TWI889415B

TWI889415B - 暫時接著層、多層結構、暫時接著用組成物及裝置的封裝方法

Info

Publication number: TWI889415B
Application number: TW113123535A
Authority: TW
Inventors: 魏銘學; 張修明; 王景平; 林博文
Original assignee: 台虹應用材料股份有限公司
Priority date: 2024-06-25
Filing date: 2024-06-25
Publication date: 2025-07-01
Also published as: CN121203601A; US20250388001A1; JP2026004187A

Abstract

本揭示內容是關於一種暫時接著層、一種多層結構、一種暫時接著用組成物以及一種裝置的封裝方法。暫時接著層於加熱後具有特定的儲存模量。多層結構中的暫時接著層具有特定的複變黏度。暫時接著用組成物包含有特定比例的組成物。所得的暫時接著用組成物具有特定的複變黏度。因此，暫時接著用組成物具有一定的黏著性，且可以遮蔽雷射和具有雷射解黏的功用。裝置的封裝方法包含利用多層結構而形成的裝置。

Description

暫時接著層、多層結構、暫時接著用組成物及裝置的封裝方法

本揭示內容是關於一種暫時接著用組成物、一種暫時接著層、一種多層結構以及一種裝置的封裝方法。

傳統半導體晶圓的製造方法中，通常先在載體晶圓(carrier wafer)上分別形成雷射解黏層、暫時接著層以及金屬犧牲層，然後再將裝置晶圓(device wafer)設置於金屬犧牲層(例如，鈦/銅層)上以進行鍵合(bonding)。金屬犧牲層可阻擋多餘的雷射穿透至上方的裝置晶圓，其用於保護裝置晶圓以避免受損。雷射解黏層用於使載體晶圓與裝置晶圓分離。傳統的雷射解黏層、暫時接著層以及金屬犧牲層分別具有不同的組成物，且須分別以不同的製程而形成，因此，半導體晶圓的製程時間長且製程成本高。

本發明的暫時接著層於加熱後具有特定的儲存模量，因此，在雷射解黏之後，可以使鍵合的裝置晶圓順利剝離。

本發明的多層結構包含前述之暫時接著層。暫時接著層具有特定的複變黏度，因此，對裝置晶圓的填縫能力良好，故可以與裝置晶圓良好地鍵合。多層結構的結構簡單，可方便應用於不同領域的封裝方法。

本發明的暫時接著用組成物同時具有遮蔽雷射、雷射解黏(de-bonding)以及提供黏著性的功效。暫時接著用組成物包含有特定比例的組成物。暫時接著用組成物中的黑色染料影響暫時接著用組成物的光線穿透率，可阻擋多餘的雷射穿透至上方的裝置晶圓，從而達到遮蔽和保護上方的裝置晶圓。暫時接著用組成物中的主樹脂在高溫下的流動性良好，所以對裝置晶圓的填縫能力佳。此外，暫時接著用組成物中的主樹脂具有雷射解黏的功能。暫時接著用組成物中的主樹脂和其他樹脂為暫時接著用組成物提供適當的黏度，從而達到黏著載體晶圓和裝置晶圓之功能。

本發明之裝置的封裝方法包含利用上述多層結構而形成的裝置。由於本發明之單層的暫時接著層同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效，因此，不須經過繁複的製程即可得到包含有上述暫時接著層之裝置，故可以減少製程時間並降低製程成本。

在本發明至少一實施例提供一種暫時接著層。暫時接著層的厚度為2μm至2000μm，暫時接著層於300nm至1064nm的光線穿透率為0.1%至1%，且暫時接著層以50℃至300℃加熱至少10分鐘後，暫時接著層的儲存模量至少為0.1MPa，其中暫時接著層對基板的附著性大於180N/cm²。

在本發明至少一實施例提供一種多層結構。多層結構包含第一離型層、第二離型層以及上述之暫時接著層。暫時接著層設置於第一離型層與第二離型層之間。暫時接著層具有相對設置的第一表面和第二表面，第一表面接觸第一離型層，第二表面接觸第二離型層。暫時接著層的複變黏度不大於940Pa．s。

在本發明至少一實施例中，暫時接著層的吸收波長為308nm至1064nm的光。

本發明至少一實施例提供一種暫時接著用組成物，其用於形成前述之暫時接著層。以暫時接著用組成物的總重量為100重量百分比(wt.%)計，包含30重量百分比至50重量百分比的主樹脂、17重量百分比至40重量百分比的聚烴基樹脂、0.1重量百分比至20重量百分比的黑色染料、0.5重量百分比至4重量百分比的咪唑型硬化劑、0.5重量百分比至5重量百分比的酸酐型硬化劑以及3重量百分比至5重量百分比的環氧樹脂。主樹脂係選自於由醇酸樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂及聚酯樹脂所組成的群組。暫時接著用組成物的複變黏度不大於940Pa．s。

在本發明至少一實施例中，聚酯樹脂的羥基值至少為20mg KOH/g。

在本發明至少一實施例中，聚酯樹脂的分子量至少為5000g/mole。

在本發明至少一實施例中，黑色染料的粒徑為10nm至50nm。

在本發明至少一實施例中，黑色染料的吸收波長為300nm至1064nm。

在本發明至少一實施例所提供的一種裝置的封裝方法包含以下步驟。提供第一元件。提供第二元件。提供上述之多層結構，其中多層結構包含第一離型層、第二離型層及暫時接著層。撕除多層結構的第一離型層，以暴露出暫時接著層的第一表面。在撕除第一離型層之後，執行第一壓合製程，使得暫時接著層的第一表面貼合於第一元件上。在執行第一壓合製程之後，撕除多層結構的第二離型層，以暴露出暫時接著層的第二表面。在撕除第二離型層之後，執行第二壓合製程，使得暫時接著層的第二表面貼合於第二元件上，以獲得裝置。

在本發明至少一實施例中，第一壓合製程的壓合壓力為0.5kg/cm²至100kg/cm²，第一壓合製程的壓合溫度為100℃至350℃，且第一壓合製程的壓合時間為10秒至200分鐘。

在本發明至少一實施例中，第二壓合製程的壓合壓力為0.5kg/cm²至100kg/cm²，第二壓合製程的壓合溫度為100℃至250℃，且第二壓合製程的壓合時間為10秒至200分鐘。

100:多層結構

110:第一離型層

120:第二離型層

130:暫時接著層

200:方法

210,220,230,240,250,260,270,280:步驟

310:第一元件

320:第二元件

s1:第一表面

s2:第二表面

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可以最好地理解本揭示內容的各個態樣。應了解的是，根據行業中的標準實踐，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了清楚起見，可以任意增加或減小各種特徵的尺寸。

圖1為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示的多層結構之示意圖。

圖2為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示的裝置的封裝方法之流程圖。

圖3A至圖3C為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示封裝第一元件與第二元件於各步驟中之示意圖。

以下揭示提供許多不同實施方式或實施例，用於實現本揭示內容的不同特徵。以下敘述部件與佈置的特定實施方式，以簡化本揭示內容。這些當然僅為實施例，並且不是意欲作為限制。舉例而言，在隨後的敘述中，第一特徵在第二特徵上方或在第二特徵上的形成，可包括第一特徵及第二特徵形成為直接接觸的實施方式，亦可包括有另一特徵可形成在第一特徵及第二特徵之間，以使得第一特徵及第二特徵可不直接接觸的實施方式。

除此之外，空間相對用語如「下面」、「下方」、「低於」、「上面」、「上方」及其他類似的用語，在此是為了方便描述圖中的一個元件或特徵和另一個元件或特徵的關係。空間相對用語除了涵蓋圖中所描繪的方位外，該用語更涵蓋裝置在使用或操作時的其他方位。該裝置可以其他方位定向(旋轉90度或在其他方位)，並且本文使用的空間相對描述同樣可以相應地解釋。

將理解的是，儘管這裡可以使用「第一」、「第二」等術語來描述各種元件，但是這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區分開來。例如，在不脫離實施方式的範疇的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，並且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。

雖然下文中利用一系列的操作或步驟來說明在此揭示之方法，但是這些操作或步驟所示的順序不應被解釋為本揭示內容的限制。例如，某些操作或步驟可以按不同順序進行及/或與其它步驟同時進行。此外，並非必須執行所有繪示的操作、步驟及/或特徵才能實現本揭示內容的實施方式。此外，在此所述的每一個操作或步驟可以包含數個子步驟或動作。

本案的暫時接著層同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。本文所指之「遮蔽雷射」係指雷射光照射暫時接著層時，暫時接著層可以阻擋一部分的雷射光，使得遠離雷射光照射面的裝置晶圓得以保護並免於受損。本文所指之「雷射解黏(de-bonding)」係指暫時接著層照射雷射光之後，暫時接著層因化學反應而失去黏性，使得下層的載體晶圓與裝置晶圓得以分離。

本案的暫時接著層可應用於製作或封裝半導體裝置或是顯示器裝置。換言之，在不須傳統的金屬犧牲層以及雷射解黏層的情況下，本案單層的暫時接著層同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。詳細來說，相較於傳統製作半導體裝置或是顯示器裝置的方法，本案製作半導體裝置或是顯示器裝置的方法不須另外形成傳統的金屬犧牲層以及雷射解黏層，因此本案的方法可以減少製程時間並降低製程成本。

圖1為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示的多層結構100之示意圖。多層結構100包含第一離型層110、第二離型層120以及暫時接著層130。暫時接著層130設置於第一離型層110與第二離型層120之間。暫時接著層130具有相對設置的第一表面s1和第二表面s2。暫時接著層130的第一表面s1接觸第一離型層110，且暫時接著層130的第二表面s2接觸第二離型層120。暫時接著層130夾置於第一離型層110與第二離型層120之間。

在一些實施例中，暫時接著層130的厚度為2μm至2000μm，例如5、10、100、150、200、250、300、500、1000、1500或1800μm。當暫時接著層130的厚度小於2μm或大於2000μm時，暫時接著層130無法同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。

在一些實施例中，暫時接著層130於300nm至1064nm的光線穿透率為0.1%至1%，例如0.3%、0.5%或0.8%。當暫時接著層130的光線穿透率大於1%時，無法保護裝置晶圓免於受損。當暫時接著層130的光線穿透率小於0.1%時，代表黑色染料的添加量太多，所以暫時接著層130的粗糙度高、黏著性差、且於高溫軟化時的填縫能力差。黑色染料的作用將於下方詳細描述。需說明的是，本文所指之「填縫能力」係指填滿裝置晶圓上的高低段差結構(例如，切割道)之能力，其中填縫能力良好代表暫時接著用組成物(將於下方詳細描述)可以填滿裝置晶圓上的高低段差結構。

在一些實施例中，暫時接著層130以50℃至300℃加熱10分鐘以上之後，暫時接著層130的儲存模量(storage modulus)至少為0.1MPa，例如1、5、10或12MPa。暫時接著層130如果於受熱(例如，壓合)後沒有具有一定的剛性，在雷射照射過程中，暫時接著層130會產生流動(即，回流)，進而回黏裝置晶圓，而無法使鍵合的裝置晶圓剝離。因此，當暫時接著層130的儲存模量小於0.1MPa時，會使得暫時接著層130經雷射照射後無法順利與裝置晶圓剝離，而有殘膠黏在裝置晶圓上。

在一些實施例中，暫時接著層130對基板的附著性大於180N/cm²。當暫時接著層130對基板的附著性小於180N/cm²時，無法充分黏著裝置晶圓與載體晶圓。換言之，暫時接著層130對基板的附著性大於180N/cm²時，有利於後續製程。在一些具體例中，暫時接著層130對銅(Cu)基板的附著性大於180N/cm²，例如約300N/cm²。在一些具體例中，暫時接著層130對玻璃基板的附著性大於180N/cm²，例如約193N/cm²。在一些具體例中，暫時接著層130對聚醯亞胺(polyimide；PI)基板的附著性大於180N/cm²，例如約358N/cm²。在一些實施例中，暫時接著層130對矽基板的附著性大於180N/cm²，例如約268N/cm²。

在一些實施例中，暫時接著層130的複變黏度(complex viscosity)不大於940Pa．s，例如20、30、100、200、300、400、500、600、700、800或900Pa．s。在一具體例中，當複變黏度小於500Pa．s時，可以填滿裝置晶圓中2微米的線寬。當複變黏度大於940Pa．s時，對裝置晶圓的填縫能力差，因此無法填滿裝置晶圓的高低段差結構，從而無法與裝置晶圓良好地鍵合。

在一些實施例中，暫時接著層130的玻璃轉化溫度(Tg)為80℃至200℃。當玻璃轉化溫度小於80℃時，暫時接著層130的黏度過高，不利於例如對位等製程製造。當玻璃轉化溫度大於200℃時，暫時接著層130 的於高溫軟化時的流動性不佳，使得填縫能力變差，從而無法起到黏著裝置晶圓與載體晶圓之作用。

在一些實施例中，暫時接著層130之損失1重量百分比的熱裂解溫度(Td1)大於330℃，例如333℃。當Td1小於330℃時，會因耐熱性不足而於製程期間(例如回爐焊錫、化學氣相沉積)發生裂解，導致爆板。

在一些實施例中，暫時接著層130的吸收波長為308nm至1064nm的光，例如355nm、532nm。當暫時接著層130的吸收波長介於上述範圍時，暫時接著層130可以同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。

本發明提供一種暫時接著用組成物，其中暫時接著用組成物用於形成前述之暫時接著層130。以暫時接著用組成物的總重量為100重量百分比計，包含30重量百分比至50重量百分比的主樹脂、17重量百分比至40重量百分比的聚烴基樹脂、0.1重量百分比至20重量百分比的黑色染料、0.5重量百分比至4重量百分比的咪唑型硬化劑、0.5重量百分比至5重量百分比的酸酐型硬化劑以及3重量百分比至5重量百分比的環氧樹脂。

在一些實施例中，主樹脂係選自於由醇酸樹脂、酚醛樹脂、丙烯酸樹脂及聚酯樹脂所組成的群組。在一些實施例中，丙烯酸樹脂可例如為季戊四醇三丙烯酸酯(公司名稱：長興材料，牌號：ETERMER 235)。在一些實施例中，聚酯樹脂可例如為包含有苯環的聚酯樹脂(公司名稱：安鋒，牌號：HE558/40(於表一至表三中簡稱「HE-558」)，分子量18000)、聚酯樹脂(公司名稱：安鋒，牌號：HE554/40(於表一中簡稱「HE-554」))、聚酯多元醇樹脂(公司名稱：三洋化成，牌號：SANNIX KC-229(於表一中簡稱「KC-229」)，分子量5000)。在一些實施例中，聚酯樹脂的羥基值至少為20mg KOH/g，例如25、30、35或40mg KOH/g。在一些實施例中，主樹脂包含具有苯環結構的化合物。主樹脂中的苯環在紫外光範圍內(例如，220nm至400nm)具有吸收峰值。苯環在吸收能量時會產生自由基，使得官能基斷鍵，從而達到雷射解黏的功能。另一方面，在雷射高溫下，主樹脂的連續相會被弱化而局部裂解，從而達到雷射解黏的功能。換句話說，暫時接著用組成物中的主樹脂具有雷射解黏的功能。

在一些實施例中，主樹脂為熱塑性樹脂。本案的主樹脂之高溫流動性良好，所以對裝置晶圓的填縫能力良好，故暫時接著用組成物可以與裝置晶圓良好地鍵合。在一些實施例中，暫時接著用組成物的複變黏度不大於940Pa．s，例如20、30、100、200、300、400、500、600、700、800或900Pa．s。需說明的是，本文所指之「高溫流動性」係指暫時接著用組成物於高溫時具有一定的複變黏度，而具有一定程度的流動性。

在一些實施例中，聚酯樹脂的分子量至少為5000g/mole，例如約15000g/mole或約20000g/mole。當聚酯樹脂的分子量小於5000g/mole時，因高溫下暫時接著用組成物的複變黏度與分子量大小呈反向關係，會不利於窄細線寬晶圓結構的填縫，同時暫時接著用組成物的黏著性不佳，使得暫時接著用組成物無法適當地黏接載體晶圓和裝置晶圓。此外，當聚酯樹脂的分子量小於5000g/mole時，因其具有較高的玻璃轉移溫度(Tg)，在製程期間會需要更高溫的壓合條件，容易因熱膨脹係數不匹配而導致晶圓翹曲。

在一些實施例中，暫時接著用組成物包含35、40或45重量百分比的主樹脂。當主樹脂含量小於30重量百分比時，會使暫時接著用組成物的剛性過高，其與裝置晶圓或載體晶圓之間的附著力不足，於製程期間彼此容易分離，且高溫流動性較差，不利填充於裝置晶圓的高低段差結構。當主樹脂含量大於50重量百分比時，暫時接著用組成物會於裝置晶圓周圍產生膠體沾黏，而使裝置晶圓與載體晶圓無法分離。

暫時接著用組成物中的聚烴基樹脂為暫時接著用組成物提供材料交聯反應後的剛性，以提升所製得之暫時接著層於製程期間經壓合後的尺寸安定性。另外，於一些實施例中，因聚烴基樹脂具有可與主樹脂的羥基(-OH基)反應而形成聚氨酯鍵結的官能基(例如異氰酸酯官能基)，可與鹼性洗液產生反應，於雷射解黏製程後，易於清洗。在一些實施例中，聚烴基樹脂可例如為安鋒實業股份有限公司生產的REXIN1973/900(牌號)。在一些實施例中，鹼性洗液對本發明的暫時接著層的剝蝕速度為2.5 μm/min至5.1μm/min。在一些實施例中，暫時接著用組成物包含20、25、30或35重量百分比的聚烴基樹脂。當聚烴基樹脂含量小於17重量百分比時，會大幅降低鹼性洗液對暫時接著層的剝蝕速度。當聚烴基樹脂含量大於40重量百分比時，暫時接著用組成物於高溫時的複變黏度過高，從而影響對裝置晶圓的填縫能力以及暫時接著層對基板(例如銅基板)之附著性。

暫時接著用組成物中的黑色染料為暫時接著層提供遮蔽雷射的功能，使得暫時接著層的光線穿透率為0.1%至1%。詳細來說，暫時接著層用於鍵合載體晶圓與裝置晶圓。換句話說，暫時接著層設置於載體晶圓與裝置晶圓之間。包含有載體晶圓、暫時接著層以及裝置晶圓之結構用於進行裝置晶圓的製程。然後，在完成裝置晶圓的製程之後，需從載體晶圓側進行照射雷射光(即，雷射解黏)，以得到分離的裝置晶圓，此時包含有黑色染料的暫時接著層可以保護裝置晶圓，使得裝置晶圓免於受到雷射照射而損壞。

需說明的是，黑色染料的添加會增加暫時接著用組成物的粗糙度，使得暫時接著用組成物與底材(例如，載體晶圓)接觸面積變小，進而影響暫時接著層的黏著性。換言之，黑色染料的遮蔽能力與粗糙度呈反比關係。詳細來說，當添加越多的黑色染料，對裝置晶圓的遮蔽能力越好，但暫時接著用組成物的粗糙度越高，所以暫時接著用組成物對裝置晶圓的黏著性越差。反之，當添加越少的黑色染料，對裝置晶圓的遮蔽能力越差，但暫時接著用組成物的粗糙度越低，所以暫時接著用組成物對裝置晶圓的黏著性越好。此外，黑色染料的添加也會影響暫時接著用組成物於高溫軟化時的填縫能力。詳細來說，隨著黑色染料添加量的提高，暫時接著用組成物於高溫軟化時的填縫能力會變差。因此，需添加適量的黑色染料，使得暫時接著用組成物具有適當的黏著性和填縫能力。

在一些實施例中，暫時接著用組成物包含0.2、0.5、0.8、1、3.5、3.9、4、6、8、10、12、14、16或18重量百分比的黑色染料。當黑色染料含量小於0.1重量百分比時，暫時接著用組成物所製得之暫時接著層的遮蔽能力不足以保護裝置晶圓免於受損。當黑色染料含量大於20重量百分比時，雖然可以保護裝置晶圓免於受損，但是暫時接著用組成物的粗糙度提升，會降低暫時接著層對基板的附著性，從而無法充分黏著裝置晶圓與載體晶圓；同時亦會影響暫時接著層的總厚度變化(Total Thickness Variation；TTV)，即平整性，不利操作(例如，增加晶粒對位異常的風險)。

在一些實施例中，黑色染料可例如為碳黑。在一些實施例中，黑色染料的粒徑為10nm至50nm，例如20、30或40nm。當黑色染料的粒徑小於10nm時，因其具有較大的表面積，分散於暫時接著用組成物中時會有團聚的問題產生。黑色染料的粒徑大於50nm時，因粒徑增加而受重力的影響增大會有沉降的問題產生。

在一些實施例中，黑色染料的吸收波長為300nm至1064nm。當黑色染料的吸收波長介於上述範圍時，暫時接著用組成物可以同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。

咪唑型硬化劑的添加可以與暫時接著用組成物中的環氧樹脂進行交聯反應以調整未完全交聯(B-Stage)狀態下表面的黏著性(g/cm²)。在一些實施例中，暫時接著用組成物包含0.8、1、2或3重量百分比的咪唑型硬化劑。當咪唑型硬化劑含量小於0.5重量百分比時，未熟化前的暫時接著用組合物有較高的黏著性，於製程期間若裝置晶圓與載體晶圓於對位時不慎接觸容易發生沾黏，增加操作困難。當咪唑型硬化劑含量大於4重量百分比時，過量的咪唑型硬化劑會使暫時接著層的熱裂解溫度小於330℃，而未參與反應的咪唑型硬化劑於高溫製程中會氣化而導致爆板。

酸酐型硬化劑的添加可以增加暫時接著用組成物的交聯程度以提高耐熱性。在一些實施例中，暫時接著用組成物包含0.8、1、2、3或4的酸酐型硬化劑。當酸酐型硬化劑含量小於0.5重量百分比時，暫時接著用組成物的交聯程度不足，於製程期間容易發生爆板。當酸酐型硬化劑含量大於5重量百分比時，過量的酸酐型硬化劑未參與反應，導致暫時接著層的熱裂解溫度小於330℃。

環氧樹脂的添加可以調節暫時接著用組成物未完全熟化的表面黏著性，並可降低暫時接著用組成物於熟化後的流動性。在一些實施例中，暫時接著用組成物包含3.5、4或4.5重量百分比的環氧樹脂。當環氧樹脂含量小於3重量百分比時，會使暫時接著用組成物未熟化前的黏著性過高，於製程期間若裝置晶圓與載體晶圓於對位時不慎接觸容易造成沾黏，增加操作困難性。此外，若環氧樹脂添加量不足時，於製程期間所產生的熱會使經熟化後的暫時接著層產生流動性，不易分離載體晶圓與裝置晶圓。當環氧樹脂含量大於5重量百分比時，暫時接著層的熱裂解溫度會小於330℃，在製程期間會因耐熱性不足而發生爆板。

請參考圖1，在一些實施例中，暫時接著層130的第一表面s1直接接觸第一離型層110，且暫時接著層130的第二表面s2直接接觸第二離型層120。換言之，暫時接著層130與第一離型層110之間沒有其他層結構，且暫時接著層130與第二離型層120之間沒有其他層結構。

圖2為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示的裝置的封裝方法200之流程圖。圖3A至圖3C為根據本揭示內容之一些實施方式所繪示封裝第一元件與第二元件於各步驟中之示意圖。

裝置的封裝方法200包含以下步驟。請參考圖2的步驟210和圖3A，提供第一元件310。第一元件310可例如是載體晶圓。舉例而言，載體晶圓可為玻璃基板、矽基板、有機基板或無機基板，但不限於此。

請參考圖2的步驟220和圖3C，提供第二元件320。第二元件320可例如是裝置晶圓。舉例而言，裝置晶圓可為具有固態膜封材料的積體電路基板或具有陣列銅柱結構的積體電路基板，但不限於此。固態膜封材料可例如為環氧樹脂模製化合物(epoxy molding compound；EMC)。

請參考圖2的步驟230和圖1，提供多層結構100。

請參考圖2的步驟240和圖1，撕除多層結構100的第一離型層110，以暴露出暫時接著層130的第一表面s1。

請參考圖2的步驟250和圖1，在撕除第一離型層110之後，執行第一壓合製程，使得暫時接著層130的第一表面s1貼合於第一元件310(請參考圖3A)上。

在一些實施例中，第一壓合製程的壓合壓力為0.5kg/cm²至100kg/cm²，例如1、10、20、50或80kg/cm²。在一些實施例中，第一壓合製程的壓合溫度為100℃至350℃，例如150℃、200℃、250℃或300℃。在一些實施例中，第一壓合製程的壓合時間為10秒至200分鐘，例如30秒、1分鐘、10分鐘、50分鐘、100分鐘或150分鐘。當壓合壓力、壓合溫度以及壓合時間介於上述範圍時，可使暫時接著層130黏著於第一元件310上，而不會有平整性不足，或因貼合不均使暫時接著層130與第一元件310之間存在空隙，導致於高溫製程中因氣體膨脹而使兩者發生分離的情形。

請參考圖2的步驟260中、圖1和圖3B，在執行第一壓合製程之後，撕除多層結構100的第二離型層120，以暴露出暫時接著層130的第二表面s2。

請參考圖2的步驟270、280、圖1和圖3C，在撕除第二離型層120之後，執行第二壓合製程，使得暫時接著層130的第二表面s2貼合於第二元件320上，以獲得裝置。可以理解的是，裝置為暫時接著層130夾置於第一元件310和第二元件320之間的三明治結構，其中暫時接著層130為單層的暫時接著層，如圖3C所示。本文的「裝置」可例如為半導體裝置或是顯示器裝置。

在一些實施例中，第二壓合製程的壓合壓力為0.5kg/cm²至100kg/cm²，例如1、10、20、50或80kg/cm²。在一些實施例中，第二壓合製程的壓合溫度為100℃至250℃，例如150℃或200℃。在一些實施例中，第二壓合製程的壓合時間為10秒至200分鐘，例如30秒、1分鐘、10分鐘、50分鐘、100分鐘或150分鐘。當壓合壓力、壓合溫度以及壓合時間介於上述範圍時，可使暫時接著層130黏著於第二元件320上，而不會有平整性不足，或因貼合不均使暫時接著層130與第二元件320之間存在空隙，導致於高溫製程中因氣體膨脹而使兩者發生分離的情形。

在一些實施方式中，在形成如圖3C的裝置之後，可選擇性地對第二元件320進行晶圓製作。在完成晶圓製作之後，可選擇性地對圖3C的裝置進行雷射解黏步驟，使得第二元件320從裝置中分離。本文所指之「雷射解黏」係指對裝置的第一元件310側照射雷射，使得暫時接著層130斷鍵，從而分離第二元件320。

利用上述如圖1和圖2的實施方式，可將本案的暫時接著層130利用貼合的方式設置於第一元件310上。然而，在其他實施方式中，可利用旋轉塗佈的方式將本案的暫時接著用組成物塗佈於第一元件310上。

請參下方表一至表三，其利用實驗例1至18和比較例1至12以說明本發明之應用，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。

實驗例1

在實驗例1中，暫時接著用組成物包含30重量百分比的主樹脂、25重量百分比的聚烴基樹脂、10重量百分比的黑色染料、4重量百分比的環氧樹脂、1重量百分比的咪唑型硬化劑以及1重量百分比的酸酐型硬化劑，其中主樹脂為HE-558，且黑色染料為碳黑。所得的暫時接著用組成物之評價結果如下方表一所示。

實驗例2至實驗例18及比較例1至比較例12

實驗例2至18及比較例1至12之暫時接著用組成物以及評價結果請參下方表一、表二和表三，其中表三列出黑色染料的粒徑。須說明的是，實驗例2至18及比較例1至12的組成物中的黑色染料皆為碳黑。

評價方式

1.雷射後是否能解黏

本發明之此處所稱之雷射後是否能解黏係採波長為355nm的二極體泵浦固態雷射(Diode-Pumped Solid-State Laser，DPSS Laser)，固定雷射源與基板間的距離為1500mm，於光斑大小為65μm、間距為48μm以及功率為2.0W條件下進行試驗，以量測實驗例1至15及比較例1至10之暫時接著用組成物於雷射後是否能解黏，測量結果如下方表一和表二所示。

2.雷射後裝置晶圓是否損傷

本發明之此處所稱之雷射後裝置晶圓是否損傷係以上述方式進行雷射解黏之後，以光學顯微鏡觀察裝置晶圓表面是否受損。實驗例1至18及比較例1至12之測量結果如下方表一至表三所示。

3.對Cu基板附著性之試驗

本發明之此處所稱之對Cu基板附著性係依循MIL-STD-883(Method 2027)，使用鉚釘檢測暫時接著用組成物對銅基板表面的附著力，裁切4cm x 4cm之蒸鍍銅基板，使用真空快壓機將暫時接著用組成物所製得之膜層貼合於銅基板上以製備樣品。隨後使用夾具將鉚釘固定於樣品表面，並放置於160℃的烘箱中加熱1小時使鉚釘面上的環氧膠軟化，接著取下夾具，並以4.0N/sec 的拉力檢測鉚釘使暫時接著用組成物與銅基板表面分離所需之條件，藉以量測實驗例1至18及比較例1至12之暫時接著用組成物於對Cu基板附著性，單位為N/cm²，測量結果如下方表一至表三所示。

4.鹼性洗液之剝蝕速率之試驗

本發明之此處所稱之鹼性洗液之剝蝕速率係利用真空快壓機將暫時接著層貼合於玻璃基板上，並放置於無氧烘箱中完全熟化，隨後以含有濃度為2.38% TMAH的鹼性洗液在溫度為60℃的條件下量測實驗例1至15及比較例1至10之暫時接著用組成物於鹼性洗液之剝蝕速率，單位為μm/min，測量結果如下方表一和表二所示。

5.複變黏度之試驗

本發明之此處所稱之複變黏度係使用HR-2迴旋式流變儀(廠牌：TA)以ASTM D4440方法進行試驗，以量測實驗例1至15及比較例1至10之暫時接著用組成物的複變黏度，單位為Pa.s，測量結果如下方表一和表二所示。

6.未完全熟化前之表面黏著性之試驗

本發明之此處所稱之未完全熟化前之表面黏著性係參考ASTM D3330測試方法以角度為180°對上貼合膜(例如離型膜)與暫時接著用組成物之表面黏著力進行試驗，以量測實驗例1至15及比較例1至10之暫時接著用組成物未完全熟化前之表面黏著性，單位為g/cm²，測量結果如下方表一和表二所示。

7.1%熱裂解溫度(Td1)之試驗

本發明之此處所稱之1%熱裂解溫度係透過熱重分析儀(TGA，廠牌：TA，型號：Q-500)並採用ASTME2550-21方法進行分析。將樣品重量範圍固定於5至10mg並於氮氣(N₂)氣氛下以每分鐘10℃的升溫速率進行試驗，以量測實驗例1至15及比較例1至10之暫時接著用組成物的1%熱裂解溫度，單位為℃，測量結果如下方表一和表二所示。

表一

從比較例1可知，當主樹脂含量小於30重量百分比時，由暫時接著用組成物形成的暫時接著層對銅基板的附著性太低，無法充分黏著裝置晶圓與載體晶圓。此外，因主樹脂含量不足，暫時接著用組成物的複變黏度過高，導致填縫能力不佳。從比較例2可知，當主樹脂含量大於50重量百分比時，暫時接著用組成物會於裝置晶圓周圍產生膠體沾黏，於雷射解黏製程後裝置晶圓與載體晶圓仍無法分離。

從比較例3可知，當聚烴基樹脂含量小於17重量百分比時，則暫時接著劑組成物的剝蝕速率較慢，即較不易被鹼性溶液所移除。從比較例4可知，當聚烴基樹脂含量大於40重量百分比時，暫時接著用組成物於高溫時的複變黏度過高，從而影響對裝置晶圓的填縫能力以及暫時接著層對銅基板之附著性(例如，低於180N/cm²)。

從比較例5可知，當環氧樹脂含量小於3重量百分比時，會使暫時接著用組成物未熟化前的黏著性過高(例如，大於2.3g/cm²)，於製程期間若裝置晶圓與載體晶圓於對位時不慎接觸容易造成沾黏，增加操作困難性。此外，若環氧樹脂添加量不足時，於製程期間所產生的熱會使經熟化後的暫時接著用組成物產生流動性，於雷射解黏製程後載體晶圓與裝置晶圓仍會回黏而無法分離。從比較例6可知，當環氧樹脂含量大於5重量百分比時，過量的環氧樹脂小分子與硬化劑無法完全反應，導致熱裂解溫度會小於330℃，於製程期間容易有爆板情形發生。

從比較例7和9可知，當咪唑型硬化劑含量小於0.5重量百分比或酸酐型硬化劑含量小於0.5重量百分比時，未熟化前的暫時接著用組合物有較高的表面黏著性(例如，大於2.3g/cm²)，於製程期間若裝置晶圓與載體晶圓於對位時不慎接觸容易發生沾黏，增加操作困難。此外，因咪唑型硬化劑或酸酐型硬化劑的含量過低時，暫時接著用組成物的交聯程度不足，導致熱裂解溫度會小於330℃，於製程期間容易有爆板情形發生。

從比較例8和10可知，當咪唑型硬化劑含量大於4重量百分比或酸酐型硬化劑含量大於5重量百分比時，過量的咪唑型硬化劑或酸酐型硬化劑會使暫時接著層的熱裂解溫度小於330℃。此外，暫時接著用組成物中未參與反應的咪唑型硬化劑或酸酐型硬化劑於高溫製程中會氣化而導致爆板。

從比較例11可知，當黑色染料含量小於0.1重量百分比時，暫時接著用組成物的遮蔽能力不足，因此於雷射解黏後，裝置晶圓會受損。從比較例12可知，當黑色染料含量大於20重量百分比時，雖然可以保護裝置晶圓免於受損，但是暫時接著用組成物的粗糙度提升，其會降低暫時接著層對基板的附著性。

綜上所述，本揭示內容提供的暫時接著層同時具有遮蔽雷射、雷射解黏以及提供黏著性的功效。因此，相較於傳統製作半導體裝置或是顯示器裝置的方法，本案製作半導體裝置或是顯示器裝置的方法不需另外形成傳統的金屬犧牲層以及雷射解黏層，因此本案的方法可以減少製程時間並降低製程成本。

上文概述多個實施方式的特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示內容的態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭示內容作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便執行本文所介紹的實施方式的相同目的及/或實現相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造並未脫離本揭示內容的精神及範疇，且可在不脫離本揭示內容的精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、取代及更改。