[go: up one dir, main page]

TWI890515B - 畫素陣列基板及顯示面板 - Google Patents

畫素陣列基板及顯示面板

Info

Publication number
TWI890515B
TWI890515B TW113125391A TW113125391A TWI890515B TW I890515 B TWI890515 B TW I890515B TW 113125391 A TW113125391 A TW 113125391A TW 113125391 A TW113125391 A TW 113125391A TW I890515 B TWI890515 B TW I890515B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display
pixel
scan line
block
line
Prior art date
Application number
TW113125391A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202603452A (zh
Inventor
周晉賢
吳淇銘
趙玟雅
梁廣恆
Original Assignee
元太科技工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 元太科技工業股份有限公司 filed Critical 元太科技工業股份有限公司
Priority to TW113125391A priority Critical patent/TWI890515B/zh
Priority to US19/232,897 priority patent/US20260013230A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI890515B publication Critical patent/TWI890515B/zh
Publication of TW202603452A publication Critical patent/TW202603452A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675—Constructional details
    • G02F1/1676—Electrodes
    • G02F1/16766—Electrodes for active matrices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1685—Operation of cells; Circuit arrangements affecting the entire cell
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/3433—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices
    • G09G3/344—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using light modulating elements actuated by an electric field and being other than liquid crystal devices and electrochromic devices based on particles moving in a fluid or in a gas, e.g. electrophoretic devices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

畫素陣列基板包含數個畫素電路、數條第一導電線、數條第二導電線及數個掃描線對。畫素電路置於顯示區且構成數個畫素列。第一及第二周邊區位於顯示區兩側。第一導電線置於第一周邊區。第二導電線置於第二周邊區。每個掃描線對包含第一及第二掃描線。第一掃描線經第一節點連接第一導電線，且延伸至顯示區並連接第一畫素列。第二掃描線經第二節點連接第二導電線，且延伸至顯示區並連接第二畫素列。第一掃描線跨過第一導電線形成之跨電容數量與第二掃描線跨過第二導電線形成之跨電容數量之總和為總跨電容數，每個掃描線對之總跨電容數相同。

Description

畫素陣列基板及顯示面板
本揭露涉及一種畫素陣列基板及顯示面板。
隨著顯示技術的蓬勃發展，邊框窄化設計使得顯示裝置的屏佔比(screen-to-body ratio)提升，從而在有限的顯示體積中獲得較大的顯示面積。然而，在窄邊框或無邊框需求的電路佈局中，掃描訊號線之間的電容耦合效應會導致傳輸訊號彼此間相互干擾，甚至影響顯示畫面的亮度與品質。
因此，本揭露之實施例提供一種畫素陣列基板，具有顯示區及分別位於顯示區之兩側的第一周邊區及第二周邊區，此畫素陣列基板包含數個畫素電路、數條第一導電線、數條第二導電線、以及數個掃描線對。此些畫素電路設置於顯示區中，且構成數個畫素列。此些第一導電線設置於第一周邊區中。此些第二導電線設置於第二周邊區中。每一掃描線對包含第一掃描線、以及第二掃描線。第一掃 描線經由第一節點電性連接此些第一導電線之相應者，且從第一節點延伸至顯示區內並電性連接此些畫素列之第一畫素列。第二掃描線經由第二節點電性連接此些第二導電線之相應者，且從第二節點延伸至顯示區內並電性連接此些畫素列之第二畫素列。其中，第一掃描線跨過此些第一導電線所形成之第一跨電容的數量與第二掃描線跨過此些第二導電線所形成之第二跨電容的數量之總和定義為總跨電容數，且此些掃描線對之總跨電容數相同。
依據本揭露之實施例，其中顯示區具有第一顯示區塊及第二顯示區塊，此些畫素電路分別設置於第一顯示區塊及第二顯示區塊中，且此畫素陣列基板還包含第一區塊選擇線以及第二區塊選擇線。第一區塊選擇線設置於第一周邊區中，且對應第一顯示區塊，此第一區塊選擇線電性連接至第一顯示區塊中的那些畫素電路。第二區塊選擇線設置於第二周邊區中，且對應第二顯示區塊，此第二區塊選擇線電性連接至第二顯示區塊中的那些畫素電路。
依據本揭露之實施例，其中此些畫素電路之一者電性連接此些掃描線對之一者之第一掃描線或者第二掃描線、第一區塊選擇線或者第二區塊選擇線、以及資料線。
依據本揭露之實施例，其中畫素電路包含及閘電路及畫素電極。及閘電路包含第一電晶體及第二電晶體。第一電晶體之第一端電性連接第一區塊選擇線或者第二區塊選擇線，第一電晶體之第二端電性連接資料線。第二電晶體之第一端電性連接掃描線對之第一掃描線或者第二掃描 線，第二電晶體之第二端電性連接第一電晶體之第三端。畫素電極電性連接至第二電晶體之第三端。
依據本揭露之實施例，其中第一周邊區及第二周邊區位於顯示區之相對兩側。
依據本揭露之實施例，其中此些掃描線對之此些第一掃描線與此些第二掃描線為交錯設置。
本揭露之實施例提供一種顯示面板，包含如前所述之畫素陣列基板、對向基板、以及顯示介質層。顯示介質層位於畫素陣列基板與對向基板之間。
依據本揭露之實施例，其中顯示介質層為電泳顯示材料層或液晶材料層。
依據本揭露之實施例，其中顯示區具有第一顯示區塊及第二顯示區塊，此些畫素電路分別設置於第一顯示區塊及第二顯示區塊中，且此畫素陣列基板還包含第一區塊選擇線以及第二區塊選擇線。第一區塊選擇線設置於第一周邊區中，且對應第一顯示區塊，此第一區塊選擇線電性連接至第一顯示區塊中的那些畫素電路。第二區塊選擇線設置於第二周邊區中，且對應第二顯示區塊，此第二區塊選擇線電性連接至第二顯示區塊中的那些畫素電路。
依據本揭露之實施例，其中此些掃描線對之此些第一掃描線與此些第二掃描線為交錯設置。
11,21:第一端
12,22:第二端
13,23:第三端
100:畫素陣列基板
110:顯示區
111:畫素電路
111a:及閘電路
111b:畫素電極
112:第一顯示區塊
113:第二顯示區塊
120:第一周邊區
130:第二周邊區
200:對向基板
300:顯示介質層
C1:第一跨電容
C2:第二跨電容
Cst:儲存電容
Cpx:畫素電容
D1:第一方向
DL:資料線
G11~G1n:第一導電線
G21~G2n:第二導電線
GB1:第一區塊選擇線
GB2:第二區塊選擇線
N1:第一節點
N2:第二節點
P:顯示面板
R1,R3,R5,Rn-1:第一畫素列
R2,R4,R6,Rn:第二畫素列
S1:第一掃描線
S2:第二掃描線
SL1~SLn:掃描線對
T1:第一電晶體
T2:第二電晶體
VCOM1:第一共同電極
VCOM2:第二共同電極
為讓本揭露之上述和其他特徵、優點與實施例能更加淺顯易懂，所附圖式之說明如下：圖1為根據本揭露實施例所繪示之顯示面板的示意圖；圖2為根據本揭露實施例所繪示之畫素陣列基板的示意圖；圖3為根據本揭露實施例所繪示之第一周邊區中之第一導電線及第一掃描線的放大示意圖；圖4為根據本揭露實施例所繪示之具有數個顯示區塊之畫素陣列基板的示意圖；以及圖5為根據本揭露實施例所繪示之畫素電路的示意圖。
以下揭露提供許多不同的實施例或示例，用於實現所提供發明的不同特徵。下文所述之組件和配置的實施例僅作為示例，並非旨在於進行限制。此外，為了簡單和清楚之目的，本揭露在各示例中重複參考符號和/或編號，本身並不限定所討論的各種實施例和/或組件之間的關係。
請參照圖1，圖1為本揭露實施例之顯示面板P的示意圖。顯示面板P包含畫素陣列基板100、對向基板200及顯示介質層300。對向基板200可包含玻璃基材、彩色濾光片、偏光片或配向膜等常見的構件。顯示介質層300位於畫素陣列基板100與對向基板200之間。
在一些實施例中，顯示介質層300為電泳顯示材料層，且包含多個帶色電泳粒子。畫素陣列基板100和對 向基板200可以是包含透明導電薄膜的基板。透過提供電位至畫素陣列基板100和對向基板200中的透明導電基板而改變對向基板200及畫素陣列基板100之間的電場，不同顏色的電泳粒子朝向對向基板200或畫素陣列基板100移動，進而使顯示面板P顯示具不同灰階的畫面。
在其他實施例中，顯示介質層300可以是如圖1所示之包含多個液晶分子的液晶材料層。透過提供電位至畫素陣列基板100和對向基板200中的透明導電基板而改變對向基板200及畫素陣列基板100之間的電場，可使液晶分子不同程度的扭轉，進而使顯示面板P顯示具不同灰階的畫面。
請參照圖2，圖2為本揭露實施例之畫素陣列基板100的示意圖。畫素陣列基板100具有顯示區110、第一周邊區120及第二周邊區130，且第一周邊區120及第二周邊區130分別位於顯示區110的相對兩側。畫素陣列基板100包含數個畫素電路111、數條第一導電線G11~G1n、數條第二導電線G21~G2n及數組掃描線對SL1~SLn。
畫素電路111設置於顯示區110中，且沿著第一方向D1排列的畫素電路111構成數個畫素列R1~Rn。第一導電線G11~G1n設置於第一周邊區120中，而第二導電線G21~G2n設置於第二周邊區130中。每組掃描線對SL1~SLn包含第一掃描線S1及第二掃描線S2。
每條第一掃描線S1經由第一節點N1電性連接相應一條第一導電線G11~G1n，且自第一節點N1延伸至顯 示區110內，並電性連接畫素列R1~Rn之第一畫素列R1、R3、R5...或Rn-1之相應一列。每條第二掃描線S2經由第二節點N2電性連接相應一條第二導電線G21~G2n，且自第二節點N2延伸至顯示區110內，並電性連接畫素列R1~Rn之第二畫素列R2、R4、R6...或Rn之相應一列。
在每組掃描線對SL1~SLn中，第一掃描線S1跨過第一導電線G11~G1n所形成之第一跨電容C1的數量與第二掃描線S2跨過第二導電線G21~G2n所形成之第二跨電容C2的數量之總和定義為總跨電容數CT。第二組掃描線對SL2的總跨電容數CT與第一組掃描線對SL1的總跨電容數CT相同。第三組掃描線對SL3的總跨電容數CT與第一組掃描線對SL1的總跨電容數CT相同。依此類推，當越多條組掃描線對SL的總跨電容數CT與第一組掃描線對SL1的總跨電容數CT相同時，顯示畫面亮度就會越均勻。本發明的其中一個實施例，畫面中有8成以上的掃描線對的總跨電容數CT相同。本發明的另一個實施例為每組掃描線對SL1~SLn的總跨電容數CT相同。設計者可依據需求去調整掃描線對SL1~SLn的總跨電容數CT相同的數量。
以掃描線對SL1為例，第一掃描線S1電性連接第一導電線G11，且並未跨過任何一條第一導電線G12~G1n即電性連接至第一畫素列R1的畫素電路111，因此所形成之第一跨電容C1的數量為0；第二掃描線S2電性連接第二導電線G2n，並跨過第二導電線G21~G2n-1後電性連 接第二畫素列R2的畫素電路111，進而形成n-1個第二跨電容C2。因此，掃描線對SL1的總跨電容數CT為0+(n-1)=(n-1)個。
再以掃描線對SLn為例，第一掃描線S1電性連接第一導電線G1n，並跨過第一導電線G11~G1n-1後電性連接第一畫素列Rn-1的畫素電路111，進而形成n-1個第一跨電容C1；第二掃描線S2電性連接第二導電線G21且並未跨過任何一條第二導電線G22~G2n即電性連接至第二畫素列Rn的畫素電路111，因此所形成之第二跨電容C2的數量為0。掃描線對SLn的總跨電容數CT為(n-1)+0=(n-1)個。
由掃描線對SL1及SLn的示例可以輕易理解，其餘掃描線對SL2至SLn-1每一組的總跨電容數CT(也就是第一跨電容C1的數量加上第二跨電容C2的數量)皆會相同(即皆為n-1)。藉由每組掃描線對SL1~SLn的總跨電容數CT皆為相同的設計，可有效改善不同掃描線對SL1~SLn的總跨電容數CT不同而導致畫素列亮度不均的問題，進而提升顯示品質。
在本揭露之實施例中，掃描線對SL1~SLn的第一掃描線S1及第二掃描線S2相互交錯設置。換言之，第一掃描線S1電性連接第一畫素列R1、R3、R5...及Rn-1的畫素電路111，而第二掃描線S2電性連接第二畫素列R2、R4、R6...及Rn的畫素電路111，使得此些第一掃描線S1及此些第二掃描線S2相互交錯設置。
請參照圖3，圖3進一步繪示根據本揭露實施例之第一周邊區120中之第一導電線G11~G1n及第一掃描線S1的放大示意圖。同前所述，每組掃描線對SL1~SLn的第一掃描線S1經由第一節點N1電性連接相應一條第一導電線G11~G1n，且自第一節點N1向顯示區110(圖3未繪示)的方向延伸。由圖3所示內容可看出，除了經由第一節點N1所電性連接的第一導電線以外，第一掃描線S1會跨過其餘的第一導電線，並與其分別形成數個第一跨電容C1。
如圖2及圖3所示，在掃描線對SL1~SLn中，第一組掃描線對SL1之第一掃描線S1至最後一組掃描線對SLn之第一掃描線S1，所跨過第一導電線G11~G1n而形成之第一跨電容C1的數量具有遞增趨勢。具體而言，第一組掃描線對SL1的第一掃描線S1所形成之第一跨電容C1的數量為0個，第二組掃描線對SL2的第一掃描線S1所形成之第一跨電容C1的數量增加為1個，第三組掃描線對SL3的第一掃描線S1所形成之第一跨電容C1的數量增加為2個，依此類推，直至最後一組掃描線對SLn的第一掃描線所形成之第一跨電容C1的數量增加為n-1個。
雖然本文並未繪示出第二周邊區130之第二導電線G21~G2n及第二掃描線S2的放大示意圖，但所屬技術領域中具有通常知識者應可以從圖3所示內容直接理解，每條第二掃描線S2除了經由第二節點N2所電性連接的第二導電線以外，同樣會跨過其餘的第二導電線，並與其分 別形成數個第二跨電容C2。
此外，對應於第一掃描線S1，第一組掃描線對SL1之第二掃描線S2至最後一組掃描線對SLn之第二掃描線S2，所跨過第二導電線G22~G2n而形成之第二跨電容C2的數量具有遞減趨勢。具體而言，第一組掃描線對SL1的第二掃描線S2所形成之第二跨電容C2的數量為n-1個、第二組掃描線對SL2的第二掃描線S2所形成之第二跨電容C2的數量減少為n-2個、第三組掃描線對SL3的第二掃描線S2所形成之第二跨電容C2的數量減少為n-3個，依此類推，直至最後一組掃描線對SLn的第一掃描線所形成之第一跨電容C1的數量為0個。如此，每組掃描線對SL1~SLn的總跨電容數CT皆為相同(即皆為n-1個)。
請參照圖4，圖4為根據本揭露實施例所繪示之具有數個顯示區塊之畫素陣列基板100的示意圖。顯示區110具有第一顯示區塊112及第二顯示區塊113，且畫素電路111分別佈設於第一顯示區塊112及第二顯示區塊113中。在這樣的實施例中，畫素陣列基板100還包含第一區塊選擇線GB1及第二區塊選擇線GB2。
第一區塊選擇線GB1設置於第一周邊區120中，且對應於第一顯示區塊112，以電性連接至第一顯示區塊112中的畫素電路111。具體而言，第一顯示區塊112中的每個畫素電路111皆會電性連接至其中一組掃描線對SL1~SLn的第一掃描線S1或第二掃描線S2、第一區塊選擇線GB1及資料線DL。
第二區塊選擇線GB2設置於第二周邊區130中，且對應於第二顯示區塊113，以電性連接至第二顯示區塊113中的畫素電路111。具體而言，第二顯示區塊113中的每個畫素電路111皆會電性連接至其中一組掃描線對SL1~SLn的第一掃描線S1或第二掃描線S2、第二區塊選擇線GB2及資料線DL。
圖5進一步繪示根據本揭露實施例之畫素電路111的示意圖。如圖5所示，畫素電路111包含及閘電路111a及畫素電極111b。及閘電路111a電性連接畫素電極111b，且包含第一電晶體T1及第二電晶體T2。
第一電晶體T1的第一端(或稱控制端)11電性連接第一區塊選擇線GB1或者第二區塊選擇線GB2，而第一電晶體T1的第二端(或稱源極端/汲極端)12電性連接資料線DL。第二電晶體T2的第一端(或稱控制端)21電性連接其中一組掃描線對SL1~SLn的第一掃描線S1或者第二掃描線S2，第二電晶體T2的第二端(或稱源極端/汲極端)22電性連接第一電晶體T1的第三端(或稱汲極端/源極端)13，而第二電晶體T2的第三端(或稱汲極端/源極端)23電性連接至畫素電極111b。在本揭露之實施例中，第一電晶體T1及第二電晶體T2可以是N型電晶體或P型電晶體，本揭露不以此為限。
以第一顯示區塊112中的畫素電路111而言，第一電晶體T1的第一端11電性連接第一區塊選擇線GB1，而第二電晶體T2的第一端21電性連接掃描線對 SL1~SLn的第一掃描線S1或者第二掃描線S2(取決於第一顯示區塊112中的畫素電路111位於第一畫素列R1、R3、R5...及Rn-1、或是第二畫素列R2、R4、R6...及Rn)。
當第一顯示區塊112中之第一畫素列R1、R3、R5...及Rn-1的畫素電路111自第一區塊選擇線GB1及第一掃描線S1皆接收到導通訊號時，畫素電路111的第一電晶體T1及第二電晶體T2皆會相應地導通，使得資料線DL的資料得以被傳輸至畫素電極111b。換言之，當畫素電路111僅接收到第一區塊選擇線GB1及第一掃描線S1之一者的導通訊號時，未接收到導通訊號的一方無法導通相應的電晶體，致使資料線DL的資料無法被傳輸至畫素電極111b。
同理，當第一顯示區塊112中之第二畫素列R2、R4、R6...及Rn的畫素電路111自第一區塊選擇線GB1及第二掃描線S2皆接收到導通訊號時，畫素電路111的第一電晶體T1及第二電晶體T2皆會相應地導通，使得資料線DL的資料得以被傳輸至畫素電極111b。換言之，當畫素電路111僅接收到第一區塊選擇線GB1及第二掃描線S2之一者的導通訊號時，未接收到導通訊號的一方無法導通相應的電晶體，致使資料線DL的資料無法被傳輸至畫素電極111b。
以第二顯示區塊113中的畫素電路111而言，第一電晶體T1的第一端11電性連接第二區塊選擇線GB2，而第二電晶體T2的第一端21電性連接掃描線對 SL1~SLn的第一掃描線S1或者第二掃描線S2(取決於第二顯示區塊113中的畫素電路111位於第一畫素列R1、R3、R5...及Rn-1、或是第二畫素列R2、R4、R6...及Rn)。
當第二顯示區塊113中之第一畫素列R1、R3、R5...及Rn-1的畫素電路111自第二區塊選擇線GB2及第一掃描線S1皆接收到導通訊號時，畫素電路111的第一電晶體T1及第二電晶體T2皆會相應地導通，使得資料線DL的資料得以被傳輸至畫素電極111b。換言之，當畫素電路111僅接收到第二區塊選擇線GB2及第一掃描線S1之一者的導通訊號時，未接收到導通訊號的一方無法導通相應的電晶體，致使資料線DL的資料無法被傳輸至畫素電極111b。
同理，當第二顯示區塊113中之第二畫素列R2、R4、R6...及Rn的畫素電路111自第二區塊選擇線GB2及第二掃描線S2皆接收到導通訊號時，畫素電路111的第一電晶體T1及第二電晶體T2皆會相應地導通，使得資料線DL的資料得以被傳輸至畫素電極111b。換言之，當畫素電路111僅接收到第二區塊選擇線GB2及第二掃描線S2之一者的導通訊號時，未接收到導通訊號的一方無法導通相應的電晶體，致使資料線DL的資料無法被傳輸至畫素電極111b。
在本揭露之實施例中，畫素電路111還包含第一共同電極VCOM1及第二共同電極VCOM2。第一共同電極VCOM1與畫素電極111b之間構成儲存電容Cst。第二共 同電極VCOM2與畫素電極111b之間構成畫素電容Cpx。在一些實施例中，第一共同電極VCOM1為畫素陣列基板100的共同參考電壓，而第二共同電極VCOM2為對向基板200的共同參考電壓。
綜合上述內容，依據本揭露之畫素陣列基板及顯示面板，透過每組掃描線對中之第一掃描線及第二掃描線的佈置形式，使每組掃描線對所形成之跨電容數量的總和為相同。如此一來，本揭露可有效減輕相鄰之第一掃描線及第二掃描線因電容耦合效應而導致的亮度不均問題，使畫素陣列基板及顯示面板具有較佳的顯示品質。
雖然本揭露已以各種實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:畫素陣列基板
110:顯示區
111:畫素電路
120:第一周邊區
130:第二周邊區
C1:第一跨電容
C2:第二跨電容
D1:第一方向
DL:資料線
G11~G1n:第一導電線
G21~G2n:第二導電線
N1:第一節點
N2:第二節點
R1,R3,R5,Rn-1:第一畫素列
R2,R4,R6,Rn:第二畫素列
S1:第一掃描線
S2:第二掃描線
SL1~SLn:掃描線對

Claims (10)

  1. 一種畫素陣列基板，具有一顯示區及分別位於該顯示區之兩側的一第一周邊區及一第二周邊區，該畫素陣列基板包含： 複數個畫素電路，設置於該顯示區中，且構成複數個畫素列； 複數條第一導電線，設置於該第一周邊區中； 複數條第二導電線，設置於該第二周邊區中；以及 複數個掃描線對，其中每一掃描線對包含： 一第一掃描線，經由一第一節點電性連接該些第一導電線之一相應者，且從該第一節點延伸至該顯示區內並電性連接該些畫素列之一第一畫素列；以及 一第二掃描線，經由一第二節點電性連接該些第二導電線之一相應者，且從該第二節點延伸至該顯示區內並電性連接該些畫素列之一第二畫素列； 其中該第一掃描線跨過該些第一導電線所形成之第一跨電容的數量與該第二掃描線跨過該些第二導電線所形成之第二跨電容的數量之總和定義為一總跨電容數，且該些掃描線對之該總跨電容數相同。
  2. 如請求項1所述之畫素陣列基板，其中該顯示區具有一第一顯示區塊及一第二顯示區塊，該些畫素電路分別設置於該第一顯示區塊及該第二顯示區塊中，且該畫素陣列基板還包含： 一第一區塊選擇線，設置於該第一周邊區中，且對應該第一顯示區塊，該第一區塊選擇線電性連接至該第一顯示區塊中的該些畫素電路；以及 一第二區塊選擇線，設置於該第二周邊區中，且對應該第二顯示區塊，該第二區塊選擇線電性連接至該第二顯示區塊中的該些畫素電路。
  3. 如請求項2所述之畫素陣列基板，其中該些畫素電路之一者電性連接該些掃描線對之一者之該第一掃描線或者該第二掃描線、該第一區塊選擇線或者該第二區塊選擇線、以及一資料線。
  4. 如請求項3所述之畫素陣列基板，其中該些畫素電路之該者包含： 一及閘電路，包含： 一第一電晶體，該第一電晶體之一第一端電性連接該第一區塊選擇線或者該第二區塊選擇線，該第一電晶體之一第二端電性連接該資料線；以及 一第二電晶體，該第二電晶體之一第一端電性連接該些掃描線對之該者之該第一掃描線或者該第二掃描線，該第二電晶體之一第二端電性連接該第一電晶體之一第三端；以及 一畫素電極，電性連接至該第二電晶體之一第三端。
  5. 如請求項1所述之畫素陣列基板，其中該第一周邊區及該第二周邊區位於該顯示區之相對兩側。
  6. 如請求項1所述之畫素陣列基板，其中該些掃描線對之該第一掃描線與該第二掃描線為交錯設置。
  7. 一種顯示面板，包含： 如請求項1所述之畫素陣列基板； 一對向基板；以及 一顯示介質層，位於該畫素陣列基板與該對向基板之間。
  8. 如請求項7所述之顯示面板，其中該顯示介質層為一電泳顯示材料層或一液晶材料層。
  9. 如請求項7所述之顯示面板，其中該顯示區具有一第一顯示區塊及一第二顯示區塊，該些畫素電路分別設置於該第一顯示區塊及該第二顯示區塊中，且該畫素陣列基板還包含： 一第一區塊選擇線，設置於該第一周邊區中，且對應該第一顯示區塊，該第一區塊選擇線電性連接至該第一顯示區塊中的該些畫素電路；以及 一第二區塊選擇線，設置於該第二周邊區中，且對應該第二顯示區塊，該第二區塊選擇線電性連接至該第二顯示區塊中的該些畫素電路。
  10. 如請求項7所述之顯示面板，其中該些掃描線對之該第一掃描線與該第二掃描線為交錯設置。
TW113125391A 2024-07-05 2024-07-05 畫素陣列基板及顯示面板 TWI890515B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW113125391A TWI890515B (zh) 2024-07-05 2024-07-05 畫素陣列基板及顯示面板
US19/232,897 US20260013230A1 (en) 2024-07-05 2025-06-10 Pixel array substrate and display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW113125391A TWI890515B (zh) 2024-07-05 2024-07-05 畫素陣列基板及顯示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI890515B true TWI890515B (zh) 2025-07-11
TW202603452A TW202603452A (zh) 2026-01-16

Family

ID=97228202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113125391A TWI890515B (zh) 2024-07-05 2024-07-05 畫素陣列基板及顯示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20260013230A1 (zh)
TW (1) TWI890515B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202122895A (zh) * 2015-12-28 2021-06-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TW202235976A (zh) * 2010-02-26 2022-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202235976A (zh) * 2010-02-26 2022-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TW202338782A (zh) * 2010-02-26 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TW202122895A (zh) * 2015-12-28 2021-06-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、顯示模組及電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20260013230A1 (en) 2026-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4571845B2 (ja) 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
TW594177B (en) Liquid crystal display panel for eliminating flicker
US8248550B2 (en) Liquid crystal display device
US7129923B2 (en) Active matrix display device
JP3264270B2 (ja) 液晶表示装置
JPWO2000020918A1 (ja) 液晶装置および電子機器
CN110687730A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
US10991726B2 (en) Pixel array substrate
JP4115649B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH08179351A (ja) 表示装置用アレイ基板
US20140146258A1 (en) Liquid crystal display device
JP3542023B2 (ja) 液晶表示装置
CN100507690C (zh) 彩色液晶显示装置
KR100430376B1 (ko) 액정디스플레이
KR19980087020A (ko) 액티브매트릭스형 액정표시장치
TWI890515B (zh) 畫素陣列基板及顯示面板
JPH04318512A (ja) 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
US7518686B2 (en) Liquid crystal display
KR20100008691A (ko) 액정표시장치
KR20060078713A (ko) 횡전계방식 액정표시소자
KR100966438B1 (ko) 스토리지 배선의 저항을 감소시킨 액정표시패널
US9117703B2 (en) Liquid crystal display device
CN121325474A (zh) 像素阵列基板及显示面板
JP2003098540A (ja) 表示装置
JPH04100022A (ja) 液晶表示装置及びその駆動方法