[go: up one dir, main page]

TWI886125B - 量測部件表面上之污染物的設備及方法 - Google Patents

量測部件表面上之污染物的設備及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI886125B
TWI886125B TW109116892A TW109116892A TWI886125B TW I886125 B TWI886125 B TW I886125B TW 109116892 A TW109116892 A TW 109116892A TW 109116892 A TW109116892 A TW 109116892A TW I886125 B TWI886125 B TW I886125B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
measuring
contaminants
extraction container
fluid
Prior art date
Application number
TW109116892A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202109043A (zh
Inventor
阿米爾 Ａ 雅薩瑞
道恩 奧特卡
亞門 雅維言
肯尼特 克雷森秀 貝隆
約翰 達芬提
吉里什 Ｍ 溫蒂
庫克斯 克里夫 拉
Original Assignee
美商蘭姆研究公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商蘭姆研究公司 filed Critical 美商蘭姆研究公司
Publication of TW202109043A publication Critical patent/TW202109043A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI886125B publication Critical patent/TWI886125B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/34—Purifying; Cleaning
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/14—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object using acoustic emission techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N2001/002—Devices for supplying or distributing samples to an analysing apparatus
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G01N2001/028—Sampling from a surface, swabbing, vaporising
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G01N1/10—Devices for withdrawing samples in the liquid or fluent state
    • G01N2001/1006—Dispersed solids
    • G01N2001/1012—Suspensions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/38—Diluting, dispersing or mixing samples
    • G01N2001/383—Diluting, dispersing or mixing samples collecting and diluting in a flow of liquid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/40—Concentrating samples
    • G01N1/4077—Concentrating samples by other techniques involving separation of suspended solids
    • G01N2001/4094—Concentrating samples by other techniques involving separation of suspended solids using ultrasound

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

本發明係提供一種量測部件表面上之污染物的設備。用以容置量測流體之提取容器具有開口，該開口係適於使用該量測流體來形成彎液面。致動器將該提取容器及該部件兩者至少其中之一移動至該彎液面與該部件之該表面相接觸的位置。轉換器之位置係定位在用以提供聲波能至該量測流體。

Description

量測部件表面上之污染物的設備及方法
[相關申請案]本申請案係主張於2019年5月23日申請之美國專利申請案第62/852,185號的優先權，為了所有目的，其完整內容係併於此以作為參考。
此處所提供之背景描述係為了總體上呈現本揭露內容上下文的目的。在此背景部分中所描述的範圍內，目前列名的發明人之工作成果以及在提出申請時可能無法以其他方式視為先前技術的描述態樣，均未明示或暗示地承認為相對於本發明的先前技術。
本揭露內容涉及一種用以測量部件之清潔度的方法及系統。更具體來說，本揭露內容係關於一種測量用於晶圓電漿處理室中之部件的清潔度的方法及系統。
在形成半導體裝置時，晶圓電漿處理室係用來處理基板。有些電漿處理室具有例如介電功率窗、氣體注入器、邊緣環、電極、噴淋頭、高流動性襯墊以及靜電卡盤的部件。為減少缺陷，部件必須是潔淨的。
用於測量部件清潔度之傳統裝置的一個範例是帶有專用頭的空載顆粒計數器，其中例如在頭外側上的加壓噴氣係向內吹過表面上方。頭的中心處為一真空入口，也就是顆粒主要被吸離表面並擴散到懸浮顆粒計數器之處。雖然本裝置極其便攜，且可測量任何平坦表面，此裝置仍有其缺點。測量的準確性會受到被測物體周圍的環境影響。測試僅限於視線內的平坦表面。由於探頭係手持的這項事實，表面上的所有微粒並非都能去除和計數。這些特性便會影響到顆粒計數水平並得出一種不那麼敏感的方法。
或者，也已經有一些傳統以液體為基礎的成批採樣技術透過使用在槽、襯墊及袋中進行超聲波或機械攪拌之更有效率的表面採樣方法來提取部件中之顆粒。分析來自超聲波槽、襯墊及袋中的液體。針對在聲波輔助槽或攪拌袋中之大表面面積進行採樣的技術並不理想，因為設置時所存在之顯著背景噪音，使得此等技術缺乏分析方法的檢測靈敏度和分辨率。另外，較高的背景噪音可能引起計數器飽和而降低靈敏度。
為了實現前述說明以及根據本發明的目的，提供了一種用於測量部件表面上之污染物的設備。用於容置量測流體的提取容器具有適於使用量測流體形成彎液面的一開口。致動器係移動提取容器和部件的至少其中之一至彎 液面與該部件表面相接觸的位置。轉換器係定位於提供聲波能至該量測流體之處。
在另一種表現形式中，提供了一種用於測量部件表面上之污染物的方法。提取容器中填充了量測流體。使用量測流體在提取容器中的開口處形成彎液面。部件表面上之至少一位置係與彎液面接觸。提供聲波能至量測流體。測量量測流體中的污染物量。
本揭露內容之這些及其它特徵將在下面的本揭露內容之詳細描述中結合以下附圖而更詳盡的描述。
100:量測系統
104:部件
108:臨界表面
112:提取容器
116:量測流體
120:開口
124:彎液面
128:容器致動器
132:部件致動器
136:流體槽
140:轉換器
144:量測流體源
148:輸入管線
152:測量管線
156:LPC裝置
160:溝槽
164:排氣系統
168:超聲波能或兆聲波能
172:超聲波能或兆聲波能
176:污染物顆粒
204:步驟
208:步驟
212:步驟
216:步驟
220:步驟
304:測試位置
412:提取容器
416,516,616:套環
420:開口
424:彎液面
428:上表面
528:O形環
628:凹口
632:台階
700:量測系統
712:提取容器
716:量測流體
720:開口
724:彎液面
736:流體槽
740:轉換器
744:量測流體源
748:輸入管線
752:測量管線
756:LPC裝置
760:溝槽
764:排氣系統
782:採樣收集容器
786:攪拌裝置
800:量測系統
812:提取容器
814:流體槽容器
816:流體槽容器支架
818:水平計
820:開口
822:水平調節器
828:升降機
840:轉換器
844:量測流體源
846:過濾器
848:輸入管線
850:分流管線
852:測量管線
854:第一截止閥
858:第二截止閥
862:第三截止閥
866:污染物分析器
870:彎液面限制套環
此處所揭露之各種實施例係以舉例而非限制的方式來說明，在所附圖示中，類似的參考號碼係指稱類似的元件。
圖1A-F為一實施例之示意圖。
圖2為一實施例之高階流程圖。
圖3為根據一實施例所測試之臨界表面的示意性仰視圖。
圖4A-B為另一實施例之示意性橫剖面圖。
圖5為另一實施例之套環的一部分的示意性橫剖面圖。
圖6為另一實施例之套環的一部分的示意性橫剖面圖。
圖7是另一實施例的示意圖。
圖8是另一實施例的示意圖。
本揭露內容現在將參照隨附圖示中說明的數個較佳實施例來詳細描述。在以下描述中，闡述了許多具體細節以便提供對本揭露內容的透徹理解。然而對於熟習本技藝者而言，很明顯地可以在沒有這些具體細節中的一些或全部的情況下實踐本揭露內容。在其他情況下，不詳細描述為人熟知之處理步驟及/或結構，以免不必要地模糊本揭露實施例。
半導體製造設備的處理模組，包括蝕刻、剝離、清潔及沉積工具，係使用關鍵的腔室硬體部件。該等關鍵的腔室硬體部件係使用多晶陶瓷材料(例如鋁氧化物及/或帶有鋯氧化物及釔系氧化物塗層的鋁氧化物)而製成各種形狀、尺寸以及幾何形狀。其他的硬體材料可以包含矽、石英、鋁及陽極化鋁。這些材料當製成部件時可常承載著許多表面污染物來源。表面污染物包括有機殘留物、無機金屬/離子雜質以及表現為鬆散結合的固體顆粒，這些顆粒的形貌和尺寸從數百微米、到次微米、再小至數十奈米不等。這些顆粒都是極不想要的，且它們都可以在部件製造加工過程中(例如磨削、研磨、拋光)裝載至材料上。此外，這些顆粒也固有地被建入主體頂層表面形態而成為塗佈處理的副產物。一定要避免在安裝前或安裝中於任一蝕刻、沉積或清潔模組部件上載入次微米及奈米尺寸的顆粒，以確保通常量測低至28奈米之顆粒監控的製程驗證是成功的。否則，不乾淨的部件將必然導致在製程模組之初始啟動就出現晶圓之大量缺陷問題。如此會導致對啟動時間、產品產量和整體生產力的不良和不必要的影響。
考慮到這些挑戰，新製成之關鍵腔室部件的臨界表面必須使用強勁的清潔方法而以更高的精準度來清洗，該方法不僅針對去除較大微米尺寸的顆粒，同時也消除所有不想要的小尺寸顆粒(從數十奈米到數十微米)。臨界表面為暴露在處理電漿(面向電漿表面)的部件表面，其中此等暴露可能產生污染物 而引起缺陷。臨界表面可以是陶瓷表面，如鋁氧化物和/或帶有鋯氧化物和釔氧化物的鋁氧化物。量測系統必須能夠確認部件已清潔到所需的規格。
為了判定部件是否已被清潔至所需規格，需要一方法及系統在清洗處理期間以及/或在腔室部件安裝之前測量部件之清潔度。考慮到某些共用關鍵部件(例如變壓器耦合電漿(TCP)窗、高流動性襯墊、尖塔(pinnacle)、噴淋頭)的大尺寸和幾何形狀，接近這些部件表面上之腔室關鍵塗層是極其困難的。在傳統表面靈敏分析技術中，除非做出很大的努力來修改儀器以允許對這些大型部件進行此類分析的能力，否則很難依靠部件上之顆粒清潔度的採樣。
傳統裝置的一個例子是帶有專用頭的空載顆粒計數器，其中例如在頭外側上的加壓噴氣係向內吹過表面上方。頭的中心處為一真空入口，也就是顆粒主要被吸離表面並運送到懸浮顆粒計數器之處。本方法具有一些獨特的優點，其中該裝置極其便攜，且可測量任何平坦表面。然而，其明顯的缺點是測量的準確性會受到被測物體周圍的環境影響，測試僅限於視線內的平坦表面，由於探頭為手持式的、掃描表面的速度、局部流動速度太小、約束小顆粒的界面力太大、以及探頭到表面之平坦度的這些事實，並非都能去除和計數表面上的所有顆粒。這些特性將影響顆粒計數水平並得出一種不那麼敏感的方法。
或者，也已經有一些傳統以液體為基礎的成批採樣技術透過使用在槽、襯墊及袋中進行超聲波或機械攪拌之更有效率的表面採樣方法來提取部件中之顆粒。對於來自超聲波槽、襯墊及袋中的液體進行分析。針對在聲波輔助槽或攪拌袋中之大表面面積進行採樣的技術並不理想，因為設置時所存在之顯著背景噪音，使得此等技術缺乏分析方法的檢測靈敏度和分辨率。另外，較高的背景噪音可能引起計數器飽和而降低靈敏度。有幾個原因引起對更高靈敏度及 分辨率的需求。一個原因是在採樣過程中可發生來自背景所貢獻(即部件之非臨界表面、袋、固定配件、環境)之顯著的信號量。如果要藉由沖洗或浸沒部件來從大型部件中提取欲檢測材料之微量顆粒污染物，該信號通常會在此種噪音中丟失或摺積(convoluted)。其他原因可能是因為效率不佳且缺乏對樣本提取之部分空間分辨率及/或恢復技術。如果材料是化學惰性或牢固地粘附(從而導致提取效率不佳)，如此會使分析變得複雜且常極具挑戰性。此外，因為在採樣過程中去除顆粒的效率不佳，相同的特性也限制了對表面清潔度的驗證追蹤。
一實施例提供一種腔室外的方法和系統，以在最終沖洗、乾燥及烘烤之前的精準清潔處理的最終階段期間，對大型腔室部件之臨界表面進行採樣，以確保部件均符合顆粒清潔度缺陷要求。一實施例提供彎液面聲波脈波液體顆粒計數掃描分析(MAP LPC)。一實施例提供一種設備，其透過受控的液體彎液面界面而允許僅對腔室部件上的臨界表面進行選擇性區域採樣。此種設定提供了高水準的分析控制，而克服了一些先前描述之使用液體顆粒計數器(LPC)進行之傳統採樣方法常見的限制。此實施例係透過用於定點提取之定義彎液面以及使用聲脈波作為激發源而允許對受控的區域掃描，以去除更牢固粘附的顆粒表面汙染物並對其採樣。污染物被提取到要進行分析的潔淨工作液體中。
一實施例係設計用於在隔離的潔淨採樣設備內實現並保持較低的顆粒基線計數。這種方法避免了使用大水槽溢流採樣方案，其中非臨界性表面也進行量測。這些非臨界區域會導致測量中的高顆粒計數背景，從而引起儀器飽和度、樣本間差異以及數據摺積等問題，如此常使分析難以解釋。無可避免地，與傳統分析槽LPC以及音波振動提取的設置和實施所產出的結果相比，由配備有聲脈波源的本實施例所採樣之臨界表面的測量提供了較佳的結果。此一獨特特 性允許操作者監測、診斷和驗證已被精密清洗過之大型部件之臨界表面的清潔度。採用該方法包括產生彎液面、採樣以及分析的過程，而可再現地驗證出經優異清洗而產生之部件展現出保證極低的殘留顆粒水平。
為了便於理解，圖1A為一實施例之示意圖。在此實施例中，量測系統100係用於量測具有臨界表面108之部件104的清潔度。提取容器112適於容置量測流體116。在本實施例中，量測流體116為去離子水(DIW)。提取容器112具有開口120，其適於從量測流體116形成凸彎液面124。容器致動器128係連接到提取容器112。部件致動器132則連接到部件104。容器致動器128和部件致動器132係用於使提取容器112和部件104彼此相對移動，以便使彎液面124與部件104以可再現的受控方式進行表面接觸，以測量部件104之臨界表面108的清潔度。在本實施例中，提取容器112係位於流體槽136中。轉換器140也位於流體槽136中。
對量測流體源144進行預處理，並透過輸入管線148將潔淨的量測流體116提供至提取容器112。可以藉由超過濾法對預處理的量測流體116進行預調節。測量管線152自提取容器112中抽出量測流體116，並將量測流體116提供給與液體顆粒計數掃描分析計數器裝置(液體顆粒計數器(LPC)裝置)156連接的採樣收集站。來自提取容器112之量測流體116的溢出會被收集在溝槽160中。來自溝槽160和LPC裝置156的量測流體116會提供到排氣系統164。
圖2為一實施例的高階流程圖，該實施例係用於測量部件104之臨界表面108的清潔度。首先，提供初始條件(步驟204)。可以使用一啟動處理來沖洗和重新填充量測流體116。沖洗步驟可以提供來自量測流體源144的流體以填充提取容器112，從而導致量測流體116透過提取容器112之開口120而溢出並排放到溝槽160一段時間，以對提取容器112進行預沖洗。溝槽160中的量測流體 116會流至排氣系統164。沖洗步驟可以繼續進行，直到從提取容器112收集並由LPC 156分析的樣本計算出量測流體116中污染物的基線量為止。在此例中，污染物的量被測量為量測流體116中污染物的濃度。如果分析器為串接式或是藉由在一組啟動處理完成之後計算顆粒濃度，便可以透過連續沖洗量測流體116直到達到最小顆粒污染物計數濃度來獲得基線污染物濃度。一旦建立了初始條件，就可以在提取容器112的開口120處形成量測流體116的彎液面124。
在為提取容器112提供初始條件(步驟204)之後，便在乾淨的彎液面124和部件104的臨界表面108之間建立接觸(步驟208)。容器致動器128和部件致動器132係用於使提取容器112和/或部件104相對於彼此移動，以允許彎液面124接觸部件104之臨界表面108上的位置，而無需提取容器112接觸部件104。在一實施例中，僅部件104被移動。在另一實施例中，僅提取容器112被移動。在另一實施例中，彎液面124是在提取容器112和部件104相對於彼此放置在適當的位置之後產生的。
圖1B是在提取容器112已經相對於部件104移動之後的量測系統100的示意圖，該移動使得彎液面124與部件104之臨界表面108上的位置接觸。提取容器112係與臨界表面108間隔開，從而防止提取容器112污染及/或損壞臨界表面108。另外，在提取容器112和臨界表面108之間並不施加密封。密封對於臨界表面108會是污染或損壞的另一來源。
在彎液面124被置於與臨界表面108上的位置相接觸之後，便提供能量(步驟212)。在本實施例中，轉換器140提供超聲波能或兆聲波能作為聲波能。超聲波能或兆聲波能提供音波振動能。
圖1C是量測系統100的示意圖，因為超聲波能或兆聲波能168由轉換器140提供給流體槽136。由於流體槽136與提取容器112接觸，因此超聲波能或兆聲波能168被傳輸到量測流體116，而提供超聲波能或兆聲波能172至量測流體116。超聲波能或兆聲波能172會使污染物顆粒176從臨界表面108移除至量測流體116。
在提供能量之後(步驟212)，分析量測流體116(步驟216)。在本實施例中，在提取容器112和/或部件104相對於彼此移動之前或之後停止聲波能，以使得彎液面124不與臨界表面108接觸。圖1D是在分析量測流體116期間之量測系統100的示意圖。量測流體116從提取容器112通過測量管線152流到配備有LPC裝置156的採樣站。LPC裝置156能夠計數污染物顆粒176的濃度以確定部件104的清潔度。LPC裝置156可以確定量測流體116中存在之顆粒的尺寸並確定所發現的不同尺寸顆粒的分佈。可以透過另一技術來確定顆粒的類型，該技術通過單獨的精細過濾器收集量測流體的等分樣品，並通過其他技術離線分析其組成。LPC裝置156可以檢測0.1um至幾微米之次微米到微米大小的顆粒。
在分析量測流體116之後(步驟216)，可以進行決定以確定是否將在相同位置或另一位置進行另一測量(步驟220)。如果要進行另一測量，則提供初始條件(步驟204)。為了建立初始條件，可以使用啟動處理來沖洗及重新填充量測流體116，以去除污染物顆粒176。沖洗步驟可以提供來自量測流體源144的流體以填充提取容器112，從而導致量測流體116溢流通過提取容器112之開口120而排放到溝槽160。在其他實施例中，來自源144的流體也可以流過提取容器排放端口管線而供應至採樣容器，以清除該管線中前一次測量所殘留的無效體積。溝槽160中的量測流體116係流至排氣系統164。沖洗步驟可以繼續進行， 直到送至LPC裝置156分析的樣本或採樣收集容器計數出量測流體116中污染物的基線量為止。藉由沖洗量測流體116直到污染物濃度低於閾值或透過在處理完成之後測量濃度的方式可以獲得基線污染物濃度。一旦建立了初始條件，就可以在提取容器112的開口120處形成量測流體116的彎液面124。
在提供初始條件之後(步驟204)，在彎液面124和部件104的臨界表面108之間產生接觸(步驟208)。容器致動器128和部件致動器132係用於使提取容器112和/或部件104相對於彼此移動，以允許彎液面124接觸部件104之臨界表面108上的位置，而無需提取容器112接觸部件104。彎液面124係與臨界表面108之一位置接觸，該位置係不同於先前測量之臨界表面108的位置。
圖1E是在部件104已經相對於提取容器112移動而使得彎液面124與部件104之臨界表面108上的位置接觸之後的量測系統100的示意圖。在一交替的實施例中，具有受限彎液面的容器可以相對於部件表面沿任何方向(x-y-z)移動或掃描，以使彎液面124與部件之臨界表面108的不同位置接觸。吾人應注意的是，彎液面124與臨界表面108的接觸位置係與圖1B顯示之彎液面124與臨界表面108之間的接觸位置不同。
在將彎液面124置於與臨界表面108上的位置接觸之後，提供聲波能(步驟212)。在此實施例中，轉換器140提供超聲波能或兆聲波能。超聲波能或兆聲波能提供音波振動能。
圖1F是量測系統100的示意圖，因轉換器140向流體槽136提供超聲波能或兆聲波能168。由於流體槽136與提取容器112接觸，因此超聲波能或兆聲波能168被傳輸到量測流體116，而提供超聲波能或兆聲波能172至量測流體 116。超聲波能或兆聲波能172會使污染物顆粒176從臨界表面108被提取至量測流體116。
在提供能量之後(步驟212)，分析量測流體116(步驟216)。在本實施例中，在提取容器112和/或部件104相對於彼此移動之前或之後停止聲波能，以使得彎液面124不與臨界表面108接觸。量測流體116從提取容器112通過測量管線152流到LPC裝置156。LPC裝置156能夠計數污染物顆粒176的濃度。
在分析量測流體116之後(步驟216)，進行決定以確定是否將在另一位置進行另一測量(步驟220)。重複該循環，直到測試足夠數量之臨界表面108的樣本為止。然後可以停止該過程，並且可以使用對個別位置的分析來估計整個臨界表面108的清潔度。
圖3是臨界表面108的仰視圖。在此例中，臨界表面108具有圓形的橫剖面。在此例中，使用上述處理來測試八個測試位置304。在此例中，部件致動器132將旋轉臨界表面108。提取容器112也可相對於部件104移動以沿著部件104之半徑的任意地方採樣。
諸多實施例允許對大型部件104和/或大型臨界表面108進行測試。可以移動部件104或提取容器112或兩者都移動以提供部件104和提取容器112之間的相對位置。在諸多實施例中，僅彎液面124接觸臨界表面108。因此，臨界表面108並不會因與量測系統100接觸而被污染或損壞。臨界表面108與量測系統100之一部分(例如提取容器112)接觸將導致量測系統100與臨界表面108之間的摩擦、磨損，從而導致污染物顆粒的產生。在替代實施例中，在提取容器112和臨界表面108之間形成一密封部。該密封部係由極其清潔的材料製成，並且不會透過表面與表面的接觸而損壞部件104。
在諸多實施例中，量測流體116並不接觸部件104之非臨界表面。部件104之非臨界表面是在處理期間不會接觸電漿的表面。非臨界表面可以形成電漿處理室的外表面。部件104之非臨界表面的顯著特徵是，非臨界表面不需要被清潔和驗證到與臨界表面相同的水平。如果非臨界表面在電漿處理室的外部上，則非臨界表面上的污染物將不會污染到電漿處理室內的電漿。因此，非臨界表面不需要被清潔到臨界表面108的清潔程度。由於非臨界表面不是那麼乾淨，因此如果量測流體116接觸到非臨界表面，來自非臨界表面的污染物便會導致量測系統100對來自臨界表面108之較低濃度的污染物較不敏感，而產生較差的分辨率。此外，由於沒有將整個部件104放置在提取容器112中，因此即使用於測試大型部件104，提取容器112和量測流體116的體積也可以很小。
諸多實施例可以具有超聲波能或兆聲波能168之頻率的各種組合。在一實施例中，所提供的聲波能包括兩個超聲波信號頻率：第一頻率為200千赫茲(kHz)、第二頻率為430kHz；以及兆聲波信號頻率的第三頻率為1兆赫茲(MHz)。在一實施例中，僅使用第一頻率。在另一實施例中，僅使用第二頻率。在另一實施例中，僅使用第三頻率。在另一實施例中，同時提供兩個或更多個頻率。在另一實施例中，依序地提供兩個或更多個頻率。在其他實施例中，可以使用頻率和時間順序的其他組合。在其他實施例中，所提供的聲波能包括通常用於清潔部件之例如40kHz到5MHz的超聲波信號頻率。
重要的是要注意，對於可比較的音振效率，兆聲波轉換器中看到的功率強度通常比超聲波轉換器中使用的功率強度低10至50倍。與仰賴暫態空化進行音振處理的低頻超聲波不同，兆聲波中使用的較高頻率會導致在溶液中而非氣泡中產生較高的壓力波。使用兆聲波提高效率的原因在於顆粒從表面脫 離的機制。高壓波以大約800,000-100,000次/秒的速度推拉沉積在表面上的顆粒。在這方面，由於不存在暫態空化，兆聲波音振處理提供了優於超聲波的明顯優勢。不存在暫態空化便會降低材料損壞、空化引起之部件表面腐蝕(導致顆粒數量增加)和機械應力的可能性。
在圖1A所示的上述實施例中，轉換器140與提取容器112機械分離。藉由將轉換器140與提取容器112解耦，若更換提取容器112，並不需要更換轉換器140。因為轉換器140與提取容器112解耦，來自轉換器140的功率便透過流體槽136而傳輸到提取容器112。因此，轉換器140提供間接聲波能至提取容器112。在其他實施例中，轉換器140可以直接耦合到提取容器112的外部。將轉換器140耦合到提取容器112之外部的優點是來自轉換器140的功率係被更直接地傳輸到提取容器112。在其他實施例中，轉換器140係直接從外部接合到提取容器112的底部。將轉換器140安裝到提取容器112上的優點是轉換器140直接向量測流體116提供功率。將轉換器140放置在提取容器112內的缺點是可能需要採取額外的措施來防止轉換器140污染量測流體116。另外，如果提取容器112為消耗品，則轉換器140也可能需要是消耗品。在其他實施例中，可以使用多個轉換器140。
在上述實施例中，提取容器112的容積為100毫升至數公升。在上述實施例中，藉由使量測流體116從源144流動並且將溢流之量測流體116從溝槽160排放到排氣系統164來提供清潔處理。在另一實施例中，所有流體116均可以從提取容器112中倒出，接著沖洗提取容器112並重新加以填充。在另一實施例中，使用新的乾淨提取容器112。
圖4A為提取容器412的另一實施例之更詳細的示意性橫剖面圖。提取容器412具有階梯狀的開口420以容納套環416。圖4B是套環416之一部分的 放大示意性橫剖面圖。套環416之上表面428為粗糙且疏水的。彎液面424由套環416限制。套環416之粗糙疏水上表面428有助於限制彎液面424的破裂。在諸多實施例中，套環416由原始的聚四氟乙烯(PTFE)形成。在本實施例中，上表面428具有至少>1百萬分之一吋(microinch)的粗糙度(RA)。套環416之上表面428在開口420周圍提供疏水的提取容器412表面。
圖5是在另一實施例中使用之套環516的一部分的詳細示意性橫剖面圖。在本實施例中，將O形環528放置在由套環516形成的內孔周圍。在本實施例中，O形環528由疏水性材料(例如全氟彈性體化合物)形成。彎液面424的破裂以及由於彎液面424在z方向上的壓縮而導致之流體接觸的最終損失將由彎液面424周圍的疏水性O形環528控制。
圖6是在另一實施例中使用之套環616之一部分的詳細示意性橫剖面圖。在本實施例中，在由套環616形成的內孔周圍放置凹口628，以便形成台階632。彎液面424的破裂以及由於彎液面424在z方向上的壓縮而導致流體接觸的最終損失將由彎液面424周圍的凹口628所形成的階梯區域以及容器致動器的z運動控制來控制。套環616可以修改成包括例如台階或凹陷或凹陷之疏水限制環的特徵，使得當彎液面424被限制在部件104和提取容器112之間時，彎液面424保持穩定。套環416、516、616的不同實施例提供了彎液面限制套環的不同實施例。所有這些實施例和附加實施例提供了一種彎液面限制套環，其能夠在提供兆聲波及/或超聲波能的同時，增加彎液面的高度和/或減少彎液面424的破裂。
在諸多實施例中，提取容器的開口可以被形塑或調節成產生更凸的彎液面124。提取容器112的設計可以最佳化以用於流體輸送、短的停留時間以最小化提取的顆粒損失。例如，在彎液面124邊緣處的提取容器112經處理為疏水 的。替代地，提取容器開口設計成具有台階特徵，該台階特徵在開口處形成一限制環，以限制流體和彎液面邊界。提取容器開口的尺寸和形狀可以最佳化，以在靜態填充、部件接觸及部件抽取處理期間最大程度地提高提取效率和彎液面限制。在一些實施例中，可以選擇量測流體116以提供更凸的彎液面124。然而，量測流體116不能是污染臨界表面108的流體。在諸多實施例中，提取容器112係由例如玻璃、低顆粒水平及微量金屬塑料或石英的材料製成。根據所需的清潔度、彎液面形狀、耐用性和聲波能的有效傳輸來選擇材料。在一些實施例中，為了增加彎液面的高度，提取容器112係由例如疏水塑料表面(即高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)和聚丙烯)的疏水材料所製成。這種疏水性塑料表面在開口處提供凸的彎液面形狀。凸形在彎液面124上提供了良好的高度。彎液面124上的良好高度提供了較佳的限制，並且提供了更大的餘裕來將彎液面124和部件相對於彼此定位。
在諸多實施例中，提取容器112的頂部可以具有可拆卸的噴嘴，以允許改變開口120的幾何、形狀或高度。開口120可以改變而為開口120提供不同的位置，以提供與臨界表面108的不同接觸位置。在其他實施例中，不同的提取容器112具有不同的頭部或開口構造，從而允許靈活地限定部件104上的接觸面積。另外，不同的開口可以適於容納臨界表面108之不同形狀或材料。
在諸多實施例中，由於彎液面124具有高度，因此臨界表面108不需要是完全平坦的。相反地，臨界表面108之平坦度的變化可以略小於彎液面124的高度。在諸多實施例中，可以在清潔處理之後在臨界表面108被乾燥之前進行測試。如此，諸多實施例提供了更快的處理量。在諸多實施例中，為了提供更快 的處理量，可以並行使用多個裝置來並行地測量臨界表面的多個位置，或者，可以使容器和部件致動器子系統完全自動化。
圖7是另一實施例的示意圖。在此實施例中，量測系統700係用於量測清潔度。提取容器712適於容置量測流體716。在本實施例中，量測流體716為去離子水(DIW)。提取容器712具有適於形成凸彎液面724的開口720。在本實施例中，提取容器712位於流體槽736中。轉換器740也位於流體槽736中。
對量測流體源744進行預處理，並透過輸入管線748將潔淨的量測流體716提供至提取容器712。測量管線752係自提取容器712中抽出量測流體716，並將量測流體716提供給採樣收集容器782。液體顆粒計數掃描分析計數裝置(LPC)756係與採樣收集容器782流體連接，以便測量採樣收集容器782中液體的污染物濃度。來自提取容器712之量測流體716的溢出會被收集在溝槽760中。來自溝槽760的量測流體716會被提供到排氣系統764。攪拌裝置786係放置在攪動採樣收集容器中之流體的位置。在本實施例中，採樣收集容器782為低顆粒及低微量金屬瓶，例如Nalgene®。每次運行係將樣本收集在採樣收集容器782中，並由LPC裝置756分析。在本實施例中，採樣收集容器782為消耗品。每次測試都提供新的採樣收集容器782。在一實施例中，在轉換器740提供功率之後或在提供功率的同時，量測流體716係從提取容器712流到採樣收集容器782。
在不同的實施例中，除了頻率之外，可以使用來自轉換器740之功率的不同參數來控制測試。例如功率幅度、瓦特數、時間、聲波頻率和工作週期可以用來當作控制參數。此外，液體溫度可以作為另一控制參數。在一實施例中，可以在40kHz至5MHz的頻率下以1至50watts/in2的功率密度提供1至500瓦。另外，可以使用不同的脈衝序列。
圖8是另一實施例的示意圖。在該實施例中，量測系統800用於測量清潔度。提取容器812適於容置量測流體。在該實施例中，量測流體為去離子水(DIW)。提取容器812具有適於形成凸彎液面的開口820。在該實施例中，提取容器812位於流體槽容器814中。轉換器840機械性地連接到流體槽容器814。
流體槽容器支架816係支撐流體槽容器814。流體槽容器支架816則由升降機828保持，其中升降機828作用為一致動器而使流體槽容器814垂直移動。升降機828係設計成垂直移動流體槽容器814而不會使流體槽容器814傾斜。在該實施例中，包括水平計818及水平調節器822的水平校正系統係用於調節流體槽容器814、提取容器812、以及產生之彎液面的水平。在該實施例中，水平計818為燈泡水平計。水平調節器822是水平腳。其他實施例可以使用其他的水平計818和其他水平調節器822來提供水平校正系統。例如，水平校正系統可以被自動化以自動保持提取容器812的水平。
量測流體源844係與分流管線850及過濾器846之輸入流體連通。過濾器846之輸出係與提取容器812及分流管線850流體連通。第一截止閥854係位於過濾器846之輸出與輸入管線848上之提取容器812之間，輸入管線848係位於過濾器846和提取容器812之間。第二截止閥858位於過濾器846的輸出與分流管線850之間。第三截止閥862位於量測流體源844和分流管線850之間。
在該實施例中，提取容器812具有錐形底部且其具有傾斜的側壁。在提取容器812的底部為測量管線852。測量管線852向下傾斜並遠離提取容器。在該實施例中，測量管線852和分流管線850均與污染物分析器866流體連接。
污染物分析器866可以是如圖7所示的採樣收集容器782和LPC裝置756或是如圖1A所示的LPC裝置156。在其他實施例中，污染物分析器866可以 是提取吸附劑管，其可以捕獲污染物並且隨後與例如熱脫附氣相層析質譜分析儀(GC-MS)結合使用。在其他實施例中，污染物分析器866可以是一系列串接式的過濾介質，其可以捕獲諸多尺寸的顆粒，並且隨後用例如光學或雷射顯微鏡、重量分析器或例如掃描電子顯微鏡/能量色散X射線光譜儀(SEM/EDS)、傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)、電感耦合電漿質譜儀(ICP-MS)、GC-MS、拉曼光譜儀和飛行時間二次離子質譜儀(TOF/SIMS)的常見分析方法來個別分析。污染物分析器866可以連接到排氣系統。污染物分析器866可在不分析污染物的情況下使量測流體流放排出，以沖洗提取容器812。
當第一截止閥854打開且第二截止閥858和第三截止閥862關閉時，量測流體便從流體源844流過過濾器846並流過第一截止閥854而到達提取容器。量測流體可以從提取容器812流經測量管線852而到污染物分析器866。提取容器812的錐形底部以及向下傾斜的測量管線852會導致太稠及太大的污染物無法懸浮在欲透過重力和流體流的組合而被移動到污染物分析器866的量測流體中。
當第一截止閥854和第二截止閥858關閉且第三截止閥862打開時，量測流體從流體源844流到分流管線850，然後流到污染物分析器866。此種流動允許直接從流體源844對量測流體中的污染物進行測量。此外，此種流動可以用於沖洗流體源844。
當第一截止閥854和第三截止閥862關閉並且第二截止閥858打開時，量測流體從流體源844經過過濾器846流到分流管線850，然後流到污染物分析器866。此種流動允許在通過過濾器846之後對量測流體中的污染物進行測量。此外，此種流動可以用於沖洗過濾器846。
在本實施例中，彎液面限制套環870係放置在提取容器812的開口820上方和周圍。彎液面限制套環870具有控制彎液面形狀的形狀和材料。
諸多實施例能夠提供緊密的系統。緊密的系統能夠安裝在保護罩下，以防止外部污染物干擾測量。這種緊密的系統可以放置在車輪上，以便移動到要測試的部件上。
雖然已經根據幾個示範性實施例描述了本揭露內容，但是仍有著落入本揭露內容範圍內的變更、修改、置換和各種替代等效物。吾人亦應注意到有許多實現本揭露內容的方法和裝置的替代方式。因此意圖將以下所附之申請專利範圍解釋為包含落入本揭露內容之真實精神及範圍內的所有此等變動、修改、置換和各種替代等效物。
100:量測系統
104:部件
108:臨界表面
112:提取容器
116:量測流體
120:開口
124:彎液面
128:容器致動器
132:部件致動器
136:流體槽
140:轉換器
144:量測流體源
148:輸入管線
152:測量管線
156:LPC裝置
160:溝槽
164:排氣系統

Claims (22)

  1. 一種量測部件表面上之污染物的設備，其包含：用以容置一量測流體的一提取容器，其中該提取容器具有一開口，該開口係適於使用該量測流體來形成一凹面彎液面，其中該開口係小於該部件之該表面之一側；一致動器，用以將該提取容器及該部件兩者至少其中之一移動至該凹面彎液面與該部件之該表面相接觸的一位置，其中該量測流體並不接觸該部件之該表面之整個側；一污染物分析器，適於量測該量測流體中之污染物，其中該經量測之污染物係用於判定該部件之一清潔度；以及一轉換器，其位置係定位用以提供聲波能至該量測流體。
  2. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該轉換器係適於提供超聲波能及兆聲波能至少其中之一。
  3. 如請求項2之量測部件表面上之污染物的設備，其中該轉換器係浸入在一槽中，且該槽係與該提取容器相接觸。
  4. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中更包含自該提取容器延伸的一量測管線。
  5. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中更包含一輸入管線，其適於將潔淨的量測流體流入至該提取容器。
  6. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中更包含一溝槽，用以接住溢流的量測流體。
  7. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該轉換器之定位係用以間接施加聲波能至該量測流體。
  8. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中鄰接於該提取容器之該開口的一提取容器表面為疏水性或經改質以限制一凹面彎液面邊界。
  9. 如請求項8之量測部件表面上之污染物的設備，其中該開口更包含用以形成部分之該提取容器表面的一凹面彎液面限制套環。
  10. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該部件之該表面為該部件之一臨界表面。
  11. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該凹面彎液面並不接觸在該部件之一側上之整個臨界表面。
  12. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該提取容器並不接觸該部件之該表面。
  13. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該轉換器係直接耦合至該提取容器。
  14. 如請求項1之量測部件表面上之污染物的設備，其中該凹面彎液面在該提取容器之該開口之頂邊緣上方延伸。
  15. 一種量測部件表面上之污染物的方法，其步驟包含：a)將一提取容器填充以量測流體； b)利用該量測流體在該提取容器中之一開口處形成一凹面彎液面，其中該提取容器之該開口係由導致該量測流體之凹面彎液面形成之材料製成，其中該開口係小於該部件之該表面之一側；c)以該凹面彎液面接觸該部件之該表面上的至少一個位置，其中該量測流體並不接觸該部件之該表面之整個側；d)提供來自一轉換器之聲波能至該量測流體；以及e)藉由一污染物分析器而量測該量測流體中的污染物數量。
  16. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其步驟更包含在以該凹面彎液面接觸該部件之該表面上之至少一位置之前，先量測該量測流體中的污染物初始數量。
  17. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其步驟更包含重複步驟a)及b)，以該凹面彎液面接觸該部件之該表面上之至少另一位置，以及重複步驟d)及e)。
  18. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其中提供聲波能之該步驟包含在一單一頻率下提供超聲波能或兆聲波能。
  19. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其中提供聲波能之該步驟包含在兩個或更多的頻率下提供超聲波能或兆聲波能。
  20. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其中該部件之該表面為一臨界表面，且其中該凹面彎液面並不接觸該部件之任一非臨界表面。
  21. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其中該部件之該表面並不接觸該提取容器。
  22. 如請求項15之量測部件表面上之污染物的方法，其中該凹面彎液面在該提取容器之該開口之頂邊緣上方延伸。
TW109116892A 2019-05-23 2020-05-21 量測部件表面上之污染物的設備及方法 TWI886125B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962852185P 2019-05-23 2019-05-23
US62/852,185 2019-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202109043A TW202109043A (zh) 2021-03-01
TWI886125B true TWI886125B (zh) 2025-06-11

Family

ID=73458840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109116892A TWI886125B (zh) 2019-05-23 2020-05-21 量測部件表面上之污染物的設備及方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12072318B2 (zh)
KR (1) KR20220000409A (zh)
TW (1) TWI886125B (zh)
WO (1) WO2020236803A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113252381B (zh) * 2021-05-27 2024-09-20 大连海事大学 一种对大面积表面的溶解法取样装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5834625A (en) * 1996-08-21 1998-11-10 Eastman Kodak Company Apparatus and method for debubbling a discrete sample of liquid
US8404056B1 (en) * 2009-05-27 2013-03-26 WD Media, LLC Process control for a sonication cleaning tank

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3784310A (en) * 1972-06-07 1974-01-08 Technicon Instr System and method for improved operation of a colorimeter or like optical analysis apparatus
US6016821A (en) * 1996-09-24 2000-01-25 Puskas; William L. Systems and methods for ultrasonically processing delicate parts
US4907611A (en) * 1986-12-22 1990-03-13 S & C Co., Ltd. Ultrasonic washing apparatus
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US5931173A (en) * 1997-06-09 1999-08-03 Cypress Semiconductor Corporation Monitoring cleaning effectiveness of a cleaning system
US6394111B1 (en) * 1997-06-11 2002-05-28 Ethicon, Inc. Detection of cleanliness of a medical device during a washing process
US6106590A (en) * 1997-06-17 2000-08-22 Konica Corporation Method of ultrasonic waves degassing and device using the same
US5922606A (en) * 1997-09-16 1999-07-13 Nalco Chemical Company Fluorometric method for increasing the efficiency of the rinsing and water recovery process in the manufacture of semiconductor chips
US6693443B2 (en) * 1999-04-02 2004-02-17 Worcester Polytechnic Institute Systems for detecting and measuring inclusions
WO2002015255A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 Chem Trace Corporation System and method for cleaning semiconductor fabrication equipment parts
US20020142617A1 (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Stanton Leslie G. Method for evaluating a wafer cleaning operation
US6776851B1 (en) * 2001-07-11 2004-08-17 Lam Research Corporation In-situ cleaning of a polymer coated plasma processing chamber
US6624078B1 (en) * 2001-07-13 2003-09-23 Lam Research Corporation Methods for analyzing the effectiveness of wafer backside cleaning
US20050087209A1 (en) 2001-07-16 2005-04-28 Nicolosi Thomas J.Jr. Megasonic processing system with gasified fluid
US6689418B2 (en) * 2001-08-03 2004-02-10 Applied Materials Inc. Apparatus for wafer rinse and clean and edge etching
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US7204913B1 (en) * 2002-06-28 2007-04-17 Lam Research Corporation In-situ pre-coating of plasma etch chamber for improved productivity and chamber condition control
US20040016442A1 (en) * 2002-07-26 2004-01-29 Cawlfield B. Gene Megasonically energized liquid interface apparatus and method
JP2004356356A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Oki Electric Ind Co Ltd 洗浄終了判定方法および洗浄装置
JP4208675B2 (ja) * 2003-09-04 2009-01-14 株式会社荏原製作所 基板の洗浄評価方法
WO2006001293A1 (ja) * 2004-06-29 2006-01-05 Kagoshima Supersonic Technical Laboratory Co., Ltd. 超音波洗浄方法および装置
US7563329B2 (en) * 2005-03-31 2009-07-21 Ethicon Inc. Monitoring of cleaning process
JP4672464B2 (ja) * 2005-06-30 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータにより読取可能な記憶媒体
JP2007317790A (ja) 2006-05-24 2007-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
JP2010087138A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Panasonic Corp 洗浄装置および洗浄方法
US8863763B1 (en) * 2009-05-27 2014-10-21 WD Media, LLC Sonication cleaning with a particle counter
US20120216833A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Real time liquid particle counter (lpc) end point detection system
WO2014058673A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-17 3M Innovative Properties Company An electronic indicator for monitoring efficacy of a cleaning cycle
US10537891B2 (en) * 2013-01-10 2020-01-21 Stemcell Technologies Inc. Meniscus reducing member
CN108780768B (zh) * 2016-04-14 2021-12-21 应用材料公司 半导体处理装备的30nm排队式液体颗粒计数器测试和清洁
WO2017196493A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Liquid particle counting of semiconductor component parts
US10081036B2 (en) * 2016-09-19 2018-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for liquid particle prequalification
WO2018085838A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for detection and analysis of nanoparticles from semiconductor chamber parts
JP6741930B2 (ja) * 2017-02-13 2020-08-19 株式会社エアレックス 洗浄性能評価システム
KR102658739B1 (ko) * 2017-05-03 2024-04-17 램 리써치 코포레이션 컨디셔닝 챔버 컴포넌트
US10875059B2 (en) * 2017-11-21 2020-12-29 Automatic Spring Products Corp. Method and apparatus for automated particulate extraction from solid parts

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5834625A (en) * 1996-08-21 1998-11-10 Eastman Kodak Company Apparatus and method for debubbling a discrete sample of liquid
US8404056B1 (en) * 2009-05-27 2013-03-26 WD Media, LLC Process control for a sonication cleaning tank

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220000409A (ko) 2022-01-03
US20220252548A1 (en) 2022-08-11
US12072318B2 (en) 2024-08-27
TW202109043A (zh) 2021-03-01
WO2020236803A1 (en) 2020-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8012303B2 (en) Container cleanliness measurement apparatus and method, and substrate processing system
US6878636B2 (en) Method for enhancing substrate processing
US20030037800A1 (en) Method for removing contamination particles from substrate processing chambers
US6272768B1 (en) Apparatus for treating an object using ultra-violet light
TWI559426B (zh) 即時液體粒子計數器之終點偵測系統
KR100832107B1 (ko) 오염 검사 장치 및 방법, 그리고 상기 장치를 이용한레티클 세정 설비 및 방법
KR20010051956A (ko) 클리닝 공정의 종점 검출 장치 및 방법
TWI748150B (zh) 裝備清潔用的設備及方法
JP7654100B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI886125B (zh) 量測部件表面上之污染物的設備及方法
CN208352262U (zh) 清洁系统
JP2009031173A (ja) 高精度液中パーティクル計測装置
US20030037801A1 (en) Method for increasing the efficiency of substrate processing chamber contamination detection
JP2013516062A (ja) 水の分析方法および水中で洗浄される基板の分析方法
KR102349483B1 (ko) 스캔 시스템
KR101120617B1 (ko) 웨이퍼의 습식처리 장치 및 방법
CN112703576B (zh) 用于测量颗粒的方法和设备
KR102257429B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법
JP3300213B2 (ja) 気中不純物監視装置および気中不純物監視方法
KR101953379B1 (ko) 플라즈마 설비용 내구성 부품의 오염입자 평가장비
CN223657031U (zh) 机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统
US12209940B2 (en) Apparatus and method to assess sub-micron particle levels of a sample
CN223171545U (zh) 清洗装置
Florescu et al. Detection and measurement of particulate contaminants