TWI893868B - 改質物件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種改質物件包括單晶基板、內部改質痕跡及表面加工痕跡。單晶基板具有第一表面及背向第一表面的第二表面。單晶基板的第一表面及第二表面在單晶基板的厚度方向上排列。內部改質痕跡形成於單晶基板的第一表面與第二表面之間。表面加工痕跡形成於單晶基板的第二表面上。內部改質痕跡與表面加工痕跡在單晶基板的厚度方向上重疊。此外，上述改質物件的製造方法也被提出。

Description

改質物件及其製造方法

本發明是有關於一種改質物件及其製造方法。

單晶材料中，極具工業應用價值並且較不易以機械方式切割的顯著例子為碳化矽。碳化矽單晶晶圓因其適用於高溫及高電壓之特性，因此，可被用於製作電晶體而應用於如電動車中或電源轉換等領域中。就現有技術來說，晶圓因異質磊晶晶格不匹配容易導致晶圓翹曲問題，如何有效預先調控晶圓翹曲為需改善的重要課題。此外，晶圓於磊晶成長時有升溫過快的問題，故如何控制升溫為需改善的另一重要課題。

本發明提供一種改質物件的製造方法，可控制改質物件的彎曲值(bow)。

本發明提供一種改質物件，其彎曲值可獲得控制。

本發明的改質物件的製造方法包括下列步驟：提供待改 質物件，其中待改質物件包括單晶材料，待改質物件具有第一表面及背向第一表面的第二表面，且待改質物件的第一表面及第二表面在待改質物件的厚度方向上排列；令雷射光束於待改質物件的第一表面上形成雷射光斑，且在一掃描期間內令雷射光斑沿著待改質物件的第一表面上的預定軌跡掃描待改質物件，以在掃描期間內，於待改質物件的第一表面與第二表面之間形成內部改質痕跡，且於待改質物件的第二表面上形成表面加工痕跡。

本發明的改質物件包括單晶基板、內部改質痕跡及表面加工痕跡。單晶基板具有第一表面及背向第一表面的第二表面。單晶基板的第一表面及第二表面在單晶基板的厚度方向上排列。內部改質痕跡形成於單晶基板的第一表面與第二表面之間。表面加工痕跡形成於單晶基板的第二表面上。內部改質痕跡與表面加工痕跡在單晶基板的厚度方向上重疊。

基於上述，在本發明的改質物件的製造方法中，在單一掃描期間內令雷射光束掃描待改質物件，以在待改質物件的內部形成內部改質痕跡，且於待改質物件的第二表面上形成表面加工痕跡，而完成改質物件。透過內部改質痕跡，可於內部進行應力調變，修正改質物件的彎曲值(bow)。透過表面加工痕跡，可控制改質物件升溫時的溫度分佈。

100:改質物件

100’:待改質物件

101:單晶基板

110:第一表面

112:預定軌跡

120:第二表面

130:內部改質痕跡

132:子內部改質痕跡

140:表面加工痕跡

142:子表面加工痕跡

144:微凹陷

D:距離

D1:第一距離

D2:第二距離

DP:深度

F1:首次焦點

Fn:多次焦點

L:雷射光束

P:擬平面

p:間距

SP:雷射光斑

T101:厚度

W130:第一寬度

W140:第二寬度

x:第一方向

z:厚度方向

圖1A至圖1B為本發明一實施例之改質物件的製造流程的剖面示意圖。

圖2A至圖2B為本發明一實施例之改質物件的製造流程的俯視暨透視示意圖。

圖3示出本發明一實施例的雷射光束於待改質物件中的傳遞情況。

圖4為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物件的剖面的照片。

圖5為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物件的多種內部改質痕跡的俯視照片。

圖6為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物件的多種表面加工痕跡的仰視照片。

圖7為本發明一實施例的表面加工痕跡的仰視暨放大示意圖。

圖8示出本發明的一實施例的改質物件的DRT曲線及一比較例的改質物件的DRT曲線。

圖9示出本發明的第一實施例的改質物件的DRT曲線及第二實施例的改質物件的DRT曲線。

圖10示出本發明的第三實施例的改質物件的DRT曲線及第四實施例的改質物件的DRT曲線。

圖11示出本發明的第五實施例的改質物件的DRT曲線及第六實施例的改質物件的DRT曲線。

圖12示出本發明的第七實施例的改質物件的DRT曲線及第八實施例的改質物件的DRT曲線。

圖1A至圖1B為本發明一實施例之改質物件的製造流程的剖面示意圖。圖2A至圖2B為本發明一實施例之改質物件的製造流程的俯視暨透視示意圖。

請參照圖1A及圖2A，首先，提供待改質物件100’。待改質物件100’具有第一表面110及背向第一表面110的第二表面120。待改質物件100’的第一表面110及第二表面120在待改質物件100’的厚度方向z上排列。待改質物件100’包括單晶材料。在一些實施例中，所述單晶材料例如包括碳化矽，待改質物件100’例如是碳化矽晶圓，但本發明不以此為限。

請參照圖1A及圖2A，接著，令雷射光束L於待改質物件100’的第一表面110上形成雷射光斑SP。在一些實施例中，雷射光束L是於第一表面110上形成單一個雷射光斑SP。在一些實施例中，雷射光束L的首次焦點F1是落在待改質物件100’的第一表面110與第二表面120之間。也就是說，雷射光束L的首次焦點F1是落在待改質物件100’內部。

首次焦點F1的尺寸與雷射光束L的數值孔徑NA相關，其中，λ₀為雷射光束L在真空中的中心波長，且ω₀為雷射光束L在真空中的腰寬。雷射光束L的數值孔徑NA越 大，雷射光束L的首次焦點F1的尺寸越小。

雷射光束L的中心波長的挑選以對待改質物件100’具有高穿透率(例如80%)且可被待改質物件100’內部吸收為佳。在具有短脈衝、高能量的雷射光束L的照射下，對於具有寬能隙的待改質物件100’可以透過多光子吸收(Multi-photon Absorption)，達成內部精密加工。舉例而言，在一些實施例中，待改質物件100’可包括4H-SiC，4H-SiC的材料能隙~3.3eV，雷光束L的光子能量1.204eV小於4H-SiC材料能隙的3.3eV，即雷射光束L的中心波長可為1030nm，但本發明不以此為限。在一些實施例中，雷射光束L的中心波長可落在500nm至1100nm的範圍。

雷射光束L可為短脈衝雷射，以降低改質/加工過程中對待改質物件100’造成的熱效應。舉例而言，在一些實施例中，雷射光束L的脈衝寬度可落在飛秒(fs)等級，例如落在10fs至5000fs的範圍。然而，本發明不以此為限，在其它實施例中，雷射光束L的脈衝時間也可落在其它等級，例如但不限於落在：皮秒等級、奈秒等級等。

請參照圖1A、圖1B、圖2A及圖2B，接著，在一掃描期間內令雷射光斑SP沿著待改質物件100’的第一表面110上的一預定軌跡112掃描待改質物件100’，以在所述掃描期間內，於待改質物件100’的第一表面110與第二表面120之間形成內部改質痕跡130，且於待改質物件100’的第二表面120上形成表面加 工痕跡140。於此，便完成了改質物件100。

待改質物件100’的第一表面110為供雷射光束L的入射的一入射面。在一些實施例中，待改質物件100’例如包括SiC，而待改質物件100’的入射面可為C面或Si面。在一些實施例中，若待改質物件100’被改質後還需進行磊晶製程，則待改質物件100’的入射面以C面為佳。

圖3示出本發明一實施例的雷射光束於待改質物件中的傳遞情況。請參照圖1A、圖1B、圖2A、圖2B及圖3，在一些實施例中，內部改質痕跡130與表面加工痕跡140實質上為同步地形成。詳細而言，在一些實施例中，於使用雷射光束L掃描待改質物件100’前，可先設定雷射光束L的工作參數，以使雷射光束L的首次焦點F1落在待改質物件100’的第一表面110與第二表面120之間，且使雷射光束L的多次焦點Fn落在待改質物件100’的第二表面120上。如此一來，當雷射光斑SP掃描待改質物件100’的第一表面110時，雷射光束L便可在待改質物件100’的內部及第二表面120上同步地形成內部改質痕跡130與表面加工痕跡140。

在一些實施例中，雷射光束L的多次焦點Fn是因雷射光束L的短脈衝寬度能達到高峰值功率，進而引起克爾效應，使折射率改變，產生散焦(defocusing)及自對焦(self-focusing)現象而形成。

在一些實施例中，上述設定的雷射光束L的工作參數可包括雷射光束L的數值孔徑NA及雷射光束L的脈衝功率的至少 一者。舉例而言，在一些實施例中，上述設定的雷射光束L的數值孔徑NA可落在0.42~0.65的範圍，但本發明不以此為限。舉例而言，在一些實施例中，上述設定的雷射光束L的脈衝功率可落在0.1W~1.5W的範圍，但本發明不以此為限。在一些實施例中，若雷射光束L的的脈衝功率過小(例如：小於0.1W)，會造成待改質物件100’內部無法被有效地改質；若雷射光束L的脈衝功率過大(例如：大於1.5W)，易使待改質物件100’的第一表面110被破壞。

上述設定的雷射光束L的工作參數還可包括雷射光束L的脈衝重複率。舉例而言，在一些實施例中，雷射光束L的脈衝重複率可落在100kHz至1000kHz的範圍，但本發明不以此為限。

上述設定的雷射光束L的工作參數還可包括雷射光束L的掃描速率及脈衝重複率。雷射光束L的脈衝重複率與雷射光束L的掃描速率可互相搭配，以有效形成內部改質痕跡130及表面加工痕跡140。舉例而言，在一實施例中，雷射光束L的掃描速率可落在1.5mm/s~5mm/s的範圍，且雷射光束L的脈衝重複率可為100kHz；在另一實施例中，雷射光束L的掃描速率可落在10mm/s~35mm/s的範圍，且雷射光束L的脈衝重複率可為600kHz；在又一實施例中，雷射光束L的掃描速率可落在15mm/s~50mm/s的範圍，且雷射光束L的脈衝重複率可為1000kHz；但本發明不以此為限。

請參照圖1B及圖2B，改質物件100包括單晶基板101。單晶基板101具有第一表面110及背向第一表面110的第二表面120。單晶基板101的第一表面110及第二表面120在單晶基板101的厚度方向z上排列。單晶基板101包括單晶材料。在一些實施例中，所述單晶材料例如包括碳化矽，但本發明不以此為限。

改質物件100還包括內部改質痕跡130及表面加工痕跡140。內部改質痕跡130形成於單晶基板101的第一表面110與及第二表面120之間。也就是說，內部改質痕跡130形成於單晶基板101的內部。表面加工痕跡140形成於單晶基板101的第二表面120上。特別是，內部改質痕跡130與表面加工痕跡140在單晶基板101的厚度方向z上重疊。

在一些實施例中，內部改質痕跡130可包括多個子內部改質痕跡132，且多個子內部改質痕跡132在垂直於厚度方向z的第一方向x上彼此隔開。在一些實施例中，表面加工痕跡140可包括多個子表面加工痕跡142，且多個子表面加工痕跡142在垂直於厚度方向z的第一方向x上彼此隔開。在一些實施例中，多個子內部改質痕跡132分別與多個子表面加工痕跡142在單晶基板101的厚度方向z上重疊。在一些實施例中，多個子表面加工痕跡142可包括凹入於第二表面120的多道溝槽。

在一些實施例中，內部改質痕跡130在垂直於厚度方向z的第一方向x上具有第一寬度W130，表面加工痕跡140在垂直 於厚度方向z的第一方向x上具有第二寬度W140，且第二寬度W140小於第一寬度W130。在一些實施例中，第一寬度W130可指一個子內部改質痕跡132在第一方向x上的寬度，且第二寬度W140可指一個子表面加工痕跡142在第一方向x上的寬度。

舉例而言，在一些實施例中，第一寬度W130可落在10μm~30μm的範圍，且第二寬度W140可落在5μm~10μm的範圍，但本發明不以此為限。第一寬度W130及第二寬度W140的大小端視用以製造改質物件100的雷射光束L的工作參數而定。雷射光束L的脈衝功率越大，第一寬度W130及第二寬度W140越大。雷射光束L的掃描速率越小，第一寬度W130及第二寬度W140越大。

在一些實施例中，表面加工痕跡140的垂直投影落在內部改質痕跡130的垂直投影以內。在一些實施例中，每一子表面加工痕跡142的垂直投影可落在對應的一個子內部改質痕跡132的垂直投影以內。

在一些實施例中，表面加工痕跡140的垂直投影的形狀與內部改質痕跡130的垂直投影的形狀一致。舉例而言，在一些實施例中，表面加工痕跡140的垂直投影與內部改質痕跡130的垂直投影可皆呈網格狀。然而，本發明不以此為限，表面加工痕跡140及內部改質痕跡130的垂直投影的形狀端視雷射光束L的掃描軌跡而定。在其他實施例中，表面加工痕跡140及內部改質痕跡130的垂直投影也可皆呈其它形狀，例如但不限於：多個同 心圓。

請參照圖1B，擬平面P位於單晶基板101的第一表面110與第二表面120之間，擬平面P與第一表面110在厚度方向z上具有第一距離D1，擬平面P與第二表面120在厚度方向z上的第二距離D2，且第一距離D1等於第二距離D2。也就是說，擬平面P為包括單晶基板101的中線的一虛擬平面。

在一些實施例中，內部改質痕跡130可選擇性地位於擬平面P與第二表面120之間。也是就說，內部改質痕跡130可選擇性地位於中線以下。然而，本發明不以此為限，在未繪示的其它實施例中，內部改質痕跡130也可選擇性地位於中線或中線以上。在一些實施例中，單晶基板101在厚度方向z上的厚度T101可為260μm，內部改質痕跡130與第一表面110的距離D可落在130μm~200μm的範圍，但本發明不以此為限。

圖4為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物件的剖面的照片。請參照圖1B、圖2B及圖4，改質物件100的內部改質痕跡130在厚度方向z上具有深度DP。改質物件100的內部改質痕跡130包括多個子內部改質痕跡132，多個子內部改質痕跡132在垂直於厚度方向z的第一方向x上彼此隔開，且多個子內部改質痕跡132之間不存在與多個子內部改質痕跡132交錯的裂紋。也就是說，內部改質痕跡130是用以調整改質物件100的彎曲值(bow)，而非用以裂開改質物件100。

圖5為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物 件的多種內部改質痕跡的俯視照片。圖5示出利用脈衝功率分別為0.1W、0.3W、0.6W、1W、1.2W、1.5W的雷射光束L形成的多種內部改質痕跡130。請參照圖2B及圖5，在一些實施例中，於改質物件100的俯視圖中，內部改質痕跡130可包括連續的痕跡。

圖6為使用電子顯微鏡拍攝的本發明一實施例的改質物件的多種表面加工痕跡的仰視照片。圖6示出利用脈衝功率分別為0.1W、0.3W、0.6W、1W、1.2W、1.5W的雷射光束L形成的多種表面加工痕跡140。請參照圖2B及圖6，在一些實施例中，於改質物件100的仰視圖中，表面加工痕跡140可包括連續及/或不連續的痕跡。

圖7為本發明一實施例的表面加工痕跡的仰視暨放大示意圖。請參照圖7，在一些實施例中，表面加工痕跡140的至少一部分可包括不連續的痕跡。詳細而言，在一些實施例中，表面加工痕跡140包括形成於第二表面120的多個微凹陷144，且多個微凹陷144彼此隔開，使得表面加工痕跡140在改質物件100的仰視圖中看起來為不連續的痕跡。請參照圖6，在一些實施例中，表面加工痕跡140的至少一部分可包括連續的痕跡，連續的痕跡可以是形成於第二表面120的微溝槽，且所述微溝槽厚度方向z上的深度一致。

圖8示出本發明的一實施例的改質物件的DRT曲線及一比較例的改質物件的DRT曲線。比較例的改質物件(未繪 示)與實施例的改質物件100類似，兩者的差異在於：比較例的改質物件不具有實施例的改質物件100的內部改質痕跡130及表面加工痕跡140。請參照圖8，相較於比較例的改質物件，實施例的改質物件100的DRT曲線較為平緩。請參照圖1B、圖2B及圖8，由此可證，在改質物件100升溫的過程中，透過內部改質痕跡130可於改質物件100內部進行應力調變，修正改質物件100在升溫過程中的DRT曲線、改善翹曲問題。改質物件100的內部改質痕跡130有助於控制改質物件100的翹曲。

請參照圖1B及圖2B，此外，改質物件100的表面加工痕跡140有助於控制改質物件100的升溫。詳細而言，在改質物件100的升溫過程中，改質物件100的第二表面120會朝向加熱源(未繪示)，形成於第二表面120的表面加工痕跡140可提高第二表面120的表面粗糙度，進而提高加熱面(即第二表面120)的熱阻值，控制改質物件100的升溫條件。

圖9示出本發明的第一實施例的改質物件的DRT曲線及第二實施例的改質物件的DRT曲線。圖9的DRT曲線1對應第一實施例的改質物件與圖1B的改質物件100類似，兩者的差異在於：第一實施例的改質物件的內部改質痕跡130形成在第一表面110與擬平面P之間。也就是說，對應圖9之DRT曲線1的第一實施例的改質物件的內部改質痕跡130位於中線以上。

圖9的DRT曲線2對應第二實施例的改質物件。第二實施例的改質物件可視為圖1B所示的改質物件100。第二實施 例的改質物件的內部改質痕跡130形成在擬平面P與第二表面120之間。也就是說，對應圖9之DRT曲線2的第二實施例的改質物件的內部改質痕跡130位於中線以下。

請參照圖9的DRT曲線1，將內部改質痕跡130形成在第一表面110與擬平面P之間(即中線以上)可使改質物件100的彎曲值(bow)為正值。請參照圖9的DRT曲線2，將內部改質痕跡130形成在擬平面P與第二表面120之間(即中線以下)可使改質物件100的彎曲值(bow)為負值。

圖10示出本發明的第三實施例的改質物件的DRT曲線及第四實施例的改質物件的DRT曲線。圖10的DRT曲線3對應第三實施例的改質物件。第三實施例的改質物件與圖1B的改質物件相同或相似，第三實施例的改質物件100的多個子內部改質痕跡132在垂直於厚度方向z的第一方向x上以一間距p排列，且間距p等於300μm。圖10的DRT曲線4對應第四實施例的改質物件。第四實施例的改質物件與圖1B的改質物件相同或相似，第四實施例的改質物件100的多個子內部改質痕跡132在垂直於厚度方向z的第一方向x上以一間距p排列，且間距p等於400μm。

請參照圖10的DRT曲線3，以小於或等於300μm的間距p形成多個子內部改質痕跡132，可使改質物件100的彎曲值(bow)為正值。請參照圖10的DRT曲線4，以大於300μm的間距p形成多個子內部改質痕跡132，可使改質物件100的彎曲 值(bow)為負值。

圖11示出本發明的第五實施例的改質物件的DRT曲線及第六實施例的改質物件的DRT曲線。圖11的DRT曲線5對應第五實施例的改質物件。第五實施例的改質物件與圖1B的改質物件相同或相似，第五實施例的改質物件100的內部改質痕跡130是利用具有高脈衝功率的雷射光束L形成。圖11的DRT曲線6對應第六實施例的改質物件。第六實施例的改質物件與圖1B的改質物件相同或相似，第六實施例的改質物件的內部改質痕跡130是以具有低脈衝功率的雷射光束L形成。

請參照圖11的DRT曲線5，以具有高脈衝功率的雷射光束L形成內部改質痕跡130可使改質物件100的彎曲值(bow)大。請參照圖11的DRT曲線6，以具有低脈衝功率的雷射光束L形成內部改質痕跡130可使改質物件100的彎曲值(bow)小。

圖12示出本發明的第七實施例的改質物件的DRT曲線及第八實施例的改質物件的DRT曲線。圖12的DRT曲線7對應第七實施例的改質物件。第七實施例的改質物件可視為圖2B的改質物件100，第七實施例的改質物件的內部改質痕跡130及表面加工痕跡140呈網格狀。圖12的DRT曲線8對應第八實施例的改質物件。第八實施例的改質物件與圖2B的改質物件100相同或相似，兩者的差異僅在於：第八實施例的改質物件的內部改質痕跡130及表面加工痕跡140呈多個同心圓。請參照圖12的 DRT曲線7、8，可根據待改質物件100’的彎曲形態挑選適合的的預定軌跡112來形成內部改質痕跡130及表面加工痕跡140。

綜上所述，在本發明一實施例的改質物件的製造方法中，在單一掃描期間內令雷射光束掃描待改質物件，以在待改質物件的內部形成一內部改質痕跡，且於待改質物件的第二表面上形成表面加工痕跡，而完成改質物件。透過內部改質痕跡，可於內部進行應力調變，修正改質物件的彎曲值(bow)。透過表面加工痕跡，可控制改質物件升溫時的溫度分佈。

100:改質物件

101:單晶基板

110:第一表面

120:第二表面

130:內部改質痕跡

132:子內部改質痕跡

140:表面加工痕跡

142:子表面加工痕跡

D:距離

D1:第一距離

D2:第二距離

P:擬平面

p:間距

T101:厚度

x:第一方向

z:厚度方向

Claims (17)

1. 一種改質物件的製造方法，包括： 提供一待改質物件，其中該待改質物件包括一單晶材料，該待改質物件具有一第一表面及背向該第一表面的一第二表面，且該待改質物件的該第一表面及該第二表面在該待改質物件的一厚度方向上排列；以及 令一雷射光束於該待改質物件的該第一表面上形成一雷射光斑，且在一掃描期間內令該雷射光斑沿著該待改質物件的該第一表面上的一預定軌跡掃描該待改質物件，以在該掃描期間內，於該待改質物件的該第一表面與該第二表面之間形成一內部改質痕跡，且於該待改質物件的該第二表面上形成一表面加工痕跡； 設定該雷射光束的一工作參數，以使該雷射光束的一首次焦點落在該待改質物件的該第一表面與該第二表面之間，且使該雷射光束的一多次焦點落在該待改質物件的該第二表面上。
2. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該內部改質痕跡與該表面加工痕跡為同步地形成。
3. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的該工作參數包括該雷射光束的一數值孔徑及該雷射光束的一脈衝功率的至少一者。
4. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的一數值孔徑落在0.42~0.65的範圍。
5. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的一脈衝功率落在0.1W~1.5W的範圍。
6. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的一脈衝重複率落在100kHz至1000kHz的範圍。
7. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的一脈衝寬度落在10fs至5000fs的範圍。
8. 如請求項1所述的改質物件的製造方法，其中該雷射光束的一中心波長落在500nm至1100nm的範圍。
9. 一種改質物件，包括： 一單晶基板，具有一第一表面及背向該第一表面的一第二表面，其中該單晶基板的該第一表面及該第二表面在該單晶基板的一厚度方向上排列； 一內部改質痕跡，形成於該單晶基板的該第一表面與該第二表面之間，其中該內部改質痕跡在該厚度方向上具有一深度；以及 一表面加工痕跡，形成於該單晶基板的該第二表面上，其中該內部改質痕跡與該表面加工痕跡在該單晶基板的該厚度方向上重疊； 該內部改質痕跡包括多個子內部改質痕跡，該些子內部改質痕跡在垂直於該厚度方向的一第一方向上以一間距排列； 該間距小於或等於300μm且該改質物件的一彎曲值為正值，或該間距大於300μm且該改質物件的一彎曲值為負值。
10. 如請求項9所述的改質物件，其中該內部改質痕跡在垂直於該厚度方向的一第一方向上具有一第一寬度，該表面加工痕跡在垂直於該厚度方向的該第一方向上具有一第二寬度，且該第二寬度小於該第一寬度。
11. 如請求項9所述的改質物件，其中該表面加工痕跡的一垂直投影落在該內部改質痕跡的一垂直投影以內。
12. 如請求項9所述的改質物件，其中一擬平面位於該單晶基板的該第一表面與該第二表面之間，該擬平面與該第一表面在該厚度方向上具有一第一距離，該擬平面與該第二表面在該厚度方向上的一第二距離，該第一距離等於該第二距離，且該內部改質痕跡位於該擬平面與該第二表面之間。
13. 如請求項9所述的改質物件，其中該表面加工痕跡包括形成於該第二表面的多個微凹陷，且該些微凹陷彼此隔開。
14. 如請求項9所述的改質物件，其中該表面加工痕跡包括形成於該第二表面的一微溝槽，且該微溝槽的深度一致。
15. 如請求項9所述的改質物件，其中該些子內部改質痕跡在垂直於該厚度方向的該第一方向上彼此隔開，且該些子內部改質痕跡之間不存在與該些子內部改質痕跡交錯的一裂紋。
16. 如請求項9所述的改質物件，其中一擬平面位於該單晶基板的該第一表面與該第二表面之間，該擬平面與該第一表面在該厚度方向上具有一第一距離，該擬平面與該第二表面在該厚度方向上的一第二距離，且該第一距離等於該第二距離；該內部改質痕跡形成於該第一表面與該擬平面之間，且該改質物件的該彎曲值為正值。
17. 如請求項9所述的改質物件，其中一擬平面位於該單晶基板的該第一表面與該第二表面之間，該擬平面與該第一表面在該厚度方向上具有一第一距離，該擬平面與該第二表面在該厚度方向上的一第二距離，且該第一距離等於該第二距離；該內部改質痕跡形成於該擬平面與該第二表面之間，且該改質物件的該彎曲值為負值。