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TWI886430B - 電子裝置 - Google Patents

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TWI886430B
TWI886430B TW112100431A TW112100431A TWI886430B TW I886430 B TWI886430 B TW I886430B TW 112100431 A TW112100431 A TW 112100431A TW 112100431 A TW112100431 A TW 112100431A TW I886430 B TWI886430 B TW I886430B
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賴瑞菊
陳煌焯
陳淑蘭
顏伯廷
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群創光電股份有限公司
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Abstract

本揭露提供一種電子裝置，其具有光學調變區以及非光學調變區，且包括第一基板、第一透明電極層以及第二透明電極層。第一透明電極層設置於第一基板上。第二透明電極層設置於第一透明電極層上且具有開口。光學調變區重疊於開口，且非光學調變區與第一透明電極層以及第二透明電極層重疊。光學調變區的間隙大於非光學調變區的間隙。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置。
智能眼鏡是一種可根據需求而改變焦距的電子裝置，詳細地說，可通過改變電壓控制介質層，借此以調整透鏡的屈光度。可調整的屈光度範圍受到間隙的限制，為了提升可調整的屈光度範圍，須通過增加間隙物的高度以提高間隙，但仍有許多問題需要改進。
根據本揭露的實施例，電子裝置具有光學調變區以及非光學調變區，且包括第一基板、第一透明電極層以及第二透明電極層。第一透明電極層設置於第一基板上。第二透明電極層設置於第一透明電極層上且具有開口。光學調變區重疊於開口，且非光學調變區與第一透明電極層以及第二透明電極層重疊。光學調變區的間隙大於非光學調變區的間隙。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合附圖作詳細說明如下。
透過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及圖式的簡潔，本揭露中的多張圖式只繪出電子裝置的一部分，且圖式中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
本文中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
當相應的構件（例如膜層或區域）被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向（orientation）。
術語「等於」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該（或該些）元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在權利要求中可能為第二構件。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、其他適合的元件，或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度、寬度與面積的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一值等於第二值，其隱含著第一值與第二值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
本揭露的電子裝置可包括視力矯正裝置、顯示裝置、天線裝置、發光裝置、感測裝置、觸控裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置包括可捲曲、可彎折或可撓式電子裝置，但不以此為限。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。電子裝置可例如包括二極體、液晶（liquid crystal）、發光二極體（light emitting diode，LED）、量子點（quantum dot，QD）、螢光（fluorescence）、磷光（phosphor）、其他適合之顯示介質或上述之組合。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、微型發光二極體（micro-LED、mini-LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED），但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外型可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置、穿戴式裝置（例如包括增強現實或虛擬實境）、車載裝置（例如包括汽車擋風玻璃）或拼接裝置。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的示意圖，且圖2為依據圖1的剖線A-A’的剖面示意圖。
請參照圖1，本實施例的電子裝置10可例如是一種用於視力矯正的電子裝置。在一些實施例中，電子裝置10可用於矯正近視、遠視、老花、散光或其餘視力問題。即，電子裝置10例如是一種電子眼鏡，但本揭露不以此為限。電子裝置10例如具有兩個鏡框10R、兩個鏡腳10T以及鼻樑10N的架構，其中相應的鏡框10R與相應的鏡腳10T連接，且鼻樑10N連接兩個鏡框10R。另外，在本實施例中，電子裝置10中的電子元件包括光學調變結構100、電路模組200以及訊號傳輸元件300。光學調變結構100例如設置於電子裝置10的鏡框10R上，且例如具有電控變焦的功能。詳細地說，光學調變結構100例如具有光學調變區OM以及非光學調變區NOM，其中非光學調變區NOM可例如環繞光學調變區OM，但本揭露不以此為限。光學調變結構100的非光學調變區NOM具有固定的焦距（或屈光度），且光學調變結構100的光學調變區OM可例如通過改變電壓而調整其焦距（或屈光度），其將於以下的實施例中詳述。電路模組200例如設置於電子裝置10的鏡腳10T中且例如與光學調變結構100電性連接。在一些實施例中，電路模組200可包括電源提供單元（未示出）、觸控感測器（未示出）以及電路板（未示出）等相應元件，以提供給光學調變結構100電源及/或用以驅動光學調變結構100，但本揭露不以此為限。訊號傳輸元件300可例如設置於電子裝置10的鏡框10R、鏡腳10T以及鼻樑10N中，且例如用以使電路模組200與光學調變結構100電性連接。
請參照圖2，在本實施例中，光學調變結構100包括基板SB1、透明電極層TE1以及透明電極層TE2。
基板SB1可例如為可撓基板或不可撓基板。基板SB1的材料可例如包括玻璃、塑膠或其組合。舉例而言，基板SB1的材料可包括石英、藍寶石（sapphire）、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate，PC）、聚醯亞胺（polyimide，PI）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）或其他適合的材料或上述材料的組合；或者基板SB1為晶片，本揭露不以此為限。在一些實施例中，基板SB1的厚度例如為20μm~2,000,000μm。
透明電極層TE1例如設置於基板SB1上。在一些實施例中，透明電極層TE1例如全面地設置於基板SB1上。在一些實施例中，透明電極層TE1的材料可包括金屬氧化物（例如氧化銦錫）、碳納米管、石墨烯、其他合適的材料或其組合，但本揭露不以此為限。
透明電極層TE2例如設置於透明電極層TE1上且具有開口OP。在本實施例中，透明電極層TE2例如為圖案化的透明電極層。舉例而言，透明電極層TE2例如具有環狀結構而具有開口OP，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，透明電極層TE2的材料可與透明電極層TE1的材料相同或相似，於此不再贅述。
在本實施例中，光學調變結構100的光學調變區OM在光學調變結構100的法線方向n上重疊於透明電極層TE2的開口OP，且光學調變結構100的非光學調變區NOM在光學調變結構100的法線方向n上至少部分重疊於透明電極層TE1以及透明電極層TE2。即，光學調變結構100的光學調變區OM以及非光學調變區NOM可由透明電極層TE1以及透明電極層TE2定義出。另外，儘管圖2中未示出，光學調變結構100的光學調變區OM的間隙大於非光學調變區NOM的間隙，其將於以下的實施例中詳細描述。
在一些實施例中，光學調變結構100還可包括設置於基板SB1上的絕緣層PV1、高阻膜HR、絕緣層PV2以及配向層AL1。
絕緣層PV1例如設置於透明電極層TE1與透明電極層TE2之間。在一些實施例中，絕緣層PV1用以使透明電極層TE1與透明電極層TE2彼此電性隔離。絕緣層PV1的材料可例如包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不以此為限。
高阻膜HR例如設置於絕緣層PV1上。在本實施例中，高阻膜HR全面地設置於透明電極層TE2上，但本揭露不以此為限。高阻膜HR具有相對高的表面阻抗，有助於在驅動光學調變結構100時，使在垂直於光學調變結構100的法線方向n的方向（例如第一方向d1或第二方向d2）上的電場變化減緩，以使光學調變結構100能形成相對好的影像品質。高阻膜HR的材料可例如包括導電聚合物、透明導電氧化物、金屬、碳納米管、石墨烯或其組合，本揭露不以此為限。
絕緣層PV2例如設置於高阻膜HR上。絕緣層PV2的材料可例如為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本揭露不以此為限。
配向層AL1例如設置於絕緣層PV2上。配向層AL1可例如用於使光學調變結構100的顯示介質形成水平方向或垂直方向的配向及/或可例如提供顯示介質預傾角。配向層AL1包括的材料可例如是聚醯亞胺，但本揭露不以此為限。
在一些實施例中，光學調變結構100還可包括基板SB2。
基板SB2例如在光學調變結構100的法線方向n上與基板SB1相對地設置。在一些實施例中，基板SB2的材料及其厚度可與基板SB1的材料及其厚度相同或相似，於此不再贅述。
在一些實施例中，光學調變結構100還可包括設置於基板SB2上的透明電極層TE3以及配向層AL2。
透明電極層TE3例如設置於基板SB2上。在一些實施例中，透明電極層TE3的材料可與透明電極層TE1的材料相同或相似，於此不再贅述。
配向層AL2例如設置於透明電極層TE3上。配向層AL2亦可例如用於使光學調變結構100的顯示介質形成水平方向或垂直方向的配向及/或可例如提供顯示介質預傾角。配向層AL2的材料可與配向層AL1的材料相同或相似，於此不再贅述。
在一些實施例中，光學調變結構100還可包括介質層LC、支撐件PS、框膠SEAL以及黏著材料LM。
介質層LC例如設置於基板SB1與基板SB2之間。在一些實施例中，介質層LC例如包括液晶分子LCM, 液晶分子LCM可例如通過電壓的改變而排列。舉例而言，在光學調變結構100未驅動時，液晶分子LCM根據配向層AL1以及配向層AL2的配向方向（例如第一方向d1）而排列。相對地，在光學調變結構100驅動時，液晶分子LCM可根據兩電極之間的電壓大小而具有相對應的傾斜方向。在一些實施例中，介質層LC可包括電場控制雙折射型（electrically controlled birefringence；ECB）的液晶分子、垂直配向型（vertical alignment；VA）的液晶分子或其餘合適的液晶分子，但本揭露不以此為限。介質層LC可例如通過液晶滴入製程（one drop fill；ODF）而形成於基板SB1與基板SB2之間，本揭露不以此為限。
支撐件PS例如設置於基板SB1與基板SB2之間，且例如用以支撐基板SB1與基板SB2。在一些實施例中，支撐件PS可用以定義光學調變結構100的間隙CG（cell gap）。支撐件PS包括的材料並無特別限制，其可例如包括有機感光材料。另外，支撐件PS的態樣並無特別限制，其可例如為柱狀。在本實施例中，光學調變結構100的間隙CG為配向層AL1與配向層AL2在光學調變結構100的法線方向n上之間的最大距離，但本揭露不以此為限。另外，在一些實施例中，配向層AL1及/或配向層AL2可殘留在支撐件PS的底表面及/或側表面，本揭露不以此為限。
框膠SEAL例如設置於基板SB1與基板SB2之間，且例如環繞介質層LC而設置。在一些實施例中，框膠SEAL可用以接合基板SB1與基板SB2，且與基板SB1或基板SB2形成容置介質層LC的空間。
黏著材料LM例如設置於基板SB1與基板SB2之間，且位於框膠SEAL與介質層LC之間。在一些實施例中，黏著材料LM亦可用以接合基板SB1與基板SB2，以使基板SB1與基板SB2可更均勻地接合。黏著材料LM的材料可例如是液態光學膠（liquid optically clear adhesive；LOCA），但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，黏著材料LM可包括光學膠（optical clear adhesive；OCA）或光學透明樹脂（optical clear resin；OCR）。
在本實施例中，光學調變結構100的光學調變區OM以及非光學調變區NOM可由透明電極層TE1以及透明電極層TE2定義出，且以下陳述如何利用電壓調整光學調變結構100的光學調變區OM中的焦距（或屈光度）。
詳細地說，在驅動光學調變結構100時，向透明電極層TE1施加第一電壓，且向透明電極層TE2施加第二電壓，其中第一電壓與第二電壓不同，第一電壓為透明電極層TE1與透明電極層TE3之間的電壓差的絕對值，且第二電壓為透明電極層TE2與透明電極層TE3之間的電壓差的絕對值。在一些實施例中，在第一電壓大於第二電壓的情況，第一電壓的絕對值小於或等於50V，且第二電壓的絕對值小於二分之一的第一電壓的絕對值，反之亦然。
在本實施例中，在各自向透明電極層TE1施加第一電壓以及向透明電極層TE2施加第二電壓之前，可先施加第三電壓至透明電極層TE1及透明電極層TE2，其中第三電壓大於第一電壓以及第二電壓。在一些實施例中，第三電壓小於第一電壓以及第二電壓中的絕對值的最大者的1.5倍，但本揭露不以此為限。通過先施加相對大的第三電壓至透明電極層TE1及透明電極層TE2，可增加介質層LC中的液晶分子LCM因電壓變化的傾斜速度，以利於提升光學調變結構100的電控變焦速度。
基於此，可例如通過設定不同的第一電壓以及第二電壓以使液晶分子LCM在光學調變區OM中具有傾斜角，借此改變液晶分子LCM在光學調變區OM中的折射率，進而調整光學調變結構100的光學調變區OM中的焦距（或屈光度）。
舉例而言，當施加至透明電極層TE1的第一電壓大於施加至透明電極層TE2的第二電壓時，光學調變結構100在由光學調變區OM的中心至非光學調變區NOM的方向（例如第一方向d1）可具有由高變低的電場強度，使得光學調變結構100具有負屈光度而可作為凹透鏡。相對地，當施加至透明電極層TE1的第一電壓小於施加至透明電極層TE2的第二電壓時，光學調變結構100在由光學調變區OM的中心至非光學調變區NOM的方向（例如第一方向d1）可具有由低變高的電場強度，使得光學調變結構100具有正屈光度而可作為凸透鏡。
值得說明的是，本實施例通過高阻膜HR的設置可使上述電場強度在光學調變區OM與非光學調變區NOM的邊界的變化較緩，以減少因電場的劇烈變化而影響電子裝置10的影像的顯示品質的可能性。
基於此，通過調整施加的第一電壓及/或第二電壓，可以在光學調變結構100的光學調變區OM中產生不同的電場，從而使光學調變結構100的光學調變區OM具有可調的焦距（或屈光度）。另外，光學調變區OM的焦距（或屈光度）可例如在遠側、中側與近側之間切換，以使包括光學調變結構100的電子裝置10可提供連續變焦的功能。
圖3為本揭露第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖3的實施例可沿用圖2的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100a的局部放大示意圖，其中光學調變結構100a包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
在本實施例的光學調變結構100a中，光學調變區OM的間隙CG1大於非光學調變區NOM的間隙CG2。詳細地說，光學調變區OM的間隙CG1為在光學調變區OM中的間隙，且非光學調變區NOM的間隙CG2為在光學調變區OM中的間隙，其中光學調變區OM的間隙可通過對基板SB1與基板SB2進行蝕刻製程、研磨製程、雷射製程或其組合而進一步地增加。舉例而言，在於基板SB1與基板SB2上形成構件之前，可通過進行蝕刻製程以各自在基板SB1以及基板SB2中形成凹槽GR1與凹槽GR2，其中進行的蝕刻製程可例如是濕式蝕刻製程，且使用的蝕刻液可例如包括氫氟酸，但本揭露不以此為限。值得說明的是，雖然本實施例皆對基板SB1以及基板SB2進行蝕刻製程，但本揭露不以此為限。在其他的實施例中，可對基板SB1與基板SB2中的一者進行蝕刻製程，以形成凹槽而增加光學調變區OM中的間隙。在另一些實施中，本揭露的間隙也可以藉由改變基板SB1與基板SB2中的一者上的絕緣層厚度來調整，詳細而言，基板SB1與基板SB2在光學調變區OM及非光學調變區ＮＯＭ中具有相同的厚度，但設置於基板SB1(或基板SB2)上的絕緣層於光學調變區OM中的厚度可以小於該絕緣層於非光學調變區NOM中的厚度, 以使得光學調變區OM的間隙CG1大於非光學調變區NOM的間隙CG2，但本揭露並不以此為限。
由於光學調變結構100a中的基板SB1在光學調變區OM中具有凹槽GR1，因此，在光學調變區OM中的基板SB1的厚度小於在非光學調變區NOM中的基板SB1的厚度。詳細地說，基板SB1在光學調變區OM中具有厚度T OM1, 且基板SB1在非光學調變區NOM具有厚度T NOM1，且基板SB1在光學調變區OM中的厚度T OM1小於基板SB1在非光學調變區NOM中的厚度T NOM1。在另一些實施例中，基板SB2在光學調變區OM中的厚度T OM2亦小於基板SB2在非光學調變區NOM中的厚度T NOM2，於此不再贅述。
從另一個角度來看，基板SB1中的凹槽GR1具有深度D GR1，且基板SB1在光學調變區OM中的厚度T OM1與基板SB1中的凹槽GR1具有深度D GR1的總和可例如等於基板SB1在非光學調變區NOM中的厚度T NOM1。在一些實施例中，基板SB1中的凹槽GR1的深度D GR1小於或等於基板SB1在非光學調變區NOM中的厚度T NOM1的75%（0 ＜ D GR1/ T NOM1≦ 75%），但本揭露不以此為限。類似地，基板SB2在光學調變區OM中的厚度T OM2與基板SB2中的凹槽GR2具有深度D GR2的總和可例如等於基板SB2在非光學調變區NOM中的厚度T NOM2。在一些實施例中，基板SB2中的凹槽GR2的深度D GR2小於或等於基板SB2在非光學調變區NOM中的厚度T NOM2的75%（0 ＜ D GR2/ T NOM2≦ 75%），但本揭露不以此為限。基板SB1中的凹槽GR1的深度D GR1可例如與基板SB2中的凹槽GR2的深度D GR2相同或不相同。在本實施例中，基板SB1中的凹槽GR1的深度D GR1可等於基板SB2中的凹槽GR2的深度D GR2，但本揭露不以此為限。
在本實施例中，光學調變結構100a中的支撐件PS包括有第一支撐件PS1(例如為主支撐件)以及第二支撐件PS2(例如為次支撐件), 其中第一支撐件PS1以及第二支撐件PS2設置於非光學調變區NOM中。第一支撐件PS1可例如較第二支撐件PS2鄰近光學調變區OM, 但本揭露不以此為限。另外，儘管圖式中未示出，在不影響於光學調變區OM中調整焦距的情況下，第一支撐件PS1及/或第二支撐件PS2可更設置於光學調變區OM中。
在本實施例中，第一支撐件PS1可包括有設置於基板SB1上的第一次支撐件PS11以及設置於基板SB2上的第一次支撐件PS12，且第二支撐件PS2包括有設置於基板SB1上的第二次支撐件PS21以及設置於基板SB2上的第二次支撐件PS22，其中第一次支撐件PS11以及第二次支撐件PS21可各自與第一次支撐件PS12以及第二次支撐件PS22在光學調變結構100a的法線方向n上對應地設置。在一些實施例中，設置於基板SB1上的相應第一次支撐件PS11的頂表面可與設置於基板SB2上的相應第一次支撐件PS12的底表面抵靠，且設置於基板SB1上的相應第二次支撐件PS21的頂表面可與設置於基板SB2上的相應第二次支撐件PS22的底表面之間具有間隙。
在一些實施例中，第一支撐件PS1的高度大於第二支撐件PS2的高度。以設置於基板SB1上的第一次支撐件PS11以及第二次支撐件PS21為例，第一次支撐件PS11的高度H PS11大於第二次支撐件PS21的高度H PS21。另外，基板SB2上的第一次支撐件PS12的高度H PS12亦大於第二次支撐件PS22的高度H PS22。
在本實施例中，基板SB1在非光學調變區NOM中具有側壁SB1S。詳細地說，基板SB1在經蝕刻製程後具有定義出凹槽GR1的空間的側壁SB1S以及頂表面SB1T。在一些實施例中，設置於基板SB1上的透明電極層TE2可至少覆蓋基板SB1的側壁SB1S，以定義出基板SB1的光學調變區OM，其中至少部分的基板SB1的頂表面SB1T位於光學調變結構100a的光學調變區OM中。基板SB1的側壁SB1S可例如相對於光學調變結構100a的法線方向n呈傾斜狀，且基板SB1的頂表面SB1T可例如垂直於光學調變結構100a的法線方向n，但本揭露不以此為限。在本實施例中，基板SB1的側壁SB1S與基板SB1在光學調變區OM的頂表面SB1T之間的夾角θ大於等於30度且小於90度，但本揭露不以此為限。類似地，基板SB2具有的凹槽GR2可由側壁SB12以及頂表面SB2T定義出，於此不再贅述。
基於此，本實施例通過對基板SB1與基板SB2進行蝕刻製程，可增加光學調變結構100a的光學調變區OM中的間隙，以提升光學調變結構100a的可調整的屈光度範圍。換句話說，通過改變基板SB1與基板SB2於光學調變區OM的厚度，可降低光學調變結構100a的製程難度，且降低光學調變結構100a的基板SB1及/或基板SB2產生彎曲的可能性，從而減少介質層LC的分配量不均產生的異常間隙的問題。
再者，本實施例的光學調變結構100a通過在基板SB1以及基板SB2中形成凹槽GR1與凹槽GR2，在設置介質層LC於基板SB1與基板SB2之間時，凹槽GR1與凹槽GR2具有較大的容納介質層LC的空間，因此可使介質層LC的擴散速率減緩，而減少光學調變結構100a產生介質層LC溢流的問題。
圖4為本揭露第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖4的實施例可沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100b的局部放大示意圖，其中光學調變結構100b包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖4的光學調變結構100b與上述的光學調變結構100a的主要差異在於：光學調變結構100b中的黏著材料LM至少部分設置於第一支撐件PS1與第二支撐件PS2之間。
舉例而言，如圖4中所示出，黏著材料LM可在第一方向d1上設置於第一支撐件PS1與第二支撐件PS2之間，但本揭露不以此為限。在一些實施例中，黏著材料LM可更與第二支撐件PS2重疊設置，即，黏著材料LM可環繞第二支撐件PS2，且部分的黏著材料LM可在光學調變結構100b的法線方向n上位於第二次支撐件PS21與第二次支撐件PS22之間而與其重疊，但本揭露不以此為限。
圖5為本揭露第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖5的實施例可沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100c的局部放大示意圖，其中光學調變結構100c包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖5的光學調變結構100c與上述的光學調變結構100a的主要差異在於：光學調變結構100c中的第一支撐件PS1以及第二支撐件PS2設置於基板SB2上。
在本實施例中，設置於基板SB2上的第一支撐件PS1的頂表面可例如與設置於基板SB1上的配向層AL1抵靠，且設置於基板SB2上的第二支撐件PS2的頂表面可例如與設置於基板SB1上的配向層AL1之間具有間隙。換句話說，第一支撐件PS1的高度H PS1例如大於第二支撐件PS2的高度H PS2。
圖6為本揭露第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖6的實施例可沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100d的局部放大示意圖，其中光學調變結構100d包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖6的光學調變結構100d與上述的光學調變結構100c的主要差異在於：光學調變結構100d中的基板SB2不具有凹槽GR2，其中光學調變區OM的間隙由對基板SB1進行蝕刻製程、研磨製程、雷射製程或其組合形成凹槽GR1而定義。
在本實施例中，光學調變區OM的間隙CG1可通過對基板SB1進行蝕刻製程形成凹槽GR1後而進一步地增加。
另外，本實施例未對基板SB2進行蝕刻製程、研磨製程、雷射製程或其組合，因此基板SB2在光學調變區OM中的厚度T OM2等於基板SB2在非光學調變區NOM中的厚度T NOM2。相對地，基板SB1的凹槽GR1具有的深度D GR1可相對地深。基於此，可進一步地減少光學調變結構100d產生介質層LC溢流的問題。
圖7為本揭露第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖7的實施例可沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100e的局部放大示意圖，其中光學調變結構100e包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖7的光學調變結構100e與上述的光學調變結構100a的主要差異在於：光學調變結構100e中的基板SB1的凹槽GR1與基板SB2的凹槽GR2具有不同的深度。
在本實施例中，基板SB1中的凹槽GR1的深度D GR1大於基板SB2中的凹槽GR2的深度D GR2。從另一個角度來看，基板SB1在光學調變區OM中的厚度T OM1小於基板SB2在光學調變區OM中的厚度T OM2。基於此，可以進一步地減少光學調變結構100e產生介質層LC溢流的問題。
圖8為本揭露第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖8的實施例可沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100f的局部放大示意圖，其中光學調變結構100f包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖8的光學調變結構100f與上述的光學調變結構100d的主要差異在於：光學調變結構100f中的基板SB1在非光學調變區NOM中具有階梯狀的側壁SB1S’。
在本實施例中，可通過進行多次蝕刻製程、研磨製程、雷射製程或其組合以在基板SB1上形成由基板SB1的側壁SB1S’以及頂表面SB1T定義出的凹槽GR1’，其中基板SB1的側壁SB1S’經多次蝕刻製程、研磨製程、雷射製程或其組合而呈階梯狀。
值得說明的是，在其餘的實施例中，在基板SB2具有凹槽GR2的情況，基板SB2也可具有階梯狀的側壁，其中基板SB1與基板SB2可同時具有階梯狀的側壁，或者基板SB1與基板SB2中的一者具有階梯狀的側壁，本揭露不以此為限。
圖9為本揭露第七實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。須說明的是，圖9的實施例可沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略相同技術內容的說明。
在本實施例中展示了光學調變結構100g的局部放大示意圖，其中光學調變結構100g包括有上述實施例的構件，於此不再贅述。
圖9的光學調變結構100g與上述的光學調變結構100a的主要差異在於：光學調變結構100g中的第一支撐件PS1以及第二支撐件PS2設置於基板SB1上，且光學調變結構100g還包括有第三支撐件PS3。
在本實施例中，設置於基板SB1上的第一支撐件PS1的頂表面可例如與設置於基板SB2上的配向層AL2抵靠，且設置於基板SB1上的第二支撐件PS2的頂表面可例如與設置於基板SB2上的配向層AL2之間具有間隙。
另外，在本實施例中，光學調變結構100g的第三支撐件PS3設置於光學調變區OM中，且第三支撐件PS3的兩相對表面可例如與設置於基板SB1上的配向層AL1以及設置於基板SB2上的配向層AL2抵靠。因此，第三支撐件PS3的高度H PS3例如大於第一支撐件PS1的高度H PS1。第三支撐件PS3的態樣可例如呈球狀、柱狀或其餘適合的形狀。儘管圖9中示出第三支撐件PS3的態樣呈球狀，但本揭露不以此為限。
此外，儘管圖9中未示出，光學調變結構100g還可包括有設置於光學調變區OM中的其他支撐件，其中該些其他支撐件可設置於基板SB1或基板SB2上，且與配向層AL2或配向層AL1之間具有間隙。再者，第三支撐件PS3可各自設置於基板SB1以及基板SB2上，其中在基板SB1以及基板SB2上對應設置的兩個第三支撐件PS3可彼此抵靠。
根據上述，本揭露實施例的電子裝置包括的光學調變結構具有新穎的設計，其中通過在本揭露實施例的光學調變結構的基板中形成至少一凹槽，以使光學調變區的間隙大於非光學調變區的間隙而可增加光學調變區中的液晶盒間隙，借此提升本揭露實施例的光學調變結構的可調整的屈光度範圍。因此，本揭露實施例的光學調變結構非為通過增加間隙物的高度以提高光學調變區的液晶盒間隙，借此可降低本揭露實施例的光學調變結構的製程難度，且降低本揭露實施例的光學調變結構的基板產生彎曲的可能性，從而減少液晶分子的分配量不均產生的異常液晶盒間隙的問題。
再者，通過在本揭露實施例的光學調變結構的基板中形成至少一凹槽，在設置介質層於基板上時，凹槽具有較大的容納液晶分子的空間，因此可使液晶分子的擴散速率減緩，而減少本揭露實施例的光學調變結構產生液晶分子溢流的問題。
10:電子裝置 10N:鼻樑 10R:鏡框 10T:鏡腳 100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g:光學調變結構 200:電路模組 300:訊號傳輸元件 AL1、AL2:配向層 CG、CG1、CG2:間隙 d1:第一方向 d2:第二方向 D GR1、D GR 2:深度 GR1、GR1’、GR2:凹槽 H PS1、H PS1 1、H PS1 2、H PS 2、H PS 2 1、H PS 22:高度 HR:高阻膜 LC:介質層 LCM:液晶分子 LM:黏著材料 n:法線方向 NOM:非光學調變區 OM:光學調變區 OP:開口 PS:支撐件 PS1:第一支撐件 PS11、PS12:第一次支撐件 PS2:第二支撐件 PS21、PS22:第二次支撐件 PS3:第三支撐件 PV1、PV2:絕緣層 SB1、SB2:基板 SB1S、SB1S’、SB2S:側壁 SB1T、SB2T:頂表面 SEAL:框膠 TE1、TE2、TE3:透明電極層 T NO M1、T N OM 2、T OM1、T OM 2:厚度 θ:夾角
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的示意圖。 圖2為依據圖1的剖線A-A’的剖面示意圖。 圖3為本揭露第一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖4為本揭露第二實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖5為本揭露第三實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖6為本揭露第四實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖7為本揭露第五實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖8為本揭露第六實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖9為本揭露第七實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。
10:電子裝置
100a:光學調變結構
AL1、AL2:配向層
CG1、CG2:間隙
d1:第一方向
d2:第二方向
DGR1、DGR2:深度
GR1、GR2:凹槽
HPS11、HPS12、HPS21、HPS22:高度
HR:高阻膜
LC:介質層
LM:黏著材料
n:法線方向
NOM:非光學調變區
OM:光學調變區
OP:開口
PS1:第一支撐件
PS11、PS12:第一次支撐件
PS2:第二支撐件
PS21、PS22:第二次支撐件
PV1、PV2:絕緣層
SB1、SB2:基板
SB1S、SB2S:側壁
SB1T、SB2T:頂表面
TE1、TE2、TE3:透明電極層
TNOM1、TNOM2、TOM1、TOM2:厚度
θ:夾角

Claims (10)

  1. 一種電子裝置，具有光學調變區以及非光學調變區，包括： 第一基板； 第一透明電極層，設置於所述第一基板上；以及 第二透明電極層，設置於所述第一透明電極層上且具有開口，所述光學調變區重疊於所述開口，所述非光學調變區與所述第一透明電極層以及所述第二透明電極層重疊，其中所述光學調變區的間隙大於所述非光學調變區的間隙。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一基板於所述光學調變區具有第一厚度，所述第一基板於所述非光學調變區具有第二厚度，且所述第一厚度小於所述第二厚度。
  3. 如請求項2所述的電子裝置，其更包括第二基板，所述第二基板與所述第一基板對應設置，所述第二基板於所述光學調變區具有第三厚度，所述第二基板於所述非光學調變區具有第四厚度，且所述第三厚度小於所述第四厚度。
  4. 如請求項1所述的電子裝置，其更包括第一支撐件以及第二支撐件，所述第一支撐件以及所述第二支撐件設置於所述非光學調變區中，所述第一支撐件較所述第二支撐件鄰近所述光學調變區，且所述第一支撐件的高度大於所述第二支撐件的高度。
  5. 如請求項4所述的電子裝置，其更包括黏著材料，所述黏著材料設置於所述第一支撐件與所述第二支撐件之間。
  6. 如請求項4所述的電子裝置，其更包括黏著材料，所述黏著材料與所述第二支撐件重疊設置。
  7. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一基板在所述非光學調變區中具有階梯狀的側壁。
  8. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述第一基板在所述非光學調變區中具有側壁，所述側壁與所述第一基板在所述光學調變區的頂表面之間的夾角大於等於30度且小於90度。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，其中通過對所述第一基板進行蝕刻製程以使所述第一基板於所述光學調變區與所述非光學調變區中具有不同的厚度。
  10. 如請求項1所述的電子裝置，其更包括第三支撐件，所述第三支撐件設置於所述光學調變區中。
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