TWI885745B - 薄膜覆晶封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種薄膜覆晶封裝結構，包括可撓性基板、線路層、防銲層、晶片、補強板及保護結構。可撓性基板具有相對的第一面及第二面且包括補強區域及預定彎折區域。預定彎折區域沿第一方向延伸。線路層設置於第一面。防銲層設置於第一面且局部覆蓋線路層。晶片設置於第一面並電性連接線路層。補強板設置於補強區域。保護結構設置於補強區域且對應於補強板。保護結構的一側壁與補強板鄰近這個側壁的一邊界分別對可撓性基板的投影之間具有一間隔，保護結構位於補強板及預定彎折區域之間。

Description

薄膜覆晶封裝結構

本發明是有關於一種封裝結構，且特別是有關於一種薄膜覆晶封裝結構。

現今的薄膜覆晶封裝結構因應特定需求，常利用貼附補強板的方式來增強薄膜覆晶封裝結構的結構強度。然而，薄膜覆晶封裝結構在後續組裝或上板作業時需進行彎折，以使元件容置於有限空間內，當彎折範圍延伸至補強板所在位置時，撓性較低的補強板容易從其與彎折相鄰的邊緣開始與薄膜覆晶封裝結構產生脫層，而從薄膜覆晶封裝結構上剝離，導致封裝結構被判定為不良品。

本發明提供一種薄膜覆晶封裝結構，具有防止補強板剝離的保護結構。

本發明的薄膜覆晶封裝結構包括可撓性基板、線路層、防銲層、晶片、補強板及保護結構。可撓性基板具有相對的第一面及第二面且包括補強區域及預定彎折區域。預定彎折區域沿第一方向延伸。線路層設置於第一面。防銲層設置於第一面且局部覆蓋線路層。晶片設置於第一面並電性連接線路層。補強板設置於補強區域。保護結構設置於補強區域且對應於補強板。保護結構的一側壁與補強板鄰近這個側壁的一邊界分別對可撓性基板的投影之間具有一間隔，保護結構位於補強板及預定彎折區域之間。

基於上述，在本發明的薄膜覆晶封裝結構中，藉由將保護結構設置於補強板及薄膜覆晶封裝結構的預定彎折區域之間，使得可撓性基板在該處的結構厚度增加，進而使可撓性基板在設有保護結構處抵抗彎折的能力提高，抑制彎折範圍延伸至補強板所在處，以避免補強板受到彎折的影響而從可撓性基板上剝離。

須說明的是，下述圖式的薄膜覆晶封裝結構係呈現其捲帶傳輸作業階段的樣貌，然而，實務上進行組裝或上板作業的薄膜覆晶封裝結構係自整卷式的封裝捲帶上沿切割線裁切單分後的獨立封裝結構。

圖1是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。圖2是圖1的薄膜覆晶封裝結構沿線A-A的剖面圖。在此提供彼此垂直的第一方向X、第二方向Y及第三方向Z以利構件描述。請同時參閱圖1及圖2，薄膜覆晶封裝結構100包括可撓性基板110、線路層160、防銲層170、晶片140、補強板120及保護結構130。可撓性基板110具有相對的第一面111及第二面112且包括補強區域P1及預定彎折區域P2，預定彎折區域P2沿第一方向X延伸。補強區域P1可為可撓性基板110上的任一位置，預定彎折區域P2為後續薄膜覆晶封裝結構100組裝於例如玻璃面板及印刷電路板時，可撓性基板110彎曲的預定位置。線路層160設置於第一面111。防銲層170設置於第一面111且局部覆蓋線路層160。晶片140設置於第一面111並電性連接線路層160。

詳細而言，薄膜覆晶封裝結構100的可撓性基板110具有晶片設置區R，晶片設置區R是由防銲層170的一開口所定義。線路層160包括多條引腳，這些引腳自晶片設置區R內往可撓性基板110的兩端延伸。晶片140設置於晶片設置區R內且包括多個凸塊142，晶片140透過這些凸塊142連接線路層160。薄膜覆晶封裝結構100更包括封裝膠體150，封裝膠體150至少填充於晶片140與可撓性基板110之間，以包覆這些凸塊142與線路層160的電性接點。此外，薄膜覆晶封裝結構100更具有預定切割線CL，在後續的單分製程中，切割治具會沿著預定切割線CL裁切而形成獨立的薄膜覆晶封裝結構100。

如圖1及圖2所示，補強板120設置於補強區域P1。保護結構130設置於補強區域P1且對應於補強板120。保護結構130的側壁131與補強板120鄰近側壁131的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。保護結構130位於補強板120及預定彎折區域P2之間。在本實施例中，晶片140位於補強區域P1內，預定彎折區域P2較補強區域P1遠離晶片140。補強板120與保護結構130共同設置於第二面112，但不限於此。補強板120對應晶片140，保護結構130位於補強板120的外側。具體而言，補強板120對可撓性基板110的投影範圍可大於且完全覆蓋晶片140與封裝膠體150對可撓性基板110的投影。保護結構130的側壁131包括第一側壁131a及第二側壁131b。第一側壁131a較靠近晶片140，第二側壁131b較遠離晶片140。意即，第一側壁131a與晶片140之間的距離小於第二側壁131b與晶片140之間的距離。在本實施例中，保護結構130的第一側壁131a與補強板120鄰近側壁131a的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。此外，保護結構130與補強板120分別對可撓性基板110的投影在間隔G的範圍內並不重疊。預定彎折區域P2的位置及大小不以圖1為限，預定彎折區域P2可位於補強區域P1之外的任一位置。保護結構130的材質例如是與防銲層170相似之防銲油墨，但不限於此。

補強板120是用以加強可撓性基板110的部分區域(即，補強區域P1)的結構強度，保護結構130則用以保護補強板120。具體而言，在薄膜覆晶封裝結構100中，藉由設置保護結構130於補強板120及預定彎折區域P2之間，使得可撓性基板110在該處的結構厚度增加，進而使可撓性基板110在設有保護結構130處抵抗彎折的能力提高，而使彎折範圍不至於延伸至補強板120所在之處。換言之，薄膜覆晶封裝結構100藉由保護結構130在補強板120周圍形成抗彎折區域，以避免補強板120受到彎折的影響而從可撓性基板110上剝離。保護結構130沿第三方向Z的厚度H例如是30微米，但不限於此。此外，保護結構130還可用於輔助補強板120貼附時的對位，以避免補強板120偏移預定貼附位置。

本實施例的保護結構130包括彼此分離的第一保護部132及第二保護部134，晶片140及補強板120位於第一保護部132及第二保護部134之間。第一保護部132及第二保護部134沿第一方向X延伸。保護結構130包括的保護部的數量可根據所欲保護的補強板120可能受彎折影響的部位而設置，本發明不加以限制。補強板120的邊界122包括相對的第一邊界123及第二邊界124，第一邊界123及第二邊界124沿第一方向X延伸。第一保護部132對應於第一邊界123，第二保護部134對應於第二邊界124。由於薄膜覆晶封裝結構100在後續組裝作業時，可撓性基板110是繞著沿第一方向X延伸的一彎曲軸進行彎折，故保護結構130可僅在第一方向X上延伸以保護補強板120在第一方向X上的邊界122，但不限於此。

如圖2所示，第一保護部132的第一側壁131a與補強板120的第一邊界123分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G，第二保護部134的第一側壁131a與補強板120的第二邊界124分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。間隔G沿第二方向Y的距離D(即，側壁131與邊界122之間的最短距離)大於等於0.5毫米。距離D例如是1毫米，但不限於此。

圖3是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。圖4是圖3的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。請同時參閱圖2至圖4，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100a與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的補強板120設置於第二面112，而保護結構130設置於第一面111且位於防銲層170上。保護結構130對可撓性基板110的投影部分重疊於補強板120對可撓性基板110的投影且覆蓋補強板120的邊界122對可撓性基板110的投影。保護結構130的第二側壁131b與補強板120的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。保護結構130與補強板120分別對可撓性基板110的投影在間隔G的範圍內並不重疊。

具體來說，第一保護部132的第二側壁131b與補強板120的第一邊界123分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。第二保護部134的第二側壁131b與補強板120的第二邊界124分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。第一保護部132與補強板120分別對可撓性基板110的投影在間隔G的範圍內並不重疊，且第二保護部134與補強板120分別對可撓性基板110的投影在間隔G的範圍內並不重疊。在本實施例的薄膜覆晶封裝結構100a中，補強板120與保護結構130分別設置於可撓性基板110的相對表面上，藉由在對應補強板120的邊界122處設置保護結構130，使得可撓性基板110在該處的結構厚度增加，進而使可撓性基板110在設有保護結構130處抵抗彎折的能力提高，而使彎折範圍不至於延伸至補強板120所在之處，以避免補強板120受到彎折的影響而從可撓性基板110上剝離。

圖5是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。請同時參閱圖2及圖5，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100b與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的補強板120與保護結構130共同設置於第一面111，補強板120覆蓋晶片140、封裝膠體150及局部的防銲層170，而保護結構130位於防銲層170上。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100b與前述實施例具有相同的功效，在此不再贅述。

圖6是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。請同時參閱圖4及圖6，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100c與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的補強板120設置於第一面111且覆蓋晶片140、封裝膠體150及局部的防銲層170，而保護結構130設置於第二面112。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100c與前述實施例具有相同的功效，在此不再贅述。

圖7是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。圖8是圖7的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。請同時參閱圖2、圖7與圖8，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100d與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的補強區域P1遠離晶片140，預定彎折區域P2位於晶片140與補強區域P1之間。在本實施例中，補強板120a、120b的數量為兩個，但不以此為限。補強板120a、120b可例如對應於線路層160的外引腳部分，以強化薄膜覆晶封裝結構100d在外引腳處的結構強度，提高外引腳接合良率。保護結構130的第一保護部132對應於補強板120a，保護結構130的第二保護部134對應於補強板120b。

保護結構130的第一側壁131a較遠離晶片140，保護結構130的第二側壁131b較靠近晶片140。意即，第一側壁131a與晶片140之間的距離大於第二側壁131b與晶片140之間的距離。補強板120a、120b與保護結構130共同設置於第二面112，但不限於此。在未繪示的實施例中，補強板120a、120b與保護結構130可共同設置於第一面111。

如圖8所示，保護結構130位於補強板120a、120b的外側，而位於補強板120a、120b及晶片140之間。保護結構130的第一保護部132的第一側壁131a與補強板120a的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G，第二部分134的第一側壁131a與補強板120b的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100d與前述實施例具有相同的功效，在此不再贅述。

圖9是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。請同時參閱圖8及圖9，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100e與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的兩補強板120a、120b設置於可撓性基板110的第二面112，保護結構130設置於可撓性基板110的第一面111。保護結構130對可撓性基板110的投影部分重疊於補強板120a、120b對可撓性基板110的投影且覆蓋補強板120a、120b的邊界122對可撓性基板110的投影。保護結構130的第二側壁131b對可撓性基板110的投影與補強板120的邊界122對可撓性基板110的投影之間具有間隔G。在未繪示的一實施例中，補強板120a、120b可設置於第一面111，保護結構130可設置於第二面112。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100e與前述實施例具有相同的功效，在此不再贅述。

圖10是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。請同時參閱圖5及圖10，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100f與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的保護結構130’的側壁131’對可撓性基板110的投影圍繞補強板120對可撓性基板110的投影的四周。藉此，保護結構130’還可在第二方向Y上保護補強板120。保護結構130’圍繞補強板120，且為中空的矩形，但不限於此。在本實施例中，保護結構130’與補強板120共同設置於可撓性基板110的第一面111，且補強板120覆蓋晶片140、封裝膠體150及局部的防銲層170，但不限於此。

側壁131’包括第一側壁131a’及第二側壁131b’。第一側壁131a’較靠近晶片140，第二側壁131b’較遠離晶片140。第一側壁131a’與補強板120的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間存在間隔G。在未繪示的一實施例中，保護結構130’與補強板120可共同設置於可撓性基板110的第二面112。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100f與前述實施例具有相似的功效，在此不再贅述。

圖11是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。請同時參閱圖10及圖11，本實施例的薄膜覆晶封裝結構100g與前述實施例相似，兩者的差異在於，本實施例的補強板120設置於可撓性基板110的第一面111，而保護結構130’’設置於可撓性基板110的第二面112。

保護結構130’’的側壁131’’包括第一側壁131a’’及第二側壁131b’’。第一側壁131a’’較靠近晶片140，第二側壁131b’’較遠離晶片140。第二側壁131b’’與補強板120的邊界122分別對可撓性基板110的投影之間存在間隔G。在未繪示的一實施例中，保護結構130’’可設置於可撓性基板110的第一面111，補強板120可設置於可撓性基板110的第二面112。本實施例的薄膜覆晶封裝結構100g與前述實施例具有相似的功效，在此不再贅述。

綜上所述，在本發明的薄膜覆晶封裝結構中，藉由將保護結構設置於補強板及薄膜覆晶封裝結構的預定彎折區域之間，使得可撓性基板在該處的結構厚度增加，進而使可撓性基板在設有保護結構處抵抗彎折的能力提高，抑制彎折範圍延伸至補強板所在處，以避免補強板受到彎折的影響而從可撓性基板上剝離。

CL:切割線 D:距離 G:間隔 H:厚度 P1:補強區域 P2:預定彎折區域 R:晶片設置區 X:第一方向 Y:第二方向 Z:第三方向 100,100a,100b,100c,100d,100e,100f,100g:薄膜覆晶封裝結構 110:可撓性基板 111:第一面 112:第二面 120,120a,120b:補強板 122:邊界 123:第一邊界 124:第二邊界 130,130’,130’’:保護結構 131,131’,131’’:側壁 131a,131a’,131a’’:第一側壁 131b,131b’,131b’’:第二側壁 132:第一保護部 134:第二保護部 140:晶片 142:凸塊 150:封裝膠體 160:線路層 170:防銲層

圖1是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。 圖2是圖1的薄膜覆晶封裝結構沿線A-A的剖面圖。 圖3是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。 圖4是圖3的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。 圖5是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。 圖6是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。 圖7是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。 圖8是圖7的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。 圖9是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的剖面圖。 圖10是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。 圖11是根據本發明的一實施例的薄膜覆晶封裝結構的俯視示意圖。

D:距離

G:間隔

H:厚度

X:第一方向

Y:第二方向

Z:第三方向

100:薄膜覆晶封裝結構

110:可撓性基板

111:第一面

112:第二面

120:補強板

122:邊界

123:第一邊界

124:第二邊界

130:保護結構

131:側壁

131a:第一側壁

131b:第二側壁

132:第一保護部

134:第二保護部

140:晶片

142:凸塊

150:封裝膠體

160:線路層

170:防銲層

Claims (10)

1. 一種薄膜覆晶封裝結構，包括： 一可撓性基板，具有相對的一第一面及一第二面且包括一補強區域及一預定彎折區域，該預定彎折區域沿一第一方向延伸； 一線路層，設置於該第一面； 一防銲層，設置於該第一面且局部覆蓋該線路層； 一晶片，設置於該第一面並電性連接該線路層； 一補強板，設置於該補強區域；以及 一保護結構，設置於該補強區域且對應於該補強板，該保護結構的一側壁與該補強板鄰近該側壁的一邊界分別對該可撓性基板的投影之間具有一間隔，該保護結構位於該補強板及該預定彎折區域之間。
2. 如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該晶片位於該補強區域內，該預定彎折區域較該補強區域遠離該晶片，該保護結構的該側壁包括較靠近該晶片的一第一側壁及較遠離該晶片的一第二側壁。
3. 如請求項2所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該補強板與該保護結構共同設置於該第一面或該第二面，該補強板對應該晶片，該保護結構位於該補強板的外側，該保護結構的該第一側壁與該補強板的該邊界分別對該可撓性基板的投影之間具有該間隔。
4. 如請求項2所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該補強板設置於該第一面與該第二面的其中一者且該保護結構設置於該第一面與該第二面的其中另一者，該補強板對應該晶片，該保護結構對該可撓性基板的投影部分重疊於該補強板對該可撓性基板的投影且覆蓋該補強板的該邊界對該可撓性基板的投影，該保護結構的該第二側壁與該補強板的該邊界分別對該可撓性基板的投影之間具有該間隔。
5. 如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該補強區域遠離該晶片且該預定彎折區域位於該晶片與該補強區域之間，該保護結構的該側壁包括較遠離該晶片的一第一側壁及較靠近該晶片的一第二側壁。
6. 如請求項5所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該補強板與該保護結構共同設置於該第一面或該第二面，該保護結構位於該補強板的外側，該保護結構的該第一側壁與該補強板的該邊界分別對該可撓性基板的投影之間具有該間隔。
7. 如請求項5所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該補強板設置於該第一面與該第二面的其中一者且該保護結構設置於該第一面與該第二面的其中另一者，該保護結構對該可撓性基板的投影部分重疊於該補強板對該可撓性基板的投影且覆蓋該補強板的該邊界對該可撓性基板的投影，該保護結構的該第二側壁與該補強板的該邊界分別對該可撓性基板的投影之間具有該間隔。
8. 如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該保護結構包括一第一保護部及一第二保護部，該補強板的該邊界包括相對的一第一邊界及一第二邊界，該第一邊界及該第二邊界沿該第一方向延伸，該第一保護部對應於該第一邊界，該第二保護部對應於該第二邊界。
9. 如請求項1所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該保護結構的該側壁對該可撓性基板的投影圍繞該補強板對該可撓性基板的投影的四周。
10. 如請求項9所述的薄膜覆晶封裝結構，其中該保護結構的該側壁包括較靠近該晶片的一第一側壁及較遠離該晶片的一第二側壁。

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