[go: up one dir, main page]

TWI898162B - 規制對容器內部進行清洗的方法和裝置 - Google Patents

規制對容器內部進行清洗的方法和裝置

Info

Publication number
TWI898162B
TWI898162B TW111140798A TW111140798A TWI898162B TW I898162 B TWI898162 B TW I898162B TW 111140798 A TW111140798 A TW 111140798A TW 111140798 A TW111140798 A TW 111140798A TW I898162 B TWI898162 B TW I898162B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow
cleaning
gas
substrate container
gas distribution
Prior art date
Application number
TW111140798A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202333266A (zh
Inventor
馬修 A 富勒
馬克 V 史密斯
尚恩 D 艾格恩
湯姆斯 H 威爾基
寇頓 J 哈爾
麥克 C 瑞卡
Original Assignee
美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 filed Critical 美商恩特葛瑞斯股份有限公司
Publication of TW202333266A publication Critical patent/TW202333266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI898162B publication Critical patent/TWI898162B/zh

Links

Classifications

    • H10P72/3218
    • H10P72/0402
    • H10P72/0604
    • H10P72/1926
    • H10P72/3302

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Vacuum Packaging (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)

Abstract

基板容器包含清洗流分配系統。該清洗流分配系統可將一或多個清洗氣體輸入流劃分至氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面。控制清洗之方法可包含組態該等基板容器以在該等氣體分配表面之各者處提供經判定之清洗氣體流速。該組態可使用該等清洗流分配系統之流量控件來執行。該等清洗氣體流速可基於清洗效能參數來判定。一控制器可指導該等清洗流分配系統之操作。該控制器及該基板容器可組合在一基板容器清洗系統中。

Description

規制對容器內部進行清洗的方法和裝置
本發明係關於用於控制對一容器內部進行清洗,特定言之對一晶圓容器內部提供可控清洗流之方法及系統。
可加工呈晶圓之形式之基板以形成半導體裝置。晶圓基板,或簡稱基板,經歷一系列程序步驟。例示性程序步驟可包含(但不限於)材料層沈積、摻雜、蝕刻或使基板之材料發生化學或物理反應。一基板容器用於在製造設施內之程序步驟之間儲存及運輸加工中之晶圓。在一些程序步驟期間,在一清潔環境(例如一無塵室)內藉由處理設備處理基板。在處理期間,例如在清洗程序期間,氣體必須經引入基板容器及自基板容器(諸如一前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod;FOUP))移除,因此要求FOUP具有氣體可進入或離開FOUP之一或多個位置。基板可透過一設備前端模組(EFEM)自基板容器轉移至處理工具。EFEM通常包含用於接收基板容器之一裝載埠、一傳送單元、一框架或「迷你環境」及用於在EFEM內產生氣流之一風扇過濾器單元。
在使用中,基板容器停靠在一裝載埠上,且基板容器之門打開以允許接取其內之基板。接下來,門自基板容器脫離,其容許容納在EFEM內之傳送單元接取容納在基板容器內之基板用於處理。由風扇過濾器單元引入之一氣流在自EFEM之一頂部至EFEM之一底部之一方向上流過EFEM。當基板容器之前開口與EFEM之裝載埠開口介接時,流過EFEM並穿過裝載埠開口之一些氣體可無意地經引入容器之內部中,從而藉由暫時引起基板容器之微環境內相對濕度及/或氧氣位準之一增加而潛在地干擾基板容器之清洗能力,其可為不期望的。
清洗氣體可用於移除或防止污染物進入基板容器內之空間中。清洗氣體通常藉由為各埠提供之一擴散塔來提供,該埠經組態以接收清洗氣體,基於向埠之清洗氣體供應來提供一標準流速。
本發明係關於用於控制對一容器內部進行清洗,特定言之對一晶圓容器內部提供可控清洗流之方法及系統。
在實施例中,可控制清洗氣體在一基板容器內之分配,使得能改良該基板容器之清洗。可使用流量控件(諸如閥)來控制分配。來自成一網路之多個氣體分配裝置之流可提供經改良清洗流,從而改良自基板容器移除不期望污染物,諸如濕氣或微粒。此可減少包含基板容器之程序之損失並提高產量。
在一實施例中,一種控制清洗氣體流進入一基板容器中之方法包含基於一或多個清洗效能參數來判定該基板容器之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之各者之清洗氣體流速。該方法進一步包含組態該基板容器之一清洗流分配系統以劃分一或多個輸入流,使得該等經判定之清洗氣體流速經提供至該複數個氣體分配表面之各者。
在一實施例中,該清洗流分配系統包含複數個流動路徑,各流動路徑經組態以允許清洗氣體流向該複數個氣體分配表面之一者,該等流動路徑經組態使得當提供該清洗氣體之一預定輸入時,該複數個氣體分配表面之各者提供該等經判定之清洗氣體流速。
在一實施例中,該基板容器包括包含於該清洗流分配系統中之一或多個流量控件,該一或多個流量控件經組態以將清洗氣體引導至該複數個氣體分配表面之各者,該方法進一步包括調整該一或多個流量控件以控制該清洗氣體至該複數個氣體分配表面之流量。
在一實施例中,該一或多個流量控件包含一閥。
在一實施例中,該一或多個流量控件包含一流量限制器。
在一實施例中,對於該複數個氣體分配表面之各者,該等經判定之清洗氣體流速不同。
在一實施例中,判定該等清洗氣體流速係在基板位於該基板容器中期間執行。
在一實施例中,判定該等清洗氣體流速係回應於該基板容器之一操作狀態之一變化來執行。
在一實施例中,判定該等清洗氣體流速係回應於該一或多個清洗效能參數之至少一者之一變化而執行。
在一實施例中,一基板容器包含界定一內部空間之一殼體、位於該內部空間內之複數個氣體分配表面、經組態以接收一清洗氣體之一清洗氣體入口及一清洗流分配系統。該清洗流分配系統連接至該清洗氣體入口。該清洗流分配系統包含:複數個流動路徑,各流動路徑經組態以向該複數個氣體分配表面之一者提供該清洗氣體;及一或多個流量控件,該一或多個流量控件之各者經組態以影響通過該複數個流動路徑之至少一者之流量。
在一實施例中,該一或多個流量控件包含一閥。在一實施例中,該閥係一針狀閥、一球狀閥或一蝶狀閥之一者。
在一實施例中,該一或多個流量控件包含一流量限制器。
在一實施例中,一基板容器清洗系統包含如本文中所描述之一基板容器及一控制器,該控制器經組態以調整該一或多個流量控件之至少一者,使得該複數個氣體分配表面提供目標清洗氣體流速。
在一實施例中,該控制器進一步經組態以基於一或多個清洗效能參數來判定該等目標清洗氣體流速。
在一實施例中,該控制器經組態以在基板位於該基板容器中期間判定該等目標清洗氣體流速。在一實施例中,該控制器經組態以回應於該基板容器之一操作狀態之一變化來判定該等目標清洗氣體流速。在一實施例中,判定該等目標清洗氣體流速係回應於該等一或多個清洗效能參數之至少一者之一變化來執行。
在一實施例中,該控制器經組態以接收該等目標清洗氣體流速。
在一實施例中,該基板容器清洗系統進一步包含經組態以量測一或多個清洗效能參數之一或多個感測器。
優先權
本發明主張申請日期為2021年10月27日之美國臨時專利申請案第63/272,281號之優先權。該優先權檔以引用的方式併入本文中。
本發明係關於用於控制對一容器內部進行清洗,特定言之對一晶圓容器內部提供可控清洗流之方法及系統。
圖1A展示根據一實施例之一基板容器。基板容器100包含容器主體102、載板104及清洗流分配系統基座106。
基板容器100係一種經組態以容納一或多個基板用於運輸、儲存及/或處理彼等基板之容器。包含於基板容器100中之基板可為(例如)半導體基板,諸如晶圓。基板容器可為用於基板之任何合適容器,諸如一前開式晶圓傳送盒(FOUP)。在一實施例中,基板容器可為用於一光罩之一容器,諸如一光罩盒。在此一實施例中,容器主體102可經包含作為經組態以容納一內盒之一外盒之至少部分,其中包含流量分配系統基座106之流量分配系統經組態以對外盒之一內部空間提供清洗氣體。
容器主體102界定能夠容納一或多個基板(諸如用於處理之晶圓)之一內部空間(展示於圖1B中)。一前開口(展示於圖1B中)可允許基板插入容器主體102中或自容器主體102移除。載板104可提供容器主體102可附接至其之一基座。
清洗流分配系統基座106可包含於基板容器100中。清洗流分配系統基座106可為經組態以將清洗流分配至氣體分配裝置之一網路之一清洗流分配系統之部分。清洗流可為不污染容器主體102內之環境之任何合適氣體。清洗流氣體之非限制性實例可為氮氣、清潔乾燥空氣(CDA)或其類似者。清洗流分配系統基座106可包含複數個流量控件108。流量控件108經組態以控制可經提供至包含於基板容器100中之複數個氣體分配裝置(諸如圖1B中所展示之氣體分配裝置112)之各者之清洗流量。流量控件108可經控制以在包含於基板容器100中提供之氣體分配裝置之一網路中之複數個氣體分配表面之各者處提供經判定流速之清洗氣體。清洗流分配系統基座106經組態以接收一清洗氣體流且將該流劃分至氣體分配裝置之網路之氣體分配表面。在一實施例中,清洗流分配系統基座106之一部分可位於容器主體102內。在一實施例中,清洗流分配系統基座106可定位成相鄰於容器主體102。在一實施例中,清洗流分配系統基座106可至少部分安置於容器主體102與載板104之間。
圖1B展示圖1A之基板容器100之另一透視圖。在圖1B之透視圖中,容器主體102之內部空間110係可見的。在內部空間110中,可見一氣體分配裝置112。氣體分配裝置112包含氣體分配表面114。
內部空間110係經組態以容納一或多個基板(諸如半導體晶圓)之容器主體102之一內部空間。內部空間110由容器主體102界定。氣體分配裝置112分佈在內部空間110周圍。在圖1B之視圖中,可見之氣體分配裝置112位於內部空間110內之容器主體102之一側壁上。在實施例中,包含複數個氣體分配裝置112之一網路設置於基板容器100中。額外氣體分配裝置可位於(例如)與包含圖1中所展示之氣體分配裝置112之側壁相對之側壁上,沿內部空間110之頂部,作為延伸至內部空間110中之擴散塔,或允許氣體分配裝置112向內部空間110提供清洗氣體而不干擾在內部空間110內儲存基板之能力之任何其他合適位置。氣體分配裝置112包含沿氣體分配裝置112分佈之氣體分配表面114。在圖1B中所展示之實施例中,氣體分配裝置包含多個氣體分配表面114。在一實施例中,氣體分配裝置112之一或多者可包含一單一氣體分配表面114。
圖2A展示根據一實施例之一清洗流分配系統之一示意圖。清洗流分配系統200包含複數個氣體分配裝置202a、202b、202c、202d及202e。清洗流分配系統200包含清洗流分配系統基座204。提供閥206來控制清洗氣體自清洗流分配系統基座204流入流體管線208a、208b、208c及至氣體分配裝置202d及202e。
氣體分配裝置202a至202e係各經組態以接收一清洗流之一部分並將該流分配至其中設置氣體分配裝置202a至202e之一基板容器(諸如上文所描述及圖1A及圖1B中所展示之基板容器100)之一內部空間之裝置。氣體分配裝置202a至202e可各包含至少一個氣體分配表面。氣體分配裝置202a至202e可各包含(例如)連接至複數個氣體分配表面之一歧管、一擴散塔、經組態以將流引導至一氣體分配表面之一流動通道或其類似者。在一實施例中,氣體分配裝置202a至202e可分佈在界定於一光罩盒內之一內部空間中,例如在一光罩盒之一外部盒內。
氣體分配裝置202a可為位於或靠近包含清洗流分配系統200之一基板容器之一內部空間之一天花板之一裝置。氣體分配裝置202b及氣體分配裝置202c可各為(例如)沿包含清洗流分配系統200之基板容器之內部空間之側壁設置之氣體分配裝置,諸如如上文所描述且在圖1A及圖1B中展示之氣體分配裝置112。氣體分配裝置202b及202c可向設置於各各自氣體分配裝置上之氣體分配表面提供流動路徑。
氣體分配裝置202d及202e為擴散塔,其設置趨近於包含清洗流分配系統200之基板容器(諸如如上文所描述及圖1A及圖1B中所展示之基板容器100)之一內部空間之一後部。擴散塔可為(例如)一多孔材料之管,其經組態以允許清洗氣體自氣體分配裝置202d及202e擴散出來進入基板容器之內部空間中。
清洗流分配系統基座204經配置以接收一清洗氣體流且在氣體分配裝置202a至202e之間分配清洗氣體流。清洗氣體流可為用於清洗基板容器之任何合適清洗氣體,諸如氮氣、CDA或其類似者。清洗氣體流可自一清洗氣體源供應,諸如設置於與基板容器一起使用之一工具上之一埠或管線。清洗流分配系統基座204可包含流量控件206以控制清洗氣體流之分配。流量控件206設置於清洗流分配系統基座204中,使得流量控件206之至少一者可用於控制至氣體分配裝置202a至202e之各者之流量。清洗流分配系統基座204在圖2B及圖2C中詳細展示且在下文進一步詳細描述。流量控件206可為用於調整向氣體分配裝置202a至202e之各自者之流量之任何合適流量控件。作為一非限制性實例,流量控件206可為閥,諸如針狀閥、蝶狀閥、球狀閥或其類似者。在一實施例中,流量控件206之各者獨立可控。在一實施例中,流量控件206之各者經致動,使得其可自動回應於一命令,例如來自一控制器之一信號。在一實施例中,流量控件206之各者可人工調整。在一實施例中,當使用包含清洗流分配系統200之基板容器時,例如在基板容器之一內部空間內處理、運輸或儲存基板容器期間,可調整流量控件206。
圖2B展示根據圖2A中之示意圖之一清洗流分配系統。清洗流分配系統200包含清洗流分配系統基座204及流量控件206。清洗流分配系統200進一步包含擴散塔208。如圖2B中所展示之清洗流分配系統200進一步包含連接器210a至210c。連接器210a經組態以將透過清洗流分配系統基座204選路輸送之清洗氣體提供至氣體分配裝置202a。連接器210b經組態以將透過清洗流分配系統基座204選路輸送之清洗氣體提供至氣體分配裝置202b。連接器210c經組態以將透過清洗流分配系統基座204選路輸送之清洗氣體提供至氣體分配裝置202c。擴散塔208係圖2B中所展示之實施例中之氣體分配裝置202d及202e。擴散塔208係具有封閉端之多孔材料管,經組態以向包含清洗流分配系統200之基板容器之一內部供應清洗氣體。在圖2B中所展示之實施例中,流量控件206其中之兩者控制至連接器210a之流量,流量控件206其中之一者控制至連接器210b之流量,流量控件206其中之一者控制至連接器210c之流量,且流量控件206其中之一者控制至擴散塔208之流量。
圖2C展示圖2B之清洗流分配系統之清洗流分配基座之一截面圖。清洗流分配基座204包含一第一通道212、一第二通道214、第一閥孔216、第二閥孔218及第三閥孔220。
第一通道212可接收來自一入口(未展示)之一清洗氣體流,自圖2C之視角來看,該入口可位於清洗流分配基座之一相對側上。第一通道212經組態以基於流量控件(諸如上文所描述及圖2A及圖2B中所展示之流量控件206)之狀態,將清洗氣體流輸送通過第一通道212之至少一部分。第一通道212可提供至第二通道214及至氣體分配裝置202a至202c之流動路徑,其中此等流動路徑由如上文所討論及圖2A及圖2B中所展示之流量控件206控制。流量控件206可為安置於第一閥孔216、第二閥孔218及第三閥孔220中之閥。第一閥孔216可容納一閥或經組態以控制第一通道212與第二通道214之間的流量之其他流量控件206。第二通道214可接收來自第一閥孔216之清洗氣體且提供將清洗氣體引導至第二通道端222之一流動路徑。第二通道端222可為其中氣體分配裝置202d及202e (諸如擴散塔208)接收待分配至基板容器之內部空間中之清洗氣體之位置。第二閥孔218可各容納一閥或其他流量控件206,其經組態以自第一通道212接收至少一些流量且選擇性地將清洗氣體引導至氣體分配裝置202b或202c之一者,例如經由連接器210b或210c之一者。儘管在圖2C之視圖中一個第二閥孔218係可見,但應理解,另一第二閥孔218可設置於圖2C中所展示之清洗流分配基座204之一相對側上。第三閥孔220可各容納一閥或其他流量控件206,其經組態以控制通過第一通道212至第一通道端224之流量。在第一通道端224之各者處,流動氣體可通向如圖2B中所展示之連接器210a且接著通向氣體分配裝置202a。
圖2D展示經組態以與圖2C之清洗流分配基座一起使用之一閥。閥226可插入至第一閥孔216、第二閥孔218或第三閥孔220之一者中,如圖2C中所展示。在圖2D中展示之實施例中,當插入至閥孔216、218、220之一者中時,閥226形成一針狀閥,以提供上文所描述及圖2A及圖2B中所展示之流量控件206之一者。閥226可包含接合端228、針狀端230及孔接合主體232。當閥226插入閥孔216、218、220之一者中時,接合端228可設置在氣體分配系統基座204之外部。接合端228可包含允許閥接合之特徵,使得可操縱閥,諸如圖2D中所展示之六邊形面。在一實施例中,接合端228可由一使用者接合用於人工操縱閥226。在一實施例中,接合端228可藉由自動化接合以自動操縱閥226,例如回應於來自一控制器(諸如圖4中所展示及下文描述之控制器404)之信號。在一實施例中,代替接合端228,一致動器可設置於閥226中,允許自動控制閥226之位置。致動器可經組態以回應來自一控制器(諸如圖4中所展示及下文描述之控制器404)之信號。針狀端230經組態使得可基於其位置來控制流動。孔接合主體232允許閥226保持在閥孔216、218、220之一者中,使得閥226經牢固保持,同時保持能夠被操縱。
圖3展示用於控制進入一基板容器內部之清洗氣體流之一方法之一流程圖。方法300包含獲得一或多個清洗效能參數302。方法300進一步包含判定基板容器之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之各者之清洗氣體流速304。方法300亦包含組態基板容器之一清洗流分配系統以劃分一或多個輸入流,使得經判定之清洗氣體流速經提供至複數個氣體分配表面之各者306。
在302處獲得清洗效能參數。清洗效能參數可為反映基板容器之清洗有效性之任何合適參數,諸如離開基板容器之氣體之流速或速度、經處理基板之產量、基板容器內、處或附近之一或多個位置處之壓力或污染物之偵測,諸如除氣、懸浮微粒、相對濕度、離子污染物、氧氣或揮發性有機化合物(VOC)。基板容器可為任何合適容器,例如一FOUP、一光罩盒或其類似者。清洗效能參數可(例如)透過感測器偵測、對基板之分析、狀況模型化或判定在302處獲得之特定清洗效能參數之任何其他合適方法獲得。在一實施例中,在302處獲得一單一清洗效能參數。在一實施例中,可在302處獲得多個清洗效能參數。
在304處判定清洗氣體流速。可在302處基於一或多個清洗效能參數判定清洗氣體流速。可基於流速對清洗效能參數之影響來選擇清洗氣體流速,例如以改良及/或最佳化清洗效能參數。在一實施例中,可基於使用基板容器之一程序來選擇清洗氣體流速,諸如在容器內之基板上執行之一特定程序之清洗氣體流速。在一實施例中,為包含於基板容器中之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之各者判定清洗氣體流速。在一實施例中,清洗氣體流速可基於一或多個清洗效能參數之模型化。例如,基板容器內之流量、相對濕度值、氧濃度及/或壓力之模型化、除氣速率之模型或其類似者。在一實施例中,清洗氣體流速可基於關於一或多個清洗效能參數之歷史及/或實驗資料來判定,諸如將產品產量及/或基板容器內之濕度與特定清洗氣體流速相關聯之資料、關於除氣及/或微粒之速率之歷史資料或其類似者。在一實施例中,當判定清洗氣體流速時,可考慮基板容器在一工具或庫存系統或其類似者中佔據之位置。在一實施例中,可在包含基板容器之一程序中判定清洗氣體流速。例如,可回應於程序期間一或多個清洗效能參數之一當前狀態來判定清洗氣體流速,諸如基板容器內之壓力或濕度值、基板容器內或離開基板容器之流速或其類似者。
基板容器之一清洗流分配系統經配置以劃分一或多個輸入流,使得將經判定之清洗氣體流速提供至複數個氣體分配表面之各者306。在306處之清洗流分配系統之組態可藉由控制清洗流分配系統之一或多個流量控件來完成以改變至包含於其中之氣體分配裝置之一或多者之流量。流量控件之控制可為(例如)流量控件之一自動致動。在一實施例中,自動致動可由包含於清洗流分配系統中之致動器來執行。在一實施例中,自動致動可由基板容器外部之致動器執行,該致動器與基板容器之流量控件之特徵接合。作為非限制性實例,基板容器外部之致動器可包含於一工具或庫存系統中,基板容器與該工具或庫存系統一起使用或保持在其中,或作為一單獨自動化系統提供。在一實施例中,流量控件之控制可提供關於如何調整流量控件之一通知,例如藉由一技術人員人工操作流量控件。在一實施例中,方法300可在清洗流分配系統之組態之後重複,獲得一或多個清洗效能參數302及在304處判定清洗氣體流速,且若要對輸入流之劃分進行進一步改變,則進一步組態清洗流分配系統306。在一實施例中,方法300持續執行。在一實施例中,方法300根據一排程反覆運算。在一實施例中,方法300回應於一事件而執行,諸如清洗效能參數之值超過預定臨限值。
圖4展示根據一實施例之一基板容器清洗系統。基板容器清洗系統400包含基板容器402及控制器404。可選地,基板容器清洗系統400可進一步包含工具406,包含清洗氣體供應408。可選地,感測器410可包含於基板容器清洗系統400中。
基板容器402可為包含一清洗流分配系統之任何基板容器,諸如上文所描述及圖1A及圖1B中所展示之基板容器100。在一實施例中,基板容器402係一FOUP。在一實施例中,基板容器402係一光罩盒。基板容器402之清洗流分配系統可在基板容器402中之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之間分配一清洗氣體流,諸如來自清洗氣體供應408。在圖4中所展示之實施例中,包含於基板容器402中之清洗流分配系統之流量控件可自動致動,使得流量控件可由來自控制器404之信號控制。
控制器404可操作地連接至基板容器402中包含之流量控件。可操作地連接至基板容器意謂控制器404經連接,使得其可與基板容器402之流量控件通信,以至少向流量控件發送命令信號。連接可為有線或無線。在一實施例中,控制器404可包含於基板容器402上。在一實施例中,控制器404可與基板容器402分離。在一實施例中,控制器404可包含於工具406中。在一實施例中,控制器404可包含於一控制單元(未展示)中。在一實施例中,控制器404可經組態以接收來自感測器410之信號。感測器410可透過有線或無線方式連接至控制器404。控制器404可經組態以控制基板容器402之清洗流分配系統以提供經判定之清洗流氣體速率。在一實施例中,控制器404可判定清洗氣體流速且控制基板容器402之清洗流分配系統以實施如上文所描述及圖3中所展示之方法300。在一實施例中,控制器404可經組態以在基板容器402中執行或使用基板容器402之一程序期間判定清洗氣體流速及將控制信號發送至基板容器402。
工具406可為用於處理或儲存包含於基板容器402內之基板之任何合適工具。在一實施例中,控制器404可包含於工具406中或工具406上。在一實施例中,控制器404與工具406分離。在一實施例中,工具406可為一設備前端模組(EFEM)且基板容器在一裝載埠處與工具406介接。在一實施例中,工具406可為用於儲存包含基板容器402之基板容器之一儲料器。該儲料器可經組態以儲存任何合適基板容器,諸如FOUP、光罩盒或其類似者。在一實施例中,當基板容器402係一光罩盒時,工具406可為一光罩處理工具。工具406可包含清洗氣體供應408。清洗氣體供應408經組態以向基板容器402提供一清洗氣體流。清洗氣體供應408可(例如)由一裝載埠與基板容器402介接。清洗氣體供應408可向基板容器402提供任何合適清洗氣體,例如氮氣、CDA或其類似者。
感測器410可包含於系統400中。在一實施例中,感測器410可為能夠偵測一或多個清洗效能參數(例如,壓力、相對濕度、微粒之存在及/或量、揮發性有機化合物之存在及/或量、基板容器內或離開基板容器之流速及/或速率或其類似者)之任何合適感測器。感測器410可連接至控制器404,使得感測器410可向控制器404提供指示一或多個清洗效能參數之信號。在一實施例中,感測器410可經組態以在基板容器402內發生或使用基板容器402之一程序期間量測一或多個清洗效能參數。在一實施例中,感測器410可即時向控制器404提供關於一或多個清洗效能參數之資訊。在一實施例中,感測器410可包含於系統400中或在附近之任何合適位置,例如包含於工具406、基板容器402中、基板容器402附近及其類似者。
態樣:
應理解,態樣1至9之任何者可與態樣10至20之任何者組合。
態樣1.一種控制清洗氣體流入一基板容器之方法,其包括: 基於一或多個清洗效能參數,判定該基板容器之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之各者之清洗氣體流速;及 組態該基板容器之一清洗流分配系統以劃分一或多個輸入流,使得該等經判定之清洗氣體流速經提供至該複數個氣體分配表面之各者。
態樣2.如態樣1之方法,其中該清洗流分配系統包含複數個流動路徑,各流動路徑經組態以允許清洗氣體流動至該複數個氣體分配表面之一者,該等流動路徑經組態使得當提供該清洗氣體之一預定輸入時,該複數個氣體分配表面之各者提供該等經判定之清洗氣體流速。
態樣3.如態樣1至2中任一態樣之方法,其中該基板容器包括包含於該清洗流分配系統中之一或多個流量控件,該一或多個流量控件經組態以將清洗氣體引導至該複數個氣體分配表面之各者,該方法進一步包括調整該一或多個流量控件以控制該清洗氣體至該複數個氣體分配表面之流量。
態樣4.如態樣3之方法,其中該一或多個流量控件包含一閥。
態樣5.如態樣3至4中任一態樣之方法,其中該一或多個流量控件包含一流量限制器。
態樣6.如態樣1至5中任一態樣之方法,其中對於該複數個氣體分配表面之各者,該等經判定之清洗氣體流速不同。
態樣7.如態樣1至6中任一態樣之方法,其中判定該等清洗氣體流速在基板位於該基板容器中期間執行。
態樣8.如態樣1至7中任一態樣之方法,其中判定該等清洗氣體流速回應於該基板容器之一操作狀態之一變化來執行。
態樣9.如態樣1至8中任一態樣之方法,其中判定該等清洗氣體流速回應於該一或多個清洗效能參數之至少一者之一變化而執行。
態樣10.一種基板容器,其包括: 一殼體,其界定一內部空間; 複數個氣體分配表面,其位於該內部空間內; 一清洗氣體入口,其經組態以接收一清洗氣體; 一清洗流分配系統,其連接至該清洗氣體入口,該清洗流分配系統包含: 複數個流動路徑,各流動路徑經組態以向該複數個氣體分配表面之一者提供該清洗氣體;及 一或多個流量控件,該一或多個流量控件之各者經組態以影響通過該複數個流動路徑之至少一者之流量。
態樣11.如態樣10之基板容器,其中該一或多個流量控件包含一閥。
態樣12.如態樣11之基板容器,其中該閥係一針狀閥、一球狀閥或一蝶狀閥之一者。
態樣13.如態樣10至12中任一態樣之基板容器,其中該一或多個流量控件包含一流量限制器。
態樣14.一種基板容器清洗系統,其包括如態樣10至13中任一態樣之基板容器及一控制器,該控制器經組態以調整該一或多個流量控件之至少一者,使得該複數個氣體分配表面提供目標清洗氣體流速。
態樣15.如態樣14之基板容器清洗系統,其中該控制器進一步經組態以基於一或多個清洗效能參數來判定該等目標清洗氣體流速。
態樣16.如態樣15之基板容器清洗系統,其中該控制器經組態以在基板位於該基板容器中期間判定該等目標清洗氣體流速。
態樣17.如態樣15至16中任一態樣之基板容器清洗系統,其中該控制器經組態以回應於該基板容器之一操作狀態之一變化來判定該等目標清洗氣體流速。
態樣18.如態樣15至17中任一態樣之基板容器清洗系統,其中判定該等目標清洗氣體流速回應於該等一或多個清洗效能參數之至少一者之一變化來執行。
態樣19.如態樣14至18中任一態樣之基板容器清洗系統,其中該控制器經組態以接收該等目標清洗氣體流速。
態樣20.如態樣14至19中任一態樣之基板容器清洗系統,其進一步包括經組態以量測一或多個清洗效能參數之一或多個感測器。
本申請案中揭示之實例在所有方面應視為繪示性,而非限制性。本發明之範疇由隨附申請專利範圍而非前面描述來指示;且在申請專利範圍之等效物之含義及範圍內之所有變化包含於其中。
100:基板容器 102:容器主體 104:載板 106:清洗流分配系統基座 108:流量控件 110:內部空間 112:氣體分配裝置 114:氣體分配表面 200:清洗流分配系統 202a:氣體分配裝置 202b:氣體分配裝置 202c:氣體分配裝置 202d:氣體分配裝置 202e:氣體分配裝置 204:清洗流分配系統基座 206:閥 208:擴散塔 210a:連接器 210b:連接器 210c:連接器 212:第一通道 214:第二通道 216:第一閥孔 218:第二閥孔 220:第三閥孔 222:第二通道端 226:閥 228:接合端 230:針狀端 232:孔接合主體 300:方法 302:獲得一或多個清洗效能參數 304:判定基板容器之氣體分配裝置之一網路之複數個氣體分配表面之各者之清洗氣體流速 306:組態基板容器之一清洗流分配系統以劃分一或多個輸入流,使得經判定清洗氣體流速經提供至複數個氣體分配表面之各者 400:基板容器清洗系統 402:基板容器 404:控制器 406:工具 408:清洗氣體供應
圖1A展示根據一實施例之一基板容器之一透視圖。
圖1B展示圖1A之基板容器之另一透視圖。
圖2A展示根據一實施例之一清洗流分配系統之一示意圖。
圖2B展示根據圖2A中之示意圖之一清洗流分配系統。
圖2C展示圖2B之清洗流分配系統之清洗流分配基座之一截面圖。
圖2D展示經組態以與圖2C之清洗流分配基座一起使用之一閥。
圖3展示用於控制清洗氣體流入一基板容器之一方法之一流程圖。
圖4展示根據一實施例之一基板容器清洗系統。
100:基板容器
102:容器主體
104:載板
106:清洗流分配系統基座
108:流量控件

Claims (10)

  1. 一種控制清洗氣體流入一基板容器之方法,該基板容器包含具有複數個氣體分配表面之氣體分配裝置之一網路,其包括:基於一或多個清洗效能參數,判定該基板容器之該等氣體分配裝置之該網路之該複數個氣體分配表面之各者之清洗氣體流速;及組態該基板容器之一清洗流分配系統以劃分一或多個輸入流,使得該等經判定之清洗氣體流速經提供至該複數個氣體分配表面之各者。
  2. 如請求項1之方法,其中該清洗流分配系統包含複數個流動路徑,各流動路徑經組態以允許清洗氣體流動至該複數個氣體分配表面之一者,該等流動路徑經組態使得當提供該清洗氣體之一預定輸入時,該複數個氣體分配表面之各者提供該等經判定之清洗氣體流速。
  3. 如請求項1之方法,其中該基板容器包括包含於該清洗流分配系統中之一或多個流量控件,該一或多個流量控件經組態以將清洗氣體引導至該複數個氣體分配表面之各者,該方法進一步包括調整該一或多個流量控件以控制該清洗氣體至該複數個氣體分配表面之流量。
  4. 如請求項1之方法,其中判定該清洗氣體流速在基板位於該基板容器中期間執行。
  5. 如請求項1之方法,其中判定該清洗氣體流速回應於該基板容器之一 操作狀態之一變化來執行。
  6. 一種基板容器,其包括:一殼體,其界定一內部空間;複數個氣體分配表面,其位於該內部空間內;一清洗氣體入口,其經組態以接收一清洗氣體;一清洗流分配系統,其連接至該清洗氣體入口,該清洗流分配系統包含:複數個流動路徑,各流動路徑經組態以向該複數個氣體分配表面之一者提供該清洗氣體;及一或多個流量控件,該一或多個流量控件之各者經組態以影響通過該複數個流動路徑之至少一者之流量。
  7. 一種基板容器清洗系統,其包括如請求項6之該基板容器及一控制器,該控制器經組態以調整該一或多個流量控件之至少一者,使得該複數個氣體分配表面提供目標清洗氣體流速。
  8. 如請求項7之基板容器清洗系統,其中該控制器進一步經組態以基於一或多個清洗效能參數來判定該等目標清洗氣體流速。
  9. 如請求項8之基板容器清洗系統,其中該控制器經組態以回應於該基板容器之一操作狀態之一變化來判定該等目標清洗氣體流速。
  10. 如請求項7之基板容器清洗系統,其進一步包括經組態以量測一或多個清洗效能參數之一或多個感測器。
TW111140798A 2021-10-27 2022-10-27 規制對容器內部進行清洗的方法和裝置 TWI898162B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163272281P 2021-10-27 2021-10-27
US63/272,281 2021-10-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202333266A TW202333266A (zh) 2023-08-16
TWI898162B true TWI898162B (zh) 2025-09-21

Family

ID=86055862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111140798A TWI898162B (zh) 2021-10-27 2022-10-27 規制對容器內部進行清洗的方法和裝置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230131451A1 (zh)
EP (1) EP4423802A4 (zh)
JP (1) JP2024539950A (zh)
KR (1) KR20240090660A (zh)
CN (1) CN118284960A (zh)
TW (1) TWI898162B (zh)
WO (1) WO2023076156A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110838461A (zh) * 2018-08-16 2020-02-25 细美事有限公司 净化处理装置及净化处理方法
EP3680930A1 (en) * 2017-09-08 2020-07-15 Murata Machinery, Ltd. Storage system and purge method in storage system
KR20210055483A (ko) * 2019-11-07 2021-05-17 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0735396Y2 (ja) * 1989-01-25 1995-08-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハカセット搬送箱
US5988233A (en) * 1998-03-27 1999-11-23 Asyst Technologies, Inc. Evacuation-driven SMIF pod purge system
US6782343B2 (en) * 2001-02-28 2004-08-24 Asm International N.V. Resource consumption calculator
US20090053017A1 (en) * 2006-03-17 2009-02-26 Shlomo Shmuelov Storage and purge system for semiconductor wafers
EP2122014A4 (en) * 2007-02-28 2014-09-17 Entegris Inc CLEANING SYSTEM FOR A SUBSTRATE CONTAINER
KR101832512B1 (ko) * 2009-12-10 2018-02-26 엔테그리스, 아이엔씨. 미세환경 안에 퍼지가스를 균일하게 분포시키는 다공성의 장벽
JP6087161B2 (ja) * 2012-02-03 2017-03-01 東京エレクトロン株式会社 基板収容容器のパージ方法
JP6573892B2 (ja) * 2013-09-30 2019-09-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 移送チャンバガスパージ装置、電子デバイス処理システム、及びパージ方法。
EP3104401B1 (en) * 2014-02-07 2021-02-03 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method
KR101865091B1 (ko) * 2014-06-16 2018-06-07 무라다기카이가부시끼가이샤 퍼지 스토커 및 퍼지 방법
KR102072621B1 (ko) * 2015-08-25 2020-02-03 무라다기카이가부시끼가이샤 퍼지 장치, 퍼지 스토커, 및 퍼지 방법
US10818529B2 (en) * 2015-08-31 2020-10-27 Murata Machinery, Ltd. Purge device, purge stocker, and purge method
US10923373B2 (en) * 2016-09-06 2021-02-16 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Substrate storage container and gas replacement unit
JP6855774B2 (ja) * 2016-12-13 2021-04-07 Tdk株式会社 ウエハ搬送容器内雰囲気計測装置、ウエハ搬送容器、ウエハ搬送容器内清浄化装置及びウエハ搬送容器内清浄化方法
KR102461290B1 (ko) * 2017-03-27 2022-11-01 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 기판 수납 용기
TWI840362B (zh) * 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
KR102190920B1 (ko) * 2018-08-16 2020-12-16 세메스 주식회사 퍼지 처리 장치 및 퍼지 처리 방법
US12017841B2 (en) * 2019-07-13 2024-06-25 Gudeng Precision Industrial Co., Ltd Substrate container system
US11723152B2 (en) * 2020-01-24 2023-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Oxygen and humidity control in storage device
KR102298148B1 (ko) * 2020-02-07 2021-09-06 주식회사 티마스트 공정 챔버에 잔존하는 유해가스의 퍼지 장치
JP7543423B2 (ja) * 2020-03-06 2024-09-02 インテグリス・インコーポレーテッド 基板容器のためのマニホールド
JP2021150353A (ja) * 2020-03-17 2021-09-27 信越ポリマー株式会社 基板収納容器、基板収納容器の洗浄方法、及び基板搬送システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3680930A1 (en) * 2017-09-08 2020-07-15 Murata Machinery, Ltd. Storage system and purge method in storage system
CN110838461A (zh) * 2018-08-16 2020-02-25 细美事有限公司 净化处理装置及净化处理方法
KR20210055483A (ko) * 2019-11-07 2021-05-17 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024539950A (ja) 2024-10-31
KR20240090660A (ko) 2024-06-21
CN118284960A (zh) 2024-07-02
EP4423802A1 (en) 2024-09-04
US20230131451A1 (en) 2023-04-27
WO2023076156A1 (en) 2023-05-04
EP4423802A4 (en) 2025-10-01
TW202333266A (zh) 2023-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7206356B2 (ja) ファクトリインターフェースチャンバのフィルタパージを用いた基板処理装置及び方法
TWI579946B (zh) 設備、半導體晶圓製程系統及半導體晶圓製造方法
TWI847230B (zh) 側面儲存盒、電子元件處理系統、及用於操作efem的方法
TWI819453B (zh) 容器中沖淨流速的遠程優化
TWI830642B (zh) 基板容器
JP2024152871A (ja) Efem装置
TWI898162B (zh) 規制對容器內部進行清洗的方法和裝置
TW202546970A (zh) 規制對容器內部進行清洗的方法和裝置
TW202342351A (zh) 搬運裝置及搬運方法
KR20230076960A (ko) 기판 이송 모듈 및 그 습도 제어 방법
US20240404841A1 (en) Factory interface vacuum generation using vacuum ejectors
US20230411186A1 (en) Equipment front end module, operating method thereof, and substrate processing apparatus including same
JP2024139783A (ja) 基板容器のためのパージフロー分配システム、およびパージフロー分配システムを実施するための方法