TWI893471B - 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 - Google Patents

Abstract

本發明之基板洗淨裝置包含第1洗淨具、第2洗淨具、荷重調整部及控制裝置。第1洗淨具洗淨基板之第1面。第2洗淨具洗淨基板之與第1面相反之第2面。荷重調整部調整由第1洗淨具或第2洗淨具施加於基板之荷重。控制裝置以如下方式控制控制荷重調整部，即：當俯視下之第1洗淨具與第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將第1荷重施加於基板，當洗淨具間距離為第1距離臨限值以下時，將較第1荷重為大之第2荷重施加於基板。

Description

基板洗淨裝置及基板洗淨方法

本發明係關於一種洗淨基板之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。

為了對液晶表示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等所使用之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等之各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。為了洗淨基板，而使用基板洗淨裝置。

例如，於專利文獻1中曾記載包含第1洗淨體及第2洗淨體之基板處理裝置。於該基板處理裝置中，在基板由旋轉卡盤旋轉之狀態下，基板之上表面及下表面由第1洗淨體及第2洗淨體分別洗淨。第1洗淨體及第2洗淨體以洗淨基板之重複之位置之方式同步地移動。

[專利文獻1]日本特開2019-106531號公報

根據專利文獻1所記載之基板處理裝置，藉由抑制基板之撓曲，可強力洗淨基板。然而，由於必須使第1洗淨體與第2洗淨體同步地移動，故無法使第1洗淨體與第2洗淨體相互獨立地移動，而基板之洗淨之步序受限制。因而，無法高效率地洗淨基板。

本發明之目的在於提供一種能夠高效率地洗淨基板之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。

本發明之一態樣之基板洗淨裝置包含：第1洗淨具，其洗淨基板之第1面；第2洗淨具，其洗淨前述基板之與前述第1面為相反之第2面；荷重調整部，其調整由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重；及控制部，其以如下方式控制前述荷重調整部：當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將第1荷重施加於前述基板，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將較前述第1荷重為大之第2荷重施加於前述基板。

本發明之另一態樣之基板洗淨方法包含： 藉由第1洗淨具洗淨基板之第1面；藉由第2洗淨具洗淨前述基板之與前述第1面為相反之第2面；當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由荷重調整部調整為第1荷重；於前述基板之洗淨時，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由前述荷重調整部調整為較前述第1荷重為大之第2荷重。

根據本發明，可高效率地洗淨基板。

1:基板洗淨裝置

2:單元殼體

2x:搬入搬出口

9:控制裝置

9A:卡盤控制部

9a:CPU

9B:吸附控制部

9b:記憶體

9C:台座控制部

9D:交接控制部

9E:旋轉控制部

9F:升降控制部

9G:荷重控制部

9H:洗淨液控制部

9I:噴出氣體控制部

9J:杯控制部

9K:上表面洗淨控制部

9L:端部洗淨控制部

9M:搬入搬出控制部

10A,10B:上側保持裝置

11A,11B:下卡盤

12A,12B:上卡盤

20:下側保持裝置

21:吸附保持部

30:台座裝置

31:線性引導件

32:可動台座

40:交接裝置

41:支持銷

50:下表面洗淨裝置

51:下表面刷

52:噴液嘴

53:氣體噴出部

60:杯裝置

61:杯

70:上表面洗淨裝置

71:旋轉支持軸

72,82:臂

73:噴霧嘴

74:泵

80:端部洗淨裝置

81:旋轉支持軸

83:斜角刷

90:開閉裝置

91:擋門

100:下表面刷驅動部

101,102:動力傳遞構件

110:收容部

120:氣缸

130:電動氣動調節器

140:支持構件

150:旋轉軸

160:旋轉馬達

170:馬達驅動部

180:線性引導件

190:升降馬達

L0:距離

L1,L2:距離臨限值

P1,P2,P3:荷重

S1~S10,S11~S21:步驟

W:基板

X,Y,Z:方向

圖1係本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之示意性俯視圖。

圖2係顯示圖1之基板洗淨裝置之內部構成之立體圖。

圖3係用於說明圖1之下表面刷驅動部之構成之示意圖。

圖4係用於說明下表面洗淨裝置之動作之圖。

圖5係用於說明基板之下表面外側區域之洗淨時之細節之示意圖。

圖6係用於說明基板之下表面外側區域之洗淨時之細節之示意圖。

圖7係用於說明基板之下表面外側區域之洗淨時之細節之示意圖。

圖8係顯示基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。

圖9係顯示藉由圖8之控制裝置進行之基板洗淨處理之流程圖。

圖10係顯示圖9之兩面洗淨處理之流程圖。

圖11係顯示變化例之噴霧嘴之移動之圖。

以下，關於本發明之實施形態之基板洗淨裝置及基板處理方法，使用圖式進行說明。於以下之說明中，基板意指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。又，於以下之說明中，基板之上表面為電路形成面(正面)，基板之下表面為電路形成面的相反側之面(背面)。又，基板除缺口外，具有圓形狀。

1.基板洗淨裝置之構成

圖1係本發明之一實施形態之基板洗淨裝置之示意性俯視圖。圖2係顯示圖1之基板洗淨裝置1之內部構成之立體圖。於本實施形態之基板洗淨裝置1中，為了使位置關係明確化，而定義相互正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖1及圖2以後之規定之圖中，適宜以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於上下方向(鉛直方向)。

如圖1及圖2所示，基板洗淨裝置1具有在單元殼體2內收容有上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開閉裝置90之構成。於圖2中，單元殼體2係以虛線表示。

單元殼體2具有長方體形狀，包含矩形之底面部及自底面部之4邊向上方延伸之4個側壁部。4個側壁中2個側壁於Y方向上彼此對向。4個側壁中其他2個側壁於X方向彼此對向。於4個側壁中1個側壁中央形成有基板W之搬入搬出口2x。於搬入搬出口2x之附近設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含擋門91，構成為能夠藉由擋門91將搬入搬出口2x開閉。

於單元殼體2之底面部設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性引導件31及可動台座32。線性引導件31包含在X方向排列之2條軌道，以橫切X方向之底面部之中央部分之方式沿Y方向延伸。台座裝置30構成為於線性引導件31之2條軌道上，能夠使可動台座32移動至Y方向之複數個位置。

於可動台座32上，將下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50設置為於Y方向排列。下側保持裝置20設置於可動台座32之上表面，包含吸附保持部21。吸附保持部21係所謂之旋轉卡盤，具有能夠吸附保持基板W之下表面之圓形狀之吸附面。又，吸附保持部21構成為能夠繞沿上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉。下側保持裝置20藉由吸附保持部21來吸附基板W之下表面。藉此，基板W以大致水平姿勢受保持。又，吸附保持部21使所保持之基板W繞沿上下方向延伸之軸旋轉。

於以下之說明中，當藉由吸附保持部21吸附保持基板W時，將基板W之下表面中由吸附保持部21之吸附面吸附保持之區域稱為下表面中央區 域。又，將基板W之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。

於可動台座32上，在下側保持裝置20之附近設置有交接裝置40。交接裝置40具有複數個(本例中為3個)支持銷41，該等支持銷41設置為於俯視下包圍吸附保持部21且沿上下方向延伸。複數個支持銷41設置為能夠於預設之複數個高度位置之間升降。

如後述般，上側保持裝置10A、10B構成為於較下側保持裝置20靠上方之位置能夠對基板W以大致水平姿勢進行保持。交接裝置40藉由使複數個支持銷41升降，能夠接收保持於下側保持裝置20之基板W並交遞至上側保持裝置10A、10B。又，交接裝置40能夠接收保持於上側保持裝置10A、10B之基板W並交遞至下側保持裝置20。

下表面洗淨裝置50包含：下表面刷51、2個噴液嘴52、氣體噴出部53及下表面刷驅動部100。下表面刷驅動部100以於Y方向上與下側保持裝置20相鄰之方式設置於可動台座32之上表面。如圖1所示，下表面刷51具有能夠與基板W之下表面接觸之圓形狀之洗淨面。又，下表面刷51以洗淨面向上方之方式，且以洗淨面能夠繞通過該洗淨面之中心且沿上下方向延伸之軸旋轉之方式，安裝於下表面刷驅動部100。下表面刷51之洗淨面之面積大於吸附保持部21之吸附面之面積。此外，下表面刷51係由例如PVA(聚乙烯醇)海綿或分散有磨粒之PVA海綿形成。

下表面刷驅動部100包含：使下表面刷51升降之升降機構、及使下表面刷51旋轉之刷驅動機構。下表面刷驅動部100藉由該升降機構，於基板W由下側保持裝置20或上側保持裝置10A、10B保持之狀態下進行升降動作。藉此，下表面刷驅動部100於將下表面刷51與基板W之下表面接觸之高度位置和與基板W向下方分開一定距離之高度位置之間移動。

又，下表面刷驅動部100藉由該刷驅動機構使下表面刷51旋轉。藉此，藉由下表面刷51於位於與基板W之下表面接觸之高度位置之狀態下旋轉，而洗淨基板W之下表面中之與下表面刷51之接觸部分。關於下表面刷驅動部100之細節於後文描述。

2個噴液嘴52各自以位於下表面刷51之附近且液體噴出口向上方之方式，安裝於下表面刷驅動部100之後述之外殼狀之收容部。於噴液嘴52連接有未圖示之洗淨液供給系統。噴液嘴52於下表面刷51對基板W之洗淨時，將自洗淨液供給系統供給之洗淨液噴出至基板W之下表面。於本實施形態中，使用純水作為向噴液嘴52供給之洗淨液。

氣體噴出部53係具有沿一方向延伸之氣體噴出口之狹槽狀之氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以於俯視下位於下表面刷51與吸附保持部21之間且氣體噴射口向上方之方式，安裝於下表面刷驅動部100之收容部。於氣體噴出部53連接有未圖示之噴出氣體供給系統。於本實施形態中，使用氮氣作為向氣體噴出部53供給之氣體。氣體噴出部53當下表面刷51對基板W之洗淨時及後述之基板W之下表面之乾燥時，將自噴出氣體供給系統供 給之氣體供給至基板W之下表面。藉此，於下表面刷51與吸附保持部21之間形成沿X方向延伸之帶狀之氣幕。

杯裝置60設置於單元殼體2內之大致中央部，包含杯61。杯61設置為於俯視下包圍下側保持裝置20及台座裝置30且可升降。於圖2中，杯61係以虛線表示。杯61相應於洗淨下表面刷51洗淨基板W之下表面中之哪一部分，於下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置為杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W靠下方之高度位置。又，上杯位置為杯61之上端部位於較吸附保持部21靠上方之高度位置。

上側保持裝置10A、10B設置於較杯61靠上方之高度位置。上側保持裝置10A、10B於俯視下隔著台座裝置30而對向。上側保持裝置10A包含下卡盤11A及上卡盤12A。上側保持裝置10B包含下卡盤11B及上卡盤12B。

下卡盤11A、11B於俯視下就通過吸附保持部21之中心且沿Y方向延伸之鉛直面對稱地配置，設置為能夠於共通之水平面內於X方向移動。下卡盤11A、11B各自具有能夠自基板W之下方支持基板W之下表面外側區域之2個支持片。上卡盤12A、12B與下卡盤11A、11B同樣，於俯視下就通過吸附保持部21之中心且沿Y方向延伸之鉛直面對稱地配置，設置為能夠於共通之水平面內於X方向移動。上卡盤12A、12B各自具有2個保持片，該等保持片抵接於基板W之外周端部之2個部分，且構成為能夠保持基板W之外周端部。

於上側保持裝置10A、10B中，調整下卡盤11A及上卡盤12A、與下卡盤11B及上卡盤12B之間之距離。藉此，上側保持裝置10A、10B藉由在下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B之間夾入基板W，能夠於下側保持裝置20之上方之位置保持基板W。又，於上側保持裝置10A、10B中，藉由使下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B相互遠離，能夠釋放所保持之基板W。

如圖1所示，於X方向之杯61之一側方設置有上表面洗淨裝置70。如圖2所示，上表面洗淨裝置70包含：旋轉支持軸71、臂72、噴霧嘴73及泵74(圖1)。旋轉支持軸71設置為沿上下方向延伸，且能夠升降並且能夠旋轉。臂72設置為於較上側保持裝置10A、10B靠上方之位置自旋轉支持軸71之上端部沿水平方向延伸。於臂72之前端部安裝有噴霧嘴73。

於噴霧嘴73連接有未圖示之流體供給系統。自未圖示之流體供給系統供給之洗淨液由泵74壓送至噴霧嘴73。又，自流體供給系統向噴霧嘴73供給氣體。藉此，於噴霧嘴73中將洗淨液與氣體混合，產生混合流體。所產生之混合流體自噴霧嘴73向下方噴射。

於上表面洗淨裝置70中，於例如基板W由下側保持裝置20保持且旋轉之狀態下，以噴霧嘴73於基板W之上方移動之方式，調整旋轉支持軸71之高度位置，且旋轉支持軸71旋轉。於該狀態下，自噴霧嘴73向基板W噴射混合流體。藉此，洗淨基板W之上表面整體。

如圖1所示，於X方向之杯61之另一側方設置有端部洗淨裝置80。如圖2所示，端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82及斜角刷83。旋轉支持軸81設置為沿上下方向延伸，且能夠升降並且能夠旋轉。臂82設置為於較上側保持裝置10A、10B靠上方之位置自旋轉支持軸81之上端部沿水平方向延伸。於臂82之前端部設置有斜角刷83，該斜角刷83向下方突出，且能夠繞上下方向之軸旋轉。

於端部洗淨裝置80中，在例如基板W由下側保持裝置20保持且旋轉之狀態下，以斜角刷83與基板W之外周端部接觸之方式，調整旋轉支持軸81之高度位置，且旋轉支持軸81旋轉。進而，設置於臂82之前端部之斜角刷83繞上下方向之軸旋轉。藉此，洗淨基板W之外周端部整體。

如圖1所示，基板洗淨裝置1進一步包含控制裝置9。控制裝置9包含例如CPU(中央運算處理裝置)9a及記憶體9b。控制裝置9可由微電腦實現。於記憶體9b中記憶有基板洗淨程式。CPU 9a藉由執行基於記憶體9b之基板洗淨程式，而控制上述之各構成要素(10A、10B、20、30、40、50、60、70、80、90)之動作。

2.下表面刷驅動部

圖3係用於說明圖1之下表面刷驅動部100之構成之示意圖。於圖3中，以示意性側視圖顯示下表面刷51及其周邊構件之構成。如圖3所示，下表面刷驅動部100包含：收容部110、氣缸120、電動氣動調節器130、 支持構件140、旋轉軸150、旋轉馬達160、馬達驅動部170、線性引導件180及升降馬達190。

收容部110係例如外殼構件，設置於可動台座32之上表面。於收容部110之上表面設置圖1之噴液嘴52及氣體噴出部53，但於圖3中省略噴液嘴52及氣體噴出部53之圖示。收容部110收容下表面刷驅動部100中電動氣動調節器130、馬達驅動部170及升降馬達190除外之構成。藉此，可防止藉由驅動下表面刷51而產生之微粒於單元殼體2內飛散。此外，電動氣動調節器130及馬達驅動部170亦可收容於收容部110。

氣缸120設置於收容部110之底面。支持構件140係沿水平方向延伸之桿構件或板構件，具有一端部及另一端部。氣缸120支持支持構件140中一端部與另一端部之間之大致中央部分。於氣缸120連接電動氣動調節器130。氣缸120藉由經由電動氣動調節器130供給空氣，而使支持構件140於規定之範圍內升降。藉由向氣缸120供給之空氣量變化，而自氣缸120施加於支持構件140之荷重變化。

旋轉軸150設置為於支持構件140之一端部中向上方延伸且能夠旋轉。旋轉軸150之上端部自收容部110向上方突出。於自收容部110突出之旋轉軸150之上端部安裝下表面刷51。藉由將施加於上述之支持構件140之荷重變化，能夠調整自下表面刷51施加於基板W之荷重。

旋轉馬達160以旋轉軸沿上下方向延伸之狀態安裝於支持構件140之 另一端部附近。於旋轉馬達160連接馬達驅動部170。於旋轉軸150與旋轉馬達160之旋轉軸之間設置動力傳遞構件101。動力傳遞構件101包含：分別安裝於旋轉軸150及旋轉馬達160之旋轉軸之2個皮帶輪、及將2個皮帶輪相連之皮帶，將藉由旋轉馬達160產生之旋轉力傳遞至旋轉軸150。藉此，下表面刷51旋轉。

線性引導件180以沿上下方向延伸之方式設置於收容部110之底面。於線性引導件180連接支持構件140之端部(圖3之例中為另一端部)。線性引導件180於上下方向規制支持構件140之移動方向。

升降馬達190具有能夠於上下方向升降之驅動軸，設置於收容部110之外。於升降馬達190之驅動軸與收容部110之間設置動力傳遞構件102。動力傳遞構件102將藉由升降馬達190產生之驅動力傳遞至收容部110。藉此，下表面刷51與收容部110及其收容物一起升降。升降馬達190對下表面刷51之升降範圍大於氣缸120對下表面刷51之升降範圍。

於基板W之洗淨前，藉由升降馬達190將下表面刷51下降。將此時之下表面刷51之位置稱為待機位置。待機位置位於由圖1之吸附保持部21保持之基板W之下方，於待機位置處，下表面刷51離基板W遠。另一方面，於基板W之下表面之洗淨時，藉由升降馬達190將下表面刷51上升。將此時之下表面刷51之位置稱為處理位置。於處理位置處，下表面刷51與基板W接近。以下，關於下表面洗淨裝置50對基板W之下表面中央區域及下表面外側區域之洗淨進行說明。

3.下表面洗淨裝置之動作

圖4係用於說明下表面洗淨裝置50之動作之圖。於基板W之下表面中央區域之洗淨時，如圖4之上段所示，下表面刷51之洗淨面與由圖1之上側保持裝置10A、10B保持之基板W之下表面中央區域接觸。於該狀態下，藉由將下表面刷51旋轉，而去除附著於基板W之下表面中央區域之污染物。於本例中，在基板W之下表面中央區域之洗淨時，不將基板W旋轉，但可將基板W旋轉。

於基板W之下表面外側區域之洗淨時，如圖4之下段所示，下表面刷51與由圖1之吸附保持部21保持之基板W之下表面外側區域接觸。此時，下表面刷51之一部分可突出至較基板W略靠外方。於該狀態下，藉由將基板W旋轉，而去除附著於基板W之下表面外側區域之污染物。於本例中，於基板W之下表面外側區域之洗淨時，不將下表面刷51旋轉，但可將下表面刷51旋轉。

於本例中，下表面刷51之直徑大於基板W之直徑之1/3且小於其1/2。該情形下，藉由下表面刷51之洗淨面與基板W之下表面中央區域之下方及下表面外側區域之下方依次接觸，而高效率地洗淨基板W之下表面整體。因而，無須過度增大下表面刷51。此外，基板W之直徑例如為300mm。如圖4中一點鏈線所示，下表面刷51之洗淨面在與基板W之下表面中央區域接觸時能夠洗淨之區域、與下表面刷51之洗淨面在與基板W之下表面外側區域接觸時能夠洗淨之區域可略重複。

於基板W之下表面之洗淨時，藉由圖1之噴液嘴52將洗淨液供給至基板W之下表面。該情形下，可更高效率地去除附著於基板W之下表面之污染物。又，於基板W之下表面中央區域之洗淨時，亦同時進行基板W之上表面及基板W之外周端部之洗淨。

圖5~圖7係用於說明基板W之下表面外側區域之洗淨時之細節之示意圖。如圖5所示，於基板W之下表面外側區域之洗淨時，設置於斜角刷83之外周面之剖面大致U字形狀之槽部與旋轉之基板W之外周端部接觸。藉此，洗淨基板W之外周端部。

又，噴霧嘴73移動至基板W之大致中心之上方。於該狀態下，自噴霧嘴73向基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。其次，如圖6所示，噴霧嘴73於旋轉之基板W之上方向外方移動。該噴霧嘴73之移動如圖7所示般持續至噴霧嘴73到達基板W之外周部之上方為止。藉此，洗淨基板W之上表面。

此處，由下表面刷51施加於基板W之荷重係根據俯視下之下表面刷51與噴霧嘴73之位置關係由圖3之氣缸120調整。具體而言，當俯視下之下表面刷51之中心、與噴霧嘴73之中心之間之距離(以下稱為洗淨具間距離)大於預設之距離臨限值L1時，將由下表面刷51施加於基板W之荷重調整為P1(圖5)。

另一方面，當洗淨具間距離為距離臨限值L1以下時，將由下表面刷51施加於基板W之荷重調整為較P1為大之P2(圖6及圖7)。於本例中，距離臨限值L1與下表面刷51之半徑相等。距離臨限值L1可為下表面刷51之半徑以下。該等情形下，於俯視下，在噴霧嘴73之中心與下表面刷51重疊時，藉由下表面刷51對基板W施加較大之荷重P2。

4.控制部之構成

圖8係顯示基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。如圖8所示，控制裝置9作為功能部，包含：卡盤控制部9A、吸附控制部9B、台座控制部9C、交接控制部9D、旋轉控制部9E、升降控制部9F、荷重控制部9G、洗淨液控制部9H、噴出氣體控制部9I、杯控制部9J、上表面洗淨控制部9K、端部洗淨控制部9L及搬入搬出控制部9M。

藉由控制裝置9之CPU 9a(圖1)執行記憶於記憶體9b(圖1)之基板洗淨程式，而實現控制裝置9之上述之功能部。控制裝置9之功能部之一部分或全部亦可藉由電子電路等硬體實現。

卡盤控制部9A以下卡盤11A、11B及上卡盤12A、12B保持基板W之方式，控制上側保持裝置10A、10B。吸附控制部9B以吸附保持部21吸附保持基板W，且將所吸附保持之基板W旋轉之方式，控制下側保持裝置20。台座控制部9C以可動台座32移動至Y方向上之複數個位置之方式，控制台座裝置30。交接控制部9D以複數個支持銷41使基板W於上側保持裝置10A、10B與下側保持裝置20之間移動之方式，控制交接裝置40。

旋轉控制部9E以下表面刷51旋轉之方式控制下表面洗淨裝置50之馬達驅動部170。升降控制部9F以下表面刷51於待機位置與處理位置之間移動之方式，控制下表面洗淨裝置50之升降馬達190。荷重控制部9G以下表面刷51對基板W施加規定之荷重之方式，控制下表面洗淨裝置50之電動氣動調節器130。洗淨液控制部9H以噴液嘴52噴出洗淨液之方式，控制下表面洗淨裝置50。噴出氣體控制部9I以氣體噴出部53噴射氣體之方式，控制下表面洗淨裝置50。

杯控制部9J以杯61於下杯位置與上杯位置之間移動之方式，控制杯裝置60。上表面洗淨控制部9K以噴霧嘴73洗淨基板W之上表面之方式，控制上表面洗淨裝置70。端部洗淨控制部9L以斜角刷83洗淨基板W之外周端部之方式，控制端部洗淨裝置80。搬入搬出控制部9M以擋門91將單元殼體2之搬入搬出口2x開閉之方式，控制開閉裝置90。

5.基板洗淨處理

圖9係顯示藉由圖8之控制裝置9進行之基板洗淨處理之流程圖。基板洗淨處理係藉由控制裝置9之CPU 9a執行記憶於記憶體9b之基板洗淨程式而執行。於初始狀態下，台座裝置30以下側保持裝置20之吸附保持部21於俯視下位於杯61之中央之方式，將可動台座32定位。

首先，搬入搬出控制部9M藉由控制開閉裝置90，而將搬入搬出口2x打開，將自基板洗淨裝置1之外部搬入之基板W接收至單元殼體2內(步驟 S1)。

其次，交接控制部9D藉由控制交接裝置40，而藉由複數個支持銷41接收基板W，將接收到之基板W交遞至上側保持裝置10A、10B(步驟S2)。此時，卡盤控制部9A藉由控制上側保持裝置10A、10B，而於下側保持裝置20之上方之位置保持基板W之外周端部(步驟S3)。此外，於能夠將自基板洗淨裝置1之外部搬入之基板W載置於下卡盤11A、11B上之情形下，可省略步驟S2之處理。於步驟S1中經打開之搬入搬出口2x於自交接裝置40接收到基板W之後，由擋門91閉塞。

之後，藉由旋轉控制部9E、升降控制部9F及荷重控制部9G分別控制馬達驅動部170、升降馬達190及電動氣動調節器130，且洗淨液控制部9H控制下表面洗淨裝置50，而進行基板W之下表面中央區域之洗淨(步驟S4)。具體而言，於將下表面刷51自待機位置上升至處理位置之後，將下表面刷51之洗淨面與基板W之下表面中央區域接觸。於該狀態下，旋轉下表面刷51。又，向基板W之下表面中央區域，藉由噴液嘴52供給洗淨液。藉此，藉由浸入洗淨液之下表面刷51洗淨基板W之下表面中央區域。

於步驟S4之洗淨時，洗淨液附著於基板W之下表面中央區域。為此，藉由台座控制部9C控制台座裝置30，且噴出氣體控制部9I控制下表面洗淨裝置50，而使基板W之下表面中央區域乾燥(步驟S5)。具體而言，於藉由自氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體，而產生氣幕之狀態下，以於俯視下通過下表面中央區域之方式，氣體噴出部53相對於基板W 之下表面移動。藉此，將在下表面中央區域附著於基板W之洗淨液藉由氣幕壓出至離開基板W之下表面中央區域之位置，而下表面中央區域乾燥。

於步驟S4、S5結束後，下表面刷51自處理位置下降至待機位置。其次，交接控制部9D藉由控制交接裝置40，而藉由複數個支持銷41接收保持於上側保持裝置10A、10B之基板W，將接收到之基板W交遞至下側保持裝置20(步驟S6)。

其次，吸附控制部9B藉由控制下側保持裝置20，而利用吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域(步驟S7)。於步驟S6、S7之處理中，以於俯視下基板W之中心位於吸附保持部21之中心之方式，將台座裝置30定位。藉此，基板W以其中心位於吸附保持部21之旋轉中心(旋轉軸)上之狀態，由吸附保持部21吸附保持。

進而，控制裝置9執行兩面洗淨處理(步驟S8)。於兩面洗淨處理中，同時洗淨基板W之上表面整體及下表面外側區域。又，於本例中，在兩面洗淨處理中，亦同時洗淨基板W之外周端部。步驟S8之兩面洗淨處理之細節於後文描述。

於基板W之上表面整體、外周端部及下表面外側區域之洗淨結束後，吸附控制部9B藉由控制下側保持裝置20，而使基板W高速旋轉，使基板W之整體乾燥(步驟S9)。使基板W高速旋轉而使基板W之整體乾燥之乾燥方法被稱為旋轉乾燥。

最後，搬入搬出控制部9M藉由控制開閉裝置90，而將搬入搬出口2x打開。藉此，將基板W搬出至基板洗淨裝置1之外部(步驟S10)，而基板洗淨處理結束。於步驟S10中經打開之搬入搬出口2x於搬出基板W之後，由擋門91閉塞。

此外，杯控制部9J於上述之一系列之處理中之步驟S8、S9之處理中，藉由控制杯裝置60，而將杯61保持於上杯位置。藉此，於基板W之上表面整體、外周端部及下表面外側區域之洗淨時、以及基板W之旋轉乾燥時自基板W飛散之液滴由杯61承接，並排出至基板洗淨裝置1之外部。又，杯控制部9J於上述之一系列之處理中之步驟S8、S9除外之處理(步驟S1~S7、S10)之間，藉由控制杯裝置60，而將杯61保持於下杯位置。

6.兩面洗淨處理

圖10係顯示圖9之兩面洗淨處理之流程圖。以下，一面參照圖3之下表面刷驅動部100、圖8之控制裝置9及圖5~圖7之基板W，一面關於兩面洗淨處理進行說明。

於兩面洗淨處理中，吸附控制部9B藉由控制下側保持裝置20，而使由吸附保持部21保持之基板W旋轉(步驟S11)。又，端部洗淨控制部9L藉由控制端部洗淨裝置80，而使斜角刷83與基板W之外周端部接觸(步驟S12)。藉此，洗淨基板W之外周端部。

又，升降控制部9F藉由控制升降馬達190，而使基板W自待機位置上升至處理位置(步驟S13)。其次，荷重控制部9G藉由控制電動氣動調節器130，而以荷重P1使下表面刷51與基板W之下表面外側區域接觸(步驟S14)。亦即，藉由下表面刷51將P1之荷重施加於基板W之下表面外側區域。藉此，洗淨基板W之下表面外側區域。

又，上表面洗淨控制部9K藉由控制上表面洗淨裝置70，而使噴霧嘴73移動至基板W之中心之上方(步驟S15)。其次，上表面洗淨控制部9K自噴霧嘴73向基板W之上表面噴射混合流體(步驟S16)。於該狀態下，上表面洗淨控制部9K使噴霧嘴73於基板W之上方向外方移動(步驟S17)。於本例中，噴霧嘴73以靠近下表面刷51之方式移動。噴霧嘴73之移動持續至噴霧嘴73到達基板W之外周部之上方為止。藉此，洗淨基板W之上表面整體。

同時執行步驟S12中之基板W之外周端部之洗淨、步驟S13、S14中之基板W之下表面外側區域之洗淨、及步驟S15~S17中之基板W之上表面整體之洗淨。藉由執行步驟S17，而洗淨具間距離變小。

荷重控制部9G判定洗淨具間距離是否大於距離臨限值L1(步驟S18)。當洗淨具間距離大於距離臨限值L1時，荷重控制部9G將施加於基板W之荷重維持為P1不變，待機至洗淨具間距離為距離臨限值L1以下為止。當洗淨具間距離為距離臨限值L1以下時，荷重控制部9G藉由控制電動氣動調節器130，而使施加於基板W之荷重增加至P2(步驟S19)。

於執行步驟S19之後，上表面洗淨控制部9K判定噴霧嘴73是否到達基板W之外周部之上方(步驟S20)。當噴霧嘴73未到達基板W之外周部之上方時，上表面洗淨控制部9K待機至噴霧嘴73到達基板W之外周部之上方為止。當噴霧嘴73到達基板W之外周部之上方時，基板W之上表面整體之洗淨結束。該情形下，上表面洗淨控制部9K使上表面洗淨裝置70之動作停止(步驟S21)。

藉由執行步驟S21，而停止來自噴霧嘴73之混合流體之噴射，且停止噴霧嘴73之移動。又，於步驟S21之執行時，將噴霧嘴73返回初始位置，且將下表面刷51自處理位置返回待機位置。藉此，處理前進至圖9之基板洗淨處理之步驟S9。

7.效果

於本實施形態之基板洗淨裝置1中，在下表面刷51與噴霧嘴73分開較遠之情形下，以施加於基板W之荷重變得較小之方式，控制電動氣動調節器130。因而，可於不使基板W產生翹曲或撓曲等變形下，洗淨基板W。

另一方面，於下表面刷51與噴霧嘴73較接近之情形下，以施加於基板W之荷重變得較大之方式，控制電動氣動調節器130。該情形下，由下表面刷51施加於基板W之荷重、與由噴霧嘴73施加於基板W之荷重相互抵消，藉此防止基板W大幅度變形。因而，可於不使基板W產生基板下，強固地洗淨基板W。

又，根據該構成，由於無須使下表面刷51與噴霧嘴73同步地移動，故基板W之洗淨之步序無限制。藉此，可高效率地洗淨基板W。於基板W之洗淨時，由於基板W由下側保持裝置20保持且旋轉，故可跨及寬廣範圍容易地洗淨基板W之下表面及上表面。

基板W之下表面藉由由下表面刷51之洗淨面接觸而被洗淨。該情形下，可於短時間洗淨基板W之第1面。另一方面，基板W之上表面藉由自噴霧嘴73噴出洗淨液而被洗淨。又，噴霧嘴73沿著基板W之上表面移動。因此，即便於基板W之上表面係電路形成面之情形下，亦可適切地洗淨上表面。

於本例中，距離臨限值L1為具有圓形狀之下表面刷51之洗淨面之半徑以下。該情形下，於在俯視下下表面刷51與噴霧嘴73重疊時，由下表面刷51或噴霧嘴73施加於基板W之荷重增加。藉此，可更確實地防止基板W之變形，且洗淨基板W。

施加於基板W之荷重藉由控制將下表面刷51按壓於基板W之氣缸120之驅動量而予以調整。該情形下，藉由控制氣缸120之驅動量，而調整自下表面刷51向基板W之按壓量。藉此，可容易地調整施加於基板W之荷重。

又，下表面刷51於基板W之非洗淨時在待機位置處待機，於基板W 之洗淨時自待機位置上升至靠近基板W之處理位置。待機位置與處理位置之間之下表面刷51之升降係藉由升降馬達190進行。位於處理位置之下表面刷51於較升降馬達190對下表面刷51之升降範圍為小之範圍內由氣缸120升降。藉此，將下表面刷51之洗淨面與基板W之下表面接觸。

根據該構成，能夠藉由升降馬達190將下表面刷51於待機位置與處理位置之間較大幅度地升降，且能夠藉由氣缸120於處理位置處使下表面刷51在微小之範圍內升降。因而，可於基板W之非洗淨時，使下表面刷51在與處理位置分開之待機位置處待機，且於基板W之洗淨時，在處理位置處正確地調整施加於基板W之荷重。

8.變化例

於本實施形態中，在基板W之上表面之洗淨時，將噴霧嘴73自基板W之中心之上方向基板W之外周部之上方移動，但實施形態不限定於此。圖11顯示變化例之噴霧嘴73之移動之圖。如圖11所示，於基板W之上表面之洗淨時，可將噴霧嘴73自基板W之一外周部之上方向基板W之另一外周部之上方移動。於圖11之例中，下表面刷51位於基板W之另一外周部之下方。

該情形下，當下洗淨具間距離大於預設之距離臨限值L2時，由下表面刷51施加於基板W之荷重被調整為較P1為小之P3。此處，距離臨限值L2大於距離臨限值L1。

亦即，於變化例中，當洗淨具間距離大於距離臨限值L2時，藉由下表面刷51對基板W施加荷重P3。當洗淨具間距離為距離臨限值L2以下且大於距離臨限值L1時，藉由下表面刷51對基板W施加較荷重P3為大之荷重P1。當洗淨具間距離為距離臨限值L1以下時，藉由下表面刷51對基板W施加較荷重P1為大之荷重P2。

於本例中，距離臨限值L2大於俯視下之下表面刷51之中心與基板W之中心之間之距離L0。根據該構成，即便於下表面刷51與噴霧嘴73分開遠之情形下，亦可於不使基板W產生變形下洗淨基板W。

又，於圖11之例中，在基板W之一外周部之上表面，藉由噴霧嘴73向下方施加荷重。另一方面，於基板W之另一外周部之下表面，藉由下表面刷51向上方施加荷重。該情形下，亦可更確實地防止基板W離開吸附保持部21。

此外，於圖5~圖7之例、及圖11之例中，將噴霧嘴73移動之方向無限定。因此，於圖5~圖7中，噴霧嘴73可自基板W之外周部之上方向基板W之中心之上方移動。又，於圖11中，噴霧嘴73可自基板W之另一外周部之上方向基板W之一外周部之上方移動。

9.其他實施形態

(1)於上述實施形態中，荷重控制部9G藉由控制氣缸120及電動氣動調節器130，而調整下表面刷51施加於基板W之荷重，但實施形態不限定 於此。荷重控制部9G可控制泵74之送液壓。該情形下，藉由控制泵之送液壓，而調整自噴霧嘴73噴出之洗淨液施加於基板W之壓力。藉此，可容易地調整施加於基板W之荷重。

(2)於上述實施形態中，第1洗淨具係下表面刷51，第2洗淨具係噴霧嘴73，但實施形態不限定於此。可行的是，第1洗淨具係下表面刷51，第2洗淨具係上表面刷。或，可行的是，第1洗淨具係噴霧嘴，第2洗淨具係噴霧嘴73。又，可行的是，第1洗淨具係噴霧嘴，第2洗淨具係上表面刷。又，於能夠洗淨基板W之上表面及下表面之寬廣範圍之情形下，在兩面洗淨處理中可不旋轉基板W。

(3)於上述實施形態中，距離臨限值L1為下表面刷51之半徑以下，但實施形態不限定於此。距離臨限值L1可大於下表面刷51之半徑。又，距離臨限值L2大於下表面刷51之中心與基板W之中心之間之距離L0，但實施形態不限定於此。距離臨限值L2可為距離L0以下。

(4)於上述實施形態中，待機位置與處理位置之間之下表面刷51之升降係藉由升降馬達190進行，處理位置處之下表面刷51之微小之升降係藉由氣缸120進行，但實施形態不限定於此。待機位置與處理位置之間之下表面刷51之升降、及處理位置處之下表面刷51之微小之升降可藉由共通之致動器進行。

(5)於上述實施形態中，在兩面洗淨處理中與基板W之上表面整體及 下表面外側區域同時亦洗淨基板W之外周端部，但實施形態不限定於此。基板W之外周端部可不於兩面洗淨處理中被洗淨。或，基板W之外周端部可不於基板洗淨裝置1中被洗淨。該情形下，基板洗淨裝置1可不包含端部洗淨裝置80。

(6)於上述實施形態中，基板洗淨裝置1構成為能夠洗淨基板W之下表面中央區域，但實施形態不限定於此。基板洗淨裝置1可不構成為能夠洗淨基板W之下表面中央區域。該情形下，基板洗淨裝置1可不包含上側保持裝置10A、10B，亦可不包含交接裝置40。

10.申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各部之對應關係

以下，針對申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明不限定於下述之例。作為申請專利範圍之各構成要素，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種要素。

於上述實施形態中，基板W係基板之例，下表面刷51係第1洗淨具及刷之例，噴霧嘴73係第2洗淨具及噴嘴之例。氣缸120及電動氣動調節器130係荷重調整部之一例，泵74係荷重調整部之另一例。控制裝置9係控制部之例，基板洗淨裝置1係基板洗淨裝置之例，下側保持裝置20係基板保持部之例，氣缸120係第1致動器之例，升降馬達190係第2致動器之例，泵74係泵之例。

11.實施形態之總結

(第1項)第1項之基板洗淨裝置包含：第1洗淨具，其洗淨基板之第1面；第2洗淨具，其洗淨前述基板之與前述第1面相反之第2面；荷重調整部，其調整由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重；及控制部，其以如下方式控制前述荷重調整部：當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將第1荷重施加於前述基板，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將較前述第1荷重為大之第2荷重施加於前述基板。

於該基板洗淨裝置中，在第1洗淨具與第2洗淨具分開較遠之情形下，以施加於基板之荷重變得較小之方式控制荷重調整部。因而，可於不使基板產生翹曲或撓曲等變形下洗淨基板。

另一方面，於第1洗淨具與第2洗淨具較接近之情形下，以施加於基板之荷重變得較大之方式，控制荷重調整部。該情形下，由第1洗淨具施加於基板之荷重、與由第2洗淨具施加於基板之荷重相互抵消，藉此防止基板大幅度變形。因而，可於不使基板產生變形下，強固地洗淨基板。

又，根據該構成，由於無須使第1洗淨具與第2洗淨具同步地移動，故基板之洗淨之步序無限制。藉此，可高效率地洗淨基板。

(第2項)如第1項之基板洗淨裝置，其可進一步包含： 基板保持部，其保持前述基板保持且使其旋轉。

該情形下，可跨及寬廣範圍容易地洗淨基板之第1面及第2面。

(第3項)如第1項或第2項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述第1洗淨具包含刷，該刷具有洗淨面，藉由使前述洗淨面與前述基板之前述第1面接觸，而洗淨前述第1面。

該情形下，可於短時間洗淨基板之第1面。

(第4項)如第3項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述刷之前述洗淨面具有圓形狀；且前述第1距離臨限值為前述洗淨面之半徑以下。

該情形下，於在俯視下第1洗淨具與第2洗淨具重疊時，由第1洗淨具或第2洗淨具施加於基板之荷重增加。藉此，可更確實地防止基板之變形，且洗淨基板。

(第5項)如第3項或第4項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述荷重調整部包含將前述刷按壓於前述基板之第1致動器；且前述控制部藉由控制前述第1致動器之驅動量，而調整施加於前述基板之荷重。

該情形下，藉由控制第1致動器之驅動量，而調整自刷向基板之按壓量。藉此，可容易地調整施加於基板之荷重。

(第6項)如第5項之基板洗淨裝置，其可進一步包含：第2致動器，其使前述刷在當前述基板之非洗淨時使前述刷待機之待機位置、與較前述待機位置更接近前述基板之處理位置之間升降；且前述第1致動器藉由在較由前述第2致動器使前述刷升降之範圍為小之範圍內使位於前述處理位置之前述刷升降，而使前述刷之前述洗淨面與前述基板之前述第1面接觸。

該情形下，能夠藉由第2致動器使刷在待機位置與處理位置之間較大幅度地升降，且藉由第1致動器於處理位置處使刷在微小之範圍內升降。藉此，可於基板之非洗淨時，使刷在與處理位置分開之待機位置處待機，且於基板之洗淨時，在處理位置處正確地調整施加於基板之荷重。

(第7項)如第1項至第6項中任一項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述第2洗淨具包含噴嘴，該噴嘴藉由沿著前述基板之前述第2面移動並噴出洗淨液，而洗淨前述第2面。

根據該構成，即便於基板之第2面形成電路，亦可適切地洗淨第2面。

(第8項)如第7項之基板洗淨裝置，其中可行的是 前述荷重調整部包含泵，該泵將前述洗淨液壓送而使其自前述噴嘴噴出；且前述控制部藉由控制前述泵之送液壓，而調整施加於前述基板之荷重。

該情形下，藉由控制泵之送液壓，而調整自噴嘴噴出之洗淨液施加於基板之壓力。藉此，可容易地調整施加於基板之荷重。

(第9項)如第1項至第8項中任一項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述控制部當前述洗淨具間距離大於預設之第2距離臨限值時，以將較前述第1荷重為小之第3荷重施加於前述基板之方式，控制前述荷重調整部；且前述第2距離臨限值大於前述第1距離臨限值。

根據該構成，即便於第1洗淨具與第2洗淨具大幅分開之情形下，亦可於不使基板產生變形地洗淨基板。

(第10項)如第9項之基板洗淨裝置，其中可行的是前述第1洗淨具洗淨前述基板之前述第1面上之與前述基板之中心分開之區域；且前述第2距離臨限值大於前述俯視下之前述第1洗淨具與前述基板之前述中心之間之距離。

根據該構成，即便於第1洗淨具與第2洗淨具分開更遠之情形下，亦可於不使基板產生變形下洗淨基板。

(第11項)第11項之基板洗淨方法包含：藉由第1洗淨具洗淨基板之第1面；藉由第2洗淨具洗淨前述基板之與前述第1面相反之第2面；當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由荷重調整部調整為第1荷重；及於前述基板之洗淨時，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由前述荷重調整部調整為較前述第1荷重為大之第2荷重。

根據該基板洗淨方法，可於不使基板產生變形下，洗淨基板。又，由於無須使第1洗淨具與第2洗淨具同步地移動，故基板之洗淨之步序無限制。藉此，可高效率地洗淨基板。

1:基板洗淨裝置

2:單元殼體

2x:搬入搬出口

9:控制裝置

9a:CPU

9b:記憶體

10A,10B:上側保持裝置

11A,11B:下卡盤

12A,12B:上卡盤

20:下側保持裝置

21:吸附保持部

30:台座裝置

31:線性引導件

32:可動台座

40:交接裝置

41:支持銷

50:下表面洗淨裝置

51:下表面刷

52:噴液嘴

53:氣體噴出部

60:杯裝置

61:杯

70:上表面洗淨裝置

74:泵

80:端部洗淨裝置

90:開閉裝置

91:擋門

100:下表面刷驅動部

W:基板

X,Y,Z:方向

Claims (11)

1. 一種基板洗淨裝置，其包含： 第1洗淨具，其洗淨基板之第1面； 第2洗淨具，其洗淨前述基板之與前述第1面相反之第2面； 荷重調整部，其調整由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重；及 控制部，其以如下方式控制前述荷重調整部：當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將第1荷重施加於前述基板，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將較前述第1荷重為大之第2荷重施加於前述基板。
2. 如請求項1之基板洗淨裝置，其進一步包含基板保持部，該基板保持部保持前述基板且使其旋轉。
3. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中前述第1洗淨具包含刷，該刷具有洗淨面，藉由使前述洗淨面與前述基板之前述第1面接觸，而洗淨前述第1面。
4. 如請求項3之基板洗淨裝置，其中前述刷之前述洗淨面具有圓形狀；且 前述第1距離臨限值為前述洗淨面之半徑以下。
5. 如請求項3之基板洗淨裝置，其中前述荷重調整部包含將前述刷按壓於前述基板之第1致動器；且 前述控制部藉由控制前述第1致動器之驅動量，而調整施加於前述基板之荷重。
6. 如請求項5之基板洗淨裝置，其進一步包含第2致動器，該第2致動器使前述刷在前述基板之非洗淨時使前述刷待機之待機位置、與較前述待機位置更接近前述基板之處理位置之間升降；且 前述第1致動器藉由在較由前述第2致動器使前述刷升降之範圍為小之範圍內使位於前述處理位置之前述刷升降，而使前述刷之前述洗淨面與前述基板之前述第1面接觸。
7. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中前述第2洗淨具包含噴嘴，該噴嘴藉由沿著前述基板之前述第2面移動並噴出洗淨液，而洗淨前述第2面。
8. 如請求項7之基板洗淨裝置，其中前述荷重調整部包含泵，該泵將前述洗淨液壓送而使其自前述噴嘴噴出；且 前述控制部藉由控制前述泵之送液壓，而調整施加於前述基板之荷重。
9. 如請求項1或2之基板洗淨裝置，其中前述控制部當前述洗淨具間距離大於預設之第2距離臨限值時，以將較前述第1荷重為小之第3荷重施加於前述基板之方式，控制前述荷重調整部；且 前述第2距離臨限值大於前述第1距離臨限值。
10. 如請求項9之基板洗淨裝置，其中前述第1洗淨具洗淨前述基板之前述第1面上之與前述基板之中心分開之區域；且 前述第2距離臨限值大於前述俯視下之前述第1洗淨具與前述基板之前述中心之間之距離。
11. 一種基板洗淨方法，其包含： 藉由第1洗淨具洗淨基板之第1面； 藉由第2洗淨具洗淨前述基板之與前述第1面相反之第2面； 當俯視下之前述第1洗淨具與前述第2洗淨具之間之洗淨具間距離大於預設之第1距離臨限值時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由荷重調整部調整為第1荷重；及 於前述基板之洗淨時，當前述洗淨具間距離為前述第1距離臨限值以下時，將由前述第1洗淨具或前述第2洗淨具施加於前述基板之荷重藉由前述荷重調整部調整為較前述第1荷重為大之第2荷重。