TWI897159B - 天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構 - Google Patents
天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構Info
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Abstract
本發明公開一種天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構。所述天線設備包含一載體、對應於所述載體設置的一阻抗調節機構、設置於所述阻抗調節機構的一天線機構。所述阻抗調節機構包含設置於所述載體的一接地層及間隔於所述接地層的一阻抗調節層。所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內。所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙。所述天線機構適用於一中心頻率，並且所述阻抗調節機構的厚度為對應所述中心頻率的一波長的0.4%～25%。
Description
本發明涉及一種阻抗調節，尤其涉及一種天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構。
用於調節天線阻抗的現有阻抗調節機構大都侷限在特定的架構之下，例如：貼片天線(patch antenna)，因而現有阻抗調節機構較不容易被進一步地改良來提升其價值。於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構，其能有效地改善現有阻抗調節機構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種天線設備，其包括：一載體；一阻抗調節機構，其對應於所述載體設置，並且所述阻抗調節機構包含有：一接地層，設置於所述載體；及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少
一個長形縫隙；以及一天線機構，設置於所述阻抗調節機構，並且所述天線機構適用於一中心頻率，並且所述阻抗調節機構的厚度為對應所述中心頻率的一波長的0.4%~25%。
本發明實施例也公開一種阻抗調節機構，其包括：一接地層；以及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙。
本發明實施例另公開一種天線裝置，其包括：一阻抗調節機構，其對應於所述載體設置，並且所述阻抗調節機構包含有：一接地層，設置於所述載體；及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層形成有一縫隙；以及一天線機構，設置於所述阻抗調節機構，並且所述天線機構適用於一中心頻率，並且所述阻抗調節機構的厚度為對應所述中心頻率的一波長的0.4%~25%。
綜上所述，本發明實施例所公開的天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構，其通過所述阻抗調節層採用有別於以往的全新結構設計(如：至少一個所述長形縫隙或所述縫隙)、並以所述阻抗調節層搭配於所述接地層，以使所述阻抗調節機構能以較小的厚度應用在所述天線機構、並同步實現較佳的天線效率。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100:天線設備
10:天線裝置
1:阻抗調節機構
11:接地層
12:阻抗調節層
121:外輪廓
122:開孔
123:長形縫隙
124:內側縫隙
125:外側縫隙
126:縫隙
127:圓形佈局區
13:介電層
131:容置孔
2:天線機構
21:電子構件
22:感測天線
23:絕緣層
3:載體
4:盒體
41:置物空間
5:讀取器
H:厚度方向
R:佈局距離
C:中心
W123:寬度
S:調節區塊
σ1:第一角度
σ2:第二角度
σS:圓心角
H1:厚度
L1、L2、L3:曲線
圖1為本發明實施例一的天線設備的立體示意圖。
圖2為圖1省略盒體與讀取器後的俯視示意圖。
圖3為圖2沿剖線III-III的剖視示意圖。
圖4為本發明實施例一的天線設備的模擬測試示意圖。
圖5為本發明實施例一的阻抗調節機構的俯視示意圖(一)。
圖6為本發明實施例一的阻抗調節機構的俯視示意圖(二)。
圖7為本發明實施例一的阻抗調節機構的俯視示意圖(三)。
圖8為本發明實施例一的阻抗調節機構的俯視示意圖(四)。
圖9為本發明實施例一的阻抗調節機構的俯視示意圖(五)。
圖10為本發明實施例二的阻抗調節機構的俯視示意圖。
圖11為本發明實施例三的阻抗調節機構的俯視示意圖(一)。
圖12為本發明實施例三的阻抗調節機構的俯視示意圖(二)。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應
受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[實施例一]
請參閱圖1至圖9所示，其為本發明的實施例一。如圖1至圖3所示，本實施例公開一種天線設備100，其較佳是包含一載體3、間隔於所述載體3的一天線機構2、設置於所述載體3與所述天線機構2之間的一阻抗調節機構1、收容上述多個構件的一盒體4、及安裝於所述盒體4的一讀取器5，但本發明不以此為限。
舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，所述天線設備100可以依據設計需求而省略所述盒體4與所述讀取器5的至少其中之一；或者，所述阻抗調節機構1與所述天線機構2可合併稱之為一天線裝置10，其能單獨地被應用(如：販賣)或搭配其他構件使用；又或者，所述阻抗調節機構1也可以被單獨地被應用(如：販賣)或搭配其他構件使用。
於本實施例中，所述載體3呈平坦片狀且可以是一高耗損介質，例如：吸波材料、晶圓片、或是金屬片，但本發明不受限於此。所述盒體4形成有多個置物空間41，並且所述載體3、所述阻抗調節機構1、及所述天線機構2共同設置於所述盒體4的其中一個所述置物空間41之內，而所述讀取器5則是能用來讀取所述天線機構2所輸出的信號，據以測得所述載體3於所述盒體4之中的具體位置。需額外說明的是，所述天線設備100於本實施例中是以應用於半導體領域來說明，並且所述盒體4例如是為晶圓盒(front opening unified pod，FOUP)，而所述載體3例如是晶圓片，但本發明不受限於此。
所述阻抗調節機構1對應於所述載體3設置，並且所述天線機構2設置於所述阻抗調節機構1。也就是說，所述阻抗調節機構1是夾持於所述載
體3與所述天線機構2之間。其中，所述天線機構2適用於一中心頻率，而所述阻抗調節機構1的厚度H1則為對應所述中心頻率的一波長的0.4%~25%。
更詳細地說，所述阻抗調節機構1於本實施例中包含有設置於所述載體3的一接地層11、沿厚度方向H間隔於所述接地層11的一阻抗調節層12、及夾持於所述接地層11與所述阻抗調節層12之間的一介電層13。其中，所述阻抗調節層12的諧振頻率(resonant frequency)可以通過其尺寸來調整(如：圖4所呈現的曲線L1、L2、L3)，而所述阻抗調節層12的所述尺寸配置較佳如下：所述阻抗調節層12的外輪廓121與其中心C之間的一佈局距離R，其為所述波長的25%~45%，但本發明不受限於此。
再者，所述阻抗調節層12較佳是位於所述接地層11的正上方，以使得所述接地層11能夠用來屏蔽所述阻抗調節層12的一側。也就是說，所述阻抗調節層12朝向所述接地層11正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層11的外邊緣之內。
此外，所述介電層13是以絕緣材質所形成且其相對介電常數較佳是介於1~6之間，但其可依據設計需求而加以調整變化，但本發明不受限於此。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，所述阻抗調節機構1也可以省略所述介電層13(或是說，所述介電層13相當於是一空氣介電層)。
所述天線機構2包含有設置於所述阻抗調節機構1的一電子構件21(如：感測晶片)、電性耦接於所述電子構件21的一感測天線22、及設置於所述阻抗調節層12並承載所述感測天線22的一絕緣層23(也就是，所述絕緣層23隔開所述阻抗調節層12與所述感測天線22)。
於本實施例中，所述阻抗調節層12形成有用以供所述電子構件21設置於內的一開孔122，並且所述介電層13形成有連通於所述開孔122的一容置孔131，以使所述電子構件21穿設於所述開孔122與所述容置孔131、並設
置於所述接地層11之上。
進一步地說，所述開孔122較佳是形成於所述阻抗調節層12的所述中心C，並且所述開孔122的面積不大於所述阻抗調節層12的所述外輪廓121所圍繞的面積的10%，而所述容置孔131則是不大於所述開孔122並裸露所述接地層11的局部，以供所述電子構件21置於其上，但本發明不以此為限。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，所述開孔122也可以偏離所述阻抗調節層12的所述中心C；或者，所述容置孔131可以是未完全貫穿所述介電層13、並依據設計需求而調整其深度；又或者，所述阻抗調節層12可以不形成所述開孔122、所述介電層13不形成所述容置孔131，而所述電子構件21直接設置於所述阻抗調節層12之上。
再者，所述感測天線22朝向所述阻抗調節層12的頂面正投影所形成的一天線投影區域，其完全落在所述頂面之上、而未覆蓋任何縫隙。也就是說，對應於所述感測天線22的所述阻抗調節層12部位較佳是未有形成縫隙，但本發明不以此為限。
以上為所述阻抗調節機構1與所述天線機構2之間的搭配說明，而為使所述阻抗調節機構1能具備有較佳的運作效能，所述阻抗調節層12能夠依據實際需求而進行結構設計。下述僅就所述阻抗調節層12的多種可行結構設計之中選取其中部分較佳的例子進行說明(如：圖5至圖9)，但本發明不以此為限。
需額外說明的是，所述阻抗調節層12的所述外輪廓121於本實施例的下述內容之中是以圓形來說明，但於本發明未繪示的其他實施例中，所述阻抗調節層12的所述外輪廓121也可以依據設計需求而加以調整變化(如：多邊形)。
如圖3和圖5所示，所述阻抗調節層12自所述外輪廓121形成有凹
設至所述中心C的一長形縫隙123；也就是說，所述長形縫隙123連通至所述開孔122，並且所述長形縫隙123呈直線狀且沿所述厚度方向H貫穿所述阻抗調節層12。換個角度來說，所述阻抗調節層12於本實施例中可以僅形成有所述長形縫隙123(及所述開孔122)。此外，所述長形縫隙123的一寬度W123，其較佳是不大於所述波長的3%。據此，所述天線裝置10採用如圖5所示的所述阻抗調節層12時，其天線效率(efficiency)大致為0.239以上。其中，所述天線效率等於增益(gain)除以指向性(directivity)。
如圖3、圖6、及圖7所示，所述阻抗調節層12所形成的所述長形縫隙123的數量也可以是N個，並且N為正整數且較佳為偶數。其中，N個所述長形縫隙123較佳是兩兩排列成一直線，以使所述阻抗調節層12被區分為彼此分離的N個調節區塊S。再者，如圖7所示，每個所述調節區塊S相較於所述中心C具有一圓心角σS，並且任兩個所述調節區塊S的所述圓心角σS之間的差值較佳是不大於120度。
換個角度來說，所述阻抗調節層12可以僅形成有N個所述長形縫隙123(及所述開孔122)。需額外說明的是，本實施例中的圖6所示的N為2，並且所述天線裝置10採用如圖6所示的所述阻抗調節層12時，其天線效率大致為0.291以上。再者，圖7所示的N為4，並且所述天線裝置10採用如圖7所示的所述阻抗調節層12時，其天線效率大致為0.286以上。此外，於本發明未繪示的其他實施例中，N可以是6以上的偶數；或者，N也可以是大於1的正整數且為奇數。
如圖3和圖8所示，所述阻抗調節層12也可以在形成有一個所述長形縫隙123的基礎上，進一步自所述中心C朝向所述外輪廓121形成有多個內側縫隙124，並且每個所述內側縫隙124的寬度較佳是不大於所述波長的3%。其中，多個所述內側縫隙124的長度大致相同(如：所述佈局距離的50%~80%)
且連通於所述開孔122、但未觸及所述外輪廓121，並且每個所述內側縫隙124呈直線狀沿所述厚度方向H貫穿所述阻抗調節層12，但不以此為限。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，多個所述內側縫隙124的所述長度可以略有差異。
換個角度來說，所述阻抗調節層12於本實施例中可以僅形成有多個所述內側縫隙124、及所述長形縫隙123(及所述開孔122)。再者，於本實施例的圖8之中，所述阻抗調節層12所形成的所述內側縫隙124的數量是以兩個來說明，並且每個所述內側縫隙124與所述長形縫隙123相夾有介於85度~165度(較佳為105度~165度)的一第一角度σ1。據此，所述天線裝置10採用如圖8所示的所述阻抗調節層12時，其天線效率大致為0.417以上。
如圖3和圖9所示，所述阻抗調節層12也可以在形成有一個所述長形縫隙123與多個所述內側縫隙124的基礎上，進一步自所述外輪廓121朝向所述中心C形成有多個外側縫隙125，並且每個所述外側縫隙125的寬度較佳是不大於所述波長的3%。
其中，多個所述外側縫隙125的長度大致相同(如：所述佈局距離的50%~80%)且未觸及所述中心C(也就是，未連通於所述開孔122)，並且每個所述外側縫隙125呈直線狀且沿所述厚度方向H貫穿所述阻抗調節層12，但不以此為限。舉例來說，於本發明未繪示的其他實施例中，多個所述外側縫隙125的所述長度可以略有差異。換個角度來說，所述阻抗調節層12於本實施例中可以僅形成有多個所述外側縫隙125、多個所述內側縫隙124、及所述長形縫隙123(及所述開孔122)。
進一步地說，相鄰的任兩個所述內側縫隙124之間配置有一個所述外側縫隙125或所述長形縫隙123，以使得所述阻抗調節層12定義有M個調節區塊S，M為正整數，並且M個所述調節區塊S為彼此相鄰為一體的單件式構
造。再者，每個所述調節區塊S相較於所述中心C具有一圓心角σS，並且任兩個所述調節區塊S的所述圓心角σS之間的差值較佳是不大於60度。
更詳細地說，於本實施例的圖9之中，所述阻抗調節層12所形成的所述內側縫隙124的數量為四個，並且所述阻抗調節層12所形成的所述外側縫隙125的數量為三個。其中，遠離於所述長形縫隙123的兩個所述內側縫隙124各與所述長形縫隙123較佳相夾有介於15度~75度的一第一角度σ1，而鄰近於所述長形縫隙123的兩個所述內側縫隙124各與所述長形縫隙123較佳相夾有介於25度~65度的一第二角度σ2。據此，所述天線裝置10採用如圖9所示的所述阻抗調節層12時，其天線效率大致為0.409以上。
依上所述，如圖1至圖9所示，所述天線設備100、所述天線裝置10、及所述阻抗調節機構1於本實施例中可以通過所述阻抗調節層12的結構設計(如：至少一個所述長形縫隙123)及其與所述接地層11的搭配，以使所述阻抗調節機構1能以較小的厚度(如：所述波長的0.4%~25%)應用在所述天線機構2、並同步實現較佳的天線效率(如：0.239以上)。
[實施例二]
請參閱圖10所示，其為本發明的實施例二。由於本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例一的差異主要在於：所述阻抗調節層12。
於本實施例中，所述阻抗調節層12形成有一縫隙126，並且每個所述縫隙126的寬度較佳是不大於所述波長的3%。所述縫隙126自所述阻抗調節層12的所述中心C朝向所述外輪廓121延伸所形成，並且所述縫隙126未觸及所述外輪廓121。其中，所述縫隙126呈直線狀且沿所述厚度方向貫穿所述阻抗調節層12，並且所述縫隙126的長度大致大於所述佈局距離R的50%。換個角度來說，所述阻抗調節層12於本實施例中可以僅形成有所述縫隙126(及所
述開孔122)。
[實施例三]
請參閱圖11和圖12所示，其為本發明的實施例三。由於本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例一的差異主要在於：所述阻抗調節層12。
於本實施例中，所述阻抗調節層12形成有一縫隙126，並且每個所述縫隙126的寬度較佳是不大於所述波長的3%。所述縫隙126呈直線狀且沿所述厚度方向貫穿所述阻抗調節層12。其中，所述縫隙126的長度大於所述佈局距離R的50%。換個角度來說，所述阻抗調節層12於本實施例中可以僅形成有所述縫隙126。
再者，所述阻抗調節層12於本實施例中定義有一圓形佈局區127，其圓心為所述阻抗調節層12的所述中心C，並且所述圓形佈局區127的面積介於所述阻抗調節層12的所述外輪廓121所圍繞的面積的15%~25%，但本發明不受限於此。於本實施例中，所述縫隙126相交(或穿過)於所述圓形佈局區127。
進一步地說，本實施例的所述阻抗調節層12在符合上述條件的情況之下，所述縫隙126的位置可依據設計需求而加以調整變化。舉例來說，如圖11所示，所述縫隙126可以自所述外輪廓121延伸所形成，並且所述縫隙126未穿過所述中心C。或者，如圖12所示，所述縫隙126可以未觸及所述外輪廓121(並穿過所述中心C)。
[本發明實施例的技術效果]
綜上所述，本發明實施例所公開的天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構，其通過所述阻抗調節層採用有別於以往的全新結構設計(如：至少一個所述長形縫隙或所述縫隙)、並以所述阻抗調節層搭配於所述接地
層，以使所述阻抗調節機構能以較小的厚度應用在所述天線機構、並同步實現較佳的天線效率。
再者，本發明實施例所公開的天線設備、天線裝置、及阻抗調節機構，其能有效地令所述感測天線在其總厚度低於對應所述中心頻率的所述波長的1%的情況下正常輻射，以使所述感測天線達到對應所述總厚度應有的效率。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。
100：天線設備
10：天線裝置
1：阻抗調節機構
11：接地層
12：阻抗調節層
121：外輪廓
122：開孔
123：長形縫隙
13：介電層
2：天線機構
21：電子構件
22：感測天線
23：絕緣層
3：載體
4：盒體
41：置物空間
5：讀取器
H：厚度方向
Claims (18)
- 一種天線設備，其包括：一載體；一阻抗調節機構，其對應於所述載體設置，並且所述阻抗調節機構包含有：一接地層，設置於所述載體；及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙；以及一天線機構，設置於所述阻抗調節機構，並且所述天線機構適用於一中心頻率，並且所述阻抗調節機構的厚度為對應所述中心頻率的一波長的0.4%～25%；所述天線機構包含有：一電子構件，設置於所述阻抗調節機構；一感測天線，電性耦接於所述電子構件；及一絕緣層，設置於所述阻抗調節層並承載所述感測天線，以隔開所述阻抗調節層與所述感測天線；其中，所述阻抗調節層形成有連通於至少一個所述長形縫隙的一開孔，並且所述電子構件設置於所述開孔之內；其中，所述開孔的面積不大於所述阻抗調節層的所述外輪廓所圍繞的面積的10%。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，所述天線設備包含有一盒體，其形成有多個置物空間，並且所述載體、所述阻抗調節機構、及所述天線機構共同設置於其中一個所述置物空間。
- 如請求項2所述的天線設備，其中，所述天線設備包含有安裝於所述盒體的一讀取器，其能用來讀取所述天線機構所輸出的信號。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，所述載體呈平坦片狀，並且所述載體為一高耗損介質。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，所述阻抗調節機構包含有夾持於所述接地層與所述阻抗調節層之間的一介電層，並且所述介電層形成有連通於所述開孔的一容置孔，而所述電子構件穿設於所述開孔與所述容置孔、並設置於所述接地層之上。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，所述感測天線朝向所述阻抗調節層的頂面正投影所形成的一天線投影區域，其完全落在所述頂面之上、而未覆蓋任何縫隙。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，所述阻抗調節層的所述外輪廓與所述中心之間的一佈局距離，其為所述波長的25%～45%。
- 如請求項1所述的天線設備，其中，至少一個所述長形縫隙的一寬度，其不大於所述波長的3%。
- 一種阻抗調節機構，其包括：一接地層；以及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙；其中，至少一個所述長形縫隙的數量為一個，並且所述阻抗調節層自所述中心朝向所述外輪廓形成有兩個內側縫隙；其中，兩個所述內側縫隙未觸及所述外輪廓，並且每個所述內側縫隙與所述長形縫隙相夾有介於85度～165度的一第一角度。
- 一種阻抗調節機構，其包括：一接地層；以及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙；其中，至少一個所述長形縫隙的數量為一個，並且所述阻抗調節層自所述中心朝向所述外輪廓形成有多個內側縫隙，而所述阻抗調節層自所述外輪廓朝向所述中心形成有多個外側縫隙；其中，多個所述內側縫隙未觸及所述外輪廓，而多個所述外側縫隙未觸及所述中心，並且相鄰的任兩個所述內側縫隙之間配置有一個所述外側縫隙或所述長形縫隙。
- 如請求項10所述的阻抗調節機構，其中，所述阻抗調節層定義有M個調節區塊，M為正整數，並且M個所述調節區塊為彼此相鄰為一體的單件式構造。
- 一種阻抗調節機構，其包括：一接地層；以及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙；其中，至少一個所述長形縫隙的數量為N個，並且N為正整數，以使所述阻抗調節層被區分為彼此分離的N個調節區塊。
- 如請求項12所述的阻抗調節機構，其中，每個所述調節區塊相較於所述中心具有一圓心角，並且任兩個所述調節區塊的所述圓心角之間的差值不大於120度。
- 一種阻抗調節機構，其包括：一接地層；以及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層自其外輪廓形成有凹設至其中心的至少一個長形縫隙；其中，所述阻抗調節層形成有連通於至少一個所述長形縫隙且位於所述中心的一開孔，所述阻抗調節機構包含有夾持於所述接地層與所述阻抗調節層之間的一介電層，並且所述介電層形成有連通於所述開孔的一容置孔；其中，所述介電層的相對介電常數介於1～6之間。
- 一種天線裝置，其包括：一阻抗調節機構，其包含有：一接地層；及一阻抗調節層，與所述接地層呈間隔設置，並且所述阻抗調節層朝向所述接地層正投影所形成的一投影區域，其位於所述接地層的外邊緣之內；其中，所述阻抗調節層形成有一縫隙；以及一天線機構，設置於所述阻抗調節機構，並且所述天線機構適用於一中心頻率，並且所述阻抗調節機構的厚度為對應所述中心頻率的一波長的0.4%～25%；其中，所述阻抗調節層定義有一圓形佈局區，其圓心為所述阻抗調節層的中心，並且所述圓形佈局區的面積介於所述阻抗調節層的外輪廓所圍繞的面積的15%～25%；其中，所述縫隙相交於所述圓形佈局區。
- 如請求項15所述的天線裝置，其中，所述縫隙自所述阻抗調節層的中心朝向其外輪廓延伸所形成，並且所述縫隙未觸及所述外輪廓。
- 如請求項15所述的天線裝置，其中，所述阻抗調節層的外輪廓與其中心之間具有一佈局距離，並且所述縫隙的長度大於所述佈局距離的50%。
- 如請求項15所述的天線裝置，其中，所述縫隙未穿過所述圓形佈局區的所述圓心。
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