TWI886442B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制在基板的周邊產生不必要的凍結的基板處理裝置。實施方式的基板處理裝置包括：載置台，能夠繞中心軸旋轉；多個保持部，設置於所述載置台且保持基板；冷卻部，能夠向所述載置台與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；以及液體供給部，能夠向所述基板的與所述載置台側為相反側的面供給液體。在保持所述基板時，所述多個保持部分別沿著所述載置台的面在朝向所述中心軸的方向上移動，從而包圍所述基板的周緣、及所述載置台與所述基板之間的空間。

Description

基板處理裝置

本發明的實施方式涉及一種基板處理裝置。

作為將附著於壓印用範本、光刻用掩模、半導體晶片等基板的表面的微粒等污染物去除的方法，提出有凍結洗淨法。

在凍結洗淨法中，首先，向基板的表面供給純水等液體而形成液膜。接著，向基板的表面側供給冷卻氣體而使液膜凍結。在液膜凍結而形成凍結膜時污染物被收進凍結膜中，由此污染物從基板的表面分離。接著，向凍結膜供給純水等液體而使凍結膜熔解，將污染物與液體一起從基板的表面去除。（例如參照專利文獻1） 若使用能夠實施凍結洗淨法的基板處理裝置，則可將污染物從基板的表面效率良好地去除。

然而，在能夠實施凍結洗淨法的基板處理裝置中，存在在基板的周邊，供給至基板的表面的液體凍結，或者因進行凍結洗淨處理的環境中所含的水分而產生霜的問題。 因此，希望開發一種可抑制在基板周邊產生不必要的凍結的基板處理裝置。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-80584號公報

[發明所要解決的問題] 本發明所要解決的問題在於提供一種可抑制在基板的周邊產生不必要的凍結的基板處理裝置。 [解決問題的技術手段]

實施方式的基板處理裝置包括：載置台，能夠繞中心軸旋轉；多個保持部，設置於所述載置台且保持基板；冷卻部，能夠向所述載置台與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；以及液體供給部，能夠向所述基板的與所述載置台側為相反側的面供給液體。在保持所述基板時，所述多個保持部分別沿著所述載置台的面在朝向所述中心軸的方向上移動，從而包圍所述基板的周緣、及所述載置台與所述基板之間的空間。 [發明的效果]

通過本發明的實施方式，可提供一種可抑制在基板的周邊產生不必要的凍結的基板處理裝置。

以下，一邊參照附圖，一邊對實施方式進行例示。此外，各附圖中，對同樣的結構元件標註同一符號並適當省略詳細說明。 以下例示的基板100例如可設為用於半導體晶片、壓印用範本、光刻用掩模、微機電系統（Micro Electro Mechanical Systems，MEMS）的板狀體、平板顯示器用基板等。但是，基板100並不限定於示例。

此外，在基板100的洗淨面上可形成作為圖案的凹凸部，也可不形成凹凸部。未形成凹凸部的基板例如可設為形成凹凸部之前的基板（例如所謂的塊狀基板（bulk substrate））等。

另外，下文中，作為一例，對基板100為光刻用掩模的情況進行說明。在基板100為光刻用掩模的情況下，基板100的平面形狀例如可設為正方形。

圖1是用於例示本實施方式的基板處理裝置1的示意剖面圖。 圖2是圖1中的載置部2的示意剖面圖。 圖3是圖1中的載置部2的A-A線方向的示意圖。 圖1～圖3表示在載置部2（載置台2a）載置有基板100的狀態，即，對基板100實施凍結洗淨處理時的狀態。

如圖1所示，在基板處理裝置1例如設置有載置部2、冷卻部3、第一液體供給部4、第二液體供給部5、腔室6、送風部7、排氣部8、及控制器9。

如圖1～圖3所示，載置部2例如具有載置台2a、轉軸2b、驅動部2c、升降銷2d及保持部2e。

載置台2a設置於腔室6的內部。載置台2a能夠繞中心軸旋轉。 載置台2a例如具有部分2a1（相當於第二部分的一例）及部分2a2（相當於第一部分的一例）（參照圖2）。 部分2a1呈板狀。部分2a1例如呈圓板狀。部分2a1設置於部分2a2上。另外，部分2a1的上表面是平坦的面，相當於載置台2a的面。在部分2a1的中央部分設置有貫通部分2a1的厚度方向的孔2a1a（相當於第一孔的一例）。另外，在部分2a1的與升降銷2d相向的位置設置有貫通部分2a1的厚度方向的孔2a1b。另外，在部分2a1的、孔2a1a與孔2a1b之間的區域設置有如下孔2a1c，即用於將供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1排出的孔2a1c（相當於第二孔的一例）。孔2a1c在厚度方向上貫通部分2a1。孔2a1c可設置至少一個。但是，若設置有多個孔2a1c，則所述冷卻氣體3a1的排出變得容易。另外，多個孔2a1c可設置於以載置台2a的中心軸為中心呈點對稱的位置。如此一來，可相對於載置台2a的中心軸進行均等的排氣，因此可抑制基板100的面內的溫度產生偏差。

另外，通過將孔2a1c設置於載置在載置台2a的基板100的四個角落周邊，最終從基板100的四個角落周邊向載置台2a的外部排出冷卻氣體3a1。因此，在基板100與載置台2a之間產生冷卻氣體3a1朝向基板100的四個角落的流動，基板100的四個角落也被充分冷卻。 另外，向載置台2a的外部排出冷卻氣體3a1的流路2a3優選為在與朝向基板100的四個角落的方向（將用於排出冷卻氣體3a1的孔2a1c的中心與孔2a1c的中心連結的線的方向）平行的方向上設置。

部分2a2呈板狀。部分2a2例如呈圓板狀。在部分2a2的中央部分設置有貫通部分2a2的厚度方向的孔2a2a（相當於第三孔的一例）。孔2a2a可與孔2a1a同心地設置。另外，在部分2a2的與升降銷2d相向的位置設置有貫通部分2a2的厚度方向的孔2a2b。孔2a2b可與孔2a1b同心地設置。

部分2a2的平面形狀、平面尺寸、及厚度既可設為與部分2a1的平面形狀、平面尺寸、及厚度相同，也可設為這些中的至少任一者不同。

在部分2a1與部分2a2之間設置有如下流路2a3，即將供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1排出至載置台2a的外部的流路2a3。流路2a3例如與載置台2a的外部相連。另外，流路2a3例如與冷卻噴嘴3d和孔2a1a及孔2a2a之間的間隙（相當於第一間隙的一例）相連。另外，孔2a1c與流路2a3及載置台2a和基板100之間的空間相連。

如後所述，基板100的周緣、及載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間被保持部2e包圍。因此，供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由孔2a1c及流路2a3而排出至載置台2a的外側。另外，供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由孔2a1a、及流路2a3而排出至載置台2a的外側。

流路2a3例如可設為槽。槽可設置至少一個。但是，若設置有多個槽（流路2a3），則所述冷卻氣體3a1的排出變得容易。另外，多個槽（流路2a3）可設置於以載置台2a的中心軸為中心呈點對稱的位置。如此一來，可相對於載置台2a的中心軸進行均等的排氣，因此可抑制基板100的面內的溫度產生偏差。另外，槽可設置於部分2a1及部分2a2中的至少任一部分。 另外，也可在部分2a1的與部分2a2相向的面、及部分2a2的與部分2a1相向的面中的至少任一面設置突起，將設置於部分2a1與部分2a2之間的間隙設為流路2a3。如此一來，冷卻氣體3a1的排出變得容易，且容易相對於載置台2a的中心軸進行均等的排氣。可更有效果地抑制基板100的面內的溫度產生偏差。

如圖1所示，轉軸2b的其中一端部設置於部分2a2的與部分2a1的一側相反的面上。轉軸2b的另一端部設置於腔室6的外部。轉軸2b在腔室6的外部與驅動部2c連接。

轉軸2b例如呈筒狀。轉軸2b的載置台2a（部分2a2）側的端部開口。 在轉軸2b的與載置台2a側為相反側的端部安裝有冷卻噴嘴3d。在轉軸2b的與載置台2a側為相反側的端部與冷卻噴嘴3d之間設置有未圖示的轉軸密封件。因此，轉軸2b的與載置台2a側為相反側的端部以成氣密的方式被密封。

驅動部2c設置於腔室6的外部。驅動部2c與轉軸2b連接。驅動部2c包含馬達等旋轉設備。驅動部2c的旋轉力經由轉軸2b而傳遞至載置台2a。因此，通過驅動部2c，可使載置台2a還有保持於多個保持部2e的基板100旋轉。

另外，驅動部2c不僅可使旋轉的開始與旋轉的停止變化，而且也可使轉速（旋轉速度）變化。在此情況下，驅動部2c例如可包括伺服馬達等控制馬達。

升降銷2d呈棒狀，可設置多個。升降銷2d能夠插入至部分2a1的孔2a1b、及部分2a2的孔2a2b中。多個升降銷2d通過未圖示的升降裝置升降。多個升降銷2d在保持部2e與未圖示的搬送裝置之間進行基板100的交接（參照圖8）。

保持部2e保持基板100。保持部2e在載置台2a（部分2a1）的其中一主面設置有多個。例如，如圖3所示，保持部2e可針對基板100的每一邊而設置。多個保持部2e分別能夠沿著載置台2a（部分2a1）的面在朝向轉軸2b的方向上移動。另外，多個保持部2e分別能夠在遠離轉軸2b的方向上移動（參照圖9）。

例如，如圖3所示，在保持基板100時，多個保持部2e分別沿著載置台2a（部分2a1）的面在朝向中心軸的方向上移動。多個保持部2e保持基板100，並且包圍基板100的周緣、及載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間。 另外，當由多個保持部2e保持基板100時，進行基板100在與載置台2a（部分2a1）的面平行的方向、及與載置台2a（部分2a1）的面垂直的方向上的對位。

如圖3所示，在多個保持部2e保持所載置的基板100時，多個保持部2e的外形尺寸可比包含基板100的角的外接圓大。此外，圖3中例示出的多個保持部2e的輪廓為圓，但也可設為四邊形或六邊形等多邊形。

圖4是用於例示保持部2e的示意立體圖。 如圖4所示，保持部2e呈板狀，具有上表面2e1、側面2e2、內側面2e3、及斜面2e4。 上表面2e1例如成為與載置台2a（部分2a1）的面大致平行的平坦面。上表面2e1的、基板100側（內側面2e3側）的邊的長度與基板100的表面100b的邊的長度大致相同。另外，在多個保持部2e保持所載置的基板100時，上表面2e1與載置台2a（部分2a1）的面之間的距離和基板100的表面100b與載置台2a（部分2a1）的面之間的距離相同。即，在多個保持部2e保持基板100時，上表面2e1與基板100的表面100b成為相同高度。此外，也可使上表面2e1與載置台2a（部分2a1）的面之間的距離比基板100的表面100b與載置台2a（部分2a1）的面之間的距離小0.1 mm左右。

因此，如圖1～圖3所示，在多個保持部2e保持所載置的基板100時，形成包圍基板100的周圍且與基板100的表面100b位於大致同一面內的平坦面。如此一來，在後述的解凍步驟中，可將液體101及液體101凍結而成的物質從基板100的表面100b順利地排出。

如圖4所示，側面2e2連接於上表面2e1。側面2e2例如成為與載置台2a（部分2a1）的面大致垂直的平坦面。如圖3所示，當多個保持部2e保持所載置的基板100時，鄰接的保持部2e的側面2e2彼此接觸。

內側面2e3連接於上表面2e1及側面2e2。內側面2e3與基板100的側面相向。內側面2e3例如成為與載置台2a（部分2a1）的面大致垂直的平坦面。如圖1～圖3所示，在多個保持部2e保持所載置的基板100時，內側面2e3與基板100的側面接觸。

因此，如圖1～圖3所示，在多個保持部2e保持所載置的基板100時，載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間被多個保持部2e封閉。如此一來，可抑制在載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間中流動的冷卻氣體3a1向基板100的外側流動。

此處，在後述的預備步驟、冷卻步驟、解凍步驟等中，供給至基板100的表面100b的液體101與供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1在基板100的周緣的附近相交。於是，在基板100的周邊，載置台2a或設置於載置台2a的附近的構件等有可能凍結。此外，在基板100的周緣的附近也包含基板100的背面100a的外周。即，液體101有可能迂回至基板100的背面100a的外周。迂回至基板100的背面100a的液體101有可能包含污染物，有可能會污染基板100的背面100a。 另外，若冷卻氣體3a1向基板100的外側流動，則有可能因進行凍結洗淨處理的環境中所含的水分而在基板100的周緣附近、或設置於載置台2a的附近的構件等產生霜。 若在基板100的周邊產生這些不必要的凍結，則有可能產生基板處理裝置1的故障，或者凍結洗淨處理的效果降低。

若設為本實施方式的保持部2e，則可抑制冷卻氣體3a1向基板100的外側流動，因此可抑制在基板100的周邊產生不必要的凍結。另外，也可抑制基板100的背面100a中的凍結。

如圖4所示，斜面2e4連接於內側面2e3及側面2e2。斜面2e4位於基板100的背面100a的下方。斜面2e4相對於載置台2a（部分2a1）的面（基板100的背面100a）傾斜。斜面2e4與載置台2a（部分2a1）的面之間的距離隨著靠近內側面2e3側而逐漸增加。

在使基板100保持於多個保持部2e時，基板100的背面100a的邊緣（邊沿）與斜面2e4接觸。因此，可使保持部2e與基板100的背面100a的邊緣進行線接觸。若使保持部2e與基板100的背面100a的邊緣進行線接觸，則可抑制在基板100產生污垢或損傷等。 另外，有時對基板100的背面100a的邊緣實施倒角加工。在此情況下，實施倒角加工後的部分與斜面2e4接觸。因此，可抑制基板100的背面100a與保持部2e接觸，因此可進一步抑制在基板100的背面100a產生損傷或污垢等。 另外，也可將保持部2e的斜面2e4如推子的刃那樣形成為梳齒狀。或者，也可朝向保持部2e的外周方向而在保持部2e的斜面2e4形成多個槽。由此，可減少與基板100的接觸部分。另外，冷卻氣體3a1變得容易到達基板100的端部。

保持部2e的表面可具有對於液體101、液體102的疏液性。若保持部2e的表面具有疏液性，則可抑制液體101、液體102殘留於保持部2e的表面。因此，可抑制因所殘留的液體101、液體102凍結而阻礙保持部2e的移動，或者阻礙液體101、液體102的排出的情況。

例如，可使用疏液性高的材料來形成保持部2e，或者在保持部2e的表面形成包含疏液性高的材料的膜。疏液性高的材料例如可設為具有三氟甲基等飽和氟烷基、氟甲矽烷基、烷基甲矽烷基、長鏈烷基等官能基的材料。例如，保持部2e可包含氟樹脂。例如，保持部2e可設為在包含不銹鋼等金屬的基部的表面形成有含有氟樹脂的膜的構件。

另外，保持部2e的表面可具有分形（fractal）結構。分形結構例如可通過使用等離子體或腐蝕性液等對保持部2e的表面進行蝕刻來形成。此外，也可將包含具有所述官能基的材料的膜的表面設為分形結構。

另外，保持部2e的至少保持基板100的部分可被熱傳導率高的樹脂覆蓋。例如，保持部2e的側面2e2、內側面2e3、及斜面2e4可被熱傳導率高的樹脂覆蓋。 內側面2e3及斜面2e4與基板100接觸。鄰接的保持部2e的側面2e2彼此接觸。因此，若側面2e2、內側面2e3、及斜面2e4被樹脂覆蓋，則可抑制在這些面產生損傷。 另外，若這些面被熱傳導率高的樹脂覆蓋，則可提高對於溫度變化的回應性。因此，在後述的預備步驟或冷卻步驟中，可抑制基板100的熱逃逸至保持部2e。

接著，返回至圖1，對設置於基板處理裝置1的其他構成元件進行說明。 如圖1所示，冷卻部3向載置台2a（部分2a1）與基板100的背面100a之間的空間供給冷卻氣體3a1。冷卻部3包含冷卻液部3a、過濾器3b、流量控制部3c以及冷卻噴嘴3d。冷卻液部3a、過濾器3b以及流量控制部3c設置於腔室6的外部。

冷卻液部3a進行冷卻液的收納以及冷卻氣體3a1的生成。冷卻液是將冷卻氣體3a1液化而成。冷卻氣體3a1若為不易與基板100的材料反應的氣體，則並無特別限定。冷卻氣體3a1例如可設為氮氣、氦氣、氬氣等惰性氣體。

冷卻液部3a包含槽罐及氣化部，所述槽罐收納冷卻液，所述氣化部使收納於槽罐中的冷卻液氣化。槽罐上設置有用於維持冷卻液的溫度的冷卻裝置。氣化部使冷卻液的溫度上升而從冷卻液生成冷卻氣體3a1。在氣化部中，例如可利用外部空氣溫度或者使用熱介質參與下的加熱。冷卻氣體3a1的溫度只要是液體101的凝固點以下的溫度即可。

此外，例示的是冷卻液部3a使收納於槽罐中的冷卻液氣化來生成冷卻氣體3a1的情況，但也可利用冷卻器等對惰性氣體進行冷卻來形成冷卻氣體3a1。如此一來，可簡化冷卻液部。

過濾器3b經由配管而連接於冷卻液部3a。過濾器3b抑制包含於冷卻液中的微粒等污染物流出至基板100側。

流量控制部3c經由配管而連接於過濾器3b。流量控制部3c對冷卻氣體3a1的流量進行控制。流量控制部3c例如可設為品質流量控制器（Mass Flow Controller，MFC）等。另外，流量控制部3c也可通過對冷卻氣體3a1的供給壓力進行控制來間接地對冷卻氣體3a1的流量進行控制。在此情況下，流量控制部3c例如可設為自動壓力控制器（Auto Pressure Controller，APC）等。

冷卻液部3a中從冷卻液生成的冷卻氣體3a1的溫度呈大致規定溫度。因此，通過借助流量控制部3c對冷卻氣體3a1的流量進行控制，可對基板100的溫度還有處於基板100的表面100b的液體101的溫度進行控制。在此情況下，通過借助流量控制部3c對冷卻氣體3a1的流量進行控制，可在後述的過冷步驟中產生液體101的過冷狀態。

冷卻噴嘴3d呈筒狀。冷卻噴嘴3d將通過流量控制部3c控制了流量的冷卻氣體3a1供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間中。供給至載置台2a（部分2a1）與基板100之間的空間中的冷卻氣體3a1被直接供給至基板100的背面100a。

冷卻噴嘴3d插通至轉軸2b的內部。冷卻噴嘴3d的其中一端部設置於轉軸2b的外部，且與流量控制部3c連接。如上所述，載置台2a（部分2a1、部分2a2）旋轉。另一方面，冷卻噴嘴3d固定於腔室6等中。因此，如圖2所示，冷卻噴嘴3d的另一端部隔著間隙（相當於第一間隙的一例）設置於部分2a1的孔2a1a及部分2a2的孔2a2a中。

然而，若在冷卻噴嘴3d與孔2a1a的內壁及孔2a2a的內壁之間設置有間隙，則冷卻氣體3a1會經由所述間隙而侵入至轉軸2b的內部。當冷卻氣體3a1侵入至轉軸2b的內部時，有時在轉軸2b與冷卻噴嘴3d之間產生凍結。若在所述部分產生凍結，則有可能妨礙載置台2a的旋轉，或者發生基板處理裝置1的故障。

因此，如圖2所示，在冷卻噴嘴3d的端部的附近設置有密封部3d1。 密封部3d1例如具有基部3d1a、及凸部3d1b。 基部3d1a呈板狀，設置於冷卻噴嘴3d的外側面。例如，基部3d1a呈圓板狀，向與冷卻噴嘴3d的中心軸大致正交的方向突出。 凸部3d1b呈環狀，設置於基部3d1a的周緣附近。凸部3d1b例如向與冷卻噴嘴3d的中心軸大致平行的方向突出。

在部分2a2的孔2a2a的內壁設置有槽2a2c（相當於第一槽的一例）。基部3d1a的周緣附近、及凸部3d1b隔著間隙（相當於第二間隙的一例）設置於槽2a2c中。密封部3d1與槽2a2c之間的間隙比冷卻噴嘴3d與孔2a2a的內壁之間的間隙小。因此，冷卻氣體3a1不易在密封部3d1與槽2a2c之間的間隙中流動，因此可抑制冷卻氣體3a1侵入至轉軸2b的內部。

圖5是用於例示槽2a2c的形成的示意分解圖。 如圖5所示，可設置在部分2a2的孔2a2a的內壁、及部分2a2的靠部分2a1側的面開口的凹部2a2d。並且，通過在凹部2a2d的內壁安裝部件2a2e，可形成槽2a2c。

圖6是用於例示部件2a2e的示意立體圖。 如圖6所示，可在部件2a2e的其中一端部側設置擴徑部2a2f。可在擴徑部2a2f的側面設置外螺紋，在凹部2a2d的內壁設置內螺紋。 另外，可在部件2a2e設置貫通中心軸方向的孔2a2g。部件2a2e的孔2a2g的直徑尺寸可設為與部分2a2的孔2a2a的直徑尺寸相同。

若通過在凹部2a2d的內壁安裝部件2a2e來形成槽2a2c，則槽2a2c的形成變得容易。另外，部分2a2與冷卻噴嘴3d的組裝作業變得容易。

如圖1所示，第一液體供給部4向基板100的表面100b供給液體101。在後述的凍結步驟中，當液體101從液體變化為固體（液固相變化）時，體積發生變化，因此產生壓力波。認為所述壓力波使得附著在基板100的表面100b的污染物被分離。因此，液體101若為不易與基板100的材料反應的液體，則並無特別限定。

此外，也認為若設為液體101凍結時體積增大的液體，則可利用伴隨體積增加而來的物理力，將附著在基板100表面的污染物加以分離。因此，液體101可設為不易與基板100的材料反應而且在凍結時體積增大的液體。例如，液體101可設為水（例如純水或超純水等）或者以水為主成分的液體等。

在設為以水為主成分的液體的情況下，若水以外的成分過多，則難以利用伴隨體積增加而來的物理力，因此有污染物的去除率降低的擔憂。因此，水以外的成分的濃度可設為5 wt%以上、30 wt%以下。

另外，可使氣體溶於液體101中。氣體例如可設為二氧化碳、臭氧氣體、氫氣等。

第一液體供給部4例如包含液體收納部4a、供給部4b、流量控制部4c以及液體噴嘴4d。液體收納部4a、供給部4b以及流量控制部4c設置於腔室6的外部。

液體收納部4a收納所述液體101。 供給部4b經由配管而連接於液體收納部4a。供給部4b朝液體噴嘴4d供給收納於液體收納部4a中的液體101。供給部4b例如可設為具有對液體101的耐性的泵等。此外，例示了供給部4b為泵的情況，但供給部4b並不限定於泵。例如，供給部4b可向液體收納部4a的內部供給氣體，並壓送收納於液體收納部4a中的液體101。

流量控制部4c經由配管而連接於供給部4b。流量控制部4c對由供給部4b供給的液體101的流量進行控制。流量控制部4c例如可設為流量控制閥。另外，流量控制部4c也可進行液體101的供給的開始與供給的停止。

液體噴嘴4d設置於腔室6的內部。液體噴嘴4d呈筒狀。液體噴嘴4d的其中一端部經由配管而連接於流量控制部4c。液體噴嘴4d的另一端部與載置在載置台2a的基板100的表面100b相向。因此，從液體噴嘴4d噴出的液體101被供給至基板100的表面100b。

另外，液體噴嘴4d的另一端部（液體101的噴出口）位於基板100的表面100b的大致中央。從液體噴嘴4d噴出的液體101從基板100的表面100b的大致中央開始擴散，在基板100的表面100b形成具有大致固定厚度的液膜。

第二液體供給部5向基板100的表面100b供給液體102。第二液體供給部5具有液體收納部5a、供給部5b、流量控制部5c以及液體噴嘴4d。

液體102可在後述的解凍步驟中使用。因此，液體102若為不易與基板100的材料反應而且在後述的乾燥步驟中不易殘留在基板100的表面100b的液體，則並無特別限定。液體102例如可設為水（例如純水或超純水等）或以水為主成分的液體。

液體收納部5a可設為與所述液體收納部4a相同。供給部5b可設為與所述供給部4b相同。流量控制部5c可設為與所述流量控制部4c相同。

此外，在液體102與液體101相同的情況下，可省去第二液體供給部5。另外，例示的是共用液體噴嘴4d的情況，但也可分別設置噴出液體101的液體噴嘴與噴出液體102的液體噴嘴。

另外，液體102的溫度可設為比液體101的凝固點高的溫度。另外，液體102的溫度也可設為可使凍結後的液體101解凍的溫度。液體102的溫度例如可設為常溫（20℃）左右。

此外，在省去第二液體供給部5的情況下，液體101的溫度可設為比液體101的凝固點高的溫度。另外，液體101的溫度也可設為可使凍結後的液體101解凍的溫度。液體101的溫度例如可設為常溫（20℃）左右。

腔室6呈箱狀。在腔室6的內部設置有蓋6a。蓋6a接擋被供給至基板100、因基板100旋轉而被排出到基板100的外部的液體101、液體102。蓋6a呈筒狀。蓋6a的與載置台2a側為相反側的端部的附近（蓋6a的上端附近）朝蓋6a的中心彎曲。因此，朝基板100的上方飛散的液體101、液體102的捕捉變得容易。

另外，在腔室6的內部設置有分隔板6b。分隔板6b設置於蓋6a的外表面與腔室6的內面之間。

在腔室6的底面側的側面設置有多個排出口6c。在圖1的情況下，設置有兩個排出口6c。用過的冷卻氣體3a1、空氣7a、液體101以及液體102從排出口6c排出至腔室6的外部。在排出口6c連接有排氣管6c1。另外，在排出口6c連接有將液體101、液體102排出的排出管6c2。

排出口6c設置於較基板100更靠下方處。因此，通過從排出口6c排放冷卻氣體3a1，形成向下流的流動。結果，可防止微粒飛舞。

在俯視時，多個排出口6c設置成相對於腔室6的中心對稱。若如此，則冷卻氣體3a1的排氣方向相對於腔室6的中心對稱。若冷卻氣體3a1的排氣方向對稱，則冷卻氣體3a1的排氣變得順暢。

送風部7設置於腔室6的頂板面。此外，送風部7若為頂板側，則也可設置於腔室6的側面。送風部7包括風機等送風機以及過濾器。過濾器例如可設為高效空氣過濾器（High Efficiency Particulate Air Filter，HEPA）等。

送風部7向分隔板6b與腔室6的頂板之間的空間供給空氣7a（外部空氣）。因此，分隔板6b與腔室6的頂板之間的空間的壓力高於外部的壓力。結果，容易將由送風部7供給的空氣7a引導至排出口6c。另外，可抑制微粒等污染物從排出口6c侵入至腔室6的內部。

排氣部8連接於排氣管6c1。排氣部8將用過的冷卻氣體3a1及空氣7a排出。排氣部8可設為泵或鼓風機等。

控制器9對設置於基板處理裝置1中的各元件的動作進行控制。控制器9例如包含中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等運算部以及半導體記憶體等存儲部。控制器9例如可設為電腦。在存儲部中可儲存對設置於基板處理裝置1中的各元件的動作進行控制的控制程式。運算部使用儲存於存儲部中的控制程式、由操作者輸入的資料等對設置於基板處理裝置1中的各元件的動作進行控制。

接著，對基板處理裝置1的作用進行例示。 圖7是用於例示基板處理裝置1的作用的時序圖。 此外，圖7是基板100為6025石英（Qz）基板（152 mm×152 mm×6.35 mm）、液體101及液體102為純水的情況。

首先，經由腔室6的未圖示的搬入搬出口而將基板100搬入至腔室6的內部。所搬入的基板100載置於多個保持部2e，通過多個保持部2e來進行基板100的保持及基板100的對位。

圖8是用於例示基板100的交接的示意剖面圖。 圖9是圖8中的載置部2的B-B線方向的示意圖。 例如，在從未圖示的搬送裝置接收處理前的基板100時，如圖8及圖9所示，使多個保持部2e向遠離轉軸2b的方向移動。然後，如圖8所示，通過未圖示的升降裝置使升降銷2d的前端移動至載置台2a（部分2a1）的上方，從未圖示的搬送裝置接收處理前的基板100。接著，通過未圖示的升降裝置使升降銷2d下降，將處理前的基板100交接至保持部2e。在此情況下，如圖1及圖2所示，在下降端，升降銷2d的前端位於載置台2a（部分2a2）的下方。如此一來，能夠實現載置台2a的旋轉。接著，如圖2及圖3所示，使多個保持部2e朝向轉軸2b移動。然後，通過多個保持部2e來進行基板100的保持及基板100的對位。

在多個保持部2e保持有基板100後，如圖7所示進行包括預備步驟、液膜的形成步驟、冷卻步驟（過冷步驟+凍結步驟）、解凍步驟、乾燥步驟的凍結洗淨步驟。

首先，如圖7所示執行預備步驟。在預備步驟中，控制器9對供給部4b及流量控制部4c進行控制而向基板100的表面100b供給規定流量的液體101。另外，控制器9對流量控制部3c進行控制而向基板100的背面100a供給規定流量的冷卻氣體3a1。另外，控制器9對驅動部2c進行控制而使基板100以規定的轉速（第二轉速）旋轉。 在此情況下，液體101成為持續供給至旋轉中的基板100的狀態。

此處，若通過供給由冷卻部3所得的冷卻氣體3a1而使腔室6內的環境冷卻，則空氣中的包含灰塵的霜附著於基板100，有可能成為污染的原因。在預備步驟中，向基板100的表面100b持續供給液體101，因此可均勻地冷卻基板100，並且可防止霜向基板100的表面100b的附著。

例如，在圖7所例示的情況下，可將第二轉速例如設為50 rpm～500 rpm左右，將液體101的流量設為0.1 L/min～1 L/min左右，將冷卻氣體3a1的流量設為40 NL/min～200 NL/min左右，將預備步驟的步驟時間設為1800秒左右。此外，預備步驟的步驟時間只要是基板100的面內溫度成為大致均勻的時間即可。這些條件可通過預先進行實驗或模擬而求出。

由於預備步驟中的基板100的表面100b的液體101的溫度為被持續供給液體101的狀態，因此與所供給的液體101的溫度大致相同。例如，在所供給的液體101的溫度為常溫（20℃）左右的情況下，存在於基板100的表面100b的液體101（以下，稱為液膜）的溫度成為常溫（20℃）左右。

接著，如圖7所示執行液膜的形成步驟。在液膜的形成步驟中，停止在預備步驟中供給的液體101的供給。在此情況下，由於基板100的旋轉得以維持，因此處於基板100的表面100b的液體101被排出。然後，使基板100的轉速減速至比第二轉速慢的第一轉速。第一轉速例如只要設為0 rpm～50 rpm的範圍即可。在將基板100的轉速設為第一轉速後，將規定量的液體101供給至基板100而形成液膜。此外，冷卻氣體3a1的供給得以維持。

在液膜的形成步驟中形成的液膜的厚度（進行過冷步驟時的液膜的厚度）可設為200 μm～1300 μm左右。例如，控制器9對液體101的供給量進行控制，將處於基板100的表面100b上的液膜的厚度設為200 μm～1300 μm左右。

接著，如圖7所示執行冷卻步驟（過冷步驟+凍結步驟）。此外，在本實施方式中，將冷卻步驟中的從液體101成為過冷狀態起到開始凍結為止的步驟稱為「過冷步驟」，將過冷狀態的液體101成為凍結狀態、通過解凍步驟開始解凍為止的步驟稱為「凍結步驟」。

此處，若液體101的冷卻速度過快，則液體101不會成為過冷狀態而會立刻凍結。因此，控制器9對冷卻氣體3a1的流量以及基板100的轉速中的至少任一者進行控制，由此使得基板100的表面100b的液體101成為過冷狀態。

液體101成為過冷狀態的條件受到基板100的大小、液體101的粘度、冷卻氣體3a1的比熱等的影響。因此，液體101成為過冷狀態的條件可通過進行實驗或模擬來適當決定。

如圖7所例示，在冷卻步驟（過冷步驟+凍結步驟）中，冷卻氣體3a1的流量及轉速與液膜的形成步驟相同。因持續供給至基板100的背面100a的冷卻氣體3a1而使基板100上的液膜的溫度比液膜形成步驟中的液膜的溫度進一步下降，從而成為過冷狀態。

在過冷狀態下，例如會因液膜的溫度、微粒等污染物的存在、振動等而開始液體101的凍結。例如，在存在微粒等污染物的情況下，當液體101的溫度成為-20℃至-35℃左右時，會開始液體101的凍結。

當開始過冷狀態的液體101的凍結時，從過冷步驟轉移至凍結步驟。在凍結步驟中，使基板100的表面100b的液膜的至少一部分凍結。對在本實施方式的凍結洗淨步驟中液膜完全凍結而成為冰膜的情況進行說明。

接著，如圖7所示執行解凍步驟。此外，圖7中例示的是液體101與液體102為相同液體的情況。因此，圖7中記作液體101。在解凍步驟中，控制器9對供給部4b及流量控制部4c進行控制而向基板100的表面100b供給規定流量的液體101。此外，在液體101與液體102不同的情況下，控制器9對供給部5b及流量控制部5c進行控制而向基板100的表面100b供給規定流量的液體102。

另外，控制器9對流量控制部3c進行控制而停止冷卻氣體3a1的供給。由此，開始進行冰膜的解凍，冰膜逐漸成為液體101。另外，控制器9對驅動部2c進行控制，使基板100的轉速增加至比第二轉速快的第三轉速。若基板100的旋轉加快，則可利用離心力將液體101及冰膜的溶解殘留甩掉。因此，可將液體101及冰膜的溶解殘留從基板100的表面100b排出。此時，從基板100的表面100b分離出的污染物也與它們一起被排出。

此外，液體101或液體102的供給量若為可解凍的供給量，則並無特別限定。另外，第三轉速若為可排出液體101、冰膜的溶解殘留以及污染物的轉速，則並無特別限定。

接著，如圖7所示執行乾燥步驟。在乾燥步驟中，控制器9對供給部4b及流量控制部4c進行控制而停止液體101的供給。此外，在液體101與液體102為不同液體的情況下，控制器9對供給部5b及流量控制部5c進行控制而停止液體102的供給。

另外，控制器9對驅動部2c進行控制而將基板100的轉速設為比第三轉速快的第四轉速。若基板100的旋轉加快，則能迅速進行基板100的乾燥。此外，第四轉速若為可實現乾燥的轉速，則並無特別限定。 由此，可進行基板100的處理（污染物的去除）。

接著，將保持於多個保持部2e的處理完的基板100交接至未圖示的搬送裝置。未圖示的搬送裝置將處理完的基板100搬出至腔室6的外部。

例如，如圖8及圖9所示，使多個保持部2e向遠離轉軸2b的方向移動。然後，如圖8所示，通過未圖示的升降裝置使升降銷2d的前端移動至載置台2a（部分2a1）的上方，從多個保持部2e接收處理完的基板100，並將所接收到的處理完的基板100交接至未圖示的搬送裝置。之後，如圖1及圖2所示，使升降銷2d下降至下降端。 以下，通過重複進行所述程式，可進行多個基板100的凍結洗淨處理。

圖10是用於例示另一實施方式的載置部12的示意剖面圖。 如圖10所示，載置部12具有載置台12a、轉軸2b、驅動部2c、升降銷2d、及保持部2e。 此外，在圖10中，省略了驅動部2c。

載置台12a例如具有部分12a1（相當於第二部分的一例）及部分12a2（相當於第一部分的一例）。 部分12a1在所述部分2a1進而設置有凹部12a1a及槽12a1b（相當於第二槽的一例）。密封部3d1的基部3d1a的周緣附近及凸部3d1b隔著間隙（相當於第三間隙的一例）設置於槽12a1b中。凹部12a1a在孔2a1a的內壁及部分12a1的靠部分12a2側的面開口。在凹部12a1a的底面開設有用於排出冷卻氣體3a1的孔2a1c。此外，凹部12a1a也可設置於部分12a2。

部分12a2是從所述部分2a2削除槽2a2c，在部分12a2的部分12a1側的面進而設置有傾斜面的部分。此外，也可省略傾斜面。

在所述載置台2a的情況下，將設置於第一部分2a1與第二部分2a2之間的間隙設為用於排出冷卻氣體3a1的流路2a3。相對於此，在載置台12a的情況下，將凹部12a1a設為用於排出冷卻氣體3a1的流路12a3。因此，在載置部12的情況下，冷卻氣體3a1經由部分12a2的孔2a2a而排出至腔室6的底面側。 即，流路12a3與載置台12a的外部相連，冷卻噴嘴3d與部分2a1的孔2a1a及部分2a2的孔2a2a之間的間隙相連。 孔2a1c與流路12a3、及載置台12a（部分12a1）和基板100之間的空間相連。

另外，通過密封部3d1及設置於部分12a1的槽12a1b，可抑制從冷卻噴嘴3d噴出的冷卻氣體3a1侵入至孔2a1a的開口中。因此，可抑制產生無助於基板100的冷卻的冷卻氣體3a1。

圖11是用於例示槽12a1b的形成的分解圖。 如圖11所示，可設置在部分12a1的孔2a1a的內壁及部分12a1的靠基板100側的面開口的凹部12a1d。並且，通過在凹部12a1d的內壁安裝部件2a2e，可形成槽12a1b。

若通過在凹部12a1d的內壁安裝部件2a2e而形成槽12a1b，則槽12a1b的形成變得容易。另外，部分12a1與冷卻噴嘴3d的組裝作業變得容易。

圖12是用於例示另一實施方式的載置部的示意剖面圖。 圖13是圖12中的載置部的C-C線方向的示意圖。 圖14是用於例示保持部的示意立體圖。 如圖12所示，載置部22具有載置台22a、轉軸2b、驅動部2c、升降銷2d、及保持部22e。 此外，在圖12中，省略了轉軸2b及驅動部2c。

載置台22a例如具有部分22a1（相當於第二部分的一例）及部分2a2（相當於第一部分的一例）。 部分22a1可設為與所述部分2a1相同。但是，孔2a1c（相當於第二孔的一例）設置於較孔2a1b更靠部分22a1的周緣側處。

如圖12及圖13所示，保持部22e保持基板100。 如圖14所示，保持部22e呈板狀，具有上表面22e1、側面22e2、內側面22e3、支撐面22e4、內周面22e5及下表面22e6。 上表面22e1例如可設為與所述保持部2e的上表面2e1相同。 側面22e2例如可設為與所述保持部2e的側面2e2相同。 內側面22e3例如可設為與所述保持部2e的內側面2e3相同。 支撐面22e4支撐基板100的周緣附近。在此情況下，支撐面22e4也可設為斜面。在將支撐面22e4設為斜面的情況下，支撐面22e4可相對於載置台22a（部分22a1）的面（基板100的背面100a）傾斜。例如，可使支撐面22e4與載置台22a（部分22a1）的面之間的距離隨著靠近內側面22e3側而逐漸增加。例如，支撐面22e4可設為與所述保持部2e的斜面2e4相同。若支撐面22e4成為斜面，則可使基板100的背面100a與支撐面22e4進行線接觸。因此，可抑制在基板100的背面100a產生損傷。 內周面22e5連接於支撐面22e4的與內側面2e3側為相反側的端部。內周面22e5設置於支撐面22e4的下方。例如，內周面22e5可設為與內側面2e3平行的平坦面。 下表面22e6與上表面22e1相向。下表面22e6可設為與上表面22e1平行的平坦面。

另外，可在兩側的側面22e2分別設置流路22e7。例如，保持部22e可設為在所述保持部2e進一步設置有流路22e7的構件。 流路22e7具有槽22e7a及孔22e7b。槽22e7a在保持部22e的側面22e2及內周面22e5開口。孔22e7b在保持部22e的下表面22e6及槽22e7a的內壁開口。 如圖13所示，在通過多個保持部22e來保持基板100時，設置於保持部22e的槽22e7a與設置於鄰接的保持部22e的槽22e7a連接。另外，設置於保持部22e的孔22e7b與設置於鄰接的保持部22e的孔22e7b連接。在此情況下，可使設置於保持部22e的孔22e7b與設置於鄰接的保持部22e的孔22e7b位於設置於部分22a1的孔2a1c的上方。

因此，如圖12所示，在通過多個保持部22e來保持基板100時，供給至載置台22a（部分22a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由槽22e7a、孔22e7b、孔2a1c、及部分22a1與部分22a1之間的間隙而排出至載置部22（載置台22a）的外側。

如圖13所示，若設置有流路22e7，則可將孔2a1c設置於部分22a1的周緣附近，且為基板100的四個角落周邊。因此，可使供給至載置台22a（部分22a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1集中於基板100的四個角落周邊。另外，通過經由流路22e7而使冷卻氣體3a1流入孔2a1c中，可將冷卻氣體3a1彙集至基板100四個角落周邊。另外，可使基板100的四個角落周邊的冷卻氣體3a1的流動活躍。因此，可有效率地對基板100的四個角落周邊進行冷卻。 另外，由於冷卻氣體3a1在載置台22a的內部通過，因此載置台22a也被冷卻。因此，可經由載置台22a而對基板100進行冷卻，因此基板100的冷卻變得容易。 在此情況下，如圖13所示，槽22e7a優選為設為與從載置台22a的中心朝向基板100的四個角落的方向成為平行。 另外，優選為設為，在通過多個保持部22e來保持基板100時，供升降銷2d插通的孔2a1b被多個保持部22e堵塞。如此一來，可抑制供給至載置台22a（部分22a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由孔2a1b而排出。因此，容易向基板100的四個角落周邊供給冷卻氣體3a1。

圖15是用於例示另一實施方式的載置部的示意剖面圖。 圖16是圖15中的載置部的D-D線方向的示意圖。 圖17是用於例示保持部的示意立體圖。 如圖15所示，載置部32具有載置台32a、轉軸2b、驅動部2c、升降銷2d、及保持部32e。 此外，在圖15中，省略了轉軸2b及驅動部2c。

載置台32a例如具有部分32a1（相當於第二部分的一例）及部分2a2（相當於第一部分的一例）。 部分32a1可設為與所述部分2a1相同。但是，在部分32a1未設置孔2a1c。

如圖15及圖16所示，保持部32e保持基板100。 如圖17所示，保持部32e呈板狀，具有上表面32e1、側面32e2、內側面32e3、支撐面32e4、內周面32e5、下表面32e6及外周面32e7。 上表面32e1例如可設為與所述保持部22e的上表面22e1相同。 側面32e2例如可設為與所述保持部22e的側面22e2相同。 內側面32e3例如可設為與所述保持部22e的內側面22e3相同。 支撐面32e4例如可設為與所述保持部22e的支撐面22e4相同。 內周面32e5例如可設為與所述保持部22e的內周面22e5相同。 下表面32e6例如可設為與所述保持部22e的下表面22e6相同。 外周面32e7與內側面32e3及內周面32e5相向。外周面32e7的其中一端部連接於上表面32e1的與內側面32e3側為相反側的周緣。外周面32e7的另一端部連接於下表面32e6的與內周面32e5側為相反側的周緣。

另外，可在兩側的側面32e2分別設置流路32e8。例如，保持部32e可設為將所述保持部22e的流路22e7替換為流路32e8的保持部。 如圖16及圖17所示，流路32e8在側面32e2、內周面32e5及外周面32e7開口。 如圖16所示，在通過多個保持部32e來保持基板100時，設置於保持部32e的流路32e8與設置於鄰接的保持部32e的流路32e8連接。

因此，如圖15所示，在通過多個保持部32e來保持基板100時，供給至載置台32a（部分32a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由流路32e8而排出至載置部32（載置台32a）的外側。 如圖16所示，若設置有流路32e8，則可將供給至載置台32a（部分32a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1彙集至基板100的四個角落周邊。另外，可使基板100的四個角落周邊的冷卻氣體3a1的流動活躍。因此，可有效率地對基板100的四個角落周邊進行冷卻。 在此情況下，如圖15所示，優選為設為流路32e8與從載置台32a的中心朝向基板100的四個角落的方向成為平行。 另外，優選為設為，在通過多個保持部32e來保持基板100時，供升降銷2d插通的孔2a1b被多個保持部32e堵塞。如此一來，可抑制供給至載置台32a（部分32a1）與基板100之間的空間的冷卻氣體3a1經由孔2a1b而排出。因此，容易向基板100的四個角落周邊供給冷卻氣體3a1。

即，即便設為本實施方式的載置部32，也可享有與所述載置部22相同的效果。 此處，如上所述，若僅僅是冷卻氣體3a1向基板100的外側流動，則有可能因進行凍結洗淨處理的環境中所含的水分而在基板100的周緣附近產生霜。 然而，如圖17所示，流路32e8在外周面32e7開口。因此，如圖15所示，可使冷卻氣體3a1向載置部32的外側排出的位置遠離基板100的周緣。若冷卻氣體3a1向載置部32的外側排出的位置遠離基板100的周緣，則可抑制因進行凍結洗淨處理的環境中所含的水分而在基板100的周緣附近產生霜。

以上，對實施方式進行了例示。但本發明並不限定於這些記述。只要具備本發明的特徵，則本領域技術人員對前文所述的實施方式適當進行結構元件的追加、刪除或設計變更而成的實施方式或者進行步驟的追加、省略或條件變更而成的實施方式也包含於本發明的範圍內。

例如，基板處理裝置1所包括的各元件的形狀、尺寸、數量、配置等並不限定於示例而可適當變更。 另外，以上例示出基板100的平面形狀為四邊形的情況，但基板100的平面形狀為圓形等的情況也同樣如此。

1:基板處理裝置 2、12、22、32:載置部 2a、12a、22a、32a:載置台 2a1、2a2、12a1、12a2、22a1、32a1:部分 2a1a、2a1b、2a1c、2a2a、2a2b、2a2g、22e7b:孔 2a2c、12a1b、22e7a:槽 2a2d、12a1a、12a1d:凹部 2a2e:部件 2a2f:擴徑部 2a3、12a3、22e7、32e8:流路 2b:轉軸 2c:驅動部 2d:升降銷 2e、22e、32e:保持部 2e1、22e1、32e1:上表面 2e2、22e2、32e2:側面 2e3、22e3、32e3:內側面 2e4:斜面 3:冷卻部 3a:冷卻液部 3a1:冷卻氣體 3b:過濾器 3c、4c、5c:流量控制部 3d:冷卻噴嘴 3d1:密封部 3d1a:基部 3d1b:凸部 4:第一液體供給部 4a、5a:液體收納部 4b、5b:供給部 4d:液體噴嘴 5:第二液體供給部 6:腔室 6a:蓋 6b:分隔板 6c:排出口 6c1:排氣管 6c2:排出管 7:送風部 7a:空氣 8:排氣部 9:控制器 22e4、32e4:支撐面 22e5、32e5:內周面 22e6、32e6:下表面 32e7:外周面 100:基板 100a:背面 100b:表面 101、102:液體 A-A、B-B、C-C、D-D:線

圖1是用於例示本實施方式的基板處理裝置的示意剖面圖。 圖2是圖1中的載置部的示意剖面圖。 圖3是圖1中的載置部的A-A線方向的示意圖。 圖4是用於例示保持部的示意立體圖。 圖5是用於例示槽的形成的示意分解圖。 圖6是用於例示部件的示意立體圖。 圖7是用於例示基板處理裝置的作用的時序圖。 圖8是用於例示基板的交接的示意剖面圖。 圖9是圖8中的載置部的B-B線方向的示意圖。 圖10是用於例示另一實施方式的載置部的示意剖面圖。 圖11是用於例示槽的形成的分解圖。 圖12是用於例示另一實施方式的載置部的示意剖面圖。 圖13是圖12中的載置部的C-C線方向的示意圖。 圖14是用於例示保持部的示意立體圖。 圖15是用於例示另一實施方式的載置部的示意剖面圖。 圖16是圖15中的載置部的D-D線方向的示意圖。 圖17是用於例示保持部的示意立體圖。

1:基板處理裝置

2:載置部

2a:載置台

2b:轉軸

2c:驅動部

2d:升降銷

2e:保持部

3:冷卻部

3a:冷卻液部

3a1:冷卻氣體

3b:過濾器

3c、4c、5c:流量控制部

3d:冷卻噴嘴

4:第一液體供給部

4a、5a:液體收納部

4b、5b:供給部

4d:液體噴嘴

5:第二液體供給部

6:腔室

6a:蓋

6b:分隔板

6c:排出口

6c1:排氣管

6c2:排出管

7:送風部

7a:空氣

8:排氣部

9:控制器

100:基板

100a:背面

100b:表面

101、102:液體

A-A:線

Claims (8)

1. 一種基板處理裝置，包括：載置台，能夠繞中心軸旋轉；多個保持部，設置於所述載置台且保持基板；冷卻部，能夠向所述載置台與所述基板之間的空間供給冷卻氣體；以及液體供給部，能夠向所述基板的與所述載置台側為相反側的面供給液體，在保持所述基板時，所述多個保持部分別沿著所述載置台的上表面在朝向所述中心軸的方向上移動，從而包圍所述基板的周緣、及所述載置台與所述基板之間的空間，所述空間被所述多個保持部封閉。
2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述載置台具有呈板狀的第一部分、及呈板狀且設置於所述第一部分上的第二部分，在所述第一部分與所述第二部分之間設置有如下流路，即將供給至所述載置台與所述基板之間的空間的所述冷卻氣體排出至所述載置台的外部的流路。
3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述第二部分具有貫通厚度方向的第一孔及第二孔，所述第一部分具有貫通厚度方向且與所述第一孔同心設置的第三孔， 所述冷卻部具有冷卻噴嘴，所述冷卻噴嘴呈筒狀，隔著第一間隙設置於所述第一孔及所述第三孔中，所述流路與所述載置台的外部及所述第一間隙相連，所述第二孔與所述流路及所述載置台和所述基板之間的空間相連。
4. 如請求項3所述的基板處理裝置，還包括：基部，呈板狀，設置於所述冷卻噴嘴的外側面；以及凸部，呈環狀，設置於所述基部的周緣附近，在所述第一部分的所述第三孔的內壁設置有第一槽，所述基部的周緣附近及所述凸部隔著第二間隙設置於所述第一槽。
5. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述第二部分具有貫通厚度方向的第一孔及第二孔，所述第一部分具有貫通厚度方向且與所述第一孔同心設置的第三孔，所述冷卻部具有冷卻噴嘴，所述冷卻噴嘴呈筒狀，隔著第一間隙設置於所述第一孔及所述第三孔中，所述流路不與所述載置台的外部相連，而與所述第一間隙相連，所述第二孔與所述流路及所述載置台和所述基板之間的空間相連。
6. 如請求項5所述的基板處理裝置，還包括：基部，呈板狀，設置於所述冷卻噴嘴的外側面；以及凸部，呈環狀，設置於所述基部的周緣附近，在所述第二部分的所述第一孔的內壁設置有第二槽，所述基部的周緣附近及所述凸部隔著第三間隙設置於所述第二槽。
7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述保持部的表面具有對於所述液體的疏液性。
8. 如請求項1至請求項6中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述保持部的保持所述基板的部分被熱傳導率高的樹脂覆蓋。