12輸出之光自半導體器件D之背面D1側向半導體器件D照射，獲取由光檢測器15產生之光學反射像。接著，檢查裝置1使用刺激裝置11，對半導體器件D施加刺激信號，藉由光檢測器15獲取發光像。接著，檢查裝置1將取得之光學反射圖像與發光圖像重疊，產生解析圖像A4(參照圖3之(a))，基於解析圖像A4特定出故障部位fp。 接著，對應於故障部位fp之位置設定標記部位mp，產生將顯示故障部位fp及標記部位mp之記號附加於解析圖像A4所得之參考圖像A5。且，電腦21之控制部21b移動XYZ載台14至與該標記部位mp對應之位置。藉此，載置於XYZ載台14之標記用光學系統13B移動至與標記部位mp對應之適當位置(步驟S2)。 接著，控制部21b於標記部位mp中，於基板SiE與金屬層ME之邊界形成標記之方式，自基板SiE側對半導體器件D照射透過基板SiE之波長之雷射光。具體而言，控制部21b基於如上述般預先設定之雷射光之照射條件，藉由控制雷射光源16之輸出，執行對標記部位mp之雷射光照射(步驟S3)。於步驟S3中，若基於上述之照射條件完成雷射光之照射，則控制部21b停止雷射光源16之輸出，自標記用光學系統13B切換為觀察用光學系統13A，開始光源12之輸出。藉此，光檢測器15拍攝自半導體器件D反射之來自光源12之光，將上述圖像資料(檢測信號)輸出至電腦21之解析部21c。解析部21c基於該圖像資料產生圖案圖像。 接著，解析部21c判定於圖案圖像上是否顯現標記像(步驟S4)。於判定為於圖案圖像上未顯現標記像之情形(步驟S4：否)時，再次執行步驟S3之處理。另一方面，於判定為於圖案圖像上顯現標記像之情形時(步驟S4：是)，控制部21b判定是否留有未進行雷射標記之標記部位mp(步驟S5)。於判定為留有未進行雷射標記之標記部位mp之情形時(步驟S5：是)，對剩下之標記部位mp執行步驟S2之處理。另一方面，於判定為未留有未進行雷射標記之標記部位mp之情形時(即，已完成對所有標記部位mp之雷射標記之情形時(步驟S5：否)，完成雷射標記之處理。 接著，解析部21c記錄標記位置資訊(步驟S6)。具體而言，解析部21c產生雷射標記完成後之圖案圖像(包含標記像之圖案圖像)即標記圖像A6(參照圖5)。又，解析部21c基於藉由重合標記圖像A6與圖案圖像A1而產生之圖像(參照圖5)，算出以特徵點P0之座標位置為原點位置之情形時之各標記像m之座標位置。藉此，獲得顯示以各標記像m之特徵點P0為基準之相對位置之資訊作為特定出標記位置之標記位置資訊。解析部21c使如此獲得之標記位置資訊記憶於電腦21所具備之記憶媒體。 接著，解析部21c輸出標記位置資訊(步驟S7)。具體而言，解析部21c如上所述，可向USB記憶體等可攜帶之記錄媒體輸出標記位置資訊亦又可向外部之電腦裝置(例如，進行半導體器件D之物理解析之解析裝置)輸出。 其次，參照圖7及圖8，對半導體器件D之構造例與各例中之標記M之形成部位進行說明。圖7之(a)係顯示邏輯器件即半導體器件100之概略剖面，圖7之(b)係顯示記憶體器件即半導體器件200之概略剖面，圖8之(a)係顯示功率器件即半導體器件300之概略剖面。任一半導體器件100、200、300均係於金屬層ME與基板SiE之邊界，具有電晶體層T。電晶體層T於金屬層ME與基板SiE之邊界，包含至少嵌入金屬層ME及基板SiE之一者之電路元件(例如閘極元件等)。又，金屬層ME於較電晶體層T更靠近表面D2側，具有設置有與電晶體層T電性連接之配線W之配線層。如圖7及圖8所示，標記M藉由上述之雷射標記，形成於主要位於基板SiE與該配線層之邊界之電晶體層T上。 此處，如圖8及圖9所示，於雷射標記後之物理解析中，亦可使基板SiE薄型化，並自薄型化之基板SiE側(背面D1側)觀察半導體器件D。此處，圖9係顯示使如圖8所示之半導體器件300之基板SiE薄型化後之狀態之圖。如上所述，於基板SiE與金屬層ME之邊界即電晶體層T形成標記M。因此，藉由自背面D1側切削基板SiE使之薄型化，而可使用電子束(EB：electronbeam)等，容易地自背面D1側確認標記M(參照圖9之(b))。藉此，可基於標記之位置正確地進行物理解析。另，於該例中，薄型化前之基板SiE之厚度d1為100μm～700μm左右，薄型化後之基板SiE之厚度d2為10μm左右。又，薄型化至基板SiE之厚度d2成為1μm左右之情形時，有以可見光亦可確認標記M之可能性。 圖10係顯示利用由檢查裝置1執行之檢查方法，於快閃記憶體(記憶體器件)之情形之半導體器件之基板與金屬層之間形成之標記M之SEM像之一例。圖10之(a)係藉由以掃描型電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)拍攝包含該半導體器件中之標記M之剖面部分而獲得之低倍率(倍率：30000)之圖像。圖10之(b)係藉由以SEM拍攝包含該半導體器件中之標記M之剖面部分而獲得之高倍率(倍率：60000)之圖像。 其次，針對檢查裝置1及藉由檢查裝置1執行之檢查方法之作用效果進行說明。 檢查裝置1及上述檢查方法中，基於半導體器件D中特定出之故障部位fp(特定位置)，以至少於基板SiE與金屬層ME之邊界形成標記之方式，自基板側SiE對半導體器件D照射透過基板SiE之波長之雷射光。如此，藉由於基板SiE與金屬層ME之邊界形成標記，可自表面D2側(金屬層ME側)及背面側D1側(基板SiE側)之任一側均容易確認之位置形成標記。藉此，於半導體器件D之基板SiE側進行雷射標記之情形時，於物理解析時自表面D2側及背面D1側之任一側均可容易確認標記位置。 又，控制部21b以標記不貫通金屬層ME之方式，控制雷射光源16之輸出。藉此，可將標記留在半導體器件D之內部。其結果，可防止因標記形成時可能產生之半導體器件之碎片(debris)而污染半導體器件D之表面D2。又控制部21b亦可控制雷射光源之輸出以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者作為標記。藉此，可適當地形成標記。 又，檢查裝置1具備基於檢測信號，獲取包含顯示標記之標記像m之半導體器件D之圖案圖像(例如，上述之標記圖像A6)之解析部21c。藉此，可獲取可與半導體器件D之圖案(例如配線圖案)一起於視覺上掌握標記位置之圖案圖像。藉由如此之圖案圖像，於物理解析中可容易地掌握標記位置。 解析部21c亦可基於上述圖案圖像，獲取特定出標記位置之標記位置資訊，並輸出該標記位置資訊。藉此，於物理解析中可向外部裝置等輸出用於特定標記位置之標記位置資訊。因此，即使於例如進行標記之檢查裝置1與進行物理解析之解析裝置配置於不同地點之情形時，亦可適當地交接用於對該解析裝置進行物理解析必要之標記位置資訊。 解析部21c亦可獲取顯示以半導體器件D之特徵點P0為基準之標記之相對位置之資訊作為標記位置資訊。如此，藉由將對於半導體器件D之特徵點P0(例如配線圖案之溝部等)之位置之標記相對位置作為標記位置資訊而使用，可正確地掌握標記之位置。 以上，雖對本發明之一實施形態進行說明，但本發明係並非限定於上述實施形態者。例如，於上述實施形態中，雖藉由檢查半導體器件D而於經特定之半導體器件D之故障部位fp形成標記，但形成標記之位置並未限定於故障部位fp。即，檢查裝置1係以對於半導體器件D之特定位置，至少於基板SiE與金屬層ME之邊界處形成標記之方式，自基板SiE側對半導體器件D照射透過基板SiE之波長之雷射光。根據如此之構成，可實現於具有基板SiE及形成於基板SiE上之金屬層ME之半導體器件D進行雷射標記之標記形成方法。又，於檢查裝置1中，亦可採用以下所述之變化例1～變化例4之構成。 [變化例1] 檢查裝置1，亦可具備紅外線相機替代上述之2維相機作為光檢測器15。於該情形時，檢查裝置1亦可不具備光源12。又，由於不具備光源12，故觀察用光學系統13A亦可不具備光束分離器。紅外線相機拍攝來自半導體器件D之熱線，產生測定圖像。藉由與該測定圖像對應之紅外線圖像，可特定出半導體器件D之發熱部位。藉由特定出發熱部位，可特定出半導體器件D之故障部位。於測量熱線之情形時，可使用InSb相機作為紅外線相機。另，熱線係波長2μm～10μm之光。又，藉由拍攝來自半導體器件D之熱線，可獲取顯示半導體器件D之輻射率分佈之圖像。 於變形例1中，電腦21之解析部21c係基於上述測定圖像產生紅外線圖像。解析部21c基於檢測信號產生圖案像。且，解析部21c產生使紅外線圖像重疊於圖案像後之重疊圖像作為解析圖像。關於自解析圖像特定出故障部位之處理，係與上述之實施形態同樣。 針對藉由紅外線相機測量來自半導體器件D之熱線，並於解析部21c中產生紅外線圖像之步驟之細節進行說明。首先，於藉由刺激裝置11而施加測試圖案等之刺激信號之狀態下，藉由紅外線相機獲取包含半導體器件D之發熱之第1測定圖像。該第1測定圖像係藉由將於特定之曝光時間連續地拍攝之複數張圖像資料發送至電腦21，並於解析部21c中相加該複數張圖像資料而產生。第1測定圖像兼具有半導體器件D之發熱與形成半導體器件D之元件之形狀之資訊。其次，於停止刺激裝置11之刺激信號施加之狀態下，可藉由紅外線相機獲取僅包含形成半導體器件D之元件形狀之資訊之第2測定圖像。第2測定圖像亦與第1測定圖像同樣，係藉由將於特定之曝光時間連續地拍攝之複數張圖像資料發送至電腦21，並於解析部21c中相加該複數張圖像資料而產生。第2測定圖像僅具有形成半導體器件D之元件之形狀資訊。且，於解析部21c中藉由自第1測定圖像減去第2測定圖像之處理，而產生僅包含半導體器件D之發熱之紅外線圖像。解析部21c係生成使紅外圖像重疊於第2測定圖像後之重疊圖像或第1測定圖像作為解析圖像，生成第2測定圖像作為圖案圖像。關於自解析圖像特定出故障部位之處理，係與上述之實施形態同樣。 於雷射標記後確認標記像之有無之處理中，觀察用光學系統13A將來自半導體器件D之熱線傳達至紅外線相機。紅外線相機檢測熱線，並將圖像資料(檢測信號)輸出至電腦21。且，解析部21c如上所述，基於該圖像資料產生圖案圖像。另，關於產生圖案圖像後之處理，亦與上述實施形態相同。 [變化例2] 檢查裝置1亦可具備電性連接於半導體器件D並對半導體器件D施加電壓之電源作為刺激裝置11。又，自光源12輸出之光亦可為如雷射光之同調光。作為輸出同調光之光源12，可使用固體雷射光源或半導體雷射光源等。於獲取OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change：光束感應阻抗值變化)圖像及SDL(Soft Defect Localization:軟缺陷定位)圖像等之情形之光源12輸出不使半導體器件D產生電荷(載子)之波長帶之雷射光。例如，基板SiE以矽為材料之情形之光源12輸出大於1200nm，較佳1300nm左右之波長帶之雷射光。又，獲取OBIC圖像及LADA(Laser Assisted Device Alteration：雷射輔助裝置改變)圖像等之情形之光源12由於必須輸出使半導體器件D產生電荷(載子)之波長域之光，故輸出1200nm以下之光(例如1064nm左右之波長帶之雷射光)。自光源12輸出之光亦可為非同調性(incoherent)之光。作為輸出非同調性之光之光源12，可使用SLD(Super Luminescent Diode：超冷光二極體)、ASE(Amplified Spontaneous Emission：放大自發發射)、及LED(Light Emitting Diode)等。自光源12輸出之光經由偏光保存單模光耦合器、及探測光用之偏光保存單模光纖維而導向觀察用光學系統13A，並照射至半導體器件D。於變化例2中，觀察用光學系統13A具有光掃描部及對物透鏡。光掃描部掃描半導體器件D之背面D1上之照射點。光掃描部例如由電流計反射鏡、多面鏡及MEMS鏡面等之光掃描元件構成。對物透鏡將由光掃描部引導之光聚光於照射點。 於變化例2中，檢查裝置1亦可具備電性連接於半導體器件D之電性信號檢測器。電性信號檢測器檢測與雷射光對應而於半導體器件D產生之電性信號。電性信號檢測器向電腦21輸出與檢測出之電性信號對應之電性信號特性值。又，於變化例2中，光檢測器15亦可由光感測器構成。光感測器檢測與雷射光對應之半導體器件D之反射光，並將檢測信號向電腦21輸出。光感測器例如可列舉光電二極體、雪崩光電二極體、光電子倍增管、或區域影像感測器等。 電腦21之解析部21c產生使電性信號特性值與控制部21b所控制之光掃描部對應之雷射光之掃描位置建立關聯而圖像化之電性信號圖像。又，解析部21c基於檢測信號產生光學反射像。且，解析部21c產生使電性信號圖像重疊於光學反射像後之重疊圖像作為解析圖像。關於自解析圖像特定出故障部位之處理，係與上述之實施形態同樣。 電性信號圖像係例如光起電流圖像即OBIC圖像、電量變化圖像即OBIRCH圖像、正誤資訊圖像即SDL圖像、及LADA圖像等。OBIC圖像係檢測由雷射照射產生之光起電流，且使光起電流之電流值或電流變化值作為電性信號特性值而圖像化之圖像。OBIRCH圖像係藉由以對半導體器件D施加一定電流之狀態照射雷射，使半導體器件D之照射位置之電阻值變化，且使與該電阻值之變化對應之電壓值或電壓之變化值作為電性信號特性值而圖像化之圖像。另，OBIRCH圖像亦可為藉由以對半導體器件D施加一定電壓之狀態照射雷射，使半導體器件D之照射位置之電阻值變化，且使與該電阻值之變化對應之電流之變化值作為電性信號特性值而圖像化之圖像。SDL圖像係以對半導體器件D施加測試圖案等之刺激信號之狀態照射不激發載子之波長之雷射並檢測誤動作狀態，且將該誤動作狀態之資訊(例如合格/失效信號)作為電性信號特性值而變換為亮度計數，並資訊圖像化之圖像。LADA圖像係以對半導體器件D施加測試圖案等之刺激信號之狀態照射如會激發載子之波長之雷射並檢測誤動作狀態，且將該誤動作狀態之資訊(例如合格/失效信號)作為電性信號特性值而變換為亮度計數，並資訊圖像化之圖像。 於雷射標記後確認標記像有無之處理中，光源12輸出照射於半導體器件D之背面D1側之光。且，觀察用光學系統13A將自光源12輸出之光照射於半導體器件D之背面D1。觀察用光學系統13A將與照射之光對應之來自半導體器件D之反射光傳達至光感測器即光檢測器15。光感測器檢測出反射光並將檢測信號輸出至電腦21。且，解析部21c基於檢測信號產生光學反射像即圖案圖像。關於產生圖案圖像後之處理，與上述之實施形態同樣。 [變化例3] 檢查裝置1亦可藉由稱為EOP或EOFM(Electro-Optical Frequency Mapping：電光頻率映射)之光探測技術特定故障位置。 於變化例3中，對半導體器件D掃描來自光源12之光，來自半導體器件D之反射光由光感測器即光檢測器15檢測。該反射光被輸出至電腦21，並藉由解析部21c產生光學反射像。其次，於自刺激裝置11對半導體器件D重複施加測試圖案等之刺激信號之狀態下，使用者基於顯示於顯示部22之光學反射像予以選擇，對藉由輸入部23輸入之照射點，照射自光源12輸出之光。自光源12輸出之光之波長例如為530nm以上，較佳為1064nm以上。接著，伴隨半導體器件D內之元件之動作而調變之反射光於光感測器中被檢測出，且作為檢測信號而輸出至電腦21。於解析部21c中，基於檢測信號產生信號波形，並於顯示部22顯示該信號波形。且，藉由基於上述之光學反射像，變化照射點且自觀察到之該信號波形尋找故障部位，可使用上述之光學反射像作為解析圖像而使用。 又，解析部21c亦可產生將檢測信號與測試圖案等刺激信號之相位差資訊與照射位置建立關聯且圖像化之電性光學頻率映射圖像(EOFM圖像)。於該情形時，相位差資訊可自檢測信號擷取之AC成分求得。又，藉由使與AC成分同時擷取之DC成分與照射位置建立關聯而圖像化，可獲得光學反射像。且，可將使EOFM圖像重疊於光學反射像之重疊圖像作為解析圖像而使用。 [變化例4] 檢查裝置1亦可藉由光磁性探測技術特定出故障位置。於該情形時，檢查裝置1具備磁性光學結晶(MO結晶)。又，觀察用光學系統13A具備光分割光學系統。磁性光學結晶成為可對半導體器件D任意配置之構成。首先，於檢查裝置1中，藉由切換為於對物透鏡及半導體器件D之間不配置磁性光學結晶之構成，可如變化例2及變化例3般產生光學反射像。接著，切換為於對物透鏡及半導體器件D之間配置磁性光學結晶之構成，並使磁性光學結晶抵接於施加有測試圖案等刺激信號之半導體器件D。且，來自光源12之光經由光分割光學系統及光掃描部照射於磁性光學結晶，且其反射光被光感測器即光檢測器15檢測出。於半導體器件D中，於因施加測試圖案等刺激信號而流動電流時，周圍之磁場產生變化，於磁性光學結晶被反射之光之偏光狀態亦產生變化。根據偏光狀態之變化而強度變化之光，經由光分割光學系統而輸入至光感測器。如此，根據偏光狀態之變化而強度變化之光藉由光感測器被檢測出，且作為檢測信號而輸入至電腦21，而產生磁性光學圖像。且，亦可將使磁性光學圖像重疊於光學反射像之重疊圖像作為解析圖像而使用。

1:檢查裝置 11:刺激裝置 12:光源 13:光學系統 13A:觀察用光學系統 13B:標記用光學系統 14:XYZ載台 15:光檢測器 16:雷射光源 21:電腦 21a:條件設定部 21b:控制部 21c:解析部 22:顯示部 23:輸入部 40:樣品載台 100(D):半導體器件 200(D):半導體器件 300(D):半導體器件 A1~A3:圖案圖像 A4:解析圖像 A5:參考圖像 A6:標記圖像 d1:薄型化前之基板SiE之厚度 d2:薄型化後之基板SiE之厚度 D:半導體器件 D1:背面側 D2:表面 fp:故障部位 m:標記像 M:標記 ME:金屬層 mp:標記部位 PO:特徵點 S1~S7:步驟 SiE:基板 T:電晶體層 W:配線

圖1係本發明之一實施形態之檢查裝置之構成圖。 圖2之(a)係顯示低倍率之圖案圖像、(b)係顯示中倍率之圖案圖像、及(c)係顯示高倍率之圖案圖像之一例之圖。 圖3之(a)係顯示解析圖像及(b)係顯示參考圖像之一例之圖。 圖4係經雷射標記之半導體器件之概略剖視圖。 圖5係用以說明由檢查裝置產生之標記位置資訊之圖。 圖6係顯示檢查裝置之動作之一例之流程圖。 圖7係顯示半導體器件之構成例之圖，(a)係顯示邏輯器件之概略剖面，(b)係顯示記憶器件之概略剖面。 圖8係顯示半導體器件之例之圖，(a)係顯示功率器件之概略剖面，(b)係顯示功率器件之底面。 圖9係顯示使圖8之功率器件之基板薄型化後之狀態之圖，(a)係顯示功率器件之概略剖面，(b)係顯示功率器件之底面。 圖10係以SEM拍攝半導體器件之包含標記之剖面部分而獲得之(a)低倍率圖像及(b)高倍率圖像之一例之圖。

11:刺激裝置

12:光源

13:光學系統

13A:觀察用光學系統

13B:標記用光學系統

14:XYZ載台

15:光檢測器

16:雷射光源

21:電腦

21a:條件設定部

21b:控制部

21c:解析部

22:顯示部

23:輸入部

40:樣品載台

D:半導體器件

D1:背面側

D2:表面

Claims (14)

1. 一種檢查方法，其係對具有基板及形成於上述基板上之金屬層之半導體器件，進行雷射標記之檢查方法；且包含以下步驟：藉由檢查半導體器件，特定出半導體器件中之故障部位之步驟；於上述故障部位之周圍，以至少於上述基板與上述金屬層之邊界形成不貫通上述金屬層之複數之標記之方式，自上述基板側對上述半導體器件照射透過上述基板之波長之雷射光之步驟；拍攝自上述半導體器件反射且透過上述基板之波長之光之步驟；及確認形成有上述標記之步驟。
2. 如請求項1之檢查方法，其中於照射上述雷射光之步驟中，以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者來作為上述標記之方式，控制上述雷射光之照射。
3. 如請求項1或2之檢查方法，其中進而包含獲取上述半導體器件之圖案圖像之步驟，該圖案圖像包含顯示上述標記之標記像。
4. 如請求項1或2之檢查方法，其中照射上述雷射光之步驟以於設定在上述故障部位之周圍的標記部位進行雷射標記之方式，一面使照射上述雷射光之標記用光學系統相對於上述半導體器件之位置移動，一面對上述半導體器件照射上述雷射光。
5. 如請求項1或2之檢查方法，其中照射上述雷射光之步驟藉由控制光掃描部之動作而控制上述雷射光之照射位置。
6. 如請求項1或2之檢查方法，其中照射上述雷射光之步驟於以上述故障部位為中心之十字狀的4個部位進行雷射標記之方式，對上述半導體器件照射上述雷射光。
7. 一種檢查裝置，其係對具有基板及形成於基板上之金屬層之半導體器件，進行雷射標記之檢查裝置，且包含：觀察用光學系統，其傳達來自上述半導體器件之上述基板側之光；光檢測器，其檢測經由上述觀察用光學系統之來自半導體器件之光，並輸出檢測信號；雷射光源，其輸出透過上述基板之波長之雷射光；標記用光學系統，其自上述基板側對上述半導體器件照射由上述雷射光源輸出之上述雷射光；標記控制部，其於根據上述檢測信號而特定之故障部位之周圍，以至少於上述基板與上述金屬層之邊界形成不貫通上述金屬層之複數之標記之方式，控制上述雷射光源之輸出；及顯示部，其顯示用於確認形成有上述標記之上述半導體器件之圖像。
8. 如請求項7之檢查裝置，其中上述標記控制部係以產生空洞、改質、及熔融中之至少1者來作為上述標記之方式，控制上述雷射光源之輸出。
9. 如請求項7或8之檢查裝置，其中進而包含基於上述檢測信號，獲取包含顯示上述標記之標記像之上述半導體器件之圖案圖像之處理部。
10. 如請求項7或8之檢查裝置，其中上述標記控制部以於設定在上述故障部位之周圍的標記部位進行雷射標記之方式，一面使相對於載置上述半導體器件之載台之上述標記用光學系統之位置移動，一面對上述半導體器件照射上述雷射光。
11. 如請求項7或8之檢查裝置，其中上述標記控制部藉由控制光掃描部之動作而控制上述雷射光之照射位置。
12. 如請求項7或8之檢查裝置，其中上述標記控制部於以上述故障部位為中心之十字狀的4個部位進行雷射標記之方式，對上述半導體器件照射上述雷射光。
13. 一種標記形成方法，其係於具有基板及形成於上述基板上之金屬層之半導體器件，進行雷射標記之標記形成方法；且 包含以下步驟：於上述半導體器件之故障部位之周圍，以至少於基板與金屬層之邊界處形成不貫通上述金屬層之複數之標記之方式，自上述基板側對上述半導體器件照射透過上述基板之波長之雷射光。
14. 如請求項13之標記形成方法，其中於照射上述雷射光之步驟中，產生空洞、改質、及熔融中之至少1者來作為上述標記之方式，控制上述雷射光之照射。

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