TWI899415B - 香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料 - Google Patents
香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料Info
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Abstract
一種香莢蘭果莢低溫發酵方法包含：將一香莢蘭果莢進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢；將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢；及將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢。
Description
本發明係關於一種香莢蘭果莢〔Vanilla seed pod〕低溫發酵〔low-temperature fermentation〕方法及其材料；特別是關於一種香莢蘭果莢〔豆莢〕低溫〔例如：室溫，room temperature〕發酵方法及其材料。
有關習用香莢蘭籽發酵乳、其配方及其製備處理方法，例如：中國專利公開第CN-102626142號〝香草籽發酵乳、其配方、製備方法及其半定量分析方法〞之發明專利申請案，其揭示一種香草籽發酵乳、其原料配方及其製備方法。
承上，前述專利公開第CN-102626142號之該香草籽發酵乳之製備方法包含步驟1：將發酵乳與粘度為不高於10cm/〔20℃，60秒〕的香草籽果醬混勻灌裝；在灌裝工序中，果醬計量添加時，採用法國PCM公司的型號為DACC48/100-23的柱塞泵。
承上，前述專利公開第CN-102626142號之該香草籽發酵乳之製備方法於步驟1另包含：發酵乳為通過常規製備發酵乳的方法制得的發酵乳，且香草籽發酵乳的原料配方包含原料乳、乳蛋白粉、乳脂產品、甜味物質、增稠劑、發酵菌及粘度為不高於10cm/〔20℃，60秒〕的香草籽果醬。
承上，前述專利公開第CN-102626142號之該
香草籽發酵乳之製備方法包含步驟2：以香草籽發酵乳中果醬添加量的半定量分析方法，對香草籽發酵乳中的果醬添加量進行半定量分析，選取達到目標添加量的香草籽發酵乳。
然而，前述專利公開第CN-102626142號僅單純揭示該香草籽發酵乳及其製備方法與其添加香草籽果醬之香草籽應用技術而已，其顯然並未進一步揭示如何以適當技術手段進行香莢蘭果莢低溫發酵材料、其處理方法或其相關技術概念。
另一習用含黑香莢蘭煙草薄片及其製備處理方法，例如：中國專利公開第CN-103445286號〝一種含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法〞之發明專利申請案，其揭示一種含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法，其應用於煙草製程。
承上，前述專利公開第CN-103445286號之該含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法包含步驟1：將黑香莢蘭除去部分油分後，再將已去部分油的黑香莢蘭在72℃至78℃下進行烘乾，以便獲得已乾燥黑香莢蘭，且將黑香莢蘭置於乙醚中除去部分油份。
承上，前述專利公開第CN-103445286號之該含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法包含步驟2：先將香蘭素和乙基香蘭素配置成在丙二醇中品質百分數分別為75%及25%的溶液並進行混合獲得混合溶液，然後將品質為黑香莢蘭濕重1%至3%的該混合溶液均勻噴灑在已乾燥香莢蘭之表面上，再在28℃至32℃下進行烘乾，並將已烘乾香莢蘭進行粉碎及過篩，以便獲得已處理黑香莢蘭粉末。
承上，前述專利公開第CN-103445286號之該含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法包含步驟3：將該已處理黑香莢蘭粉末按照塗布液總重量的0.5%至3%加入塗布
液中，以便製備獲得含有黑香莢蘭煙草薄片，且塗布液選自煙末、煙梗、烤煙發酵後的煙葉萃取混合濃縮液。
然而，前述專利公開第CN-103445286號同樣僅單純揭示該含有黑香莢蘭煙草薄片的製備方法及其煙草製備方法之技術而已，其顯然並未進一步揭示如何以適當技術手段進行香莢蘭果莢低溫發酵材料、其處理方法或其相關技術概念。
另一習用香草蘭豆莢的發酵處理方法，例如：中國專利公開第CN-104630288號〝一種香草蘭豆莢的發酵方法〞之發明專利申請案，其揭示一種香草蘭豆莢的發酵方法，其可用於香草蘭鮮莢之發酵作業。
承上，前述專利公開第CN-104630288號之該香草蘭豆莢的發酵方法包含步驟1：將香草蘭鮮莢進行清洗作業，以獲得已清洗香草蘭鮮莢，並將已清洗香草蘭鮮莢依序進行殺菁作業、發汗作業及乾燥作業，以獲得已乾燥香草蘭鮮莢，且其殺菁作業為將已清洗香草蘭鮮莢置於70±3℃水浴中進行殺菁3至5分鐘，以獲得已殺菁香草蘭鮮莢，且其發汗作業為將已殺菁香草蘭鮮莢置於50℃烘箱中進行發汗5天。
承上，前述專利公開第CN-104630288號之該香草蘭豆莢的發酵方法包含步驟2：將已乾燥香草蘭鮮莢之表面進行消毒作業，然後向其表面均勻噴灑保藏編號為CGMCC No.8629的菌懸液，然後以真空密閉方式進行陳化作業，以獲得已陳化香草蘭成品豆莢。
然而，前述專利公開第CN-104630288號同樣僅單純揭示該香草蘭豆莢的發酵方法、其陳化香草蘭成品及其採用菌懸液之技術而已，其顯然並未進一步揭示如何以適當技術手段進行香莢蘭果莢低溫發酵材料、其處理方法或其相關技術概念。
另一習用香草蘭豆處理方法，例如：美國專利公開第US-2011/0081448號〝PROCESS FOR TREATING VANILLA BEANS〞之發明專利申請案，其揭示一種香莢蘭豆處理製程方法，且其應用於香莢蘭豆之殺菁、粉碎及發酵處理作業。
承上，前述專利公開第US-2011/0081448號之該香莢蘭豆處理製程包含：步驟1、將一香草蘭豆進行殺菁〔blanching〕作業，以獲得一已殺菁香草蘭豆；步驟2、將已殺菁香草蘭豆選擇性進行降溫冷卻〔cooling〕作業，以獲得一已冷卻殺菁香草蘭豆；步驟3、將已冷卻殺菁香草蘭豆進行粉碎〔comminuting〕作業，以獲得一香草蘭豆碎塊。
承上，前述專利公開第US-2011/0081448號之該香莢蘭豆處理製程包含：步驟4、將香草蘭豆碎塊進行發酵培養〔incubating〕作業，以獲得一已發酵培養香草蘭豆碎塊，且其發酵培養作業條件為以厭氧〔anaerobic〕處理，以增益其醣苷〔enzymatic glucoside〕進行水解〔hydrolysis〕。
承上，前述專利公開第US-2011/0081448號之該香莢蘭豆處理製程包含：步驟5、將已發酵培養香草蘭豆碎塊進行乾燥〔drying〕作業，以獲得一已乾燥發酵培養香草蘭豆碎塊。
然而，前述專利公開第US-2011/0081448號同樣僅單純揭示該香莢蘭豆處理製程及其採用發酵培養作業之技術而已，其顯然並未進一步揭示如何以適當技術手段進行香莢蘭果莢低溫發酵材料、其處理方法或其相關技術概念。
顯然，前述中國專利公開第CN-102626142號之香草籽發酵乳之製備方法、第CN-103445286號之含有
黑香莢蘭煙草薄片的製備方法、第CN-104630288號之香草蘭豆莢的發酵方法及美國專利公開第US-2011/0081448號之香草蘭豆處理方法仍存在進一步提供以適當技術手段進行香莢蘭果莢低溫發酵材料及其處理方法之潛在需求，以便提供降低製造成本、減少製程耗能、簡化整體製程及工業化生產標準製程之功效。
簡言之，前述中國專利公開第CN-102626142號、第CN-103445286號、第CN-104630288號及美國專利公開第US-2011/0081448號之發明專利申請案之揭露相關技術僅為本發明技術背景之參考及說明目前技術發展狀態而已，其並非用以限制本發明之範圍。
有鑑於此，本發明為了滿足上述技術問題及需求，其提供一種香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料，其將一香莢蘭果莢進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢，並將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢，且將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢，因此相對於習用香莢蘭果莢發酵方法可達成提供降低製造成本、減少製程耗能、簡化整體製程及工業化生產標準製程之目的。
本發明之主要目的係提供一種香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料，其將一香莢蘭果莢進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢，並將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢，且將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢，以便達成提供降低製造成本、減少製程耗能、簡化整體製程及工業化生產標準製程之目的及功效。
為了達成上述目的，本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含：
將一香莢蘭果莢進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢；
將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢；及
將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢。
本發明較佳實施例之該高溫殺菁作業選擇進行於一高溫蒸汽單元或一保溫容器單元。
本發明較佳實施例之該低溫脫水作業、低溫發酵作業或殺菌作業之一選擇進行於一冷藏乾燥箱單元。
本發明較佳實施例之該低溫脫水作業、低溫發酵作業及殺菌作業之一系列選擇進行於一冷藏乾燥箱單元。
本發明較佳實施例之該高溫烘乾作業選擇進行於一烘烤箱單元。
為了達成上述目的，本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料包含：
一已乾燥發酵香莢蘭果莢，其由一香莢蘭果莢製成，且該已乾燥發酵香莢蘭果莢包含一香草醛；
其中將該香莢蘭果莢進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢，並將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢，且將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一高溫烘乾作業，以獲得該已乾燥發酵香莢蘭果莢。
本發明較佳實施例之該已殺菁香莢蘭果莢於
一預定溫度進行低溫脫水，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
本發明較佳實施例之該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度以一太陽光燈具催化單元進行低溫發酵催化，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
本發明較佳實施例之該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度以一紫外光源殺菌單元進行低溫殺菌，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
本發明較佳實施例之該已脫水發酵香莢蘭果莢於一預定溫度進行高溫烘乾，且該預定溫度包含30℃至100℃之間。
1:未成熟香莢蘭果莢
10:已成熟香莢蘭果莢
10a:已脫水香莢蘭果莢
11:已脫水發酵香莢蘭果莢
12:已乾燥發酵香莢蘭果莢
2:烘烤箱單元
20:冷藏乾燥箱單元
21:冷藏催化箱單元
200:計算機單元
第1圖：本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料之方塊示意圖。
第2圖：本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法之流程示意圖。
第3圖：本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料之方塊示意圖。
第4圖：本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵
方法之流程示意圖。
第5圖：市售香莢蘭果莢發酵材料之香草醛含量之氣相層析質譜圖之示意圖。
第6圖：本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法所獲得香莢蘭果莢低溫發酵材料之香草醛含量之示意圖。
為了充分瞭解本發明，於下文將舉例較佳實施例並配合所附圖式作詳細說明，且其並非用以限定本發明。
本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料適用於各種香莢蘭品種之低溫發酵方法及其系統，且本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法及其系統可選擇結合應用執行於各種自動化低溫發酵設備、各種半自動化低溫發酵設備或各種非自動化低溫發酵設備，但其並非用以限制本發明之應用範圍。
本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料適合應用於各種食品工業〔例如：冰淇淋、蛋糕、餅乾、巧克力、糖果、咖啡、茶葉、可樂、酒品等之調味料〕、各種化妝品工業〔例如：添加高級香料、高級精華液或高級香精〕或其它相關產品工業，但其並非用以限制本發明之應用範圍。
本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料適合採用各種區域品種，例如：熱帶、亞熱帶美洲及加勒比海區域品種、非洲區域品種、馬達加斯加島區域品種、印度半島區域品種或東南亞區域品種，但其並非用以限制本發明之應用範圍。
第1圖揭示本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料之方塊示意圖。請參照第1圖所示，舉例而言，本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料
選擇採用一已成熟香莢蘭果莢10，且該已成熟香莢蘭果莢10適當獲得自一未成熟香莢蘭果莢1〔例如：波本種〔vanilla planifolia〕的香莢蘭栽培品種〕。
請再參照第1圖所示，舉例而言，本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料選擇採用一低溫發酵系統，且該低溫發酵系統可選擇包含一冷藏乾燥箱單元20、一低溫乾燥箱單元〔未標示〕或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置，且該低溫發酵系統可選擇連接至少一計算機單元200或具類似計算機功能之裝置，以達成提供工業化生產標準製程之目的。
請再參照第1圖所示，舉例而言，該計算機單元200或具類似計算機功能之裝置可選自一工作站電腦〔workstation computer〕、一桌上型電腦〔desktop computer〕、一筆記型電腦〔notebook或laptop computer〕、一平板電腦〔tablet personal computer〕、一行動通訊裝置〔mobile communication device〕、一智慧型手機〔smart phone〕或其它具計算機功能之裝置，但其並非用以限定本發明之範圍。
第2圖揭示本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法之流程示意圖，其對應於第1圖所示之香莢蘭果莢低溫發酵材料。請參照第1及2圖所示，本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S1：首先，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方式或手動方式〕適當將該已成熟香莢蘭果莢10進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該高溫殺菁作業選擇進行於一高溫蒸汽單元、一保溫容器單元或或具類似高溫蒸汽或保溫功能之裝置，且該高溫殺菁作業於一預定溫度進行高溫殺菁，且該預定溫度包含40℃至
100℃、95℃至100℃或其間任意溫度範圍。
請再參照第1及2圖所示，本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S2：接著，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方式或手動方式〕將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢11。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該低溫脫水作業、低溫發酵作業或殺菌作業之任一階段作業選擇進行於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置，以達成提供降低製造成本、減少製程耗能、簡化整體製程及減少使用人力之目的。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，本發明另一較佳實施例之該低溫脫水作業、低溫發酵作業及殺菌作業之一系列全部作業選擇進行於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置，且並將該已脫水發酵香莢蘭果莢完整一次作業於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置內，以達成提供降低製造成本、減少製程耗能、簡化整體製程及減少使用人力之目的。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，本發明另一較佳實施例之該低溫脫水作業、低溫發酵作業及殺菌作業之一系列全部作業選擇進行於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置，可簡化整體流程、可減少將香莢蘭果莢材料搬動〔搬進及搬出〕次數及可避免在高溫、戶外日曬及冷卻作業條件下一直進行變換作業，且香莢蘭果莢材料避免戶外日曬及冷卻作業可減少外在環境產生沙塵或昆蟲〔屍體〕之污染。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該已殺
菁香莢蘭果莢於一預定溫度進行低溫脫水〔逐漸緩慢脫水〕，以避免產生黴菌或雜菌，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度以一太陽光燈具或具類似殺菌功能之裝置進行低溫發酵催化一預定時間〔例如：7天或其它催化天數〕，而該太陽光燈具配置於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，倘若將該預定溫度限制於15℃至25℃之間時，在整體製程上可抑制香莢蘭果莢材料之微生物或雜菌生長及其污染，以提升香莢蘭果莢低溫發酵產品之品質。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該已殺菁香莢蘭果莢之黴菌或其它雜菌於一預定溫度以一紫外光源殺菌單元進行低溫殺菌，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
請再參照第1及2圖所示，本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S3：接著，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方
式或手動方式〕將該已脫水發酵香莢蘭果莢11進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢12。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該已乾燥發酵香莢蘭果莢12由一香莢蘭果莢經本發明第一較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法製成，且該已乾燥發酵香莢蘭果莢12富含一香草醛及其它有效成分。
請再參照第1及2圖所示，舉例而言，該高溫烘乾作業選擇進行於一烘烤箱單元2或具類似烘烤功能之裝置〔例如：熱風循環對流裝置〕，並將該已脫水發酵香莢蘭果莢11於一預定溫度進行高溫烘乾，且該預定溫度包含30℃至100℃之間。
第3圖揭示本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料之方塊示意圖。請參照第3圖所示，舉例而言，本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料選擇採用一低溫發酵系統，且該低溫發酵系統可選擇包含一冷藏乾燥箱單元20、一冷藏催化箱單元21或具類似冷藏乾燥或冷藏催化功能之裝置，且該低溫發酵系統可選擇連接至少一計算機單元200或具類似計算機功能之裝置，以達成提供工業化生產標準製程之目的。
第4圖揭示本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法之流程示意圖，其對應於第3圖所示之香莢蘭果莢低溫發酵材料。請參照第3及4圖所示，本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S1：首先，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方式或手動方式〕適當將該已成熟香莢蘭果莢10進行一高溫殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢。
請再參照第3及4圖所示，本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S21：接著，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化
方式或手動方式〕將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業，以獲得一已脫水香莢蘭果莢10a。
請再參照第3及4圖所示，舉例而言，該低溫脫水作業選擇進行於該冷藏乾燥箱單元20或具類似冷藏乾燥或低溫乾燥功能之裝置。
請再參照第3及4圖所示，本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S22：接著，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方式或手動方式〕將該已脫水香莢蘭果莢10a直接進行一低溫發酵作業及一殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢11
請再參照第3及4圖所示，舉例而言，該低溫發酵作業選擇進行於該冷藏催化箱單元21或具類似冷藏催化或低溫催化功能之裝置，以避免採用高溫催化發酵作業，以便節省加工耗能。
請再參照第3及4圖所示，本發明第二較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法包含步驟S3：接著，舉例而言，以適當技術手段〔例如：自動化方式、半自動化方式或手動方式〕將該已脫水發酵香莢蘭果莢11進行一高溫烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢12。
請再參照第3及4圖所示，舉例而言，該高溫烘乾作業選擇進行於一烘烤箱單元2或具類似烘烤功能之裝置〔例如：熱風循環對流裝置〕，並將該已脫水發酵香莢蘭果莢11於一預定溫度進行高溫烘乾，且該預定溫度包含30℃至100℃。
第5圖揭示市售香莢蘭果莢發酵材料之香草醛含量之氣相層析質譜圖之示意圖。請參照第5圖所示，舉例而言，將市售香莢蘭果莢發酵材料經氣相層析質譜儀〔頂空微固相萃取法-氣相層析質譜儀，SPME-GCMS〕分
析獲得香草醛〔由香草醇經催化轉變成香草醛〕之第一香草醛含量。
第6圖揭示本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵方法所獲得香莢蘭果莢低溫發酵材料之香草醛含量之示意圖。請參照第6圖所示，舉例而言，將本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料經氣相層析質譜儀〔SPME-GCMS〕分析獲得香草醛〔由香草醇經催化轉變成香草醛〕之第二香草醛含量。
請再參照第5及6圖所示，舉例而言，本發明較佳實施例之香莢蘭果莢低溫發酵材料之第二香草醛含量〔如第6圖所示〕明顯相對大於市售香莢蘭果莢發酵材料之第一香草醛含量〔如第5圖所示〕。
上述實驗數據為在特定條件之下所獲得的初步實驗結果，其僅用以易於瞭解或參考本發明之技術內容而已，其尚需進行其他相關實驗。該實驗數據及其結果並非用以限制本發明之權利範圍。
前述較佳實施例僅舉例說明本發明及其技術特徵，該實施例之技術仍可適當進行各種實質等效修飾及/或替換方式予以實施；因此，本發明之權利範圍須視後附申請專利範圍所界定之範圍為準。本案著作權限制使用於中華民國專利申請用途。
1:未成熟香莢蘭果莢
10:已成熟香莢蘭果莢
11:已脫水發酵香莢蘭果莢
12:已乾燥發酵香莢蘭果莢
2:烘烤箱單元
20:冷藏乾燥箱單元
200:計算機單元
Claims (10)
- 一種香莢蘭果莢低溫發酵方法，其包含：將一香莢蘭果莢進行一殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢；將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一紫外光殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢，並於一預定溫度進行低溫脫水，且該預定溫度為15℃至25℃之間，且該低溫發酵作業將該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度進行低溫發酵，且該預定溫度為15℃至25℃之間；及將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一烘乾作業，以獲得一已乾燥發酵香莢蘭果莢。
- 依申請專利範圍第1項所述之香莢蘭果莢低溫發酵方法，其中該殺菁作業選擇進行於一高溫蒸汽單元或一保溫容器單元。
- 依申請專利範圍第1項所述之香莢蘭果莢低溫發酵方法，其中該低溫脫水作業、低溫發酵作業或紫外光殺菌作業之一選擇進行於一冷藏乾燥箱單元。
- 依申請專利範圍第1項所述之香莢蘭果莢低溫發酵方法，其中該低溫脫水作業、低溫發酵作業及紫外光殺菌作業之一系列選擇進行於一冷藏乾燥箱單元。
- 依申請專利範圍第1項所述之香莢蘭果莢低溫發酵方法，其中該烘乾作業選擇進行於一烘烤箱單元。
- 一種香莢蘭果莢低溫發酵材料，其包含：一已乾燥發酵香莢蘭果莢，其由一香莢蘭果莢製成，且該已乾燥發酵香莢蘭果莢包含一香草醛；其中將該香莢蘭果莢進行一殺菁作業，以獲得一已殺菁香莢蘭果莢，並將該已殺菁香莢蘭果莢直接進行一低溫脫水作業、一低溫發酵作業及一紫外光殺菌作業，以獲得一已脫水發酵香莢蘭果莢，並於一預定溫度進行低溫脫水， 且該預定溫度為15℃至25℃之間，且該低溫發酵作業將該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度進行低溫發酵，且該預定溫度為15℃至25℃之間，且將該已脫水發酵香莢蘭果莢進行一烘乾作業，以獲得該已乾燥發酵香莢蘭果莢，且該已乾燥發酵香莢蘭果莢包含一香草醛含量大於一市售香莢蘭果莢發酵材料之香草醛含量。
- 依申請專利範圍第6項所述之香莢蘭果莢低溫發酵材料，其中該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度進行低溫脫水，且該預定溫度包含16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
- 依申請專利範圍第6項所述之香莢蘭果莢低溫發酵材料，其中該已殺菁香莢蘭果莢於該預定溫度以一太陽光燈具進行低溫發酵催化。
- 依申請專利範圍第6項所述之香莢蘭果莢低溫發酵材料，其中該已殺菁香莢蘭果莢於一預定溫度以一紫外光源殺菌單元進行低溫殺菌，且該預定溫度包含15℃至25℃之間、16℃至25℃之間、17℃至25℃之間、18℃至25℃之間、19℃至25℃之間、20℃至25℃之間、21℃至25℃之間、22℃至25℃之間、23℃至25℃之間或24℃至25℃之間。
- 依申請專利範圍第6項所述之香莢蘭果莢低溫發酵材料，其中該已脫水發酵香莢蘭果莢於一預定溫度進行烘乾，且該預定溫度包含30℃至100℃之間。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111100466A TWI899415B (zh) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111100466A TWI899415B (zh) | 2022-01-05 | 2022-01-05 | 香莢蘭果莢低溫發酵方法及其材料 |
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|---|---|
| TW202327468A TW202327468A (zh) | 2023-07-16 |
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ID=88147806
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| TW (1) | TWI899415B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104630288A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-05-20 | 中国热带农业科学院香料饮料研究所 | 一种香草兰豆荚的发酵方法 |
-
2022
- 2022-01-05 TW TW111100466A patent/TWI899415B/zh active
Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN104630288A (zh) * | 2015-02-02 | 2015-05-20 | 中国热带农业科学院香料饮料研究所 | 一种香草兰豆荚的发酵方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 網路文獻 江明等人， 不同加工處理條件下香莢蘭莢果中二種內源酶的活性變化， 雲南植物研究 2005年03期，2005/06/25， 第88-92頁 * |
| 網路文獻 江明等人， 不同加工處理條件下香莢蘭莢果中二種內源酶的活性變化， 雲南植物研究 2005年03期，2005/06/25， 第88-92頁。 |
Also Published As
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|---|---|
| TW202327468A (zh) | 2023-07-16 |
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