[go: up one dir, main page]

TWI894171B - 基板處理系統之基板支撐件的加熱器元件用電源隔離電路 - Google Patents

基板處理系統之基板支撐件的加熱器元件用電源隔離電路

Info

Publication number
TWI894171B
TWI894171B TW109134726A TW109134726A TWI894171B TW I894171 B TWI894171 B TW I894171B TW 109134726 A TW109134726 A TW 109134726A TW 109134726 A TW109134726 A TW 109134726A TW I894171 B TWI894171 B TW I894171B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
switch
voltage
transformer
converter
processing system
Prior art date
Application number
TW109134726A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202129794A (zh
Inventor
文生 柏卡特
卡爾 費德瑞克 李瑟
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商蘭姆研究公司 filed Critical 美商蘭姆研究公司
Publication of TW202129794A publication Critical patent/TW202129794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI894171B publication Critical patent/TWI894171B/zh

Links

Classifications

    • H10P72/722—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H02M3/1582—Buck-boost converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • H10P72/0432—
    • H10P72/72—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

一種基板處理系統包含一基板支座及一電源電路。該基板支座係配置以支撐一基板，其中該基板支座包含一或更多加熱元件。該電源電路包含：一直流對交流轉換器，其係配置以將第一直流電壓轉換為第一交流電壓，其中該直流對交流轉換器包含至少一個開關；以及一隔離電路，其包含耦合電感器或變壓器中之一者。該耦合電感器或該變壓器中之該者係配置以將該第一交流電壓轉換為第二交流電壓，並且將該一或更多加熱元件與接地隔離。該電源電路係配置以基於該第二交流電壓而提供一輸出電壓至該一或更多加熱元件。

Description

基板處理系統之基板支撐件的加熱器元件用電源隔離電路
〔相關申請案的交互參照〕本申請案主張2019年10月8日提交的美國臨時專利申請案第62/912,596號的優先權。在此將上述申請案之全部內容引入以供參照。
本發明係關於基板處理系統之靜電卡盤。
此處所提供之先前技術說明係為了大體上介紹本發明之背景。在此先前技術章節中所敘述之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。
基板處理系統(例如電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)處理系統)通常包含噴淋頭及用以支撐基板的基板支座。在操作期間，噴淋頭將反應物氣體分配至基板上。在兩個電極(例如，噴淋頭及基板支座中之RF電極)之間提供射頻 (RF)電位，以產生電漿。受激電子使得電漿中的反應物氣體電離或解離，從而產生化學反應性自由基。當該等自由基進行反應時，薄膜在基板上沉積和形成。
當例如非導電性氣體解離且橫跨基板與基板支座之間的間隙而發生電流放電時，可能在基板與基板支座、噴淋頭、或腔室主體之間發生電弧現象(Arcing)。電弧現象可能使基板中的敏感電路劣化及/或對其造成損害。此使得加工良率降低，從而導致製造損失和成本增加。
提供一種基板處理系統，且其包含一基板支座及一電源電路。該基板支座係配置以支撐一基板。該基板支座包含一或更多加熱元件。該電源電路包含：一直流對交流轉換器，其係配置以將第一直流電壓轉換為第一交流電壓，其中該直流對交流轉換器包含至少一個開關；以及一隔離電路，其包含耦合電感器或變壓器中之一者。該耦合電感器或該變壓器中之該者係配置以將該第一交流電壓轉換為第二交流電壓，並且將該一或更多加熱元件與接地隔離。該電源電路係配置以基於該第二交流電壓而提供一輸出電壓至該一或更多加熱元件。
在其它特徵中，該隔離電路係配置以將該第二交流電壓供應至該一或更多加熱元件。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含一控制器。該直流對交流轉換器包含一開關及該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次繞組。該控制器係配置以在提供功率至該一或更多加熱元件時以一預定頻率使該開關在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間變換。在其它特徵中，該預定頻率係在10千赫至100千赫之間。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。
在其它特徵中，該耦合電感器或該變壓器中之該者及該交流對直流轉換器提供一降壓轉換器。該變壓器為一降壓變壓器。
在其它特徵中，該耦合電感器或該變壓器中之該者及該交流對直流轉換器提供一升壓轉換器；並且該變壓器為一升壓變壓器。
在其它特徵中，該直流對交流轉換器包含一金屬氧化物半導體場效電晶體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次線圈串聯連接。該交流對直流轉換器包含：一二極體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的二次繞組串聯連接，以及一電容器，其係與該一或更多加熱元件並聯連接，且跨接在該二次繞組與該二極體的兩端。
在其它特徵中，該耦合電感器或該變壓器中之該者包含一次繞組及二次繞組。該一次繞組係連接至該接地。該二次繞組未連接至該接地。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含一控制器。該直流對交流轉換器包含一H電橋。該H電橋包含第一開關、第二開關、第三開關、及第四開關。該控制器係配置以在提供功率至該一或更多加熱元件時使該第一開關、該第二開關、該第三開關、及該第四開關在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間變換。
在其它特徵中，該控制器係配置以執行下列步驟：在將該第二開關及該第三開關變換為關斷(OFF)狀態的同時，將該第一開關及該第四開關變換為導通(ON)狀態；以及在將該第二開關及該第三開關變換為導通(ON)狀態的同時，將該第一開關及該第四開關變換為關斷(OFF)狀態。
在其它特徵中，該第一開關與該第二開關係串聯連接。該第三開關與該第四開關係串聯連接，並且一同與該第一開關及該第二開關之串聯組合並聯連接。
在其它特徵中，該第一開關及該第二開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次繞組的第一端。該第三開關及該第四開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次繞組的第二端。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。該一次繞組接收該第一交流電壓。該耦合電感器或該變壓器中之該者的二次繞組將該第二直流電壓供應至該交流對直流轉換器。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。該交流對直流轉換器包含：一二極體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的二次繞組串聯連接，以及一電容器，其係與該一或更多加熱元件並聯連接，且跨接在該二次繞組與該二極體的兩端。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含第一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。該一或更多加熱元件包含第一加熱元件。該耦合電感器或該變壓器中之該者包含一次繞組及第一二次繞組。該第一交流對直流轉換器係連接至該第一二次繞組，並且將該第二直流電壓提供至該第一加熱元件。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含第二交流對直流轉換器。該一或更多加熱元件包含第二加熱元件。該耦合電感器或該變壓器中之該者包 含第二二次繞組。該第二交流對直流轉換器將該第一交流電壓轉換為第三直流電壓，並且將該第三直流電壓提供至該第二加熱元件。
在其它特徵中，提供一種基板處理系統，且其包含一基板支座、一電源電路、以及一控制器。該基板支座係配置以支撐一基板。該基板支座包含一或更多加熱元件。該電源電路包含：一開關，其係配置以接收第一直流電壓；耦合電感器或變壓器中之一者，其包含一次繞組及二次繞組，其中該一次繞組係連接至該開關及接地，且其中該二次繞組未連接至該接地；一二極體，其係與該二次繞組串聯連接；以及一電容器，其係連接至該二極體，並且與該一或更多加熱元件並聯連接。該二極體及該電容器將該二次繞組之交流輸出轉換為第二直流電壓。該電容器將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。該控制器係配置以在為該一或更多加熱元件供電時以一預定頻率使該開關在導通(ON)狀態與關斷(OFF)狀態之間變換。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含第二電容器。跨該第二電容器的兩端而接收該第一直流電壓。該開關係連接至該第二電容器的輸出端。
在其它特徵中，提供一種基板處理系統，且其包含：一基板支座，其係配置以支撐一基板。該基板支座包含一或更多加熱元件。該基板處理系統更包含一電源電路以及一控制器。該電源電路包含：一H電橋，其係配置以接收第一直流電壓，其中該H電橋包含第一開關、第二開關、第三開關、及第四開關；耦合電感器或變壓器中之一者，其包含一次繞組及二次繞組，其中該一次繞組係連接至該H電橋及接地，且其中該二次繞組未連接至該接地；一二極體，其係與該二次繞組串聯連接；以及一電容器，其係連接至該二極體，並且與該一或更多加熱元件並聯連接。該二極體及該電容器將該二次繞組之交流輸出轉換為第二 直流電壓。該電容器將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。該控制器係配置以在為該一或更多加熱元件供電時以一預定頻率使該第一開關、該第二開關、該第三開關、及該第四開關在導通(ON)狀態與關斷(OFF)狀態之間變換。
在其它特徵中，該第一開關與該第二開關係串聯連接。該第三開關與該第四開關係串聯連接，並且一同與該第一開關及該第二開關之串聯組合並聯連接。該第一開關及該第二開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次繞組的第一端。該第三開關及該第四開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的一次繞組的第二端。
在其它特徵中，該基板處理系統更包含第二電容器，其係配置以接收該第一直流電壓。該第二電容器係以下列方式連接：與該第一開關及該第二開關之串聯組合並聯連接；並且與該第三開關及該第四開關之串聯組合並聯連接。
本揭露內容之進一步的可應用領域將從實施方式、發明申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明及具體範例係意圖為僅供說明的目的，而非意欲限制本揭示內容的範圍。
100:基板處理系統
102:本體
104:處理腔室
105:上電極
107:基板
109:噴淋頭
110:加熱元件
111:桿部
116:下電極
120:RF產生系統
122:RF產生器
123:電漿RF產生器
124:匹配及配送網路
125:偏壓RF產生器
127:電漿RF匹配網路
129:偏壓RF匹配網路
130:氣體輸送系統
131:電極
132-1:氣體源
132-2:氣體源
132-N:氣體源
132:氣體源
134-1:閥
134-2:閥
134-N:閥
134:閥
136-1:質量流量控制器
136-2:質量流量控制器
136-N:質量流量控制器
136:質量流量控制器
140:歧管
141:加熱系統
142:溫度控制器
143:溫度感測器
144:電源電路
145:隔離電路
156:閥
158:泵浦
160:系統控制器
164:機械臂
166:負載閘
200:基板處理系統
202:處理腔室
204:腔室壁
206:基板支座
208:噴淋頭
210:基板
212:加熱元件
220:功率源
222:電源電路
224:濾波器
226:DC對AC轉換器
228:隔離電路
230:AC對DC轉換器
232:路徑
300:電源電路
302:濾波器
304:DC對AC轉換器
305:降壓轉換器
306:隔離電路
308:AC對DC轉換器
310:控制器
312:一次線圈
314:二次線圈
316:接地
318:參考接地
400:電源電路
402:濾波器
404:DC對AC轉換器
405:升壓轉換器
406:隔離電路
408:AC對DC轉換器
410:控制器
412:一次線圈
414:二次線圈
416:接地
418:參考接地
500:電源電路
502:濾波器
504:DC對AC轉換器
505:H電橋
506:隔離電路
508:AC對DC轉換器
510:控制器
512:一次線圈
514:二次線圈
600:隔離電路
602:AC對DC轉換器
604:AC對DC轉換器
606:AC對DC轉換器
608:一次線圈
610:二次線圈
612:二次線圈
614:二次線圈
C1:電容器
C2:電容器
C3:電容器
C4:電容器
D1:二極體
D2:二極體
D3:二極體
R1:加熱元件
R2:加熱元件
R3:加熱元件
R4:加熱元件
R5:加熱元件
S1-S2:且
S1:開關
S2:開關
S3:開關
S4:開關
T1:變壓器
本揭露內容從實施方式及隨附圖式可更完全了解，其中：依據本發明之實施例，圖1為包含用於基板支座之一或更多加熱元件之隔離電路的基板處理系統之範例的功能方塊圖；依據本發明之實施例，圖2為顯示對應之電源電路的另一基板處理系統之範例的功能方塊圖； 依據本發明之實施例，圖3為包含隔離電路及降壓轉換器之電源電路之範例的功能方塊圖；依據本發明之實施例，圖4為包含隔離電路及升壓轉換器之另一電源電路之範例的功能方塊圖；依據本發明之實施例，圖5為包含H電橋及隔離電路之另一電源電路之範例的功能方塊圖；以及依據本發明之實施例，圖6為隔離電路及複數交流(AC)對直流(DC)轉換器之範例的功能方塊圖。
在圖式中，元件符號可被再次使用以辨別相似及/或相同的元件。
在PECVD及電漿輔助原子層沉積(PEALD)處理系統中，基板支座係設置於處理腔室中，且可包含嵌在基板支座內的一或更多加熱元件。基板支座可由例如氮化鋁(AlN3)所形成。加熱元件係用以設定基板支座的處理溫度及放置於基板支座上之基板的溫度。可提供AC功率以將功率供應至加熱元件。例如，AC功率可具有50-60赫茲(Hz)的頻率。因標準安全規範之理由，AC功率係以接地為參考。可使處理腔室之壁部連接至接地。
隨著基板支座的溫度增加，基板支座可能變得更具導電性。此對於由AlN3所形成之基板支座而言為真。因此，電流可能從設置於基板支座中的加熱元件經由基板支座的一部份而洩漏至基板，接著流至電漿，然後電流可能經由噴淋頭及/或腔室壁而被流至接地。因此，在例如基板支座與基板之間、基板支 座至噴淋頭之間、或基板支座至腔室壁之間可能發生電弧現象(arcing)，其可能使得基板劣化。
本文所揭示之範例包含電源電路，其包含用以供應功率至基板支座內之加熱元件的隔離電路。隔離電路將加熱元件與接地隔離，並且最小化及/或避免因電流從加熱元件洩漏而導致的基板支座與基板之間的電弧現象。電源電路亦實現高速切換，其容許較小的磁性元件，因此容許在隔離電路中使用較小的變壓器。與原本將例如60Hz AC信號與接地隔離所需之的變壓器相比，該等變壓器較小許多且成本較低。因此，所揭示之範例(包括高速切換與隔離電路之組合)容許小型電源電路的使用。
圖1顯示包含ESC 101的基板處理系統100。可將ESC 101配置為與本文所揭示之基板支座之任一者相同或相似。雖然圖1顯示一電容耦合式電漿(CCP)系統，但本文所揭示之實施例適用於變壓器耦合式電漿(TCP)系統、感應耦合式電漿(ICP)系統、及/或包含具有加熱元件之基板支座的其他系統及電漿源。該等實施例適用於電漿氣相沉積(PVD)處理、PECVD處理、PEALD處理、化學輔助電漿氣相沉積(CEPVD)處理。雖然ESC 101係顯示為包含單塊的本體102，但ESC 101可具有其他結構，包括多板件基板支座。本體102可由不同材料及/或不同陶瓷組成所形成。本體102可包含例如氮化鋁(AlN3)及/或其他合適的基板支座材料。
基板處理系統100包含處理腔室104。ESC 101被包封於處理腔室104內。處理腔室104亦包封其他元件(如上電極105)，且容納RF電漿。在操作期間，基板107被設置於ESC 101上，且被靜電式地夾持於ESC 101。僅舉例而言，上電極105可包含一噴淋頭109，其將氣體導入並進行分配。噴淋頭109可包含一 桿部111，該桿部包含連接於處理腔室104之頂部表面之一端。噴淋頭109一般為圓柱形，且由桿部111之另一端(位在與處理腔室104之頂部表面相隔開之位置)徑向往外延伸。噴淋頭109面對基板之表面包含孔洞，製程或排淨氣體經由該等孔洞流過。或者，上電極105可包含導電板，且製程氣體可經由另一方式而加以導入。
ESC 101可包含溫度控制元件(TCEs)，其亦稱為加熱元件。舉例而言，圖1顯示包含單一加熱元件110的ESC 101。雖然顯示單一的加熱元件110，但ESC 101中可包含任何數量的加熱元件(另一範例係顯示於圖2中)。
RF產生系統120產生RF電壓並將其輸出至上電極105及ESC 101中的一或更多下電極116。上電極105及ESC 101之其中一者可為DC接地、AC接地或在一浮動電位。僅舉例而言，RF產生系統120可包含產生RF電壓的一或更多RF產生器122(例如，電容耦合式電漿RF功率產生器、偏壓RF功率產生器、及/或其他RF功率產生器)，RF電壓係藉由一或更多匹配及配送網路124饋送至上電極105及/或ESC 101。舉例而言，顯示電漿RF產生器123、偏壓RF產生器125、電漿RF匹配網路127及偏壓RF匹配網路129。電漿RF產生器123可為高功率RF產生器，其產生例如6-10千瓦(kW)以上的功率。偏壓RF匹配網路將功率供應至RF電極，如RF電極116。
氣體輸送系統130包含一或更多氣體源132-1、132-2、...、以及132-N(統稱氣體源132)，其中N為大於零之整數。氣體源132供應一或更多前驅物及其氣體混合物。氣體源132亦可供應蝕刻氣體、載氣、及/或排淨氣體。亦可使用經汽化之前驅物。氣體源132係經由閥134-1、134-2、...、及134-N(統稱閥134)及質量流量控制器136-1、136-2、...、及136-N(統稱質量流量控制器136)而連接至 歧管140。歧管140之輸出被饋送至處理腔室104。僅舉例而言，歧管140之輸出被饋送至噴淋頭109。
基板處理系統100更包含一加熱系統141，其包含一溫度控制器142，該溫度控制器142可連接至加熱元件110。溫度控制器142控制電源電路144，其供應功率至加熱元件110。電源電路144包含隔離電路145，其將加熱元件110及對應的電力線與接地隔離，從而最小化及/或避免因電流從加熱元件110洩漏而導致之電弧現象(arcing)。可將電源電路144實施為本文所揭示之電源電路(包括圖2-5中所示者)之任一者。
雖然與系統控制器160分開顯示，但溫度控制器142可作為系統控制器160之一部分而實施。ESC 101可包含多個溫度控制區帶，其中該等區帶之各者包含溫度感測器及加熱元件。溫度控制器142可監視由溫度感測器所指示之溫度，並調整供至加熱元件的電流、電壓、及/或功率，以將溫度調整至目標溫度。電源電路144亦可將功率(包含高電壓)提供至電極131，以將基板107靜電式地夾持於ESC 101。電源電路144可由系統控制器160所控制。
溫度控制器142可控制加熱元件之操作，從而控制加熱元件的溫度，並因此控制基板(例如基板107)的溫度。溫度控制器142基於來自處理腔室104內之溫度感測器143的偵測參數而控制供應至加熱元件的電流。溫度感測器143可包含電阻式溫度元件、熱電偶、數位溫度感測器、及/或其他合適的溫度感測器。
閥156及泵浦158可用於自處理腔室104排空反應物。系統控制器160可控制基板處理系統100之元件，包括控制所供應之RF功率位準、所供應之氣體的壓力及流率、RF匹配等。系統控制器160控制閥156及泵浦158之狀態。機 械臂164可用以傳送基板至ESC 101上以及從ESC 101移除基板。例如，機械臂164可於ESC 101與負載閘166之間轉移基板。機械臂164可由系統控制器160所控制。系統控制器160可控制負載閘166之操作。
本文所指之閥、氣體泵浦、功率源、RF產生器等可稱為致動器。本文所指之加熱元件、氣體通道等可稱為溫度調整元件。
圖2顯示基板處理系統200，其包含具有腔室壁204的處理腔室202。基板支座206及噴淋頭208係設置於處理腔室202中。基板支座206支撐基板210，且包含夾持電極131、RF電極116、及加熱元件212。雖然(i)夾持電極131係顯示為在單一水平面中、(ii)RF電極116係顯示為在單一水平面中、且(iii)加熱元件212係顯示為在單一水平面中，但電極131、116、及加熱元件212可依其他配置方式設置於基板支座206中。
基板處理系統200更包含功率源220及電源電路222，其中電源電路222包含濾波器224、DC對AC轉換器226、隔離電路228、及選用性的AC對DC轉換器230。在一實施例中，不包含AC對DC轉換器230，且隔離電路228之輸出被提供至加熱元件212。可將隔離電路228直接連接至加熱元件212。功率源220將DC電壓供應至電源電路222，DC電壓係在濾波器224處被接收。濾波器224在DC電壓被DC對AC轉換器226接收之前將雜訊消除，DC對AC轉換器226將DC電壓轉換為第一AC電壓。電源電路222、濾波器224、DC對AC轉換器226、隔離電路228、及選用性的AC對DC轉換器230之範例係顯示於圖3-5中。
隔離電路228將加熱元件212與DC對AC轉換器226之輸出及接地隔離。此有助於避免基板支座206與基板之間的電弧現象。顯示一例示性路徑232，若未實施所揭示之電源電路222等，則電流可能從加熱元件212遵循該路徑 232行進。隔離電路228可包含一變壓器，其將第一AC電壓轉換為第二AC電壓。AC對DC轉換器230將AC電壓轉換為一或更多DC電壓，其被提供至加熱元件212。
圖3顯示包含濾波器302、DC對AC轉換器304、及同步降壓轉換器305的電源電路300，其將功率提供至加熱元件R1。降壓轉換器305包含隔離電路306及選用性的AC對DC轉換器308。在一實施例中，不包含AC對DC轉換器308，且隔離電路306之輸出被提供至加熱元件R1。可將隔離電路306直接連接至加熱元件R1。濾波器302包含電容器C1，該電容器C1於第一端接收第一DC電壓，且於第二端連接至接地316。DC對AC轉換器304將第一DC電壓轉換為第一AC電壓，且包含開關S1及隔離電路306的一次線圈312。開關S1可為如圖示之金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、雙極電晶體、及/或其他合適的開關。控制器310控制開關S1在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間的切換。控制器310可被實施為圖1的溫度控制器142，且可在提供功率至加熱元件R1時以預定的切換頻率(例如，10-100千赫(kHz))使開關S1在導通與關斷狀態之間變換。在一實施例中，切換頻率為48kHz。切換頻率可大於100kHz。當切換頻率大於100kHz時，包含額外的濾波元件。
隔離電路306包含變壓器T1。可利用耦合電感器代替變壓器T1。可將變壓器實施為返馳型變壓器。在所示範例中，將變壓器T1實施為降壓變壓器，其將第一AC電壓轉換為小於第一AC電壓的第二AC電壓。變壓器T1包含一次線圈312及二次線圈314。一次線圈312係與開關S1串聯連接，且係連接至接地316。二次線圈314具有連接至AC對DC轉換器308之二極體D1之陽極的第一端、 及可連接至共同(或參考)接地318的第二端。參考接地318處於與接地316不同的電壓電位。
AC對DC轉換器308包含二極體D1及電容器C2。二極體對第二AC電壓進行整流，以提供跨電容器C2提供的第二DC電壓。電容器C2的第一端係連接至二極體D1的陰極，且電容器的第二端係連接至參考接地318。電容器C2係與加熱元件R1並聯連接。加熱元件R1接收第二AC電壓。
圖4顯示包含濾波器402、DC對AC轉換器404、及同步升壓轉換器405的電源電路400，其將功率提供至加熱元件R1。升壓轉換器405包含隔離電路406及選用性的AC對DC轉換器408。在一實施例中，不包含AC對DC轉換器408，且隔離電路406之輸出被提供至加熱元件R1。可將隔離電路406直接連接至加熱元件R1。濾波器402包含電容器C1，該電容器C1於第一端接收第一DC電壓，且於第二端連接至接地416。DC對AC轉換器404將第一DC電壓轉換為第一AC電壓，且包含開關S1及隔離電路406的一次線圈412。開關S1可為如圖示之MOSFET、雙極電晶體、及/或其他合適的開關。控制器410控制開關S1在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間的切換。控制器410可被實施為圖1的溫度控制器142，且可在提供功率至加熱元件R1時以預定的切換頻率(例如，10-100千赫(kHz))使開關S1在導通與關斷狀態之間變換。在一實施例中，切換頻率為48kHz。切換頻率可大於100kHz。當切換頻率大於100kHz時，包含額外的濾波元件。
隔離電路406包含變壓器T1。可利用耦合電感器代替變壓器T1。可將變壓器實施為返馳型變壓器。在所示範例中，將變壓器T1實施為升壓變壓器，其將第一AC電壓轉換為大於第一AC電壓的第二AC電壓。變壓器T1包含一次線圈412及二次線圈414。一次線圈412係與開關S1串聯連接，且係連接至接地 416。二次線圈414具有連接至選用性的AC對DC轉換器408之二極體D1之陽極的第一端、及可連接至共同(或參考)接地418的第二端。參考接地418處於與接地416不同的電壓電位。
AC對DC轉換器408包含二極體D1及電容器C2。二極體對第二AC電壓進行整流，以提供跨電容器C2提供的第二DC電壓。電容器C2的第一端係連接至二極體D1的陰極，且電容器的第二端係連接至參考接地418。電容器C2係與加熱元件R1並聯連接。加熱元件R1接收第二AC電壓。
圖5顯示包含濾波器502、DC對AC轉換器504、隔離電路506、及選用性之AC對DC轉換器508的電源電路500，其將功率提供至加熱元件R1。在一實施例中，不包含AC對DC轉換器508，且隔離電路506之輸出被提供至加熱元件R1。可將隔離電路506直接連接至加熱元件R1。濾波器502包含電容器C1，其係跨輸入端子連接並且接收第一DC電壓。DC對AC轉換器504將第一DC電壓轉換為第一AC電壓，並且包含H電橋505、控制器510、及隔離電路506的一次線圈512。
H電橋包含開關S1-S4，其可被實施為如圖示之MOSFET開關、雙極電晶體、及/或其他合適的開關。控制器510控制開關S1-S4在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間的切換。可將控制器510實施為圖1的溫度控制器142。控制器510產生控制信號，其被提供至開關S1-S4的閘極，且在提供功率至加熱元件R1時以預定的切換頻率(例如，10-100千赫(kHz))使開關S1-S4在導通與關斷狀態之間變換。在一實施例中，切換頻率為48kHz。切換頻率可大於100kHz。當切換頻率大於100kHz時，可包含額外的濾波元件。當開關S2及S3處於關斷狀態時，開關S1及S4可處於導通狀態。相似地，當開關S1及S4處於導通狀態時，開關S2及S3可處於關斷狀態。
開關S1與S2係串聯連接，且S1-S2串聯組合係與電容器C1並聯連接。開關S3與S4係串聯連接，且S3-S4串聯組合係與電容器C1並聯連接。可利用耦合電感器代替變壓器T1。
DC對AC轉換器504將第一DC電壓轉換為第一AC電壓，其係在一次線圈512處提供。一次線圈512的第一端係連接至開關S1的源極及開關S2的汲極，且第二端係連接至開關S3的源極及開關S4的汲極。隔離電路506包含變壓器T1，其具有一次線圈512及二次線圈514。變壓器T1將第一AC電壓轉換為第二AC電壓。變壓器T1可為降壓變壓器或升壓變壓器。
AC對DC轉換器508包含二極體D1及電容器C2。二次線圈514具有連接至二極體D1之陽極的第一端、以及連接至電容器C2的第二端。二極體D1對第二AC電壓進行整流，以提供跨電容器C2提供的第二DC電壓。電容器C2的第一端係連接至二極體D1的陰極，且電容器的第二端係連接至二次線圈514。電容器C2係與加熱元件R1並聯連接。加熱元件R1接收第二AC電壓。
在一實施例中，提供圖2-5的電源電路222、300、400、500以用於基板支座的各個加熱元件。在另一實施例中，電源電路222、300、400、500之變壓器T1之各者包含複數二次線圈，其提供AC電壓至相應的AC對DC轉換器及相應的加熱元件。在另一實施例中，所述實施例的AC對DC轉換器之各者提供電流至一或更多加熱元件。一範例係顯示於圖6中。
圖6顯示一隔離電路600及複數AC對DC轉換器602、604、606。隔離電路600包含變壓器T2，其可替代圖2-5之變壓器T1或耦合電感器之任一者。變壓器T2包含一次線圈608及二次線圈610、612、614。雖然變壓器T2係顯示為具有三個二次線圈，但變壓器T2可具有任何數量的二次線圈。變壓器T2將第一AC 電壓轉換為一或更多其他AC電壓。該一或更多其他AC電壓被提供至AC對DC轉換器602、604、606。AC對DC轉換器602、604、606可接收相同的AC電壓或不同的AC電壓。二次線圈610、612、614可具有相同數量的繞組或不同數量的繞組。
AC對DC轉換器602、604、606包含相應的二極體D1-D3及電容器C2-C4，並且將接收的AC電壓轉換為第二DC電壓，其被提供至一或更多加熱元件(例如，加熱元件R1-R5)。可將AC對DC轉換器602、604、606之各者的加熱元件串聯及/或並聯連接。雖然顯示出某些串聯及並聯配置方式，但可包含其他的串聯及/或並聯配置方式。AC對DC轉換器602、604、606之各者可包含任何數量的加熱元件。
以上敘述在本質上僅為說明性的，而非意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容之廣泛指示可以各種形式實行。因此，雖本揭露內容包含特定例子，但由於當研究圖式、說明書、及以下申請專利範圍時，其他變化將更顯清楚，故本揭露內容之真實範疇不應如此受限。吾人應理解，在不改變本揭露內容之原理的情況下，可以不同次序(或同時)執行方法中之一或更多步驟。再者，雖實施例之各者係於以上描述為具有某些特徵，但關於本揭露內容之任何實施例所述之任一或更多該等特徵可在任何其他實施例中實行，及/或與任何其他實施例之特徵組合(即使並未詳細敘述該組合)。換句話說，所述之實施例並非互相排斥，且一或更多實施例彼此之間的置換維持於本揭露內容之範疇內。
元件(例如，在模組、電路元件、半導體層等)之間的空間及功能上之關係係使用各種用語所敘述，該等用語包含「連接」、「接合」、「耦合」、「鄰近」、「在…旁邊」、「在…之上」、「上面」、「下面」、以及「設置」。除非明確敘述為「直接」之情形下，否則當於上述揭露內容中描述第一與第二元 件之間的關係時，該關係可係在第一與第二元件之間不存在其它中介元件之直接關係，但亦可係在第一與第二元件之間存在一或更多中介元件(空間上或功能上)的間接關係。如本文所使用的，詞組「A、B、及C其中至少一者」應解釋為意指使用非排除性邏輯OR之邏輯(A OR B OR C)，且不應解釋為意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，該系統可為上述例子的一部分。此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含(複數)處理工具、(複數)腔室、(複數)處理用平台、及/或特定的處理元件(晶圓基座、氣體流動系統等)。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板之處理之前、期間、以及之後，控制其運作。電子設備可被稱為「控制器」，其可控制(複數)系統的各種元件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，可將控制器程式設計成控制本文所揭露之任何處理，包含處理氣體的傳送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移(進出與特定系統連接或接合之工具及其他轉移工具、及/或負載鎖)。
廣泛來說，可將控制器定義為具有接收指令、發佈指令、控制運作、啟動清洗操作、啟動終點量測等之許多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以不同的單獨設定(或程式檔案)之形式而傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定(或程式檔案)為實行特定處理(在半導體晶圓上，或是對半導體晶圓)定義操作參數。在一些實施例中， 操作參數可係由製程工程師所定義之配方的一部分，俾在一或更多以下者(包含：覆層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或基板的晶粒)的製造期間實現一或更多處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、或以網路連接至系統、或以其組合之方式連接至系統。例如，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造運作的當前進度、檢查過去製造運作的歷史、由複數之製造運作而檢查趨勢或效能指標，以改變當前處理的參數、設定當前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些例子中，遠端電腦(例如，伺服器)可通過網路提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其可達成參數及/或設定的接取、或對參數及/或設定進行程式化，接著將該參數及/或該設定由遠端電腦傳達至系統。在一些例子中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為將於一或更多操作期間執行之每個處理步驟指定參數。吾人應理解，參數可特定地針對將執行之製程的類型及將控制器設定以接合或控制之工具的類型。因此，如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式連接彼此且朝向共同目的(例如，本文所敘述的製程及控制)而運作的一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器的範例將係在腔室上、與位於遠端的一或更多積體電路(例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者結合以控制腔室上的製程。
範例系統可包含但不限於以下各者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜 角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯、或使用的任何其他半導體處理系統。
如上所述，取決於將藉由工具執行之(複數)處理步驟，控制器可與半導體製造工廠中之一或更多的以下各者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、群集工具、其他工具介面、鄰近之工具、相鄰之工具、遍布工廠的工具、主電腦、另一控制器、或材料運輸中所使用之工具，該材料運輸中所使用之工具將晶圓容器輸送往返於工具位置及/或裝載埠。
116:下電極
131:電極
200:基板處理系統
202:處理腔室
204:腔室壁
206:基板支座
208:噴淋頭
210:基板
212:加熱元件
220:功率源
222:電源電路
224:濾波器
226:DC對AC轉換器
228:隔離電路
230:AC對DC轉換器
232:路徑

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，包含： 一基板支座，其係配置以支撐一基板，其中該基板支座包含一或更多加熱元件；以及 一電源電路，其包含： 一直流對交流轉換器，其係配置以將第一直流電壓轉換為第一交流電壓，其中該直流對交流轉換器包含至少一個開關，以及 一隔離電路，其包含耦合電感器或變壓器中之一者，其中該耦合電感器或該變壓器中之該者係配置以將該第一交流電壓轉換為第二交流電壓，並且將該一或更多加熱元件與接地隔離， 其中該電源電路係配置以基於該第二交流電壓而提供一輸出電壓至該一或更多加熱元件， 該耦合電感器或該變壓器中之該者的一個一次線圈係連接至該接地且不連接至一參考接地，且 該耦合電感器或該變壓器中之該者的一個二次線圈係連接至該參考接地且不連接至該接地，其中該參考接地係與該接地處於不同的電壓電位。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中該隔離電路係配置以將該第二交流電壓供應至該一或更多加熱元件。
  3. 如請求項1之基板處理系統，更包含一控制器，其中： 該直流對交流轉換器包含一開關及該耦合電感器或該變壓器中之該者的該一次線圈；並且 該控制器係配置以在提供功率至該一或更多加熱元件時以一預定頻率使該該開關在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間變換。
  4. 如請求項3之基板處理系統，其中該預定頻率係在10千赫至100千赫之間。
  5. 如請求項1之基板處理系統，更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件。
  6. 如請求項5之基板處理系統，其中： 該耦合電感器或該變壓器中之該者及該交流對直流轉換器提供一降壓轉換器；並且 該變壓器為一降壓變壓器。
  7. 如請求項5之基板處理系統，其中： 該耦合電感器或該變壓器中之該者及該交流對直流轉換器提供一升壓轉換器；並且 該變壓器為一升壓變壓器。
  8. 如請求項5之基板處理系統，其中： 該直流對交流轉換器包含一金屬氧化物半導體場效電晶體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的該一次線圈串聯連接；並且 該交流對直流轉換器包含： 一二極體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的該二次線圈串聯連接，以及 一電容器，其係與該一或更多加熱元件並聯連接，且跨接在該二次線圈與該二極體的兩端。
  9. 如請求項1之基板處理系統，其中： 該一次線圈係連接至該接地；並且 該二次線圈未連接至該接地。
  10. 如請求項1之基板處理系統，更包含一控制器，其中： 該直流對交流轉換器包含一H電橋； 該H電橋包含第一開關、第二開關、第三開關、及第四開關；並且 該控制器係配置以在提供功率至該一或更多加熱元件時使該第一開關、該第二開關、該第三開關、及該第四開關在導通(ON)與關斷(OFF)狀態之間變換。
  11. 如請求項10之基板處理系統，其中該控制器係配置以執行下列步驟： 在將該第二開關及該第三開關變換為關斷(OFF)狀態的同時，將該第一開關及該第四開關變換為導通(ON)狀態；以及 在將該第二開關及該第三開關變換為導通(ON)狀態的同時，將該第一開關及該第四開關變換為關斷(OFF)狀態。
  12. 如請求項10之基板處理系統，其中： 該第一開關與該第二開關係串聯連接；並且 該第三開關與該第四開關係串聯連接，並且一同與該第一開關及該第二開關之串聯組合並聯連接。
  13. 如請求項12之基板處理系統，其中： 該第一開關及該第二開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的該一次線圈的第一端；並且 該第三開關及該第四開關係連接至該耦合電感器或該變壓器中之該者的該一次線圈的第二端。
  14. 如請求項13之基板處理系統，更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件，其中： 該一次線圈接收該第一交流電壓；並且 該耦合電感器或該變壓器中之該者的該二次線圈將該第二交流電壓供應至該交流對直流轉換器。
  15. 如請求項13之基板處理系統，更包含一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件，其中該交流對直流轉換器包含： 一二極體，其係與該耦合電感器或該變壓器中之該者的該二次線圈串聯連接，以及 一電容器，其係與該一或更多加熱元件並聯連接，且跨接在該二次線圈與該二極體的兩端。
  16. 如請求項1之基板處理系統，更包含第一交流對直流轉換器，其係配置以將該第二交流電壓轉換為第二直流電壓，並且將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件，其中： 該一或更多加熱元件包含第一加熱元件；並且 該第一交流對直流轉換器係連接至該二次線圈，並且將該第二直流電壓提供至該第一加熱元件。
  17. 如請求項16之基板處理系統，更包含第二交流對直流轉換器，其中： 該一或更多加熱元件包含第二加熱元件； 該耦合電感器或該變壓器中之該者包含第二次線圈；並且 該第二交流對直流轉換器將該第一交流電壓轉換為第三直流電壓，並且將該第三直流電壓提供至該第二加熱元件。
  18. 一種基板處理系統，包含： 一基板支座，其係配置以支撐一基板，其中該基板支座包含一或更多加熱元件； 一電源電路，其包含： 一開關，其係配置以接收第一直流電壓， 耦合電感器或變壓器中之一者，其包含一次繞組及二次繞組，其中該一次繞組係連接至該開關及接地且不連接至一參考接地，其中該二次繞組係連接至該參考接地且未連接至該接地，且其中該參考接地係與該接地處於不同的電壓電位， 一二極體，其係與該二次繞組串聯連接，以及 一電容器，其係連接至該二極體，並且與該一或更多加熱元件並聯連接，其中該二極體及該電容器將該二次繞組之交流輸出轉換為第二直流電壓，且其中該電容器將該第二直流電壓提供至該一或更多加熱元件；以及 一控制器，其係配置以在為該一或更多加熱元件供電時以一預定頻率使該開關在導通(ON)狀態與關斷(OFF)狀態之間變換。
  19. 如請求項18之基板處理系統，更包含第二電容器，其中： 跨該第二電容器的兩端而接收該第一直流電壓；並且 該開關係連接至該第二電容器的輸出端。
  20. 如請求項18之基板處理系統，其中， 該耦合電感器或該變壓器中之該者的該一次繞組係連接至該接地，且 該耦合電感器或該變壓器中之該者的該二次繞組係連接至該參考接地。
TW109134726A 2019-10-08 2020-10-07 基板處理系統之基板支撐件的加熱器元件用電源隔離電路 TWI894171B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962912596P 2019-10-08 2019-10-08
US62/912,596 2019-10-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202129794A TW202129794A (zh) 2021-08-01
TWI894171B true TWI894171B (zh) 2025-08-21

Family

ID=75437602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109134726A TWI894171B (zh) 2019-10-08 2020-10-07 基板處理系統之基板支撐件的加熱器元件用電源隔離電路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220367229A1 (zh)
JP (2) JP7527361B2 (zh)
KR (1) KR20220075420A (zh)
CN (1) CN114556542B (zh)
TW (1) TWI894171B (zh)
WO (1) WO2021071765A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021211269A1 (en) * 2020-04-14 2021-10-21 Lam Research Corporation Transformer isolator having rf shield structure for effective magnetic power transfer
US12094748B2 (en) * 2021-08-18 2024-09-17 Applied Materials, Inc. Bipolar esc with balanced RF impedance

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070133241A1 (en) * 2003-05-06 2007-06-14 Asim Mumtaz Power supply circuits
US20120182769A1 (en) * 2011-01-13 2012-07-19 Fujitsu Limited Dc-dc converter, power supply unit and an information processing apparatus
TW201352068A (zh) * 2012-04-25 2013-12-16 應用材料股份有限公司 用於基板處理之直流電燈泡驅動器
US9013106B2 (en) * 2011-06-13 2015-04-21 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Lamp ballast having filament heating apparatus for gas discharge lamp
US20160049323A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system
US20170125200A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Lam Research Corporation Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber
US20170363663A1 (en) * 2016-06-15 2017-12-21 Watlow Electric Manufacturing Company Power converter for a thermal system
US10050534B1 (en) * 2017-05-15 2018-08-14 Cummins Power Generation Ip, Inc. Systems and methods for self-adaptive current control

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110322A (en) * 1998-03-06 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Prevention of ground fault interrupts in a semiconductor processing system
EP2137809A1 (en) * 2007-03-22 2009-12-30 Thomson Licensing Apparatus for supplying isolated regulated dc power to electronics devices
JP5778463B2 (ja) * 2011-04-19 2015-09-16 新電元工業株式会社 電源装置
US8976561B2 (en) * 2012-11-14 2015-03-10 Power Integrations, Inc. Switch mode power converters using magnetically coupled galvanically isolated lead frame communication
JP2019504481A (ja) * 2015-12-07 2019-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 静電チャックを使用した基板の固定と開放のための方法及び装置
JP6945642B2 (ja) * 2017-10-27 2021-10-06 京セラ株式会社 ヒータ及びヒータシステム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070133241A1 (en) * 2003-05-06 2007-06-14 Asim Mumtaz Power supply circuits
US20120182769A1 (en) * 2011-01-13 2012-07-19 Fujitsu Limited Dc-dc converter, power supply unit and an information processing apparatus
US9013106B2 (en) * 2011-06-13 2015-04-21 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Lamp ballast having filament heating apparatus for gas discharge lamp
TW201352068A (zh) * 2012-04-25 2013-12-16 應用材料股份有限公司 用於基板處理之直流電燈泡驅動器
US20160049323A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system
US20170125200A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 Lam Research Corporation Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber
US20170363663A1 (en) * 2016-06-15 2017-12-21 Watlow Electric Manufacturing Company Power converter for a thermal system
US10050534B1 (en) * 2017-05-15 2018-08-14 Cummins Power Generation Ip, Inc. Systems and methods for self-adaptive current control

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024150639A (ja) 2024-10-23
CN114556542A (zh) 2022-05-27
CN114556542B (zh) 2025-09-02
US20220367229A1 (en) 2022-11-17
TW202129794A (zh) 2021-08-01
JP7527361B2 (ja) 2024-08-02
KR20220075420A (ko) 2022-06-08
WO2021071765A1 (en) 2021-04-15
JP2022552224A (ja) 2022-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10847345B2 (en) Direct drive RF circuit for substrate processing systems
CN106960776B (zh) 用于蚀刻室的快速阻抗切换的变压器耦合电容性调谐电路
TWI783960B (zh) 具有改良的處理均勻性之基板支撐件
US11069553B2 (en) Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity
CN110337714B (zh) 一种衬底支撑件和衬底处理系统
TW201834139A (zh) 具有小間隙之銷升降器組件
JP2024150639A (ja) 基板処理システムの基板支持体の発熱体のための電源分離回路
CN116034458A (zh) 减少晶片斜面边缘等离子体处理的电弧发生
TW201921416A (zh) 用於射頻環境中之被加熱的元件之高功率纜線
CN116325073A (zh) 具有延伸的静电卡盘电极的高温基座
KR102261127B1 (ko) Rf 플라즈마 생성기 및 리모트 플라즈마 생성기에 공급하는 rf 신호 소스
JP2025060821A (ja) 基板処理システム用の縮径キャリアリングハードウェア
WO2021194935A1 (en) Dielectric window for substrate processing chamber
CN107579031A (zh) 用于颗粒和金属性能增强的esc陶瓷侧壁修饰
CN114761616A (zh) 具有集成式rf滤波器的衬底支撑件
US12347650B2 (en) Substrate processing system including dual ion filter for downstream plasma