TWI894888B - 電路板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種電路板包含第一外層線路層、第二外層線路層、第一內部結構以及第二內部結構。第一內部結構與第二內部結構設置於第一外層線路層與第二外層線路層之間。第一內部結構包含第一金屬塊，第一金屬塊從第一外層線路層延伸至第二內部結構。第二內部結構包含第二金屬塊、高頻基板以及第一導電材料。第二金屬塊貫穿高頻基板。第一導電材料設置於第一金屬塊上，其中第二金屬塊從第二外層線路層延伸至第一導電材料，且第一導電材料電性連接第一金屬塊與第二金屬塊。

Description

電路板及其製造方法

本發明是關於一種電路板及其製造方法，且特別是關於一種具有高頻基板的電路板及其製造方法。

通訊產品的電路板中具有內埋的高頻基板，可在高頻基板中設置金屬塊(例如金屬銅塊)，以解決電子元件的散熱問題。然而，隨著半導體技術的發展，通訊產品的收發設計也越來越複雜。舉例而言，5G或6G的通訊產品具有較多的收發線路設計(例如天線)，因此會產生較多的熱能。然而，現有的電路板難以滿足因複雜的收發設計而產生的散熱問題。鑑於上述，目前亟需發展出一種電路板及其製造方法，以克服上述問題。

本發明所提供的電路板包含相互堆疊的多個金屬塊，使得電子元件的背面可以透過這些金屬塊而達到散熱效果。由於電子元件(例如晶片)以及這些金屬塊為垂直堆疊排列，因此形成良好的散熱路徑，從而提升電子元件的散熱效果。

本發明至少一實施例所提供的電路板包含第一外層線路層、第二外層線路層、第一內部結構以及第二內部結構。第一內部結構與第二內部結構設置於第一外層線路層與第二外層線路層之間，第一內部結構設置於第一外層線路層與第二內部結構之間，第二內部結構設置於第一內部結構與第二外層線路層之間。第一內部結構包含第一金屬塊，其中第一金屬塊從第一外層線路層延伸至第二內部結構。第二內部結構包含第二金屬塊、高頻基板以及第一導電材料。第二金屬塊貫穿高頻基板，其中高頻基板包含頂部線路層、底部線路層以及設置於頂部線路層與底部線路層之間的基板主體。第一導電材料設置於第一金屬塊上，其中第二金屬塊從第二外層線路層延伸至第一導電材料，且第一導電材料電性連接第一金屬塊與第二金屬塊。

在本發明至少一實施例中，第二金屬塊的底部凸出於高頻基板的底部線路層的底表面。

在本發明至少一實施例中，高頻基板的厚度小於第二金屬塊的厚度。

在本發明至少一實施例中，第二內部結構更包含填充材料，填充材料設置於第二金屬塊與基板主體之間，且填充材料接觸第一導電材料。

在本發明至少一實施例中，電路板更包含電子元件以及電鍍通孔。電子元件位於第二金屬塊的正上方，且電性連接第二外層線路層。電鍍通孔穿過高頻基板。

在本發明至少一實施例中，第一金屬塊的寬度大於第二金屬塊的寬度。

在本發明至少一實施例中，第二內部結構更包含第三金屬塊及第二導電材料。第二導電材料設置於第一金屬塊上，其中第三金屬塊從第二外層線路層延伸至第二導電材料，且第二導電材料電性連接第一金屬塊與第三金屬塊。

本發明至少一實施例所提供的電路板的製造方法包含以下步驟：提供第一線路基板，其中第一線路基板包含第一外層金屬層與第一凹槽；提供第一金屬塊，其中第一金屬塊的寬度小於第一凹槽的寬度；設置第一金屬塊於第一凹槽中；提供第二線路基板，其中第二線路基板包含第二外層金屬層與第二凹槽；提供高頻基板，其中高頻基板的寬度小於第二凹槽的寬度；設置高頻基板於第二凹槽中；藉由鉚釘將第一線路基板、高頻基板以及第二線路基板固定在一起；移除一部分的高頻基板與一部分的第二線路基板，以形成第三凹槽，其中第三凹槽暴露出一部分的第一金屬塊的頂表面；設置第一導電材料於第三凹槽的底部；提供第二金屬塊，其中第二金屬塊的寬度小於第三凹槽的寬度，且第二金屬塊的寬度小於第一金屬塊的寬度；設置第二金屬塊於第三凹槽中；設置第一填充材料於第二金屬塊周圍；在設置第二金屬塊於第三凹槽中之後，於第一線路基板與第二線路基板形成多個電鍍通孔；利用所述第一外層金屬層，形成一第一外層線路層；及利用所述第二外層金屬層，形成一第二外層線路層。

在本發明至少一實施例中，電路板的製造方法更包含：在第二金屬塊設置於第三凹槽中之後，移除鉚釘。

在本發明至少一實施例中，電路板的製造方法更包含：移除另一部分的高頻基板與另一部分的第二線路基板，以形成第四凹槽，其中第四凹槽暴露出另一部分的第一金屬塊的頂表面；設置第二導電材料於第四凹槽的底部；提供第三金屬塊，第三金屬塊的寬度小於第四凹槽的寬度，其中第三金屬塊的寬度小於第一金屬塊的寬度；設置第三金屬塊於第四凹槽中；及設置第二填充材料於第三金屬塊周圍。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件(例如線路層、絕緣層與金屬塊等)的尺寸(例如長度、寬度、厚度與深度)會以不等比例的方式放大，有的元件數量會減少。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件數量以及元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

除此之外，空間相對用語如「下面」、「下方」、「低於」、「上面」、「上方」及其他類似的用語，在此是為了方便描述圖中的一個元件或特徵和另一個元件或特徵的關係。空間相對用語除了涵蓋圖中所描繪的方位外，該用語更涵蓋裝置在使用或操作時的其他方位。也就是說，當該裝置的方位與圖式不同(旋轉90度或在其他方位)時，在本揭示中所使用的空間相對用語可相應地進行解釋。

將理解的是，儘管這裡可以使用「第一」、「第二」等術語來描述各種元件，但是這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區分開來。例如，在不脫離實施方式的範疇的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。如本文所使用的，術語「及/或」包含一個或多個相關列出的項目的任何和所有組合。

在本文中，由「一數值至另一數值」表示的範圍，是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此，某一特定數值範圍的記載，涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍，如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。

圖1為根據本發明一實施方式的電路板100的剖面示意圖。電路板100包含第一外層線路層110、第二外層線路層120、第一內部結構130以及第二內部結構140。第一內部結構130與第二內部結構140設置於第一外層線路層110與第二外層線路層120之間。詳細來說，第一內部結構130設置於第一外層線路層110與第二內部結構140之間，第二內部結構140設置於第一內部結構130與第二外層線路層120之間。換句話說，第一外層線路層110、第一內部結構130、第二內部結構140以及第二外層線路層120沿著第一方向D1而堆疊。第一外層線路層110、第二外層線路層120、第一內部結構130以及第二內部結構140沿著第二方向D2的平行方向而延伸。第一外層線路層110以及第二外層線路層120可例如為圖案化的銅金屬層。

第一內部結構130包含多個內層線路層132以及多個絕緣層134，且多個內層線路層132與多個絕緣層134交錯堆疊。每一絕緣層134設置於每兩層內層線路層132之間，以分離不同層的內層線路層並避免短路。多個內層線路層132中的每一者可例如為銅金屬層。多個絕緣層134中的每一者的材料可例如為含玻璃纖維與環氧樹脂的複合材料，例如FR4。

第一內部結構130還包含第一金屬塊136，其中第一金屬塊136從第一外層線路層110延伸至第二內部結構140。詳細來說，第一金屬塊136嵌埋於第一內部結構130內。更詳細來說，第一金屬塊136嵌埋於多個內層線路層132與多個絕緣層134之中。第一金屬塊136的材料可例如為銅，但不限於此。

第二內部結構140包含多個內層線路層142以及多個絕緣層144，且多個內層線路層142與多個絕緣層144交錯堆疊。每一絕緣層144設置於每兩層內層線路層142之間，以分離不同層的內層線路層並避免短路。多個內層線路層142中的每一者可例如為銅金屬層。多個絕緣層144中的每一者的材料可例如為含玻璃纖維與環氧樹脂的複合材料，例如FR4。

第二內部結構140還包含第二金屬塊145a、高頻基板146以及第一導電材料147a。高頻基板146包含頂部線路層TC、底部線路層BC以及設置於頂部線路層TC與底部線路層BC之間的基板主體MS。頂部線路層TC設置於第二外層線路層120與基板主體MS之間。

第二內部結構140的第二金屬塊145a貫穿高頻基板146。在圖1的實施例中，第二金屬塊145a的頂表面ts1與頂部線路層TC的頂表面ts2切齊，且第二外層線路層120覆蓋第二金屬塊145a。在圖1的實施例中，高頻基板146的厚度小於第二金屬塊145a的厚度，使得第二金屬塊145a的底部凸出於高頻基板146的底部線路層BC的底表面bs1。第二金屬塊145a的材料可例如為銅，但不限於此。

第二內部結構140的第一導電材料147a設置於第一金屬塊136上，其中第二金屬塊145a從第二外層線路層120延伸至第一導電材料147a。第一導電材料147a電性連接第一金屬塊136與第二金屬塊145a。詳細來說，第一導電材料147a設置於第一金屬塊136與第二外層線路層120之間。第一導電材料147a可例如為銅膏、銀膠或錫焊，但不限於此。

第二內部結構140更包含第一填充材料148a，其中第一填充材料148a設置於第二金屬塊145a與基板主體MS之間，且第一填充材料148a接觸第一導電材料147a。具體而言，第二內部結構140具有孔洞（未標示），而第二金屬塊145a的寬度小於上述孔洞的內徑，以至於第二金屬塊145a與孔洞的孔壁之間會形成間隙。第一填充材料148a填入於上述間隙，從而設置於第二金屬塊145a與基板主體MS之間，其中第一填充材料148a可以圍繞第二金屬塊145a。此外，第一填充材料148a的材料可例如為樹酯材料。

電路板100更包含第一電子元件150以及電鍍通孔160。第一電子元件150位於第二金屬塊145a的正上方，且電性連接第二外層線路層120。以圖1為例，第一電子元件150可利用打線方式(wire-bonding)電性連接第二外層線路層120。由於第一電子元件150位於第二金屬塊145a的正上方，使得第一電子元件150可透過背面的第二金屬塊145a以及第一金屬塊136進行散熱。電鍍通孔160穿過高頻基板146。

如圖1所示，第一金屬塊136的寬度大於第二金屬塊145a的寬度。由於第二金屬塊145a(也可理解小金屬塊)的寬度小於第一金屬塊136(也可理解大金屬塊)的寬度，因此電路板100具有扇形的散熱路徑(即散熱面積由上而下增加)，從而提升對電子元件(例如第一電子元件150)的散熱效果。

圖2為根據本發明另一實施方式的電路板200的剖面示意圖。圖2的電路板200與圖1的電路板100具有類似的結構，差異在於電子元件、小金屬塊(例如第二金屬塊145a)以及導電材料的數量。詳細來說，電路板200的第二內部結構140更包含第三金屬塊145b、第二導電材料147b以及第二填充材料148b。電路板200更包含第二電子元件170。

第二內部結構140的第二導電材料147b設置於第一金屬塊136上，第三金屬塊145b從第二外層線路層120延伸至第二導電材料147b。第二導電材料147b電性連接第一金屬塊136與第三金屬塊145b。詳細來說，第二導電材料147b設置於第一金屬塊136與第二外層線路層120之間。第二導電材料147b可例如為銅膏、銀膠或錫焊，但不限於此。

第二內部結構140的第三金屬塊145b貫穿高頻基板146。第三金屬塊145b的頂表面ts3與頂部線路層TC的頂表面ts2切齊，且第二外層線路層120覆蓋第三金屬塊145b。在圖2的實施例中，高頻基板146的厚度小於第三金屬塊145b的厚度，使得第三金屬塊145b的底部凸出於高頻基板146的底部線路層BC的底表面bs1。第三金屬塊145b的材料可例如為銅，但不限於此。

第二內部結構140的第二填充材料148b設置於第三金屬塊145b與基板主體MS之間，且第二填充材料148b接觸第二導電材料147b。第二填充材料148b的材料可例如為樹酯材料。

電路板200的第二電子元件170位於第三金屬塊145b的正上方，且電性連接第二外層線路層120。以圖2為例，第二電子元件170可利用打線方式電性連接第二外層線路層120。由於第二電子元件170位於第三金屬塊145b的正上方，使得第二電子元件170可透過背面的第三金屬塊145b以及第一金屬塊136進行散熱。值得注意的是，第二金屬塊145a與第三金屬塊145b皆接連接至第一金屬塊136。

如圖2所示，第一金屬塊136的寬度大於第三金屬塊145b的寬度。由於第三金屬塊145b(也可理解小金屬塊)的寬度小於第一金屬塊136(也可理解大金屬塊)的寬度，因此電路板200具有扇形的散熱路徑(即散熱面積由上而下增加)，從而提升對電子元件(例如第一電子元件150和第二電子元件170)的散熱效果。

如圖2所示，第二金屬塊145a與第三金屬塊145b沿著第二方向D2排列設置，其中第二方向D2實質垂直於第一方向D1。第一導電材料147a與第二導電材料147b也沿著第二方向D2排列設置。上述第一金屬塊136、第二金屬塊145a以及第三金屬塊145b的形狀可為圓柱形，但不限於此。

圖3A、圖3B及圖3C為圖1的電路板100於製程各個階段中的剖面示意圖。請參考圖3A，提供第一線路基板310、第二線路基板320、第一金屬塊136、高頻基板146以及鉚釘330。第一線路基板310包含第一外層金屬層312、多個絕緣層314以及第一凹槽R1。將第一金屬塊136設置於第一凹槽R1中，其中第一金屬塊136的寬度小於第一凹槽R1的寬度。

值得注意的是，第一金屬塊136與第一線路基板310之間具有空氣隙G。第二線路基板320包含第二外層金屬層322、多個絕緣層324以及第二凹槽R2。高頻基板146設置於第二凹槽R2中，其中高頻基板146的寬度小於第二凹槽R2的寬度。值得注意的是，高頻基板146與第二線路基板320之間具有空氣隙G，其中空氣隙G可圍繞第一金屬塊136。多個絕緣層314中的每一者以及多個絕緣層324中的每一者的材料可例如為含玻璃纖維與環氧樹脂的複合材料，例如FR4。

可以理解的是，第一線路基板310可包含多個內層板，其中內層板可例如為銅箔基板(copper clad laminate；CCL)。絕緣層314設置於多個內層板之間。第二線路基板320可包含多個內層板，其中內層板可例如為銅箔基板。絕緣層324設置於多個內層板之間。在一些實施例中，第一凹槽R1可利用外型切割(routing)而形成，且第二凹槽R2也可利用外型切割而形成。

在一些實施例中，第一凹槽R1的寬度比第一金屬塊136的寬度大0.2mm至0.3mm之間。在一些實施例中，第二凹槽R2的寬度比高頻基板146的寬度大0.2mm至0.4mm之間。

在提供第一線路基板310、第二線路基板320、第一金屬塊136、高頻基板146以及鉚釘330之後，藉由鉚釘330將第一線路基板310、高頻基板146以及第二線路基板320固定在一起。須說明的是，鉚釘330用於使各個原本彼此分離的基板(即第一線路基板310、高頻基板146以及第二線路基板320)暫時結合而彼此不分開。一旦移除所有鉚釘330，第一線路基板310、高頻基板146以及第二線路基板320仍會彼此分離。

在藉由鉚釘330將第一線路基板310、高頻基板146以及第二線路基板320固定在一起之前，可先對第一線路基板310與第二線路基板320進行鑽孔，以形成孔洞，以利後續利用鉚釘330插設而將多個基板固定在一起。在一些實施例中，上述孔洞的直徑為1.95mm至2.05mm，例如2.0mm。

在將第一金屬塊136設置於第一凹槽R1中、高頻基板146設置於第二凹槽R2中以及藉由鉚釘330將第一線路基板310、高頻基板146以及第二線路基板320固定在一起之後，壓合第一線路基板310、高頻基板146、第二線路基板320以及第一金屬塊136。上述壓合步驟是藉由離型膜340(如圖3A所示)而執行。在一些實施例中，上述壓合步驟的壓合溫度為185 ^oC至195 ^oC，例如190 ^oC。在一些實施例中，上述壓合步驟的壓合壓力為2.5MPa至2.7Mpa，例如2.55MPa、2.6MPa或2.65 MPa。在一些實施例中，上述壓合步驟的壓合時間為140分鐘至160分鐘，例如145分鐘、150分鐘或155分鐘。

在高溫高壓的壓合步驟期間，一部分的絕緣層314的材料流至第一金屬塊136與第一線路基板310之間的空氣隙G，且一部分的絕緣層324的材料流至高頻基板146與第二線路基板320之間的空氣隙G。因此，在高溫高壓的壓合步驟之後，第一金屬塊136嵌埋於第一線路基板310中，且高頻基板146嵌埋於第二線路基板320中。第一金屬塊136與高頻基板146皆被絕緣層314與絕緣層324的材料所包覆，如圖3B所示。

請參考圖3B，移除一部分的高頻基板146與一部分的第二線路基板320，以形成第三凹槽R3，其中第三凹槽R3暴露出一部分的第一金屬塊136的頂表面ts4。在一些實施例中，利用電腦數值控制(computer numerical control；CNC)進行機械加工(例如外型切割)，可形成深度至第一金屬塊136的頂表面ts4的第三凹槽R3。

在形成第三凹槽R3之後，設置第一導電材料147a於第三凹槽R3的底部，如圖3B所示。詳細來說，第一導電材料147a覆蓋第一金屬塊136的頂表面ts4。在一些實施例中，第一導電材料147a的熱傳導係數大於180 W/m‧K。在一些實施例中，第一導電材料147a的厚度為0.0875mm至0.1125mm，例如0.09mm、0.1mm或0.11mm。在一些實施例中，設置第一導電材料147a於第三凹槽R3的底部之後，加熱第一導電材料147a於95 ^oC至105 ^oC，並持續9分鐘至11分鐘，以將第一導電材料147a的溶劑移除。上述第一導電材料147a的加熱溫度例如為100 ^oC。上述第一導電材料147a的加熱時間可例如為9.5分鐘、10分鐘或10.5分鐘。

請參考圖3C，提供第二金屬塊145a，其中第二金屬塊145a的寬度小於第三凹槽R3(請參考圖3B)的寬度，且第二金屬塊145a的寬度小於第一金屬塊136的寬度。在一些實施例中，第三凹槽R3(請參考圖3B)的寬度比第二金屬塊145a的寬度大0.3mm至0.5mm，例如0.35mm、0.4mm或0.45mm。設置第二金屬塊145a於第三凹槽R3(請參考圖3B)中，如圖3C所述。在一些實施例中，先將第二金屬塊145a沾熱水解膠，再將第二金屬塊145a設置於第一導電材料147a上，然後再進行燒結步驟。在一些實施例中，燒結步驟的燒結溫度為245 ^oC至255 ^oC、燒結時間為28分鐘至32分鐘、且燒結壓力為9MPa至11MPa。上述燒結溫度可例如為250 ^oC。上述燒結時間可例如為29分鐘、30分鐘或31分鐘。上述燒結壓力可例如為9.5MPa、10MPa或10.5MPa。

在設置第二金屬塊145a於第三凹槽R3中之後，設置第一填充材料148a於第二金屬塊145a周圍，如圖3C所示。在一些實施例中，利用網版印刷的方式將第一填充材料148a設置於第二金屬塊145a周圍，然後預烤第一填充材料148a於105 ^oC至115 ^oC並維持58分鐘至62分鐘。上述預烤溫度可例如為110 ^oC，且上述預烤時間可例如為59分鐘、60分鐘或61分鐘。待第一填充材料148a填滿之後，烘烤第一填充材料148a直至第一填充材料148a硬化。在圖3C的實施例中，第二金屬塊145a的頂表面ts1與頂部線路層TC的頂表面ts2切齊。在一些實施例中，在第二金屬塊145a設置於第三凹槽R3中之後，移除鉚釘330。

請參考圖3C和圖1，在設置第二金屬塊145a於第三凹槽R3中之後，於第一線路基板310與第二線路基板320形成多個電鍍通孔160。利用第一外層金屬層312，形成如圖1的第一外層線路層110。利用第二外層金屬層322，形成如圖1的第二外層線路層120。在一些實施例中，第一外層線路層110與第二外層線路層120可由半加成法或減成法而形成。

圖4A及圖4B為圖2的電路板200於製程各個階段中的剖面示意圖。圖4A及圖4B的製造方法類似於圖3B及圖3C的製造方法。請參考圖4A，在提供如圖3A的第一線路基板310、第二線路基板320(具有第三凹槽R3)、第一金屬塊136、高頻基板146以及鉚釘330之後，進一步移除另一部分的高頻基板146與另一部分的第二線路基板320，以形成第四凹槽R4，其中第四凹槽R4暴露出另一部分的第一金屬塊136的頂表面ts4。然後，設置第二導電材料147b於第四凹槽R4的底部。

請參考圖4B，提供第三金屬塊145b，其中第三金屬塊145b的寬度小於第四凹槽R4(請參考圖4A)的寬度，且第三金屬塊145b的寬度小於第一金屬塊136的寬度。設置第二金屬塊145a於第三凹槽R3(請參考圖4A)中，且設置第三金屬塊145b於第四凹槽R4(請參考圖4A)中，如圖4B所述。在一些實施例中，先將第三金屬塊145b沾熱水解膠，再將第三金屬塊145b設置於第二導電材料147b上，然後再進行燒結步驟。在一些實施例中，燒結步驟的燒結溫度為245 ^oC至255 ^oC、燒結時間為28分鐘至32分鐘、且燒結壓力為9MPa至11MPa。上述燒結溫度可例如為250 ^oC。上述燒結時間可例如為29分鐘、30分鐘或31分鐘。上述燒結壓力可例如為9.5MPa、10MPa或10.5MPa。

在設置第三金屬塊145b於第四凹槽R4中之後，設置第二填充材料148b於第三金屬塊145b周圍，如圖4B所示。在圖4B的實施例中，第三金屬塊145b的頂表面ts3與頂部線路層TC的頂表面ts2切齊。

綜上所述，本發明所提供的電路板包含相互堆疊的小金屬塊(例如第二金屬塊145a和第三金屬塊145b)和大金屬塊(例如第一金屬塊136)，使得電子元件的背面可以透過小金屬塊和大金屬塊而達到散熱效果。由於電子元件(例如晶片)、小金屬塊以及大金屬塊為垂直堆疊排列，且大金屬塊的寬度大於小金屬塊的寬度，因此電路板具有扇形的散熱路徑，從而提升電子元件的散熱效果。此外，一個大金屬塊可連接多個小金屬塊以及多個電子元件，使得電路板中高密度分布的多個電子元件仍具有良好的散熱路徑。

上文概述多個實施方式的特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本申請的態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本申請作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便執行本文所介紹的實施方式的相同目的及/或實現相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造並未脫離本申請的精神及範疇，且可在不脫離本申請的精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、取代及更改。

100 : 電路板 110 : 第一外層線路層 120 : 第二外層線路層 130 : 第一內部結構 132 : 內層線路層 134 : 絕緣層 136 : 第一金屬塊 140 : 第二內部結構 142 : 內層線路層 144 : 絕緣層 145a : 第二金屬塊 145b : 第三金屬塊 146 : 高頻基板 147a : 第一導電材料 147b : 第二導電材料 148a : 第一填充材料 148b : 第二填充材料 150 : 第一電子元件 160 : 電鍍通孔 170 : 第二電子元件 200 : 電路板 310 : 第一線路基板 312 : 外層金屬層 314 : 絕緣層 320 : 第二線路基板 322 : 第二外層金屬層 324 : 絕緣層 330 : 鉚釘 TC : 頂部線路層 MS : 基板主體 BC : 底部線路層 R1 : 第一凹槽 R2 : 第二凹槽 R3 : 第三凹槽 R4 : 第四凹槽 ts1, ts2, ts3, ts4 : 頂表面 bs1 : 底表面 D1 : 第一方向 D2 : 第二方向

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可以最好地理解本申請的各個態樣。應了解的是，根據行業中的標準實踐，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了清楚起見，可以任意增加或減小各種特徵的尺寸。 圖1為根據本發明一實施方式的電路板的剖面示意圖。 圖2為根據本發明另一實施方式的電路板的剖面示意圖。 圖3A、圖3B及圖3C為圖1的電路板於製程各個階段中的剖面示意圖。 圖4A及圖4B為圖2的電路板於製程各個階段中的剖面示意圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:電路板

110:第一外層線路層

120:第二外層線路層

130:第一內部結構

132:內層線路層

134:絕緣層

136:第一金屬塊

140:第二內部結構

142:內層線路層

144:絕緣層

145a:第二金屬塊

146:高頻基板

147a:第一導電材料

148a:第一填充材料

150:第一電子元件

160:電鍍通孔

TC:頂部線路層

MS:基板主體

BC:底部線路層

ts1,ts2:頂表面

bs1:底表面

D1:第一方向

D2:第二方向

Claims (9)

1. 一種電路板，包含： 一第一外層線路層； 一第二外層線路層； 一第一內部結構；以及 一第二內部結構，其中所述第一內部結構與所述第二內部結構設置於所述第一外層線路層與所述第二外層線路層之間，所述第一內部結構設置於所述第一外層線路層與所述第二內部結構之間，所述第二內部結構設置於所述第一內部結構與所述第二外層線路層之間； 其中所述第一內部結構包含： 一第一金屬塊，其中所述第一金屬塊從所述第一外層線路層延伸至所述第二內部結構； 其中所述第二內部結構包含： 一第二金屬塊； 一高頻基板，其中所述第二金屬塊貫穿所述高頻基板，其中所述高頻基板包含： 一頂部線路層； 一底部線路層；及 一基板主體，設置於所述頂部線路層與所述底部線路層之間；及 一第一導電材料，設置於所述第一金屬塊上，其中所述第二金屬塊從所述第二外層線路層延伸至所述第一導電材料，且所述第一導電材料電性連接所述第一金屬塊與所述第二金屬塊，其中所述第一金屬塊的一寬度大於所述第二金屬塊的一寬度。
2. 如請求項1所述之電路板，其中所述第二金屬塊的一底部凸出於所述高頻基板的所述底部線路層的一底表面。
3. 如請求項1所述之電路板，其中所述高頻基板的一厚度小於所述第二金屬塊的一厚度。
4. 如請求項1所述之電路板，其中所述第二內部結構更包含一填充材料，所述填充材料設置於所述第二金屬塊與所述基板主體之間，且所述填充材料接觸所述第一導電材料。
5. 如請求項1所述之電路板，更包含： 一電子元件，位於所述第二金屬塊的正上方，且電性連接所述第二外層線路層；及 一電鍍通孔，其中所述電鍍通孔穿過所述高頻基板。
6. 如請求項1所述之電路板，其中所述第二內部結構更包含： 一第三金屬塊；及 一第二導電材料，設置於所述第一金屬塊上，其中所述第三金屬塊從所述第二外層線路層延伸至所述第二導電材料，且所述第二導電材料電性連接所述第一金屬塊與所述第三金屬塊。
7. 一種電路板的製造方法，包含： 提供一第一線路基板，其中所述第一線路基板包含一第一外層金屬層與一第一凹槽； 提供一第一金屬塊，其中所述第一金屬塊的一寬度小於所述第一凹槽的一寬度； 設置所述第一金屬塊於所述第一凹槽中； 提供一第二線路基板，其中所述第二線路基板包含一第二外層金屬層與一第二凹槽； 提供一高頻基板，其中所述高頻基板的一寬度小於所述第二凹槽的一寬度； 設置所述高頻基板於所述第二凹槽中； 藉由一鉚釘將所述第一線路基板、所述高頻基板以及所述第二線路基板固定在一起； 移除一部分的所述高頻基板與一部分的所述第二線路基板，以形成一第三凹槽，其中所述第三凹槽暴露出一部分的所述第一金屬塊的一頂表面； 設置一第一導電材料於所述第三凹槽的一底部； 提供一第二金屬塊，其中所述第二金屬塊的一寬度小於所述第三凹槽的一寬度，且所述第二金屬塊的所述寬度小於所述第一金屬塊的所述寬度； 設置所述第二金屬塊於所述第三凹槽中； 設置一第一填充材料於所述第二金屬塊周圍； 在設置所述第二金屬塊於所述第三凹槽中之後，於所述第一線路基板與所述第二線路基板形成多個電鍍通孔； 利用所述第一外層金屬層，形成一第一外層線路層；及 利用所述第二外層金屬層，形成一第二外層線路層。
8. 如請求項7所述之電路板的製造方法，更包含： 在所述第二金屬塊設置於所述第三凹槽中之後，移除所述鉚釘。
9. 如請求項7所述之電路板的製造方法，更包含： 移除另一部分的所述高頻基板與另一部分的所述第二線路基板，以形成一第四凹槽，其中所述第四凹槽暴露出另一部分的所述第一金屬塊的一頂表面； 設置一第二導電材料於所述第四凹槽的一底部； 提供一第三金屬塊，所述第三金屬塊的一寬度小於所述第四凹槽的一寬度，其中所述第三金屬塊的所述寬度小於所述第一金屬塊的所述寬度； 設置所述第三金屬塊於所述第四凹槽中；及 設置一第二填充材料於所述第三金屬塊周圍。