TWI892272B - 托盤及化學氣相沉積設備 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種托盤及化學氣相沉積設備，所述托盤通過電磁感應加熱。所述托盤包括：托盤主體，所述托盤主體的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小；凸台部，所述凸台部設置於所述托盤主體的下表面，且與所述托盤主體同軸設置；其中，所述凸台部被電磁感應加熱後將熱量傳導至所述托盤主體。本發明在托盤主體的下表面中心處設置凸台部，使得凸台部在感生電磁的作用下被加熱，進而對托盤的中心區域進行加熱；為了使凸台部傳導至托盤主體的熱量使托盤主體溫度更加均勻，將托盤主體設置為中心厚邊緣薄的結構，以對凸台部傳導至托盤主體各區域的熱量進行控制，從而實現托盤主體溫度的均勻性，達到改善晶圓溫度均勻性的目的。

Description

托盤及化學氣相沉積設備

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種托盤及化學氣相沉積設備。

半導體器件製作過程中的一些工藝，需將晶圓承載在托盤上完成。例如金屬有機化合物化學氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)以其生長易控制、可生長純度很高的半導體材料、外延層大面積均勻性良好等優點，逐漸用於製造高亮度LED晶片。晶圓的溫度及溫度的均勻性直接影響半導體材料生長時的外延生產能力和品質好壞。晶圓通過高溫托盤的熱傳導、熱輻射等方式進行加熱，因此如何提高托盤的最高溫度和溫度均勻性是非常關鍵的問題。

MOCVD工藝中，通常通過加熱裝置加熱托盤，托盤材質通常為石墨或者碳化矽等熱傳導性良好的材料。常用的加熱裝置主要為電阻加熱和感應加熱，其中感應加熱是利用電磁感應的原理，即感應線圈中的交流電在空間中產生交變磁場，托盤處於此交變磁場中而在自身內部產生感應電動勢進而產生渦流發熱，具有效率高、加熱速度快、溫度調節靈敏、維護費用低以及更適用於高溫條件等優點，在MOCVD的應用中具有較大優勢。

然而對於圓形結構的單片式石墨托盤，若採用感應線圈進行感應加熱，感應線圈對托盤中心區域的加熱能力不足，導致托盤中心區域的溫度低於邊緣區域的溫度，托盤的溫度不均勻將嚴重影響待處理晶圓的均勻性。

這裡的陳述僅提供與本發明有關的背景技術，而並不必然地構成現有技術。

本發明提出了一種採用電磁感應式加熱的化學氣相沉積設備及其托盤，所述托盤包括托盤主體及凸台部，所述托盤主體的其厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小，所述凸台部位於所述托盤主體下表面並與所述托盤主體同軸設置，所述凸台部被感應線圈加熱後將熱量傳導至托盤主體的中心區域，進而提高托盤主體中心區域的溫度，減小托盤主體中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體溫度的均勻性，達到改善晶圓溫度均勻性的目的。

為了達到上述目的，本發明提出了一種托盤，用於電磁感應式加熱的化學氣相沉積設備，包括：托盤主體，所述托盤主體的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小；凸台部，所述凸台部設置於所述托盤主體的下表面且與所述托盤主體同軸設置；其中，所述凸台部被電磁感應加熱後將熱量傳導至所述托盤主體。

可選地，所述托盤為單片式托盤。

可選地，所述托盤為石墨製成。

可選地，所述托盤主體包括：上下分層設置的支撐部及導熱部，所述支撐部的厚度均勻，所述導熱部的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小。

可選地，所述導熱部及所述凸台部為石墨製成，且所述導熱部及所述凸台部一體製造。

可選地，所述托盤還包括晶圓傳輸環，所述托盤主體的中部區域高於外緣區域以在所述外緣區域容置所述晶圓傳輸環。

可選地，所述晶圓傳輸環具有內凹形成的臺階部，所述臺階部用於支撐晶圓。

可選地，所述晶圓放置在所述晶圓傳輸環上時，所述晶圓傳輸環的上表面比所述晶圓的上表面高0mm至1mm。

可選地，所述晶圓傳輸環具有外凸部，所述外凸部在徑向方向突出於所述托盤主體。

可選地，所述凸台部與所述托盤主體一體製造。

基於同一發明構思，本發明還提出了一種化學氣相沉積設備，包括： 反應腔； 設置於所述反應腔內的如上所述的托盤； 加熱線圈，設置於托盤主體的下方，且環繞凸台部，其中，所述加熱線圈在對所述托盤主體加熱的同時對所述凸台部加熱； 轉軸，與所述凸台部連接，用於驅動所述托盤繞其中心軸旋轉。

可選地，所述加熱線圈整體位於同一平面內。

可選地，所述加熱線圈中的每匝線圈均為圓形，且其與所述托盤主體下表面之間的距離恆定。

可選地，所述加熱線圈的直徑大於所述托盤主體的直徑。

可選地，所述加熱線圈的直徑比所述托盤主體的直徑大1/10。

可選地，所述加熱線圈包括靠近所述凸台部的中心段、遠離所述凸台部的邊緣段以及位於所述中心段與所述邊緣段之間的中間段，其中，所述中心段及邊緣段中的線圈的匝距均小於所述中間段中的線圈的匝距。

本發明具有以下優勢： 本發明在托盤主體的下表面中心處設置凸台部，凸台部在感生電磁的作用下被加熱，進而將熱量傳導至托盤主體對托盤主體進行加熱；為了避免凸台部的熱量傳導至托盤主體使托盤主體中心的溫度高於周圍，將托盤主體設置為中心厚邊緣薄的結構，以對凸台部傳導至托盤主體各區域的熱量進行控制，從而降低托盤主體中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體溫度的均勻性，達到改善晶圓溫度均勻性的目的。

以下結合圖式和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。根據下面說明和申請專利範圍，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，圖式均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

如圖1所示，為本發明實施例提供的一種化學氣相沉積設備的結構示意圖。所述化學氣相沉積設備包括：反應腔2，所述反應腔2由位於頂端的頂壁、位於底端的底壁以及連接在頂壁和底壁之間的側壁構成，從而形成氣密性的內部反應空間，所述側壁設置有供晶圓4傳輸進出的傳輸口3。所述反應腔2的底部設置有用於承載晶圓4的托盤，所述托盤安裝在轉軸9上，並可在所述轉軸9的驅動下繞軸旋轉。所述托盤的下方設置有加熱線圈7，所述加熱線圈7通過電磁感應加熱的方式加熱托盤，托盤上的熱量進一步傳導至晶圓4上。所述反應腔2的頂端設置有與所述托盤相對的進氣噴頭1，用於將工藝氣體均勻分佈到所述托盤的上方。所述反應腔2下方還包括抽氣裝置10，用於控制反應腔2內部氣壓並抽走工藝過程中產生的反應副產物。在圖1所示的反應腔2內，工藝氣體經進氣噴頭1進入反應腔2對晶圓4進行加工處理，反應副產物經過托盤和反應腔2側壁之間的空隙經抽氣裝置10排出反應腔2。而在一些實施例中，工藝氣體也可從所述反應腔側壁的一側進入，從對應側排出，設備的進氣、排氣方式不影響本發明的實現，在此不再贅述。

如圖2所示，所述托盤包括：托盤主體6及位於所述托盤主體6下表面且與所述托盤主體6同軸設置的凸台部8。所述托盤主體6的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且逐漸減小，整體呈現為中間厚、邊緣薄的結構特徵。本實施例中，所述托盤主體6的厚度在中心到邊緣的徑向方向上呈現為弧線型逐漸減小。其他實施例中，所述托盤主體6的厚度在中心到邊緣的徑向方向上呈現為階梯型逐漸減小。基於托盤主體6的結構特徵，當電磁感應加熱托盤主體6時，因為增加了托盤主體6中心某些區域的厚度，能夠增加在這些區域的內部產生的渦流，從而提升這些區域的溫度，提升托盤主體6溫度的均勻性。所述凸台部8與所述托盤主體6同軸設置，當電磁感應加熱托盤主體6時，所述凸台部8在電磁感應的作用下也會被加熱升溫，凸台部8的熱量傳導至托盤主體6的中心區域，進一步提高托盤主體6的中心區域的溫度，降低托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差；與此同時，將托盤主體6設置為其厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且逐漸減小的結構能夠為凸台部8上的熱量傳導至托盤主體提供導熱路徑，以便於控制凸台部8傳導至托盤主體6不同區域的熱量，使得托盤主體6中心區域的溫度與其邊緣區域的溫度基本保持一致，進而實現托盤的溫度均勻性，達到改善晶圓4溫度均勻性的目的。

值得說明的是，在一些實施例中，由於托盤主體6的外緣部分向反應腔側壁輻射熱量造成熱量損失，導致外緣部分的溫度低於托盤主體6邊緣區域中的其他部分。為了補償托盤主體6外緣部分的能量損失，本實施例中，將托盤主體6外緣部分的厚度設計為保持不變，如圖2中圓形虛線部分所示，即托盤主體6在其外緣部分厚度不變的情況下，托盤主體6的厚度在其中心到邊緣的方向上的其他非外緣部分逐漸減小。可選地，所述托盤主體6的厚度在中心到邊緣的徑向方向上減小的尺寸為5mm至15mm，優選地為8mm。可選地，托盤主體6的邊緣區域的徑向尺寸為托盤直徑的1/10至1/2，優選地，該邊緣區域的徑向尺寸為托盤直徑的1/6。

所述托盤採用導熱導電的材料製成，比如石墨、矽、鉬或鉬合金。由於石墨易於被感應加熱，導電能力強且熔點相對較高，本實施例中，所述托盤採用石墨製成。在一些實施例中，還可在石墨外塗覆碳化矽塗層或氮化硼塗層。所述托盤主體6與所述凸台部8可一體成型，也可相互配合連接。為了提高凸台部8與所述托盤主體6之間的熱傳導效率，本實施例中，所述托盤主體6與所述凸台部8採用一體成型的方式。

本實施例中，所述托盤主體6包括上下分層設置的支撐部601及導熱部602，如圖3所示。其他一些實施例中，所述托盤主體6採用單片整體式結構。所述支撐部601的厚度均勻，用於承載晶圓4。所述導熱部602的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分的逐漸減小，整體呈現為中間厚、邊緣薄的結構特徵。所述導熱部602的厚度在中心到邊緣的徑向方向上至少部分呈現為弧線型逐漸減小。其他實施例中，所述托盤主體6的厚度在中心到邊緣的徑向方向上至少部分呈現為階梯型逐漸減小。所述凸台部8熱量以熱傳導的方式傳遞到所述導熱部602，經所述導熱部602傳導至所述支撐部601，再對晶圓4進行加熱。這樣的設計一方面可減小支撐部601和導熱部602的厚度，降低托盤主體6的製造難度，另一方面可以防止托盤主體6上下層間溫差較大導致托盤主體6發生裂盤，而且熱量由所述導熱部602傳導至所述支撐部601，使熱量的傳導經過一次緩衝，從而使傳導至支撐部601的熱量更加均勻，支撐部601的溫度也更加均勻。優選地，所述凸台部8和所述導熱部602一體製造，並採用石墨製成，所述支撐部601可採用其他導電導熱的材料製成，在此不做限定。

本實施例中，所述托盤為單片式托盤，工藝處理時，所述托盤主體6上僅承載有一片晶圓4。所述托盤主體6還包括一個晶圓傳輸環5，所述晶圓傳輸環5用於承載所述晶圓4，機械手通過夾持所述晶圓傳輸環5可將所述晶圓4移入或移出所述反應腔2。所述托盤主體6的中部區域高於外緣區域，以在所述外緣區域容置所述晶圓傳輸環5。所述晶圓傳輸環5的內側設有一個臺階部501，所述臺階部501用於支撐所述晶圓4。進一步地，當所述晶圓4放置在所述晶圓傳輸環5上時，所述晶圓傳輸環5的上表面比所述晶圓4的上表面高0mm至1mm。所述晶圓傳輸環5的外側設有一外凸部502，當所述晶圓傳輸環5容置在所述外緣區域時，所述外凸部502在徑向方向上突出於所述托盤主體6的外緣區域，以便機械手夾取晶圓4。在一些實施例中，當晶圓4放置在晶圓傳輸環5上時，晶圓4與托盤主體6之間存在間隙，使晶圓4被輻射加熱，提高晶圓4溫度的均勻性。

繼續如圖2所示，所述凸台部8穿設於所述加熱線圈7的中部，所述加熱線圈7內具有多匝線圈，所述凸台部8在高度方向上延伸到臨近所述凸台部8的那一匝線圈的下方，可選的，所述凸台部8延伸到其下方3mm至10mm，優選地，延伸到下方5mm。本實施例中，所述凸台部8為圓柱形，可選的，所述凸台部8的直徑為32mm至50mm，優選地，所述凸台部8的直徑為40mm。在一些實施例中，所述凸台部還可為其他一些形狀，如管狀等。

所述加熱線圈7設置於托盤主體6的下方，並環繞所述凸台部8設置，以對所述托盤主體6加熱的同時對所述凸台部8加熱。所述加熱線圈7採用無氧銅材質，其內部為中空結構並形成第一水冷通道13，工藝過程中，可通過所述第一水冷通道13對加熱線圈7進行溫度控制，防止加熱線圈7自身的溫度過高。

在本實施例中，所述加熱線圈7內的各匝線圈位於同一平面內，整體類似於蚊香形狀，也可為其他形狀。也就是說，所述加熱線圈7中靠近所述凸台部8的線圈與所述托盤主體6下表面之間的距離小於所述加熱線圈7中遠離所述凸台部8的線圈與所述托盤主體6下表面之間的距離。線圈與托盤主體6下表面之間的距離越近，托盤主體6中與該線圈對應的區域內所產生的渦流越大，產生的熱量也越大，同理，線圈與托盤主體6下表面之間的距離越遠，托盤主體6中與該線圈對應的區域內所產生的渦流越小，產生的熱量也越小。基於所述托盤主體6的結構特徵，本實施例中將加熱線圈7中的多匝線圈設置在同一個平面內，可以加大電磁感應加熱時所述托盤主體6中心區域內產生的熱量，從而進一步減小托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體6溫度的均勻性，達到改善晶圓4溫度均勻性的目的。本實施例中，所述加熱線圈7與托盤主體6下表面之間的距離範圍是5mm至20mm。可選地，所述加熱線圈7與托盤主體6下表面之間的距離範圍為5mm至15mm。其他一些實施例中，所述加熱線圈7中每匝線圈為圓形，相鄰線圈之間通過過渡段連接。優選的，過渡段為直線段。為了保證托盤主體半徑相等區域處的被加熱情況一致，使每匝線圈與所述托盤主體下表面之間的距離恆定。

為了補償托盤主體6外緣部分能量的損失和使托盤主體6的外緣部分被加熱線圈7加熱的情況和托盤主體6的其他區域盡可能一致，本實施例中，將加熱線圈7的直徑設置為大於所述托盤主體6的直徑，即若加熱線圈7中最外匝線圈是圓形，則該最外匝線圈的直徑大於所述托盤主體6的直徑，以在托盤主體6的外緣部分產生較強的感生電磁，防止托盤主體6外緣部分的溫度過低，進一步實現托盤主體6的溫度均勻性。可選地，所述加熱線圈7的直徑比所述托盤主體6的直徑大1/10，即若加熱線圈7中最外匝線圈是圓形，則該最外匝線圈的直徑比所述托盤主體6的直徑大1/10。

所述加熱線圈7中各匝線圈排布的疏密度不同，即各匝線圈間的匝距不同，若將所述加熱線圈7劃分為：靠近所述凸台部8的中心段701、遠離所述凸台部8的邊緣段703以及位於所述中心段701與所述邊緣段703之間的中間段702，如圖2中矩形虛線部分所示，則所述中心段701及邊緣段703中的線圈的匝距均小於所述中間段702中的線圈的匝距。通過改變各匝線圈間的匝距，可以控制與各匝線圈對應的托盤主體6不同區域內所產生的渦流大小，從而控制托盤主體6不同區域的溫度，實現托盤溫度的均勻性，達到改善晶圓4溫度均勻性的目的。

繼續如圖2所示，所述轉軸9與所述凸台部8連接。所述轉軸9的頂端設置有凸起件11，所述凸台部8的底部設置有內凹件（由於內凹件與所述凸起件11位置重合，圖2中未做標記），所述內凹件的尺寸與所述凸起件11的尺寸相匹配。通過將所述內凹件卡合在所述凸起件11上，可將托盤固定到所述轉軸9，從而實現轉軸9驅動所述托盤繞其中心軸轉動。所述內凹件或者所述凸起件11還設置有隔熱塗層，以避免熱量從轉軸9流失。所述轉軸9採用金屬鎢或鉬材質，其內設有第二水冷通道12，通過對所述第二水冷通道12通水可冷卻所述轉軸9，防止溫度過高。

本發明將托盤主體6設置為其厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小的結構，當加熱線圈7通電後，感生電磁在托盤主體6的中心區域產生更大的渦流，進而產生更多的熱量以加熱托盤主體6的中心區域；在所述托盤主體6的下表面設置一個與托盤主體6同軸的凸台部8，所述凸台部8穿設於所述加熱線圈7的中部，所述加熱線圈7對托盤主體6加熱的同時對所述凸台部8加熱，凸台部8的熱量傳導至托盤主體6的中心區域，進一步提高托盤主體6的中心區域的溫度，降低了托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差，使得托盤主體6中心區域的溫度與其邊緣區域的溫度基本保持一致。同時，將托盤主體設置為中心厚邊緣薄的結構，以對凸台部傳導至托盤主體各區域的熱量進行控制，避免了凸台部的熱量傳導至托盤主體使托盤主體中心的溫度高於周圍，從而降低托盤主體中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體溫度的均勻性，達到改善晶圓溫度均勻性的目的。

此外，加熱線圈7中的各匝線圈位於同一平面內，基於托盤主體6的結構特徵，托盤主體6的中心區域與加熱線圈7之間的垂向距離相較於托盤主體6的邊緣區域與所述加熱線圈7之間的垂向距離小，因而可以進一步加大電磁感應加熱時所述托盤主體6中心區域內產生的熱量，從而進一步減小托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體6溫度的均勻性，達到改善晶圓4溫度均勻性的目的。

基於上述描述，本發明另一實施例還提出了一種化學氣相沉積設備。所述化學氣相沉積設備包括：位於反應腔2內的托盤，所述托盤包括托盤主體6和設置在所述托盤主體6下表面中心的凸台部8，所述托盤主體6中各個區域的厚度相等，如圖4所示。所述托盤主體6的下方設置有加熱線圈7，所述凸台部8穿設於所述加熱線圈7的中部，所述加熱線圈7在對所述托盤主體6加熱的同時加熱所述凸台部8。所述加熱線圈7內具有多匝線圈，其中，各匝線圈位於不同平面內。若將所述加熱線圈7劃分為：靠近所述凸台部8的中心段701、遠離所述凸台部8的邊緣段703以及位於所述中心段701與所述邊緣段703之間的中間段702，則所述中心段701中的線圈與托盤主體6之間的垂向距離均小於所述中間段702及邊緣段703中的線圈與托盤主體6之間的垂向距離，且所述邊緣段703與所述托盤主體6之間的垂向距離小於所述中間段702與托盤主體6之間的垂向距離。本實施例中的其他構成和設計構思均與前述實施例相同，在此不再贅述。

基於線圈和托盤主體6之間的距離與托盤主體6內部產生的渦流大小的對應關係，本實施例中，將加熱線圈7中的各匝線圈設置在不同平面內，可以控制電磁加熱時托盤主體6不同區域內的所產生的熱量，使得托盤主體6中心區域內產生更多的熱量，減小托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差，使得托盤主體6中心區域的溫度與其邊緣區域的溫度基本保持一致。所述凸台部8的熱量傳導至托盤主體6的中心區域，可以進一步提高托盤主體6的中心區域的溫度，從而進一步減小托盤主體6中心區域與邊緣區域的溫度差，實現托盤主體6溫度的均勻性，達到改善晶圓4溫度均勻性的目的。

儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。

1:進氣噴頭 2:反應腔 3:傳輸口 4:晶圓 5:晶圓傳輸環 501:臺階部 502:外凸部 6:托盤主體 601:支撐部 602:導熱部 7:加熱線圈 701:中心段 702:中間段 703:邊緣段 8:凸台部 9:轉軸 10:抽氣裝置 11:凸起件 12:第二水冷通道 13:第一水冷通道

圖1為本發明實施例提供的化學氣相沉積設置的結構示意圖。 圖2為本發明實施例提供的托盤與加熱線圈的結構示意圖。 圖3為本發明實施例提供的托盤的結構示意圖。 圖4為本發明另一實施例提供的托盤與加熱線圈的結構示意圖。

4:晶圓

501:臺階部

502:外凸部

6:托盤主體

7:加熱線圈

701:中心段

702:中間段

703:邊緣段

8:凸台部

9:轉軸

11:凸起件

12:第二水冷通道

13:第一水冷通道

Claims (16)

1. 一種托盤，用於電磁感應式加熱的化學氣相沉積設備，所述托盤包括：托盤主體，所述托盤主體的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小；凸台部，所述凸台部設置於所述托盤主體的下表面中心且與所述托盤主體同軸設置；所述凸台部的中心至邊緣的徑向尺寸小於所述托盤主體的中心至邊緣的徑向尺寸；其中，所述凸台部被電磁感應加熱後將熱傳導至所述托盤主體。
2. 如請求項1所述的托盤，其中，所述托盤為單片式托盤。
3. 如請求項2所述的托盤，其中，所述托盤為石墨製成。
4. 如請求項1所述的托盤，其中，所述托盤主體包括：上下分層設置的支撐部及導熱部，所述支撐部的厚度均勻，所述導熱部的厚度在中心到邊緣的徑向方向上不增大且至少部分逐漸減小。
5. 如請求項4所述的托盤，其中，所述導熱部及所述凸台部為石墨製成，且所述導熱部及所述凸台部一體製造。
6. 如請求項1所述的托盤，還包括晶圓傳輸環，所述托盤主體的中部區域高於外緣區域以在所述外緣區域容置所述晶圓傳輸環。
7. 如請求項6所述的托盤，其中，所述晶圓傳輸環具有內凹形成的臺階部，所述臺階部用於支撐晶圓。
8. 如請求項7所述的托盤，其中，所述晶圓放置在所述晶圓傳輸環上時，所述晶圓傳輸環的上表面比所述晶圓的上表面高0mm至1mm。
9. 如請求項8所述的托盤，其中，所述晶圓傳輸環具有外凸部，所述外凸部在徑向方向突出於所述托盤主體。
10. 如請求項1所述的托盤，其中，所述凸台部與所述托盤主體一體製造。
11. 一種化學氣相沉積設備，包括： 反應腔； 設置於所述反應腔內的如請求項1至請求項10中任一項所述的托盤； 加熱線圈，設置於所述托盤主體的下方，且環繞所述凸台部，其中，所述加熱線圈在對所述托盤主體加熱的同時對所述凸台部加熱； 轉軸，與所述凸台部連接，用於驅動所述托盤繞其中心軸旋轉。
12. 如請求項11所述的化學氣相沉積設備，其中，所述加熱線圈整體位於同一平面內。
13. 如請求項11所述的化學氣相沉積設備，其中，所述加熱線圈中的每匝線圈均為圓形，且其與所述托盤主體下表面之間的距離恆定。
14. 如請求項12或13所述的化學氣相沉積設備，其中，所述加熱線圈的直徑大於所述托盤主體的直徑。
15. 如請求項14所述的化學氣相沉積設備，其中，所述加熱線圈的直徑比所述托盤主體的直徑大1/10。
16. 如請求項11所述的化學氣相沉積設備，其中，所述加熱線圈包括靠近所述凸台部的中心段、遠離所述凸台部的邊緣段以及位於所述中心段與所述邊緣段之間的中間段，其中，所述中心段及邊緣段中的線圈的匝距均小於所述中間段中的線圈的匝距。