TWI887075B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之基板處理裝置係以具有較沖洗液低之表面張力之置換液，置換殘留於沖洗處理後之基板之沖洗液。於該置換時，將噴嘴裝置配置於較處理杯靠上方之噴嘴上位置。自噴嘴裝置向下方噴出置換液，且噴嘴裝置自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部。其後，將基板乾燥。於該乾燥時，自噴嘴裝置向下方噴射氣體，且噴嘴裝置於基板中心之上方之位置自噴嘴上位置下降至接近基板W之噴嘴下位置。又，繼續噴射氣體，且噴嘴裝置自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種對基板進行規定之處理之基板處理裝置及基板處理方法。

為了對半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等之基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。

於半導體器件之製造工序中，利用例如光微影術在基板上形成感光性抗蝕劑之圖案。藉由對形成有感光性抗蝕劑之基板上供給藥液(藥液處理)，而於基板上形成配線電路等各種圖案。

為了使藥液處理之進行停止，去除殘留於圖案形成後之基板上之藥 液，而進行沖洗處理。於沖洗處理中，對藥液處理後之基板上供給沖洗液。藉此，以沖洗液置換基板上之藥液。之後，進行去除殘留於基板上之沖洗液之乾燥處理。

為了提高乾燥處理後之基板之清潔度，而提案各種方法。例如，有為了抑制水印之產生及微粒殘留於基板上，而對旋轉之沖洗處理後之基板上供給IPA(異丙醇)之蒸氣之方法(例如，參照日本特開2016-167582號公報)。

IPA之表面張力較純水低。因而，於如上述般，針對基板之乾燥處理使用IPA之情形下，降低因進入圖案間之IPA而圖案受損傷(圖案之崩壞等)。

為了進一步提高乾燥處理後之基板之清潔度，且進一步提高形成於乾燥處理後之基板之各種圖案之可靠性，較理想為適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液。

本發明之目的在於提供一種能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液之基板處理裝置及基板處理方法。

本發明之一態樣之基板處理裝置係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含：基板保持部，其保持前述基板並使其繞 上下方向之軸旋轉；噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體；相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及控制部；且前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體；前述控制部：以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基板保持部，於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行液體置換控制，該液體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置；於前述液體置換控制之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，進行第1氣體置換控制，該第1氣體置換控制係以於前述處理液位前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置；於前述第1氣體置換控制之後，進行第2氣體置換控制，該第2氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且前述噴嘴裝 置自前述上位置下降至前述下位置之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置；於前述第2氣體置換控制之後，進行第3氣體置換控制，該第3氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。

本發明之另一態樣之基板處理裝置係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含：基板保持部，其保持前述基板並使其繞上下方向之軸旋轉；噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體；相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及控制部；且前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體；前述控制部：以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基 板保持部，於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行第1液體置換控制，該第1液體置換控制係以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置；於前述第1液體置換控制之後，進行第2液體置換控制，該第2液體置換控制係以自前述液噴出部噴出前述處理液，且位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置；於前述第2液體置換控制之後，在前述處理液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行氣體置換控制，該氣體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且自前述噴嘴裝置之前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。

本發明之又一態樣之基板處理方法係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體；前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力；前述基板處理方法包含：藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟；液體置換步驟，其於前述殘留液存在於 由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液而自前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液；第1氣體置換步驟，其於前述液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，以前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，將前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置；第2氣體置換步驟，其於前述第1氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使前述噴嘴裝置下降至較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置；及第3氣體置換步驟，其於前述第2氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動。

本發明之再一態樣之基板處理方法係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體；前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力；前述 基板處理方法包含：藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟；第1液體置換步驟，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，以前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，將處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置；第2液體置換步驟，其於前述第1液體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液，而自前述液噴出部噴出前述處理液，並使位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動；及氣體置換步驟，其於前述第2液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第2氣體，而自前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體，而自前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體。

根據本發明，能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之處理液。

1:基板處理裝置

10:FFU(過濾單元)

20:基板保持裝置

21:基板保持部

21a:自旋基座

21b:保持銷

22:旋轉驅動部

30:杯裝置

30A:外杯/杯

30B:內杯/杯

31:杯驅動部

39:排液裝置

39A:外容器

39B:內容器

40:藥液供給裝置

41:藥液噴嘴

50:沖洗液供給系統

51:沖洗液噴嘴

60:置換液供給系統

61:置換液配管

62:置換液噴出口

63:置換液供給源

64:置換液溫度調整部

70:第1氣體供給系統

71:第1氣體配管

72:第1氣體噴射口

80:第2氣體供給系統

81:第2氣體配管

90:第3氣體供給系統

91:第3氣體配管

100:噴嘴裝置

101:噴嘴本體部

102,103:貫通孔

110:上表面

120:下表面

130:外周面

131:第2氣體噴射口/氣體噴射口

132:第3氣體噴射口/氣體噴射口

141,142:氣體流路

150:噴嘴移動裝置

151:水平方向驅動裝置

152:上下方向驅動裝置

153:台座部

154:支持軸

155:臂

200:控制部

201:CPU

202:RAM

203:ROM

204:記憶裝置

209:CD-ROM

CH:腔室

F1:第1氣體之流動

F23:第2氣體及第3氣體之流動

HP:噴嘴上位置

L1:藥液

L2:沖洗液

L3:置換液

LP:噴嘴下位置

Q-Q:線

RP:高度位置

t0,t1,t2,t3,t4,t5,t6,t41,t42,t51,t52,t53,t54:時點

W:基板

WC:中心

圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性側視圖。

圖2係顯示圖1之基板處理裝置之內部構成之示意性俯視圖。

圖3係圖1之噴嘴裝置之示意性外觀立體圖。

圖4係圖1之噴嘴裝置之示意性俯視圖。

圖5係圖4之噴嘴裝置之Q-Q線縱剖視圖。

圖6係顯示圖1之基板處理裝置之控制系統之構成之方塊圖。

圖7係用於說明使用圖1之基板處理裝置對基板進行一系列之處理之情形之各構成要素之動作之一例之時間圖。

圖8係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖9係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖10係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖11係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖12係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖13係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖14係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖15係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖16係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖17係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之示意性側視圖。

圖18係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置之各構成要素之動作之 示意性側視圖。

圖19係顯示另一實施形態之基板處理裝置之示意性側視圖。

以下，針對本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法，一面參照圖式，一面進行說明。於以下之說明中，基板意指液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等所使用之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。又，基板之上表面意指朝向上方之基板之面，基板之下表面意指朝向下方之基板之面。基板之上表面可為電路形成面(正面)，亦可為電路形成面的相反側之面(背面)。又，基板於俯視下除缺口以外，具有圓形狀。

進而，以下所說明之基板處理裝置對於成為處理對象之基板進行藥液處理、沖洗處理及乾燥處理。於本實施形態中，藥液處理係藉由對基板之上表面供給藥液，而於基板之上表面上形成規定圖案之構造之處理。又，沖洗處理係藉由對藥液處理後之基板之上表面供給沖洗液，而自基板之上表面沖走藥液之處理。進而，乾燥處理係於藉由對沖洗處理後之基板之上表面供給具有較沖洗液低之表面張力之處理液，而以該處理液置換殘留於基板上之沖洗液之後，使基板乾燥之處理。於以下之說明中，將乾燥處理所使用之處理液、亦即具有較沖洗液低之表面張力之處理液稱為置換液。

1.基板處理裝置之構成之概略

圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性側視圖。圖2係顯示圖1之基板處理裝置1之內部構成之示意性俯視圖。於圖2中僅顯示圖1之基板處理裝置1之複數個構成要素中一部分之構成要素。如圖1所示，基板處理裝置1包含基板保持裝置20、杯裝置30、排液裝置39、藥液供給裝置40、沖洗液供給系統50及置換液供給系統60。又，基板處理裝置1包含第1氣體供給系統70、第2氣體供給系統80、第3氣體供給系統90、噴嘴裝置100、噴嘴移動裝置150及控制部200。

進而，基板處理裝置1具備收容上述之各構成要素之腔室CH。腔室CH具有4個側面部、頂部及底部。於腔室CH之1個側面部，在該腔室CH之內部與腔室CH之外部之間形成有用於搬送基板之搬送用開口(未圖示)。又，於腔室CH之頂部設置有FFU(過濾單元)10。FFU 10於腔室CH之內部產生清潔之空氣之下降氣流。

於腔室CH之底部大致中央設置有基板保持裝置20。基板保持裝置20包含基板保持部21及旋轉驅動部22。旋轉驅動部22係例如馬達，固定於腔室CH之底部。旋轉驅動部22具有向上方延伸之旋轉軸。於旋轉軸之上端部連接有基板保持部21。

基板保持部21係保持基板W之外周端部之所謂之機械卡盤式自旋卡盤。具體而言，基板保持部21包含圓板狀之自旋基座21a、及設置於自旋 基座21a之上表面周緣部之複數個旋轉式保持銷21b。於該基板保持部21中，配置於自旋基座21a上之基板W之下表面周緣部及外周端部由複數個保持銷21b保持。於該狀態下，藉由旋轉驅動部22動作，而基板W以水平姿勢旋轉。於圖1及圖2中，以一點鏈線表示由基板保持裝置20保持之基板W。

藉由對由基板保持裝置20保持且旋轉之基板W之上表面供給各種處理液，而進行上述之藥液處理、沖洗處理及乾燥處理。為了廢棄在各處理時自旋轉之基板W飛散之處理液，而使用杯裝置30及排液裝置39。

杯裝置30包含外杯30A、內杯30B及杯驅動部31。外杯30A及內杯30B各者具有大致圓筒形狀，設置為於俯視下包圍基板保持部21(圖2)且沿上下方向延伸。外杯30A之內徑較內杯30B之外徑大。藉此，內杯30B配置於外杯30A之內側。進而，外杯30A及內杯30B各者設置為能夠沿上下方向移動。

杯驅動部31包含馬達或氣缸等致動器。杯驅動部31根據對於基板W進行之處理，使外杯30A及內杯30B各者於預設之杯上位置與杯下位置之間移動。

各杯30A、30B之杯上位置係該杯之上端部較由基板保持部21保持之基板W靠上方之高度位置(上下方向之位置)。藉此，各杯於位於杯上位置之狀態下，承接自基板W飛散之處理液。另一方面，各杯30A、30B之杯 下位置係該杯之上端部較由基板保持部21保持之基板W靠下方之高度位置。於本實施形態中，外杯30A之杯上位置與內杯30B之杯上位置相同。又，外杯30A之杯下位置與內杯30B之杯下位置相同。

排液裝置39包含與外杯30A及內杯30B分別對應之外容器39A及內容器39B。外容器39A及內容器39B各者具有向上方開口之圓環狀之槽，將由對應之杯承接之處理液導引至工廠內之廢棄設備。

於腔室CH內設置有藥液噴嘴41。藥液供給裝置40包含未圖示之藥液供給系統及藥液噴嘴移動裝置。藥液噴嘴41係由藥液噴嘴移動裝置支持。藥液噴嘴移動裝置於基板W之藥液處理時，在由基板保持部21保持之基板W之中心WC(圖2)之上方之處理位置、與基板W之側方之待機位置之間，使藥液噴嘴41移動。藥液供給裝置40之藥液供給系統於基板W之藥液處理時對位於處理位置之藥液噴嘴41供給藥液。藉此，對由基板保持部21保持且旋轉之基板W之上表面供給藥液。

作為藥液，使用氫氟酸(HF)、硫酸與過氧化氫水之混合液(SPM)、氨水與過氧化氫水之混合液(SC1)、鹽酸與過氧化氫水之混合液(SC2)、稀氫氟酸(DHF)、有機鹼(例如氫氧化四甲銨(TMAH)等)或緩衝氫氟酸(BHF)等。

於腔室CH內，進一步於較基板保持裝置20及杯裝置30靠上方之規定之位置設置有沖洗液噴嘴51。沖洗液噴嘴51以其噴出口朝向由基板保持 部21保持之基板W之中心WC之方式固定。沖洗液供給系統50於基板W之沖洗處理時，對沖洗液噴嘴51供給沖洗液。藉此，對由基板保持部21保持且旋轉之基板W之上表面供給沖洗液。

作為沖洗液，使用純水(去離子水)、碳酸水、臭氧水、磁化水、超稀釋氨水(1ppm以上且100ppm以下)、超稀釋鹽酸水(1ppm以上且100ppm以下)、還原水(氫水)或離子水等。

噴嘴裝置100於腔室CH內由噴嘴移動裝置150支持。噴嘴移動裝置150如圖2所示般包含台座部153、支持軸154及臂155。台座部153以於俯視下位於外杯30A之外方之方式，固定於腔室CH之底部。以自台座部153朝上方延伸一定距離之方式設置有支持軸154。於支持軸154之上端部，安裝有沿水平方向延伸之臂155。於臂155之前端部安裝有噴嘴裝置100。

如圖1所示，噴嘴移動裝置150進一步包含水平方向驅動裝置151及上下方向驅動裝置152。水平方向驅動裝置151及上下方向驅動裝置152各者內置於例如圖2之台座部153，包含馬達或氣缸等致動器。

水平方向驅動裝置151使支持軸154繞該支持軸154之軸旋轉。該情形下，水平方向驅動裝置151於基板W之乾燥處理時，在由基板保持部21保持之基板W之上方之空間、與基板W之側方之待機位置之間，使噴嘴裝置100於俯視下呈圓弧狀移動(參照圖2之粗實線之箭頭)。

又，上下方向驅動裝置152使支持軸154沿上下方向移動。藉此，水平方向驅動裝置151於基板W之乾燥處理時，在由基板保持部21保持之基板W之上方之空間使噴嘴裝置100於噴嘴上位置與噴嘴下位置之間移動。

於以下之說明中，噴嘴裝置100之高度位置意指噴嘴裝置100之下端部之高度位置。噴嘴上位置係較杯30A、30B之杯上位置靠上方之高度位置，且係較由基板保持部21保持之基板W靠規定距離(例如30mm左右)上方之高度位置。噴嘴下位置係較噴嘴上位置靠下方之高度位置，且係較由基板保持部21保持之基板W靠上方之高度位置。

置換液供給系統60、第1氣體供給系統70、第2氣體供給系統80及第3氣體供給系統90於基板W之乾燥處理時，對噴嘴裝置100分別供給置換液、第1氣體、第2氣體及第3氣體。

如上述般，置換液係具有較即將進行乾燥處理之前之沖洗處理所使用之沖洗液低之表面張力之處理液。作為此處理液，使用有機溶劑。於本實施形態中，作為置換液，使用IPA(異丙醇)。此外，作為置換液，亦可使用HFE(氫氟醚)、甲醇、乙醇或丙酮等其他有機溶劑，取代IPA。進而，置換液可為有機溶劑與純水之混合液。

於本實施形態中，第1氣體、第2氣體及第3氣體係氮氣。此外，第1氣體、第2氣體及第3氣體只要為惰性氣體即可，亦可使用氬氣或氦氣等，取代氮氣。進而，第1氣體、第2氣體及第3氣體可為相同種類之惰性氣 體，亦可至少一氣體為與其他氣體不同之種類之惰性氣體。

2.噴嘴裝置100之構成

針對噴嘴裝置100之構成進行說明。圖3係圖1之噴嘴裝置100之示意性外觀立體圖，圖4係圖1之噴嘴裝置100之示意性俯視圖，圖5係圖4之噴嘴裝置100之Q-Q線縱剖視圖。

如圖3所示，噴嘴裝置100包含具有大致圓柱形狀之噴嘴本體部101。於基板處理裝置1中，噴嘴裝置100以噴嘴本體部101之軸心(中心軸)沿上下方向延伸之一姿勢由噴嘴移動裝置150支持。

噴嘴本體部101具有上表面110、下表面120及外周面130。上表面110具有圓形狀，於噴嘴裝置100處於一姿勢之狀態下朝向上方。下表面120具有圓形狀，於噴嘴裝置100處於一姿勢之狀態下朝向下方。下表面120之中央部呈研缽狀下凹。外周面130係將上表面110之外緣與下表面120之外緣相連之圓筒狀之面。

於噴嘴本體部101，以沿著該噴嘴本體部101之軸心沿上下方向延伸、且以相互接近之方式，形成有2個貫通孔102、103。於一貫通孔102中，插入構成圖1之置換液供給系統60之一部分之置換液配管61。於另一貫通孔103中，插入構成圖1之第1氣體供給系統70之一部分之第1氣體配管71。

如圖5所示，於已在貫通孔102中插入置換液配管61之狀態下，置換液配管61之前端部位於噴嘴裝置100之下端部，作為向下方噴出置換液之置換液噴出口62發揮功能。另一方面，於已在貫通孔103中插入第1氣體配管71之狀態下，第1氣體配管71之前端部位於噴嘴裝置100之下端部，作為向下方噴射第1氣體之第1氣體噴射口72發揮功能。於圖3及圖5中，通過置換液配管61自噴嘴裝置100噴出之置換液之流動係以粗實線之箭頭表示。又，通過第1氣體配管71自噴嘴裝置100噴射之第1氣體之流動係以粗虛線之箭頭表示。

如圖3所示，於噴嘴本體部101之外周面130之下端部附近，沿周向延伸之第2氣體噴射口131及第3氣體噴射口132遍及外周面130之全周形成為圓環狀。第3氣體噴射口132於第2氣體噴射口131之上方之位置，接近第2氣體噴射口131。

於噴嘴本體部101之外周面，連接構成圖1之第2氣體供給系統80之一部分之第2氣體配管81，且連接構成圖1之第3氣體供給系統90之一部分之第3氣體配管91。

如圖5所示，於噴嘴本體部101之內部，形成有將自第2氣體配管81供給之第2氣體導引至第2氣體噴射口131之氣體流路141。又，於噴嘴本體部101之內部，形成有將自第3氣體配管91供給之第3氣體導引至第3氣體噴射口132之氣體流路142。

藉此，當對噴嘴裝置100供給第2氣體時，如圖3~圖5中粗一點鏈線之箭頭所示般，第2氣體通過第2氣體配管81及氣體流路141自第2氣體噴射口131噴射。自第2氣體噴射口131噴射之第2氣體之流動朝與噴嘴本體部101之軸心正交之方向呈放射狀擴展。

又，當對噴嘴裝置100供給第3氣體時，如圖3~圖5中粗兩點鏈線之箭頭所示般，第3氣體通過第3氣體配管91及氣體流路142自第3氣體噴射口132噴射。自第3氣體噴射口132噴射之第3氣體之流動與第2氣體之流動同樣，朝與噴嘴本體部101之軸心正交之方向呈放射狀擴展。

3.基板處理裝置1之控制系統

針對基板處理裝置1之控制系統，與圖1之控制部200之構成一起說明。圖6係顯示圖1之基板處理裝置1之控制系統之構成之方塊圖。如圖6所示，控制部200包含CPU(中央運算處理裝置)201、RAM(隨機存取記憶體)202、ROM(唯讀記憶體)203及記憶裝置204。RAM 202被使用作CPU 201之作業區域。於ROM 203中記憶系統程式。記憶裝置204包含硬碟或半導體記憶體等記憶媒體，記憶用於對於基板W進行上述之一系列之處理(藥液處理、沖洗處理及乾燥處理)之基板洗淨程式。

此外，基板洗淨程式係以儲存於CD-ROM 209等記錄媒體之狀態提供，可安裝於ROM 203或記憶裝置204。或，基板洗淨程式可經由通訊網自基板處理裝置1之外部之伺服器配送，安裝於ROM 203或記憶裝置204。

藉由CPU 201執行基板洗淨程式，而控制基板處理裝置1之各部之動作。具體而言，控制部200控制基板保持裝置20。藉此，控制部200可使基板保持裝置20保持搬入至基板處理裝置1之基板W。又，控制部200為了自基板處理裝置1搬出基板W，而釋放基板保持裝置20對基板W之保持狀態。進而，控制部200使由基板保持裝置20保持之基板W以預設之速度旋轉。

又，控制部200控制杯裝置30。藉此，控制部200使圖1之外杯30A及內杯30B各者於杯上位置與杯下位置之間移動。

又，控制部200控制藥液供給裝置40。藉此，控制部200於藥液處理時使藥液噴嘴41於腔室CH內移動，且對藥液噴嘴41供給藥液。又，控制部200控制沖洗液供給系統50。藉此，控制部200於沖洗處理時，對沖洗液噴嘴51供給沖洗液。

又，控制部200控制置換液供給系統60。藉此，控制部200當乾燥處理中以置換液置換基板W上之沖洗液時，對噴嘴裝置100供給置換液。

又，控制部200控制第1氣體供給系統70、第2氣體供給系統80及第3氣體供給系統90。藉此，控制部200當乾燥處理中去除基板W上之置換液時，對噴嘴裝置100供給第1氣體。又，控制部200於乾燥處理時，對噴嘴裝置100供給第2氣體及第3氣體。

進而，控制部200控制噴嘴移動裝置150之水平方向驅動裝置151及上下方向驅動裝置152。藉此，控制部200於乾燥處理時，使噴嘴裝置100於腔室CH內移動。

4.基板處理裝置1之動作

說明藉由圖6之CPU 201執行基板洗淨程式而對基板W進行一系列之處理之情形之基板處理裝置1之具體的動作例。圖7係用於說明使用圖1之基板處理裝置1對基板進行一系列之處理之情形之各構成要素之動作之一例之時間圖。圖8~圖18係顯示依照圖7之時間圖之基板處理裝置1之各構成要素之動作之示意性側視圖。假設成為本例之處理對象之基板W之直徑為300mm。

於圖7之左端顯示成為基板處理裝置1之動作之控制對象之10個項目。10個項目係「藥液」、「沖洗液」、「噴嘴之高度位置」、「噴嘴之水平位置」、「置換液」、「第1氣體」、「第2及第3氣體」、「外杯之高度位置」、「內杯之高度位置」及「基板之旋轉速度」，依序自最上段(第1段)向最下段(第10段)沿縱向方向排列。

於上述之10個項目之右側，將與該等項目對應之控制內容使用共通之時間軸以時間序列顯示。於第1段之項目「藥液」之右側，顯示是否自藥液供給裝置40向藥液噴嘴41供給藥液(供給或停止)。於第2段之項目「沖洗液」之右側，顯示是否自沖洗液供給系統50向沖洗液噴嘴51供給 沖洗液(供給或停止)。

於第3段之項目「噴嘴裝置之高度位置」之右側，顯示基板處理裝置1中之噴嘴裝置100之上下方向之位置(噴嘴上位置及噴嘴下位置)。於第4段之項目「噴嘴裝置之水平位置」之右側，顯示基板處理裝置1中之噴嘴裝置100之水平面內之位置。顯示為水平位置之「待機位置」係噴嘴裝置100之待機位置，設為預先設定於外杯30A之外方(側方)之位置者。又，「基板外周端部」係於俯視下噴嘴裝置100重疊於基板W之外周端部時、亦即噴嘴裝置100位於基板W之外周端部之上方時之噴嘴裝置100之位置。又，「基板中心」係於俯視下噴嘴裝置100重疊於基板W之中心WC時、亦即噴嘴裝置100位於基板W之中心WC之上方時之噴嘴裝置100之位置。

於第5段之項目「置換液」之右側，顯示是否自置換液供給系統60向噴嘴裝置100供給置換液(供給或停止)。於第6段之項目「第1氣體」之右側，顯示是否自第1氣體供給系統70向噴嘴裝置100供給第1氣體(供給或停止)。於第7段之項目「第2及第3氣體」之右側，顯示是否自第2氣體供給系統80及第3氣體供給系統90向噴嘴裝置100供給第2氣體及第3氣體(供給或停止)。

於第8段之項目「外杯之高度位置」之右側，顯示基板處理裝置1中之外杯30A之上下方向之位置。於第9段之項目「內杯之高度位置」之右側，顯示基板處理裝置1中之內杯30B之上下方向之位置。於第10段之項 目「基板之旋轉速度」之右側，顯示由基板保持裝置20保持且旋轉之基板W之旋轉速度之變化。

首先，於初始狀態(時點t0)下，「藥液」處於向藥液噴嘴41之供給經停止之狀態。又，「沖洗液」處於向沖洗液噴嘴51之供給經停止之狀態。又，「置換液」、「第1氣體」以及「第2及第3氣體」處於向噴嘴裝置100之供給經停止之狀態。又，「噴嘴之高度位置」維持於噴嘴上位置，「噴嘴之水平位置」維持於待機位置，「外杯之高度位置」及「內杯之高度位置」維持於杯下位置。進而，於初始狀態，由於在基板保持裝置20未保持基板W，故「基板之旋轉速度」為0rpm。

於時點t1，將基板W搬入至基板處理裝置1之腔室CH內，將基板W載置於基板保持部21上。又，基板W由基板保持部21保持。其次，自時點t2以至時點t3，進行基板W之藥液處理。具體而言，自時點t2起開始由基板保持部21保持之基板W之旋轉。又，該旋轉速度自0rpm上升至較高之第1速度，且以第1速度維持。於本實施形態中，第1速度為1500rpm。

於將基板W之旋轉速度維持為第1速度之狀態下，如圖8所示，將藥液噴嘴41配置於基板W之上方之處理位置。又，於預設之一定期間，自藥液噴嘴41向基板W之中心WC噴出藥液L1。藉此，藥液L1之液膜擴展至基板W之上表面整體。

如上述般，藥液處理進展。於藥液處理時，藥液L1自旋轉之基板W 飛散。為了承接飛散之藥液L1，而於即將達到時點t2之前，將外杯30A設置於杯上位置。藉此，由外杯30A承接之藥液L1通過外容器39A被廢棄。於圖8中，位於杯上位置之外杯30A之上端部之高度位置係以符號RP表示。

其次，於自藥液噴嘴41向基板W之藥液L1之噴出經停止之後，自時點t3以至時點t4進行基板W之沖洗處理。於沖洗處理中，基板W之旋轉速度係以第1速度維持。又，如圖9所示，自沖洗液噴嘴51向基板W之中心WC噴出沖洗液L2。藉此，沖洗液L2之液膜擴展至基板W之上表面整體，殘留於基板W上之藥液L1由沖洗液L2置換。

於圖9中，在兩點鏈線之標注框內，顯示沖洗處理時之基板W之一部分放大剖視圖。根據該剖視圖，於基板W之上表面，以規定之圖案形成有在與該基板W正交之方向(本例中為上下方向)具有深度之多數個槽。沖洗液L2填充於各槽之內部整體。

如上述般，沖洗處理進展。於沖洗處理時，沖洗液L2主要自旋轉之基板W飛散。為了承接飛散之沖洗液L2，而於即將達到時點t3之前，將內杯30B設置於杯上位置。藉此，由內杯30B承接之沖洗液L2通過內容器39B被廢棄。於圖9以後之規定之圖中，位於杯上位置之內杯30B之上端部之高度位置係以符號RP表示。

其次，於沖洗處理結束後，自時點t4以至時點t6進行基板之乾燥處 理。於乾燥處理中，首先，作為前工序，自時點t4以至時點t5進行以置換液L3置換殘留於基板W上之沖洗液L2之處理。以下所說明之時點t41及時點t42表示時點t4與時點t5之間之特定之時點。

具體而言，隨著經過時點t4，於將噴嘴裝置100之高度位置維持於噴嘴上位置HP之狀態下，將噴嘴裝置100自待機位置沿水平方向移動至基板中心。噴嘴上位置HP係較外杯30A及內杯30B之杯上位置靠上方之高度位置。藉此，如圖10所示，噴嘴裝置100之下端部(圖5之置換液噴出口62及第1氣體噴射口72)與基板W之中心WC對向。

於經過時點t4時，進一步，自第2氣體供給系統80及第3氣體供給系統90對噴嘴裝置100供給第2氣體及第3氣體。藉此，如圖10中粗實線之箭頭所示，自噴嘴裝置100之下端部附近(具體而言，圖5之第2氣體噴射口131及第3氣體噴射口132)沿水平方向形成第2氣體及第3氣體之流動F23。於本實施形態中，被供給至噴嘴裝置100之第2氣體之流量為72.5L/min，被供給至噴嘴裝置100之第3氣體之流量亦為72.5L/min。

又，於經過時點t4時，藉由控制基板保持裝置20，而將基板W之旋轉速度自第1速度降低至較第1速度低之第2速度，且以第2速度維持。於本實施形態中，第2速度為100rpm。

於自時點t4經過微小期間後之時點t41，自置換液供給系統60對噴嘴裝置100供給置換液L3。於本實施形態中，被供給至噴嘴裝置100之置換 液L3之流量為0.1L/min以上且0.5L/min以下。該情形下，如圖11所示，自噴嘴裝置100之下端部(圖5之置換液噴出口62)向基板W之中心WC噴出置換液L3。藉此，置換液L3之液膜擴展至基板W之上表面整體。此時，如圖11之兩點鏈線之標注框內之上段所示，朝與基板W正交之方向噴出之置換液L3被順滑地導引至形成於基板W上之複數個槽之內部。又，置換液L3由於自位於噴嘴上位置HP之噴嘴裝置100噴出，故相較於自位於噴嘴下位置之噴嘴裝置100噴出之情形，以更高之能量碰撞基板W之表面。藉此，殘留於位於基板W之中心WC之槽之內部之沖洗液L2由置換液L3高效率地置換。

然而，於基板W之中心WC除外之區域中，置換液L3由於向基板W之周緣部沿水平方向流動，故不易進入各槽之內部。因而，如圖11之兩點鏈線之標注框內之下段所示，大部分之槽之內部以沖洗液L2殘留之狀態維持之可能性高。為此，於本例中，從自時點t41進一步經過微小期間後之時點t42以至時點t5，於將噴嘴裝置100之高度位置維持於噴嘴上位置HP之狀態下，將噴嘴裝置100自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部。

該情形下，如圖12所示，隨著噴嘴裝置100之移動，位於噴嘴裝置100之正下方之槽內之沖洗液L2由置換液L3強制置換。之後，如圖13所示，藉由在時點t5，噴嘴裝置100到達基板外周端部，而在基板W上之所有槽內填充置換液L3，去除沖洗液。自時點t42至時點t5之時間為例如5sec。

如上述般，於以置換液L3置換基板W上之沖洗液L2之工序中，噴嘴裝置100被維持於噴嘴上位置HP。又，如上述般，噴嘴上位置HP位於較外杯30A及內杯30B之杯上位置靠上方。藉此，當朝基板W之外周端部及其附近之區域噴出置換液L3時，噴嘴裝置100不與外杯30A及內杯30B干涉。

繼而，作為乾燥處理之後工序，自時點t5以至時點t6進行去除殘留於基板W上之置換液L3之處理。以下所說明之時點t51、時點t52、時點t53及時點t54表示時點t5與時點t6之間之特定之時點。

具體而言，隨著經過時點t5，停止自置換液供給系統60向噴嘴裝置100之置換液L3之供給。之後，如圖14所示，於將噴嘴裝置100之高度位置維持於噴嘴上位置HP之狀態下，噴嘴裝置100自基板外周端部沿水平方向移動至基板中心。

其次，於自時點t5經過微小期間後之時點t51，在噴嘴裝置100位於基板W之中心WC之上方之狀態下，自第1氣體供給系統70對噴嘴裝置100供給第1氣體。於本實施形態中，被供給至噴嘴裝置100之第1氣體之流量為5L/min、25L/min或50L/min。該情形下，如圖15所示，自噴嘴裝置100之下端部(圖5之第1氣體噴射口72)向基板W之中心WC噴射第1氣體。於圖15~圖18中，第1氣體之流動F1係以粗實線之箭頭表示。

此時，噴嘴裝置100位於噴嘴上位置HP。因而，於噴嘴裝置100與基 板W之間，確保較大之距離。因而，當自噴嘴裝置100噴射之第1氣體碰撞基板W時產生之衝擊之程度相較於在噴嘴裝置100位於噴嘴下位置之狀態下噴射第1氣體之情形充分低。因此，如圖15之兩點鏈線之標注框內所示，於時點t51，基板W上之置換液L3幾乎不會受到第1氣體之影響。

其次，於時點t52，基板W之旋轉速度自第2速度上升至較第2速度高且較第1速度低之第3速度，且以第3速度維持。於本實施形態中，第3速度為300rpm。

又，自時點t52以至時點t53，如圖16所示，噴嘴裝置100之高度位置自噴嘴上位置HP下降至噴嘴下位置LP。噴嘴下位置LP係較噴嘴上位置HP靠下方且較基板W靠上方之高度位置。藉此，自噴嘴裝置100噴射之第1氣體碰撞基板W時衝擊之程度緩和地變大。

此時，如圖16之兩點鏈線之標注框內所示，朝與基板W正交之方向噴射之第1氣體被順滑地地導引至形成於基板W上之圖案之複數個槽之內部。藉此，殘留於位於基板W之中心WC之槽之內部之置換液L3於時點t53由第1氣體完全去除。

然而，於基板W之中心WC除外之區域中，由於未將第1氣體吹拂至各槽之底部，故難以完全去除殘留於該槽之內部之置換液L3。為此，於本例中，自時點t53以至時點t6，於將噴嘴裝置100之高度位置維持於噴嘴下位置LP之狀態下，將噴嘴裝置100自基板中心沿水平方向移動至基板外 周端部。該情形下，如圖17所示，隨著噴嘴裝置100之移動，位於噴嘴裝置100之正下方之槽內之置換液L3由第1氣體強制吹散而去除。之後，如圖18所示，藉由在時點t6，噴嘴裝置100到達基板外周端部，而完全去除基板W上之所有槽內之置換液L3，而基板W乾燥。自時點t53至時點t6之時間為例如10sec。

且說，若於外杯30A及內杯30B位於杯上位置之狀態下，位於噴嘴下位置LP之噴嘴裝置100向基板W之外周端部移動，則噴嘴裝置100與外杯30A及內杯30B相互干涉之可能性高。為此，於本例中，於緊鄰於噴嘴裝置100到達基板外周端部之時點t6之前之時點t54，將外杯30A及內杯30B之高度位置自杯上位置變更為杯下位置。

如上述般，於時點t6，乾燥處理結束。於乾燥處理結束後，停止第1氣體、第2氣體及第3氣體對於噴嘴裝置100之供給。又，將噴嘴裝置100之高度位置調整為噴嘴上位置HP，將噴嘴裝置100返回待機位置。進而，停止基板W之旋轉。於該狀態下，自基板處理裝置1之腔室CH搬出基板W。

5.實施形態之效果

(a)於上述之基板處理裝置1中，在乾燥處理之前工序中，進行藉由沖洗處理以置換液置換殘留於基板W上之沖洗液之動作。具體而言，將噴嘴裝置100配置於噴嘴上位置HP，置換液噴出口62與基板W之中心WC對向。於該狀態下，自噴嘴裝置100之置換液噴出口62向下方噴出置換液。 又，噴嘴裝置100自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部。該情形下，相較於噴嘴裝置100位於噴嘴下位置LP之情形，噴嘴裝置100在與基板W分開之高度位置受保持。尤其，噴嘴上位置HP位於較位於杯上位置之外杯30A及內杯30B之上端部靠上方。因而，當噴嘴裝置100向基板外周端部移動時，噴嘴裝置100與外杯30A及內杯30B不會相互干涉。

又，當噴嘴裝置100自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部時，跨及基板W之上表面之寬廣之範圍將置換液朝與基板W正交之方向噴出。此時，置換液藉由自噴嘴上位置HP噴出，而相較於自噴嘴下位置LP噴出之情形，以更高之能量碰撞基板W之表面。因而，殘留於基板W上之槽之內部之沖洗液由置換液高效率地置換，順滑地去除殘留於槽之內部之沖洗液。

繼而，於乾燥處理之後工序中，進行以第1氣體置換殘留於基板W上之置換液而進行乾燥之動作。具體而言，將噴嘴裝置100配置於噴嘴上位置HP，第1氣體噴射口72與基板W之中心WC對向。於該狀態下，自噴嘴裝置100之第1氣體噴射口72向下方噴射第1氣體。維持噴射第1氣體之狀態，且噴嘴裝置100自噴嘴上位置HP下降至噴嘴下位置LP。此時，當自第1氣體噴射口72噴射之第1氣體碰撞基板W時產生之衝擊之程度伴隨著噴嘴裝置100之自噴嘴上位置HP向噴嘴下位置LP之移動而緩和地上升。因而，相較於在噴嘴裝置100位於噴嘴下位置LP之狀態下開始第1氣體之噴射之情形，施加於基板W上之置換液之衝擊之變化被緩和。因此，減少因第1氣體碰撞基板W而產生之置換液之飛散。藉此，抑制由自基板W飛散 之置換液再附著基板W所致之基板W之清潔度之降低。

之後，在噴嘴裝置100位於噴嘴下位置LP，且繼續噴射第1氣體之狀態下，將噴嘴裝置100自基板中心沿水平方向移動至基板外周端部。該情形下，跨及基板W之上表面之寬廣之範圍沿與基板W正交之方向吹拂第1氣體。藉此，殘留於基板W上之多數個槽之內部之置換液由第1氣體高效率地置換。因此，順滑地去除殘留於各槽之內部之置換液，而基板W乾燥。於該乾燥時，由於置換液具有較沖洗液低之表面張力，故形成於基板W上之圖案不易受到由置換液之表面張力引起之損傷(圖案之崩壞等)。其等之結果，能夠自基板W適切地去除殘留於圖案形成後之基板W上之沖洗液。

(b)當噴嘴裝置100位於基板W之上方之空間時，自第2氣體噴射口131噴射第2氣體。該情形下，於基板W之上方之位置，以沿平行於基板W之上表面之方向呈面狀擴展之方式，形成第2氣體之流動。藉此，抑制於較第2氣體噴射口131靠上方之位置飛散之微粒落下至基板W上。因此，抑制乾燥後之基板W之清潔度之降低。

(c)當噴嘴裝置100位於基板W之上方之空間時，自第2氣體噴射口131噴射第2氣體，且自第3氣體噴射口132噴射第3氣體。自第3氣體噴射口132噴射之第3氣體之流動截斷較第3氣體噴射口132靠上方之空間、與較第3氣體噴射口132靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，進一步防止微粒等之污染物質自較第3氣體噴射部靠上方之空間落下至基板W上。

又，於噴嘴裝置100處於一姿勢之狀態下，第3氣體噴射口132位於第2氣體噴射口131之上方。藉此，當自噴嘴裝置100同時噴射第2氣體及第3氣體時，能夠以第2氣體填滿較第3氣體噴射口132靠下方且較基板W靠上方之空間。因此，可將包圍基板W之空間維持為清潔且缺乏反應性之環境、亦即於化學上穩定之環境。

(d)如上述般，噴嘴上位置HP係較外杯30A及內杯30B之杯上位置靠上方之高度位置。另一方面，噴嘴下位置LP係較噴嘴上位置HP靠下方且較基板W靠上方之高度位置。

此處，噴嘴下位置LP較佳為設定為當於基板W之上方之空間中自噴嘴裝置100噴射第2氣體及第3氣體時，將2個氣體噴射口(131、132)之開口部之至少一部分朝向較2個杯(30A、30B)之上端部靠上方之空間。

該情形下，於噴嘴裝置100位於基板W之上方之空間之期間，自2個氣體噴射口(131、132)之開口部之至少一部分噴射之氣體之流動截斷較2個杯(30A、30B)之上端部靠上方之空間與較2個杯(30A、30B)之上端部靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，2個杯(30A、30B)內之空間實質上經密閉，減少於包圍2個杯(30A、30B)之空間內浮游之微粒等之污染物質附著於基板W。

6.其他實施形態

(a)於上述實施形態之基板處理裝置1中，在乾燥處理之前工序中，進行如下動作，即：自位於噴嘴上位置HP之噴嘴裝置100噴出置換液，且噴嘴裝置100自基板中心移動至基板外周端部。將該動作稱為第1動作。

又，於上述實施形態之基板處理裝置1中，在乾燥處理之後工序中，進行如下動作，即：向基板W之中心WC噴射第1氣體，且噴嘴裝置100自噴嘴上位置HP下降至噴嘴下位置LP。之後，進行如下動作，即：自位於噴嘴下位置LP之噴嘴裝置100噴射第1氣體，且噴嘴裝置100自基板中心移動至基板外周端部。將該一系列之動作稱為第2動作。

如上述般，第1動作及第2動作各者有效地發揮功能以自基板W適切地去除殘留於沖洗處理後之基板W上之沖洗液。因此，基板處理裝置1可構成為於在乾燥處理之前工序中進行第1動作之情形下，在乾燥處理之後工序中以與第2動作不同之動作去除基板W上之置換液。作為與第2動作不同之動作，可舉出例如於乾燥處理之後工序中不朝基板W噴射氣體，而以較高之旋轉速度旋轉等。

又，基板處理裝置1可構成為於在乾燥處理之後工序中進行第2動作之情形下，在乾燥處理之前工序中以與第1動作不同之動作將基板W上之沖洗液置換為置換液。作為與第1動作不同之動作，可舉出例如於乾燥處理之前工序中僅對旋轉之基板W之中心WC供給置換液等。

(b)於上述實施形態之基板處理裝置1中，置換液供給系統60可構成 為能夠將被加熱至規定之溫度之置換液供給至噴嘴裝置100。圖19係另一實施形態之基板處理裝置1之示意性側視圖。針對圖19之基板處理裝置1之構成及動作，說明與上述實施形態之圖1之基板處理裝置1之構成及動作不同之點。

如圖19所示，於本例之基板處理裝置1中，置換液供給系統60包含置換液供給源63及置換液溫度調整部64。置換液供給源63係由例如儲存有置換液之槽等構成，對置換液溫度調整部64供給置換液。置換液溫度調整部64將自置換液溫度調整部64供給之置換液加熱至較常溫(例如25℃)高之溫度。具體而言，置換液溫度調整部64藉由加熱置換液，而將置換液之溫度調整為70℃左右。

該情形下，於乾燥處理之前工序中，可自置換液供給系統60對噴嘴裝置100供給70℃左右之置換液。藉此，殘留於沖洗處理後之基板W上之沖洗液由較常溫高之溫度之置換液置換。又，藉由將較常溫高之溫度之置換液供給至基板W，可將基板W之溫度維持為較常溫高。藉此，在乾燥處理之後工序中，基板W上之置換液容易蒸發，可縮短基板W之乾燥所需之時間。

(c)於上述實施形態之基板處理裝置1中，使用保持基板W之外周端部之機械卡盤式自旋卡盤作為基板保持部21，但本發明不限定於此。作為基板保持部21，亦可使用吸附保持基板W之下表面中央部之吸附式自旋卡盤。

(d)於上述實施形態之基板處理裝置1中，外杯30A之杯上位置與內杯30B之杯上位置相同，外杯30A之杯下位置與內杯30B之杯下位置相同，但本發明不限定於此。外杯30A之杯上位置與內杯30B之杯上位置可互不相同。又，外杯30A之杯下位置與內杯30B之杯下位置可互不相同。進而，外杯30A及內杯30B可構成為互不干涉而能夠各自獨立地上下移動。該情形下，噴嘴裝置100之噴嘴上位置HP較佳為設定在較位於杯上位置之外杯30A之上端部及位於杯上位置之內杯30B之上端部更靠上方之位置。

(e)於上述實施形態之乾燥處理之後工序中，為了防止噴嘴裝置100與外杯30A及內杯30B之干涉，而於位於噴嘴下位置LP之噴嘴裝置100之水平移動中，外杯30A及內杯30B自杯上位置下降至杯下位置，但本發明不限定於此。

根據噴嘴裝置100之尺寸充分小等之理由，故於即便自噴嘴裝置100朝基板W之外周端部噴射第1氣體，噴嘴裝置100亦不與位於杯上位置之外杯30A及內杯30B干涉之情形下，於乾燥處理之期間，外杯30A及內杯30B可被保持在杯上位置。

此外，只要藉由噴嘴裝置100在不與位於杯上位置之外杯30A及內杯30B干涉之範圍內進行水平移動，而可朝基板W上之圖案形成區域之整體噴射第1氣體，則可不限制噴嘴裝置100之水平移動之範圍。或，只要藉由噴嘴裝置100在不與位於杯上位置之外杯30A及內杯30B干涉之範圍內 進行水平移動，而可使基板W之整體充分乾燥，則亦可限制噴嘴裝置100之水平移動之範圍。此處，限制噴嘴裝置100之水平移動之範圍，意指使噴嘴裝置100於自基板中心至較基板外周端部靠一定距離內側之位置之範圍內使噴嘴裝置100水平移動。該等情形下，於乾燥處理之期間，外杯30A及內杯30B可被保持在杯上位置。

(f)上述實施形態之噴嘴裝置100具有形成於外周面130之2個第2氣體噴射口131及第3氣體噴射口132，但本發明不限定於此。亦可不形成第2氣體噴射口131及第3氣體噴射口132中之一者。

7.申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各部之對應關係

以下，針對申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明不限定於下述之例。作為申請專利範圍之各構成要素，亦可使用具有申請專利範圍所記載之構成或功能之其他各種要素。

於上述實施形態中，基板處理裝置1係基板處理裝置之例，殘留於沖洗處理後之基板W上之沖洗液係殘留液之例，基板保持裝置20係基板保持部之例，置換液噴出口62係液噴出部之例，第1氣體噴射口72係第1氣體噴射部之例，第2氣體噴射口131係第2氣體噴射部之例，噴嘴裝置100係噴嘴裝置之例。

又，置換液係處理液之例，第1氣體係第1氣體之例，第2氣體係第2氣體之例，置換液供給系統60、第1氣體供給系統70、第2氣體供給系統 80及第3氣體供給系統90係流體供給系統之例，噴嘴上位置HP係上位置之例，噴嘴下位置LP係下位置之例，噴嘴移動裝置150係相對移動裝置之例，控制部200係控制部之例。

又，內杯30B係處理杯之例，第3氣體噴射口132係第3氣體噴射部之例，第3氣體係第3氣體之例，噴嘴本體部101之外周面130係外周面之例，置換液溫度調整部64係溫度調整部之例。

又，與乾燥處理之後工序之整體之動作對應之基板處理裝置1之控制係氣體置換控制之例。進而，如圖14所示，於乾燥處理之後工序中位於噴嘴上位置HP之噴嘴裝置100自基板外周端部沿水平方向移動至基板中心時之基板處理裝置1之控制，係第1氣體置換控制之例。又，如圖15及圖16所示，向基板W之中心WC噴射第1氣體且噴嘴裝置100自噴嘴上位置HP下降至噴嘴下位置LP時之基板處理裝置1之控制，係第2氣體置換控制之例。又，如圖17及圖18所示，噴射第1氣體且噴嘴裝置100自基板中心朝基板外周端部水平移動時之基板處理裝置1之控制，係第3氣體置換控制之例。

又，與乾燥處理之前工序之整體之動作對應之基板處理裝置1之控制係液體置換控制之例。進而，如圖10所示，於乾燥處理之前工序中位於噴嘴上位置HP之噴嘴裝置100自待機位置沿水平方向移動至基板中心時之基板處理裝置1之控制，係第1液體置換控制之例。又，如圖11~圖13所示，噴出置換液且噴嘴裝置100自基板中心朝基板外周端部水平移動時之 基板處理裝置1之控制，係第2液體置換控制之例。

8.實施形態之總結

(第1項)第1項之基板處理裝置，其係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含：基板保持部，其保持前述基板並使其繞上下方向之軸旋轉；噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體；相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及控制部；且前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體； 前述控制部：以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基板保持部，於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行液體置換控制，該液體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置，於前述液體置換控制之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，進行第1氣體置換控制，該第1氣體置換控制係以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置，於前述第1氣體置換控制之後，進行第2氣體置換控制，該第2氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且前述噴嘴裝置自前述上位置下降至前述下位置之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置，於前述第2氣體置換控制之後，進行第3氣體置換控制，該第3氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。

於該基板處理裝置中，藉由液體置換控制以處理液置換基板上之殘留液。之後，藉由第1氣體置換控制，將噴嘴裝置配置於上位置，第1氣體 噴射部與基板之中心對向。於該狀態下，藉由第2氣體置換控制，自噴嘴裝置之第1氣體噴射部朝下方噴射氣體。維持自第1氣體噴射部朝下方噴射氣體之狀態，且噴嘴裝置自上位置下降至下位置。此時，當自第1氣體噴射部噴射之第1氣體碰撞基板時產生之衝擊之程度伴隨著自噴嘴裝置之上位置向下位置之移動而緩和地上升。因而，相較於在噴嘴裝置位於下位置之狀態下開始第1氣體之噴射之情形，施加於基板上之處理液之衝擊之變化被緩和。因此，減少因第1氣體碰撞基板而產生之處理液之飛散。藉此，抑制由自基板飛散之處理液再附著於基板所致之基板之清潔度之降低。

於圖案形成後之基板上形成有在與基板正交之方向具有深度之多數個槽。根據上述之構成，藉由進行第3氣體置換控制，可跨及基板之上表面之寬廣之範圍將第1氣體朝與基板正交之方向噴射。藉此，殘留於基板上之槽之內部之處理液由第1氣體高效率地置換。因此，順滑地去除殘留於槽之內部之處理液，而基板乾燥。於該乾燥時，由於自基板上去除之處理液具有較殘留液低之表面張力，故形成於基板上之圖案不易受到由處理液之表面張力引起之損傷。其等之結果，能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液。

進而，於第2及第3氣體置換控制時，自第2氣體噴射部噴射第2氣體。該情形下，於基板之上方之位置，以沿平行於基板之上表面之方向呈面狀擴展之方式，形成第2氣體之流動。藉此，抑制於較第2氣體噴部靠上方之位置飛散之微粒落下至基板上。因此，抑制乾燥後之基板之清潔度之 降低。

(第2項)如第1項之基板處理裝置，其中可行的是，前述基板處理裝置進一步包含：處理杯，其形成為於俯視下包圍由前述基板保持部保持之前述基板，承接當對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時自前述基板飛散之處理液；且前述上位置係較對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時之前述處理杯之上端部更靠上方之位置。

該情形下，於基於第2氣體置換控制之第1氣體之噴射開始時，可將噴嘴裝置與基板之間之距離確保為較大。藉此，由第1氣體碰撞基板所致之衝擊被進一步緩和，進一步減少處理液之飛散。

(第3項)如第2項之基板處理裝置，其中可行的是，前述噴嘴裝置進一步具有第3氣體噴射部；且前述流體供給系統對前述噴嘴裝置進一步供給第3氣體；前述第3氣體噴射部位於較前述第2氣體噴射部靠上方，形成為於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，將自前述流體供給系統供給之前述第3氣體於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射。

該情形下，自第3氣體噴射部噴射之第3氣體之流動截斷較第3氣體噴 射部靠上方之空間、與較第3氣體噴射部靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，防止微粒等之污染物質自較第3氣體噴射部靠上方之空間落下至基板上。又，於第2氣體置換控制及第3氣體置換控制中，能夠以第2氣體填滿較第3氣體噴射部靠下方且較基板靠上方之空間。因此，藉由使用適切之氣體作為第2氣體，可將包圍基板之空間維持為清潔且缺乏反應性之環境、亦即於化學上穩定之環境。

(第4項)如第3項之基板處理裝置，其中可行的是，前述噴嘴裝置具有在處於前述一姿勢之狀態下沿上下方向延伸之筒狀之外周面；且前述第2氣體噴射部及前述第3氣體噴射部各自包含沿前述外周面之周向延伸之環狀之開口部；前述第2氣體噴射部之前述開口部及前述第3氣體噴射部之前述開口部中至少一部分形成為，於前述第3氣體置換控制時朝向較前述處理杯之上端部靠上方之空間。

該情形下，自第2氣體噴射部之開口部及第3氣體噴射部之開口部中至少一部分噴射之氣體之流動截斷較處理杯之上端部靠上方之空間與較處理杯之上端部靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，處理杯內之空間實質上經密閉，減少於包圍處理杯之空間內浮游之微粒等之污染物質附著於基板。

(第5項)如第1項至第4項中任一項之基板處理裝置，其中可行的是， 前述液體置換控制包含：第1液體置換控制，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置；及第2液體置換控制，其於前述第1液體置換控制之後，以自前述液噴出部噴出前述處理液，且自位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。

該情形下，可自旋轉之基板之中心以至周緣部將處理液朝與基板正交之方向噴出。又，處理液藉由自上位置噴出，而相較於自下位置噴出之情形，可以更高之能量碰撞基板之表面。藉此，殘留於基板上之殘留液由處理液高效率地置換。其等之結果，能夠自基板更適切地去除殘留於基板上之殘留液。

(第6項)如第1項至第5項中任一項之基板處理裝置，其中可行的是，前述流體供給系統包含溫度調整部，該溫度調整部將被供給至前述噴嘴裝置之前述處理液之溫度調整為較常溫高之溫度。

該情形下，於液體置換控制時，殘留於基板上之殘留液由較常溫高之溫度之處理液置換。

(第7項)第7項之基板處理裝置，其 係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含：基板保持部，其保持前述基板並使其繞上下方向之軸旋轉；噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體；相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及控制部；且前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體；前述控制部：以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基板保持部，於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態 下，進行第1液體置換控制，該第1液體置換控制係以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置，於前述第1液體置換控制之後，進行第2液體置換控制，該第2液體置換控制係以自前述液噴出部噴出前述處理液，且位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置，於前述第2液體置換控制之後，在前述處理液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行氣體置換控制，該氣體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且自前述噴嘴裝置之前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。

於對旋轉之基板供給處理液之基板處理中，使用用於承接自基板飛散之處理液之處理杯。於處理杯之使用時，處理杯於接近基板之外周端部之狀態下，被保持於與基板之高度位置相同程度之高度位置。因而，於噴嘴裝置位於接近基板之位置時，處理杯與噴嘴裝置有可能干涉。

於該基板處理裝置中，藉由第1液體置換控制，將噴嘴裝置配置於上位置，液噴出部與基板之中心對向。繼而，藉由第2液體置換控制，自液噴出部朝基板噴出處理液。又，噴嘴裝置自基板之中心向基板之外周端部移動。該情形下，相較於噴嘴裝置位於下位置之情形，噴嘴裝置在與基板分開之高度位置受保持。因而，當噴嘴裝置自基板之中心向外周端部移動 時，噴嘴裝置與處理杯不易相互干涉。

又，於圖案形成後之基板上，形成有在與基板之上表面正交之方向具有深度之多數個槽。根據上述之構成，藉由進行第2液體置換控制，可跨及基板之上表面之寬廣之範圍將處理液朝與基板正交之方向噴出。此時，處理液藉由自上位置噴出，而相較於自下位置噴出之情形，可以更高之能量碰撞基板之表面。因而，殘留於基板上之槽之內部之殘留液由處理液高效率地置換。因此，順滑地去除殘留於槽之內部之殘留液。

於第2液體置換控制之後，藉由氣體置換控制以第1氣體置換基板上之處理液，而基板乾燥。於該乾燥時，由於自基板上去除之處理液具有較殘留液低之表面張力，故形成於基板上之圖案不易受到由處理液之表面張力引起之損傷。其等之結果，能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液。

進而，於氣體置換控制時，自第2氣體噴射部噴射第2氣體。該情形下，於基板之上方之位置，以沿平行於基板之上表面之方向呈面狀擴展之方式，形成第2氣體之流動。藉此，抑制於較第2氣體噴部靠上方之位置飛散之微粒落下至基板上。因此，抑制乾燥後之基板之清潔度之降低。

(第8項)如第7項之基板處理裝置，其中可行的是，前述基板處理裝置進一步包含：處理杯，其形成為於俯視下包圍由前述基板保持部保持之前述基 板，承接當對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時自前述基板飛散之處理液；且前述上位置係較對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時之前述處理杯之上端部更靠上方之位置。

該情形下，於基於第2液體置換控制之處理液之噴出時，可將噴嘴裝置與基板之間之距離確保為較大。藉此，可使自液噴出部噴出之處理液以較高之能量碰撞基板之表面。因此，順滑地去除殘留於槽之內部之殘留液。

(第9項)如第8項之基板處理裝置，其中可行的是，前述噴嘴裝置進一步具有第3氣體噴射部；且前述流體供給系統對前述噴嘴裝置進一步供給第3氣體；前述第3氣體噴射部位於較前述第2氣體噴射部靠上方，形成為於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，將自前述流體供給系統供給之前述第3氣體於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射。

該情形下，自第3氣體噴射部噴射之第3氣體之流動截斷較第3氣體噴射部靠上方之空間、與較第3氣體噴射部靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，防止微粒等之污染物質自較第3氣體噴射部靠上方之空間落下至基板上。又，於第2氣體置換控制及第3氣體置換控制中，能夠以第2氣體填滿較第3氣體噴射部靠下方且較基板靠上方之空間。因此，藉由使用 適切之氣體作為第2氣體，可將包圍基板之空間維持為清潔且缺乏反應性之環境、亦即於化學上穩定之環境。

(第10項)如第9項之基板處理裝置，其中可行的是，前述噴嘴裝置具有在處於前述一姿勢之狀態下沿上下方向延伸之筒狀之外周面；且前述第2氣體噴射部及前述第3氣體噴射部各者包含沿前述外周面之周向延伸之環狀之開口部；前述第2氣體噴射部之前述開口部及前述第3氣體噴射部之前述開口部中至少一部分形成為，於前述氣體置換控制時朝向較前述處理杯之上端部靠上方之空間。

該情形下，自第2氣體噴射部之開口部及第3氣體噴射部之開口部中至少一部分噴射之氣體之流動截斷較處理杯之上端部靠上方之空間與較處理杯之上端部靠下方之空間之間之氣體之流通。藉此，處理杯內之空間實質上經密閉，減少於包圍處理杯之空間內浮游之微粒等之污染物質附著於基板。

(第11項)第11項之基板處理方法，其係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下 方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體；前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力；前述基板處理方法包含：藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟；液體置換步驟，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液而自前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液；第1氣體置換步驟，其於前述液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，以前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，將前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置；第2氣體置換步驟，其於前述第1氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使前述噴嘴裝置下降至較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置；及第3氣體置換步驟，其於前述第2氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述 第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動。

於該基板處理方法中，藉由液體置換步驟以處理液置換基板上之殘留液。之後，藉由第1氣體置換步驟，將噴嘴裝置配置於上位置，第1氣體噴射部與基板之中心對向。於該狀態下，藉由第2氣體置換步驟，自噴嘴裝置之第1氣體噴射部朝下方噴射氣體。維持自第1氣體噴射部朝下方噴射氣體之狀態，且噴嘴裝置自上位置下降至下位置。此時，當自第1氣體噴射部噴射之第1氣體碰撞基板時產生之衝擊之程度伴隨著自噴嘴裝置之上位置向下位置之移動而緩和地上升。因而，相較於在噴嘴裝置位於下位置之狀態下開始第1氣體之噴射之情形，施加於基板上之處理液之衝擊之變化被緩和。因此，減少因第1氣體碰撞基板而產生之處理液之飛散。藉此，抑制由自基板飛散之處理液再附著於基板所致之基板之清潔度之降低。

於圖案形成後之基板上形成有在與基板正交之方向具有深度之多數個槽。根據上述之方法，藉由進行第3氣體置換步驟，可跨及基板之上表面之寬廣之範圍將第1氣體朝與基板正交之方向噴射。藉此，殘留於基板上之槽之內部之處理液由第1氣體高效率地置換。因此，順滑地去除殘留於槽之內部之處理液，而基板乾燥。於該乾燥時，由於自基板上去除之處理液具有較殘留液低之表面張力，故形成於基板上之圖案不易受到由處理液之表面張力引起之損傷。其等之結果，能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液。

進而，於第2及第3氣體置換步驟中，自第2氣體噴射部噴射第2氣體。該情形下，於基板之上方之位置，以沿平行於基板之上表面之方向呈面狀擴展之方式，形成第2氣體之流動。藉此，抑制於較第2氣體噴部靠上方之位置飛散之微粒落下至基板上。因此，抑制乾燥後之基板之清潔度之降低。

(第12項)第12項之基板處理方法，其係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部；前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液；前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體；前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體；前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力；前述基板處理方法包含：藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟；第1液體置換步驟，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之 前述基板上之狀態下，以前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，將處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置；第2液體置換步驟，其於前述第1液體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液，而自前述液噴出部噴出前述處理液，並使位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動；及氣體置換步驟，其於前述第2液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第2氣體，而自前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體，而自前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體。

於對旋轉之基板供給處理液之基板處理中，使用用於承接自基板飛散之處理液之處理杯。於處理杯之使用時，處理杯於接近基板之外周端部之狀態下，被保持於與基板之高度位置相同程度之高度位置。因而，於噴嘴裝置位於接近基板之位置時，處理杯與噴嘴裝置有可能干涉。

於該基板處理方法中，藉由第1液體置換步驟，將噴嘴裝置配置於上位置，液噴出部與基板之中心對向。繼而，藉由第2液體置換步驟，自液噴出部朝基板噴出處理液。又，噴嘴裝置自基板之中心向基板之外周端部移動。該情形下，相較於噴嘴裝置位於較上位置靠下方之位置之情形，噴嘴裝置在與基板分開之高度位置受保持。因而，當噴嘴裝置自基板之中心向外周端部移動時，噴嘴裝置與處理杯不易相互干涉。

又，於圖案形成後之基板上，形成有在與基板之上表面正交之方向具有深度之多數個槽。根據上述之構成，藉由進行第2液體置換步驟，可跨及基板之上表面之寬廣之範圍將處理液朝與基板正交之方向噴出。此外，處理液藉由自上位置噴出，而相較於自較上位置靠下方之位置噴出之情形，以更高之能量碰撞基板之表面。因而，殘留於基板上之槽之內部之殘留液由處理液高效率地置換。因此，順滑地去除殘留於槽之內部之殘留液。

於第2液體置換步驟之後，藉由氣體置換步驟以第1氣體置換基板上之處理液，而基板乾燥。於該乾燥時，由於自基板上去除之處理液具有較殘留液低之表面張力，故形成於基板上之圖案不易受到由處理液之表面張力引起之損傷。其等之結果，能夠自基板適切地去除殘留於圖案形成後之基板上之殘留液。

進而，於氣體置換步驟時，自第2氣體噴射部噴射第2氣體。該情形下，於基板之上方之位置，以沿平行於基板之上表面之方向呈面狀擴展之方式，形成第2氣體之流動。藉此，抑制於較第2氣體噴部靠上方之位置飛散之微粒落下至基板上。因此，抑制乾燥後之基板之清潔度之降低。

根據上述之實施形態之基板處理裝置及基板處理方法，可於基板之乾燥時高效率地去除殘留液。因此，抑制處理液之無意義之消耗，故而無須準備大量之處理液。因此，可有助於由處理液引起之地球環境之污染之 降低。

1:基板處理裝置 10:FFU(過濾單元) 20:基板保持裝置 21:基板保持部 21a:自旋基座 21b:保持銷 22:旋轉驅動部 30:杯裝置 30A:外杯/杯 30B:內杯/杯 31:杯驅動部 39:排液裝置 39A:外容器 39B:內容器 40:藥液供給裝置 41:藥液噴嘴 50:沖洗液供給系統 51:沖洗液噴嘴 60:置換液供給系統 70:第1氣體供給系統 80:第2氣體供給系統 90:第3氣體供給系統 100:噴嘴裝置 150:噴嘴移動裝置 151:水平方向驅動裝置 152:上下方向驅動裝置 200:控制部 CH:腔室 W:基板

Claims (12)

1. 一種基板處理裝置，其係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含： 基板保持部，其保持前述基板並使其繞上下方向之軸旋轉； 噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部； 流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體； 相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及 控制部；且 前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液； 前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體； 前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體； 前述控制部： 以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基板保持部， 於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行液體置換控制，該液體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置， 於前述液體置換控制之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，進行第1氣體置換控制，該第1氣體置換控制係以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置， 於前述第1氣體置換控制之後，進行第2氣體置換控制，該第2氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且前述噴嘴裝置自前述上位置下降至前述下位置之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置， 於前述第2氣體置換控制之後，進行第3氣體置換控制，該第3氣體置換控制係以自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，且位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其進一步包含處理杯，該處理杯形成為於俯視下包圍由前述基板保持部保持之前述基板，承接當對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時自前述基板飛散之處理液；且 前述上位置係較對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時之前述處理杯之上端部更靠上方之位置。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述噴嘴裝置進一步具有第3氣體噴射部；且 前述流體供給系統對前述噴嘴裝置進一步供給第3氣體； 前述第3氣體噴射部位於較前述第2氣體噴射部靠上方，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，將自前述流體供給系統供給之前述第3氣體於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述噴嘴裝置具有在處於前述一姿勢之狀態下沿上下方向延伸之筒狀之外周面；且 前述第2氣體噴射部及前述第3氣體噴射部各自包含沿前述外周面之周向延伸之環狀之開口部； 前述第2氣體噴射部之前述開口部及前述第3氣體噴射部之前述開口部中至少一部分形成為，於前述第3氣體置換控制時朝向較前述處理杯之上端部靠上方之空間。
5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中前述液體置換控制包含： 第1液體置換控制，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置；及 第2液體置換控制，其於前述第1液體置換控制之後，以自前述液噴出部噴出前述處理液，且位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。
6. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中前述流體供給系統包含溫度調整部，該溫度調整部將被供給至前述噴嘴裝置之前述處理液之溫度調整為較常溫高之溫度。
7. 一種基板處理裝置，其係自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且包含： 基板保持部，其保持前述基板並使其繞上下方向之軸旋轉； 噴嘴裝置，其具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部； 流體供給系統，其對前述噴嘴裝置供給具有較前述殘留液低之表面張力之處理液、第1氣體及第2氣體； 相對移動裝置，其使處於一姿勢之前述噴嘴裝置在較由前述基板保持部保持之前述基板靠規定距離上方之上位置、與較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置之間相對於前述基板相對地移動，並使處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置相對於前述基板沿水平方向相對地移動；及 控制部；且 前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴出自前述流體供給系統供給之前述處理液； 前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射自前述流體供給系統供給之前述第1氣體； 前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射自前述流體供給系統供給之前述第2氣體； 前述控制部： 以由前述基板保持部保持之前述基板旋轉之方式，控制前述基板保持部， 於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行第1液體置換控制，該第1液體置換控制係以前述噴嘴裝置位於前述上位置且前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，控制前述相對移動裝置， 於前述第1液體置換控制之後，進行第2液體置換控制，該第2液體置換控制係以自前述液噴出部噴出前述處理液，且位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置， 於前述第2液體置換控制之後，在前述處理液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，進行氣體置換控制，該氣體置換控制係以自前述噴嘴裝置之前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且自前述噴嘴裝置之前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體之方式，控制前述流體供給系統及前述相對移動裝置。
8. 如請求項7之基板處理裝置，其進一步包含處理杯，該處理杯形成為於俯視下包圍由前述基板保持部保持之前述基板，承接當對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時自前述基板飛散之處理液；且 前述上位置係較對由前述基板保持部保持之前述基板供給前述處理液時之前述處理杯之上端部更靠上方之位置。
9. 如請求項8之基板處理裝置，其中前述噴嘴裝置進一步具有第3氣體噴射部；且 前述流體供給系統對前述噴嘴裝置進一步供給第3氣體； 前述第3氣體噴射部位於較前述第2氣體噴射部靠上方，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由前述基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，將自前述流體供給系統供給之前述第3氣體於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中前述噴嘴裝置具有在處於前述一姿勢之狀態下沿上下方向延伸之筒狀之外周面；且 前述第2氣體噴射部及前述第3氣體噴射部各者包含沿前述外周面之周向延伸之環狀之開口部； 前述第2氣體噴射部之前述開口部及前述第3氣體噴射部之前述開口部中至少一部分形成為，於前述氣體置換控制時朝向較前述處理杯之上端部靠上方之空間。
11. 一種基板處理方法，其係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且 前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部； 前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液； 前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體； 前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體； 前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力； 前述基板處理方法包含： 藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟； 液體置換步驟，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液而自前述液噴出部朝前述基板上噴出前述處理液； 第1氣體置換步驟，其於前述液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，以前述第1氣體噴射部與前述基板之中心對向之方式，將前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置； 第2氣體置換步驟，其於前述第1氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使前述噴嘴裝置下降至較前述上位置靠下方且較前述基板靠上方之下位置；及 第3氣體置換步驟，其於前述第2氣體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體及前述第2氣體，而自前述第1氣體噴射部及前述第2氣體噴射部分別噴射前述第1氣體及前述第2氣體，並使位於前述下位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動。
12. 一種基板處理方法，其係使用噴嘴裝置自基板去除殘留於圖案形成後之前述基板上之殘留液者，且 前述噴嘴裝置具有液噴出部、第1氣體噴射部及第2氣體噴射部； 前述液噴出部形成為，於前述噴嘴裝置處於一姿勢之狀態下，向下方噴出對前述噴嘴裝置供給之處理液； 前述第1氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢之狀態下，向下方噴射對前述噴嘴裝置供給之第1氣體； 前述第2氣體噴射部形成為，於前述噴嘴裝置處於前述一姿勢且配置於由基板保持部保持之前述基板之上方之空間之狀態下，於俯視下向前述基板之外周端部呈放射狀噴射對前述噴嘴裝置供給之第2氣體； 前述處理液具有較前述殘留液低之表面張力； 前述基板處理方法包含： 藉由前述基板保持部保持前述基板並使經保持之前述基板繞上下方向之軸旋轉的步驟； 第1液體置換步驟，其於前述殘留液存在於由前述基板保持部保持之前述基板上之狀態下，以前述液噴出部與前述基板之中心對向之方式，將處於前述一姿勢之前述噴嘴裝置配置於較前述基板靠規定距離上方之上位置； 第2液體置換步驟，其於前述第1液體置換步驟之後，藉由對前述噴嘴裝置供給前述處理液，而自前述液噴出部噴出前述處理液，並使位於前述上位置之前述噴嘴裝置自前述基板之中心向前述外周端部移動；及 氣體置換步驟，其於前述第2液體置換步驟之後，在前述處理液存在於前述基板上之狀態下，將前述噴嘴裝置配置於前述基板之上方，藉由對前述噴嘴裝置供給前述第2氣體，而自前述第2氣體噴射部噴射前述第2氣體，且藉由對前述噴嘴裝置供給前述第1氣體，而自前述第1氣體噴射部朝前述基板上噴射前述第1氣體。