TWI898174B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於，提供一種可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出之基板處理裝置及基板處理方法。 於處理槽10內存在基板W之狀態下，於處理槽10中進行處理液之上流之處理液供給步驟中，將基板W保持於處理槽10內之上側位置。另一方面，將基板W浸漬在儲存於處理槽10之溫處理液中之浸漬處理步驟中，將基板W保持於處理槽10內之下側位置。將基板W浸漬於溫處理液中時，由於降低基板W之保持位置，增大處理液之液面至基板W之距離即液深，故即使浸漬處理中因水分蒸發而使溫處理液之液面位準稍微降低，也可確實防止基板W自處理液露出。

Description

基板處理方法及基板處理裝置

本發明係關於一種於處理槽內對基板進行處理液之蝕刻等表面處理之基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象之基板包含例如半導體基板、液晶顯示裝置用基板、使用於有機EL(electroluminescence：電致發光)顯示裝置等之平板顯示器(FPD：flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。

先前以來，半導體裝置之製造步驟中，使用對半導體基板(以下，簡稱為「基板」)進行各種處理之基板處理裝置。作為此種基板處理裝置之一者，已知有於單一處理槽中對複數片基板依序進行利用藥液之藥液處理與利用純水之清洗處理之所謂一浴方式之基板處理裝置(例如參照專利文獻1)。一浴方式之基板處理裝置典型而言，將複數片基板一併浸漬於儲存在處理槽之藥液中，一面自處理槽之底部供給藥液，一面使藥液自處理槽之上部溢流，藉此對基板進行蝕刻處理等藥液處理。又，一浴方式之基板處理裝置於特定時間之藥液處理結束時，藉由一面自處理槽之底部供給純水，一面使液體自處理槽之上部溢流，而將處理槽內部之液體自藥液逐漸置換為純水。且，於置換為純水後之處理槽之內部，對基板進行純水之清洗處理。一浴方式之基板處理裝置中，自處理槽溢流之處理液基本被廢棄。

另一方面，近年，對可持續發展目標(SGDs：Sustainable Development Goals)之努力亦備受矚目，謀求盡量減少廢棄之處理液。為響應此種要求，而開發能夠以更少量之處理液處理基板之處理槽。具體而言，使用縮短處理槽之長度及深度之尺寸，將槽容量削減約5%之處理槽。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-232244號公報

[發明所欲解決之問題]

此種削減容量之處理槽中，由於處理槽之尺寸變小，故有處理槽之底面與基板之間隔較先前窄，使處理液之流動不均之情形。其結果，有對基板之蝕刻特性等不均一之情形。為解決該問題，考慮提高處理槽內之基板之保持位置，將處理槽之底面與基板之間隔設為與先前相同程度。但，若提高處理槽內之基板之保持位置，則產生有基板之上端部自處理液之液面露出之虞之問題。尤其，一浴方式之基板處理裝置中，有進行將基板浸漬於經加熱之溫處理液中之處理之情形。因此種處理中，水分自溫處理液大量蒸發而使液面逐漸變低，故基板之上端部易自處理液之液面露出。

本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出之基板處理方法及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]

為解決上述問題，技術方案1之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理方法，且具備：處理液供給步驟，其於上述處理槽內存在基板之狀態下對上述處理槽供給處理液；及浸漬處理步驟，其將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中；且上述處理液供給步驟中，將基板保持於上述處理槽內之第1高度位置，上述浸漬處理步驟中，將基板保持於上述處理槽內之第2高度位置，上述第2高度位置低於上述第1高度位置。

又，技術方案2之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理方法，且具備：處理液供給步驟，其於上述處理槽內存在基板之狀態下對上述處理槽供給處理液；及浸漬處理步驟，其將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中；且執行上述浸漬處理步驟時，使儲存於上述處理槽之處理液之液面至基板之距離即液深大於標準值。

又，技術方案3之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理方法，且具備：處理液供給步驟，其於上述處理槽內存在基板之狀態下對上述處理槽供給處理液；及浸漬處理步驟，其將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中；且處方中檢測出執行上述浸漬處理步驟之指示時，使上述處理槽內之基板之保持位置下降。

又，技術方案4之發明之特徵在於，如技術方案1至3中任一發明之基板處理方法，其中於上述處理液供給步驟中，自配置於上述處理槽之底部之噴嘴管向上方噴出處理液。

又，技術方案5之發明之特徵在於，如技術方案4之發明之基板處理方法，其中於上述處理液供給步驟中，自上述噴嘴管噴出第1處理液，將儲存於上述處理槽之第2處理液置換成第1處理液。

又，技術方案6之發明之特徵在於，如技術方案4或5之發明之基板處理方法，其中於上述浸漬處理步驟中，停止自上述噴嘴管噴出處理液。

又，技術方案7之發明之特徵在於，如技術方案1至6中任一發明之基板處理方法，其中上述溫處理液之溫度為30℃以上85℃以下。

又，技術方案8之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理裝置，且具備：處理液供給部，其對上述處理槽供給處理液；升降部，其使上述處理槽內之基板之保持位置升降；及控制部，其控制上述升降部之動作；且於上述處理槽內存在基板之狀態下，上述處理液供給部對上述處理槽供給處理液時，將基板保持於上述處理槽內之第1高度位置，且將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中時，將基板保持於上述處理槽內之第2高度位置，上述控制部以上述第2高度位置低於上述第1高度位置之方式，控制上述升降部。

又，技術方案9之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理裝置，且具備：處理液供給部，其對上述處理槽供給處理液；升降部，其使上述處理槽內之基板之保持位置升降；及控制部，其控制上述升降部之動作；且將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中時，上述控制部以儲存於上述處理槽之處理液之液面至基板之距離即液深大於標準值之方式，控制上述升降部。

又，技術方案10之發明之特徵在於，其係一種於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理裝置，且具備：處理液供給部，其對上述處理槽供給處理液；升降部，其使上述處理槽內之基板之保持位置升降；及控制部，其控制上述升降部之動作；且上述控制部於處方中檢測出執行將基板浸漬於儲存在上述處理槽之經加熱之溫處理液中之步驟的指示時，以上述處理槽內之基板之保持位置下降之方式控制上述升降部。

又，技術方案11之發明之特徵在於，如技術方案8至10中任一發明之基板處理裝置，其中上述處理液供給部具有配置於上述處理槽之底部，向上方噴出處理液之噴嘴管。

又，技術方案12之發明之特徵在於，如技術方案8至11中任一發明之基板處理裝置，其中上述溫處理液之溫度為30℃以上85℃以下。 [發明之效果]

根據技術方案1及技術方案4～7之發明，處理液供給步驟中，將基板保持於處理槽內之第1高度位置，浸漬處理步驟中，將基板保持於處理槽內之第2高度位置，第2高度位置低於第1高度位置，因而浸漬處理步驟中，即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦未自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

根據技術方案2之發明，執行浸漬處理步驟時，因儲存於處理槽之處理液之液面至基板之距離即液深大於標準值，故浸漬處理步驟中即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦不自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

根據技術方案3之發明，處方中檢測出執行浸漬處理步驟之指示時，由於使處理槽內之基板之保持位置下降，故浸漬處理步驟中即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦不自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

根據技術方案8及技術方案11、12之發明，於處理槽內存在基板之狀態下，處理液供給部對處理槽供給處理液時，將基板保持於處理槽內之第1高度位置，且將基板浸漬於儲存在處理槽之經加熱之溫處理液中時，將基板保持於處理槽內之第2高度位置，第2高度位置低於第1高度位置，故浸漬處理時即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦不自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

根據技術方案9之發明，將基板浸漬於儲存在處理槽之經加熱之溫處理液中時，因儲存於處理槽之處理液之液面至基板之距離即液深大於標準值，故浸漬處理時即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦不自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

根據技術方案10之發明，控制部於處方中檢測出執行將基板浸漬於儲存在處理槽之經加熱之溫處理液中之步驟的指示時，由於以處理槽內之基板之保持位置下降之方式控制升降部，故浸漬處理時即使因水分蒸發而使溫處理液之液面稍微降低，基板亦不自溫處理液露出，可確實防止基板於利用溫處理液之基板之浸漬處理中露出。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態詳細說明。

＜第1實施形態＞ 圖1係顯示本發明之基板處理裝置1之構成之圖。基板處理裝置1係對複數片半導體晶圓等基板W一併進行利用處理液之表面處理之分批式基板處理裝置。另，圖1及之後之各圖中，為容易理解，視需要誇大或簡化描繪各部之尺寸或數量。

基板處理裝置1係於1個處理槽10中對複數片基板W依序進行使用藥液之藥液處理與純水之清洗處理之所謂一浴方式之基板處理裝置。作為上述藥液，例如包含用以進行蝕刻處理之液體、或用以去除顆粒之液體等，具體而言，使用SC-1液(氫氧化氨、過氧化氫水及純水之混合溶液)、SC-2液(鹽酸、過氧化氫水及純水之混合溶液)或氟酸等。藥液亦包含由純水稀釋者。又，本說明書中，將各種藥液及純水總稱為「處理液」。

如圖1所示，基板處理裝置1主要具備：處理槽10，其儲存處理液；升降器20，其保持複數片基板(以下，簡稱為「基板」)W並上下升降；處理液供給部30，其對處理槽10供給處理液；處理液回收部40，其自處理槽10回收處理液；腔室50，其於內部收容處理槽10；氮氣供給部60，其對腔室50之內部供給氮氣；及控制部70，其控制裝置內之各部之動作。

處理槽10為由石英等耐藥性材料構成之儲存容器。處理槽10具有：內槽11，其依序儲存各種處理液，將基板W浸漬於其內部；及外槽12，其形成於內槽11之上端外周部。

於內槽11之底部，配置有對內槽11之內部噴出處理液之一對噴嘴管13a、13b。各噴嘴管13a、13b為長條圓筒形狀之管狀構件。於各噴嘴管13a、13b，沿長邊方向等間隔形設有複數個噴出口(省略圖示)。供給至噴嘴管13a、13b之處理液自該等複數個噴出口噴出至內槽11內，儲存於內槽11之內部。噴嘴管13a、13b向保持於處理槽10內之基板W，即向斜上方噴出處理液。若於內槽11之內部儲存有處理液之狀態下，自噴嘴管13a、13b噴出處理液，則於內槽11內形成朝向上方之處理液之流動(上流)。又，若於處理液儲存至內槽11之上端之狀態下，自噴嘴管13a、13b噴出處理液，則處理液自內槽11之上部溢出，向外槽12溢流。

又，於內槽11之上方，設有向內槽11之內部噴出處理液之一對淋浴噴嘴14a、14b。淋浴噴嘴14a、14b亦與上述噴嘴管13a、13b同樣，為長條圓筒形狀之管狀構件。於各淋浴噴嘴14a、14b，沿長邊方向等間隔形設有複數個噴出口(省略圖示)。供給至淋浴噴嘴14a、14b之處理液自該等複數個噴出口向內槽11之內部噴出。淋浴噴嘴14a、14b向保持於處理槽10內之基板W，即向斜下方噴出處理液。

又，於內槽11之內部，設置有測量處理液之比電阻值之比電阻計15。比電阻計15具有一對金屬電極，藉由測量浸漬於處理液之金屬電極間之電阻，而測量處理液之比電阻值。比電阻計15於將處理槽10內自藥液置換成純水時，測量儲存於處理槽10內部之處理液之比電阻值，將取得之比電阻值之資訊發送至控制部70。另，比電阻計15亦可為於金屬電極中內置溫度感測器，將特定溫度下之比電阻值之換算值發送至控制部70者。

由於本實施形態之處理槽10削減消耗之處理液量，故槽容量少於先前以來使用之典型之處理槽。具體而言，內槽11之上端至底面之深度變小，且與圖1之紙面正交之方向之內槽11之長度亦變短。藉此，可使處理槽10之槽容量較先前以來使用之典型之處理槽(以下，設為「先前槽」)減少約5%。

升降器20為用以於腔室50之內部一面保持基板W一面上下搬送之搬送機構。升降器20具有朝與圖1中之紙面正交之方向延伸之3根保持棒21，於各保持棒21刻設有複數個(例如50個)保持槽。基板W以將其周緣部與保持槽嵌合之狀態，互相平行以豎立姿勢(主面之法線成為水平方向之姿勢)保持於3根保持棒21上。又，升降器20與圖1中概念性顯示之驅動機構22連接。當使驅動機構22動作時，升降器20上下移動，基板W如箭頭AR1所示，於處理槽10內部之浸漬位置(圖1之狀態)與處理槽10上方之上提位置間升降移動。又，升降器20藉由上下微小移動，亦作為使處理槽10內之基板W之保持位置升降之升降部發揮功能。

處理液供給部30為用以對噴嘴管13a、13b及淋浴噴嘴14a、14b之各者供給處理液之配管系統。如圖1所示，處理液供給部30組合純水供給源31、藥液供給源37、混合閥32、加熱器33、配管35a、35b、36及閥39a、39b等而構成。於純水供給源31連接有配管36之基端側。配管36之前端側分支成配管35a及配管35b之兩叉。配管35a之前端側進而分支成兩叉，分別連接於一對噴嘴管13a、13b。於配管35之路徑中途，介插有閥39a、混合閥32及加熱器33。另一方面，配管35b之前端側分支成兩叉，分別連接於一對淋浴噴嘴14a、14b。於配管35b之路徑中途，介插有閥39b。

於混合閥32，連接有供給純水之配管35a，且經由閥38連接有1個以上藥液供給源37。1個以上藥液供給源37包含例如氫氧化氨之供給源、鹽酸之供給源、過氧化氫水之供給源、氟酸之供給源等。若將閥39a及選擇之閥38打開，則自純水供給源31供給之純水與自藥液供給源37(與該選擇之閥38對應之藥液供給源37)供給之藥液於混合閥32中以特定之比例混合。藉此，產生作為處理液使用之藉由純水稀釋之藥液。以混合閥32產生之處理用之藥液流動於配管35a，供給至一對噴嘴管13a、13b，自噴嘴管13a、13b之複數個噴出口向處理槽10供給。另，產生藥液時選擇之閥38亦可為2個以上。例如，若選擇對應於鹽酸之供給源及過氧化氫水之供給源之2個閥38並打開，則混合閥32中將鹽酸、過氧化氫水及純水混合，產生SC-2液。

另一方面，若關閉所有閥38，且僅打開閥39a，則不進行混合閥32中之混合，自純水供給源31供給之純水直接通過混合閥32流動於配管35a，供給至一對噴嘴管13a、13b。該情形時，自噴嘴管13a、13b之複數個噴出口對處理槽10供給純水。

又，加熱器33藉由控制部70之控制，可加熱流動於配管35a之處理液。若以混合閥32產生之藥液流動於配管35a時，加熱器33加熱該藥液，則自噴嘴管13a、13b對處理槽10供給經加熱之溫藥液。另一方面，若不進行混合閥32中之混合而使純水流動於配管35a時，加熱器33加熱該純水，則自噴嘴管13a、13b對處理槽10供給經加熱之溫純水。本說明書中，將溫藥液及溫純水總稱為「溫處理液」。

又，若打開閥39b，則自純水供給源31供給之純水流動於配管35b，供給至一對淋浴噴嘴14a、14b，自淋浴噴嘴14a、14b之複數個噴出口噴出至處理槽10。另，並不限定於將閥39a與閥39b之任一者擇一性打開，亦可將該等同時打開。

處理液回收部40為用以自處理槽10回收處理液，排出回收之處理液之配管系統。如圖1所示，處理液回收部40具備配管41、42、43與閥44、45。

配管41之前端側連接於外槽12。另一方面，配管42之前端側連接於內槽11之底部。配管41及配管42於該等之基端側合流，連接於配管43。於配管41之路徑中途介插有閥44。於配管42之路徑中途介插有閥45。配管43之基端側連接於設置基板處理裝置1之工廠之排液設備。

此種處理液回收部40中，當打開閥44時，自內槽11溢流並流入至外槽12之處理液回收至配管41，通過配管43向排液設備排出。又，若打開閥45，則儲存於內槽11內之處理液急速排出至配管42，通過配管43向排液設備排出。

腔室50為由氣密性材料構成之殼體。腔室50之內部成為用以進行基板W之處理之處理空間，於處理空間配置有處理槽10。於腔室50之上部，形成有用以搬入或搬出基板W之開口部51。開口部51藉由滑動式蓋部52關閉及打開。打開開口部51時，可經由開口部51搬入搬出基板W，又，關閉開口部51時，可將腔室50內部之處理空間設為與外部隔離之密閉空間。另，滑動式蓋部52藉由圖1中概念性顯示之驅動機構53滑動移動。

於腔室50內部之處理槽10之上方，配置有對腔室50之內部噴出氮氣之一對氮氣噴嘴54a、54b。於各氮氣噴嘴54a、54b形成有複數個噴出口(省略圖示)。因此，當對氮氣噴嘴54a、54b供給氮氣時，氮氣自氮氣噴嘴54a、54b之複數個噴出口向腔室50之內部噴出。又，於腔室50之底部附近，連接有排氣用之配管55。於配管55之路徑中途介插有閥56，配管55之下游側連接於工廠內之排氣設備。因此，藉由打開閥56，可將腔室50內部之氣體經由配管55向排氣設備排出。

氮氣供給部60為用以將惰性氣體即氮氣供給至氮氣噴嘴54a、54b之配管系統。如圖1所示，氮氣供給部60具有氮氣供給源61、配管62及閥63。配管62之基端側連接於氮氣供給源61，於配管62之路徑中途介插有閥63。又，配管62之前端側分支成2條，分別連接於一對氮氣噴嘴54a、54b。因此，當打開閥63時，自氮氣供給源61通過配管62向一對氮氣噴嘴54a、54b供給氮氣，自氮氣噴嘴54a、54b之複數個噴出口向腔室50之內部噴出氮氣。

控制部70控制設置於基板處理裝置1之上述各種動作機構。作為控制部70之硬體之構成與一般之電腦同樣。即，控制部70具備進行各種運算處理之電路即CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)、記憶基本程式之讀取專用之記憶體即ROM(Read-Only Memory：唯讀記憶體)、記憶各種資訊之讀寫自由之記憶體即RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)、及預先記憶控制用軟體或資料等之記憶部(例如磁碟)。控制部70與升降器20之驅動機構22或閥39a、39b等電性連接。

又，於控制部70之記憶部記憶有處理基板W之程序及規定條件之處方(以下，稱為「處理處方」)。處理處方例如藉由裝置之操作員經由後述之輸入部72輸入並記憶於記憶部，而由基板處理裝置1取得。或，亦可將處理處方藉由通信自管理複數個基板處理裝置1之主機電腦交接至基板處理裝置1，記憶於記憶部。控制部70藉由基於存儲於記憶部之處理處方之記述，控制驅動機構22或閥39a、39b等之動作，而如處理處方所記述般進行基板W之表面處理。

又，於控制部70連接有顯示部71及輸入部72。顯示部71及輸入部72作為基板處理裝置1之使用者介面發揮功能。控制部70將各種資訊顯示於顯示部71。基板處理裝置1之操作員可一面確認顯示於顯示部71之資訊，一面自輸入部72輸入各種指令或參數。作為輸入部72，可使用例如鍵盤或滑鼠。作為顯示部71，可使用例如液晶顯示器。本實施形態中，作為顯示部71及輸入部72，採用設置於基板處理裝置1之外壁之液晶之觸控面板，同時具有兩者之功能。

接著，對基板處理裝置1之處理動作進行說明。圖2係顯示第1實施形態之基板處理裝置1之處理程序之流程圖。以下所示之處理程序藉由控制部70控制基板處理裝置1之各動作機構而進行。

首先，於處理槽10儲存溫純水(步驟S10)。具體而言，控制部70於關閉閥38之狀態下，打開閥39a及閥44。藉此，自純水供給源31經由配管36、35a對噴嘴管13a、13b供給純水。又，加熱器33將流動於配管35a之純水加熱。藉此，自噴嘴管13a、13b對處理槽10之內槽11之內部噴出經加熱之溫純水。自噴嘴管13a、13b噴出之溫純水逐漸儲存於內槽11之內部，不久自內槽11之上部向外槽12溢流。圖3係模式性顯示於處理槽10之內槽11儲存有處理液(此處為溫純水)之狀態之圖。

接著，控制部70使驅動機構53動作，使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51。且，藉由裝置外部之搬送機構，自前步驟搬送而來之複數片基板W經由開口部51搬入至腔室50之內部。於腔室50之內部，升降器20於處理槽10之上方10待機，將藉由上述搬送機構搬入至腔室50內之基板W交接至升降器20，載置於升降器20之3根保持棒21上。當基板W之搬入結束時，上述搬送機構自腔室50退出，控制部70再次使蓋部52滑動移動，關閉腔室50之開口部51。藉此，腔室50之內部成為密閉空間。

接著，控制部70使驅動機構22動作，使升降器20下降，將基板W浸漬於儲存在處理槽10內部之溫純水中。該階段中，將基板W藉由升降器20保持於處理槽10內之上側位置(第1高度位置)(步驟S11)。圖4係模式性顯示基板W保持於處理槽10內之上側位置之狀態之圖。「上側位置」係相對高於後述之「下側位置」之位置。自儲存於處理槽10之溫純水之液面至保持於上側位置之基板W之上端之距離即液深d1例如為4 mm。如上所述，本實施形態之處理槽10之深度小於先前以來使用之典型之處理槽，但將基板W保持於上側位置時，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔相同。換言之，「上側位置」係升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔相同之基板W之保持位置。

又，控制部70打開閥63，自氮氣噴嘴54a、54b對腔室50之內部噴出氮氣，且打開閥56，進行自腔室50之排氣。藉此，腔室50內部之處理空間成為氮氣氛圍。此種氮氣之噴出及自腔室50之排氣亦於以下之處理中繼續進行。因此，腔室50內部之處理空間始終為填充有氮氣之狀態。

將基板W保持於處理槽10內之上側位置後，控制部70一面維持閥39a、44之打開狀態，一面打開特定之閥38(打開之閥38亦可為複數個)。藉此，自純水供給源31供給之純水與自特定之藥液供給源37(與打開之閥38對應之藥液供給源37)供給之藥液於混合閥32中以特定之比例混合，產生處理用之藥液。以混合閥32產生之處理用之藥液由加熱器33加熱，作為溫藥液供給至噴嘴管13a、13b。供給之溫藥液自噴嘴管13a、13b噴出至內槽11之內部。

若於處理槽10中儲存有溫純水之狀態下，自噴嘴管13a、13b向斜上方噴出溫藥液，則於處理槽10內形成自下方朝向上方之溫藥液之流動。即，執行溫藥液之上流(步驟S12)。又，隨著自噴嘴管13a、13b噴出溫藥液，儲存於內槽11之溫純水向外槽12溢流，藉由處理液回收部40排液。且，隨著自噴嘴管13a、13b之溫藥液之噴出量增加，儲存於處理槽10內部之溫純水逐漸置換成處理用之藥液，處理槽10內之處理液中之藥液濃度提高。

當執行溫藥液之上流時，基板W之表面暴露於藥液中，進行基板W之表面處理(本實施形態中為蝕刻處理)。此處，本實施形態中，於基板W保持於處理槽10內之上側位置之狀態下，執行溫藥液之上流。若於基板W之保持位置較低，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔狹窄之狀態下進行溫藥液之上流，則有溫藥液之流動產生不均，蝕刻處理之均一性降低之虞。本實施形態中，由於基板W保持於上側位置，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔相同，故溫藥液之流動未產生不均，可維持蝕刻處理之均一性。

又，進行溫藥液之上流時，由於處理液不斷地自內槽11之上端向外槽12溢流，故即使處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d1較短，亦無基板W之上端自處理液之液面露出之虞。

自開始溫藥液之上流後經過特定時間，於處理槽10內之藥液濃度達到特定值之時點，控制部70關閉閥39a及閥38，停止溫藥液之上流(步驟S13)。當溫藥液之上流停止時，亦不產生自內槽11向外槽12之溢流，故閥44亦可關閉。

當溫藥液之上流停止時，變為特定濃度之溫藥液靜止地儲存於處理槽10之內槽11之狀態。此時之溫藥液之溫度為30℃以上85℃以下。且，溫藥液之上流停止後，控制部70使驅動機構22動作，使升降器20下降，使基板W下降至處理槽10內之下側位置(第2高度位置)(步驟S14)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫處理液中之步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置自上側位置下降至下側位置之方式控制升降器20。

圖5係模式性顯示基板W保持於處理槽10內之下側位置之狀態之圖。「下側位置」係相對低於圖4所示之「上側位置」之位置。儲存於處理槽10之溫藥液之液面至保持於下側位置之基板W之上端之距離即液深d2例如為9 mm。基板W保持於下側位置時，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔較先前槽之該間隔短。另，基板W保持於下側位置時之液深d2與先前槽中之液深相等。

若停止處理液供給，且於處理槽10中儲存有溫藥液之狀態下將基板W保持於下側位置，則基板W整體浸漬於溫藥液中，進行浸漬處理(步驟S15)。本實施形態中，進行利用溫藥液之基板W之蝕刻處理。若基板W保持於下側位置，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔窄於先前槽之該間隔時，進行溫藥液之上流，則有溫藥液之流動產生不均，蝕刻處理之均一性降低之虞。但，由於浸漬處理時溫藥液之上流停止，故溫藥液之流動未產生不均，可維持蝕刻處理之均一性。

又，由於浸漬處理時未完成新的溫藥液對處理槽10之供給，另一方面，水分自升溫至30℃以上85℃以下之溫藥液持續蒸發，故儲存於處理槽10之溫藥液之液面位準逐漸降低。假設浸漬處理時，基板W保持於上側位置，液深d1設為4 mm，則有即使溫藥液之液面位準稍微降低，基板W之上端亦自液面露出之虞。如此，蝕刻於自液面露出之部位中停止，因而損害蝕刻處理之面內均一性。本實施形態中，於浸漬處理時，基板W保持於下側位置，液深d2為9 mm，故即使因水分蒸發而使溫藥液之液面位準稍微降低，基板W之上端亦不自溫藥液之液面露出，可維持蝕刻處理之均一性。

於開始浸漬處理後經過特定時間之時點，控制部70使升降器20上升，使基板W再次上升至處理槽10內之上側位置(參照圖4)(步驟S16)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行基板W之清洗處理步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置自下側位置上升至上側位置之方式控制升降器20。

又，控制部70與使基板W上升至上側位置之同時，保持關閉閥38之狀態下打開閥39a及閥44。藉此，自純水供給源31經由配管36、35a對噴嘴管13a、13b供給純水，自噴嘴管13a、13b對處理槽10內噴出純水。此時，不進行加熱器33對純水之加熱。若於處理槽10中儲存有溫藥液之狀態下，自噴嘴管13a、13b向斜上方噴出純水，則於處理槽10內形成自下方朝向上方之純水之流動，執行純水之上流。藉此，進行利用純水之基板W之清洗處理(步驟S17)。

清洗處理時，隨著自噴嘴管13a、13b噴出純水，儲存於內槽11之溫藥液向外槽12溢流，藉由處理液回收部40排液。且，隨著純水自噴嘴管13a、13b之噴出量增加，儲存於處理槽10內部之溫藥液逐漸置換成純水，處理槽10內之處理液中之藥液濃度降低。

又，清洗處理時，藉由比電阻計15測量處理槽10內之處理液之比電阻值。將藉由比電阻計15測定之比電阻值傳遞至控制部70。開始純水之上流，且隨著處理槽10內之純水之純度變高(即，隨著藥液濃度變低)，自比電阻計15取得之比電阻值逐漸變高。控制部70基於比電阻計15之測定結果，監視處理槽10內之置換狀態。若藉由比電阻計15測定之比電阻值超出特定之臨限值，則可視為處理槽10內之處理液自藥液向純水置換。藉由處理槽10內之處理液置換成純水，基板W之蝕刻停止，且藉由純水將蝕刻後之基板W之表面洗淨。

控制部70於檢測出藉由比電阻計15測定之比電阻值超出特定臨限值後經過特定時間之時點，關閉閥39a，且打開閥39b。若關閉閥39a，則停止純水自噴嘴管13a、13b之噴出。另一方面，若打開閥39b，則自純水供給源31經由配管36、35b對淋浴噴嘴14a、14b供給純水，自淋浴噴嘴14a、14b向保持於處理槽10內之上側位置之基板W噴出純水。

接著，控制部70打開閥45。若打開閥45，則儲存於處理槽10之內槽11之純水急速排出。由於隨著急速排水之排出流量明顯多於自淋浴噴嘴14a、14b噴出之純水之流量，故處理槽10內之液面位準亦急速降低。隨著處理槽10內之液面位準降低，基板W自液面露出，自淋浴噴嘴14a、14b對該露出部分供給純水，將基板W洗淨。藉此，進行基板W之淋浴清洗處理(步驟S18)。圖6係模式性顯示進行基板W之淋浴清洗之情況之圖。

特定時間之淋浴清洗處理結束後，控制部70關閉閥39b，停止純水自淋浴噴嘴14a、14b之噴出，且使驅動機構22動作，使升降器20上升，自處理槽10提起基板W(步驟S19)。其後，控制部70使驅動機構53動作，使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51。接著，裝置外部之搬送機構自開口部51進入腔室50內，自升降器20接收處理後之基板W。且，接收到基板W之該搬送機構自腔室50退出，將基板W向後續步驟(例如減壓乾燥步驟)搬送。如上所述，基板處理裝置1之一連串處理結束。

第1實施形態中，於處理槽10內存在基板W之狀態下於處理槽10中進行溫藥液之上流之處理液供給步驟(步驟S12)中，將基板W保持於處理槽10內之上側位置(圖4)。因此，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔相同，處理槽10內之溫藥液之流動未產生不均，可維持蝕刻處理之均一性。

另一方面，於停止處理液供給之狀態下，將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫藥液中之浸漬處理步驟(步驟S15)中，將基板W保持於處理槽10內之下側位置(圖5)。即，浸漬處理步驟時較處理液供給步驟時之基板W之保持位置低。浸漬處理步驟中，由於基板W保持於處理槽10內之下側位置，故於處理中即使因水分蒸發而使溫藥液之液面位準稍微降低，亦無基板W之上端自溫藥液之液面露出之虞。又，浸漬處理步驟中，由於停止處理液自噴嘴管13a、13b之噴出，故不會於處理槽10內形成處理液之流動，即使升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔狹窄，處理液之流動亦未產生不均。

總之，無執行處理液供給之基板W之上端自液面露出之虞之步驟中，將基板W保持於處理槽10內之上側位置，確保升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔為相同程度。且，將基板W保持於處理槽10內之上側位置時之處理槽10中儲存之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d1成為液深之基準值。另一方面，僅於執行使用溫處理液之浸漬處理，即因水分蒸發引起之液面位準之降低而有基板W之上端自液面露出之虞之某步驟時，使基板W下降至處理槽10內之下側位置，使儲存於處理槽10之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d2大於基準值。藉此，可確實防止基板W於利用溫處理液之基板W之浸漬處理中露出。

＜第2實施形態＞ 接著，對本發明之第2實施形態進行說明。第2實施形態之基板處理裝置1之構成與第1實施形態(圖1)相同。第2實施形態中，基板W之處理程序與第1實施形態不同。

圖7係顯示第2實施形態之基板W之處理程序之流程圖。首先，於處理槽10中儲存溫純水(步驟S20)。該處理與第1實施形態(圖2)之步驟S10相同。藉由加熱器33加熱之溫純水自噴嘴管13a、13b噴出，儲存於處理槽10。

接著，第2實施形態中，不將基板W浸漬於處理液中，執行藥液之上流(步驟S21)。即，於處理槽10內不存在基板W之狀態下，控制部70藉由打開閥39a及特定之閥38，而於混合閥32中將藥液與純水以特定之比例混合，產生處理用之藥液。產生之處理用之藥液藉由加熱器33加熱，作為溫藥液供給至噴嘴管13a、13b。供給之溫藥液自噴嘴管13a、13b噴出至不存在基板W之處理槽10之內部。自噴嘴管13a、13b噴出之溫藥液於處理槽10內形成自下方朝向上方之溫藥液之流動。即，進行溫藥液之上流。隨著自噴嘴管13a、13b噴出溫藥液，儲存於處理槽10內部之溫純水逐漸置換成處理用之藥液。

自開始溫藥液之上流後經過特定時間，於處理槽10內之藥液濃度達到特定值之時點，停止溫藥液之上流(步驟S22)。若溫藥液之上流停止，則變為特定濃度之溫藥液靜止地儲存於處理槽10之內槽11之狀態。此時之溫藥液之溫度為30℃以上85℃以下。第2實施形態中，步驟S20～S22之處理成為對基板W進行本處理前之準備處理。

接著，控制部70使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51，裝置外部之搬送機構將複數片基板W搬入至腔室50內。升降器20於處理槽10之上方自該搬送機構接收基板W。當基板W之搬入結束時，上述搬送機構自腔室50退出，控制部70再次使蓋部52滑動移動，關閉腔室50之開口部51。

接著，控制部70使驅動機構22動作，使升降器20下降，將基板W浸漬於儲存在處理槽10內部之溫藥液中。該階段中，基板W藉由升降器20保持於處理槽10內之下側位置(參照圖5)(步驟S23)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫處理液中之步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置成為下側位置之方式控制升降器20。與第1實施形態相同，自儲存於處理槽10之溫藥液之液面至保持於下側位置之基板W之上端之距離即液深d2例如為9 mm。

若停止處理液供給，且於處理槽10儲存有溫藥液之狀態下將基板W保持於下側位置，則基板W整體浸漬於溫藥液中，進行浸漬處理(步驟S24)。第2實施形態中，亦於浸漬處理時進行利用溫藥液之基板W之蝕刻處理。由於浸漬處理時，基板W保持於下側位置，液深d2為9 mm，故即使因水分蒸發而使溫藥液之液面位準稍微降低，基板W之上端亦不自溫藥液之液面露出，可維持蝕刻處理之均一性。

於開始浸漬處理後經過特定時間之時點，控制部70使升降器20上升，使基板W上升至處理槽10內之上側位置(參照圖4)(步驟S25)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行基板W之清洗處理步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置自下側位置上升至上側位置之方式控制升降器20。

又，控制部70與使基板W上升至上側位置之同時，打開閥39a及閥44，自噴嘴管13a、13b對處理槽10內噴出純水。此時，不進行加熱器33對純水之加熱。若於處理槽10中儲存有溫藥液之狀態下，自噴嘴管13a、13b向斜上方噴出純水，則於處理槽10內形成自下方朝向上方之純水之流動，執行純水之上流。藉此，進行利用純水之基板W之清洗處理(步驟S26)。

清洗處理時，隨著自噴嘴管13a、13b噴出純水，儲存於內槽11之溫藥液向外槽12溢流，藉由處理液回收部40排液。且，隨著純水自噴嘴管13a、13b之噴出量增加，儲存於處理槽10內部之溫藥液逐漸置換成純水，處理槽10內之處理液中之藥液濃度降低。隨著處理槽10內之置換進展，自比電阻計15取得之比電阻值逐漸變高。若由比電阻計15測定之比電阻值超出特定之臨限值，則可視為處理槽10內之處理液自藥液向純水置換。

控制部70於檢測出由比電阻計15測定之比電阻值超出特定臨限值後經過特定時間之時點，關閉閥39a，且打開閥39b。若關閉閥39a，則停止純水自噴嘴管13a、13b之噴出。另一方面，若打開閥39b，則自淋浴噴嘴14a、14b向保持於處理槽10內之上側位置之基板W噴出純水。

接著，控制部70打開閥45。若打開閥45，則儲存於處理槽10之內槽11之純水急速排出。由於隨著急速排水之排出流量明顯多於自淋浴噴嘴14a、14b噴出之純水之流量，故處理槽10內之液面位準亦急速降低。隨著處理槽10內之液面位準降低，基板W自液面露出，自淋浴噴嘴14a、14b對該露出部分供給純水，將基板W洗淨。藉此，進行基板W之淋浴清洗處理(步驟S27)。第2實施形態中，步驟S23～S27之處理成為對基板W之本處理。

特定時間之淋浴清洗處理結束後，控制部70關閉閥39b，停止純水自淋浴噴嘴14a、14b之噴出，且使驅動機構22動作，使升降器20上升，自處理槽10提起基板W(步驟S28)。其後，控制部70再次使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51。接著，裝置外部之搬送機構自開口部51進入腔室50內，自升降器20接收處理後之基板W。且，接收到基板W之該搬送機構自腔室50退出，將基板W向後續步驟搬送。

第2實施形態中，亦與第1實施形態同樣，無基板W之上端自液面露出之虞之步驟中，將基板W保持於處理槽10內之上側位置，確保升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔為相同程度。且，將基板W保持於處理槽10內之上側位置時之處理槽10中儲存之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d1成為液深之基準值。另一方面，於執行使用溫處理液之浸漬處理，即因水分蒸發引起之液面位準之降低而有基板W之上端自液面露出之虞之某步驟時，使基板W下降至處理槽10內之下側位置，使儲存於處理槽10之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d2大於基準值。藉此，可確實防止基板W於利用溫處理液之基板W之浸漬處理中露出。

＜第3實施形態＞ 接著，對本發明之第3實施形態進行說明。第3實施形態之基板處理裝置1之構成與第1實施形態(圖1)相同。第3實施形態中，基板W之處理程序與第1實施形態不同。

圖8係顯示第3實施形態之基板W之處理程序之流程圖。首先，於處理槽10中儲存溫純水(步驟S30)。該處理與第1實施形態(圖2)之步驟S10相同。即，控制部70於關閉閥38之狀態下，打開閥39a及閥44。藉此，自純水供給源31經由配管36、35a對噴嘴管13a、13b供給純水。又，加熱器33將流動於配管35a之純水加熱。藉此，自噴嘴管13a、13b對處理槽10之內槽11之內部噴出經加熱之溫純水。自噴嘴管13a、13b噴出之溫純水逐漸儲存於內槽11之內部。溫純水儲存至內槽11之上端後，控制部70關閉閥39a，停止溫純水自噴嘴管13a、13b之供給。藉此，變為溫純水靜止地儲存於處理槽10之狀態。儲存於處理槽10之溫純水之溫度為30℃以上85℃以下。第2實施形態中，步驟S30之處理成為對基板W進行本處理前之準備處理。

接著，控制部70使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51，裝置外部之搬送機構將複數片基板W搬入至腔室50內。升降器20於處理槽10之上方自該搬送機構接收基板W。當基板W之搬入結束時，上述搬送機構自腔室50退出，控制部70再次使蓋部52滑動移動，關閉腔室50之開口部51。

接著，控制部70使驅動機構22動作，使升降器20下降，將基板W浸漬於儲存在處理槽10內部之溫純水中。該階段中，基板W藉由升降器20保持於處理槽10內之下側位置(參照圖5)(步驟S31)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫處理液中之步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置成為下側位置之方式控制升降器20。與第1實施形態相同，儲存於處理槽10之溫純水之液面至保持於下側位置之基板W之上端之距離即液深d2例如為9 mm。

若停止處理液供給，且於處理槽10中儲存有溫純水之狀態下將基板W保持於下側位置，如此則基板W整體浸漬於溫純水中，進行第1次浸漬處理(步驟S32)。第3實施形態中，浸漬處理時將基板W浸漬於溫純水中，但即使為溫純水亦略微進行基板W之蝕刻處理。進行極微量之蝕刻時適於使用此種溫純水之蝕刻處理。由於浸漬處理時將基板W保持於下側位置，液深d2為9 mm，故即使因水分蒸發而使溫藥液之液面位準稍微降低，基板W之上端亦不自溫純水之液面露出。

於開始浸漬處理後經過特定時間之時點，控制部70使升降器20上升，使基板W上升至處理槽10內之上側位置(參照圖4)(步驟S33)。基板W上升至處理槽10內之上側位置後，控制部70於關閉閥38之狀態下打開閥39a及閥44，且加熱器33加熱流動於配管35a之純水。藉此，自噴嘴管13a、13b對處理槽10之內槽11之內部噴出經加熱之溫純水。

若於處理槽10中儲存有溫純水之狀態下，自噴嘴管13a、13b向斜上方噴出溫純水，則於處理槽10內形成自下方朝向上方之溫純水之流動。即，執行溫純水之上流(步驟S34)。若執行溫純水之上流，則基板W之表面暴露於溫純水之流動中。第3實施形態中，於基板W保持於處理槽10內之上側位置之狀態下，執行溫純水之上流。於基板W保持於上側位置之狀態下，升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔相同，故防止溫純水之流動產生不均。

於開始溫純水之上流後經過特定時間之時點，控制部70關閉閥39a，停止溫純水之上流。若溫純水之上流停止，則變為溫純水再次靜止地儲存於處理槽10之狀態。此時之溫純水之溫度為30℃以上85℃以下。且，溫純水之上流停止後，控制部70使驅動機構22動作，使升降器20下降，使基板W下降至處理槽10內之下側位置(步驟S35)。具體而言，控制部70於處理處方之記述中檢測出執行將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫處理液中之步驟之指示時，以處理槽10內之基板W之保持位置自上側位置下降至下側位置之方式控制升降器20。此時，儲存於處理槽10之溫純水之液面至保持於下側位置之基板W之上端之距離即液深d2亦例如為9 mm。

若停止處理液供給，且於處理槽10中儲存有溫純水之狀態下將基板W保持於下側位置，則基板W整體浸漬於溫純水中，進行第2次浸漬處理(步驟S36)。此時，亦藉由溫純水微量地蝕刻基板W。又，第2次浸漬處理時，亦將基板W保持於下側位置，液深d2為9 mm，故即使因水分蒸發而使溫藥液之液面位準稍微降低，基板W之上端亦不自溫純水之液面露出。

於開始第2次浸漬處理後經過特定時間之時點，控制部70使升降器20上升，使基板W上升至處理槽10內之上側位置(步驟S37)。控制部70與使基板W上升至上側位置之同時，打開閥39a及閥44，自噴嘴管13a、13b對處理槽10內噴出純水。此時，不進行加熱器33對純水之加熱。若於處理槽10中儲存有溫純水之狀態下，自噴嘴管13a、13b向斜上方噴出純水，則於處理槽10內形成自下方朝向上方之純水之流動，執行純水之上流。藉此，進行利用純水之基板W之清洗處理(步驟S38)。

清洗處理時，隨著自噴嘴管13a、13b噴出純水，儲存於內槽11之溫純水向外槽12溢流，藉由處理液回收部40排液。控制部70於開始清洗處理後經過特定時間之時點，關閉閥39a且打開閥39b。若關閉閥39a，則停止純水自噴嘴管13a、13b之噴出。另一方面，若打開閥39b，則自淋浴噴嘴14a、14b向保持於處理槽10內之上側位置之基板W噴出純水。

接著，控制部70打開閥45。若打開閥45，則儲存於處理槽10之內槽11之純水急速排出。由於隨著急速排水之排出流量明顯多於自淋浴噴嘴14a、14b噴出之純水之流量，故處理槽10內之液面位準亦急速降低。隨著處理槽10內之液面位準降低，基板W自液面露出，自淋浴噴嘴14a、14b對該露出部分供給純水，將基板W洗淨。藉此，進行基板W之淋浴清洗處理(步驟S39)。第3實施形態中，步驟S31～S39之處理成為對基板W之本處理。

特定時間之淋浴清洗處理結束後，控制部70關閉閥39b，停止純水自淋浴噴嘴14a、14b之噴出，且使驅動機構22動作，使升降器20上升，自處理槽10提起基板W(步驟S40)。其後，控制部70再次使蓋部52滑動移動，打開腔室50之開口部51。接著，裝置外部之搬送機構自開口部51進入腔室50內，自升降器20接收處理後之基板W。且，接收到基板W之該搬送機構自腔室50退出，將基板W向後續步驟搬送。

第3實施形態中，亦與第1實施形態同樣，無基板W之上端自液面露出之虞之步驟中，將基板W保持於處理槽10內之上側位置，確保使升降器20之下端與處理槽10之底面之間隔與先前槽之該間隔為相同程度。且，將基板W保持於處理槽10內之上側位置時之處理槽10中儲存之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d1成為液深之基準值。另一方面，於執行使用溫處理液之浸漬處理，即因水分蒸發引起之液面位準之降低而有基板W之上端自液面露出之虞之某步驟時，使基板W下降至處理槽10內之下側位置，使儲存於處理槽10之處理液之液面至基板W之上端之距離即液深d2大於基準值。藉此，可確實防止基板W於利用溫處理液之基板W之浸漬處理中露出。

又，第1及第2實施形態中，將基板W浸漬於溫藥液中時，基板W保持於處理槽10內之下側位置，但第3實施形態中，將基板W浸漬於溫純水中時，基板W保持於處理槽10內之下側位置。即，將基板W浸漬於儲存在處理槽10之溫處理液中之浸漬處理步驟中，若將基板W保持於處理槽10內之下側位置，則可防止因水分蒸發引起之溫處理液之液面位準降低而使基板W之上端自溫處理液之液面露出。

＜變化例＞ 以上，對本發明之實施形態進行說明，但本發明只要不脫離其主旨，則除上述者以外可進行各種變更。例如，上述實施形態中，基板W保持於上側位置時之液深d1為4 mm，基板W保持於下側位置時之液深d2為9 mm，但並非限定於此，只要液深d2至少大於液深d1即可。藉此，將基板W浸漬於溫處理液中之浸漬處理步驟中，藉由將基板W保持於處理槽10內之下側位置，可防止基板W自處理液露出。

又，上述實施形態中，作為利用處理液之基板W之表面處理，進行蝕刻處理，但並非限定於此，例如亦可藉由處理液進行基板W之洗淨處理。

又，亦可於處理層10設置溫度計，於浸漬處理時，使基板W之保持位置根據溫處理液之溫度而變化。具體而言，浸漬處理時之溫處理液之溫度愈高，水分之蒸發愈旺盛，故控制部70亦可以基板W之保持位置變低之方式控制升降器20。

又，上述實施形態中，處理槽10之槽容量少於先前槽，但於大容量之先前槽中，將基板W浸漬於溫處理液中時，亦可使處理槽內之基板之保持位置下降。

1:基板處理裝置 10:處理槽 11:內槽 12:外槽 13a:噴嘴管 13b:噴嘴管 14a:淋浴噴嘴 14b:淋浴噴嘴 15:比電阻計 20:升降器 21:保持棒 22:驅動機構 30:處理液供給部 31:純水供給源 32:混合閥 33:加熱器 35a:配管 35b:配管 36:配管 37:藥液供給源 38:閥 39a:閥 39b:閥 40:處理液回收部 41:配管 42:配管 43:配管 44:閥 45:閥 50:腔室 51:開口部 52:滑動式蓋部 53:驅動機構 54a:氮氣噴嘴 54b:氮氣噴嘴 55:配管 56:閥 60:氮氣供給部 61:氮氣供給源 62:配管 63:閥 70:控制部 71:顯示部 72:輸入部 AR1:箭頭 d1:液深 d2:液深 S10～S19:步驟 S20～S28:步驟 S30～S40:步驟 W:基板

圖1係顯示本發明之基板處理裝置之構成之圖。 圖2係顯示第1實施形態之基板處理裝置之處理程序之流程圖。 圖3係模式性顯示於處理槽之內槽儲存有處理液之狀態之圖。 圖4係模式性顯示基板保持於處理槽內之上側位置之狀態之圖。 圖5係模式性顯示基板保持於處理槽內之下側位置之狀態之圖。 圖6係模式性顯示進行基板之淋浴清洗之情況之圖。 圖7係顯示第2實施形態之基板之處理程序之流程圖。 圖8係顯示第3實施形態之基板之處理程序之流程圖。

1:基板處理裝置

10:處理槽

11:內槽

12:外槽

13a:噴嘴管

13b:噴嘴管

14a:淋浴噴嘴

14b:淋浴噴嘴

15:比電阻計

20:升降器

21:保持棒

22:驅動機構

30:處理液供給部

31:純水供給源

32:混合閥

33:加熱器

35a:配管

35b:配管

36:配管

37:藥液供給源

38:閥

39a:閥

39b:閥

40:處理液回收部

41:配管

42:配管

43:配管

44:閥

45:閥

50:腔室

51:開口部

52:滑動式蓋部

53:驅動機構

54a:氮氣噴嘴

54b:氮氣噴嘴

55:配管

56:閥

60:氮氣供給部

61:氮氣供給源

62:配管

63:閥

70:控制部

71:顯示部

72:輸入部

AR1:箭頭

W:基板

Claims (12)

1. 一種基板處理方法，其特徵在於，其係於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理方法，且具備： 處理液供給步驟，其在基板存在於儲存有經加熱之處理液之上述處理槽內之第1高度位置且基板浸漬於上述處理液中之狀態下對上述處理槽供給經加熱之處理液，進行上述基板之表面處理； 停止步驟，其停止對上述處理槽之處理液之供給； 下降步驟，其於對上述處理槽之處理液之供給停止之狀態下，使基板自上述處理槽內之第1高度位置向較上述第1高度位置更靠下側位置之第2高度位置下降；及 浸漬處理步驟，其於對上述處理槽之處理液之供給停止之狀態下，使被保持於上述第2高度位置之基板於儲存在上述處理槽之處理液中進行浸漬處理。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中 於上述停止步驟中，於處理液之供給開始後經過特定時間，上述處理槽內之處理液之濃度達到特定值之時點，停止處理液之供給。
3. 如請求項1之基板處理方法，其中 於上述下降步驟中，當在處理處方中檢測出執行上述浸漬處理步驟之指示時，使上述處理槽內之基板之保持位置自上述第1高度位置向上述第2高度位置下降。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中 於上述停止步驟中，基板為浸漬於上述處理液中之狀態。
5. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中 於上述處理液供給步驟中，噴出第1處理液，將儲存於上述處理槽之第2處理液置換成第1處理液。
6. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中 上述停止步驟中之處理液之溫度為30℃以上85℃以下。
7. 一種基板處理裝置，其特徵在於，其係於處理槽內對基板進行利用處理液之表面處理之基板處理裝置，且具備： 處理液供給部，其對上述處理槽供給處理液； 升降部，其使上述處理槽內之基板之保持位置升降；及 控制部，其控制上述升降部之動作；且 上述控制部 在基板存在於儲存有經加熱之處理液之上述處理槽內之第1高度位置且基板浸漬於上述處理液中之狀態下，使經加熱之處理液自上述處理液供給部向上述處理槽供給，進行上述基板之表面處理； 停止自上述處理液供給部向上述處理槽之處理液之供給； 於對上述處理槽之處理液之供給停止之狀態下，藉由上述升降部使基板自上述處理槽內之第1高度位置向較上述第1高度位置更靠下側位置之第2高度位置下降； 於對上述處理槽之處理液之供給停止之狀態下，使被保持於上述第2高度位置之基板於儲存在上述處理槽之處理液中進行浸漬處理。
8. 如請求項7之基板處理裝置，其中 上述控制部於來自上述處理液供給部之處理液之供給開始後經過特定時間，上述處理槽內之處理液之濃度達到特定值之時點，停止處理液之供給。
9. 如請求項7之基板處理裝置，其中 當在處理處方中檢測出執行上述浸漬處理之指示時，上述控制部以上述處理槽內之基板之保持位置自上述第1高度位置向上述第2高度位置下降之方式控制上述升降部。
10. 如請求項7至9中任一項之基板處理裝置，其中 於上述控制部使自上述處理液供給部向上述處理槽之處理液之供給停止時，基板為浸漬於處理液中之狀態。
11. 如請求項7至9中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理液供給部噴出第1處理液，將儲存於上述處理槽之第2處理液置換成第1處理液。
12. 如請求項7至9中任一項之基板處理裝置，其中 於上述控制部使自上述處理液供給部向上述處理槽之處理液之供給停止時，處理液之溫度為30℃以上85℃以下。