[go: up one dir, main page]

TWI889402B - 測試治具 - Google Patents

測試治具 Download PDF

Info

Publication number
TWI889402B
TWI889402B TW113122992A TW113122992A TWI889402B TW I889402 B TWI889402 B TW I889402B TW 113122992 A TW113122992 A TW 113122992A TW 113122992 A TW113122992 A TW 113122992A TW I889402 B TWI889402 B TW I889402B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
openings
test fixture
circuit
resin layer
Prior art date
Application number
TW113122992A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202601124A (zh
Inventor
林定皓
張喬政
張謙為
Original Assignee
景碩科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 景碩科技股份有限公司 filed Critical 景碩科技股份有限公司
Priority to TW113122992A priority Critical patent/TWI889402B/zh
Priority to US18/794,152 priority patent/US20250389754A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI889402B publication Critical patent/TWI889402B/zh
Publication of TW202601124A publication Critical patent/TW202601124A/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755Material aspects
    • G01R1/06761Material aspects related to layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

一種測試治具,包含探針層、第一樹脂層、第一電路層、第二樹脂層、第二電路層、防銲層及銲墊層。探針層包含複數個探針。第一樹脂層位於探針層上,且包含複數個第一開口,第一開口對應於探針。第一電路層位於第一樹脂層上,且與探針層連接。第二樹脂層位於第一電路層上,且包含複數個第二開口。第二電路層位於第二樹脂層上,且與第一電路層電性連接。防銲層位於第二電路層及第二樹脂層上,且包含複數個銲墊開口。銲墊層包含複數個銲墊,銲墊位於銲墊開口中,電性連接第二電路層,銲墊之間的第一間距大於探針之間的第二間距。

Description

測試治具
本發明涉及封裝測試領域,尤其是一種測試治具。
隨著半導體產業的發展,以及電路影像微縮,測試治具的發展,也越來越受到重視。傳統的測試治具,是將探針插設針盤上,再與測試板組合成測試治具,由於隨著電路影像的微縮、間隔的縮減,探針也微縮得更為細小,但配合針盤的孔隙,探針難以完全透過直插的方式裝設,常會採斜插,或是各種彎曲式的探針設計。
但探針的斜插或彎曲式的設計,可能存在組裝有些許誤差,則可能導致與晶圓未接觸,或因過長而導致晶片的刮傷。因此,也導致了探針密度的限制。
發明人發展以電路板的製程,來設置金屬凸塊作為探針,使用影像轉移的方式,透過光阻定義,再以高速電鍍製作,然而,由於電鍍形成凸塊,要達到一致的高度,通常是採磨刷方式。但磨刷的方式在薄板下容易造成擠壓,而造成歪斜。也限制的基板的厚度。
為了解決先前技術所面臨的問題,在此提供一種測試治具。測試治具包含探針層、第一樹脂層、第一電路層、第二樹脂層、第二電路層、防銲層以及銲墊層。探針層包含複數個探針。探針在第一方向等距排 列,且沿著第二方向延伸。第一方向大致垂直於第二方向,各探針包含銅核心層以及強化層,強化層包覆於銅核心層的外表面。第一樹脂層位於探針層上,且包含複數個第一開口,第一開口對應於探針。第一電路層位於第一樹脂層的至少一部份上及第一開口中,與探針層連接。
第二樹脂層位於第一電路層及第一樹脂層之上,且包含複數個第二開口。第二電路層位於第二樹脂層的至少一部份上及第二開口中,與第一電路層電性連接。防銲層位於第二電路層及第二樹脂層上,且包含複數個銲墊開口。銲墊層包含複數個銲墊,銲墊位於銲墊開口中,且突出於防銲層,銲墊層電性連接第二電路層,銲墊之間的第一間距大於探針之間的第二間距。
在一些實施例中,測試治具更包含第三樹脂層及重分配電路層,第三樹脂層位於第二電路層及第二樹脂層上,且包含複數個第三開口,重分配電路層位於第三樹脂層的至少一部份上及第三開口中,連接第二電路層與銲墊層。
更詳細地,在一些實施例中,第三開口的間距不同於第二開口的間距。
在一些實施例中,第一開口的間距不同於第二開口的間距。
在一些實施例中,各探針的長度為0.03至0.5mm。
在一些實施例中,各第一間距的大小為0.3至10mm。
在一些實施例中,各第二間距的大小為0.1至1mm。
在一些實施例中,強化層包含鎳。
在一些實施例中,強化層更包含鎢或鎢鎳合金。
在一些實施例中,探針更包含連接座,連接座連接銅核心層及第一電路層,且連接座的面積大於銅核心層。
如同前述各實施例所示,透過倒裝的結構,有助於使得探針的高度齊平、以同方向延伸,而避免了傳統上斜插而造成的各種問題,且能以成熟的電路載板製程來進行製作,更提高了整體的良率及製造成本。
1:測試治具
10:探針層
11:探針
111:銅核心層
113:強化層
115:連接座
20:第一樹脂層
21:第一開口
30:第一電路層
40:第二樹脂層
41:第二開口
50:第二電路層
60:防銲層
61:銲墊開口
70:銲墊層
71:銲墊
80:第三樹脂層
81:第三開口
90:重分配電路層
500:金屬板
510:孔洞
550:終止層
560:銅層
600:支撐載板
610:銅箔層
620:支撐層
650:黏著劑
700:增層結構
730:銅箔層
D1:第一方向
D2:第二方向
G1:第一間距
G2:第二間距
G3:第三間距
G4:第四間距
G5:第五間距
圖1為測試治具第一實施例的剖面圖。
圖2為測試治具第二實施例的剖面圖。
圖3A為測試治具第二實施例的製作逐步流程中一步驟的俯視圖。
圖3B至3O為測試治具第二實施例的製作逐步流程的剖面示意圖。
應當理解的是,元件被稱為「設置」或「連接」於另一元件時,可以表示元件是直接位在另一元件上,或者也可以存在中間元件,透過中間元件連接元件與另一元件。相反地,當元件被稱為「直接設置/連接在另一元件上」或「直接設置/連接到另一元件」時,可以理解的是,此時明確定義了不存在中間元件。
另外,術語「第一」、「第二」、「第三」這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開,而非表示其必然的先後順序。此外,諸如「下」和「上」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係,應當理解,相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如,如果一 個附圖中的裝置翻轉,則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。此僅表示相對的方位關係,而非絕對的方位關係。
圖1為測試治具一實施例的剖面圖。如圖1所示,在一些實施例中,測試治具1包含探針層10、第一樹脂層20、第一電路層30、第二樹脂層40、第二電路層50、防銲層60、以及銲墊層70。探針層10包含複數個探針11。探針11在第一方向D1等距排列,且沿著第二方向D2延伸。第一方向D1大致垂直於第二方向D2,各探針11包含銅核心層111以及強化層113,強化層113包覆於銅核心層111的外表面,以提高探針11的機械性質。
第一樹脂層20位於探針層10上,且包含複數個第一開口21,第一開口21分別對應於探針11。第一電路層30位於第一樹脂層20的至少一部份上及第一開口21中,與探針層10連接。第二樹脂層40位於第一電路層30及第一樹脂層20之上,且包含複數個第二開口41。第二電路層50位於第二樹脂層40的至少一部份上及第二開口41中,與第一電路層30電性連接。
防銲層60位於第二電路層50及第二樹脂層40上,且包含複數個銲墊開口61。銲墊層70包含複數個銲墊71,銲墊71位於銲墊開口61中,且突出於防銲層60,銲墊層70電性連接第二電路層50,銲墊71之間的第一間距G1大於探針11之間的第二間距G2。換言之,測試治具1採用一種倒裝的結構,使得探針11的方向配合欲測試的元件,採用凸塊式的延伸,而無須配合探針卡製作長度較長的探針,而避免了傳統上斜插造成的各種問題。
圖2為測試治具第二實施例的剖面圖。如圖2所示,測試治具1更包含第三樹脂層80及重分配電路層90,第三樹脂層80位於第二電路層50及第二樹脂層40上,且包含複數個第三開口81,重分配電路層90位於第三樹脂層80的至少一部份上及第三開口81中,電性連接第二電路層50與銲墊層70。在此僅為示例,而非用以限制,實際上,更可以包含多層第三樹脂層80及重分配電路層90。藉由重分配電路層90,可以調整測試治具1的銲墊71的第一間距G1,以配合與所安裝的測試板的接點(圖中未顯示)。在一些實施例中,第三開口81的第三間距G3不同於第二開口41的第四間距G4。進一步地,第一開口21的第五間距G5不同於第二開口41的第四間距G4。
更詳細地,在一些實施例中,各探針11的長度為0.03至0.5mm,較佳為0.05至0.2mm。然而,這僅為示例,而非用以限制。
在一些實施例中,各第一間距G1的大小為0.3至10mm,較佳為0.5至5mm。在一些實施例中,各第二間距G2的大小為0.1至1mm,較佳為0.3至0.6mm。
在一些實施例中,強化層113包含鎳。更詳細地,在一些實施例中,強化層113更包含鎢或鎢鎳合金。藉由鎳、鎢,或其合金,能強化銅核心層111的機械強度。
在一些實施例中,探針11更包含連接座115,連接座115連接銅核心層111及第一電路層30,且連接座115的面積大於銅核心層111。
圖3A為測試治具第二實施例的製作逐步流程中一步驟的俯視圖。圖3B至圖3O為測試治具第二實施例的製作逐步流程的剖面示意 圖。圖3B至3O是以第二實施例的結構為基礎下,以圖3A中A-A’剖面進行說明個步驟地進行,僅作為示例,而非用以限制,如圖3A及圖3B所示,同時參考圖2,首先,先準備金屬板500,並在金屬板500上開設有孔洞510,孔洞510孔徑、位置以及金屬板500的厚度(即孔洞510的深度),為對應於探針11的規格。在此,金屬板500可以由為銅板。
接著,如圖3C所示,在金屬板500的一側黏貼支撐載板600,支撐載板600包含銅箔層610及支撐層620,銅箔層610透過黏著劑650黏貼於金屬板500。如圖3D及圖3E所示,去除孔洞510中的黏著劑650後,鍍上終止層550於金屬板500的表面,終止層550更鍍覆於孔洞510的底面及壁面上。在此,終止層550為鎳、鎢或鎳鎢合金。
如圖3F及圖3G所示,透過電鍍或化鍍,形成銅層560於金屬板500上,並填入孔洞510中。接著,再以影像轉移的方式,去除部分的銅層560。再如圖3H,去除被移除之銅層560下方的終止層550。
如圖3I所示,壓合增層結構700於金屬板500上,增層結構700包含樹脂層(即第一樹脂層20)及銅箔層730。壓合增層結構700壓合於金屬板500的表面。接著如圖3J及圖3K所示,於增層結構700開設有複數個第一開口21,再以電鍍及影像轉移方式形成第一電路層30,銅箔層730成為第一電路層30的一部份。接著如圖3L所示,重複增層的方式,形成第二樹脂層40、第二電路層50、第三樹脂層80、重分配電路層90。再如圖3M所示,形成防銲層60及銲墊層70。
如圖3N所示,去除支撐載板600及黏著劑650。最後,如圖3O所示,以蝕刻的方式去除金屬板500。由於為鎳、鎢或鎳鎢合金的所使 用的蝕刻液與銅不相同,因此,終止層550在此可以做為蝕刻中止層,而留下孔洞510中的銅,突出於第一樹脂層20可作為探針11使用,作為銅核心層111、而終止層550也作為保護銅核心層111的強化層113,而部分被第一樹脂層20包覆的,則作為連接座115。由於金屬板500的強度較光阻更強,且不易變形,金屬板500的孔洞510直接定義了探針11的長度、半徑,有助於探針11規格一致性及標準化。
簡而言之,上述實施例利用金屬板500作為製作探針11的模具,並應用傳統製作電路板的影像轉移技術,而使得探針11在同一方向延伸,無須以斜插方式裝設,同時,也不需要磨刷,不會破壞內部的樹脂,而導致金屬線路的擠壓破壞。提高了整體的良率及製造成本。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾,皆應涵蓋於本發明的範疇內,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:測試治具
10:探針層
11:探針
111:銅核心層
113:強化層
115:連接座
20:第一樹脂層
21:第一開口
30:第一電路層
40:第二樹脂層
41:第二開口
50:第二電路層
60:防銲層
61:銲墊開口
70:銲墊層
71:銲墊
D1:第一方向
D2:第二方向
G1:第一間距
G2:第二間距
G4:第四間距
G5:第五間距

Claims (10)

  1. 一種測試治具,包含: 一探針層,包含複數個探針,該等探針在一第一方向等距排列,且沿著一第二方向延伸,該第一方向大致垂直於該第二方向,各該探針包含一銅核心層以及一強化層,該強化層包覆於該銅核心層的外表面; 一第一樹脂層,位於該探針層上,且包含複數個第一開口,該等第一開口對應於各該探針; 一第一電路層,位於該第一樹脂層的至少一部份上及該等第一開口中,與該探針層連接; 一第二樹脂層,位於該第一電路層及該第一樹脂層之上,且包含複數個第二開口; 一第二電路層,位於第二樹脂層的至少一部份上及該等第二開口中,與該第一電路層電性連接; 一防銲層,位於該第二電路層及該第二樹脂層上,且包含複數個銲墊開口;以及 一銲墊層,包含複數個銲墊,該等銲墊位於該銲墊開口中,且突出於該防銲層,該銲墊層電性連接該第二電路層,該等銲墊之間的一第一間距大於該等探針之間的一第二間距。
  2. 如請求項1所述的測試治具,更包含一第三樹脂層及一重分配電路層,該第三樹脂層位於該第二電路層及該第二樹脂層上,且包含複數個第三開口,該重分配電路層位於該第三樹脂層的至少一部份上及該等第三開口中,連接該第二電路層與該銲墊層。
  3. 如請求項2所述的測試治具,其中該等第三開口的間距不同於該等第二開口的間距。
  4. 如請求項1所述的測試治具,其中該等第一開口的間距不同於該等第二開口的間距。
  5. 如請求項1所述的測試治具,其中各該探針的長度為0.03至0.5mm。
  6. 如請求項1所述的測試治具,其中各該第一間距的大小為0.3至10mm。
  7. 如請求項4所述的測試治具,其中各該第二間距的大小為0.1至1mm。
  8. 如請求項1所述的測試治具,其中該強化層包含鎳。
  9. 如請求項6所述的測試治具,其中該強化層更包含鎢或鎢鎳合金。
  10. 如請求項1所述的測試治具,其中各該探針更包含一連接座,該連接座連接該銅核心層及該第一電路層,且該連接座的面積大於該銅核心層。
TW113122992A 2024-06-20 2024-06-20 測試治具 TWI889402B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW113122992A TWI889402B (zh) 2024-06-20 2024-06-20 測試治具
US18/794,152 US20250389754A1 (en) 2024-06-20 2024-08-05 Test fixture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW113122992A TWI889402B (zh) 2024-06-20 2024-06-20 測試治具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI889402B true TWI889402B (zh) 2025-07-01
TW202601124A TW202601124A (zh) 2026-01-01

Family

ID=97227880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113122992A TWI889402B (zh) 2024-06-20 2024-06-20 測試治具

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20250389754A1 (zh)
TW (1) TWI889402B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219588A1 (en) * 2002-04-03 2003-11-27 Makoto Ogawa Dielectric film for printed wiring board, multilayer printed board, and semiconductor device
TW200728730A (en) * 2006-01-17 2007-08-01 Chipmos Technologies Inc Probe head with vertical probes, method for manufacturing the probe head, and probe card using the probe head
TW201417664A (zh) * 2012-10-30 2014-05-01 日本麥克隆尼股份有限公司 多層配線基板及使用該多層配線基板之探針卡
TW201735748A (zh) * 2016-03-18 2017-10-01 Kinsus Interconnect Tech Corp 高測試密度之電路測試板
CN115453438A (zh) * 2021-06-09 2022-12-09 欣兴电子股份有限公司 探针卡测试装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030219588A1 (en) * 2002-04-03 2003-11-27 Makoto Ogawa Dielectric film for printed wiring board, multilayer printed board, and semiconductor device
TW200728730A (en) * 2006-01-17 2007-08-01 Chipmos Technologies Inc Probe head with vertical probes, method for manufacturing the probe head, and probe card using the probe head
TW201417664A (zh) * 2012-10-30 2014-05-01 日本麥克隆尼股份有限公司 多層配線基板及使用該多層配線基板之探針卡
TW201735748A (zh) * 2016-03-18 2017-10-01 Kinsus Interconnect Tech Corp 高測試密度之電路測試板
CN115453438A (zh) * 2021-06-09 2022-12-09 欣兴电子股份有限公司 探针卡测试装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20250389754A1 (en) 2025-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100228595B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US6541848B2 (en) Semiconductor device including stud bumps as external connection terminals
US7138299B2 (en) Method of electrically connecting a microelectronic component
TWI395274B (zh) 製造電路基材的方法及製造電子部件封裝結構的方法
AU713920B2 (en) High-density mounting method and structure for electronic circuit board
KR100455404B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US6202297B1 (en) Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor
CN1114946C (zh) 半导体装置及其制造方法和其测试方法
US20080088033A1 (en) Microelectronic packages and methods therefor
US7074704B2 (en) Bump formed on semiconductor device chip and method for manufacturing the bump
KR20050116704A (ko) 솔더 접합 신뢰도(sjr)를 높일 수 있는 인쇄회로기판및 이를 이용한 반도체 패키지 모듈
CN1954225A (zh) 半导体集成电路器件的制造方法
JPH08306749A (ja) プローブカードの製造方法
CN101128931B (zh) 具有顺应性的微电子组件
TWI889402B (zh) 測試治具
CN100477192C (zh) 半导体器件及其制造方法
TW202601124A (zh) 測試治具
CN121186565A (zh) 测试工具
US20250331108A1 (en) Circuit board structure and manufacturing method thereof
CN117995690B (zh) 芯片倒装方法以及倒装芯片
KR100325466B1 (ko) 칩 사이즈 패키지 및 그의 제조방법
CN222261046U (zh) 引线框架结构以及半导体封装结构
US20070267730A1 (en) Wafer level semiconductor chip packages and methods of making the same
US6352915B1 (en) Method for manufacturing semiconductor package containing cylindrical type bump grid array
CN120835473A (zh) 线路板结构及其制造方法