TWI897081B - 用以自我監控溫度的邊緣環及應用其之腔室 - Google Patents

Abstract

本文揭露一種用於自我監控溫度的邊緣環。使用於一腔室中的邊緣環包括一蓋體，具有一內部空間；一電路板，設置於蓋體的內部空間中；以及至少一電性元件，設置於電路板上。於此處中，電性元件包括一溫度感測器，及邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或邊緣環中的熱通量係藉由使用溫度感測器來進行測量。

Description

用以自我監控溫度的邊緣環及應用其之腔室

本揭露是有關於一種用於自我監控溫度的邊緣環。

邊緣環位於靜電吸盤(electrostatic chuck)的陶瓷板旁，以增加於半導體蝕刻製程中晶圓的處理均勻性，如第1圖中所示。

一般來說，晶圓的處理均勻性因溫度原因、電性原因、化學性原因等而品質下降。

就溫度原因而言，晶圓的中央部的溫度分布不同於晶圓的最外部的溫度分布。在此情況中，熱從熱源平順地傳遞至晶圓的中央部，但難以從熱源平順地傳遞到晶圓的最外部。特別是，傳遞熱到晶圓的側邊更為困難，因為晶圓的側邊接觸腔室中的真空環境。為了解決這個問題，邊緣環係使用，以補償晶圓的最外部的溫度。

然而，由於晶圓及邊緣環的性質差異之故，熱的補償並不足夠，因此目前已經使用藉由定位加熱器於靜電吸盤及邊緣環之間來間接地加熱邊緣環的方法。

在電性原因中，晶圓的中央部的電性特徵不同於晶圓的最外部的電性特徵。晶圓的中央部的周圍部分具有與晶圓的中央部相同的性質，但晶圓的最外部的周圍部分可能具有與晶圓的最外部不同 的性質，因為最外部的側邊接觸到真空環境。如此一來，晶圓的中央部的電漿的鞘層(sheath)係均勻分布，但最外部的電漿的鞘層並非均勻分布。因此，在電漿產生時離子轟擊於晶圓的情況下，離子轟擊的方向可能在晶圓的中央部具有直線性，但在晶圓的最外部可能不具有直線性。如此一來，晶圓的處理均勻性的品質可能下降。

為了補償此電性特徵，使用藉由邊緣環來調整電漿之鞘層分布的方法。在近期的研究中，已經使用藉由插入RF電源至邊緣環的下部來人為地調整鞘層分布的方法。

然而，傳統的技術藉由使用加熱邊緣環等的方法來嘗試人為地增加晶圓的製程均勻性，但並沒有定量測量熱的技術。

本揭露係提供一種用以自我監控溫度的邊緣環。

根據本揭露之一實施例，一種使用於一腔室中的邊緣環包括一蓋體，具有一內部空間；一電路板，設置於蓋體的內部空間中；以及至少一電性元件，設置於電路板上。於此處中，電性元件包括一溫度感測器，及邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或邊緣環中的熱通量係藉由使用溫度感測器來進行測量。

根據本揭露之另一實施例的一種邊緣環包括一蓋體，配置以具有一內部空間；一電路板，設置於蓋體的內部空間中；至少一電性元件，設置於電路板上；一第一填充物，配置以覆蓋電性元件的一側表面；以及一第二填充物，配置以覆蓋電性元件或第一填充物。於此處中，填充物密封電性元件。

根據本揭露之一實施例的一種腔體包括一靜電吸盤；一邊緣環，位於靜電吸盤的外側；一第一加熱器，位於靜電吸盤中及配置以供應熱到設置於靜電吸盤上的一晶圓；一第二加熱器，位於邊緣環的下方及配置以供應熱到晶圓的一最外部。於此處中，邊緣環包括一蓋體，配置以具有一內部空間；一電路板，位於蓋體的內部空間中；以及至少一電性元件，設置於電路板上。電性元件包括一溫度感測器，及邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或邊緣環中的熱通量係藉由使用溫度感測器來進行測量。

本揭露的一種邊緣環具有自我監控溫度的一功能，及對應於一晶圓的一最外部的一靜電吸盤的加熱量因而可精密的調整。如此一來，可增加製程良率。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

200:腔室

202:靜電吸盤

204:晶圓

206:邊緣環

208:第一加熱器

210:第二加熱器

400,500,600:下蓋

402,502,602:上蓋

402a:部分

404,504:電路板

406,506:電性元件單元

408,508:第一填充物

410,510:第二填充物

412,414:黏著層

512:第一黏著層

514:第二黏著層

604:第一電路板

606:第二電路板

610:RF線圈

700:第一EMI屏蔽層

702:第二EMI屏蔽層

710:連接器

本揭露的數個範例實施例將藉由參照所附的圖式詳細說明本揭露之範例實施例來更為清楚明瞭，其中：第1圖繪示傳統的腔室的示意圖；第2圖繪示根據本揭露一實施例的一腔室的示意圖；第3圖繪示根據本揭露一實施例的一邊緣環的整體形狀之示意圖；第4圖繪示根據本揭露一實施例的一邊緣環的剖面圖；第5圖繪示根據本揭露另一實施例的一邊緣環的剖面圖；以及 第6圖及第7圖繪示根據本揭露再另一實施例的一邊緣環的示意圖。

在本說明書中，除非上下文中具有明顯不同的意思，以單數形式使用的詞語包含複數形式的詞語。在本說明書中，例如是「包括(comprising)」或「包括(including)」等的術語不應該詮釋成必須包括全部的元件或操作之含意。也就是說，可不包括部分的元件或操作，且在此情況下可進一步包括其他額外的元件或操作。再者，如使用於本說明書中的例如是「單元(unit)」、「模組(module)」等術語可意指用以處理至少一功能或動作的部件，且可以硬體、軟體、或硬體及軟體的組合來實現。

本揭露有關於用以自我監控溫度的邊緣環。邊緣環可在執行傳統的邊緣環的功能的情況下自我監控溫度。

傳統的邊緣環不具有定量測量溫度的功能，因此不能辨別熱是否正常地傳遞到晶圓的最外部。然而，本揭露的邊緣環具有自我監控溫度的功能，因而可辨別熱是否正常地傳遞到晶圓的最外部。在熱並非正常地傳遞到最外部時，藉由調整熱的傳遞可讓熱平順地傳遞到晶圓的最外部。如此一來，可增加晶圓的製程良率。舉例來說，邊緣環的溫度的自我監控及熱之傳遞的調整可應用於數種製程中，例如是蝕刻製程等。

此外，傳統的技術係使用邊緣環，以補償晶圓的電性特徵，藉此調整鞘層分布。然而，傳統技術並未定量測量鞘層分布，因 此不能辨別晶圓的電性特徵是否適當地補償。不過，本揭露的邊緣環可自我監控溫度，藉此定量測量電漿的鞘層分布。如此一來，可增加晶圓的製程均勻性。

在下文中將參照所附的圖式詳細地說明本揭露的數種實施例。

第2圖繪示根據本揭露一實施例的一腔室的示意圖，第3圖繪示根據本揭露一實施例的一邊緣環的整體形狀之示意圖，以及第4圖繪示根據本揭露一實施例的一邊緣環的剖面圖。

於第2圖中，靜電吸盤(electrostatic chuck)202可位於腔室200的下部上，及噴頭可位於腔室200的上部。

晶圓204可設置於靜電吸盤202上，及至少一第一加熱器208可設置於靜電吸盤202中。也就是說，第一加熱器208可加熱晶圓204。

舉例來說，如第3圖中所示的環形的邊緣環206可設置於靜電吸盤202的外側。晶圓204的外部直徑大體上大於靜電吸盤202的外部直徑，因此邊緣環206可設置於靜電吸盤202的外側，以控制晶圓204的最外部的加熱。

第二加熱器210可設置於邊緣環206的下方，及晶圓204之最外部的加熱可藉由利用第二加熱器210之加熱或位於晶圓204之下方的冷卻水來控制。在傳統的技術中，並未確認晶圓204之最外部的加熱是否正常地控制。

因此，本揭露提供用以自我監控溫度的邊緣環206。也就是說，本揭露可藉由監控邊緣環206之溫度來確認是否正常地執行傳遞熱到晶圓204的最外部。

在第4圖中，邊緣環206可包括下蓋400、上蓋402、電路板404、電性元件單元406、第一填充物408及第二填充物410。

下蓋400可具有垂直站立的「ㄈ」形。也就是說，下蓋400可包括一底面及數個側表面，此些側表面垂直地形成於底面的兩端，及電性元件等因而可位於下蓋400的內部空間中。下蓋400可避免異物進入下蓋400中。因此，只要下蓋400包括底面及側表面，下蓋400的結構並無限制。

於一實施例中，下蓋400可以雷射處理或濕蝕刻等製造，使得下蓋400具有內部空間來讓電性元件等設置於其中。

於一實施例中，下蓋400可以相同於晶圓204的材料或類似於晶圓204的材料製成。舉例來說，下蓋400可以為矽基(silicone-based)材料的Si或SiC或為玻璃基材料的石英製成。此舉係為了讓熱從邊緣環206平順地傳遞至晶圓204。當然，下蓋400的材料不限為相同於晶圓204的材料或類似於晶圓204的材料。

上蓋402設置於下蓋400上，及可藉由利用黏著層414結合下蓋400。黏著層414以黏著劑製成。當然，此結合不限於使用黏著劑，以及只要上蓋402與下蓋400結合，此結合可有不同地調整。

於此處中，因為黏著劑使用於腔室200中，黏著劑可具有低排氣(outgassing)特徵，及對蝕刻氣體具有抗化學性(chemical resistance)的氟材料可使用來做為黏著劑。舉例來說，丙烯酸(acrylic)材料或矽基材料可使用做為黏著劑。

上蓋402可以相同於晶圓204的材料或類似於晶圓204的材料製成，舉例為矽基材料的Si或SiC。

在一實施例中，上蓋402可具有類似於傳統的邊緣環的形狀。也就是說，在考慮晶圓204的最外部的情況下，上蓋402的下表面的一部分402a的可為平面，及上蓋402的其他部分可從部分402a的一端傾斜。如此一來，除了下部之外，上蓋402的其他部分可具有小於下蓋400的寬度，及上蓋402的寬度在下表面到上蓋402之上表面的一方向中變窄。

在另一實施例中，抗化學性材料或抗腐蝕材料可塗佈於上蓋402的表面上。於此處中，所塗佈的材料可為陶瓷材料，例如是YOF、Al₂O₃、Y₂O₃、YAG等，或CH基聚合物。另一方面，可亦於下蓋400的表面上執行此塗佈。

電路板404可設置於下蓋400的內部空間中。

在一實施例中，電路板404可透過黏著層412的黏著劑與下蓋400的底面結合。於此處中，黏著劑可具有低排氣特徵，及對蝕刻氣體具有抗化學性之氟材料可使用來做為黏著劑。舉例來說，丙烯酸材料或矽基材料可使用做為黏著劑。

電路板404的厚度可根據邊緣環206的厚度而有所不同。

電性元件單元406可位於下蓋400的內部空間中之電路板404上，及可包括至少一電性元件。

舉例來說，電性元件單元406包括用以測量下蓋400的溫度分布的溫度感測器，及可更包括一或多個微處理器、無線通訊模組、無線充電模組、無線電源、半固態或全固態電池及記憶體。

於一實施例中，可密封電性元件。特別是，可藉由第一填充物408及第二填充物410密封電性元件，如第4圖中所示。於此處中，第二填充物410的上表面可為平面，及黏著層414可設置於第二填充物410上。

第一填充物408可覆蓋電性元件單元406中之電性元件的側表面，或電路板404上之電性元件的側表面及至少部分的上表面。第一填充物408可讓電性元件具有相同的高度。舉例來說，第一填充物408可基於電性元件之最高的電性元件來覆蓋其他的電性元件，使得第一填充物408所覆蓋之此些其他的電性元件的高度與最高的電性元件的高度相同。如此一來，第一填充物408可填充於最高的電性元件以外的此些其他的電性元件上，藉此使電性元件具有相同的高度。

第一填充物408可為固體或液體。

當第一填充物408為固體時，為矽基材料的Si或SiC、聚醚醚酮(PEEK)、玻璃、陶瓷材料、石英等可使用做為第一填充物408，其中PEEK、玻璃、陶瓷材料或石英的熱膨脹係數類似於Si或SiC的熱膨脹係數。此舉係為了在測量溫度時考慮導熱性或熱通量(heat flux) 來最大化溫度感測器的靈敏度。當然，第一填充物408並不限於為上述的材料。

另一方面，因為第一填充物408為固體，第一填充物408可藉由利用上述的黏著劑與電路板404結合。

當第一填充物408為液體時，舉例為環氧樹脂(epoxy)之固化樹脂(cured resin)或矽基材料可使用做為第一填充物408。以液體形成第一填充物408係為了補償電性元件的階差及確保電性元件的平整度，因為電路板404上的電性元件具有不同的高度。舉例來說，藉由在填充第一填充物408於電性元件上後執行研磨製程，電性元件上的第一填充物408可為平面。

另一方面，當第一填充物408為液體時，如果第一填充物408的硬度大於80D時，具有低熱收縮率的材料可使用做為第一填充物408。

第二填充物410可設置於最高的電性元件的高度到下蓋400的高度之間的範圍中，及可為固體或液體。如此一來，下蓋400的上部的高度可與第二填充物410的高度相同。

第二填充物410可以相同於第一填充物408的材料或類似於第一填充物408的材料製成。

另一方面，一個填充物可覆蓋下蓋400的內部空間中的電性元件。

簡言之，本實施例的邊緣環206可藉由設置例如是溫度感測器等的電性元件於下蓋400的內部空間中來自我測量溫度，並執 行傳統的邊緣環的功能。如此一來，基於所測量的溫度，邊緣環206可偵測出位於邊緣環206的下方的第二加熱器210的溫度特徵。靜電吸盤202或對應於晶圓204之最外部的第二加熱器210的加熱量可藉由使用所偵測的結果來精密調整，藉此增加製程良率。

第5圖繪示根據本揭露另一實施例的一邊緣環的剖面圖。

於第5圖中，本實施例的邊緣環206可包括下蓋500、上蓋502、電路板504、電性元件單元506、第一填充物508、第二填充物510、第一黏著層512及第二黏著層514。

與第4圖中的實施例不同，電性元件可位於上蓋502的內部空間中，而不是位於下蓋500。

下蓋500可藉由使用第一黏著層512與上蓋502結合。當然，只要下蓋500與上蓋502結合，結合可不限於使用第一黏著層512的黏著劑的方法，及可有不同地調整。

黏著劑可相同於或類似於第4圖中的黏著劑。

第二填充物510可形成於上蓋502的內部空間中的第一黏著層512上。第二填充物510可具有相同於第4圖中之第二填充物410的材料或類似於第二填充物410的材料。

電性元件單元506的電性元件可設置於上蓋502的內部空間中的第二填充物510上。於此處中，電性元件包括溫度感測器等。

第一填充物508可覆蓋電性元件的側表面及上表面，使得電性元件具有相同的高度。於此處中，第一填充物508可具有相同於第4圖中之第一填充物408的材料或類似於第一填充物408的材料。

電路板504可設置於電性元件上，及電路板504可藉由第二黏著層514與上蓋502的內部表面結合。當然，此結合不限於使用黏著劑的方法及可有不同地調整。

黏著劑可以相同於第4圖中的黏著劑的材料或類似於第4圖中的黏著劑的材料製成。

至於基於上蓋502之上表面來設置元件在上蓋502中來說，電性元件可設置於電路板504上，及第一填充物508及第二填充物510可密封電性元件。

簡言之，在本實施例的邊緣環206中，電路板504及電性元件可設置於上蓋502中。如此一來，溫度感測器位於邊緣環206的上部。在此情況中，邊緣環206可利用自我測量溫度來測量出在腔室200的電漿狀態中離子轟擊晶圓204時所產生之熱的分布。

第6圖及第7圖繪示繪示根據本揭露再另一實施例的一邊緣環的示意圖。

在第6圖中，本實施例的邊緣環206可包括下蓋600、上蓋602、第一電路板604、第二電路板606、第一電性元件及第二電性元件。也就是說，本實施例的邊緣環206係為第4圖中的邊緣環206及第5圖中的邊緣環206的合併結構。在本實施例的邊緣環206中，第一電路板604及相關的電性元件位於下蓋600的內部空間中，及第二電路 板606及相關的電性元件設置於上蓋602的內部空間中。此些元件可以相同於上述實施例中的材料或類似於上述實施例中的材料製成。

下蓋600及上蓋602可藉由利用黏著劑結合，或可藉由利用溝槽與突出構件結合。也就是說，只要下蓋600及上蓋602結合，此結合可有不同地調整。

此外，陶瓷材料或聚合物基材料可塗佈於上蓋602，以避免上蓋602的表面在執行蝕刻製程時被蝕刻。於此處中，可於下蓋600上執行塗佈或可不於下蓋600上執行塗佈。

第一電性元件可設置於第一電路板604上及藉由填充物密封。第一電性元件的第一溫度感測器測量下蓋600的溫度分布。第一電性元件可更包括電池、微處理器等。

於一實施例中，RF線圈610可設置於第一電路板604上，如第6圖中所示。RF線圈610可做為用於無線通訊的收發器，或無線充電的接收單元。

於一實施例中，第一電路板604可透過至少一連接器710電性連接於第二電路板606，如第7圖中所示。如此一來，如果電源或電池設置於第一電路板604及第二電路板606的其中一者上時，電力可供應至另一個電路板。第7圖中的功能可藉由提供無線通訊方法到第4圖中的下蓋部分及第5圖中的上蓋部分的合併結構來達成，此未繪示於第6圖中。

用以密封電性元件的填充物可填充下蓋600及上蓋602中，此未繪示於第6圖中。

於另一實施例中，用以密封第一電性元件的填充物及用以密封第二電性元件的填充物並非獨立存在，但第一電路板604及第二電路板606之間的一空間係形成，且填充物填充於此空間中，如第7圖中所示。於此處中，填充物可以具有高導熱性的材料製成。

當填充物的硬度大於80D時，矽、環氧樹脂或具有低排氣特徵的材料可使用做為填充物。

於再另一實施例中，第一EMI屏蔽層700可設置於下蓋600及第一電路板604之間，用以保護電性元件來避免電漿的電磁波的影響。另外，第二EMI屏蔽層702可設置於上蓋602及第二電路板606之間。

另一方面，沒有設置用以黏附下蓋600及上蓋602於第一電路板604及第二電路板606的黏著層，但第一EMI屏蔽層700及第二EMI屏蔽層702可執行黏附的功能及屏蔽電磁波的功能。

簡言之，本實施例的邊緣環206包括位於其上部的溫度感測器及位於其下部的溫度感測器。在此情況中，邊緣環206可測量從上部到下部的熱通量或從下部到上部的熱通量，以及下蓋600及上蓋602的溫度分布。

如果邊緣環206測量出溫度分布及熱通量時，靜電吸盤202對應於晶圓204之最外部的加熱量可精密調整。也就是說，藉由調整用以加熱靜電吸盤202的第一加熱器208及邊緣環206下方的第二加熱器210，熱可均勻地提供到晶圓204。如此一來，可增加晶圓204的製程良率。

於上述的實施例中，上蓋及下蓋係獨立存在，但上蓋及下蓋可一體成形。

上述的實施例中的部件可輕易地從製程的角度理解。也就是說，各部件可亦理解成單獨的製程。同樣地，上述實施例中的製程可輕易地從部件的角度理解。

上述的本揭露的實施例僅為用於說明的目的。在不脫離本揭露的精神及範圍的情況下，此技術領域中具有通常知識者能夠進行數種調整、改變、及添加，但應理解此些調整、改變、及添加包含於下方所提供的申請專利範圍的範疇中。

400:下蓋 402:上蓋 402a:部分 404:電路板 406:電性元件單元 408:第一填充物 410:第二填充物 412,414:黏著層

Claims (12)

1. 一種邊緣環，使用於一腔室中，該邊緣環包括： 一蓋體，具有一內部空間； 一電路板，設置於該蓋體的該內部空間中；以及 至少一電性元件，設置於該電路板上， 其中該至少一電性元件包括一溫度感測器，及該邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或該邊緣環中的熱通量係藉由使用該溫度感測器來進行測量， 其中該蓋體包括一上蓋及一下蓋，彼此結合， 及其中該下蓋具有該內部空間，該電路板及該至少一電性元件依序地設置於該內部空間中的該下蓋的一底面上， 一第一填充物覆蓋該電路板上的該至少一電性元件的一側表面或至少一部分的一上表面，一第二填充物設置於該至少一電性元件及該第一填充物上，以及 該溫度感測器測量該下蓋的溫度分布。
2. 如請求項1所述之邊緣環，其中該至少一電性元件包括複數個電性元件，基於該些電性元件的最高的電性元件，該第一填充物填充低於該最高的電性元件的該些電性元件的一電性元件上，以及 該第一填充物及該第二填充物密封該些電性元件。
3. 一種邊緣環，使用於一腔室中，該邊緣環包括： 一蓋體，具有一內部空間； 一電路板，設置於該蓋體的該內部空間中；以及 至少一電性元件，設置於該電路板上， 其中該至少一電性元件包括一溫度感測器，及該邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或該邊緣環中的熱通量係藉由使用該溫度感測器來進行測量， 一填充物，配置以藉由覆蓋該內部空間中的該至少一電性元件來密封該至少一電性元件， 其中當該填充物為固體時，矽基(silicone-based)材料、聚醚醚酮(PEEK)、玻璃、陶瓷材料或石英係使用做為該填充物。
4. 如請求項1所述之邊緣環，其中： 當該填充物為液體時，環氧樹脂(epoxy)或矽基材料係使用做為該填充物。
5. 如請求項1所述之邊緣環，其中該上蓋或該下蓋以為矽基材料的Si或SiC或為玻璃基材料的石英製成。
6. 一種邊緣環，使用於一腔室中，該邊緣環包括： 一蓋體，具有一內部空間； 一電路板，設置於該蓋體的該內部空間中；以及 至少一電性元件，設置於該電路板上， 其中該至少一電性元件包括一溫度感測器，及該邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或該邊緣環中的熱通量係藉由使用該溫度感測器來進行測量， 其中該蓋體包括一上蓋及一下蓋，彼此結合， 及其中該上蓋具有該內部空間，該電路板及該至少一電性元件依序地設置於該內部空間中的該上蓋的一底面上， 一第一填充物覆蓋該電路板上的該至少一電性元件的一側表面或至少一部分的一上表面，一第二填充物形成於該至少一電性元件及該第一填充物上，以及 該溫度感測器測量該上蓋的溫度分布或離子轟擊發生時所產生的熱分布。
7. 如請求項1所述之邊緣環，其中該上蓋及該下蓋藉由一黏著劑彼此結合， 及其中丙烯酸(acrylic)材料或矽基材料係使用做為該黏著劑。
8. 一種邊緣環，使用於一腔室中，該邊緣環包括： 一蓋體，具有一內部空間； 一電路板，設置於該蓋體的該內部空間中；以及 至少一電性元件，設置於該電路板上， 其中該至少一電性元件包括一溫度感測器，及該邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或該邊緣環中的熱通量係藉由使用該溫度感測器來進行測量， 其中該電路板包括一第一電路板及一第二電路板，及該至少一電性元件包括一第一電性元件及一第二電性元件， 及其中該第一電性元件位於該蓋體之該內部空間的一下部的該第一電路板上，該第二電性元件設置於該內部空間的一上部的該第二電路板上， 一填充物，密封該內部空間中的該第一電性元件及該第二電性元件， 該第一電性元件包括一第一溫度感測器，該第二電性元件包括一第二溫度感測器，以及 該內部空間中的熱通量藉由該第一溫度感測器及該第二溫度感測器感測的溫度來進行測量。
9. 如請求項8所述之邊緣環，其中該第一電路板及該第二電路板透過至少一連接器電性連接。
10. 如請求項8所述之邊緣環，其中一第一EMI屏蔽層位於該第一電路板及該蓋體的一底面之間，及一第二EMI屏蔽層位於該第二電路板及該蓋體的一上表面之間。
11. 一種腔體，包括： 一靜電吸盤； 一邊緣環，位於該靜電吸盤的外側； 一第一加熱器，位於該靜電吸盤中及配置以供應熱到設置於該靜電吸盤上的一晶圓；以及 一第二加熱器，位於該邊緣環的下方及配置以供應熱到該晶圓的一最外部， 其中該邊緣環包括： 一蓋體，配置以具有一內部空間； 一電路板，位於該蓋體的該內部空間中；以及 至少一電性元件，設置於該電路板上， 及其中該至少一電性元件包括一溫度感測器，及該邊緣環的溫度、電漿狀態中離子轟擊發生時所產生的熱分布、或該邊緣環中的熱通量係藉由使用該溫度感測器來進行測量， 其中該蓋體包括一上蓋及一下蓋，彼此結合， 及其中該下蓋具有該內部空間，該電路板及該至少一電性元件依序地設置於該內部空間中的該下蓋的一底面上， 一第一填充物覆蓋該電路板上的該至少一電性元件的一側表面或至少一部分的一上表面，一第二填充物設置於該至少一電性元件及該第一填充物上，以及 該溫度感測器測量該下蓋的溫度分布。
12. 如請求項11所述之腔體，其中該第一加熱器或該第二加熱器係基於該溫度感測器所測量的溫度來進行控制，以調整供應到該晶圓的熱。