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TWI892195B - 微影系統與微影方法 - Google Patents

微影系統與微影方法

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TWI892195B
TWI892195B TW112128704A TW112128704A TWI892195B TW I892195 B TWI892195 B TW I892195B TW 112128704 A TW112128704 A TW 112128704A TW 112128704 A TW112128704 A TW 112128704A TW I892195 B TWI892195 B TW I892195B
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TW
Taiwan
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pellicle
mask
assembly
stage
optical detector
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TW112128704A
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English (en)
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TW202449504A (zh
Inventor
陳品成
唐存正
嚴國誌
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
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Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種微影方法包括：將遮罩置於遮罩台上；將護膜組件置於護膜台上，所述護膜組件包括護膜；透過第一光學檢測器掃描所述護膜，以判定所述護膜的缺陷等級是否小於選定值；通過將護膜組件安裝到遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件；以及使用所述被保護的遮罩組件進行半導體製程。

Description

微影系統與微影方法
本發明實施例是有關於一種系統及其方法，且特別是有關於一種微影系統與微影方法。
半導體積體電路(integrated circuit，IC)行業經歷了指數級增長。IC材料和設計的技術進步已經產生了幾代IC，且每一代都比上一代擁有更小、更複雜的電路。在IC發展過程中，功能密度(即，每個晶片面積的互連裝置的數量)普遍增加，而幾何尺寸(geometry size)(即，可以使用製造製程創建的最小組件(或線路))已減少。這種按比例縮小的過程通常通過提高生產效率和降低相關成本來提供好處。這種按比例縮小還增加了處理和製造IC的複雜性。
一種微影方法包括：將遮罩置於遮罩台上；將護膜組件置於護膜台上，所述護膜組件包括護膜；透過第一光學檢測器掃描所 述護膜，以判定所述護膜的缺陷等級是否小於選定值；通過將護膜組件安裝到遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件；以及使用所述被保護的遮罩組件進行半導體製程。
一種微影系統包括：頂部部分；設置在所述頂部部分的遮罩台；底部部分；位於所述底部部分的護膜台；以及安裝於所述遮罩台的第二光學檢測器，所述第二光學檢測器面向所述護膜台。
一種微影方法包括：將遮罩組件放置在安裝裝置中的遮罩台上；將護膜組件置於所述安裝裝置中的護膜台上；通過位於所述安裝裝置中的第二干涉儀掃描所述薄膜組件以產生第二組多個影像；判定所述護膜組件的護膜上的粒子數量是否超過閾值；以及回應所述粒子數量未超過所述閾值時：通過將所述護膜組件安裝到所述遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件組裝；且利用所述被保護的遮罩組件對半導體晶圓進行半導體製程。
10:微影曝光系統、EUV系統、微影系統
16:遮罩台
18:遮罩
22:半導體晶圓
24:基板台
26:遮罩層
30:滴液產生器
31:儲液槽
32:噴嘴組件
35:滴液接收器
41:氣體管線
50:雷射產生器
51:雷射脈衝
52:照明點
55:窗口、鏡片
60:雷射產生電漿收集器、分段收集器、收集器
61:光學軸
65:容器壁
66:第一泵
68:第二泵
70:監測裝置
71:測量工具
73:分析器
80:目標燃料、目標物質
82:滴液
84:EUV輻射、EUV光
88:電漿
90:控制器
180:投影光學模組、投影光學箱
100:反射器
120:光源
140:照明器
200:遮罩組件
216:遮罩台
218:遮罩
220:半導體晶圓
225:區域
230:遮罩圖案、金屬層
250:粒子
360:框架
362:孔洞
370:護膜
D1:高度
D2、D3:距離
370S、370L、350I、350T、350P:粒子
D4、D5:直徑
410、411、412、420、430、440、450、511A、511B、 511C、511D、511E、511F、511G、700、710、720、722、724、730、740、750、760、762、764、770、772、774、780、810、820、830、840、850:操作
500:安裝系統
513:電漿蝕刻機
514:SMIF莢艙
518:基板
520:機器人、機器人手臂
522:遮罩台
530:安裝器、安裝裝置
532:護膜台
536:底部部分
538:頂部部分
540:護膜盒
542:護膜組件
600、600A:第一光學檢測器、SD-OCT成像裝置
602:第二光學檢測器
610:光學模組
612:外殼
620:光源
630:分光器、干涉儀
640:參考鏡
650:檢測感測器
652:影像
654、656、658:干涉波圖
670:鏡子
680:透鏡
690:物鏡
701、801:流程、製程、方法
藉由結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本揭露的各態樣。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。
圖1A和圖1B為依據本揭露內容的實施例，描繪出微影掃描器(lithography scanner)部分的視圖。
圖2A至圖2C為根據本揭露的各種方面，描繪微影掃描器的 遮罩組件(mask assembly)的各種實施例的視圖。
圖3A至圖3G為根據各種實施例使用護膜的示意圖。
圖4為描繪了根據各種實施例將護膜附著到遮罩組件的過程的視圖。
圖5A至圖5D為根據本揭露的各種方面，描繪將護膜附著到遮罩組件的過程的視圖。
圖6A至圖6F為依據本揭露內容的各種方面，描繪了一種用於對護膜和光罩進行原位掃描(in-situ scanning)的過程的視圖。
圖7是一流程圖，描繪了根據各種實施例，使用附有護膜的遮罩組件進行半導體製程的過程。
圖8是根據各種實施例，掃描遮罩和護膜於安裝前的流程圖。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本發明實施例敘述了第一特徵部件形成於第二特徵部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵部件與上述第二特徵部件是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵部件形成於上述第一特徵部件與上述第二特徵部件之間，而使上述第一特徵部件與第二特徵部件可能未直接接觸的實施例。此外，本發明實施例可在各範例重複使用標號及/或文字。這種重複是出於簡潔及清晰 的目的，而非自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。
此外，為便於說明起見，本文中可使用例如「在...之下(beneath)」、「在...下方(below)」、「下部(lower)」、「在...上方(above)」、「上部(upper)」等空間相對用語來闡述一個元件或特徵與另外的元件或特徵之間的關係，如圖中所說明。除了圖中所繪示的定向之外，所述空間相對用語還旨在囊括裝置在使用或操作中的不同定向。可以其他方式對設備進行定向(旋轉90度或處於其他定向)，且同樣地可據此對本文中所使用的空間相對描述符加以解釋。
此處可能使用「大約(about)」、「大致(roughly)」、「實質上(substantially)」等術語以便於描述。具有本技術領域普通技術水平的人將能夠理解並推導出這些術語的含義。
本揭露一般與用於製造半導體裝置的微影設備相關，更特別地，與檢查作為遮罩組件一部分的護膜的方法相關。在先進的技術節點中，尺寸縮小越來越困難。微影技術使用越來越短的曝光波長，包括深紫外光(DUV；約193奈米至248奈米)、極紫外光(EUV；約10奈米至100奈米；特別是13.5奈米)和X光(約0.01奈米至10奈米)，以確保在縮小的尺寸中進行準確的圖案化。在EUV掃描器中，EUV光由光源產生，並由多個鏡子和反射遮罩反射向晶圓。只有一部分的EUV光達到晶圓，因此增加光源產生的EUV光的強度是一個引起很大興趣的話題。
在極紫外光(EUV)微影術中，遮罩或標線片的圖案會反 射向晶圓，以曝光並將圖案印製到晶圓上。由於極紫外光的吸收，EUV掃描儀腔室為真空環境。EUV掃描儀腔室的粒子可以自由地傳輸到標線片的攜帶圖案表面，形成標線片缺陷，並導致所有曝光區域的圖案失效。護膜可以是對EUV波長透明的奈米級厚度的薄膜。將護膜安裝在距標線片選定的距離處可以防止由從工具釋放的顆粒形成的標線片缺陷。標線片標線片該距離被選擇為足夠遠離標線片焦點平面，以便在護膜的外表面(例如，面向遠離標線片的護膜的表面)上的任何粒子都不會導致圖案失效，只要粒子尺寸和EUV透明度分別地為小且清晰。
護膜(pellicle)有助於防止某些粒子沉積在標線片上。然而，護膜外表面(例如，面向遠離標線片的表面)上的粒子可能會降低極紫外光(EUV)的功率，從而增加週期時間(cycle time)。在另一個例子中，由於護膜內部區域的粒子，可能仍然會發生圖案失效，這些粒子被稱為“內部護膜缺陷”(inner on-pellicle defect(s)，IOPDs/IOPD)。IOPDs可以通過各種方式形成。例如，IOPD可能在形成護膜的薄膜過程中或在安裝到遮罩組件時形成。護膜安裝後，IOPDs容易掉落到遮罩上，例如在晶圓製程期間。
即使在改善安裝過程的清潔度(例如，增加面罩清潔，護膜粒子檢查，安裝工具和環境清潔等)上付出了大量的努力，但在大約1%的情況下，護膜上仍然存在粒子。例如，在護膜安裝之前，可能會進行護膜品質的檢查過程。在護膜安裝後，可能無法使用標線片檢查工具，因為受到張力的護膜很容易被波動和外部振動撕 裂。識別安裝後IOPD的一種有效方法是進行晶圓曝光並檢查是否發生圖案失效。然而，由於送去進行晶圓缺陷檢查的晶圓數量，會使產量降低。晶圓缺陷檢查工具也可能因為IOPD檢測而過度使用，並且減少了用於其他檢查任務的可用性。一旦IOPD附著在圖案表面上，增加的批量會導致產量的進一步降低。
在本揭露的實施例中，描述了一種在原位(例如，在安裝器內)掃描護膜的方法。當護膜移動到配對位置時，該方法可能由使用安裝在遮罩台上的光學成像器掃描護膜來執行。當在護膜上檢測到粒子時，可以將護膜從微影裝置中移除以進行更換或重工，從而減少工具停機時間。本揭露的實施例提供了在最終安裝操作之前的即時掃描和粒子閘控。因此，不僅可以識別遮罩表面上的粒子，還可以識別護膜內膜上的粒子。可以確定小於約2微米(μm)的粒子大小及其位置。當在護膜上檢測到粒子時，可以附加另一個乾淨的護膜。在某些實施例中，安裝在護膜上的第二光學成像器可能以相似的方式掃描遮罩表面以尋找粒子。作為對在遮罩上檢測到粒子的回應，而可以清潔遮罩。因此，可以避免掉落的粒子和重工流程問題，從而減少工具停機時間並提高產量。
圖1A和1B描繪了一種根據各種實施例的微影曝光系統10。微影曝光系統10的詳細描述是為了提供與圖6A至圖7相關的偵測粒子過程的說明的上下文。
圖1A是一種依據某些實施方式的微影曝光系統10的示意圖和圖解視圖。在某些實施方式中，微影曝光系統10是一種極 紫外線(EUV)微影系統，設計用於通過EUV輻射曝露光阻層，並且也可以被稱為EUV系統10。EUV系統10也可以被稱為EUV掃描器或微影掃描器。微影曝光系統10包括光源120、照明器140、遮罩台(mask stage)16、投影光學模組(或投影光學箱(projection optics box，POB))180和基板台24，依據某些實施方式。微影曝光系統10的元件可以被添加或省略，並且揭示不應受到實施方式的限制。
光源120在某些實施例中被配置為產生波長範圍在約1nm至約100nm之間的光輻射。在一個特定的例子中，光源120產生波長集中在約13.5nm的EUV輻射。因此，光源120也被稱為EUV輻射源。然而，應該理解光源120不應僅限於發射EUV輻射。光源120可以用來進行來自激發目標燃料的任何高強度光子發射。
在各種實施例中，照明器140包含各種折射光學部件，例如單一透鏡或具有多個反射器100的透鏡系統，例如透鏡(波帶片)或替代反射光學元件(用於EUV微影曝光系統)，例如單一鏡子或具有多個鏡子的鏡子系統，以將光自光源120引導至遮罩台16上，特別是引導至固定在遮罩台16上的遮罩18。在光源120產生EUV波長範圍光線的實施例中，採用反射光學元件。在某些實施例中，照明器140包含至少兩個透鏡，至少三個透鏡，或更多。
遮罩台16被設計為固定遮罩18。在某些實施例中，遮罩 台16包括一個靜電吸盤(e-chuck)來固定遮罩18。使用靜電吸盤的一個好處是氣體分子會吸收極紫外線(EUV)輻射，而靜電吸盤可以在維持真空環境的極紫外線微影圖案化曝光系統中操作，以避免極紫外線強度的損失。在本揭露中，遮罩(mask)、光罩(photomask)、掩膜(mask)、光掩膜(photomask)和標線片(reticle)這些詞語是可以互換使用的。在目前的實施例中，遮罩18是一種反射式遮罩。遮罩18的一個示例結構包括一個適當材料的基板，例如低熱膨脹材料(low thermal expansion material，LTEM)或熔融石英。在各種例子中，LTEM包括摻雜SiO2的TiO2，或其他具有低熱膨脹的適當材料。遮罩18包括一個在基板上沉積的反射多層。遮罩台16可以在兩個水平方向上移動，例如X軸方向和Y軸方向，以便將半導體晶圓22的多個不同區域曝露於由遮罩18產生的圖案的光線下。半導體晶圓22可能在其上有一個遮罩層26，該遮罩層可能是一個光阻層，光阻層對帶有遮罩18的圖案的光線敏感。
投影光學模組(或投影光學箱(POB))180被設置用於將遮罩18的圖案成像於固定在微影曝光系統10的基板台24上的半導體晶圓22。在某些實施例中，POB 180具有折射光學元件(例如用於UV微影曝光系統)，或者在各種實施例中具有反射光學元件(例如用於EUV微影曝光系統)。從遮罩18導向的光，攜帶著在遮罩上定義的圖案的影像，而被POB 180收集。照明器140和POB 180統稱為微影曝光系統10的光學模組。在某些實施例中， POB 180包含至少六個反射光學元件。
在某些實施例中，半導體晶圓22可能由矽或其他半導體材料製成。或者，半導體晶圓22也可能包含其他基本半導體材料，例如鍺(Ge)。在某些實施例中，半導體晶圓22由化合物半導體製成，如碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、砷化銦(InAs)或磷化銦(InP)。在某些實施例中，半導體晶圓22由合金半導體製成，如矽鍺(SiGe)、矽鍺碳(SiGeC)、砷磷化鎵(GaAsP)或磷化銦鎵(GaInP)。在其他一些實施例中，半導體晶圓22可能是絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator，SOI)或絕緣層上覆鍺(germanium-on-insulator，GOI)基板。
此外，半導體晶圓22可能具有各種裝置元件。在半導體晶圓22中形成的裝置元件實例包括電晶體(例如，金氧半場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistors，MOSFET)、互補式金氧半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)電晶體、雙極接面電晶體(bipolar junction transistors，BJT)、高壓電晶體、高頻電晶體、P通道及/或N通道場效電晶體(p-channel and/or n-channel field-effect transistors，PFETs/NFETs)等)、二極體及/或其他適用元件。執行各種製程以形成裝置元件，例如沉積、蝕刻、植入、光微影、退火及/或其他合適的製程。在一些實施例中，半導體晶圓22被塗覆有對EUV輻射敏感的阻焊層。包括上述所述的各種組件被整合在一起並能夠執行微影製程。
微影曝光系統10可能進一步包含其他模組，或與其他模 組整合(或耦接)，例如一個清潔模組，其設計用於向光源120提供氫氣。氫氣有助於減少光源120中的污染。關於光源120的進一步描述，請參考圖1B。
如圖1B所示，根據一些實施例，光源120以示意圖的形式呈現。在某些實施例中，光源120採用雙脈衝雷射產生電漿(dual-pulse laser produced plasma，LPP)機制來產生電漿88並進一步從電漿產生EUV輻射。光源120包括滴液產生器30、滴液接收器35、雷射產生器50、雷射產生電漿(LPP)收集器60、監測裝置70和控制器90。光源120的上述元件的部分或全部可能在真空下進行。應該理解，光源120的元件可以增加或省略，並不應受到實施例的限制。
滴液產生器30被配置為產生多個滴液82，這些滴液82可以是延長的，並將目標燃料80產生至至少一個來自雷射產生器50的雷射脈衝51在x軸上擊中滴液82的激發區域，如圖1B所示。在一實施例中，目標燃料80包括錫(Sn)。在一實施例中，滴液82可以形成為橢圓形狀。在一實施例中，滴液82以約50千赫(kHz)的速率產生，並以約70米/秒(m/s)的速度引入到光源120的激發區域。其他材料也可以用於目標燃料80，例如，含有錫的液態材料，如含有錫、鋰(Li)和氙(Xe)的共晶合金。滴液產生器30中的目標燃料80可以處於液態相。
雷射產生器50被配置為產生至少一個雷射脈衝，以使滴液82轉換為電漿88。在一些實施例中，雷射產生器50被配置為 向照明點52產生雷射脈衝51，以將滴液82轉換為產生EUV輻射84的電漿88。雷射脈衝51通過窗口(或鏡片)55，並在照明點52照射滴液82。窗口55形成在分段收集器60中，並採用對雷射脈衝51基本上透明的適當材料。滴液接收器35捕捉並收集未使用的滴液82和/或由於雷射脈衝51擊中滴液82而產生的滴液82的發散材料。
電漿發射EUV輻射84，該輻射84由收集器60收集。收集器60進一步反射並聚焦EUV輻射84，以進行通過曝光工具進行的微影過程。在某些實施例中，收集器60具有一個光學軸61，該光學軸61與z軸平行並垂直於x軸。如所示，收集器60可能包括一個單一部分，或者至少兩個在z軸方向上彼此偏移的部分。收集器60可能進一步包括一個具有第一泵66和第二泵68的容器壁65。在某些實施例中，第一泵66和第二泵68包括配置為從收集器60中移除顆粒和/或氣體的洗滌器。第一泵66和第二泵68可以在此被統稱為「泵66、68」。
在一實施例中，雷射產生器50是一個二氧化碳(CO2)雷射源。在某些實施例中，雷射產生器50用於產生具有單一波長的雷射脈衝51。雷射脈衝51通過光學組件進行傳輸以聚焦並確定雷射脈衝51的入射角。在某些實施例中，雷射脈衝51具有約200微米至300微米的斑點大小，例如225微米。雷射脈衝51被產生以具有一定的驅動功率以滿足晶圓生產目標，例如每小時125片晶圓(wafers per hour，WPH)的產量。例如，雷射脈衝51配備了 約23千瓦的驅動功率。在各種實施例中，雷射脈衝51的驅動功率至少為20千瓦，例如27千瓦。
監測裝置70被配置為監測光源120中的一個或多個條件，以產生用於控制光源120的可配置參數的數據。在某些實施例中，監測裝置70包括一個測量工具71和一個分析器73。在測量工具71被配置為監測由滴液產生器30供應的滴液82的條件的情況下，測量工具可能包括一個影像感測器，例如電荷耦合裝置(charge coupled device，CCD)、互補金屬氧化物半導體感測器(CMOS)或類似的裝置。測量工具71產生一個包括滴液82的影像或視頻的監測影像，並將監測影像傳送到分析器73。在測量工具71被配置為檢測由滴液82在光源12中產生的EUV光84的能量或強度的情況下，測量工具71可能包括多個能量感測器。能量感測器可以是任何能夠觀察和測量紫外區域的電磁輻射能量的適當感測器。
分析器73被配置為分析由測量工具71產生的信號，並根據分析結果向控制器90輸出檢測信號。例如，分析器73包括一個影像分析器。分析器73接收來自測量工具71傳輸的與影像相關的數據，並對激發區中的液滴82的影像進行影像分析處理。然後，分析器73將與分析相關的數據發送到控制器90。該分析可能包括流路誤差或位置誤差。
在某些實施例中，兩個或更多的測量工具71被用來監測光源120的不同條件。其中一個被配置為監測由滴液產生器30供 應的滴液82的狀況，另一個則被配置為檢測由光源120中的滴液82產生的EUV光84的能量或強度。在某些實施例中，測量工具71是一個最終焦點模組(final focus module，FFM)，並位於雷射源50中以檢測從滴液82反射的光。
控制器90被配置為控制光源120的一個或多個元件。在一些實施例中，控制器90被配置為驅動滴液產生器30以產生滴液82。此外，控制器90被配置為驅動雷射產生器50以發射雷射脈衝51。雷射脈衝51的產生可能被控制器90控制以與滴液82的產生相關聯，以使雷射脈衝51依序擊中每個目標(滴液82)。
在某些實施例中，滴液產生器30包括一儲液槽31和一噴嘴組件32。儲液槽31被配置為容納目標物質80。在某些實施例中，一條氣體管線41連接到儲液槽31，用於將如氬氣等泵氣從氣體源40引入儲液槽31。通過控制氣體管線41中的氣體流量，可以操控儲液槽31中的壓力。例如，當氣體通過氣體管線41持續供應至儲液槽31時，儲液槽31中的壓力會增加。因此，儲液槽31中的目標物質80可以被迫以滴液82的形式排出儲液槽31。
圖2A至2C為根據本揭露內容的各種方面，展示微影掃描器的遮罩組件200的各種實施例的視圖。圖2A是遮罩組件200的側視圖。圖2B是遮罩組件200的遮罩圖案230的頂視圖。圖2C是一個圖表，說明半導體晶圓220的區域225中的曝光誤差。圖2A至2C詳細描述，以提供參考圖6A至圖7中描述的偵測粒子的過程的上下文。
在圖2A中，遮罩組件200包括一個遮罩台216和附著在其上的遮罩218。遮罩台216和遮罩218可以分別是圖1A和1B的遮罩台16和遮罩18。遮罩218包括遮罩圖案230，遮罩圖案230可以位於遮罩218的層中，其面向照明器140的反射器以及位於遮罩組件200兩側的POB 180。
粒子250可能存在於微影掃描器中。粒子250可能包含由微影掃描器中的不同來源產生的不同類型的粒子。例如，粒子250可能包含在形成電漿88期間由光源120產生的錫粒子。粒子250可能包含由於遮罩組件200在X軸和Y軸方向的移動而產生的SiC粒子。粒子250可能包含由用於將遮罩218運送進出微影掃描器的莢艙或載體產生的碳粒子。其他粒子250可能由微影掃描器內部或外部的其他來源產生，並具有不同的材料組成。粒子250中的一個或多個可能會沉積在遮罩218的表面上，特別是在遮罩圖案230的一個或多個遮罩圖案區域上。沉積在標線片表面的粒子250形成標線片缺陷，這可能導致晶片的所有曝光區域(例如，圖2C的區域225)的圖案失敗。
圖2B展示了具有粒子250的遮罩圖案230的視圖。遮罩圖案230曝露於微影掃描儀的內部環境中。當遮罩組件200在微影掃描儀中時，粒子250可能會落在遮罩218上。粒子250可能在遮罩圖案230的一個或多個圖案區域之間形成短路或橋接或合併。當遮罩218的圖案轉移到半導體晶圓時，可能會在半導體晶圓的特徵之間產生電氣缺陷，例如短路或橋接或合併。例如，相鄰 的半導體鰭片或相鄰的導電線路可能無意中合併，這可能導致在半導體晶圓中形成的積體電路晶片失效。
圖2C展示了一個半導體晶圓220的示意圖，該半導體晶圓可能是圖1A和1B中的半導體晶圓22。圖2C的視圖可能是由分析半導體晶圓220的計量工具產生的影像的圖表。在曝光過程中，攜帶著遮罩圖案230的光線射到半導體晶圓220上，粒子250改變了圖案，該圖案被重複轉移至半導體晶圓220的部分或全部區域225。因此，半導體晶圓220的品質降低，降低了微影掃描器的生產力。
圖3A至圖3G是示意圖，顯示護膜370和框架360安裝在遮罩組件200上，以防止粒子250附著到遮罩218。在圖3A和3B中，護膜370由框架360懸掛在罩幕圖案230之上。護膜370可能是一種對EUV波長(例如，13.5nm)具有高透明度(例如，>90%)的奈米級厚度薄膜。例如，護膜370在Z軸方向上的厚度可能在約1nm至約10nm的範圍內。
框架360具有高度D1，可能在約1毫米至約3毫米的範圍內，或更大。高度D1與護膜370與遮罩圖案230在Z軸方向上的分離距離大致相同。如圖3B所示，框架360在XY平面上可能具有矩形(例如，正方形)形狀。如所示，框架360可能在四側與遮罩圖案230相鄰。框架360可能在X軸和Y軸方向上與遮罩圖案230水平偏移。例如，框架360可能在Y軸方向上與遮罩圖案偏移第二距離D2，並在X軸方向上偏移第三距離D3。高度D1、 距離D2、距離D3可能彼此相同。在某些實施例中，高度D1、距離D2、距離D3中的一個或多個與其他的不同。例如，高度D1可能在上述的約1毫米至3毫米範圍內，而第二距離D2和第三距離D3可能在約0.5毫米至約10毫米的範圍內。將護膜370安裝在框架360上可以防止由微影掃描器釋放的粒子形成的遮罩缺陷。一般來說，高度D1足夠大，以至於任何小於選定大小的粒子250(例如，直徑小於約500奈米)落在護膜370的外表面上都足夠遠離入射光的焦平面，使得粒子250不會導致圖案缺陷失效。
圖3C顯示了在護膜370上的粒子370S、粒子370L的存在。粒子370S、粒子370L可能包括小粒子370S和大粒子370L。小粒子370S可能具有直徑D4，該直徑小於檢驗工具的粒子檢測解析度，而大粒子370L可能具有大於粒子檢測解析度的直徑D5。粒子370S，370L可能與上述參照圖2A至圖2C所描述的粒子250相同。在將護膜370安裝到遮罩組件200之前，可能會由檢驗工具執行檢驗過程以進行護膜的合格驗證。該驗證過程可能具有粒子檢測範圍或解析度，超出該範圍或解析度的粒子可能無法被識別。例如，粒子檢測解析度可能約為300奈米。小粒子370S的直徑D4可能小於300奈米，例如小於200奈米，小於100奈米，小於50奈米，或類似的。大粒子370L的直徑D5可能大於300奈米。因此，護膜370的內外表面上的大粒子370L可能被檢驗工具識別，而小粒子370S可能無法被檢驗工具識別，並可能在安裝時仍留在護膜370上。
在安裝護膜370之後，由於護膜370處於緊繃狀態，使其容易被波動和外部振動而破裂，因此，進一步由檢查工具進行檢查可能會損壞護膜370。因此，小粒子370S可能在護膜370安裝到遮罩組件200之後仍然存在於護膜370的內外表面上。
圖3D顯示了操作一段時間後，裝有護膜370的遮罩組件200。一般來說，護膜370可以操作選定數量的晶圓後再進行更換。例如，護膜370可以說具有大約10,000個晶圓、大約15,000個晶圓等的「生命期」。在另一個例子中，護膜370的生命期可能以移動或轉換的次數來衡量。單一晶圓的所有區域的曝光可能包括數十次、數百次或數千次的移動。在半導體晶圓220上製造積體電路晶片時，遮罩組件200可能沿著XY平面來回移動，並且粒子350T、粒子350P可能附著在護膜370的外表面上，如圖3D所示。粒子350T、粒子350P可能包括工具粒子350T和莢艙粒子350P，以及上述參照圖2A至圖2G描述的其他粒子類型。隨著時間的推移，隨著粒子350T、粒子350P在護膜370上的積累，以及由於護膜370在XY平面上的重複加速，護膜370可能會變形或破裂並被更換。
一個或多個內部粒子或「內部護膜缺陷(IOPD)」350I可能位於面向遮罩218的護膜370的內部表面上。如上文對圖3C的參考所述，內部粒子350I可能是存在於護膜370上的小粒子350S，並在安裝前後仍然存在。例如，IOPD 350I可能在形成護膜370的薄膜過程中形成，或者可能在將護膜370安裝到遮罩218時誘發 產生。在另一個例子中，內部粒子350I可能是由於在EUV曝光後護膜元素的鍵斷裂而產生。在另一個例子中，內部粒子350I可能是工具粒子350T或莢艙粒子350P，這些粒子進入了框架360、護膜370和遮罩218之間的空間，這在對圖3E和圖3F的參考中有更詳細的描述。
圖3E和圖3F描繪了框架360的側視圖(圖3E)以及由於框架360中的開口或孔洞362而形成的內部護膜缺陷(圖3F)。由於護膜370在真空或近真空環境中操作，因此框架360中存在的孔洞362有助於平衡護膜370下方的空間與配置有遮罩組件200的微影掃描器的內部環境之間的壓力。如果沒有孔洞362，在將護膜370安裝到遮罩218之後，由於護膜370下方的氣壓對薄護膜370與掩模圖案230之間的空間的氣壓，護膜370在真空或近真空環境中可能會容易破裂。
如圖3F所示，由於框架360中的孔洞362，粒子350可能透過孔洞362進入到護膜370與遮罩圖案230之間的空間。粒子350可能在護膜370的內側表面上沉積，然後可能會落下並在遮罩圖案230上沉積。圖3F中所示的粒子350可以被稱為“內部護膜缺陷”。內部護膜缺陷難以檢測，並可能導致產量大幅降低。
第3G圖是一個示意圖，說明在對晶圓進行處理過程中，隨著遮罩組件200的移動次數，入射於半導體晶圓220的光的輸出功率的損失。例如，光源120的輸出功率可能約為250瓦特，且在遮罩組件200移動20,000次後，由於護膜370上積累的粒子， 有效輸出功率可能降低約5%至約238瓦特。如第3G圖所示，護膜370的衰減可能會因護膜、批次、批號等的不同而有顯著的變化，這可能增加估計輸出功率並控制(例如，補償)相對於移動次數的輸出功率減少的困難。例如，如果護膜370的生命期期間的輸出功率衰減是可以得知的，則可以根據相對於移動次數的衰減來增加曝光時間。
圖4描繪了根據各種實施例將護膜附著到遮罩組件的方法。圖4的方法被描述為提供與參考圖6A至圖7所述過程相關的上下文。
在操作410中，形成有護膜組件(pellicle assembly)的遮罩組件(mask assembly)。操作410包括操作411和操作412。操作410中的遮罩組件可能是遮罩組件200的一種實施例，可能與遮罩組件200相似或相同，並使用與上述相同的參考數字進行描述。在操作411中，提供有遮罩圖案230的遮罩218和包括框架360和護膜370的護膜組件。護膜370可能有一個或多個粒子350。例如，如在操作411中所示，粒子350位於護膜370的內表面上。在操作412中，如所示，護膜組件被安裝於遮罩組件或與遮罩組件配對。
在操作410中形成具有上面的護膜組件的遮罩組件後，對具有護膜組件的遮罩組件進行操作420的檢查。在操作420中使用光學檢查裝置來檢測護膜370的內部和/或外部表面上的粒子350的存在。當護膜370上的粒子數量和大小不超過選定的閾值 時，該過程從操作420進行到操作450，在該操作450中，將具有護膜組件的遮罩組件送往用於微影系統的使用，例如參照圖1A和1B所描述的微影系統10。當護膜370上的粒子數量和大小超過選定的閾值時，該過程從操作420進行到操作430，在該操作430中嘗試移除粒子。
當在護膜370上檢測到大小和/或數量超過選定閾值的顆粒時，操作430會緊接在操作420之後進行。在操作430中，將嘗試從護膜370上移除顆粒。如果成功移除顆粒，則帶有護膜組件的遮罩組件合格，並可能在操作450中被送往用於微影系統的使用，例如微影系統10。當顆粒的移除不成功或成功不足時，該過程將從操作430進行到操作440，在該操作中，帶有護膜組件的遮罩組件進入重工流程。
當操作430中的鏡罩370上的粒子移除失敗時，接著進行操作440。在重工流程中，可能會將護膜組件和護膜從遮罩組件上拆下，並對護膜進行第二次清潔操作。在某些實施例中，通過移除護膜並將新護膜固定到框架上，以新護膜替換護膜。
在操作440之後，程序進行到操作412，其中如前所述，將護膜組件安裝到遮罩組件上。
如圖4所示的過程有助於發送出附著有護膜組件且上面少有或無粒子的遮罩組件。圖7中描繪的詳細流程701包括在安裝器中安裝一個或多個光學感測器，以加快對護膜、遮罩或兩者上的粒子的檢測。在詳細流程701中，可以在將護膜組件安裝到遮 罩組件之前檢測到粒子，這可能有助於減少或消除在操作440的重工流程中的重工。圖6A至圖6F說明了流程701的操作。對圖5A至圖5D的以下描述為流程701可能執行的結構元素和過程操作提供了上下文。
圖5A描繪了根據各種實施例形成遮罩圖案230在遮罩218上的操作511A，以及將遮罩218存放在標準機械介面(standard mechanical interface，SMIF)莢艙514中的操作511B。在製作用於EUV微影術的遮罩，如遮罩218時，可能會在操作511A中執行許多操作。形成EUV遮罩可能最初包括提供由熔融矽石或其他適當材料製成的空白基板518。基板518可能被拋光至非常平坦和乾淨，這對於在最終遮罩中實現精確度和解析度是有益的。吸收層或金屬層230可能被沉積為在基板518上的一層薄金屬(例如，鉬)。金屬層230吸收EUV光並形成一種可能在半導體加工過程中轉移至晶圓的圖案。在沉積吸收層230之後，一層光阻層(未描繪)被塗覆在其表面上。然後將光阻層曝露於光的圖案下，這使得光阻在某些區域變得更易溶解或更難溶解。光阻被顯影，這會移除易溶解的區域，留下一層在吸收層上的圖案化光阻層。圖案化的光阻層可以用作蝕刻吸收層的遮罩。例如，使用電漿蝕刻機513選擇性地移除吸收層的曝露區域，這留下了所需的圖案。圖案化的金屬層230也被稱為「遮罩圖案」230。基板518和遮罩圖案230可以統稱為遮罩218。
緊接在操作511A中形成遮罩圖案230之後，在操作511B 中，將遮罩218放置在SMIF莢艙514中，如圖所示。在將遮罩218放置在SMIF莢艙514之前，可以由清潔器或清潔設備(未描繪)清潔遮罩。
圖5B展示了操作511C和操作511D。操作511C接著操作511B。在操作511B中，將遮罩218放置在SMIF莢艙514之後，SMIF莢艙514被轉移到安裝器或安裝裝置530，並將遮罩218從SMIF莢艙514轉移到遮罩台522。遮罩台522是遮罩台16和遮罩台216的一種實施例，並且在許多方面可能與其相似。在操作511C中，例如由機器人520將遮罩218安裝到遮罩台522，該機器人520可能包括機器人手臂520。機器人520可以從SMIF莢艙514中取出遮罩218，並可以將遮罩218放置在遮罩台522上，之後機器人520可以釋放遮罩218。遮罩台522可以位於安裝裝置530的頂部部分538，而護膜台(pellicle stage)532可以位於安裝裝置530的底部部分536。
操作511D接著操作511C。在遮罩218被定位於遮罩台522之後，遮罩台522可能在安裝器530中移動至遮罩裝載位置或遮罩對接位置(見圖5C)，如圖5B中所示的箭頭所示。該裝載位置可能與護膜台532的護膜裝載位置或護膜對接位置對齊。
圖5C描繪了操作511E和操作511F。操作511E在操作511D之後進行。在操作511D中，將遮罩台522移動到遮罩安裝位置後，包括之前描述的安裝在框架上的護膜的護膜組件542從護膜盒540轉移到護膜台532。操作511E可以由機器人520執行。 例如，機器人520可以抓住護膜盒540，打開護膜盒540的蓋子，從護膜盒540中取出護膜組件542並將護膜組件542放置在護膜台532上。
操作511F接著操作511E。在操作511E中，將護膜組件542從護膜盒540轉移到護膜組件542後，如圖5C中所示的箭頭所示，護膜組件542可能在操作511F中移動到遮罩台下方的護膜安裝位置或護膜配對位置(見圖5D)。
圖5D描繪了緊接在操作511F之後的操作511G。在操作511G中，護膜台532緩慢上升，直到護膜組件542安裝到遮罩218上。
在參考圖5A至圖5D所描述的過程中，操作511A至操作511G中的每一個可能會在遮罩218或是護膜內部產生粒子。圖6A至圖6F和圖7描繪了一個流程701，該過程在將護膜組件542裝配到遮罩218之前(例如，在圖5D的操作511G之前)檢測護膜組件542或遮罩218上的粒子。一個或多個原位表面掃描(in-situ surface scan)檢測粒子並在將護膜組件542裝配到遮罩218之前驗證遮罩的品質，例如，通過檢測護膜組件542和/或遮罩218的缺陷等級(例如，缺陷的數量)是否小於一個選定的值。流程701可能防止在將護膜組件542裝配到遮罩218之後，護膜組件542內部或遮罩218表面存在落下的粒子。
圖7是一個根據各種實施方式形成裝置的過程或方法701的流程圖。在某些實施方式中，形成裝置的流程701包括多個 操作(如：操作700、操作710、操作720、操作722、操作724、操作730、操作740、操作750、操作760、操作762、操作764、操作770、操作772、操作774和操作780)。根據一個或多個實施方式進一步描述形成裝置的流程701。應該注意的是，流程701的操作可以在各種方面的範疇內重新排列或以其他方式修改。還應該注意，在流程701之前、期間和之後可能提供額外的過程，並且這裡可能只簡單描述一些其他過程。在某些實施方式中，流程701由參考圖6A至圖6F描述的安裝系統500執行。實施方式是參考圖6A至圖6F和圖5A至圖5D中描述的結構元素和過程進行描述的，但流程701可以由具有一個或多個與安裝系統500不同的結構元素的安裝系統執行。應該理解，使用掩模組件進行半導體製程的操作780可以由參考圖1A和圖1B描述的微影曝光系統10執行。流程701可以由執行電腦指令的一個或多個處理器執行。在某些實施方式中，流程701由專門設計的硬體執行。在某些實施方式中，流程701由硬體和軟體的組合執行。
方法701從操作700開始，並進行到操作710，在操作710中，將遮罩附著到遮罩台。遮罩可能以與圖5B中操作511C所描述的方式相似的方式附著到遮罩台。在圖6A中，遮罩218已經顯示為附著到遮罩台522。
操作720接著操作710。在操作710中，將遮罩附著到遮罩台後，遮罩台在操作720中移動至遮罩裝載位置，如圖6A中的箭頭所示，並如圖6B中的箭頭所示。遮罩裝載位置可能與參照圖 5B中的操作511D所述的相似。
操作722接著操作720。在操作722中，確定遮罩台是否已達到遮罩安裝位置。當遮罩台尚未達到遮罩安裝位置時，方法701從操作722進行到操作724，其中遮罩由第一光學檢測器(例如，第一干涉儀)進行掃描。
圖6A和6B描繪了第一光學檢測器600。在某些實施例中，第一光學檢測器600是一個干涉儀。例如，第一光學檢測器600可能是一個頻譜域光同調斷層掃描(Spectral Domain Optical Coherence Tomography，SD-OCT)成像裝置。圖6E描繪並詳細描述了SD-OCT成像裝置600的一個實施例，稍後將參照其進行詳細說明。
如圖6A所示，第一光學檢測器600可以安裝在護膜台532的一側。如圖6A所示，該側可能是距離護膜安裝位置較遠的一側。在某些實施例中，該側是靠近護膜安裝位置的一側。如圖6A和圖6B所示，第一光學檢測器600可能朝向上方，面向遮罩台522。因此，用於掃描遮罩圖案230的光線在從第一光學檢測器600出射時，可能在遮罩台522通過第一光學檢測器600前往遮罩安裝位置的過程中，照射到遮罩圖案230上。
在某些實施例中，光沿著一軸線延伸。例如，如圖6B中的箭頭所示，遮罩台522可能朝著遮罩安裝位置的第一方向移動。光可能沿著與第一方向垂直的第二方向延伸。沿著第二方向的光的寬度可能與沿著第二方向的遮罩圖樣230的寬度大致相同。
在某些實施例中，光在第二方向上的寬度遠小於遮罩圖案230在第二方向上的寬度。因此，從第一光學檢測器600射出的光可能在第二方向上來回掃描，以在遮罩台522向遮罩安裝位置移動時，覆蓋遮罩圖案230的實質上地整個寬度。
第一光學檢測器600擷取在不同深度的一個或多個影像。應該理解，「深度」指的是與此處所述的第一方向和第二方向垂直的第三方向。掃描遮罩218時的不同深度可能指的是在遮罩圖案230所在的遮罩218表面上或以上的深度。也就是說，第一光學檢測器600可能不需要擷取遮罩圖案230下的影像，因為粒子通常不會出現在遮罩圖案230的後面，而是出現在遮罩圖案230的頂部，即面向第一光學檢測器600的表面上。
影像可能被結合以判定遮罩218是否通過檢驗。例如，當遮罩218上未檢測到粒子，或者遮罩218上的粒子數量和/或大小(或「缺陷等級」)不超過(例如，小於)一個遮罩粒子閾值(或「選定值」)時，遮罩218可能通過檢驗。在某些實施例中，遮罩粒子閾值為零，對應於在遮罩218上未檢測到粒子。應該理解的是，低於選定大小的粒子可能無法通過結合第一光學檢測器600擷取的影像來檢測。因此，遮罩218可能並非無粒子，但可能無超過選定大小的粒子。例如，選定的大小可能是主要直徑大於200奈米，大於300奈米或大於其他適當的尺寸。
操作720、操作722和操作724可能會重複進行，直到遮罩台522達到遮罩安裝位置。在某些實施例中，只有在遮罩218直 接位於第一光學檢測器600上方時才進行操作724，並且在完全掃描過遮罩218且遮罩台522仍朝向遮罩安裝位置移動後，可能不進行操作724。當確定遮罩台522已達到遮罩安裝位置時，程序701從操作722移至操作730。
操作720、操作722和操作724被描述為實施例，其中第一光學檢測器600在遮罩台522移動至遮罩安裝位置時掃描遮罩218，如圖6A所示。也就是說，第一光學檢測器600在擷取遮罩218的影像時是靜止的，而遮罩台522則移動至遮罩安裝位置。此外，當第一光學檢測器600擷取影像時，護膜組件542並未存在於護膜台532上。
在一些其他的實施例中，第一光學檢測器600A可能被放置在近接護膜安裝位置的護膜台532的一側，即圖6A所示的相反側。在這樣的實施例中，第一光學檢測器600A在擷取固定在遮罩安裝位置的遮罩台522上的遮罩218的影像時，可能可以處於移動狀態。換句話說，第一光學檢測器600A可能在護膜台532移向護膜安裝位置時掃描遮罩218。而且，當第一光學檢測器600A擷取影像時，護膜組件542存在於護膜台532上。
在一些進一步的實施例中，第一光學檢測器600、600A位於護膜台532的兩側(遠端和近端)。在這樣的實施例中，位於遠端的第一光學檢測器600可能在遮罩台522移向掩模安裝位置時掃描遮罩218，而位於近端的第一光學檢測器600A可能在護膜台532移向護膜安裝位置時掃描遮罩218。護膜台532兩側的第一光 學檢測器600、600A的兩次掃描結果可能被比較或合併以確定遮罩218上的粒子的數量、大小和位置。
當遮罩台522達到遮罩安裝位置時，操作730接著操作722進行。在操作730中，將判定遮罩218是否通過檢查。當根據第一光學檢測器600擷取的影像判定遮罩218未通過時，程序701將從操作730進行到操作740。當根據第一光學檢測器600擷取的影像判定遮罩218通過時，程序701將從操作730進行到操作750。
操作740在確定遮罩218未通過檢查後接著操作730進行。在操作740中，對遮罩218進行清潔。清潔遮罩218可能包括：將遮罩台522從遮罩安裝位置後退到機器人520可接觸的位置，從遮罩台522上移除遮罩218，將遮罩218放入SMIF莢艙514中，將遮罩218運送到清潔設備(未描繪)，將遮罩218從SMIF莢艙514轉移到清潔設備並清潔遮罩218以去除其上的粒子。在遮罩218被清潔後，通過從操作740返回到操作710，將遮罩218重新附著到遮罩台522上。
在確定遮罩218通過檢查後，操作750接著操作730進行。在操作750中，包含護膜的護膜組件被附著到護膜台。例如，護膜組件542被附著到圖6C中的護膜台532。操作750在許多方面可能與圖5C的操作511E相似。
操作760接著操作750進行。在操作750中，護膜組件542被固定到護膜台上後，護膜台532會向護膜安裝位置移動，如圖6C和6D中的箭頭所示。
操作762接著操作760。在操作762中，將判定護膜台是否已達到護膜安裝位置。若護膜台尚未達到護膜安裝位置，則流程701從操作762進行到操作764。若護膜台已達到護膜安裝位置，則流程701從操作762進行到操作770。
操作764接著操作762。在操作764中，回應於確定護膜台尚未達到護膜安裝位置，或者僅僅在護膜台移動向護膜安裝位置時，護膜組件542的護膜會被第二光學檢測器602掃描。第二光學檢測器602在許多方面可能與第一光學檢測器600和/或第一光學檢測器600A相似。第二光學檢測器602的掃描在許多方面可能與參照操作724所述的相似，不同之處在於掃描可能在護膜的兩側進行深度掃描。也就是說，如圖3D所述，護膜可能在面向遮罩218的一側和遠離遮罩218的一側都有粒子。因此，影像可能由第二光學檢測器602在護膜上方和護膜下方的深度處擷取。
如圖6C所示，第二光學檢測器602可能被安裝在遮罩台522的一側。該側可能是遠離遮罩安裝位置的側面，如圖6C所示。如圖6C和6D所示，第一光學檢測器600可能朝向下方對準護膜台532。因此，當護膜台532在前往護膜安裝位置的途中經過第二光學檢測器602時，用於掃描護膜的光線在離開第二光學檢測器602時可能會照射到護膜。由於遮罩218通常在護膜組件542之前就已經放置在安裝裝置530中，因此通常不會在遮罩台522的近側安裝另一個第二光學檢測器602，因為在遮罩台522移動到遮罩安裝位置時，護膜並不會出現。
這些影像可以結合以判定是否通過護膜的檢查。例如，當護膜上未檢測到任何粒子，或者護膜上的粒子數量和/或大小(或「缺陷等級」)不超過護膜粒子閾值(或「選定值」)時，護膜可能通過檢查。在某些實施例中，護膜粒子閾值為零，對應於護膜上未檢測到任何粒子。應該理解的是，低於選定大小的粒子可能無法通過結合第二光學檢測器602擷取的影像來檢測。因此，護膜可能並非無粒子，但可能無超過選定大小的粒子。例如，選定的大小可能是主要直徑大於200奈米，大於300奈米或大於其他適當的尺寸。在某些實施例中，當護膜內側(面向遮罩218的一側)上未檢測到任何粒子時，護膜可能通過檢查。也就是說，即使在護膜的外側(遠離遮罩218的一側)上檢測到一個或多個粒子，護膜也可能通過檢查。
在護膜台532達到護膜安裝位置後，操作770繼操作762進行。在操作770中，將確定護膜是否通過檢查。當根據第二光學檢測器602擷取的影像判定護膜未通過時，程序701將從操作770進行到操作772。當根據第二光學檢測器602擷取的影像判定護膜通過時，程序701將從操作770進行到操作774。
操作772在護膜檢驗失敗後接著操作770進行。在操作772中，護膜被替換或重工。例如：護膜可以通過將護膜組件從護膜安裝位置撤回，將護膜組件轉移到護膜盒，將護膜組件或護膜運送到清潔裝置，清潔護膜，並可選擇地將護膜重新安裝到框架上進行清潔。在某些情況下，護膜被替換為新的護膜。例如，護膜的清 潔可能無法從護膜上移除足夠數量的顆粒。在另一個例子中，護膜可能在清潔前或清潔過程中受到損壞。因此，新的護膜可能會被安裝到框架上，而不是有顆粒的護膜。在替換或成功重工護膜後，護膜組件在操作750中重新附著到護膜台。
操作774接著操作770進行，以回應護膜通過檢驗。在操作774中，護膜組件被安裝到遮罩組件上。將護膜組件安裝到遮罩組件上可能包括多個操作。可能會在遮罩組件的邊緣上塗上一層黏著劑，護膜組件將在此處附著。該黏著劑可能是一種紫外線固化黏著劑，有利於在遮罩組件和護膜組件表面之間形成緊密的結合。可能會對護膜組件的邊緣施加壓力，有利於護膜組件緊密地附著到遮罩組件上。壓力可能使用真空吸盤(例如，護膜台532)施加，該吸盤在施加壓力時將護膜組件固定在位。在護膜組件附著到遮罩組件上之後，可能使用紫外光源來固化黏著劑，使黏著劑硬化並與遮罩組件和護膜組件表面緊密結合。
操作780接著操作774進行。在將護膜組件安裝到遮罩組件之後，裝有護膜組件的遮罩組件(或簡單地稱為「被保護的遮罩組件」)被用來執行一個或多個半導體製程。例如，被保護的遮罩組件可以安裝在微影系統中(例如，微影系統10)，光可能從遮罩218反射為圖案化的光，並將圖案化的光導向半導體晶圓上的光阻層。光阻層曝露於圖案化光的圖案下，這使得光阻在某些區域變得更易溶解或更難溶解。光阻被顯影，這將移除溶解區域，留下一層圖案化的光阻層在底層之上。圖案化的光阻層可以用作蝕刻 底層的遮罩。使用例如電漿蝕刻機、原子層蝕刻機或其他適當的蝕刻機，選擇性地移除底層的曝露區域，從而留下所需的圖案。
製程701可以以各種方式修改以形成不同的實施例。例如，操作724可能是選擇性的。也就是說，製程701可能只掃描護膜。在另一個例子中，操作764可能是選擇性的。也就是說，製程701可能只掃描遮罩。
圖6E描繪了第一光學檢測器600的一種實施例。圖6E所描繪的第一光學檢測器600也可能是第一光學檢測器600A的一種實施例，第二光學檢測器602的一種實施例，或兩者皆是。
第一光學檢測器600可能包含位於外殼612中的光學模組610。第一光學檢測器600可能包含至少一個馬達，該馬達能夠使光學模組610在第三軸方向進行步進，該第三軸方向可能是Z軸方向或深度方向。
光學模組610包括光源620。該光源620可以是或包含一個或多個可發射近紅外光的超輝度二極體(superluminescent diode(s)，SLD)。
光學模組610包含一個分光器或干涉儀630。干涉儀630將光分成兩束，一束直接照射到被成像的表面(例如，遮罩218或護膜)，另一束則反射在參考鏡640上。通過測量兩束光到達檢測感測器650所需的時間差，光學模組610可以確定表面上每一點的深度。
光學模組610包含一個或多個鏡子670，該鏡子將光線從 光源620、分光器630和參考鏡640引導出來並引導回去。
光學模組610包含位於光源620、分光器630、參考鏡640以及檢測感測器650之間光路上的透鏡680。光學模組610進一步包含一個物鏡690，該物鏡位於分光器630與被成像表面之間。
如圖6E所示，光學模組610可能產生一個或多個影像652。每一個影像652可能在不同的深度被擷取。有了不同的Z軸深度，可以生成一個三維(3D)Z軸干涉波圖654，並且可以使用閘控規則或演算法找到粒子。
圖6F顯示部分干涉波圖656、658，這些圖是通過比較或合併圖6E的影像652而產生的。波圖658是波圖656的視覺化圖表，波圖656是對被影像拍攝的表面的每個相對區域的深度的數值表示。圖6F中描繪的部分干涉波圖656、658可能對應於具有粒子的區域。
在台移動過程中，光學模組610可能會以各種Z步驟掃描護膜的各種範圍，從而識別顆粒，包括顆粒大小、顆粒位置以及每個顆粒是否在護膜的內部或外部表面。
圖8是一個流程圖，描述了根據各種實施例，在安裝前掃描遮罩和護膜的流程801。當兩個第一光學檢測器600、600A和第二光學檢測器602存在時，可以使用此流程801。
在操作810中，將遮罩附著到遮罩台，其在許多方面可能與圖7的操作710相似。
操作820接著操作810。在操作820中，執行第一個光罩 掃描。在第一個光罩掃描期間，護膜台位於護膜安裝位置，且當光罩台522移動至光罩安裝位置時，第一光學檢測器600掃描遮罩218。操作820在許多方面與圖7的操作724相似。
操作830接著操作820。在執行第一個光罩掃描後，護膜組件在操作820中被附著或安裝到護膜台，這在許多方面與圖7的操作750相似。
操作840接著操作830。在進行第一次遮罩掃描並將護膜組件固定到護膜台後，操作840進行第二次遮罩掃描和護膜掃描。第二次遮罩掃描和護膜掃描可能在護膜台移向護膜安裝位置時同時進行。例如，第一光學檢測器600A可能在掃描遮罩218的同時，第二光學檢測器602掃描護膜。
操作850接著操作840。在操作850中，偵測到遮罩和護膜上的粒子，這在許多方面可能與圖7的操作730和770相似。在過程801中，護膜上的粒子偵測不必在遮罩上的粒子偵測之後或依據於遮罩上的粒子偵測。相反地，護膜上的粒子偵測可以與遮罩上的粒子偵測同時進行，或者可以在遮罩上的粒子偵測之前進行。
實施例可能提供優勢。實施例的方法701、801在將護膜組件安裝到遮罩組件之前偵測粒子350，這降低了重工並提高了利用率。
依據至少一個實施例，一種方法包括：將遮罩置於遮罩台上；將護膜組件置於護膜台上，所述護膜組件包括護膜；透過第一 光學檢測器掃描所述護膜，以判定所述護膜的缺陷等級是否小於選定值；通過將護膜組件安裝到遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件；以及使用所述被保護的遮罩組件進行半導體製程。
依據至少一個實施例，掃描所述護膜包括由安裝在所述遮罩台上的所述第一光學檢測器掃描所述護膜。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：由安裝在所述護膜台上的第二光學檢測器掃描所述遮罩。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：由所述第二光學檢測器在相同深度擷取多個影像。
依據至少一個實施例，掃描所述護膜包括在所述護膜組件移動至護膜安裝位置時，由所述第一光學檢測器掃描所述護膜。
依據至少一個實施例，當所述護膜組件移動至所述護膜安裝位置時，所述第一光學檢測器在至少兩軸上保持靜止。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：由所述第一光學檢測器擷取第一組多個影像，其中所述第一組多個影像中的至少其中之一的擷取深度不同於所述第一組多個影像中的其中另一的擷取深度。
根據至少一個實施例，一種裝置包括：頂部部分；設置在所述頂部部分的遮罩台；底部部分；位於所述底部部分的護膜台；以及安裝於所述遮罩台的第二光學檢測器，所述第二光學檢測器面向所述護膜台。
依據至少一個實施例，所述裝置更包括：安裝在所述護膜 台上的第一光學檢測器，所述第一光學檢測器面向所述遮罩台。
依據至少一個實施例，所述裝置更包括：安裝在所述護膜台上的第三光學檢測器，所述第三光學檢測器位於與所述第一光學檢測器相對的所述護膜台一側。
依據至少一個實施例，所述裝置更包括：超輝度二極體(SLD)，在操作中，將光線導向安裝在所述護膜台上的護膜的表面。
依據至少一個實施例，在操作中，所述第二光學檢測器在所述護膜台沿著第一方向向護膜安裝位置移動時掃描所述護膜，且所述光線在垂直於所述第一方向的第二方向上具有寬度，所述寬度至少與所述護膜的寬度一樣大。
依據至少一個實施例，在操作中，所述第二光學檢測器通過在所述護膜的表面上方的第一深度產生至少一第一影像，並在所述護膜的所述表面下方的第二深度產生至少一第二影像，從而產生第二組多個影像。
依據至少一個實施例，在操作中，所述第二光學檢測器的光學模組在產生所述第二組多個影像期間，朝著所述第一深度和所述第二深度的方向進行步進。
根據至少一種實施例，一種方法包括：將遮罩組件放置在安裝裝置中的遮罩台上；將護膜組件置於所述安裝裝置中的護膜台上；通過位於所述安裝裝置中的第二干涉儀掃描所述薄膜組件以產生第二組多個影像；判定所述護膜組件的護膜上的粒子數量 是否超過閾值；以及回應所述粒子數量未超過所述閾值時：通過將所述護膜組件安裝到所述遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件組裝；且利用所述被保護的遮罩組件對半導體晶圓進行半導體製程。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：由位於所述安裝裝置中的第一干涉儀掃描所述遮罩組件的遮罩以產生第一組多個影像。
依據至少一個實施例，所述第二干涉儀附著於所述遮罩台的一側。
依據至少一個實施例，所述側為距離遮罩安裝位置的側。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：透過結合所述第二組多個影像來產生三維的干涉波圖。
依據至少一個實施例，所述方法更包括：根據所述干涉波圖譜確定至少一粒子的大小和位置。
前述概述了幾個實施例的特徵，以便專業技術人員更好地理解本揭露的各個方面。專業技術人員應該明白，他們可以輕易地使用本揭露作為設計或修改其他過程和結構的基礎，以實現相同目的和/或獲得此處介紹的實施例的相同優點。專業技術人員還應該意識到，這種等效結構並不偏離本揭露的精神和範疇，他們可以在此範疇內進行各種變更、替換和修改，而不偏離本揭露的精神和範疇。
701:流程 700、710、720、722、724、730、740、750、760、762、764、770、772、774、780:操作

Claims (9)

  1. 一種微影方法，包括： 將遮罩置於遮罩台上； 將護膜組件置於護膜台上，所述護膜組件包括護膜； 透過第一光學檢測器掃描所述護膜，以判定所述護膜的缺陷等級是否小於選定值； 透過第二光學檢測器在所述護膜的表面上方的第一深度產生至少一第一影像，並在所述護膜的所述表面下方的第二深度產生至少一第二影像，從而產生第二組多個影像； 通過將護膜組件安裝到遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件；以及 使用所述被保護的遮罩組件進行半導體製程。
  2. 如請求項1所述的微影方法，更包括：由所述第二光學檢測器掃描所述遮罩。
  3. 一種微影系統，包括： 頂部部分； 設置在所述頂部部分的遮罩台； 底部部分； 位於所述底部部分的護膜台；以及 安裝於所述遮罩台的第二光學檢測器，所述第二光學檢測器面向所述護膜台，其中，在操作中，所述第二光學檢測器通過在所述護膜的表面上方的第一深度產生至少一第一影像，並在所述護膜的所述表面下方的第二深度產生至少一第二影像，從而產生第二組多個影像。
  4. 如請求項3所述的微影系統，更包括：安裝在所述護膜台上的第一光學檢測器，所述第一光學檢測器面向所述遮罩台。
  5. 如請求項4所述的微影系統，更包括：安裝在所述護膜台上的第三光學檢測器，所述第三光學檢測器位於與所述第一光學檢測器相對的所述護膜台一側。
  6. 如請求項3所述的微影系統，更包括：超輝度二極體（SLD），在操作中，將光線導向安裝在所述護膜台上的護膜的表面。
  7. 如請求項6所述的微影系統，其中，在操作中，所述第二光學檢測器在所述護膜台沿著第一方向向護膜安裝位置移動時掃描所述護膜，且所述光線在垂直於所述第一方向的第二方向上具有寬度，所述寬度至少與所述護膜的寬度一樣大。
  8. 如請求項3所述的微影系統，其中，在操作中，所述第二光學檢測器的光學模組在產生所述第二組多個影像期間，朝著所述第一深度和所述第二深度的方向進行步進。
  9. 一種微影方法，包括： 將遮罩組件放置在安裝裝置中的遮罩台上； 將護膜組件置於所述安裝裝置中的護膜台上； 通過位於所述安裝裝置中的第二干涉儀掃描所述薄膜組件的護膜的表面上方的第一深度產生至少一第一影像，並在所述護膜的所述表面下方的第二深度產生至少一第二影像，從而以產生第二組多個影像； 判定所述護膜組件的所述護膜上的粒子數量是否超過閾值；以及 回應所述粒子數量未超過所述閾值時： 通過將所述護膜組件安裝到所述遮罩組件上以形成被保護的遮罩組件組裝；且 利用所述被保護的遮罩組件對半導體晶圓進行半導體製程。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201619693A (zh) * 2014-11-17 2016-06-01 Ａｓｍｌ荷蘭公司 裝置
US20200057383A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting euv pellicle rupture
CN112987490A (zh) * 2021-02-24 2021-06-18 上海华力集成电路制造有限公司 掩模保护膜表面污染颗粒去除装置和方法
TW202229849A (zh) * 2021-01-05 2022-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 缺陷檢查方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3183046B2 (ja) * 1994-06-06 2001-07-03 キヤノン株式会社 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2001116529A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Canon Inc 異物検査装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6346986B1 (en) * 2000-03-14 2002-02-12 Wafertech, Inc. Non-intrusive pellicle height measurement system
US6614504B2 (en) * 2000-03-30 2003-09-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR100620160B1 (ko) * 2002-12-30 2006-09-01 동부일렉트로닉스 주식회사 레티클 로딩장치
JP2005085991A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Canon Inc 露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
KR100719373B1 (ko) * 2005-08-11 2007-05-17 삼성전자주식회사 반도체 노광 설비 및 펠리클 검사 방법
KR20160031274A (ko) * 2014-09-12 2016-03-22 삼성전자주식회사 레티클 검사 장치 및 방법
KR102402035B1 (ko) * 2014-11-14 2022-05-26 삼성전자주식회사 펠리클을 포함하는 마스크, 펠리클 리페어 장치, 및 기판 제조 설비
JP6448491B2 (ja) * 2015-07-13 2019-01-09 東芝メモリ株式会社 パーティクル測定用マスク
CN108885391B (zh) * 2015-12-17 2022-10-28 Asml荷兰有限公司 表膜和表膜组件
US12209975B2 (en) * 2022-08-09 2025-01-28 Intel Corporation Real-time detection of deflections and ruptures of EUV pellicle membranes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201619693A (zh) * 2014-11-17 2016-06-01 Ａｓｍｌ荷蘭公司 裝置
US20200057383A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting euv pellicle rupture
TW202229849A (zh) * 2021-01-05 2022-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 缺陷檢查方法
CN112987490A (zh) * 2021-02-24 2021-06-18 上海华力集成电路制造有限公司 掩模保护膜表面污染颗粒去除装置和方法

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