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TWI889981B - 樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置 - Google Patents

樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置

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TWI889981B
TWI889981B TW111119728A TW111119728A TWI889981B TW I889981 B TWI889981 B TW I889981B TW 111119728 A TW111119728 A TW 111119728A TW 111119728 A TW111119728 A TW 111119728A TW I889981 B TWI889981 B TW I889981B
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Taiwan
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wafer
measuring
thickness
holding
unit
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TW111119728A
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Inventor
生島充
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
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    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
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Abstract

[課題]在不受晶圓的種類影響的情形下，適當地實施用於抑制被覆晶圓的正面之樹脂層的厚度的偏差之晶圓的厚度之測定。 [解決手段]使保持晶圓之暫置工作台與第1測定器以及第2測定器沿著平行於暫置工作台的保持面之方向相對地移動。在此情況下，可以在參照第1測定器或第2測定器的測定結果來檢測出晶圓的外周緣上的點的座標後，測定從這個點算起接近晶圓的中心預定的距離之被測定點上的晶圓的厚度。藉此，可以藉由因應於晶圓的種類來設定該預定的距離，而適當地實施用於抑制被覆晶圓的正面之樹脂層的厚度的偏差之晶圓的厚度之測定。

Description

樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置
本發明是有關於一種藉由樹脂來被覆圓板狀的晶圓的正面之樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置。
IC(積體電路，Integrated Circuit)及LSI(大型積體電路，Large Scale Integration)等之器件的晶片是在行動電話以及個人電腦等的各種電子機器中不可或缺的構成要素。這樣的晶片可藉由例如在由半導體材料所形成之圓板狀的晶圓的正面形成了多數個器件之後，將晶圓按一個個包含器件之區域來分割而被製造。
在此晶片的製造步驟中，以被製造之晶片的小型化等為目的，大多會在晶圓的分割前，磨削其背面側來將晶圓薄化。像這樣的薄化，一般是使用具有工作夾台與磨削輪之磨削裝置來進行，前述工作夾台會吸引並保持晶圓的正面側，前述磨削輪會磨削晶圓的背面側。
在此，晶圓的正面會起因於凸塊等的存在而具有凹凸形狀，前述凸塊是包含於器件之電極型樣、以及用於將器件組裝到印刷配線板等之基板。並且，若以工作夾台已直接吸引具備像這樣的凹凸形狀之晶圓的正面側的狀態來磨削晶圓的背面側，會有對晶圓局部地施加較大的負荷之情形。因此，在此情況下，會有電極型樣以及凸塊損傷之疑慮。
有鑒於此點，在磨削晶圓的背面側之前，會有例如以下之作法：用以下的順序在晶圓的正面形成具有平坦的表面(離晶圓較遠之側的面)之樹脂層。具體而言，首先是以保持板保持晶圓的背面側。接著，將液狀樹脂供給到隔著晶圓和保持板相向之工作台。接著，使保持板與工作台接近直到晶圓的正面接觸於液狀樹脂為止。接著，使液狀樹脂硬化。
藉此，便能藉由具有平坦的表面之樹脂層被覆晶圓的正面。並且，當在工作夾台隔著此樹脂層而吸引保持有晶圓的正面側的狀態下來磨削晶圓的背面側時，不會有對晶圓局部地施加較大的負荷之情形。因此，在此情況下，可以防止電極型樣以及凸塊的損傷。再者，在此情況下，樹脂層的厚度是取決於藉由液狀樹脂被覆晶圓的正面時之保持板與工作台的間隔來決定。
但是，即使將複數個晶圓以相同的製造步驟來製造，以成為所期望的厚度，仍然會有此複數個晶圓的厚度具有偏差之情形。因此，若在沒有因應於晶圓的厚度來變更保持板與工作台的間隔之情形下，如上述地藉由樹脂層來被覆複數個晶圓的每一個的正面，會有在此樹脂層的厚度上也產生偏差之情形。並且，在此情況下，恐有在某些晶圓中，電極型樣以及凸塊因該背面側的磨削而損傷之疑慮。
有鑒於此點，已有以下之方案被提出：在測定出晶圓的厚度後，因應於所測定之厚度，來決定以液狀樹脂被覆晶圓的正面時之保持板與工作台的間隔(參照例如專利文獻1)。藉此，可以抑制被覆複數個晶圓的每一個晶圓的正面之樹脂層的厚度的偏差。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2021-19160號公報
發明欲解決之課題
如上述，晶圓的正面會起因於電極型樣以及凸塊等的存在而具有凹凸形狀。為了藉由預定的厚度之樹脂層來被覆具有像這樣的凹凸形狀之晶圓的正面，必須在樹脂層的形成前，測定晶圓的電極型樣以及凸塊等不存在之區域的厚度。
像這樣的區域，一般而言存在於晶圓的外周緣附近(例如距離外周緣數mm以內)。另一方面，晶圓的外周緣附近，一般會為了防止裂隙的形成而形成倒角。亦即，晶圓的厚度是越接近外周緣會變得越薄。
因此，在樹脂層的形成之前的晶圓的厚度之測定，宜以電極型樣以及凸塊等不存在之區域當中接近於晶圓的中心之部分作為對象來進行。然而，此區域的尺寸(例如，沿著晶圓的徑方向之寬度)會因應於晶圓的種類而不同。
有鑒於此點，本發明之目的在於提供一種樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置，前述樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置可以在不受晶圓的種類影響的情形下，適當地實施用於抑制被覆晶圓的正面之樹脂層的厚度的偏差之晶圓的厚度之測定。 用以解決課題之手段
根據本發明的一個層面，可提供一種樹脂被覆方法，是藉由樹脂層被覆圓板狀的晶圓的正面，前述樹脂被覆方法具備以下步驟： 厚度測定步驟，測定該晶圓的厚度； 保持步驟，以保持板保持該晶圓的背面側； 樹脂供給步驟，將液狀樹脂供給至和該保持板相向之工作台； 接近步驟，使該保持板與該工作台接近，以讓該保持板與該工作台之間隔成為因應於在該厚度測定步驟中所測定出之該晶圓的厚度所決定之間隔；及 硬化步驟，使該液狀樹脂硬化， 該厚度測定步驟具備： 暫置工作台保持步驟，藉由具有保持面，且可以通過該保持面的中心且垂直於該保持面之直線作為旋轉軸而旋轉之暫置工作台，來保持在平面視角下外周緣配置在比該保持面更外側之該晶圓； 檢測步驟，一邊使該暫置工作台、與在垂直於該保持面的方向上相互相向之第1測定器以及第2測定器，沿著平行於該保持面的方向相對地移動，而讓該外周緣上的點通過該第1測定器以及該第2測定器之間的測定位置，一邊使該第1測定器測定該第1測定器以及該晶圓的間隔、或使該第2測定器測定該第2測定器以及該晶圓的間隔，藉此得到測定結果，並參照前述測定結果來檢測該點的座標； 測定步驟，在已將在平面視角下比該點更接近該晶圓的中心預定的距離，且位於該保持面的外側之該晶圓的被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器測定該第1測定器以及該晶圓的間隔，且藉由該第2測定器測定該第2測定器以及該晶圓的間隔；及 厚度計算步驟，藉由從該第1測定器以及該第2測定器之間隔減去以下間隔，來計算該晶圓的厚度：在已將該被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器所測定之該第1測定器以及該晶圓的間隔、與藉由該第2測定器所測定之該第2測定器以及該晶圓的間隔。
較佳的是，在本發明的樹脂被覆方法中更包含以下步驟： 中心計算步驟，從在該檢測步驟中所檢測出的該外周緣上的至少3點的座標來計算該晶圓的中心；及 調整步驟，將要藉由具有吸引該晶圓之吸引墊且搬送該晶圓之搬送單元，從該暫置工作台搬出該晶圓時的該吸引墊的中心點，調整到對應於該晶圓的中心之位置。
根據本發明的其他的層面，可提供一種樹脂被覆裝置，是藉由樹脂層被覆圓板狀的晶圓的正面，前述樹脂被覆裝置具備：厚度測定單元，測定該晶圓的厚度；樹脂被覆單元，藉由該樹脂層來被覆該晶圓的該正面；及控制單元，控制該厚度測定單元以及該樹脂被覆單元， 該厚度測定單元具有：暫置工作台，具有保持該晶圓之保持面，且可以通過該保持面的中心且垂直於該保持面之直線作為旋轉軸而旋轉；第1測定器以及第2測定器，在垂直於該保持面的方向上相互相向；及第1移動機構，使該暫置工作台與該第1測定器以及該第2測定器沿著平行於該保持面之方向相對地移動， 該第1測定器測定以下間隔：該第1測定器與已定位在該第1測定器以及該第2測定器之間的測定位置之該晶圓的間隔， 該第2測定器測定以下間隔：該第2測定器與已定位在該測定位置之該晶圓的間隔， 該樹脂被覆單元具有：保持板，保持該晶圓；工作台，和該保持板相向；樹脂供給源，對該工作台供給液狀樹脂；第2移動機構，調整該保持板與該工作台的間隔；及樹脂硬化器，使該液狀樹脂硬化， 該控制單元具有：驅動部，驅動該第1移動機構，以使在平面視角下外周緣配置在比該保持面更外側之該晶圓的該外周緣上的點通過該測定位置，且驅動該第2移動機構，以使保持該晶圓之該保持板、與供給有該液狀樹脂之該工作台的間隔成為因應於該晶圓的厚度所決定之間隔；檢測部，參照該外周緣上的點通過該測定位置時的該第1測定器或該第2測定器的測定結果，來檢測該點的座標；及厚度計算部，藉由從該第1測定器以及該第2測定器之間隔減去以下間隔，來計算該晶圓的厚度：在已將在平面視角下從該點算起接近該晶圓的中心預定的距離，且位於比該保持面更外側之該晶圓的被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器所測定之該第1測定器以及該晶圓的間隔、與藉由該第2測定器所測定之該第2測定器以及該晶圓的間隔。
較佳的是，在本發明的樹脂被覆裝置中更具備：搬送單元，具有吸引該晶圓之吸引墊，且搬送該晶圓，該控制單元更具有：中心計算部，從藉由該檢測部所檢測出的該外周緣上的至少3點的座標來計算該晶圓的中心；及調整部，將要藉由該搬送單元從該暫置工作台搬出該晶圓時的該吸引墊的中心點，調整到對應於該晶圓的中心之位置。 發明效果
在本發明中，可以使保持晶圓的暫置工作台與第1測定器以及第2測定器沿著平行於暫置工作台的保持面之方向相對地移動。因此，在本發明中，可以在參照第1測定器或第2測定器的測定結果，來檢測出晶圓的外周緣上的點的座標後，測定從這個點算起接近晶圓的中心預定的距離之被測定點上的晶圓的厚度。藉此，在本發明中，可以藉由因應於晶圓的種類來設定該預定的距離，而適當地實施用於抑制被覆晶圓的正面之樹脂層的厚度的偏差之晶圓的厚度之測定。
用以實施發明之形態
參照附圖，說明本發明的實施形態。圖1(A)是示意地顯示晶圓之一例的頂視圖，圖1(B)是示意地顯示晶圓之一例的剖面圖。晶圓11具有大致平行的正面11a以及背面11b，且由例如Si(矽)、SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)、GaAs(砷化鎵)或其他的半導體材料所構成。
此晶圓11的外周緣附近已被倒角。亦即，晶圓11的側面11c已彎曲成朝外側成為凸起。又，在晶圓11的正面11a設定有相互交叉之複數條分割預定線。在被此分割預定線所區劃出的複數個區域13的每一個形成有IC或LSI等的器件。
又，於各器件上設置有和此器件電連接之凸塊15。凸塊15是作為在分割晶圓11而製造出器件的晶片時，使安裝此晶片之印刷配線板等與器件電連接之電極而發揮功能。凸塊15是由例如Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)或Al(鋁)等之金屬材料所構成。
圖2是示意地顯示容置晶圓11的片匣之一例的立體圖。圖2所示之片匣2具有平板狀的頂板4。此頂板4具有如下之形狀：矩形狀的平板的4個角當中相鄰的一對角被倒角，且其餘的一對角以未被倒角的方式留下。並且，在頂板4的位於經倒角之一對的部分之間的端部(後端部)的下側固定有側壁(未圖示)的上端部，前述側壁是在垂直於頂板4的方向(高度方向)上延伸。
又，在頂板4的位於經倒角之部分與未被倒角的角之間的2個端部(左端部以及右端部)的每個端部的下側固定有在高度方向上延伸之側壁6a、6b的上端部。另一方面，在位於頂板4的未被倒角之一對角之間的端部(前端部)的下側則未固定有朝高度方向延伸之側壁。也就是說，頂板4的前端部的下側是開放的。
在側壁6a、6b的內側面，在高度方向上以預定的間隔設置有沿著垂直於高度方向之方向的複數條晶圓支撐溝8。具體而言，設置於側壁6a的內側面之複數條晶圓支撐溝8的每一條設置成和設置於側壁6b的內側面之複數條晶圓支撐溝8的任一條相向。
又，垂直於頂板4以及側壁6a、6b的平面中的晶圓支撐溝8的截面形狀是大致長方形狀。換言之，晶圓支撐溝8具有大致垂直於高度方向的一對內側面、與大致平行於高度方向的底面。並且，在片匣2中，是以晶圓11被放置在晶圓支撐溝8的內側面當中較遠離頂板4之側的狀態來容置晶圓11。
又，側壁6a的下部與側壁6b的下部是透過細長的板狀的連接構件10來連結。再者，對設置於側壁6a的內側面以及側壁6b的內側面之晶圓支撐溝8的數量並無限制。例如，亦可在片匣2設置有和1批份(25片左右)的晶圓11對應之數量的晶圓支撐溝8。
圖3是示意地顯示藉由樹脂層被覆晶圓11的正面11a之樹脂被覆裝置之一例的方塊圖。具體而言，圖3所示之樹脂被覆裝置12是將已容置於片匣2之晶圓11搬出，並在藉由樹脂層被覆其正面11a後，將正面11a已被樹脂層所被覆之晶圓11搬入片匣2。
再者，圖3所示之附加有數字之箭頭，所表示的是藉由樹脂層被覆晶圓11的正面11a時的晶圓11的動作。亦即，在藉由樹脂層被覆晶圓11的正面11a時，以附加在圖3所示之箭頭的數字為遞升次序的方式移動晶圓11。又，樹脂被覆裝置12具有放置片匣2之片匣支撐台(未圖示)。
並且，樹脂被覆裝置12具有從放置於此片匣支撐台的片匣2搬出晶圓11，又，將晶圓11搬入片匣2之搬送單元14。圖4是示意地顯示搬送單元14之一例的立體圖。此搬送單元14具有沿著高度方向延伸之圓柱狀的搬送基台16。
在搬送基台16的內部設置有氣缸等的致動器(未圖示)，前述致動器具有可沿著高度方向移動之活塞桿，且可繞著沿高度方向之旋轉軸旋轉。又，搬送基台16的上表面側設置有供此活塞桿通過之開口。並且，在此活塞桿的上端部連結有搬送臂18。
搬送臂18是具備複數個關節之機械臂。具體而言，搬送臂18具有在垂直於高度方向之方向上延伸之板狀的第1臂部18a。第1臂部18a的一端部的下側以和活塞桿一起移動以及旋轉的方式連結於活塞桿的上端部，又，於其另一端部的上側連結有圓柱狀的第1關節部(未圖示)的下側。
在此第1關節部的上側連結有在垂直於高度方向之方向上延伸之板狀的第2臂部18b。第2臂部18b的一端部的下側是以可繞著沿著高度方向之旋轉軸旋轉的態樣，透過第1關節部連結於第1臂部18a的另一端部的上側，又，在其另一端部的上側連結有圓柱狀的第2關節部18c的下側。
在第2關節部18c的上側連結有在垂直於高度方向之方向上延伸之第3臂部18d。此第3臂部18d的一端部的下側以可繞著沿著高度方向之旋轉軸旋轉的態樣，透過第2關節部18c連結於第2臂部18b的另一端部的上側。
又，在第3臂部18d的上表面的一端側設置有非接觸型感測器20，前述非接觸型感測器20檢測從第3臂部18d觀看，在從第3臂部18d的另一端朝向一端之方向上存在之構造物。非接觸型感測器20為例如具有光投射部與光接收部之光感測器，前述光投射部朝向此方向投射光(例如雷射光束)，前述光接收部接收被構造物所反射之光。
又，在第3臂部18d的內部設置有馬達(未圖示)，前述馬達使可沿著垂直於高度方向之方向旋轉之主軸18e旋轉。此主軸18e通過設置於第3臂部18d的另一端側的側面之開口，且其前端部露出於外部。又，在主軸18e的前端部，透過板狀的連結部18f而連結有吸引墊22之長方體形的基端部。
此外，吸引墊22具有和其基端部一體化之橢圓板狀的部分。具體來說，此部分具有橢圓的長軸變得與主軸18e平行之形式的形狀，又，在此部分從其中心朝向前端設置有線狀之缺口。又，在吸引墊22的橢圓板狀的部分的一面設置有例如複數個吸引孔(未圖示)。
此吸引孔是透過設置於吸引墊22的內部之流路及控制氣體的流動之閥等而連接於噴射器等之吸引源(未圖示)。並且，若吸引源在已將此閥打開之狀態下動作，即在此吸引孔附近的空間產生負壓。
因此，吸引墊22的橢圓板狀的部分的一面是作為吸引保持晶圓11的保持面而發揮功能。又，在搬送單元14中，也可以藉由在以吸引墊22的保持面吸引保持有晶圓11的狀態下使主軸18e旋轉，來讓晶圓11的上下翻轉。亦即，晶圓11可在吸引墊22的上側以及下側的任一側被保持。
此外，搬送基台16連結於已設置在其下方之搬送單元移動機構(未圖示)。此搬送單元移動機構具有例如滾珠螺桿以及馬達等。並且，若此馬達動作，搬送單元14即沿著水平方向移動。
在搬送單元14從片匣2搬出晶圓11時，首先是使搬送單元移動機構動作，以將搬送單元14定位到放置有片匣2之片匣支撐台的附近。接著，為了檢測容置有晶圓11之片匣2的匣層(晶圓支撐溝8的高度)，而一邊使已容置於搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作，一邊使非接觸型感測器20動作。
接著，使已容置於搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作成：使吸引墊22的中心點接近於比所檢測出之片匣2的匣層(晶圓支撐溝8的高度)稍微高或低且和片匣2的側壁6a以及側壁6b的中間對應之位置。再者，吸引墊22的中心點所設想的是在以吸引墊22的保持面吸引保持晶圓11時，晶圓11的中心所在之點。
接著，使連接於已設置在吸引墊22的保持面之吸引孔的吸引源動作。藉此，晶圓11會被吸引墊22的保持面吸引保持。接著，藉由使致動器以及搬送臂18進一步動作，而將晶圓11從片匣2搬出。
如此進行而從片匣2被搬出之晶圓11，可被搬送單元14搬入例如測定晶圓11的厚度之厚度測定單元24。圖5是示意地顯示厚度測定單元24之一例的立體圖。再者，圖5所示之X軸方向(前後方向)以及Y軸方向(左右方向)是在水平面上相互垂直之方向，又，Z軸方向(高度方向)是垂直於X軸方向以及Y軸方向之方向(鉛直方向)。
此厚度測定單元24具有門型的第1支撐構造26。此第1支撐構造26具有在Z軸方向上延伸之一對平板狀的豎立設置部26a、26b、與在Y軸方向上延伸並設置成連接一對豎立設置部26a、26b的上端部之平板狀的搭接設置部26c。
在搭接設置部26c的前表面(正面)側設置有Y軸方向移動機構(第1移動機構)28。此Y軸方向移動機構28具有固定於搭接設置部26c的前表面，且沿著水平方向延伸之一對導軌30。並且，在一對導軌30的前表面(正面)側設置有L字形的移動構件32。
此移動構件32具有在Z軸方向上延伸之豎立設置部32a、與從豎立設置部32a的下端部沿著X軸方向朝前方延伸之工作台支撐部32b。又，此豎立設置部32a的後表面(背面)側以可滑動的態樣連結於一對導軌30的前表面(正面)側。
此外，在一對導軌30之間配置有沿著Y軸方向延伸之螺桿軸34。於此螺桿軸34的豎立設置部26b側的端部連結有用於使螺桿軸34旋轉之馬達36。並且，在螺桿軸34之形成有螺旋狀之溝的表面，設置有容置滾珠之螺帽部(未圖示)，而構成滾珠螺桿，前述滾珠會在旋轉之螺桿軸34的表面滾動。
亦即，當螺桿軸34旋轉時，滾珠會在螺帽部內循環而使螺帽部沿著Y軸方向移動。又，此螺帽部已固定於移動構件32的後表面(背面)側。因此，只要以馬達36使螺桿軸34旋轉，移動構件32即和螺帽部一起沿著Y軸方向移動。
又，在移動構件32的工作台支撐部32b的上表面側設置有圓柱狀的θ工作台38。此θ工作台38是以可以沿著Z軸方向之直線作為旋轉軸來旋轉的態樣而連結於工作台支撐部32b，又，於其上部固定有圓盤狀的暫置工作台40的下部。
暫置工作台40具有例如由不鏽鋼等之金屬材料所構成之圓盤狀的框體42。此框體42具有圓盤狀的底壁、與從此底壁的外周部朝上方延伸之圓環狀的側壁。並且，藉由底壁及側壁而在框體42的上表面側界定出凹部，在此凹部固定有由陶瓷等所構成之圓盤狀的多孔板44。
此外，多孔板44具有平行於X軸方向以及Y軸方向之上表面。又，多孔板44的下表面側已透過框體42、θ工作台38以及形成於工作台支撐部32b的內部之吸引路(未圖示)以及連接於工作台支撐部32b之配管以及閥等，而連接到噴射器等的吸引源(未圖示)。
並且，若在此吸引源已動作之狀態下打開閥，即在多孔板44的上表面附近的空間產生負壓。因此，多孔板44的上表面是作為保持晶圓11之暫置工作台40的保持面而發揮功能。又，此圓形的保持面的直徑(框體42的外徑)是設計成比晶圓11的直徑更短。
此外，θ工作台38已和馬達等的旋轉驅動源(未圖示)連結。並且，當此旋轉驅動源動作時，即以通過暫置工作台40的保持面的中心且平行於Z軸方向之直線作為旋轉軸，使θ工作台38以及暫置工作台40旋轉。
又，在豎立設置部26a的前方設置有第2支撐構造46。此第2支撐構造46具有：豎立設置部46a，設置成在Y軸方向上和暫置工作台40並列；一對搭接設置部46b、46c，從豎立設置部46a的暫置工作台40側的側面的不同高度以朝向暫置工作台40的方式延伸；下方突出部46d，從搭接設置部46b的前端朝向下方突出；及上方突出部46e，從搭接設置部46c的前端朝向上方突出。
再者，下方突出部46d的下表面與上方突出部46e的上表面相面對。又，下方突出部46d的下表面設置在比暫置工作台40的保持面更高的位置。又，上方突出部46e的上表面設置在比暫置工作台40的保持面更低的位置。
並且，在下方突出部46d內置有第1測定器48a，又，在上方突出部46e內置有第2測定器48b。並且，第1測定器48a以及第2測定器48b是設置成在Z軸方向上相互相向。
此第1測定器48a具有例如朝向下方投射雷射光束之光投射部、及接收從下方入射之雷射光束之光接收部。因此，若在將已保持在暫置工作台40之晶圓11的一部分定位在第1測定器48a與第2測定器48b之間的測定位置的狀態下，從第1測定器48a的光投射部投射雷射光束後，此雷射光束會在晶圓11的上表面被反射並被第1測定器48a的光接收部接收。並且，第1測定器48a會依據從光投射部所投射出之雷射光束與被光接收部所接收到之雷射光束的相位差等來測定到晶圓11的距離(第1測定器48a以及晶圓11的間隔)。
同樣地，第2測定器48b具有例如朝向上方投射雷射光束之光投射部、與接收從上方入射之雷射光束之光接收部。因此，若在將已保持在暫置工作台40上之晶圓11的一部分定位在第1測定器48a與第2測定器48b之間的測定位置的狀態下，從第2測定器48b的光投射部投射雷射光束後，此雷射光束會在晶圓11的下表面被反射並被第2測定器48b的光接收部接收。並且，第2測定器48b會依據從光投射部所投射出之雷射光束與被光接收部所接收到之雷射光束的相位差等來測定到晶圓11的距離(第2測定器48b以及晶圓11的間隔)。
於測定第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器到晶圓11的距離時，首先是使搬送單元移動機構動作，以將搬送晶圓11之搬送單元14定位在厚度測定單元24的附近。
接著，使Y軸方向移動機構28動作，以定位在可藉由搬送單元14將晶圓11搬入暫置工作台40的保持面之位置(例如，遠離了第1測定器48a以及第2測定器48b之位置)。
接著，內置在第3臂部18d之馬達使主軸18e旋轉，以使晶圓11朝向下方，亦即在吸引墊22的下側吸引保持晶圓11。
接著，使已容置在搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作，以使吸引墊22的中心點接近於暫置工作台40的保持面的中心。接著，使連接於已設置在吸引墊22的保持面的吸引孔之吸引源的動作停止。
藉此，將晶圓11放置到暫置工作台40的保持面。再者，此保持面的直徑(框體42的外徑)比晶圓11的直徑更短。因此，成為晶圓11的外周緣配置在比暫置工作台40的保持面更外側。
接著，在已使透過閥等而連接於多孔板44的下表面側之吸引源動作之狀態下，打開此閥。藉此，以暫置工作台40的保持面吸引保持晶圓11的中央區域。
接著，使Y軸方向移動機構28動作：以將位於比暫置工作台40的保持面更外側之晶圓11的部分定位在第1測定器48a以及第2測定器48b之間(下方突出部46d的下表面與上方突出部46e的上表面之間)的測定位置。
接著，使第1測定器48a動作來測定第1測定器48a以及晶圓11的間隔，且使第2測定器48b動作來測定第2測定器48b以及晶圓11的間隔。
像這樣進行而測定出自第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器起算之距離的晶圓11，被搬送單元14從厚度測定單元24搬出，並搬入例如藉由樹脂層被覆晶圓11的正面11a之樹脂被覆單元50。圖6是示意地顯示樹脂被覆單元50之一例的立體圖。
樹脂被覆單元50具有長方體形的基台52，前述基台52具有內部空間。在此基台52的上部配置有具有大致平坦的上表面之工作台54，以關閉內部空間。此工作台54是由例如硼酸玻璃、石英玻璃以及透光性氧化鋁等之紫外線可穿透的材料所構成。
並且，在工作台54的上表面，可例如從樹脂供給源(未圖示)供給液狀的紫外線硬化樹脂。再者，對工作台54之紫外線硬化樹脂的供給，亦可在使用片材供給單元(未圖示)將片材設置在工作台54的上表面後進行。亦即，亦可隔著此片材來將紫外線硬化樹脂供給到工作台54上。藉此，可以抑制由紫外線硬化樹脂所造成之工作台54的污染等。
再者，此片材供給單元是例如從兩面平坦的片材被捲繞成捲狀之片材捲材將片材拉出，並以預定的長度來切斷片材，且將所切斷之片材搬送到工作台。又，此片材是由例如聚烯烴以及聚對苯二甲酸乙二酯等之紫外線可穿透的材料所構成。
又，在基台52的內部空間設置有使已供給到工作台54上之紫外線硬化樹脂硬化之樹脂硬化器56。此樹脂硬化器56具有：光源58，照射紫外線；光閘60，設置於工作台54以及光源58之間，且遮擋來自光源58之紫外線；及濾光片(filter)62，遮擋在紫外線硬化樹脂的硬化上不需要的波長之光。
再者，為了抑制基台52的內部空間的溫度上升，在基台52的側壁設置有和排氣泵(未圖示)等連接之排氣管64。具體來說，在樹脂被覆單元50中，伴隨於由光源58所進行之紫外線的照射，而有基台52的內部空間的溫度會上升之疑慮。
在此情況下，有工作台54變形而導致上表面(支撐面)的平坦性降低之疑慮。於是，在樹脂被覆單元50中，可藉由透過排氣管64對基台52的內部空間進行排氣，而抑制基台52的內部空間的溫度上升。
又，在基台52上設置有支撐構造66。此支撐構造66包含從基台52朝上方延伸之豎立設置部66a、與從豎立設置部66a的上端部延伸且位於工作台54的上方之簷部66b。並且，於簷部66b的中央部設置有升降機構(第2移動機構)68。
升降機構68包含以和簷部66b正交的方式貫通簷部66b的中央部而設置之主致動器70、及和主致動器70大致平行地貫通簷部66b而設置之複數個副致動器72。並且，複數個副致動器72是以包圍主致動器70的方式呈大致等間隔地配置。
主致動器70以及複數個副致動器72的每一個具有可沿著高度方向移動之活塞桿(未圖示)。並且，於這些活塞桿的下端部固定有圓盤狀的保持板74。此保持板74在下部具有下表面露出之多孔板(未圖示)。
此多孔板的上表面側已透過主致動器70、形成於支撐構造66以及基台52的內部之吸引路(未圖示)以及連接於基台52的配管以及閥等，而連接到噴射器等的吸引源(未圖示)。
並且，若在此吸引源已動作之狀態下打開閥，即在此多孔板的下表面(保持板74的下表面)附近的空間產生負壓。因此，保持板74的下表面作為吸引保持晶圓11的保持面而發揮功能。
在樹脂被覆單元50中，於藉由樹脂層被覆晶圓11的正面11a時，首先是使搬送單元移動機構動作，以使搬送晶圓11之搬送單元14移動至樹脂被覆單元50的附近。接著，內置於第3臂部18d之馬達使主軸18e旋轉，以使晶圓11的背面11b朝向上方，亦即在吸引墊22的上側吸引保持晶圓11的正面11a側。
接著，使已容置於搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作，以使吸引墊22的中心點接近於保持板74的保持面的中心。接著，使連接於已設置在吸引墊22的保持面之吸引孔的吸引源的動作停止。接著，使連接於保持板74的多孔板的上表面側之吸引源動作。藉此，晶圓11的背面11b側會被保持板74的保持面吸引保持。
接著，使已容置於搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作，以使吸引墊22從保持板74以及工作台54之間退避。接著，對工作台54的上表面供給液狀的紫外線硬化樹脂。再者，對工作台54的上表面側之紫外線硬化樹脂的供給，亦可在將片材設置於工作台54的上表面之後進行。
接著，使升降機構68動作，以使保持板74下降而使晶圓11的正面11a接觸於紫外線硬化樹脂。接著，開啟光閘60。接著，從光源58隔著濾光片62及工作台54來對紫外線硬化樹脂照射紫外線。藉此，接觸於晶圓11的正面11a之紫外線硬化樹脂會硬化。其結果，晶圓11的正面11a被樹脂層被覆。
如此進行而將正面11a已被樹脂層所被覆之晶圓11，藉由搬送單元14從樹脂被覆單元50搬出並搬入片匣2，以例如以和被此樹脂層被覆前容置有晶圓11之片匣2的匣層(晶圓支撐溝8的高度)相同的匣層來容置。
再者，上述之搬送單元14、厚度測定單元24以及樹脂被覆單元50的動作，是藉由內置於樹脂被覆裝置12之控制單元76來控制。圖7是顯示控制單元76之一例的方塊圖。
圖7所示之控制單元76具有例如處理部78與記憶部80，前述處理部78生成用於控制搬送單元14、厚度測定單元24以及樹脂被覆單元50的動作之訊號，前述記憶部80記憶在處理部78中所使用之各種資訊(資料以及程式等)。例如，在記憶部80中，事先記憶有包含於厚度測定單元24之第1測定器48a以及第2測定器48b的間隔、以及被覆晶圓11的正面11a之樹脂層的預定厚度等。
此處理部78的功能可藉由將已記憶在記憶部80之程式讀出並執行之CPU(中央處理單元，Central Processing Unit)等來具體實現。又，記憶部80的功能可藉由DRAM(動態隨機存取記憶體，Dynamic Random Access Memory)、SRAM(靜態隨機存取記憶體，Static Random Access Memory)以及NAND型快閃記憶體等之半導體記憶體、與HDD(硬碟驅動器，Hard Disk Drive)等之磁性記憶裝置的至少一種來具體實現。
處理部78具有驅動部82、檢測部84、厚度計算部86、中心計算部88以及調整部90。在處理部78中，這些功能部以不同時或同時的方式獨立進行處理。
驅動部82控制使搬送單元14移動之搬送單元移動機構、使厚度測定單元24的暫置工作台40移動之Y軸方向移動機構(第1移動機構)28、與使樹脂被覆單元50的保持板74升降之升降機構(第2移動機構)68。例如，驅動部82控制升降機構68，以使吸引保持晶圓11之保持板74的保持面與供給有紫外線硬化樹脂之工作台54的上表面之間隔形成為預定之間隔。
檢測部84是參照厚度測定單元24的第1測定器48a或第2測定器48b的測定結果，來檢測在平行於X軸方向以及Y軸方向之平面(XY座標平面)上的晶圓11的外周緣上的點的座標。例如，檢測部84將無法進行由第1測定器48a或第2測定器48b所進行之到晶圓11的距離之測定的XY座標平面上的座標，檢測為晶圓11的外周緣上的點的座標。
具體而言，第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器朝向晶圓11投射雷射光束，且接收在晶圓11上反射之雷射光束。在此，若將此雷射光束照射在晶圓11的已被倒角之外周緣附近，會朝向和朝向第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器的方向為不同之方向反射。
並且，在此情況下，變得無法進行由第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器所進行之到晶圓11的距離之測定。另一方面，在將此雷射光束投射在晶圓11的平坦的正面11a或背面11b的情況下，會變得可進行由第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器所形成之到晶圓11的距離之測定。
因此，藉由參照使暫置工作台40移動，以使晶圓11的外周緣上的點通過測定位置時之第1測定器48a或第2測定器48b的測定結果，可以檢測晶圓11的外周緣上的點的XY座標平面上之座標。例如，可以將相鄰於可進行到晶圓11的距離之測定的XY座標平面上的座標之無法進行到晶圓11的距離之測定的座標，檢測為晶圓11的外周緣上的點的座標。
厚度計算部86依據第1測定器48a以及第2測定器48b的測定結果來計算晶圓11的厚度。例如，厚度計算部86藉由從已記憶於記憶部80之第1測定器48a以及第2測定器48b的間隔，減去藉由第1測定器48a所測定之第1測定器48a以及晶圓11的間隔、與藉由第2測定器48b所測定之第2測定器48b以及晶圓11的間隔，來測定晶圓11的厚度。
中心計算部88會計算已放置於厚度測定單元24的暫置工作台40的保持面之晶圓11的中心的位置。具體而言，中心計算部88依據藉由檢測部84所檢測出之晶圓11的外周緣上之至少3點的XY座標平面上的座標，來計算晶圓11的中心的位置。
參照圖8來說明此點。圖8是示意地顯示在晶圓11的中心與暫置工作台40的保持面的中心已偏離的狀態下放置於此保持面之晶圓11的頂視圖。再者，在圖8中，為了方便，已將形成於晶圓11的正面11a之凸塊15省略。
又，圖8也可以表現為顯示有以暫置工作台40的保持面的中心作為原點O之XY座標平面。並且，在圖8中，晶圓11的中心是位於已從保持面的中心(原點O)偏離之位置，亦即XY座標平面上的座標(Xc﹐Yc)之位置。
在此，若將晶圓11的外周緣上的3點之XY座標平面上的座標設為(X 1﹐Y 1)、(X 2﹐Y 2)以及(X 3﹐Y 3)，則晶圓11的中心之XY座標平面上的座標(Xc﹐Yc)，可藉由以下的數式1以及數式2來計算。
[數式1] …(數式1)
[數式2] …(數式2)
並且，中心計算部88藉由將由檢測部84所檢測出之晶圓11的外周緣上的至少3點之XY座標平面上的座標之具體的值代入上述之數式1以及數式2，來計算晶圓11的中心之XY座標平面上的座標(Xc﹐Yc)。
調整部90會將要藉由搬送單元14從暫置工作台40搬出晶圓11時之吸引墊22的中心點，調整成對應於晶圓11的中心之位置。亦即，調整部90使已容置在搬送單元14的搬送基台16之致動器以及搬送臂18動作，以使此時的吸引墊22的中心點成為XY座標平面上之座標(Xc﹐Yc)。
圖9是示意地顯示使用樹脂被覆裝置12而藉由樹脂層來被覆晶圓11的正面11a之樹脂被覆方法之一例的流程圖。在此方法中，首先是使用厚度測定單元24來測定晶圓11的厚度(厚度測定步驟：S1)。
圖10是示意地顯示厚度測定步驟(S1)的詳細的順序之一例的流程圖。在此厚度測定步驟(S1)中，首先是藉由暫置工作台40保持晶圓11(暫置工作台保持步驟：S11)。圖11是示意地顯示暫置工作台保持步驟(S11)之情形的側面圖。
在此暫置工作台保持步驟(S11)中，搬送單元14以晶圓11的正面11a朝向上方的方式將晶圓11搬入暫置工作台40。具體而言，首先是搬送單元14以吸引墊22已吸引保持晶圓11的正面11a側之狀態從片匣2搬出晶圓11。
接著，使搬送單元移動機構動作，以將搬送晶圓11之搬送單元14定位到厚度測定單元24的附近。接著，使Y軸方向移動機構28動作，以定位在可藉由搬送單元14將晶圓11搬入暫置工作台40的保持面之位置(例如，遠離了第1測定器48a以及第2測定器48b之位置)。
接著，以晶圓11的背面11b已朝向下方之狀態，亦即以在吸引墊22的下側吸引保持有晶圓11的正面11a側之狀態，使搬送單元14動作成使吸引墊22的中心點接近於暫置工作台40的保持面的中心。接著，使連接於已設置在吸引墊22的保持面之吸引孔的吸引源的動作停止。
藉此，將晶圓11的背面11b側放置到暫置工作台40的保持面。再者，此保持面的直徑(框體42的外徑)比晶圓11的直徑更短。因此，成為晶圓11的外周緣配置在比暫置工作台40的保持面更外側。
接著，在已使透過閥等而連接於暫置工作台40的多孔板44的下表面側之吸引源動作之狀態下，打開此閥。藉此，晶圓11的背面11b的中央區域可被暫置工作台40的保持面吸引保持。藉由以上，暫置工作台保持步驟(S11)即完成。
在此暫置工作台保持步驟(S11)後，參照第1測定器48a或第2測定器48b之測定結果，來檢測晶圓11的外周緣上的點的座標(檢測步驟：S12)。圖12是示意地顯示檢測步驟(S12)之情形的側面圖。
在此檢測步驟(S12)中，首先開始來自第1測定器48a之雷射光束L1的投射或來自第2測定器48b之雷射光束L2的投射。接著，Y軸方向移動機構28使暫置工作台40沿著Y軸方向移動，以使晶圓11的外周緣上的點通過第1測定器48a以及第2測定器48b之間的測定位置。
亦即，在檢測步驟(S12)中，可取得以下之測定結果：包含在測定位置上不存在晶圓11之狀態、晶圓11的外周緣存在之狀態、以及比晶圓的外周緣更內側的部分存在之狀態的每一個狀態下之第1測定器48a或第2測定器48b的測定值。
在此，若將此雷射光束L1、L2照射於晶圓11的已被倒角之外周緣附近，會朝向和朝向第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器的方向為不同之方向反射。並且，在此情況下，變得無法進行由第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器所進行之到晶圓11的距離之測定。
另一方面，在將此雷射光束投射在晶圓11的平坦的正面11a或背面11b的情況下，會變得可進行由第1測定器48a以及第2測定器48b的每一個測定器所進行之到晶圓11的距離之測定。因此，在檢測步驟(S12)中取得之第1測定器48a或第2測定器48b的測定結果，不僅包含表示到晶圓11的距離之測定值，還包含表示無法測定之情形的錯誤值。
並且，在該測定結果中，將相鄰於可進行到晶圓11的距離之測定的XY座標平面上的座標之無法進行到晶圓11的距離之測定的XY座標平面上的座標，檢測為晶圓11的外周緣上的點的座標。藉由以上，檢測步驟(S12)即完成。
在檢測步驟(S12)後，第1測定器48a會測定第1測定器48a以及晶圓11的間隔，且第2測定器48b會測定第2測定器48b以及晶圓11的間隔(測定步驟：S13)。圖13是示意地顯示測定步驟(S13)之情形的側面圖。
在此測定步驟(S13)中，首先是在平面視角下，將比在檢測步驟(S12)中所檢測出之晶圓11的外周緣上的點更接近晶圓11的中心預定的距離d，且位於暫置工作台40的保持面的外側之晶圓11的被測定點，定位到第1測定器48a以及第2測定器48b之間的測定位置。
接著，第1測定器48a朝向下方投射雷射光束L1，且接收在晶圓11的正面11a反射後之雷射光束L1。同樣地，第2測定器48b朝向上方投射雷射光束L2，且接收在晶圓11的背面11b反射後之雷射光束L2。
藉此，可測定從第1測定器48a到晶圓11的正面11a的距離(第1測定器48a以及晶圓11的間隔)i1、與從第2測定器48b到晶圓11的背面11b的距離(第2測定器48b以及晶圓11的間隔)i2。藉由以上，測定步驟(S13)即完成。
在測定步驟(S13)之後，計算晶圓11的厚度(厚度計算步驟：S14)。具體而言，是控制單元76的厚度計算部86，藉由從已記憶於記憶部80之第1測定器48a以及第2測定器48b的間隔，減去在測定步驟(S13)中所測定出之第1測定器48a以及晶圓11的間隔i1、與第2測定器48b以及晶圓11的間隔i2，來計算晶圓11的厚度。
藉由以上，厚度測定步驟(S1)即完成。在厚度測定步驟(S1)之後，使用樹脂被覆單元50而藉由樹脂層來被覆晶圓11的正面11a。具體而言，首先是使用片材供給單元將片材放置於樹脂被覆單元50的工作台54(片材載置步驟：S2)。再者，亦可省略片材載置步驟(S2)。
於此片材載置步驟(S2)之後，以保持板74保持晶圓11的背面11b側(保持步驟S3)。具體而言，首先是搬送單元14以吸引墊22已吸引保持晶圓11的正面11a之狀態從暫置工作台40搬出晶圓11。
接著，使搬送單元移動機構動作，以將搬送晶圓11之搬送單元14定位到樹脂被覆單元50的附近。接著，使吸引墊22翻轉，以使晶圓11的背面11b朝向上方，亦即在吸引墊22的上側吸引保持晶圓11的正面11a側。
接著，使搬送單元14動作，以使吸引墊22的中心點接近於保持板74的保持面的中心。接著，使連接於已設置在吸引墊22的保持面的吸引孔之吸引源的動作停止。接著，使連接於保持板74的多孔板的上表面側之吸引源動作。藉此，晶圓11的背面11b側被保持板74的保持面吸引保持。
在此保持步驟(S3)之後，使搬送單元14動作，以使吸引墊22從保持板74以及工作台54之間退避。並且，從樹脂供給源對工作台54的上表面供給液狀的紫外線硬化樹脂(樹脂供給步驟：S4)。再者，此樹脂供給步驟(S4)亦可在保持步驟(S3)之前進行。
在保持步驟(S3)以及樹脂供給步驟(S4)之後，使保持板74與工作台54接近(接近步驟：S5)。此時，保持板74與工作台54的間隔是因應於在厚度測定步驟(S1)中所測定出之晶圓11的厚度而決定。例如，此間隔是設為以下之值：等於在厚度測定步驟(S1)中所測定出之晶圓11的厚度、與已記憶於記憶部80之被覆晶圓11的正面11a之樹脂層的預定厚度之和。
在此接近步驟(S5)之後，使液狀的紫外線硬化樹脂硬化(硬化步驟：S6)。具體而言，首先是開啟光閘60。接著，從光源58隔著濾光片62及工作台54來對紫外線硬化樹脂照射紫外線。藉此，接觸於晶圓11的正面11a之紫外線硬化樹脂會硬化。其結果，晶圓11的正面11a被樹脂層所被覆。
在上述之樹脂被覆方法中，可以使保持晶圓11之暫置工作台40沿著Y軸方向移動。因此，在上述之樹脂被覆方法中，可以在參照第1測定器48a或第2測定器48b之測定結果而檢測出晶圓11的外周緣上的點的座標後，測定從此點算起接近晶圓11的中心預定的距離之被測定點上的晶圓11的厚度。藉此，在上述之樹脂被覆方法中，可以藉由因應於晶圓11的種類來設定該預定的距離，而適當地實施用於抑制被覆晶圓11的正面之樹脂層的厚度的偏差之晶圓11的厚度之測定。
此外，在本發明的樹脂被覆方法中，也可以有效率地實施搬入樹脂被覆單元50之晶圓11的對位。在以下，針對此點來說明。首先，在片匣2中，晶圓11已被容置在比晶圓11更寬廣的空間，且有時其中心會從片匣2的水平方向上的中心偏離。
此時，使用搬送單元14從片匣2搬出晶圓11時的吸引墊的中心點與對應於晶圓11的中心之位置會偏離。在像這樣的狀態下，當搬送單元14將晶圓11搬入厚度測定單元24的暫置工作台40的保持面時，晶圓11的中心與暫置工作台40的保持面的中心也會偏離。
相對於此，在上述之樹脂被覆裝置12中，因為暫置工作台40已透過θ工作台38而連結於旋轉驅動源，所以可以檢測晶圓11的外周緣上的複數個點的座標。亦即，可以藉由使暫置工作台40以任意的角度旋轉幾次，並且在各旋轉的前後，進行在上述之檢測步驟(S12)中所進行之動作，來檢測晶圓11的外周緣上的複數個點的座標。
只要可以像這樣來檢測晶圓11的外周緣上的至少3點的座標，即可以如上述，讓控制單元76的中心計算部88計算晶圓11的中心。亦即，本發明的樹脂被覆方法亦可包含中心計算步驟，前述中心計算步驟是從在檢測步驟(S12)中所檢測出之晶圓11的外周緣上的至少3點的座標來計算晶圓11的中心。
並且，只要可以像這樣計算晶圓11的中心，即可以如上述，控制單元76的調整部90將藉由搬送單元14從暫置工作台40搬出晶圓11時的吸引墊22的中心點，調整到對應於晶圓11的中心之位置。亦即，本發明的樹脂被覆方法亦可包含調整步驟，前述調整步驟是將藉由搬送單元14從暫置工作台40搬出晶圓11時的吸引墊22的中心點，調整到對應於晶圓11的中心之位置。
如此，藉由實施中心計算步驟以及調整步驟，在進行搬入樹脂被覆單元50之晶圓11的對位的情況下，毋須在上述之樹脂被覆裝置12設置用於晶圓11的對位之機構。因此，可以抑制樹脂被覆裝置12的製造成本的上升。
又，本發明的樹脂被覆方法即使使用構成要素為和上述之樹脂被覆裝置12不同之樹脂被覆裝置仍然可以實施。例如，亦可沒有包含於樹脂被覆裝置12的厚度測定單元24之第2測定器48b。在此情況下，亦可在控制單元76的記憶部80事先記憶暫置工作台以及第1測定器48a之間隔。
在這樣的樹脂被覆裝置中，可以藉由從已記憶於記憶部80之暫置工作台以及第1測定器48a的間隔，減去藉由第1測定器48a所測定之第1測定器48a以及晶圓11的間隔，來計算晶圓11的厚度。
不過，晶圓11有時會翹曲。亦即，晶圓11的正面11a以及背面11b有時會呈圓弧狀地彎曲。因此，在這種樹脂被覆裝置中，會有無法正確地測定晶圓11的厚度之疑慮。例如，在晶圓11翹曲成晶圓11的正面11a的外周緣附近的位置變得比中心附近的位置更高的情況下，如上述地計算之晶圓11的厚度會變得比實際的晶圓11的厚度更厚。
另一方面，在這樣的樹脂被覆裝置中，可以藉由以具有直徑比晶圓11更長之圓形的保持面的暫置工作台來吸引保持晶圓11，而抑制晶圓11的翹曲。不過，要測定在這樣的暫置工作台中用於吸引保持晶圓11而設置之多孔板的正確的厚度並不容易。因此，即使在這樣的樹脂被覆裝置中，也有無法正確地測定晶圓11的厚度之疑慮。
又，包含於樹脂被覆裝置12的厚度測定單元24之第1測定器48a以及第2測定器48b亦可替換成接觸式的厚度測定器。不過，藉由接觸式的厚度測定器來測定晶圓11的厚度的情況下，會有形成於晶圓11的正面11a之凸塊15等損傷之疑慮。
因此，本發明的樹脂被覆方法宜使用上述之樹脂被覆裝置12來實施。亦即，本發明的樹脂被覆方法宜使用具備如下之厚度測定單元24之樹脂被覆裝置12來實施：具有非接觸式的第1測定器48a以及第2測定器48b、與具有直徑比晶圓11更短之圓形的保持面的暫置工作台40。
又，在本發明的樹脂被覆方法中，亦可在將晶圓11搬入樹脂被覆單元50之前，使晶圓11的正面11a透過膠帶和環狀框架一體化。此膠帶具有直徑比晶圓11更長之膠帶基材、與呈環狀地設置在和晶圓11以及環狀框架相向之膠帶基材的面之黏著層。
並且，此黏著層是設置成貼附於環狀框架的一面、與晶圓11的正面11a的外周緣附近之未設置有凸塊15之區域。亦即，在膠帶基材的和晶圓11的正面11a之設置有凸塊15的區域相向之區域並未設置有此黏著層。
再者，在此情況下，保持板74與工作台54之間隔是設為等於以下之值：在厚度測定步驟(S1)中所測定出之晶圓11的厚度、已記憶於記憶部80之被覆晶圓11的正面11a之樹脂層的預定厚度、與已貼附於晶圓11的正面11a之膠帶的厚度之和。
另外，上述之實施形態之構造及方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，皆可以合宜變更來實施。例如，在本發明的樹脂被覆裝置中，亦可將厚度測定單元24的Y軸方向移動機構28替換為使第1測定器48a以及第2測定器48b沿著Y軸方向移動之Y軸方向移動機構。
亦即，在本發明的樹脂被覆裝置中，只要暫置工作台40、第1測定器48a以及第2測定器48b可以沿著平行於暫置工作台40的保持面的方向相對地移動即可，用於該移動之構成要素並未限定。
同樣地，在本發明的樹脂被覆裝置中，樹脂被覆單元50的升降機構68亦可替換為使工作台54升降之升降機構。亦即，在本發明的樹脂被覆裝置中，只要保持板74與工作台54可以沿著鉛直方向相對地移動即可，用於該移動之構成要素並未限定。
又，在本發明的樹脂被覆方法中，用於在晶圓11的正面11a形成樹脂層之液狀樹脂，並不限定於紫外線硬化樹脂。例如此樹脂亦可替換為熱硬化性樹脂。又，在此情況下，樹脂被覆單元50的樹脂硬化器56亦可替換為加熱器。
2:片匣 4:頂板 6a,6b:側壁 8:晶圓支撐溝 10:連接構件 11:晶圓 11a:正面 11b:背面 11c:側面 12:樹脂被覆裝置 13:區域 14:搬送單元 15:凸塊 16:搬送基台 18:搬送臂 18a:第1臂部 18b:第2臂部 18c:第2關節部 18d:第3臂部 18e:主軸 18f:連結部 20:非接觸型感測器 22:吸引墊 24:厚度測定單元 26:第1支撐構造 26a,26b,32a,46a,66a:豎立設置部 26c,46b,46c:搭接設置部 28:Y軸方向移動機構(第1移動機構) 30:導軌 32:移動構件 32b:工作台支撐部 34:螺桿軸 36:馬達 38:θ工作台 40:暫置工作台 42:框體 44:多孔板 46:第2支撐構造 46d:下方突出部 46e:上方突出部 48a:第1測定器 48b:第2測定器 50:樹脂被覆單元 52:基台 54:工作台 56:樹脂硬化器 58:光源 60:光閘 62:濾光片 64:排氣管 66:支撐構造 66b:簷部 68:升降機構(第2移動機構) 70:主致動器 72:副致動器 74:保持板 76:控制單元 78:處理部 80:記憶部 82:驅動部 84:檢測部 86:厚度計算部 88:中心計算部 90:調整部 d:距離 i1:第1測定器以及晶圓的間隔(從第1測定器到晶圓的正面的距離) i2:第2測定器以及晶圓的間隔(從第2測定器到晶圓的背面的距離) L1,L2:雷射光束 O:原點 S1:厚度測定步驟 S2:片材載置步驟 S3:保持步驟 S4:樹脂供給步驟 S5:接近步驟 S6:硬化步驟 S11:暫置工作台保持步驟 S12:檢測步驟 S13:測定步驟 S14:厚度計算步驟 X,Y,Z:方向 Xc,Yc:座標
圖1(A)是示意地顯示晶圓之一例的頂視圖，圖1(B)是示意地顯示晶圓之一例的剖面圖。 圖2是示意地顯示容置晶圓的片匣之一例的立體圖。 圖3是示意地顯示樹脂被覆裝置之一例的方塊圖。 圖4是示意地顯示搬送單元之一例的立體圖。 圖5是示意地顯示厚度測定單元之一例的立體圖。 圖6是示意地顯示樹脂被覆單元之一例的立體圖。 圖7是示意地顯示控制單元之一例的方塊圖。 圖8是示意地顯示在晶圓的中心與暫置工作台的保持面的中心已偏離的狀態下放置於此保持面之晶圓之一例的頂視圖。 圖9是示意地顯示藉由樹脂層被覆晶圓的正面之樹脂被覆方法之一例的流程圖。 圖10是示意地顯示厚度測定步驟的詳細的順序之一例的流程圖。 圖11是示意地顯示暫置工作台保持步驟之情形的側面圖。 圖12是示意地顯示檢測步驟之情形的側面圖。 圖13是示意地顯示測定步驟之情形的側面圖。
S11:暫置工作台保持步驟
S12:檢測步驟
S13:測定步驟
S14:厚度計算步驟

Claims (4)

  1. 一種樹脂被覆方法，是藉由樹脂層被覆圓板狀的晶圓的正面，前述樹脂被覆方法的特徵在於： 具備以下步驟： 厚度測定步驟，測定該晶圓的厚度； 保持步驟，以保持板保持該晶圓的背面側； 樹脂供給步驟，將液狀樹脂供給至和該保持板相向之工作台； 接近步驟，使該保持板與該工作台接近，以讓該保持板與該工作台之間隔成為因應於在該厚度測定步驟中所測定出之該晶圓的厚度所決定之間隔；及 硬化步驟，使該液狀樹脂硬化， 該厚度測定步驟具備： 暫置工作台保持步驟，藉由具有保持面，且可以通過該保持面的中心且垂直於該保持面之直線作為旋轉軸而旋轉之暫置工作台，來保持在平面視角下外周緣配置在比該保持面更外側之該晶圓； 檢測步驟，一邊使該暫置工作台、與在垂直於該保持面的方向上相互相向之第1測定器以及第2測定器，沿著平行於該保持面的方向相對地移動，而讓該外周緣上的點通過該第1測定器以及該第2測定器之間的測定位置，一邊使該第1測定器測定該第1測定器以及該晶圓的間隔、或使該第2測定器測定該第2測定器以及該晶圓的間隔，藉此得到測定結果，並參照前述測定結果來檢測該點的座標； 測定步驟，在已將在平面視角下比該點更接近該晶圓的中心預定的距離，且位於該保持面的外側之該晶圓的被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器測定該第1測定器以及該晶圓的間隔，且藉由該第2測定器測定該第2測定器以及該晶圓的間隔；及 厚度計算步驟，藉由從該第1測定器以及該第2測定器之間隔減去以下間隔，來計算該晶圓的厚度：在已將該被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器所測定之該第1測定器以及該晶圓的間隔、與藉由該第2測定器所測定之該第2測定器以及該晶圓的間隔。
  2. 如請求項1之樹脂被覆方法，其更包含以下步驟： 中心計算步驟，從在該檢測步驟中所檢測出的該外周緣上的至少3點的座標，來計算該晶圓的中心；及 調整步驟，將要藉由具有吸引該晶圓之吸引墊且搬送該晶圓之搬送單元，從該暫置工作台搬出該晶圓時的該吸引墊的中心點，調整到對應於該晶圓的中心之位置。
  3. 一種樹脂被覆裝置，是藉由樹脂層被覆圓板狀的晶圓的正面，前述樹脂被覆裝置的特徵在於： 具備： 厚度測定單元，測定該晶圓的厚度； 樹脂被覆單元，藉由該樹脂層來被覆該晶圓的該正面；及 控制單元，控制該厚度測定單元以及該樹脂被覆單元， 該厚度測定單元具有： 暫置工作台，具有保持該晶圓之保持面，且可以通過該保持面的中心且垂直於該保持面之直線作為旋轉軸而旋轉； 第1測定器以及第2測定器，在垂直於該保持面的方向上相互相向；及 第1移動機構，使該暫置工作台與該第1測定器以及該第2測定器沿著平行於該保持面之方向相對地移動， 該第1測定器測定以下間隔：該第1測定器與已定位在該第1測定器以及該第2測定器之間的測定位置之該晶圓的間隔， 該第2測定器測定以下間隔：該第2測定器與已定位在該測定位置之該晶圓的間隔， 該樹脂被覆單元具有： 保持板，保持該晶圓； 工作台，和該保持板相向； 樹脂供給源，對該工作台供給液狀樹脂； 第2移動機構，調整該保持板與該工作台的間隔；及 樹脂硬化器，使該液狀樹脂硬化， 該控制單元具有： 驅動部，驅動該第1移動機構，以使在平面視角下外周緣配置在比該保持面更外側之該晶圓的該外周緣上的點通過該測定位置，且驅動該第2移動機構，以使保持該晶圓之該保持板、與供給有該液狀樹脂之該工作台的間隔，成為因應於該晶圓的厚度所決定之間隔； 檢測部，參照該外周緣上的點通過該測定位置時的該第1測定器或該第2測定器的測定結果，來檢測該點的座標；及 厚度計算部，藉由從該第1測定器以及該第2測定器之間隔減去以下間隔，來計算該晶圓的厚度：在已將在平面視角下從該點算起接近該晶圓的中心預定的距離，且位於比該保持面更外側之該晶圓的被測定點定位在該測定位置的狀態下，藉由該第1測定器所測定之該第1測定器以及該晶圓的間隔、與藉由該第2測定器所測定之該第2測定器以及該晶圓的間隔。
  4. 如請求項3之樹脂被覆裝置，其更具備： 搬送單元，具有吸引該晶圓之吸引墊，且搬送該晶圓， 該控制單元更具有： 中心計算部，從藉由該檢測部所檢測出的該外周緣上的至少3點的座標來計算該晶圓的中心；及 調整部，將要藉由該搬送單元從該暫置工作台搬出該晶圓時的該吸引墊的中心點，調整到對應於該晶圓的中心之位置。
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