[go: up one dir, main page]

TWI894395B - 放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法 - Google Patents

放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法

Info

Publication number
TWI894395B
TWI894395B TW110142747A TW110142747A TWI894395B TW I894395 B TWI894395 B TW I894395B TW 110142747 A TW110142747 A TW 110142747A TW 110142747 A TW110142747 A TW 110142747A TW I894395 B TWI894395 B TW I894395B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
scintillator
layer
panel
scintillator panel
substrate
Prior art date
Application number
TW110142747A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202242451A (zh
Inventor
山路晴紀
櫻井純
白川和広
畑中将志
後藤啓輔
Original Assignee
日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 filed Critical 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
Publication of TW202242451A publication Critical patent/TW202242451A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI894395B publication Critical patent/TWI894395B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20182Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/18Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/189X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H10F39/1898Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

放射線檢測器具備:感測器面板,其具有受光面;在沿著受光面互相鄰接的狀態下配置於受光面上之第1閃爍體面板與第2閃爍體面板;及接著層。第1閃爍體面板具有:第1基板;及包含複數個柱狀結晶之第1閃爍體層。第2閃爍體面板具有:第2基板;及包含複數個柱狀結晶之第2閃爍體層。第1閃爍體層係至少到達第1基板的第1部分。第2閃爍體層係至少到達第2基板的第2部分。接著層係將每個第1閃爍體面板及第2閃爍體面板分離。

Description

放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法
本發明係關於放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法。
一種放射線檢測器為眾所皆知,具備:感測器面板,其具有受光面;配置於受光面上之閃爍體面板;及配置於受光面與閃爍體面板之間的接著層(參照例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4018472號公報
[發明所欲解決之問題]
在前述這種的放射線檢測器,伴隨感測器面板的大面積化,被要求放射線檢測區域的大面積化。但,在閃爍體面板,閃爍體層由粒狀螢光體及黏合劑樹脂構成的情況,雖為了使放射線檢測區域的大面積化,容易將閃爍體面板大面積化,但,不易獲得高解析度的放射線圖像。另外,在閃爍體面板,閃爍體層由複數個柱狀結晶構成的情況,雖易獲得高解析度的放射線圖像,但,為了使放射線檢測區域的大面積化而不易將閃爍體面板大面積化。
本發明的目的係在於提供可謀求放射線檢測區域的大面積化及放射線圖像的高解析度化並存的放射線檢測器、及這樣的放射線檢測器的製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明的一態樣的放射線檢測器,係具備: 感測器面板,其具有受光面; 第1閃爍體面板與第2閃爍體面板,其在沿著受光面互相鄰接的狀態下配置於受光面上;及 接著層,其配置於受光面與第1閃爍體面板之間及受光面與第2閃爍體面板之間, 第1閃爍體面板具有:第1基板;及包含形成於第1基板上的複數個柱狀結晶之第1閃爍體層, 第2閃爍體面板具有:第2基板;及包含形成於第2基板上的複數個柱狀結晶之第2閃爍體層, 第1閃爍體面板係在對於第1基板,第1閃爍體層位在受光面側的狀態下,藉由接著層接著於受光面, 第2閃爍體面板係在對於第2基板,第2閃爍體層位在受光面側的狀態下,藉由接著層接著於受光面, 從第1閃爍體層側觀看的情況時之第1基板的外緣包含沿著第2閃爍體面板延伸存在之第1部分,第1閃爍體層係至少到達第1部分, 從第2閃爍體層側觀看的情況時之第2基板的外緣包含沿著第1閃爍體面板延伸存在之第2部分,第2閃爍體層係至少到達第2部分, 接著層係將每個第1閃爍體面板及第2閃爍體面板分離。
在本發明的一態樣的放射線檢測器,第1閃爍體面板及第2閃爍體面板,是在沿著感測器面板的受光面互相鄰接的狀態下,配置於感測器面板的受光面上。在第1閃爍體面板及第2閃爍體面板,第1閃爍體層係到達第1基板的外緣中之沿著第2閃爍體面板延伸存在的第1部分,第2閃爍體層是到達第2基板的外緣中之沿著第1閃爍體面板延伸存在的第2部分。因此,以可確實地形成複數個柱狀結晶之尺寸,分別構成第1閃爍體面板及第2閃爍體面板,並且可藉由第1閃爍體面板及第2閃爍體面板,獲得一個放射線檢測區域。並且,配置於感測器面板的受光面與第1閃爍體面板之間及感測器面板的受光面與第2閃爍體面板之間的接著層,將每個第1閃爍體面板及第2閃爍體面板分離。藉此,可縮短當分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板接著於感測器面板的受光面時,接著層露出於外部之時間,能夠抑制異物咬入至感測器面板的受光面與第1閃爍體面板之間及感測器面板的受光面與第2閃爍體面板之間。且,可分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板精度良好地接著於感測器面板的受光面。藉由以上結構,若依據本發明的一態樣之放射線檢測器,可謀求放射線檢測區域的大面積化及放射線圖像的高解析度化並存。
在本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可為第1基板及第2基板分別具有可撓性。藉此,可謀求當分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板接著於感測器面板的受光面時之作業性的提升。
在本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可為第1閃爍體面板係在從第1基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形, 第2閃爍體面板係在從第2基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形。藉此,可容易且確實地謀求放射線檢測區域的大面積化。
在本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可為接著層含有黏著劑或接著劑。藉此,可分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板確實地接著於感測器面板的受光面。
在本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可為第1閃爍體面板還具有第1保護層,其用來覆蓋第1基板及第1閃爍體層, 第2閃爍體面板還具有第2保護層,其用來覆蓋第2基板及第2閃爍體層。藉此,可保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。
本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可為還具備: 第1防濕層,其係在與感測器面板之相反側,配置於第1閃爍體面板上; 第2防濕層,其係在與感測器面板之相反側,配置於第2閃爍體面板上; 第1保護層,其係覆蓋第1閃爍體面板及第1防濕層;及第2保護層,其係覆蓋第2閃爍體面板及第2防濕層藉此,可保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。
本發明的一態樣的放射線檢測器,亦可還具備粒狀螢光體,其配置於第1閃爍體面板與第2閃爍體面板之間。藉此,在第1閃爍體面板與第2閃爍體面板之接合部分,可抑制放射線圖像的畫質劣化。
本發明的一態樣的放射線檢測器的製造方法,係前述放射線檢測器的製造方法,其特徵為具備: 準備感測器面板之製程; 準備第1閃爍體面板及第2閃爍體面板之製程;及 藉由接著層,分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板接著於受光面之接著製程, 在接著製程,接著層將每個第1閃爍體面板及第2閃爍體面板分離。
若依據本發明的一態樣的放射線檢測器的製造方法,可容易且確實地獲得前述放射線檢測器。
在本發明的一態樣的放射線檢測器的製造方法,亦可為在接著製程,在分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板接著於受光面之前,分別於第1閃爍體面板及第2閃爍體面板配置接著層。藉此,可將第1閃爍體面板及接著層在該等構件被一體化的狀態下進行處理。同樣地,可將第2閃爍體面板及接著層在該等構件被一體化的狀態下進行處理。
在本發明的一態樣的放射線檢測器的製造方法,亦可為在接著製程,在分別將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板接著於受光面之前,於受光面配置接著層。藉此,可將第1閃爍體面板及第2閃爍體面板各別進行處理。 [發明效果]
若依據本發明,能夠提供可謀求放射線檢測區域的大面積化及放射線圖像的高解析度化並存的放射線檢測器、及這樣的放射線檢測器的製造方法。
以下,參照圖面等,詳細地說明關於本發明的實施形態。再者,在各圖中,會有對相同或相當的部分賦予相同的符號,並省略重複之說明之情況。 [放射線檢測器的結構]
如圖1所示,放射線檢測器1具備:感測器面板2、第1閃爍體面板10、第2閃爍體面板20、接著層3、粒狀螢光體4、防濕層5、接著層6及封裝構件7。在放射線檢測器1,若放射線(例如,X射線)射入至第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20的話,則在第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20會產生閃爍光,該閃爍光可藉由感測器面板檢測出。放射線檢測器1被使用於作為放射線影像裝置例如醫療用放射線圖像診斷裝置或非破壞檢查裝置。
感測器面板2包含沿著受光面2a配置之複數個光電變換元件(未圖示)。各光電變換元件係構成像素,輸出因應所射入的閃爍光之電氣訊號。受光面2a設在感測器面板2的一方的主面。在該主面,設有包圍受光面2a的框狀區域亦即表面2b。感測器面板2係具有可撓性。在感測器面板2設有複數個光電變換元件之基板的材料,為例如PI(聚醯亞胺)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PE(聚酯)或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。
第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20係在沿著受光面2a互相鄰接的狀態下,配置於受光面2a上。第1閃爍體面板10具有第1基板11、第1閃爍體層12及第1保護層13。第2閃爍體面板20具有第2基板21、第2閃爍體層22及第2保護層23。
第1基板11及第2基板21分別具有可撓性。第1基板11及第2基板21之各自的材料為例如PET、PEN、PI、PP、PE或PMMA。第1基板11及第2基板21之各自的厚度為例如50μm以上250μm以下。再者,在第1基板11及第2基板21之各自的表面及背面,亦可形成功能性的膜。該功能性的膜為例如易接著塗膜、防止帶電塗膜、防濕膜(聚對二甲苯膜)。該功能性的膜,亦可為含有各別具有不同的功能之複數個膜的層積膜。
第1閃爍體層12包含形成於第1基板11上的複數個柱狀結晶。第2閃爍體層22包含形成於第2基板21上的複數個柱狀結晶。複數個柱狀結晶為例如藉由在第1基板11或第2基板21上蒸鍍閃爍體材料,形成於第1基板11或第2基板21上的柱狀結晶。第1閃爍體層12及第2閃爍體層22之各自的材料為例如CsI:Tl(含有作為活化劑的鉈之碘化銫)、CsI:Na(含有作為活化劑的鈉之碘化銫)、CsI:Ce(含有作為活化劑的鈰之碘化銫)或CsI:Tl,Eu(含有作為活化劑的鉈及銪之碘化銫)。第1閃爍體層12及第2閃爍體層22之各自的厚度為例如100μm以上1000μm以下(理想為400μm以上800μm以下)。
第1保護層13係覆蓋第1基板11及第1閃爍體層12。第2保護層23係覆蓋第2基板21及第2閃爍體層22。第1保護層13及第2保護層23各自的材料為例如帕里綸(商標名)(聚對二甲苯)。第1保護層13及第2保護層23之各自的厚度為例如0.5μm以上20μm以下。
第1閃爍體面板10係在對於第1基板11,第1閃爍體層12位於受光面2a側的狀態下,配置於受光面2a上。第1閃爍體面板10係在從第1基板11的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形。第2閃爍體面板20係在對於第2基板21,第2閃爍體層22位於受光面2a側的狀態下,配置於受光面2a上。第2閃爍體面板20係在從第2基板21的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形。
從第1閃爍體層12側觀看的情況時之第1基板11的外緣11a,係包含沿著第2閃爍體面板20延伸存在之第1部分11b。第1閃爍體層12係至少到達第1部分11b。在本實施形態,第1閃爍體層12係至少到達外緣11a的所有部分。從第2閃爍體層22側觀看的情況時之第2基板21的外緣21a,係包含沿著第1閃爍體面板10延伸存在之第2部分21b。第2閃爍體層22係至少到達第2部分21b。在本實施形態,第2閃爍體層22係至少到達外緣21a的所有部分。第1基板11的外緣11a之第1部分11b與第2基板21的外緣21a之第2部分21b係相對向。
再者,第1基板11及第1閃爍體層12係可藉由在包含相當於複數個第1基板11的部分之基板上,形成包含相當於複數個第1閃爍體層12的部分之閃爍體層後,再將該基板及該爍體層裁切加以獲得。第2基板21及第2閃爍體層22係可藉由在包含相當於複數個第2基板21的部分之基板上,形成包含相當於複數個第2閃爍體層22的部分之閃爍體層後,再將該基板及該爍體層裁切加以獲得。第1基板11及第1閃爍體層12係可藉由在包含相當於一個第1基板11的部分之基板上,形成包含相當於一個第1閃爍體層12的部分之閃爍體層後,再將該基板及該爍體層裁切加以獲得。第2基板21及第2閃爍體層22係可藉由在包含相當於一個第2基板21的部分之基板上,形成包含相當於一個第2閃爍體層22的部分之閃爍體層後,再將該基板及該爍體層裁切加以獲得。
第1閃爍體面板10之感測器面板2側(對於第1基板11為第1閃爍體層12側)的表面10a與第1閃爍體面板10之第2閃爍體面板20側的側面10b所形成之第1角度θ1為45度以上且未滿90度。在本實施形態,表面10a與第1閃爍體面板10的全側面形成45度以上且未滿90度的角度。第2閃爍體面板20之感測器面板2側(對於第2基板21為第2閃爍體層22側)的表面20a與第2閃爍體面板20之第1閃爍體面板10側的側面20b所形成的第2角度θ2為45度以上且未滿90度。在本實施形態,表面20a與第2閃爍體面板20的全側面形成45度以上且未滿90度的角度。藉由表面10a及側面10b所形成之第1閃爍體面板10的角部是接觸於藉由表面20a及側面20b所形成之第2閃爍體面板20的角部。
接著層3,配置於受光面2a與第1閃爍體面板10之間及受光面2a與第2閃爍體面板20之間。第1閃爍體面板10係在對於第1基板11,第1閃爍體層12位於受光面2a側的狀態下,藉由接著層3接著於受光面2a上。第2閃爍體面板20係在對於第2基板21,第2閃爍體層22位於受光面2a側的狀態下,藉由接著層3接著於受光面2a上。接著層3係將每個第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分離。亦即,配置於受光面2a與第1閃爍體面板10之間的接著層3、和配置於受光面2a與第2閃爍體面板20之間的接著層3,即使在互相接觸的情況,也形成界面。
接著層3為黏著劑或接著劑。黏著劑係指進行接著後不會硬化者。接著劑係指進行接著後會硬化者。接著層3的材料,為例如透光性的有機材料(例如OCA(Optical Clear Adhesive))。接著層3的厚度為例如0.1μm以上100μm以下(理想為25μm以下)。
粒狀螢光體4係配置於第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之間。更具體而言,粒狀螢光體4係配置於以第1閃爍體面板10的側面10b與第2閃爍體面板20的側面20b所形成之剖面呈V字狀的溝內。粒狀螢光體4的材料為例如硫酸釓(GOS)。
防濕層5係在感測器面板2上,覆蓋第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。防濕層5係在與感測器面板2之相反側,配置於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上,連續遍及於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。防濕層5的外緣5a係到達感測器面板2的表面2b(受光面2a的周圍之表面)。
防濕層5具有本體層51、及無機層52。本體層51係具有可撓性。無機層52配置於本體層51上。無機層52係藉由例如接著於本體層51,與本體層51一體化。防濕層5係在對於本體層51,無機層52位於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20側的狀態下,配置於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上。
本體層51之材料為例如PET、PEN、PI、PP、PE或PMMA。本體層51之厚度為例如50μm以上250μm以下。無機層52的材料為例如、Al(鋁)、Cu(銅)、Ti(鈦)、Fe(鐵)或SUS(不銹鋼)。無機層52之厚度為例如10μm以上100μm以下。
接著層6係配置於第1閃爍體面板10與防濕層5之間、第2閃爍體面板20與防濕層5之間、及感測器面板2的表面2b與防濕層5之間。防濕層5係接著於第1閃爍體面板10、第2閃爍體面板20及感測器面板2的表面2b。接著層6為黏著劑或接著劑。接著層6的厚度為例如0.1μm以上100μm以下(理想為25μm以下)。
封裝構件7係在感測器面板2的表面2b,將防濕層5的外緣5a密封。封裝構件7係沿著外緣5a呈框狀延伸存在。封裝構件7的材料為例如環氧樹脂、矽氧樹脂、氟樹脂、胺甲酸乙酯或丙烯酸。封裝構件7的材料,亦可含有玻璃等的無機材料所構成之填料。填料之材料,具有較封裝構件7的主材料之防濕性更高的防濕性即可,例如SiO 2(二氧化矽)、Al 2O 3(氧化鋁)或TiO 2(氧化鈦)。
如以上所說明,在放射線檢測器1,第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,是在沿著感測器面板2的受光面2a互相鄰接的狀態下,配置於感測器面板2的受光面2a上。在第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,第1閃爍體層12係到達第1基板11的外緣11a中之沿著第2閃爍體面板20延伸存在的第1部分11b,第2閃爍體層22是到達第2基板21的外緣21a中之沿著第1閃爍體面板10延伸存在的第2部分21b。因此,以可確實地形成複數個柱狀結晶之尺寸,能分別構成第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,並且可藉由第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,獲得一個放射線檢測區域。並且,配置於受光面2a與第1閃爍體面板10之間及受光面2a與第2閃爍體面板20之間的接著層3係將每個第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分離。藉此,可縮短當分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a時接著層3露出於外部之時間,能夠抑制異物咬入至受光面2a與第1閃爍體面板10之間及受光面2a與第2閃爍體面板20之間。且,可分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20精度良好地接著於受光面2a。就算在第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20中的其中一方發生問題的情況,亦可僅將該一方更換即可。藉由以上結構,若依據放射線檢測器1,可謀求放射線檢測區域的大面積化及放射線圖像的高解析度化並存。
在放射線檢測器1,第1基板11及第2基板21分別具有可撓性。藉此,可謀求當分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a時之作業性的提升。
在放射線檢測器1,第1閃爍體面板10係在從第1基板11的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上的矩形,第2閃爍體面板20係在從第2基板21的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上的矩形。藉此,可容易且確實地謀求放射線檢測區域的大面積化。
在放射線檢測器1,接著層3含有黏著劑或接著劑。藉此,可確實地分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a。
在放射線檢測器1,第1閃爍體面板10具有覆蓋第1基板11及第1閃爍體層12之第1保護層13,第2閃爍體面板20具有覆蓋第2基板21及第2閃爍體層22之第2保護層23。藉此,可保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。
在放射線檢測器1,粒狀螢光體4配置於第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之間。藉此,在第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分,可抑制放射線圖像的畫質劣化。
在放射線檢測器1,在與感測器面板2之相反側,配置於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上的防濕層5,係連續遍及於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。藉此,可防止水分侵入至第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分,能夠確實地保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。且,即使在感測器面板2與第1閃爍體面板10之間及感測器面板2與第2閃爍體面板20之間產生因溫度變化所引起之膨脹收縮差,亦可防止第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分從受光面2a剝離。
在放射線檢測器1,防濕層5具備具有可撓性的本體層51、和配置於本體層51上的無機層52,防濕層5係在對於本體層51,無機層52位於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20側的狀態下,配置於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上。藉此,可將無機層52作為防濕層5發揮功能,並且將本體層51作為保護層來發揮功能。
在放射線檢測器1,第1閃爍體面板10之感測器面板2側的表面10a與第1閃爍體面板10之第2閃爍體面板20側的側面10b所形成的第1角度θ1為90度以下,第2閃爍體面板20之感測器面板2側的表面20a與第2閃爍體面板20之第1閃爍體面板10側的側面20b所形成的第2角度θ2為90度以下。藉此,可防止在第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分因空氣熱膨脹造成該接合部分從受光面2a剝離。且,由於第1閃爍體層12與第2閃爍體層22接近,故,在第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分,可抑制放射線圖像的畫質劣化。
在放射線檢測器1,第1角度θ1及第2角度θ2分別為45度以上且未滿90度。藉此,可更確實地防止在第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20之接合部分,因空氣熱膨脹造成該接合部分從受光面2a剝離。
在放射線檢測器1,第1角度θ1及第2角度θ2分別為未滿90度,感測器面板2具有可撓性。藉此,可因應放射線檢測器1的設置環境等,使放射線檢測器1全體進行撓曲。且,在相對於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,以感測器面板2成為外側的方式,將放射線檢測器1全體進行撓曲的情況,可防止第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20物理性地干涉。
作為一例,如圖4所示,能以第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20沿著圓柱面S配置的方式,將放射線檢測器1全體進行撓曲。此時,由於第1角度θ1及第2角度θ2各自未滿90度,故,可防止第1閃爍體面板10與第2閃爍體面板20物理性地干涉。再者,如圖4所示的放射線檢測器1,雖未具備粒狀螢光體4、防濕層5、接著層6及封裝構件7,但,亦可因應需要,具備該等構件。 [閃爍體面板單元之結構]
如圖2所示,一對閃爍體面板單元100中的其中一方的閃爍體面板單元100具備:第1閃爍體面板10、接著層3及剝離薄片8。一對閃爍體面板單元100中之另一方的閃爍體面板單元100具備:第2閃爍體面板20、接著層3及剝離薄片8。一對閃爍體面板單元100係例如在製造前述的放射線檢測器1時被使用。
在一方的閃爍體面板單元100,剝離薄片8是從與第1閃爍體面板10之相反側覆蓋接著層3。在另一方的閃爍體面板單元100,剝離薄片8是從與第2閃爍體面板20之相反側覆蓋接著層3。接著層3對剝離薄片8的表面8a之接著力係較接著層3對第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之接著力低。再者,在閃爍體面板單元100,接著層3為黏著層。
第1閃爍體面板10係在對於第1基板11,第1閃爍體層12位於接著層3側的狀態下,配置於接著層3上。第2閃爍體面板20係在對於第2基板21,第2閃爍體層22位於接著層3側的狀態下,配置於接著層3上。亦即,第1閃爍體面板10朝一方的閃爍體面板單元100的接著層3上進行配置的方式,是與第1閃爍體面板10朝前述的放射線檢測器1的接著層3上配置的方式相同。第2閃爍體面板20朝另一方的閃爍體面板單元100的接著層3上進行配置的方式,是與第2閃爍體面板20朝前述的放射線檢測器1的接著層3上進行配置的方式相同。
在一方的閃爍體面板單元100,第1閃爍體面板10具有覆蓋第1基板11及第1閃爍體層12之第1保護層13。在另一方的閃爍體面板單元100,第2閃爍體面板20具有覆蓋第2基板21及第2閃爍體層22之第2保護層23。藉此,可保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。 [放射線檢測器的製造方法]
說明關於用來製造前述的放射線檢測器1的方法。在本實施形態,採用前述的一對閃爍體面板單元100。
首先,準備感測器面板2(準備感測器面板2之製程)。接著,在如圖2所示的一對閃爍體面板單元100的狀態下,準備第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20(準備第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程)。在準備第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程,第1角度θ1及第2角度θ2分別為45度以上且未滿90度(參照圖1)。再者,關於準備感測器面板2之製程、及準備第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程,其中任一個製程可先實施,亦可為雙方製程同時實施。
其次,在一方的閃爍體面板單元100,從第1閃爍體面板10及接著層3將剝離薄片8剝離,如圖3所示,將第1閃爍體面板10藉由接著層3接著於受光面2a(接著製程)。且,在另一方的閃爍體面板單元100,從第2閃爍體面板20及接著層3將剝離薄片8剝離,如圖3所示,將第2閃爍體面板20藉由接著層3接著於受光面2a(接著製程)。也就是第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分別被配置於受光面2a上(分別配置第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程)。在接著製程,接著層3將每個第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分離。在接著製程,在分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a之前,分別於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20配置接著層3。
在接著製程,由於第1基板11及第2基板21分別具有可撓性,故,能夠一面使第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20各自撓曲,一面將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分別從一方之側逐漸地接著至受光面2a。此時,可使藉由表面20a及側面20b所形成之第2閃爍體面板20的角部確實地接觸於藉由表面10a及側面10b所形成之第1閃爍體面板10的角部。
接著,如圖1所示,在感測器面板2上,藉由防濕層5覆蓋第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。也就是在與感測器面板2之相反側,於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上配置防濕層5(配置防濕層5之製程)。在配置防濕層5之製程,防濕層5連續遍及於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。接著,在感測器面板2的表面2b,藉由封裝構件7將防濕層5的外緣5a密封,獲得放射線檢測器1。在本實施形態,配置各別的第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程,係在配置防濕層5之製程前實施。
若依據以上的放射線檢測器1的製造方法,可容易且確實地獲得前述的放射線檢測器1。
在放射線檢測器1的製造方法,在接著製程,在分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a之前,分別於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20配置接著層3。藉此,可將第1閃爍體面板10及接著層3在該等構件被一體化的狀態下進行處理。同樣地,可將第2閃爍體面板20及接著層3在該等構件被一體化的狀態下進行處理。
在放射線檢測器1的製造方法,配置各別的第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程,係在配置防濕層5之製程前實施。藉此,當在與感測器面板2之相反側,將防濕層5配置於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上時,可將感測器面板2以及第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20在該等構件被一體化的狀態下進行處理。 [變形例]
本發明不限於前述實施形態。在放射線檢測器1,亦可如圖5(a)所示,第1角度θ1及第2角度θ2分別為90度。或者,在放射線檢測器1,亦可如圖5(b)所示,第1角度θ1及第2角度θ2分別為超過90度。在該情況,粒狀螢光體4可配置於第1閃爍體面板10的側面10b與第2閃爍體面板20的側面20b之間。如此,第1角度θ1及第2角度θ2分別可為90度以上一事,在前述的閃爍體面板單元100、及放射線檢測器1的製造方法亦相同。
如圖6所示,閃爍體面板單元100亦可具備:作為支持層之防濕層5;以及在沿著防濕層5互相鄰接的狀態下,配置於防濕層5上之第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。如圖6所示的閃爍體面板單元100之結構如下述。亦即,防濕層5是連續遍及於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。第1閃爍體面板10係在對於第1閃爍體層12,第1基板11位於防濕層5側的狀態下,配置於防濕層5上。第2閃爍體面板20係在對於第2閃爍體層22,第2基板21位於防濕層5側的狀態下,配置於防濕層5上。
在如圖6所示的閃爍體面板單元100,防濕層5覆蓋第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,在第1閃爍體面板10與防濕層5之間及第2閃爍體面板20與防濕層5之間配置接著層6。且,在第1閃爍體面板10與剝離薄片8之間及第2閃爍體面板20與剝離薄片8之間配置接著層3,在防濕層5的外緣5a與剝離薄片8之間配置接著層6。接著層3及接著層6分別為黏著層。接著層3對剝離薄片8的表面8a之接著力係較接著層3對第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之接著力低。接著層6對剝離薄片8的表面8a之接著力係較接著層6對防濕層5的外緣5a之接著力低。若依據如圖6所示的閃爍體面板單元100的話,可將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20以及防濕層5在該等構件被一體化的狀態下進行處理。再者,如圖6所示的閃爍體面板單元100亦可不具備接著層3、接著層6中之配置於外緣5a上的部分及剝離薄片8。
如圖7所示,在放射線檢測器1,防濕層5的外緣可位於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20上,封裝構件7可在感測器面板2的表面2b,將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20的外側之側面、及防濕層5的外側之側面密封。
亦可如圖8所示,在放射線檢測器1,第1防濕層5A在與感測器面板2之相反側配置於第1閃爍體面板10上,第2防濕層5B在與感測器面板2之相反側配置於第2閃爍體面板20上。在該情況,亦可為第1保護層13覆蓋第1閃爍體面板10及第1防濕層5A,第2保護層23覆蓋第2閃爍體面板20及第2防濕層5B。第1防濕層5A及第2防濕層5B的結構是與前述的防濕層5的結構相同。在如圖8所示的放射線檢測器1,封裝構件7在感測器面板2的表面2b,將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20的外側之側面、以及第1防濕層5A及第2防濕層5B的外側之側面密封。若依據如圖8所示的放射線檢測器1,可保護具有潮解性的複數個柱狀結晶。
亦可如圖9所示,在閃爍體面板單元100,防濕層5的外緣位於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。在如圖9所示的閃爍體面板單元100,接著層3及剝離薄片8係將每個第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分離。再者,如圖9所示的閃爍體面板單元100亦可不具備接著層3、及剝離薄片8。
在放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,第1基板11及第2基板21各自亦可不具有可撓性。在該情況,第1基板11及第2基板21各自的材料為例如CFRP(碳纖維強化塑膠)、a-C(無定形碳)、Al、Cu或玻璃。在第1基板11及第2基板21各自的材料為金屬的情況,亦可於第1基板11及第2基板21各自的表面及背面,形成有例如作為耐蝕塗膜之功能性的膜(聚對二甲苯膜等)。該功能性的膜,亦可為含有各別具有不同的功能之複數個膜的層積膜。作為一例,在第1基板11及第2基板21各自的材料為Al的情況,亦可於第1基板11及第2基板21各自的表面及背面,形成有氧皮鋁(陽極氧化鋁)膜及聚對二甲苯膜。在放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,第1基板11及第2基板21各自亦可為包含複數個基板(例如、CFRP基板及PET基板)之層積基板。
在放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,第1閃爍體層12係至少到達第1基板11的外緣11a中之第1部分11b即可。同樣地,第2閃爍體層22係至少到達第2基板21的外緣11a中之第2部分21b即可。在放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,第1基板11及第1閃爍體層12不限於藉由裁切或切出所獲得者,亦可為第1閃爍體層12到達至第1基板11的側面者。同樣地,第2基板21及第2閃爍體層22不限於藉由裁切或切出所獲得者,亦可為第2閃爍體層22到達至第2基板21的側面者。
在放射線檢測器1,感測器面板2亦可不具有可撓性。在該情況,在感測器面板2,設有複數個光電變換元件之基板的材料為例如a-Si(無定形矽)、Si(矽)或玻璃(例如無鹼玻璃)。在放射線檢測器1,防濕層5的外緣5a到達受光面2a的周圍之感測器面板2的表面2b,封裝構件7是在以感測器面板2及防濕層5所劃定的區域已被減壓的狀態,在感測器面板2的表面2b將防濕層5的外緣5a密封。在該情況,可不使用接著層3,即可將防濕層5密接於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。在放射線檢測器1,形成為帽型的防濕層5在感測器面板2被覆於第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20,封裝構件7在感測器面板2的表面2b將防濕層5的外緣5a密封。
放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,亦可不具有防濕層5、5A、5B。放射線檢測器1及閃爍體面板單元100,亦可不具有第1保護層13及第2保護層23。
在放射線檢測器1的製造方法,在接著製程,在分別將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20接著於受光面2a之前,將接著層3配置於受光面2a。在該情況,可將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20各別進行處理。在放射線檢測器1的製造方法,配置防濕層5之製程,亦可在各別配置第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20之製程前實施。在該情況,當將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20分別配置於受光面2a上時,將第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20以及防濕層5在該等構件被一體化的狀態下進行處理。
前述的放射線檢測器1、閃爍體面板單元100、及放射線檢測器1的製造方法之所有的實施形態及變形例等,作為呈一維或二維配置之複數個閃爍體面板,可具備第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。例如,在將三片的閃爍體面板呈一維配置的情況,可將任意的[鄰接之二片的閃爍體面板]作為第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。又,在將四片的閃爍體面板呈二維配置的情況,可將任意的[鄰接之二片的閃爍體面板]作為第1閃爍體面板10及第2閃爍體面板20。
1:放射線檢測器 2:感測器面板 2a:受光面 3:接著層 4:粒狀螢光體 5A:第1防濕層 5B:第2防濕層 10:第1閃爍體面板 11:第1基板 11a:外緣 11b:第1部分 12:第1閃爍體層 13:第1保護層 20:第2閃爍體面板 21:第2基板 21a:外緣 21b:第2部分 22:第2閃爍體層 23:第2保護層
[圖1]係一實施形態之放射線檢測器之剖面圖。 [圖2]係一實施形態之閃爍體面板單元之剖面圖。 [圖3]係一實施形態之放射線檢測器的製造方法的一製程中之放射線檢測器的剖面圖。 [圖4]係變形例之放射線檢測器之剖面圖。 [圖5]係變形例之放射線檢測器的一部分之剖面圖。 [圖6]係變形例之閃爍體面板單元之剖面圖。 [圖7]係變形例之放射線檢測器之剖面圖。 [圖8]係變形例之放射線檢測器之剖面圖。 [圖9]係變形例之閃爍體面板單元之剖面圖。
1:放射線檢測器
2:感測器面板
2a:受光面
2b:表面
3:接著層
4:粒狀螢光體
5:防濕層
5a:外緣
6:接著層
7:封裝構件
10:第1閃爍體面板
10a:表面
10b:側面
11:第1基板
11a:外緣
11b:第1部分
12:第1閃爍體層
13:第1保護層
20:第2閃爍體面板
20a:表面
20b:側面
21:第2基板
21a:外緣
21b:第2部分
22:第2閃爍體層
23:第2保護層
51:本體層
52:無機層

Claims (13)

  1. 一種放射線檢測器,係具備:感測器面板,其具有受光面; 第1閃爍體面板與第2閃爍體面板,其在沿著前述受光面互相鄰接的狀態下配置於前述受光面上;及 接著層,其配置於前述受光面與前述第1閃爍體面板之間及前述受光面與前述第2閃爍體面板之間, 前述第1閃爍體面板具有:第1基板;及包含形成於前述第1基板上的複數個柱狀結晶之第1閃爍體層, 前述第2閃爍體面板具有:第2基板;及包含形成於前述第2基板上的複數個柱狀結晶之第2閃爍體層, 前述第1閃爍體面板係在對於前述第1基板,前述第1閃爍體層位在前述受光面側的狀態下,藉由前述接著層接著於前述受光面, 前述第2閃爍體面板係在對於前述第2基板,前述第2閃爍體層位在前述受光面側的狀態下,藉由前述接著層接著於前述受光面, 從前述第1閃爍體層側觀看的情況時之前述第1基板的外緣包含沿著前述第2閃爍體面板延伸存在之第1部分,前述第1閃爍體層係至少到達前述第1部分, 從前述第2閃爍體層側觀看的情況時之前述第2基板的外緣包含沿著前述第1閃爍體面板延伸存在之第2部分,前述第2閃爍體層係至少到達前述第2部分, 在前述感測器面板中的其中一個感測器面板上,經由前述接著層至少配置有前述第1閃爍體面板中的其中一個第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板中的其中一個第2閃爍體面板, 前述接著層係在前述其中一個感測器面板上,將其中一個前述第1閃爍體面板及前述其中一個第2閃爍體面板分離。
  2. 如請求項1的放射線檢測器,其中,前述第1基板及前述第2基板分別具有可撓性。
  3. 如請求項1的放射線檢測器,其中,前述第1閃爍體面板係在從前述第1基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形, 前述第2閃爍體面板係在從前述第2基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形。
  4. 如請求項2的放射線檢測器,其中,前述第1閃爍體面板係在從前述第1基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形, 前述第2閃爍體面板係在從前述第2基板的厚度方向觀看的情況,呈一邊的長度為300mm以上之矩形。
  5. 如請求項1至4中任一項的放射線檢測器,其中,前述接著層含有黏著劑或接著劑。
  6. 如請求項1至4中任一項的放射線檢測器,其中,前述第1閃爍體面板還具有第1保護層,其用來覆蓋前述第1基板及前述第1閃爍體層, 前述第2閃爍體面板還具有第2保護層,其用來覆蓋前述第2基板及前述第2閃爍體層。
  7. 如請求項5的放射線檢測器,其中,前述第1閃爍體面板還具有第1保護層,其用來覆蓋前述第1基板及前述第1閃爍體層, 前述第2閃爍體面板還具有第2保護層,其用來覆蓋前述第2基板及前述第2閃爍體層。
  8. 如請求項1至4中任一項的放射線檢測器,其中,還具備:第1防濕層,其係在與前述感測器面板之相反側,配置於前述第1閃爍體面板上; 第2防濕層,其係在與前述感測器面板之相反側,配置於前述第2閃爍體面板上; 第1保護層,其係覆蓋前述第1閃爍體面板及前述第1防濕層;及 第2保護層,其用來覆蓋前述第2閃爍體面板及前述第2防濕層。
  9. 如請求項5的放射線檢測器,其中,還具備:第1防濕層,其係在與前述感測器面板之相反側,配置於前述第1閃爍體面板上; 第2防濕層,其係在與前述感測器面板之相反側,配置於前述第2閃爍體面板上; 第1保護層,其係覆蓋前述第1閃爍體面板及前述第1防濕層;及 第2保護層,其用來覆蓋前述第2閃爍體面板及前述第2防濕層。
  10. 如請求項1至4中任一項的放射線檢測器,其中,還具備粒狀螢光體,其配置於前述第1閃爍體面板與前述第2閃爍體面板之間。
  11. 一種放射線檢測器的製造方法,係用來製造如請求項1至10中任一項的放射線檢測器,其特徵為具備: 準備前述感測器面板之製程; 準備前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板之製程;及 藉由前述接著層,分別將前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板接著於前述受光面之接著製程, 在前述接著製程,前述接著層係將每個前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板分離。
  12. 如請求項11的放射線檢測器的製造方法,其中,在前述接著製程,在分別將前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板接著於前述受光面之前,分別於前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板配置前述接著層。
  13. 如請求項11的放射線檢測器的製造方法,其中,在前述接著製程,在分別將前述第1閃爍體面板及前述第2閃爍體面板接著於前述受光面之前,分別於前述受光面配置前述接著層。
TW110142747A 2020-12-23 2021-11-17 放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法 TWI894395B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020213314A JP7457640B2 (ja) 2020-12-23 2020-12-23 放射線検出器、及び放射線検出器の製造方法
JP2020-213314 2020-12-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202242451A TW202242451A (zh) 2022-11-01
TWI894395B true TWI894395B (zh) 2025-08-21

Family

ID=82157601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110142747A TWI894395B (zh) 2020-12-23 2021-11-17 放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12386084B2 (zh)
EP (1) EP4235224A4 (zh)
JP (1) JP7457640B2 (zh)
CN (1) CN116724252A (zh)
TW (1) TWI894395B (zh)
WO (1) WO2022137845A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001183464A (ja) * 1999-04-16 2001-07-06 Hamamatsu Photonics Kk シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
JP2002048870A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器およびシンチレータパネル
TW201732838A (zh) * 2016-02-02 2017-09-16 V Technology Co Ltd 放射線檢測裝置之製造方法
JP2019027950A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11258351A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Hitachi Medical Corp 放射線検出器の製造方法
TW436832B (en) 2000-06-21 2001-05-28 Leadtek Research Inc Method for producing keyboard keys
JP4018472B2 (ja) 2002-07-25 2007-12-05 キヤノン株式会社 デジタルx線撮影用放射線変換シート、及びデジタルx線撮影用放射線変換シートとデジタルx線撮影装置の製造方法
JP2009118943A (ja) 2007-11-13 2009-06-04 Hitachi Medical Corp 放射線検出器及びこれを用いたx線ct装置
JP2012172972A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータパネルの製造方法、シンチレータパネルおよびフラットパネルディテクタ
CN106663488B (zh) * 2014-08-08 2019-05-14 东丽株式会社 闪烁体面板和放射线检测器
JP2020134253A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 キヤノン株式会社 シンチレータプレートの製造方法、シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001183464A (ja) * 1999-04-16 2001-07-06 Hamamatsu Photonics Kk シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
JP2002048870A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器およびシンチレータパネル
TW201732838A (zh) * 2016-02-02 2017-09-16 V Technology Co Ltd 放射線檢測裝置之製造方法
JP2019027950A (ja) * 2017-07-31 2019-02-21 キヤノン株式会社 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202242451A (zh) 2022-11-01
EP4235224A4 (en) 2024-10-16
US12386084B2 (en) 2025-08-12
WO2022137845A1 (ja) 2022-06-30
JP7457640B2 (ja) 2024-03-28
CN116724252A (zh) 2023-09-08
EP4235224A1 (en) 2023-08-30
JP2022099510A (ja) 2022-07-05
US20250076525A1 (en) 2025-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8957383B2 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection system
JP4293299B2 (ja) 固体放射線撮像装置アセンブリ
US20030001101A1 (en) Scintillator panel and radiation image sensor
US20130308755A1 (en) Radiation detection apparatus and radiation detection system
JP7314119B2 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法
CN104718463B (zh) 闪烁器面板和放射线检测器
TWI898081B (zh) 放射線檢測器、放射線檢測器的製造方法、及閃爍板單元
JP6995666B2 (ja) 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
TWI894395B (zh) 放射線檢測器、及放射線檢測器的製造方法
KR102860671B1 (ko) 신틸레이터 패널, 방사선 검출기, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 방사선 검출기의 제조 방법
TWI898080B (zh) 放射線檢測器、放射線檢測器的製造方法、以及閃爍板單元
KR102806631B1 (ko) 방사선 검출기 및 방사선 검출기의 제조 방법
TWI864350B (zh) 放射線檢測器、放射線檢測器的製造方法、以及閃爍板單元
JP2021015058A (ja) 放射線撮像装置および放射線撮像システム
KR20240162551A (ko) 신틸레이터 패널, 방사선 검출기, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 방사선 검출기의 제조 방법
EP3896705A1 (en) Scintillator module, scintillator sensor unit, and manufacturing method