TWI899246B - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種有利於抑制對於基板之微粒的附著的技術。 本發明使液體供給噴嘴沿著包含「從液體供給噴嘴朝向位在基板之處理面中的周緣部之第一噴吐處噴吐處理液之第一移動位置」、以及「從液體供給噴嘴朝向處理面中之比第一噴吐處靠近旋轉軸之第二噴吐處噴吐處理液之第二移動位置」之噴嘴移動路徑移動。第一液體承接部的第一液體承接面，承接從配置於第二移動位置之液體供給噴嘴噴吐並從處理面飛散之處理液的至少一部分。第二液體承接部的第二液體承接面，承接從配置於第一移動位置之液體供給噴嘴噴吐並從處理面飛散之處理液的至少一部分。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法

本發明係關於基板液處理裝置及基板液處理方法。

在專利文獻1所揭示之處理裝置中，使半導體晶圓等基板繞鉛直軸旋轉並同時向基板表面供給處理液。處理液因離心力而在基板表面上朝向周緣擴大，並從基板往外側飛散。從基板飛散之處理液係藉由包圍基板的杯體之內壁面而被捕集，並從設置於杯體底部之排液口通過排液管而被回收。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2006-147672號公報

[發明所欲解決之問題]

本發明提供一種有利於抑制對於基板之微粒的附著的技術。 [解決問題之技術手段]

本發明之一態樣係關於一種基板液處理裝置，包含：基板固持部，將基板固持；基板旋轉部，使基板以旋轉軸為中心旋轉；液體供給噴嘴，朝向基板的處理面噴吐處理液；噴嘴移動機構，使液體供給噴嘴沿著包含「從液體供給噴嘴朝向位在處理面中的周緣部之第一噴吐處噴吐處理液的第一移動位置」、以及「從液體供給噴嘴朝向處理面中之比第一噴吐處靠近旋轉軸之第二噴吐處噴吐處理液的第二移動位置」之噴嘴移動路徑移動；第一液體承接部，設置於在水平方向上從基板離開的位置，並具有承接「從配置於第二移動位置的液體供給噴嘴噴吐且從處理面飛散之處理液」的至少一部分之第一液體承接面；以及，第二液體承接部，設置於基板與第一液體承接部之間，並具有承接「從配置於第一移動位置的液體供給噴嘴噴吐且從處理面飛散之處理液」的至少一部分之第二液體承接面。 [發明之效果]

依本發明，有利於抑制對於基板之微粒的附著。

以下，參照圖式而針對基板液處理裝置及基板液處理方法之實施態樣加以說明。

圖1係顯示依第一實施態樣之基板液處理裝置的構成例之俯視圖。圖2係顯示依第一實施態樣之基板液處理裝置的構成例之縱剖面圖。如圖1及圖2所示，規定了相互地垂直之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設定為鉛直向上方向。雖然在圖1及圖2係圖示了同一個基板液處理裝置1，但基板液處理裝置1的一部分元件(例如軌道82)係僅被圖示於其中一方的圖式，而在另一方的圖式中省略了圖示。

基板液處理裝置1，包含：兩個吸附墊10、旋轉夾頭11、機殼13、第一清洗部17、以及第二清洗部18。各吸附墊10及旋轉夾頭11係作為將基板W固持的基板固持部而作用，在圖示的例子中係將基板W的底面水平地吸附固持。基板W雖然就典型而言係由半導體晶圓或玻璃基板等所構成，但並未特別受到限定。在基板W的頂面及底面中的至少一者(在本例中為基板W的頂面)形成有電路。機殼13在上方開口。第一清洗部17進行基板W的頂面之清洗處理。第二清洗部18進行基板W的底面之清洗處理。

兩個吸附墊10係如圖1所示，具有細長的略矩形之平面形狀，並在俯視觀察下隔著旋轉夾頭11而受到略平行地設置，以期能將基板W的底面之周緣部附近固持。各吸附墊10係受到支撐板14所支撐。各支撐板14具有比對應之吸附墊10長的略矩形之平面形狀，且其兩端部係受到框體15所支撐。框體15係藉由驅動機構(未圖示)設置成可在水平方向(圖1的X軸方向)及上下方向(圖1的Z軸方向)移動。如此般各吸附墊10係作為與基板W接觸之基板接觸部而作用，而各支撐板14係作為支撐對應的吸附墊10之接觸支撐部而作用。

在框體15的頂面設置有第一液體承接杯體(第一液體承接部)16及第二液體承接部30。在第一液體承接杯體16的上方部形成有具有「比基板W的直徑更大的直徑」之開口，並透過該開口進行對吸附墊10之基板W的交接。

旋轉夾頭11係如圖2所示，透過軸件20與驅動機構21連接，並藉由驅動機構21而變得能夠進行將旋轉軸Ar作為中心的旋轉以及沿著旋轉軸Ar之上下移動。如此般，驅動機構21係作為「使固持於旋轉夾頭11的基板W以旋轉軸Ar為中心旋轉」之基板旋轉部而作用。

在旋轉夾頭11的周圍設置有複數(例如三個)的升降銷22。該等升降銷22係被設置成可藉由升降機構(未圖示)而升降。藉此，能在升降銷22與設置於基板液處理裝置1的外部之搬運機構(未圖示)之間進行基板W的交接，又，能在升降銷22與兩個吸附墊10之間進行基板W的交接。

在機殼13的底部設置有：排放管40，將清洗液排出；以及排氣管41，在基板液處理裝置1內形成向下方向的氣流並且將該氣流排氣。

接著，針對第一清洗部17及第二清洗部18的構成加以說明。

第一清洗部17包含液體供給噴嘴50。液體供給噴嘴50包含朝向下方(亦即鉛直向下方向)之噴吐口。液體供給噴嘴50以位在「受到基板固持部(在本例中特別是指旋轉夾頭11)所固持之基板W(特別是頂面)」的上方之狀態，從噴吐口朝向基板W的處理面(在本例中為頂面)噴吐處理液。藉此，向基板W的頂面賦予處理液。

本實施態樣之液體供給噴嘴50係作為用以將基板W(特別是頂面)清洗之清洗噴嘴而作用，且從液體供給噴嘴50噴吐之處理液為純水等清洗液(清洗用流體)。然而，液體供給噴嘴50亦可被用在清洗處理以外的用途，且從液體供給噴嘴50噴吐之處理液亦並不限定於清洗液。例如，亦可將塗佈液、顯像液、其他的藥液或是其他的液體從液體供給噴嘴50賦予到基板W的處理面。

液體供給噴嘴50，作為僅噴吐處理液之單一流體噴嘴而構成亦可，作為將包含處理液之兩種類以上的流體同時噴吐之多流體噴嘴而構成亦可。本實施態樣之液體供給噴嘴50係作為二流體噴嘴而構成，並將氣體(例如壓縮空氣)與處理液一併噴吐。在從液體供給噴嘴50將氣體與處理液一併噴吐的情況下，容易產生沿著第一液體承接面16a的上升氣流，而後述之「原本未期望之來自第一液體承接面16a之處理液的飛濺以及對基板W之處理液的再附著」的疑慮升高。因此，本發明在液體供給噴嘴50將氣體與處理液一併噴吐的情況下，可更有利於享有防止「來自第一液體承接面16a之處理液的飛濺以及處理液對基板W之再附著」這樣的後述之效果。

液體供給噴嘴50係安裝於臂部70。在臂部70設置有處理液供給配管(未圖示)的一部分。處理液供給配管係連接於處理液供給源(未圖示)及液體供給噴嘴50，並將來自處理液供給源的清洗液供給至液體供給噴嘴50。在處理液供給配管設置有在控制部200的控制下而驅動之開閉閥門(未圖示)。利用「藉由開閉閥門將處理液供給配管的流路開放」，清洗液被供給至液體供給噴嘴50而被從噴吐口噴吐。另一方面，利用「藉由開閉閥門將處理液供給配管的流路關閉」，對液體供給噴嘴50之清洗液的供給被停止，而清洗液的噴吐亦被停止。

臂部70係連接於移動部71。移動部71沿著在水平方向(此處為X軸方向)上延伸之軌道72和臂部70一起移動，而使臂部70水平移動。又，移動部71使臂部70在鉛直方向(Z軸方向)上升降。如此之移動部71及軌道72的組合，係作為使液體供給噴嘴50沿著噴嘴移動路徑移動之噴嘴移動機構而作用。

本實施態樣之噴嘴移動路徑包含第一移動位置及第二移動位置。被配置到了第一移動位置之液體供給噴嘴50，朝向位在「基板W之頂面中的周緣部」之第一噴吐處噴吐清洗液。另一方面，被配置到了第二移動位置之液體供給噴嘴50，朝向「基板W之頂面中的比第一噴吐處靠近旋轉軸Ar」之第二噴吐處(亦即非周緣部)噴吐清洗液。液體供給噴嘴50藉由沿著包含第一移動位置及第二移動位置之噴嘴移動路徑移動並同時噴吐清洗液，能向基板W的頂面上之在半徑方向上相異處賦予清洗液。

圖1及圖2所示之液體供給噴嘴50，雖然可和臂部70一起向水平方向中的X軸方向移動，但並不向Y軸方向移動。因此，包含第一移動位置及第二移動位置之噴嘴移動路徑係被包含於在X軸方向上延伸之同一個平面(亦即具有在Y軸方向上延伸之法線的同一個平面)。又，圖1及圖2所示之液體供給噴嘴50向沿著Z軸之鉛直向下方向噴吐清洗液。因此，基板W上之上述的第一噴吐處及第二噴吐處，係各自位在配置液體供給噴嘴50之上述的第一移動位置及第二移動位置的正下方，並和第一移動位置及第二移動位置一起被包含於在X軸方向上延伸之同一個平面。

第二清洗部18包含：第二清洗體181、第二支柱構件182、以及第二驅動部183。

第二清洗體181為抵靠於基板W的底面之構件。第二清洗體181的種類並不受限定，例如亦可為以許多的毛束所構成之刷子、亦可為海綿。第二清洗體181的頂面係作為與基板W接觸的接觸面而作用，且具有例如小於基板W的頂面的圓形狀。

在第二清洗體181的底面設置有第二支柱構件182。第二支柱構件182係在鉛直方向(Z軸方向)上延伸，且在其中一端部支撐第二清洗體181。

在第二支柱構件182之另一端部設置有第二驅動部183。第二驅動部183能使第二支柱構件182繞鉛直軸旋轉，進而能使被支撐於第二支柱構件182之第二清洗體181繞鉛直軸旋轉。

第二清洗部18係藉由臂部80而受到水平支撐。在臂部80係以鄰接於第二清洗體181的方式設置有清洗噴嘴80a。清洗噴嘴80a對固持於吸附墊10或是旋轉夾頭11之基板W的底面賦予純水等清洗液(清洗用流體)。

臂部80係連接於移動部81。移動部81係沿著在水平方向(此處為Y軸方向)上延伸之軌道82和臂部80一起移動，而使臂部80水平移動。又，移動部81使臂部80在鉛直方向(Z軸方向)上升降。

臂部80係藉由例如未圖示之驅動部而在水平方向(X軸方向)上伸縮。藉此，臂部80能使第二清洗部18及清洗噴嘴80a在X軸方向(亦即與第一清洗部17的移動方向相同的方向)上移動。

在臂部80，設置有「偵測第二清洗體181對基板W造成的抵靠力」之負載偵測部85。負載偵測部85為例如測力器。

在上述之基板液處理裝置1，如圖1所示設置有控制部200。控制部200例如係電腦，並包含程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部儲存有控制在基板液處理裝置1中的基板W之處理的程式。又，在程式儲存部儲存有用以「控制『上述之各種驅動裝置及移動裝置等的驅動類之動作及各種噴嘴』，而使在基板液處理裝置1中的清洗處理實現」的程式。上述程式為已紀錄於電腦可讀取的儲存媒體H者，且為已從該儲存媒體H安裝至控制部200者亦可。可使用例如電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、以及記憶卡作為儲存媒體H。

接著，針對第一液體承接杯體16及第二液體承接部30的構成加以說明。

第一液體承接杯體16具有「上方部及下方部開口」之筒狀的形狀。在第一液體承接杯體16的內側，配置有旋轉夾頭11及各吸附墊10。因此被吸附固持於旋轉夾頭11或是各吸附墊10的基板W亦受配置於第一液體承接杯體16的內側。如此，第一液體承接杯體16係設置於在水平方向上從旋轉夾頭11、各吸附墊10、以及被吸附固持於旋轉夾頭11或是各吸附墊10之基板W離開的位置。

第二液體承接部30具有壁狀的形狀，並受配置於第一液體承接杯體16的內側，且設置於被吸附固持於旋轉夾頭11或是各吸附墊10之基板W與第一液體承接杯體16之間。如此，本例之第二液體承接部30(特別是由內側壁面所構成的第二液體承接面30a)係僅設置於受基板固持部(各吸附墊10或是旋轉夾頭11)所固持的基板W之周緣部的一部分的周圍。然而，第二液體承接部30(特別是第二液體承接面30a)亦可涵蓋基板W之周緣部的全體的周圍而受到設置。

由第一液體承接杯體16的內側壁面所構成之第一液體承接面16a以及由第二液體承接部30的內側壁面所構成之第二液體承接面30a，將「從液體供給噴嘴50噴吐且從基板W的頂面飛散的清洗液」之至少一部分承接。

圖3及圖4係例示液體供給噴嘴50、基板W、第一液體承接杯體16、以及第二液體承接部30的概略構成之剖面圖。在圖3及圖4中，液體供給噴嘴50、基板W、第一液體承接杯體16、以及第二液體承接部30以外的元件係被省略了圖示。又，為了使理解容易，在圖3及圖4中，誇大了第一液體承接杯體16及第二液體承接部30，且基板W僅一部分被顯示。因此，第一液體承接杯體16及第二液體承接部30的形狀及尺寸，在「圖1及圖2」與「圖3及圖4」之間並不一致。然而，如此之第一液體承接杯體16及第二液體承接部30的形狀及尺寸的相異不過是表現上的差異，在圖1～圖4係顯示了同一個第一液體承接杯體16及同一個第二液體承接部30。

第一液體承接杯體16的上端部係由向內側傾斜之第一液體承接傾斜部16b所構成，且第一液體承接垂直部16c係從第一液體承接傾斜部16b的下端向鉛直向下方向延伸。相同地，第二液體承接部30的上端部係由向內側傾斜之第二液體承接傾斜部30b所構成，且第二液體承接垂直部30c係從第二液體承接傾斜部30b的下端向鉛直向下方向延伸。

第一液體承接杯體16的第一液體承接面16a，係以承接「從上述之配置於第二移動位置(參照圖3)之液體供給噴嘴50噴吐且從基板W的頂面飛散之處理液L」的至少一部分的方式受到設置。亦即，第一液體承接面16a承接「滴落於基板W的頂面之中比周緣部靠近旋轉軸Ar的部分(亦即第二噴吐處)且其後從基板W被甩出的處理液L」的至少一部分。此處所謂「第二移動位置」並非意指僅特定的一處，而係可意指處理液L被從液體供給噴嘴50朝向「基板W的頂面之中比周緣部靠近旋轉軸Ar側之處」噴吐之範圍。

另一方面，第二液體承接部30的第二液體承接面30a，係以承接「從上述之配置於第一移動位置(參照圖4)之液體供給噴嘴50噴吐且從基板W的頂面飛散之處理液L」的至少一部分的方式受到設置。亦即，第二液體承接面30a承接「滴落於基板W的頂面之中的周緣部(亦即第一噴吐處)且其後從基板W被甩出的處理液L」的至少一部分。此處所謂「第一移動位置」，並不限於意指僅特定的一處。

如此，藉由不只有設置第一液體承接杯體16而亦設置了第二液體承接部30的方式，能將從基板W被甩出的處理液L適當地承擋而回收，且能有效地防止從基板W飛濺之處理液L再附著於基板W。再附著於基板W之處理液L，可能向基板W帶來微粒(例如塊狀的微粒)。因此，藉由除了第一液體承接杯體16之外再多加設置第二液體承接部30，能抑制對於基板W之微粒的附著。

例如，針對「雖然設置了第一液體承接杯體16但未設置第二液體承接部30」的情況加以考察。在此情況下，從基板W甩出的處理液L基本上係藉由第一液體承接面16a而受到承擋，其後沿著第一液體承接面16a流動。雖然第一液體承接面16a具有促進處理液L之向下方的流動之構造，但起因於第一液體承接面16a之具體的形狀等，有時一部分的處理液L會沿著第一液體承接面16a而向上方流動。例如，沿著第一液體承接面16a而向上方流動的氣流較小的時候，沿著第一液體承接面16a而向上方流動之處理液L從第一液體承接面16a離開而再附著於基板W的疑慮非常小。另一方面，在沿著第一液體承接面16a而向上方流動的氣流較大的情況，附著於第一液體承接面16a之處理液L沿著第一液體承接面16a向上方流動並同時緩緩地增長，故從第一液體承接面16a飛濺而再附著於基板W的疑慮升高。

特別是，在將處理液L從液體供給噴嘴50朝向基板W的頂面之周緣部噴吐的情況下(參照圖4)，處理液L向水平方向以外的方向飛濺之趨勢變強，而滴落於基板W後的處理液L之飛濺方向亦容易變得不穩定。例如，在處理液L朝向第一液體承接杯體16的突起部(參照圖3及圖4所示之「第一液體承接突起部16d」)飛濺的情況下，可能產生從該突起部沿著第一液體承接面16a朝向上方流動之高強度的氣流。在此情況下，有沿著第一液體承接面16a向上方流動之處理液L乘著上升氣流而從第一液體承接面16a飛濺並附著於基板W之疑慮。

另一方面，依本實施態樣，從液體供給噴嘴50朝向基板W的頂面之周緣部噴吐之處理液L，係如圖4所示，藉由與第一液體承接杯體16分別地設置之第二液體承接部30的第二液體承接面30a而適當地受到承擋。因此，能防止從基板W甩出的處理液L乘著未期望的上升氣流而再次附著於基板W(特別是頂面)。

因此，第二液體承接部30宜具有適合於承擋從液體供給噴嘴50朝向基板W的頂面之周緣部噴吐的處理液L之性狀。又，第二液體承接部30宜具有不使大的上升氣流產生或不易使其產生之性狀。

為此，第一液體承接杯體16的第一液體承接面16a之上方端係位在比固持於各吸附墊10或是旋轉夾頭11之基板W更上方，且第二液體承接部30的第二液體承接面30a之上方端係位在比該基板W(特別是頂面)更下方。因此，第二液體承接部30的第二液體承接面30a之上方端係位在比第一液體承接杯體16的第一液體承接面16a之上方端更下方。藉此，能透過第一液體承接面16a而將從第二移動位置的液體供給噴嘴50(參照圖3)噴吐之處理液L效率良好地回收，並同時透過第二液體承接面30a將從第一移動位置的液體供給噴嘴50(參照圖4)噴吐之處理液L效率良好地回收。

又，第二液體承接部30的上端部係由第二液體承接傾斜部30b所構成，第二液體承接面30a之中含有上方端的部分(亦即第二液體承接傾斜部30b的第二液體承接面30a)，其從旋轉軸Ar起的水平方向距離隨著愈往下方而變大。藉此，受到第二液體承接面30a承擋之處理液L，其向下方的流動受到促進，而能防止對基板W之處理液L的再附著。雖然第二液體承接傾斜部30b之傾斜角度等傾斜態樣並未受到限定，但第二液體承接傾斜部30b宜具有有利於將「從液體供給噴嘴50朝向基板W的周緣部噴吐，且向基板W的外側飛濺之處理液L」向下方引導的傾斜態樣。

又，第二液體承接部30的第二液體承接面30a之至少一部分(較佳為全體)具有親水性。例如，藉由由親水性優異的材料構成第二液體承接部30，而使第二液體承接面30a具有親水性亦可。或者，藉由對第二液體承接面30a施行親水化處理，而使第二液體承接面30a具有親水性亦可。

又，第二液體承接部30的第二液體承接面30a之水平方向切斷形狀為圓弧狀。藉此，能抑制第二液體承接部30的全體尺寸，且同時確保足夠的大小之第二液體承接面30a，並藉由第二液體承接面30a有效率地承擋從第一移動位置的液體供給噴嘴50(參照圖4)噴吐之處理液L。

如上述，第二液體承接部30的第二液體承接面30a係以將從液體供給噴嘴50朝向基板W的周緣部噴吐之處理液L承擋的方式受到設置。因此，第二液體承接面30a宜至少設置於「從液體供給噴嘴50朝向基板W之周緣部噴吐之處理液L其後可能從基板W飛濺的範圍」。圖1～圖4所示之第二液體承接部30(包含第二液體承接面30a)，關於水平方向方面，係配置於朝向基板W之周緣部噴吐處理液L用的液體供給噴嘴50的第一移動位置(參照圖4)與第一液體承接杯體16之間。

接著，針對藉由基板液處理裝置1所進行的基板W之清洗方法(亦即基板液處理方法)加以說明。下述之基板W的清洗方法，係以「構成基板液處理裝置1的各元件在控制部200的控制下受到驅動」的方式進行。

圖5係顯示藉由基板液處理裝置1所進行的基板W之清洗處理的一例之流程圖。

在基板液處理裝置1中，首先，進行搬入處理(圖5的步驟S1)。在搬入處理中，在受到搬運機構(未圖示)搬運之基板W被配置於第一液體承接杯體16之上方部開口及各升降銷22之上方的狀態下，各升降銷22上升，且各升降銷22的前端通過第一液體承接杯體16的上方部開口。藉此，在第一液體承接杯體16的上方將基板W從搬運機構交接至升降銷22。此時，吸附墊10係被配置成其頂面高於第二清洗體181的頂面，且旋轉夾頭11係被配置成其頂面低於第二清洗體181的頂面。其後，升降銷22下降，而基板W在第一液體承接杯體16的內側從升降銷22被交接至吸附墊10，並受到吸附墊10吸附固持。

接著，進行底面清洗處理(步驟S2)。在底面清洗處理中，首先，使固持了基板W的吸附墊10與支撐板14、第一液體承接杯體16、以及第二液體承接部30一起向水平方向(此處為X軸方向)移動。藉此，旋轉夾頭11受配置於靠近基板W之外周部的位置，且第二清洗部18受配置於靠近基板W之中央部的位置。

接著，例如，藉由移動部81使第二清洗部18上升，而將第二清洗體181抵靠於基板W的底面。此時，移動部81使第二清洗部18上升，以使第二清洗體181之向基板W的抵靠力成為期望的數值。使第二清洗部18上升之距離，可根據例如負載偵測部85的偵測結果而決定。雖然此處是第二清洗部18被上升，但亦可藉由使吸附墊10下降而將基板W的底面抵靠於第二清洗體181。又，亦可使第二清洗部18上升並同時使吸附墊10下降。

其後，開始從清洗噴嘴80a向基板W的底面之清洗液的供給。又，開始第二清洗體181的旋轉。

由第二清洗部18所進行的基板W底面的清洗，係藉由「由吸附墊10進行的基板W的移動與由移動部81進行的第二清洗部18的移動」之組合而進行。藉此，包含「會受到旋轉夾頭11吸附固持的區域」之基板W的底面之中央區域，會藉由第二清洗體181而受到清洗。其後，將第二清洗體181的旋轉停止，並將來自清洗噴嘴80a之清洗液的供給停止。

接著，進行兩面清洗處理(步驟S3)。在兩面清洗處理中，首先，使吸附墊10與基板W一起移動，而將基板W的中央部配置於旋轉夾頭11的上方。然後，解除藉由吸附墊10的基板W之吸附，並藉由使旋轉夾頭11上升，而將基板W從吸附墊10向旋轉夾頭11交接。

又，藉由移動部71將第一清洗部17之液體供給噴嘴50配置於基板W之中央的上方。

接著，藉由以驅動機構21使旋轉夾頭11旋轉，而使基板W以旋轉軸Ar為中心旋轉。又，開始從液體供給噴嘴50朝向基板W的頂面噴吐清洗液之步驟。然後，藉由移動部71使液體供給噴嘴50向水平方向(X軸正方向)移動。藉此，將基板W的頂面之中央區域清洗。

然後，液體供給噴嘴50及第二清洗部18被朝向基板W的周緣部移動，進行在基板W之頂面及底面之各者的中央區域以外之區域的清洗。具體而言，在基板W的頂面之上方使液體供給噴嘴50移動，並同時使處理液L從液體供給噴嘴50噴吐。又，從清洗噴嘴80a向基板W的底面供給清洗液，並同時開始第二清洗體181的旋轉。

在液體供給噴嘴50及第二清洗體181之各者到達基板W之外周的周緣部，而基板W的頂面及底面之全體的清洗完成之後，停止第二清洗體181的旋轉，並停止來自液體供給噴嘴50及清洗噴嘴80a之清洗液的噴吐。然後，使液體供給噴嘴50及第二清洗體181從基板W退避。

如上述，在液體供給噴嘴50到達基板W之周緣部的正上方之前，從基板W甩出的清洗液，主要受到第一液體承接杯體16的第一液體承接面16a承擋。另一方面，液體供給噴嘴50在位於基板W的周緣部之正上方的狀態下噴吐之清洗液，主要受到第二液體承接部30的第二液體承接面30a承擋。藉此，能有效地避免從基板W甩出的處理液L再附著於基板W。處理液L受到第一液體承接面16a及第二液體承接面30a承擋之後，沿著第一液體承接面16a及第二液體承接面30a向下方流動，最終透過排放管40而被排出。

又，從抑制自基板W的底面向頂面之清洗液的迴繞之觀點而言，較佳為在停止來自清洗噴嘴80a之清洗液的噴吐之後再停止來自液體供給噴嘴50之清洗液的噴吐。然而並不限於此，亦可同時停止來自液體供給噴嘴50之清洗液的噴吐以及來自清洗噴嘴80a之清洗液的噴吐，亦可在停止來自清洗噴嘴80a之清洗液的噴吐之前停止來自液體供給噴嘴50之清洗液的噴吐。

接著，進行乾燥處理(步驟S4)。在乾燥處理中，透過旋轉夾頭11將基板W以高速旋轉。藉此將附著於基板W的液體從基板W甩出，而促進基板W的乾燥。

其後，進行搬出處理(步驟S5)。在搬出處理中，利用與上述之搬入處理(步驟S1)相反的順序，將基板W交接至搬運機構。藉由經過上述之一連串的處理(步驟S1～S5)，一片基板W之清洗處理便完成。在進行其他的基板W之清洗處理的情況，係重複上述之一連串的處理(步驟S1～S5)。

如以上所說明，依本實施態樣之基板液處理裝置1及基板液處理方法，能藉由第一液體承接杯體16及第二液體承接部30將從基板W向外側飛濺之處理液L適當地承擋並向下方引導，而防止對基板W之處理液L的再附著。因此，能抑制如此之起因於處理液L的「對於基板W之微粒的附著」。

本案發明者根據上述之基板液處理裝置1及基板液處理方法實際地進行了檢證。其結果，本案發明者確認了，藉由除了第一液體承接杯體16之外再多加設置第二液體承接部30之情事，從基板W甩出的處理液L之「對基板W的再附著」受到抑制，而基板W上之微粒的數目顯著地減少。

[第一變形例] 圖6及圖7係例示依第一變形例之第一液體承接杯體16及第二液體承接部30的概略構成之剖面圖。與圖3及圖4相同地，在圖6及圖7中省略了一部分元件之圖示，且第一液體承接杯體16及第二液體承接部30被誇大地顯示，而基板W僅一部分被顯示。

依本變形例之基板液處理裝置1，包含使第二液體承接部30移動的液體承接移動機構35。雖然在圖6及圖7中液體承接移動機構35被簡略化地顯示，但液體承接移動機構35能藉由馬達等任意之驅動裝置實現，且能以任意之形態在基板液處理裝置1中設置。液體承接移動機構35，使第二液體承接部30的全體移動亦可，藉由使第二液體承接部30的一部分(例如在上下方向上延伸的第二液體承接垂直部30c)在上下方向上伸縮而使第二液體承接部30(特別是上方端部)移動亦可。

第二液體承接部30係藉由液體承接移動機構35，而被配置於第一液體承接位置(參照圖7)以及與第一液體承接位置相異之第二液體承接位置(參照圖6)。配置於第一液體承接位置之第二液體承接部30的第二液體承接面30a，如圖7所示，承接「在上述之第一移動位置從液體供給噴嘴50噴吐且從基板W的頂面(特別是周緣部)飛散之處理液L」的至少一部分。另一方面，配置於第二液體承接位置之第二液體承接部30的第二液體承接面30a，如圖6所示，承接「從配置於上述之第二移動位置的液體供給噴嘴50噴吐、且從基板W的頂面飛散之處理液L」的至少一部分。

如此，本變形例之第二液體承接部30依據液體供給噴嘴50的位置而向鉛直方向升降。藉此，第二液體承接部30無論液體供給噴嘴50的位置為何，持續承接從基板W飛濺之處理液L的至少一部分。當來自液體供給噴嘴50之處理液L滴落在基板W的頂面之非周緣部(第二噴吐處)的時候，第二液體承接部30受配置於上升位置，而第二液體承接部30的上方端部受配置於比基板W更上方(參照圖6)。另一方面，當來自液體供給噴嘴50之處理液L滴落在基板W的頂面之周緣部(第一噴吐處)的時候，第二液體承接部30受配置於下降位置，而第二液體承接部30的上方端部受配置於比基板W(特別是頂面)更下方(參照圖7)。如此，將第二液體承接部30升降成使第二液體承接面30a受配置於「依據來自基板W之處理液L的飛濺方向之最佳的位置」，而防止從基板W甩出的處理液L之對基板W的再附著。

又，依本變形例，能防止從基板W飛濺之處理液L向第二液體承接部30的上端面撞擊而飛散。亦即，藉由調整第二液體承接部30的鉛直方向位置以使從基板W甩出的處理液L不越過第二液體承接部30，能防止處理液L向第二液體承接部30的上端面撞擊。對第二液體承接部30的上端面之處理液L的撞擊，會導致朝未期望的方向之處理液L的飛散，而可能招致處理液L的飛沫之對基板W的附著。另一方面，藉由調整第二液體承接部30的鉛直方向位置而避免對第二液體承接部30的上端面之處理液L的撞擊，能防止如此之處理液L的飛沫之對基板W的附著。

又，液體承接移動機構35能在控制部200的控制下，根據例如液體供給噴嘴50的配置位置資訊改變第二液體承接部30的位置。處理液L之從基板W飛濺之主要的飛濺方向及飛濺範圍，嚴密而言，可能隨著對於基板W之液體供給噴嘴50的相對位置而改變。然而實際上，當從液體供給噴嘴50噴吐之處理液L朝向基板W之非周緣部的時候，處理液L之從基板W飛濺之主要的飛濺方向及飛濺範圍不會太大地改變。因此，液體承接移動機構35亦可在與「液體供給噴嘴50到達第一移動位置」同時、或是在液體供給噴嘴50即將到達第一移動位置之前、又或是在液體供給噴嘴50剛到達第一移動位置之後，使第二液體承接部30從上升位置(參照圖6)移動至下降位置(參照圖7)。液體承接移動機構35，基本上，亦可在液體供給噴嘴50受配置於第一移動位置以外的位置的時候將第二液體承接部30持續配置於共通的上升位置，而在液體供給噴嘴50位在第一移動位置的時候將第二液體承接部30配置於下降位置。

又，依本變形例之基板液處理裝置1，亦可更包含：液體飛散資訊取得部36，取得表示來自基板W的頂面之處理液L的飛散的狀態之液體飛散資訊。液體飛散資訊若為直接地或是間接地表示來自基板W的頂面之處理液L的飛散的狀態之資訊，則其種類並未受到限定。在此情況下，第二液體承接部30係藉由「根據液體飛散資訊取得部36所取得之液體飛散資訊而在控制部200的控制下受到驅動」之液體承接移動機構35而受到移動。

例如，亦可藉由相機來構成液體飛散資訊取得部36。在此情況下，可使用由液體飛散資訊取得部36所取得之「液體供給噴嘴50、從液體供給噴嘴50前往基板W之處理液L、以及／或是朝向基板W以外的地方飛濺之處理液L」的影像資料作為液體飛散資訊。控制部200亦可從液體飛散資訊取得部(相機)36接收該影像資料，並進行影像解析而取得直接地或是間接地表示處理液L的飛濺的狀態之解析資料，並根據該解析資料控制液體承接移動機構35。

[第二變形例] 圖8及圖9係例示依第二變形例之第一液體承接杯體16及第二液體承接部30的概略構成之剖面圖。與圖3及圖4相同地，在圖8及圖9中省略了一部分元件的圖示，且誇大了第一液體承接杯體16及第二液體承接部30，而基板W僅一部分被顯示。

雖然在上述之第一變形例(參照圖6及圖7)中第二液體承接部30僅在鉛直方向上移動，但第二液體承接部30的移動方向並未受到限定。本變形例之第二液體承接部30係以旋轉軸部38為中心旋轉移動。

圖8及圖9所示之第二液體承接部30係設置成能以旋轉軸部38為中心移動。旋轉軸部38在控制部200的控制下，受到液體承接移動機構35所驅動。第二液體承接部30的上端部之鉛直方向位置，係經由將旋轉軸部38作為中心之第二液體承接部30的旋轉而變動。特別是，本變形例之第二液體承接部30(特別是第二液體承接面30a)，不僅鉛直方向位置，從基板W(特別是周緣部)起的距離及傾斜(姿態)亦依據液體供給噴嘴50的位置以及在基板W的頂面上之處理液L的滴落位置而受到調整。

本變形例之第二液體承接部30亦與上述之第一變形例(參照圖6及圖7)相同地，藉由液體承接移動機構35而受配置於第一液體承接位置(參照圖9)、以及與第一液體承接位置相異的第二液體承接位置(參照圖8)。因此，藉由依據液體供給噴嘴50的位置而將第二液體承接部30移動，第二液體承接面30a無論液體供給噴嘴50的位置為何，可持續承接從基板W飛濺之處理液L的至少一部分。

[其他的變形例] 雖然第一液體承接杯體16及第二液體承接部30在上述之實施態樣及變形例中係設置於框體15(參照圖1)的頂面，但其能以任意的形態被設置。例如，如圖10所示，亦可將第二液體承接部30安裝於支撐吸附墊10的支撐板(接觸支撐部)14。相同地，亦可將第一液體承接杯體16也安裝於支撐板14。雖然在上述之實施態樣及變形例中支撐板14在與吸附墊10相同的方向上延伸，但亦可將第二液體承接部30安裝於「在與吸附墊10不同的方向上延伸」之支撐板14。

在上述之實施態樣及變形例中，係從液體供給噴嘴50向基板W的處理面(頂面)之全體賦予處理液。然而，對於從液體供給噴嘴50向基板W的處理面之「只有周緣部」或是「只有周緣部及周緣部附近」賦予處理液的情況，亦可應用上述之基板液處理裝置1及基板液處理方法。

應當注意，在本說明書所揭示之實施態樣及變形例在各方面皆僅為例示而並不作為限定性之解釋。上述之實施態樣及變形例，在不脫離隨附之發明申請專利範圍及其要旨下，能以各種型態進行省略、置換、變更。例如亦可將上述之實施態樣及變形例組合，又亦可將上述以外的實施態樣與上述之實施態樣或是變形例組合。

又，體現上述之技術思想的技術類別並不受限定。例如，亦可將上述的基板液處理裝置應用於其他的裝置。又，亦可藉由「使電腦執行『上述之基板液處理方法(包含基板W的清洗方法)所包含的一個或是複數之程序(步驟)』」用的電腦程式，體現上述之技術思想。又，亦可藉由紀錄了如此之電腦程式之電腦可讀取的非暫時性(non-transitory)的紀錄媒體，體現上述之技術思想。

1:基板液處理裝置 10:吸附墊 11:旋轉夾頭 13:機殼 14:支撐板 15:框體 16:第一液體承接杯體 16a:第一液體承接面 16b:第一液體承接傾斜部 16c:第一液體承接垂直部 16d:第一液體承接突起部 17:第一清洗部 18:第二清洗部 181:第二清洗體 182:第二支柱構件 183:第二驅動部 20:軸件 200:控制部 21:驅動機構 22:升降銷 30:第二液體承接部 30a:第二液體承接面 30b:第二液體承接傾斜部 30c:第二液體承接垂直部 35:液體承接移動機構 36:液體飛散資訊取得部 38:旋轉軸部 40:排放管 41:排氣管 50:液體供給噴嘴 70,80:臂部 71,81:移動部 72,82:軌道 80a:清洗噴嘴 85:負載偵測部 Ar:旋轉軸 H:儲存媒體 L:處理液 S1~S5:步驟 W:基板

[圖1]圖1係顯示依第一實施態樣之基板液處理裝置的構成例之俯視圖。 [圖2]圖2係顯示依第一實施態樣之基板液處理裝置的構成例之縱剖面圖。 [圖3]圖3係例示液體供給噴嘴、基板、第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖4]圖4係例示液體供給噴嘴、基板、第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖5]圖5係顯示藉由基板液處理裝置所進行的基板之清洗處理的一例之流程圖。 [圖6]圖6係例示依第一變形例之第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖7]圖7係例示依第一變形例之第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖8]圖8係例示依第二變形例之第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖9]圖9係例示依第二變形例之第一液體承接杯體及第二液體承接部的概略構成之剖面圖。 [圖10]圖10係顯示第二液體承接部的配置例之概略俯視圖。

1:基板液處理裝置

16:第一液體承接杯體

16a:第一液體承接面

16b:第一液體承接傾斜部

16c:第一液體承接垂直部

16d:第一液體承接突起部

30:第二液體承接部

30a:第二液體承接面

30b:第二液體承接傾斜部

30c:第二液體承接垂直部

50:液體供給噴嘴

L:處理液

W:基板

Claims (10)

1. 一種基板液處理裝置，包含：基板固持部，將基板固持；基板旋轉部，使該基板以旋轉軸為中心旋轉；液體供給噴嘴，朝向該基板的處理面噴吐處理液；噴嘴移動機構，使該液體供給噴嘴沿著噴嘴移動路徑移動，且該噴嘴移動路徑包含：從該液體供給噴嘴朝向位在該處理面中的周緣部之第一噴吐處噴吐該處理液之第一移動位置、以及從該液體供給噴嘴朝向該處理面中的比該第一噴吐處靠近該旋轉軸之第二噴吐處噴吐該處理液之第二移動位置；第一液體承接部，設置於在水平方向上從該基板離開的位置，並具有：第一液體承接面，將從配置於該第二移動位置的該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接；以及第二液體承接部，設置於該基板與該第一液體承接部之間，並具有：第二液體承接面，將從配置於該第一移動位置的該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接；該第二液體承接面之水平方向切斷形狀為圓弧狀。
2. 如請求項1所述之基板液處理裝置，其中，該第二液體承接面的上方端位在比該第一液體承接面的上方端更下方。
3. 如請求項1或2所述之基板液處理裝置，其中， 該第二液體承接面之中含有上方端的部分，其從該旋轉軸起的水平方向距離隨著愈往下方而變大。
4. 如請求項1或2所述之基板液處理裝置，其中，該第二液體承接面之至少一部分具有親水性。
5. 如請求項1或2所述之基板液處理裝置，其中，該基板固持部，包含：基板接觸部，與該基板接觸；以及接觸支撐部，支撐該基板接觸部；該第二液體承接部係安裝於該接觸支撐部。
6. 如請求項1或2所述之基板液處理裝置，更包含：液體承接移動機構，使該第二液體承接部移動，以將該第二液體承接部配置於：將在該第一移動位置從該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接之第一液體承接位置、以及與該第一液體承接位置相異之第二液體承接位置。
7. 如請求項6所述之基板液處理裝置，更包含，液體飛散資訊取得部，取得表示來自該處理面之該處理液的飛散之狀態的液體飛散資訊；且該第二液體承接部，係根據該液體飛散資訊而受到該液體承接移動機構移動。
8. 一種基板液處理裝置，包含：基板固持部，將基板固持；基板旋轉部，使該基板以旋轉軸為中心旋轉；液體供給噴嘴，朝向該基板的處理面噴吐處理液；噴嘴移動機構，使該液體供給噴嘴沿著噴嘴移動路徑移動，且該噴嘴移動路徑包含：從該液體供給噴嘴朝向位在該處理面中的周緣部之第一噴吐處噴吐該處理液之第一移動位置、以及從該液體供給噴嘴朝向該處理面中的比該第一噴吐處靠近該旋轉軸之第二噴吐處噴吐該處理液之第二移動位置；第一液體承接部，設置於在水平方向上從該基板離開的位置，並具有：第一液體承接面，將從配置於該第二移動位置的該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接；第二液體承接部，設置於該基板與該第一液體承接部之間，並具有：第二液體承接面，將從配置於該第一移動位置的該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接；以及液體承接移動機構，使該第二液體承接部移動，以將該第二液體承接部配置於：將在該第一移動位置從該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接之第一液體承接位置、以及與該第一液體承接位置相異之第二液體承接位置；配置於該第二液體承接位置之該第二液體承接部的該第二液體承接面，將從配置於該第二移動位置的該液體供給噴嘴噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分承接。
9. 如請求項1或2所述之基板液處理裝置，其中，該液體供給噴嘴將氣體與該處理液一併噴吐。
10. 一種基板液處理方法，包含以下步驟：使基板以旋轉軸為中心旋轉之步驟；從液體供給噴嘴朝向該基板的處理面噴吐處理液之步驟；以及使該液體供給噴嘴移動之步驟；從配置於第一移動位置之該液體供給噴嘴朝向位在該處理面中的周緣部之第一噴吐處噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分，係由第二液體承接部的第二液體承接面承接；從配置於第二移動位置之該液體供給噴嘴朝向該處理面中的比該第一噴吐處靠近該旋轉軸的第二噴吐處噴吐且從該處理面飛散之該處理液的至少一部分，係由第一液體承接部的第一液體承接面承接；該第二液體承接面之水平方向切斷形狀為圓弧狀。