[go: up one dir, main page]

TWI897069B - 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置 - Google Patents

頂板及含有頂板之磊晶成長裝置

Info

Publication number
TWI897069B
TWI897069B TW112140310A TW112140310A TWI897069B TW I897069 B TWI897069 B TW I897069B TW 112140310 A TW112140310 A TW 112140310A TW 112140310 A TW112140310 A TW 112140310A TW I897069 B TWI897069 B TW I897069B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
top plate
epitaxial growth
recessed structures
recessed
wafer
Prior art date
Application number
TW112140310A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202517845A (zh
Inventor
張堯淞
謝博任
Original Assignee
台亞半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台亞半導體股份有限公司 filed Critical 台亞半導體股份有限公司
Priority to TW112140310A priority Critical patent/TWI897069B/zh
Priority to CN202311798497.1A priority patent/CN119859844A/zh
Priority to US18/625,519 priority patent/US20250129510A1/en
Priority to EP24168732.6A priority patent/EP4541931A1/en
Publication of TW202517845A publication Critical patent/TW202517845A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI897069B publication Critical patent/TWI897069B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45506—Turbulent flow
    • H10P72/0402—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本發明係關於一種磊晶成長裝置，其包含一晶圓承載台及一反應腔體。其中，晶圓承載台用以承載至少一晶圓，反應腔體容置晶圓承載台，包含一頂板及一供氣裝置。頂板設置於反應腔體之頂部，供氣裝置提供一反應氣體至晶圓承載台上之至少一晶圓。其中，頂板包含複數凹陷結構，使得反應氣體流經該些凹陷結構時得減少與頂板表面的磨擦阻力。

Description

頂板及含有頂板之磊晶成長裝置
本發明係有關於一種半導體成長裝置，特別係有關於一種磊晶成長裝置。
半導體磊晶材料的需求越來越廣泛，典型的如氮化鎵等III-V族化合物半導體能夠用於發光二極體和功率元件中。其能以多種不同的方式生長，包括分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)法、氫化物蒸氣階段磊晶(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)法、金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)法等。其中，MOCVD反應器是用於為生產得到III-V族化合物半導體足夠品質的磊晶薄膜的較佳設備。
MOCVD反應器包括一個反應腔體，反應腔體內底部設置可旋轉的晶圓托盤，晶圓托盤上設置待製造處理的晶圓，反應腔體內部上方設置有供氣裝置，由供氣裝置流入的反應氣體流向設置在托盤上表面的晶圓，並在晶圓上表面生長產生需要的磊晶薄膜。
然而，利用MOCVD工藝在晶圓表面形成磊晶薄膜的同時，還會在反應腔體的內壁、氣體噴頭表面等處殘餘沉積物。這些殘餘沉積物會在反應腔體內產生雜質，例如於如圖1所示反應腔體頂部表面平滑之天花頂板100(註：圖1所示天花頂板之內圈為供氣區域)上容易附著沉積物，並於後續製程中可能因重力或氣流等因素從附著處剝落下來，最終落在待處理的晶圓上，使得製程中晶圓表面生成的薄膜產生缺陷，如圖2所示，影響最終形成的化合物半導體的電學性能，並降低生產良率。有鑑於此，目前業界常見的應對方法是在經過一段生產期程後，必須暫停MOCVD裝置之運轉，利用一個反應腔體清潔程序將所述反應腔體內的殘餘沉積物清除掉。然而，MOCVD裝置在清潔時須事先進行降溫、耗費大量的時間，因而降低產能。為克服上述問題，業界亟需一種創新的磊晶成長裝置，以改善上述問題。
本發明的主要目的在於提供一種創新的磊晶成長裝置，於磊晶成長裝置中頂板上設置複數凹陷結構，使得磊晶成長過程中減少頂板表面產生沉積物附著的機會，也減少後續附著於頂板之殘留沉積物因重力或氣流等因素剝落而污染晶圓的機會。
為達上述目的，本發明提供一種磊晶成長裝置，其包含一晶圓承載台及一反應腔體。其中，晶圓承載台用以承載至少一晶圓，反應腔體容置晶圓承載台，包含一頂板及一供氣裝置。頂板設置於反應腔體之頂部，供氣裝置提供一反應氣體至晶圓承載台上之至少一晶圓。其中，頂板包含複數凹陷結構，使得反應氣體流經該些凹陷結構時得減少與頂板表面的磨擦阻力。。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，各凹陷結構之深度約0.2毫米至2毫米之間。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，各凹陷結構之直徑約0.2毫米至25毫米之間。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，各凹陷結構間的間距不大於各凹陷結構之直徑。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，各凹陷結構具碗狀結構、錐狀結構、四邊狀結構、梯形狀結構、多邊形狀結構其中之一。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，該些凹陷結構於頂板呈放射狀排列、同心圓排列、螺旋狀排列其中之一。
於磊晶成長裝置其中一實施態樣中，頂板係由石墨、石英、石墨表面具碳化矽層其中之一所製成。
為達上述目的，本發明提供一種應用於一磊晶成長裝置之頂板，其中磊晶成長裝置具有一反應腔體，提供一反應氣體，頂板設置於反應腔體之頂部。該頂板之特徵在於頂板包含複數凹陷結構，使得反應氣體流經該些凹陷結構時得減少與頂板表面的磨擦阻力。
於頂板其中一實施態樣中，各凹陷結構之深度約0.2毫米至2毫米之間。
於頂板其中一實施態樣中，各凹陷結構之直徑約0.2毫米至25毫米之間。
於頂板其中一實施態樣中，各凹陷結構間的間距不大於各凹陷結構之直徑。
在參閱圖式及隨後描述之實施方式後，此技術領域具有通常知識者便可瞭解本發明之其他目的，以及本發明之技術手段及實施態樣。
以下將透過實施例來解釋本發明內容，本發明的實施例並非用以限制本發明須在如實施例所述之任何特定的環境、應用或特殊方式方能實施。因此，關於實施例之說明僅為闡釋本發明之目的，而非用以限制本發明。需說明者，以下實施例及圖式中，與本發明非直接相關之元件已省略而未繪示，且圖式中各元件間之尺寸關係僅為求容易瞭解，並非用以限制實際比例。
請一併參閱圖3及圖4所示，圖3為本發明一實施例中磊晶成長裝置之結構示意圖，圖4係本發明一實施例中磊晶成長裝置之部分爆炸示意圖。如圖所示之實施例中，本發明磊晶成長裝置1包含一反應腔體10及一晶圓承載台20。其中，晶圓承載台20用以承載至少一待處理之晶圓30。反應腔體10具有一個由封閉式側壁所定義出之容置空間以容置晶圓承載台20，反應腔體10更包含一頂板40及一供氣裝置50，其中頂板40設置於反應腔體10頂部端之側壁上，頂板40可由石墨、石英、石墨表面具碳化矽層其中之一所製成。供氣裝置50經供氣管路及出氣口52提供反應氣體至反應腔體10內，使晶圓承載台20上之待處理晶圓30進行例如III-V族化合物磊晶生長。
請合併參閱圖5，其顯示本發明一實施例中頂板40之結構示意圖。本發明磊晶成長裝置1其中一特徵在於頂板40包含複數凹陷結構42，每個凹陷結構42具有一特定大小之凹陷且自頂板40表面凹入一特定深度。於較佳實施例中，各凹陷結構42之直徑約落於0.2毫米至25毫米之間，各凹陷結構42之深度約落於0.2毫米至2毫米之間。而且，各個凹陷結構42之間相隔的間距不大於各個凹陷結構42之直徑，亦即，各個凹陷結構42之間相隔的間距實質落於0.2毫米至25毫米之間。請合併參閱圖6，其顯示本發明一實施例中頂板40與晶圓30間之氣流示意圖，圖中僅以箭號代表氣流方向之例示，用以說明本發明頂板之技術特徵，並非實際氣流之方向與強弱。如圖6所示，當反應氣體自供氣裝置50出氣口52流入反應腔體10內部時，其氣流流經頂板40時於凹陷結構42內將形成小漩渦V (vortex)，使得頂板40表面氣流事實上是"跳過" 凹陷結構，因而與頂板表面的磨擦阻力降低。換言之，於頂板40表面氣流之邊界層內反應氣體之氣流比較  “滑”，使反應氣體流經各凹陷結構42時得減少與頂板表面間的磨擦阻力，進而減少反應氣體於頂板40表面產生沉積物附著的機會，也減少後續附著於頂板之殘留沉積物因重力或氣流等因素剝落而污染晶圓的機會。如圖7所示，其顯示應用本發明上述揭露之含凹陷結構之頂板之磊晶成長裝置，經磊晶成長製程後之晶圓表免上因頂板殘留沉積物剝落所造成缺陷汙染，相對圖2所示習知製程所生產後之晶圓表面，已實質大幅減少。
承上所述，為減少反應氣體於頂板40表面產生沉積物附著的機會，本發明揭露設置於磊晶成長裝置中頂板上數個不同凹陷結構之設計。請參閱圖8，其顯示本發明數個實施態樣中頂板上凹陷結構42之剖面示意圖。這些凹陷結構42可以是，但不限於，碗狀結構、錐狀結構、四邊狀結構、梯形狀結構、多邊形狀結構其中之一或其組合，任何可於頂板表面減少反應氣體附著之凹陷結構外型設計均為本發明均等涵蓋之範圍。此外，請合併參閱圖9及圖10，其中，圖9顯示本發明一實施例中頂板上複數凹陷結構42之分佈示意圖，於此實施例中，本發明頂板40上複數凹陷結構42彼此間的間距不大於凹陷結構42之直徑，並以間距實質相同方式佈滿於頂板40上。另一方面，圖10更顯示本發明數個實施態樣中頂板上複數凹陷結構42不同排列之分佈示意圖。該些凹陷結構42於頂板40上可以呈現例如，但不限於，圖10(A)之放射狀排列、圖10(B)之同心圓排列、圖10(C)螺旋狀排列其中之一或其組合。特別地是，如圖10(B)及(C)所示，於一頂板40中不限於分佈實質相同大小之凹陷結構42，可以視實際磊晶成長裝置1反應腔體10內之氣流狀況，於一頂板40上分佈不同直徑大小之凹陷結構42，以達到實質減少反應氣體殘存沉積物於頂板40表面之目的。例如，如圖11所示，其顯示二種於頂板不同凹陷結構之分佈設計，可於頂板表面區分不同區域，例如由出氣口中心向外，分別安排不同尺寸大小(例如由小至大)、不同間隔(例如由密至疏)的凹陷結構分佈，以減少反應氣體殘存沉積物於頂板40表面。
請合併參閱圖12及圖13，其中，圖12顯示本發明數個實施態樣中頂板40上複數凹陷結構42之分佈示意圖，於此實施例中，本發明頂板40上凹陷結構42可應用如圖8所示不同之剖面結構，例如可以是，但不限於，碗狀結構、四邊狀結構、錐狀結構、三角形結構，並以間距實質相同方式佈滿於頂板40上。另一方面，如圖13顯示，本發明數個實施態樣中頂板可以依據實際磊晶成長裝置反應腔體內之氣流狀況選擇僅於特定區域進行上不同的凹陷結構42排列分佈。
上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。
1:磊晶成長裝置 10:反應腔體 20:晶圓承載台 30:晶圓 40:頂板 42:凹陷結構 50:供氣裝置 52:出氣口 100:天花頂板 V:小漩渦
圖1為習知磊晶成長裝置中天花頂板之結構示意圖； 圖2為應用習知磊晶成長裝置磊晶成長後晶圓表面缺陷分佈之示意圖； 圖3為本發明一實施例中磊晶成長裝置之結構示意圖； 圖4為本發明一實施例中磊晶成長裝置之部分爆炸示意圖； 圖5為本發明一實施例中磊晶成長裝置中頂板之結構示意圖； 圖6為本發明一實施例中磊晶成長裝置中頂板與晶圓間之氣流示意圖； 圖7為應用本發明磊晶成長裝置磊晶成長後晶圓表面缺陷減少之示意圖； 圖8為本發明數個實施態樣中頂板上凹陷結構之剖面示意圖； 圖9為本發明一實施例中頂板上複數凹陷結構之分佈示意圖； 圖10為本發明數個實施態樣中頂板上複數凹陷結構不同排列之分佈示意圖； 圖11為本發明二個實施態樣中頂板上不同凹陷結構分佈設計之示意圖； 圖12為本發明數個實施態樣中頂板上複數凹陷結構之分佈示意圖；及 圖13為數個實施態樣中頂板上複數凹陷結構之分佈示意圖。
40:頂板
42:凹陷結構

Claims (7)

  1. 一種磊晶成長裝置，包含： 一晶圓承載台，用以承載至少一晶圓；及 一反應腔體，容置該晶圓承載台，該反應腔體包含一頂板及一供氣裝置，該頂板設置於該反應腔體之頂部，該供氣裝置提供一反應氣體至該晶圓承載台上之該至少一晶圓， 其中，該頂板包含複數凹陷結構，各該凹陷結構之直徑約0.2毫米至25毫米之間且各該凹陷結構間的間距不大於各該凹陷結構之直徑，使得該反應氣體流經該些凹陷結構時得形成小漩渦，以減少與該頂板表面的磨擦阻力。
  2. 如請求項1所述之磊晶成長裝置，其中各該凹陷結構之深度約0.2毫米至2毫米之間。
  3. 如請求項1所述之磊晶成長裝置，其中各該凹陷結構具碗狀結構、錐狀結構、四邊狀結構、梯形狀結構、多邊形狀結構其中之一。
  4. 如請求項1所述之磊晶成長裝置，其中該些凹陷結構於該頂板呈放射狀排列、同心圓排列、螺旋狀排列其中之一。
  5. 如請求項1所述之磊晶成長裝置，其中該頂板係由石墨、石英、石墨表面具碳化矽層其中之一所製成。
  6. 一種應用於一磊晶成長裝置之頂板，其中該磊晶成長裝置具有一反應腔體，提供一反應氣體，該頂板設置於該反應腔體之頂部，該頂板之特徵在於： 該頂板包含複數凹陷結構，其中各該凹陷結構之直徑約0.2毫米至25毫米之間且各該凹陷結構間的間距不大於各該凹陷結構之直徑，使得該反應氣體流經該些凹陷結構時得形成小漩渦，以減少與該頂板表面的磨擦阻力。
  7. 如請求項6所述應用於一磊晶成長裝置之頂板，其中各該凹陷結構之深度約0.2毫米至2毫米之間。
TW112140310A 2023-10-20 2023-10-20 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置 TWI897069B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112140310A TWI897069B (zh) 2023-10-20 2023-10-20 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置
CN202311798497.1A CN119859844A (zh) 2023-10-20 2023-12-25 顶板及含有顶板的磊晶成长装置
US18/625,519 US20250129510A1 (en) 2023-10-20 2024-04-03 Ceiling plate and epitaxial growth device having the same
EP24168732.6A EP4541931A1 (en) 2023-10-20 2024-04-05 Ceiling plate and epitaxial growth device having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112140310A TWI897069B (zh) 2023-10-20 2023-10-20 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202517845A TW202517845A (zh) 2025-05-01
TWI897069B true TWI897069B (zh) 2025-09-11

Family

ID=90719199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112140310A TWI897069B (zh) 2023-10-20 2023-10-20 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20250129510A1 (zh)
EP (1) EP4541931A1 (zh)
CN (1) CN119859844A (zh)
TW (1) TWI897069B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201027598A (en) * 2008-11-05 2010-07-16 Showa Denko Kk Compound semiconductor manufacturing device, compound semiconductor manufacturing method, and jig for manufacturing compound semiconductor
TW201700774A (zh) * 2015-03-25 2017-01-01 應用材料股份有限公司 用於磊晶生長裝置的腔室部件（二）
CN115537919A (zh) * 2022-11-01 2022-12-30 江苏汉印机电科技股份有限公司 一种高温气悬浮旋转机构

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
JP5933202B2 (ja) * 2011-08-05 2016-06-08 昭和電工株式会社 エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法
US20150376789A1 (en) * 2014-03-11 2015-12-31 Tokyo Electron Limited Vertical heat treatment apparatus and method of operating vertical heat treatment apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201027598A (en) * 2008-11-05 2010-07-16 Showa Denko Kk Compound semiconductor manufacturing device, compound semiconductor manufacturing method, and jig for manufacturing compound semiconductor
TW201700774A (zh) * 2015-03-25 2017-01-01 應用材料股份有限公司 用於磊晶生長裝置的腔室部件（二）
CN115537919A (zh) * 2022-11-01 2022-12-30 江苏汉印机电科技股份有限公司 一种高温气悬浮旋转机构

Also Published As

Publication number Publication date
TW202517845A (zh) 2025-05-01
US20250129510A1 (en) 2025-04-24
EP4541931A1 (en) 2025-04-23
CN119859844A (zh) 2025-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9431477B2 (en) Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
JP4879614B2 (ja) ３−５族窒化物半導体基板の製造方法
CN102859679B (zh) 具有倾斜边缘的晶片载体
CN107004583B (zh) 晶片支承台、化学气相生长装置、外延晶片及其制造方法
TWI590300B (zh) Wafer tray for MOCVD reaction system
JP5228583B2 (ja) サセプタおよび気相成長装置
CN102414792A (zh) Hvpe前驱物源硬件
JP6324810B2 (ja) 気相成長装置
JP7190894B2 (ja) ＳｉＣ化学気相成長装置
JP2016004998A (ja) 化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ
TW202430706A (zh) 具有交叉流氣體噴射之多盤化學氣相沉積系統
TWI897069B (zh) 頂板及含有頂板之磊晶成長裝置
JP6541257B2 (ja) 炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法
CN114072900B (zh) 晶片承载盘与晶片外延装置
JP2015198213A (ja) エピタキシャル炭化珪素ウェハの製造方法及びそれに用いる炭化珪素単結晶基板のホルダー
US20120015502A1 (en) p-GaN Fabrication Process Utilizing a Dedicated Chamber and Method of Minimizing Magnesium Redistribution for Sharper Decay Profile
WO2012071302A2 (en) Interchangeable pumping rings to control path of process gas flow
JP2528912B2 (ja) 半導体成長装置
US20120083060A1 (en) Integration of cluster mocvd and hvpe reactors with other process chambers
JP2010219225A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の気相成長装置
JPH0345957Y2 (zh)
JPH1145858A (ja) 化合物半導体気相成長装置および方法
JP2002261023A (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2016096178A (ja) 成膜方法、半導体素子の製造方法、および自立基板の製造方法
CN121046941A (zh) 半导体制造装置及半导体制造方法