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TWI888534B - 製造半導體裝置中之步驟間前饋製程控制 - Google Patents

製造半導體裝置中之步驟間前饋製程控制 Download PDF

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TWI888534B
TWI888534B TW110113527A TW110113527A TWI888534B TW I888534 B TWI888534 B TW I888534B TW 110113527 A TW110113527 A TW 110113527A TW 110113527 A TW110113527 A TW 110113527A TW I888534 B TWI888534 B TW I888534B
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metrology
semiconductor wafer
processing step
processing
batch
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羅伊 弗克維奇
里蘭 葉魯夏米
雷南 米洛
約阿夫 格勞爾
大衛 以瑟瑞利
Original Assignee
美商科磊股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種用於在製造半導體裝置中之製程控制之方法，其包含：在藉由一第一處理步驟處理半導體晶圓之一給定批次中所包含之至少一半導體晶圓之後，對該至少一半導體晶圓執行計量；繼該第一處理步驟之後，基於該計量產生對一第二處理步驟之至少一可校正量；基於該可校正量調整在半導體晶圓之該給定批次之至少一些半導體晶圓上之該第二處理步驟之執行。

Description

製造半導體裝置中之步驟間前饋製程控制
本發明大體上係關於計量且更特定言之係關於製造半導體裝置中之偏移之量測。
此項技術中已知半導體裝置製造中之偏移之量測之各種系統及方法。
本發明力求提供用於半導體裝置之製造中所涉及的連續處理步驟之間的前饋控制之新穎高度有效系統及方法。
因此，根據本發明之一較佳實施例提供一種用於在製造半導體裝置中之製程控制之方法，其包含：在藉由一第一處理步驟處理半導體晶圓之一給定批次中所包含之至少一半導體晶圓之後，對該至少一半導體晶圓執行計量；繼該第一處理步驟之後，基於該計量產生對一第二處理步驟之至少一可校正量；基於該可校正量調整在半導體晶圓之該給定批次之至少一些半導體晶圓上之該第二處理步驟之執行。
較佳地，該第一處理步驟不同於該第二處理步驟。
較佳地，該方法亦包含對在該給定批次之前處理的半導體 晶圓之一額外批次中所包含的至少一半導體晶圓執行額外計量，該額外計量係在藉由該第一處理步驟處理半導體晶圓之該額外批次中所包含之該至少一半導體晶圓之後執行。
此外或替代地，該方法亦包含在該第二處理步驟之該執行之後執行計量，該調整係基於考量該第一處理步驟之後之該計量與該第二處理步驟之後之該計量之間的差異。
較佳地，該等第一及第二處理步驟係在該半導體晶圓之一共同層內執行。
此外或替代地，該等第一及第二處理步驟分別係在該半導體晶圓之不同層內執行。
較佳地，針對其調整該第二處理步驟之執行之至少一些晶圓包含對其執行該計量之該至少一半導體晶圓。
較佳地，該計量包含基於成像類型之計量及基於散射量測類型之計量之一者。
較佳地，該等第一及第二處理步驟包含微影步驟。
較佳地，該計量包含該至少一半導體晶圓之層之間之偏移之量測及與該半導體晶圓相關聯之其他指標之量測之至少一者。
根據本發明之另一較佳實施例額外提供一種用於在製造半導體裝置中之製程控制之系統，其包含：一計量工具，其可操作以在藉由一第一處理步驟處理半導體晶圓之一給定批次中所包含之至少一半導體晶圓之後對該至少一半導體晶圓執行計量；一可校正量產生器，其可操作以繼該第一處理步驟之後基於該計量產生對一第二處理步驟之至少一可校正量；及一控制器，其可操作以基於該至少一可校正量調整在半導體晶圓之 該給定批次之至少一些半導體晶圓上之該第二處理步驟之執行。
較佳地，該第一處理步驟不同於該第二處理步驟。
較佳地，該計量工具係額外可操作以對在該給定批次之前處理之半導體晶圓之一額外批次中所包含之至少一半導體執行額外計量，該計量工具可操作以在藉由該第一處理步驟處理半導體晶圓之該額外批次中所包含之該至少一半導體晶圓之後執行額外計量。
此外或替代地，該計量工具額外可操作以在該第二處理步驟之該執行之後執行計量，該至少一可校正量係基於考量該第一處理步驟之後之該計量與該第二處理步驟之後之該計量之間的差異而產生。
較佳地，該等第一及第二處理步驟係在該半導體晶圓之一共同層內執行。
此外或替代地，該等第一及第二處理步驟分別係在該半導體晶圓之不同層內執行。
較佳地，針對其調整該第二處理步驟之執行之至少一些晶圓包含對其執行該計量之該至少一半導體晶圓。
較佳地，該計量工具包含一基於成像類型之計量工具及一基於散射量測類型之計量工具之一者。
較佳地，該等第一及第二處理步驟包含微影步驟。
較佳地，該計量包含該至少一半導體晶圓之層之間之偏移之量測及與該半導體晶圓相關聯之其他指標之量測之至少一者。
100:系統
102:處理工具
104:計量工具
106:可校正量產生器
108:控制器
110:批次
112:半導體晶圓
150:計量輸出
170:可校正量
180:計量輸出
190:光阻劑
192:背部抗反射塗佈(BARC)層
400:方法
402:第一步驟
404:第二步驟
406:第三步驟
408:第四步驟
結合圖式，自以下詳細描述將更充分地理解及了解本發明，其中： 圖1係根據本發明之一較佳實施例之經建構及可操作之包含前饋控制之一半導體晶圓處理系統之操作之一簡化示意性部分圖像、部分方塊圖圖解。
圖2A及圖2B係可用於增強圖1中所展示之類型之一系統中之前饋控制流程之資料之一簡化圖形圖解。
圖3係圖1所展示之類型之一系統之前饋控制流之一簡化示意圖解。
圖4係繪示根據本發明之一較佳實施例之半導體晶圓處理中之前饋製程控制中所涉及之步驟之一簡化流程圖。
現參考圖1，圖1係根據本發明之一較佳實施例之經建構及可操作之包含前饋控制之一半導體晶圓處理系統之操作之一簡化示意性部分圖像、部分方塊圖圖解。
如圖1中所見，提供一半導體晶圓處理系統100，其較佳地包含一半導體處理工具102、一計量工具104、用於基於計量工具104之輸出產生可校正量之一可校正量產生器106及用於根據藉由可校正量產生器106產生之可校正量可控制地調整由處理工具102執行之處理之一控制器108。
處理工具102較佳可操作以處理半導體晶圓112之至少一批次110。批次110可為包含較佳(但不必)相同於批次110之類型之數個晶圓批次之一批半導體晶圓之一成員，如此後參考圖2A及圖2B描述。通常，批次110可包含25個半導體晶圓112，但為了簡介起見，此處繪示較少晶圓112。
處理工具102較佳地體現為一微影圖案化工具，諸如掃描儀。可用於圖1之系統中之一處理工具之一實例係商業上可購自Veldhoven,Netherlands之ASML之ASML掃描儀1950i。在處理期間，批次110較佳保持於處理工具102之一載物台上(通常其上之兩個卡盤上)。處理工具102較佳可操作以對晶圓112執行一系列處理步驟。此處，藉由實例，處理工具102經展示以對晶圓112執行一第一步驟N-1，接著執行一第二步驟N(繼第一步驟N-1之後且較佳不同於第一步驟N-1)。應理解藉由處理工具102執行之步驟可涉及在一半導體晶圓112之一單一層內執行之一系列步驟，諸如在一單一層內執行之顯影、蝕刻及清潔步驟。在圖3中展示此一系列步驟之一實例。此外或替代地，藉由處理工具102執行之步驟可涉及對半導體晶圓112之一個以上層執行之不同步驟。
計量工具104較佳地體現為用於量測至少一些半導體晶圓112之層之間之偏移之一偏移量測工具。計量工具104可係一成像類型工具或一散射量測類型工具。可用於圖1之系統中之一計量工具之一實例係商業上可購自California,USA之KLA之Archer ATL100。處理工具102及計量工具104較佳定位於一共同位置處使得藉由處理工具102例如藉由步驟N-1處理之半導體晶圓112可容易地傳送至計量工具104以在其上執行計量且接著返回至處理工具102以例如藉由步驟N進一步處理。應了解，儘管圖1中繪示處理工具102之兩個單元，此等較佳(但不必)對應於在批次110之半導體晶圓112上分別執行步驟N-1及N之相同處理工具102。
本發明之一較佳實施例之一特定特徵係，在至少一半導體晶圓112上執行處理步驟N-1之後藉由可校正量產生器106基於該至少一半導體晶圓112上之計量之執行而導出之可校正量較佳用以調整在該至少一 半導體晶圓112及/或該半導體晶圓112所屬之批次110內之其他半導體晶圓112上執行步驟N中之處理工具102之操作。基於一給定批次之晶圓上執行之一個處理步驟導出之可校正量因此應用於處理工具102以便調整藉此在相同給定批次之晶圓上執行之另一不同及後續處理步驟之執行。
基於關於處理步驟N-1產生之計量輸出之處理步驟N之此前饋控制係高度有利的，此係因為允許基於在相同批次之晶圓上實行前述步驟之後執行計量以一連續前饋方式最佳化在半導體晶圓之相同批次上執行之一系列處理步驟。此與習知製程控制方法形成對比，其中在一給定批次中之一給定步驟上執行之計量用作用於在一後續批次中最佳化相同步驟之一基礎。
在系統100之操作中，在藉由處理工具102對半導體晶圓112執行處理步驟N-1之後，較佳將晶圓112實體傳送至計量工具104以在其上執行計量且尤其較佳地用以形成於晶圓112之層上之目標之間之偏移之量測。然而，應暸解，藉由計量工具104執行之計量不限於晶圓112之層之間之偏移之量測且可此外或替代地包含與晶圓112相關聯之其他參數或指標之量測，諸如優值指標、對比度、效能參數(諸如工具誘發位移(TIS))及精度及光瞳資訊，包含在計量工具係散射量測類型之工具之情況中之光瞳三標準差值及其他光瞳資訊優值指標。
計量工具104較佳可操作以對晶圓112執行計量且輸出一計量輸出150。計量輸出150較佳提供至可校正量產生器106。可校正量產生器106較佳可操作以接收且分析計量輸出150且基於計量輸出150產生對藉由處理工具102執行之圖案化製程之一或多個可校正量。用於基於對半導體晶圓執行之計量產生對半導體晶圓之處理之可校正量之方法在此項技術 中係熟知的且可藉由熟習此項技術者應用於本發明之系統及方法內。
可校正量產生器106較佳地體現為一硬體或軟體模組，包含可操作以自動分析計量輸出150且基於計量輸出150計算可應用於藉由處理工具102執行之製程。應了解，儘管可校正量產生器106在圖1中繪示為計量工具104及處理工具102兩者外部之一單獨模組，可校正量產生器106之功能性可替代地包含於該模組中。應進一步了解，可校正量產生器106可為至少與計量工具104無線通信之一基於雲端之模組。
可校正量產生器106較佳可操作以輸出處理工具可校正量170且將處理工具可校正量170提供至控制器108。應理解，藉由可校正量產生器106產生之處理工具可校正量係基於在半導體晶圓112上執行處理步驟N-1之後在半導體晶圓112上作出之量測。所產生之可校正量170包含處理工具102之設定之可校正量，僅藉由實例包含處理工具旋轉、放大、平移及其他處理工具設定之可校正量。
控制器108較佳可操作以基於步驟N-1接收處理工具可校正量170且調整基於步驟N-1根據處理工具可校正量170藉由處理工具102執行之處理步驟N。應了解，此前饋步驟間控制係基於以下理解：歸因於影響藉由一後續步驟形成之結構之實體性質且定位於其上之藉由一先前步驟形成之結構之誤差或不準確性，基於關於一先前步驟N-1之量測產生之可校正量與一隨後不同步驟N相關。
如圖1中所見，可校正量產生器106可視情況接收一額外計量輸出180。計量輸出180可自在批次110之前且可能包含於相同於批次110之批中之其他批次之半導體晶圓上實行STEP N-1之後執行計量而獲得。除了計量輸出150之外，亦可將計量輸出180供應至可校正量產生器 106且此外在產生可校正量170中納入考量。
在圖2A及圖2B中以高度示意方式繪示針對先前批次之STEP N-1之計量輸出180。現參考圖2A及圖2B，展示分別針對兩個批次(批次1及批次2)在執行STEP N-1之後之一散射量測類型之計量工具104之計量輸出180(圖1)。應了解，批次1及批次2係先前相較於當前批次110(圖1)處理之兩個批次且較佳屬於相同於批次110之批。應了解，所顯示之按比例調整值對應於批次1及批次2之晶圓112之表面上之多個經指示位置之各者處之經量測偏移值。為了簡單起見，沿著一離散標度以0.05nm增量顯示此等值，但是應了解，實際上，此等值將沿著一連續標度量測。如自圖2A及圖2B中之示意性資料之考量而了解，偏移輸出180在批次1與批次2之間變化且可提供至可校正量產生器106。除了基於當前批次110之偏移輸出180之外，提供基於先前批次(批次1及批次2)之偏移輸出180亦可增強藉由可校正量產生器106導出之可校正量之準確性且進一步改良藉由處理工具102之STEP N之執行。
根據本發明之一項較佳實施例，基於在一給定晶圓上執行先前步驟N-1之後對相同晶圓執行之計量而調整在其上之處理步驟N之執行。在此實施例中，系統100較佳地在一逐晶圓基礎上操作，其中批次110之各晶圓112較佳在其上執行處理步驟N-1之後輸送至計量工具104，對其執行計量，且接著返回至處理工具102以處理步驟N，其中基於相同晶圓112之計量輸出調整在該晶圓上藉由處理工具102之步驟N之執行。此逐晶圓操作尤其與半導體晶圓之前端處理相關，其中在各處理步驟之晶圓參數之高度準確控制係至關重要的。
根據本發明之一額外或替代實施例，基於在屬於一給定批 次之至少一晶圓上執行步驟N-1之後對其執行之計量而調整該給定批次中之至少一些晶圓上之處理步驟N之執行。在此實施例中，批次110之至少一晶圓112較佳在其上執行處理步驟N-1之後輸送至計量工具104，對其執行計量且接著較佳返回至處理工具102，其中基於晶圓112之計量輸出調整藉由處理工具102在批次110中之額外晶圓(該等額外晶圓可或可不包含對其執行計量之晶圓112)上之步驟N之執行。在系統100之此一操作模式中，每卡盤至少一個代表性晶圓112通常將經選擇以對其執行計量。
在圖3中示意性繪示圖1中所展示之類型之一系統所啟用之一前饋控制流之一實例。如圖3中所見，此處指示為STEP N-2之一第一步驟可在半導體晶圓112上執行，在圖3中展示其之一部分之一橫截面。藉由實例，如此處繪示，STEP N-2可為在背部抗反射塗佈(BARC)層192上選擇性地顯影一光阻劑190之層之一顯影步驟。在晶圓112上執行STEP N-2之後，可在晶圓112上執行計量以便量測其層之間之偏移。在執行STEP N-2之後之計量輸出對應於顯影後檢測(ADI)偏移值且在此處指示為MISREGISTRATIONADI。
在量測MISREGISTRATIONADI之後，可在晶圓112上執行一後續步驟STEP N-1。藉由實例，如此處所繪示，後續步驟STEP N-1可為藉由蝕刻移除未由光阻劑190塗佈之BARC之部分之一蝕刻步驟。根據本發明之前饋方法，可基於基於MISREGISTRATIONADI之量測值導出之對處理工具102(圖1)之可校正量而調整蝕刻步驟STEP N-1之執行。在晶圓112上執行STEP N-1之後，可對晶圓112執行計量以便再次量測其層之間之偏移。在執行STEP N-1之後之計量輸出對應於蝕刻後檢測(AEI)偏移值且在此處指示為MISREGISTRATIONAEI。
在量測MISREGISTRATIONAEI之後，可在晶圓112上執行一後續步驟STEP N。藉由實例，如此處所繪示，後續步驟STEP N可為自晶圓112清除光阻劑190之一清潔步驟。根據本發明之前饋方法，可基於基於MISREGISTRATIONAEI之量測值導出之對處理工具102之可校正量而調整清潔步驟STEP N之執行。在晶圓112上執行STEP N之後，可對晶圓112執行計量以便再次量測其層之間之偏移。在執行STEP N之後之計量輸出對應於清潔後檢測(ACI)偏移值且在此處指示為MISREGISTRATIONACI。
基於上述應了解，本發明之前饋製程控制可以連續方式應用在半導體晶圓112之製造中所涉及之一組連續步驟之間。應進一步了解，儘管圖3中所繪示之該系列步驟被展示為晶圓112之單個層之最終形成中所涉及之處理步驟，然本發明之前饋控制方法亦可應用於晶圓112之一個以上層之形成中所涉及之不同處理步驟之間。
根據至今描述之本發明之前饋製程控制，在一給定晶圓上執行之一給定步驟之計量輸出用作用於導出應用至在給定晶圓上或屬於與給定晶圓相同之批次之其他晶圓上執行之一後續不同步驟之可校正量之一基礎。然而，在本發明之某些實施例中，可在給定晶圓上執行後續步驟之後在該給定晶圓上另外執行計量且在執行後續步驟之後獲得之計量輸出用以進一步調整對如在屬於相同於給定晶圓之批次之其他晶圓上執行之後續步驟之可校正量。按照圖3中所展示之實例，最初可根據基於基於如上所述之STEP N-1導出之MISREGISTRATIONAEI而導出之可校正量來調整STEP N。如經調整之STEP N接著可在一給定晶圓112上執行且針對該給定晶圓量測MISREGISTRATIONACI。接著可基於基於STEP N-1導出之 MISREGISTRATIONAEI及基於STEP N針對該給定晶圓量測之MISREGISTRATIONACI兩者最佳化在包含於給定晶圓112所屬之批次中之其他晶圓上之STEP N之執行。藉由實例，可基於基於STEP N之計量量測與基於STEP N-1之計量量測之間之一差異最佳化STEP N之執行。
根據本發明之另一可能實施例，除了根據基於在一先前不同處理步驟針對相同晶圓或針對相同於對其執行計量之晶圓之批次之晶圓執行計量而導出之可校正量調整一後續處理步驟之外或替代根據基於在一先前不同處理步驟針對相同晶圓或針對相同於對其執行計量之晶圓之批次之晶圓執行計量而導出之可校正量調整一後續處理步驟，可找到步驟之間之計量輸出之變化進展。因此，在圖3之實例中，可將偏移之一第一變化定義為△MIS1=MISREGISTRATIONAEI-MISREGISTRATIONADI且可將偏移之一第二變化定義為△MIS2=MISREGISTRATIONACI-MISREGISTRATIONAEI。步驟之間之偏移值之傾向或變化可代表製程變動且可用於預測△MISN之值，代表偏移之第N個變化，且因此針對晶圓112本身及/或針對相同於晶圓112之批次之批次內之其他晶圓調整藉由處理工具之處理。
應了解，本發明之前饋方法在時間及產量方面高度有利，此係因為其允許一給定批次中之晶圓之處理在該批次內及/或在晶圓本身內校正。此與習知方法形成對比，其中基於一給定步驟導出之可校正量應用於後續批次中之相同給定步驟之執行，因此浪費時間及晶圓兩者以便收集足夠資料以校正後續批次。
根據本發明之較佳實施例之藉由根據基於第N-1處理步驟針對屬於晶圓之一給定批次之一給定晶圓或晶圓批次之計量之前饋控制對 該給定晶圓上之第N處理步驟之控制之最佳化通常可如下般表達：
Figure 110113527-A0305-12-0012-1
 其中指代批次N之至少一晶圓之處理步驟N之偏移之控制之
Figure 110113527-A0305-12-0012-2
可表達為針對批次N之處理步驟N-1量測之偏移及針對批次N之處理步驟N及批次N-1之處理步驟N-1量測之偏移之間之差異之一函數。應了解，方程式(1)以通項表達且包含本發明之各種可能實施例(不必實施其等之全部)。藉由實例，在未提供來自先前批次之額外計量輸入180(圖1)之情況下，項
Figure 110113527-A0305-12-0012-3
係不相關的且因此可調整方程式1。此外，藉由實例，在未基於步驟N執行計量之情況下，項
Figure 110113527-A0305-12-0012-4
係不相關的且因此可調整方程式1。
現參考圖4，其係根據本發明之一較佳實施例之繪示半導體晶圓處理中之前饋製程控制中所涉及之步驟之一簡化流程圖。
如圖4中所見，用於半導體處理中之步驟間前饋控制之方法400可開始於一第一步驟402，其中在屬於一給定批次之一給定晶圓上執行處理步驟N-1。如一第二步驟404處所見，接著可在給定晶圓上執行計量。該計量可涉及給定晶圓之層之間之偏移之量測及/或與給定晶圓相關聯之其他指標(諸如，敏感度、反射率、光瞳指標(諸如光瞳三標準差)、效能參數(諸如TIS及精度及諧振位置處之疊對景觀資訊))之量測。
如在一第三步驟406所見，可基於在第二步驟404執行之計量導出可校正量。導出之可校正量較佳係對在給定晶圓上執行之處理之可校正量。藉由實例，導出之可校正量可包含對處理給定晶圓之一處理工具之設定(諸如處理工具旋轉、放大及平移)之可校正量。可基於視情況另外考量基於步驟N-1對在該給定晶圓所屬之給定批次之處理之前處理之其他 批次中之晶圓執行之計量而導出可校正量。
如在一第四步驟408所見，接著可根據在第三步驟406導出之可校正量調整在該給定晶圓上或在該給定批次中之其他晶圓上之一後續處理步驟N之執行。
應了解，方法400不限於上述之第一至第四步驟402至步驟408。實情係，方法400可包含額外步驟，可能在步驟402至步驟408之若干者之間執行，且/或可包含上述步驟之替代步驟。
熟習此項技術者應了解，本發明不限於已在上文特定展示及描述之內容。本發明之範疇包含上文所描述之各種特徵之組合及子組合兩者及其修改，其等之全部並非在先前技術中。
100:系統
102:處理工具
104:計量工具
106:可校正量產生器
108:控制器
110:批次
112:半導體晶圓
150:計量輸出
170:可校正量
180:計量輸出

Claims (14)

  1. 一種用於在半導體裝置製造中之製程控制之方法，其包括：在藉由一第一處理步驟處理半導體晶圓之一給定批次中所包含之至少一半導體晶圓之後，對該至少一半導體晶圓執行計量(metrology)，其中該第一處理步驟為一光阻劑顯影步驟，其在該至少一半導體晶圓上選擇性地顯影一光阻劑層，其中該計量包括該光阻劑層及該至少一半導體晶圓之另一層之間之偏移(misregistration)之量測及與該半導體晶圓相關聯之其他指標(indices)之量測，其中該等其他指標包括反射率及光瞳指標，且其中該計量包括基於散射量測類型之計量；對在該給定批次之前處理之半導體晶圓之一額外批次中所包含之至少一半導體晶圓執行額外計量，該額外計量係在藉由該第一處理步驟處理半導體晶圓之該額外批次中所包含之該至少一半導體晶圓之後執行，其中該額外計量包括一第二偏移之量測；繼該第一處理步驟之後，基於該計量產生一第二處理步驟之至少一可校正量(correctable)；基於該可校正量，調整半導體晶圓之該給定批次之至少一些其他半導體晶圓上之該第二處理步驟之執行，其中該第一處理步驟不同於該第二處理步驟，且其中該第二處理步驟為一蝕刻步驟或一清潔步驟；及在該第二處理步驟之該執行之後執行計量，該調整係基於考量該第一處理步驟之後之該計量之間的差異，其中該第二處理步驟之該執行之後之該計量包括一第三偏移之量測，且其中該可校正量為該半導體晶圓上之該偏移及該第二偏移及該第三偏移之間之差異之一函數。
  2. 如請求項1之方法，其中該等第一及第二處理步驟係在該半導體晶圓之一共同層內執行。
  3. 如請求項1之方法，其中該等第一及第二處理步驟分別係在該半導體晶圓之不同層內執行。
  4. 如請求項1之方法，其中針對其調整該第二處理步驟之執行之該等至少一些晶圓更包括對其執行該計量之該至少一半導體晶圓。
  5. 如請求項1之方法，其中該等其他指標更包括工具誘發位移(TIS，tool induced shift)。
  6. 如請求項5之方法，其中該等其他指標更包括精度及諧振位置處之疊對景觀資訊。
  7. 如請求項1之方法，其中該等其他指標更包括精度及諧振位置處之疊對景觀資訊。
  8. 一種用於在半導體裝置製造中之製程控制之系統，其包括：一計量工具，其可操作以在藉由一第一處理步驟處理半導體晶圓之一給定批次中所包含之至少一半導體晶圓之後對該至少一半導體晶圓執行計量，其中該第一處理步驟為一光阻劑顯影步驟，其在該至少一半導體晶 圓上選擇性地顯影一光阻劑層，其中該計量包括該光阻劑層及該至少一半導體晶圓之另一層之間之偏移之量測及與該半導體晶圓相關聯之其他指標之量測，其中該等其他指標包括反射率及光瞳指標，且其中該計量工具包括基於散射量測類型之計量工具；其中該計量工具另外可操作以對在該給定批次之前處理之半導體晶圓之一額外批次中所包含之至少一半導體晶圓執行額外計量，該計量工具可操作以在藉由該第一處理步驟處理半導體晶圓之該額外批次中所包含之該至少一半導體晶圓之後執行該額外計量，其中該額外計量包括一第二偏移之量測；一可校正量產生器，其可操作以繼該第一處理步驟之後，基於該計量產生一第二處理步驟之至少一可校正量；一控制器，其可操作以基於該至少一可校正量，調整半導體晶圓之該給定批次之至少一些其他半導體晶圓上之該第二處理步驟之執行，其中該第一處理步驟不同於該第二處理步驟，且其中該第二處理步驟為一蝕刻步驟或一清潔步驟；及其中該計量工具另外可操作以在該第二處理步驟之該執行之後執行計量，其中該第二處理步驟之該執行之後之該計量包括一第三偏移之量測，且其中使用該可校正量產生器產生的該可校正量為該半導體晶圓上之該偏移及該第二偏移及該第三偏移之間之差異之一函數。
  9. 如請求項8之系統，其中該等第一及第二處理步驟係在該半導體晶圓之一共同層內執行。
  10. 如請求項8之系統，其中該等第一及第二處理步驟分別係在該半導體晶圓之不同層內執行。
  11. 如請求項8之系統，其中針對其調整該第二處理步驟之執行之該至少一些晶圓更包括對其執行該計量之該至少一半導體晶圓。
  12. 如請求項8之系統，其中該等其他指標更包括工具誘發位移(TIS)。
  13. 如請求項8之系統，其中該等其他指標更包括精度及諧振位置處之疊對景觀資訊。
  14. 如請求項12之系統，其中該等其他指標更包括精度及諧振位置處之疊對景觀資訊。
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