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TWI885285B - 用於嵌入式記憶體之裝置 - Google Patents

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TWI885285B
TWI885285B TW111132920A TW111132920A TWI885285B TW I885285 B TWI885285 B TW I885285B TW 111132920 A TW111132920 A TW 111132920A TW 111132920 A TW111132920 A TW 111132920A TW I885285 B TWI885285 B TW I885285B
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TW
Taiwan
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ferroelectric memory
encapsulation layer
memory devices
memory device
dielectric
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TW111132920A
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德之 佐藤
塔納伊 戈沙維
尼洛依 穆可吉
雅理塔 瑪塞理
拉傑夫 杜卡尼亞
沙西坎斯 曼尼佩楚尼
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美商凱普勒運算公司
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Publication date
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Abstract

描述一種用於高密度記憶體和邏輯應用之口袋整合及製造之方法。雖然各個實施例係參考FeRAM來描述，但在文中所形成之電容性結構可被用於其中需要電容之任何應用。例如，電容性結構可被用於製造鐵電為基的或順電為基的多數閘、少數閘、及/或臨限閘。

Description

用於嵌入式記憶體之裝置
本發明係有關用於嵌入式記憶體之口袋整合程序。
將相同平面上之鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)集成為邏輯裝置之互連可係有挑戰性的。FeRAM裝置包括具有多種厚度且難以蝕刻之材料。以在相鄰邏輯區中之互連的高度限制對準記憶體區中之裝置厚度係有挑戰性的。如此一來，用以圖案化並形成其包括鐵電材料之裝置的替代方法係用以實現高密度陣列所必要的。
100:裝置結構
101A:區
101B:區
102:導電互連
104:位準
106:第二位準
108:鐵電記憶體裝置
108A:側壁
108B:最上表面
108C:部分
108D:最下表面
114:囊封層
114A:最外側壁
114B:橫向延伸
114D:虛線
116:通孔電極
117:互連結構
118:導電互連
118A:最上表面
120,122:金屬線
124:通孔
126:蝕刻停止層
126A:側壁
128:底部電極
130:鐵電氧化物層
132:頂部電極
134:硬遮罩
134A:最上硬遮罩表面
135:擴散障壁層
136:電介質
136A:最上表面
136B:下表面
136C:側壁部分
137:虛線
138:電介質
140:鐵電記憶體裝置
141:平面
142:板電極
144:硬遮罩
600:基材
601:通孔
602:光抗蝕劑遮罩
604:電極材料
606:材料層堆疊
606A:導電層
606B:鐵電電介質層
606C:導電層
608:硬遮罩層
609:遮罩
609A,609B:區塊
610:盒子
611:遮罩
611A:遮罩部分
613:遮罩
615:開口
616:開口
617:開口
619A,619B:溝槽
619C:通孔開口
621:遮罩
623:遮罩
1000:計算架構
1001:小晶片
1002:加速器
1010:控制器
1015:通道
1020:處理器
1100:架構
1101:快取庫
1102:本地快取控制器
1103:非揮發性(NV)控制器
1104:可靠性邏輯
1105:資料庫
1106:關聯標籤
1107:小晶片
1115-1:ch0
1115-2:ch1
1200:設備
1201:M x N記憶體陣列
1202:邏輯電路
1203:寫入驅動器
1204:板-線(PL)驅動器
1300:人工智慧(AI)機器
1301:計算區塊
1302:隨機存取記憶體(RAM)
1302a:輸入資料
1302b:加權因素
1303:計算晶粒
1304:第一隨機存取記憶體
1305:主處理器
1306:第二隨機存取記憶體
1307:固態記憶體或驅動(SSD)
1004:記憶體晶粒
1400:3輸入多數閘
1401:驅動器電路
1500:複合邏輯閘
1501:驅動電路
文中所述之材料係藉由範例而非藉由後附圖 形中的限制來闡明。為了闡明之簡化及清晰，圖中所示之元件不一定依比例來描繪。例如，某些元件之尺寸可能相對於其他元件被誇大以利清晰。同時，各種物體特徵可被表示以其簡化的「理想」形式及幾何以利討論之清晰，但其仍不應被理解為實際的實施方式僅可近似所闡明的理想情況。例如，可繪製平坦表面及方形交叉，而不管由奈米製造所形成之有限的粗糙度、圓角化、及不完美的角度交叉特性。再者，當適當考量時，參考標示已被重複於圖形之間以指示相應的或類似的元件。
[圖1A]係相鄰於邏輯區中之互連結構的記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示，依據本揭露之實施例。
[圖1B]係在過渡電極之上的鐵電記憶體裝置之橫斷面圖示，其中過渡電極之橫向厚度等於鐵電記憶體裝置之橫向厚度以及相鄰於過渡電極之間隔物的厚度之兩倍，依據本揭露之實施例。
[圖1C]係在其包括硬遮罩之鐵電記憶體裝置內的層之橫斷面圖示，依據本揭露之實施例。
[圖1D]係其包括導電硬遮罩之鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示，依據本揭露之實施例。
[圖1E]係其包括電介質硬遮罩之鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示，依據本揭露之實施例。
[圖1F]係在導電互連上之鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示，其中導電互連具有比鐵電記憶體裝置之橫向 厚度更大的橫向厚度，依據本揭露之實施例。
[圖1G]係其包括硬遮罩(其包括電介質材料)之鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示，依據本揭露之實施例。
[圖1H]係其包括雙硬遮罩(其包括在導電材料之層上的電介質材料之層)之鐵電記憶體裝置的橫斷面圖示。
[圖1I]係記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中複數鐵電記憶體裝置之個別者的頂部電極被耦合至共同平面電極，依據本揭露之實施例。
[圖1J]係相鄰於邏輯區中之互連結構的記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中記憶體區中之導電互連係耦合多於一個鐵電記憶體裝置之溝槽，依據本揭露之實施例。
[圖2A]係記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中記憶體區中之導電互連係耦合多於一個鐵電記憶體裝置之溝槽，依據本揭露之實施例。
[圖2B]係記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中記憶體區中之導電互連係耦合多於一個鐵電記憶體裝置之溝槽，且其中囊封層連續地延伸在一對鐵電記憶體裝置之間且在連接該對鐵電記憶體裝置之各別溝槽上方，依據本揭露之實施例。
[圖3]係記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中記憶體區中之導電互連係耦合多於一個鐵電記憶體裝置之溝槽，依據本揭露之實施例。
[圖4]係記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置的等角圖示，其中記憶體區中之導電互連係耦合多於一個鐵電記憶體裝置之溝槽，依據本揭露之實施例。
[圖5]係用以製造相鄰於邏輯區中之互連的鐵電記憶體裝置之方法的流程圖，依據本揭露之實施例。
[圖6A]係形成在基材之上的記憶體區中及邏輯區中之第一電介質內的複數導電互連及接續於該等導電互連上之蝕刻停止層的形成後之橫斷面圖示。
[圖6B]係圖6A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以自記憶體區蝕刻蝕刻停止層126之一部分的程序後。
[圖6C]係圖6B中之結構的橫斷面圖示，接續於用以沈積電極材料在記憶體區中之導電互連上、在第一電介質上及在蝕刻停止層上的程序後，以及接續於用以形成鐵電記憶體裝置之材料層堆疊的形成後。
[圖6D]係圖2D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成鐵電記憶體裝置之程序後。
[圖6E]係圖6D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以沈積囊封層在鐵電記憶體裝置上及在電極材料上之程序後。
[圖6F]係圖6E中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成阻擋遮罩在囊封層上以隔離各鐵電記憶體裝置之程序後。
[圖7A]係圖6F中之結構的橫斷面圖示，接續 於用以蝕刻囊封層之程序後。
[圖7B]係圖7A中之結構的平面視圖圖示，在其中導電互連為離散島且阻擋遮罩形成實質上圓形的囊封層在各鐵電記憶體裝置之側壁周圍的實施例中。
[圖7C]係圖7A中之結構的平面視圖圖示，在其中導電互連為溝槽且遮罩形成囊封層在各鐵電記憶體裝置之側壁周圍的實施例中。
[圖7D]係圖7A中之結構的平面視圖圖示，在其中導電互連為溝槽且遮罩形成囊封層在各鐵電記憶體裝置之側壁周圍的實施例中。
[圖8A]係圖7A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成開口在鐵電記憶體裝置之上所形成的第二電介質中之程序後。
[圖8B]係圖8A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以移除遮罩並沈積導電材料來形成通孔電極之程序後。
[圖8C]係圖8B中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成遮罩在第二電介質上、及在通孔電極上之程序後。
[圖8D]係圖8C中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻第二電介質上來形成懸掛溝槽在邏輯區101B中之程序後。
[圖8E]係圖8D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻第二電介質來形成通孔在邏輯區中之懸掛溝槽 內的程序後。
[圖8F]係圖8E中之結構的橫斷面圖示，接續於用以移除遮罩並沈積導電材料至開口中來形成通孔及金屬線之程序後。
[圖9A]係圖6F中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻囊封層來移除或減少殘餘部分之厚度的程序後。
[圖9B]係圖9A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻並移除電極材料來形成鐵電記憶體裝置之程序後。
[圖10]繪示具有同調快取或記憶體側緩衝器小晶片(其包括記憶體控制器)之計算架構，其中同調快取或記憶體側緩衝器小晶片被耦合至加速器、處理器、記憶體，依據至少一實施例。
[圖11]繪示具有多個控制器及多個快取庫之同調快取或記憶體側緩衝器小晶片的架構，依據至少一實施例。
[圖12]繪示一種設備，其包含記憶體及相應邏輯，其中記憶體包含鐵電(FE)記憶體位元單元，依據至少一實施例。
[圖13]繪示一種人工智慧(AI)機器之高階架構，其包含位於記憶體晶粒之頂部上的計算晶粒，依據至少一實施例。
[圖14]繪示使用非線性輸入電容之3輸入多 數閘，依據至少一實施例。
[圖15]繪示使用5輸入多數閘所實施之複合邏輯閘，依據至少一實施例。
[圖16A]繪示圖8E之結構，接續於用以形成開口在鐵電記憶體裝置之上所形成的第二電介質中且形成溝槽開口在邏輯區中之程序後，依據至少一實施例。
[圖16B]繪示圖16A之結構，接續於用以形成遮罩在記憶體區中之開口中的第二電介質上之程序後，在溝槽開口中，其中遮罩形成通孔開口在溝槽開口之一者中。
[圖16C]繪示圖16B之結構，接續於用以移除遮罩並暴露記憶體區中之各開口中的鐵電記憶體裝置、且移除邏輯區中之遮罩的程序後。
[圖16D]繪示圖16C之結構，接續於用以形成通孔電極在記憶體區中之開口中的程序後。
用於嵌入式記憶體之口袋整合程序被描述。雖然各個實施例係參考FeRAM來描述，但在文中所形成之電容性結構可被用於其中需要電容之任何應用。例如，電容性結構可被用於製造鐵電為基的或順電為基的多數閘、少數閘、及/或臨限閘。於下列描述中，提出多項特定細節，諸如結構式方案及詳細的製造方法，以提供本揭露之實施例的透徹瞭解。熟悉此項技術人士將清楚本揭露之實 施例可被實行而無這些特定細節。於其他例子中，眾所周知的特徵(諸如製程設備及裝置操作)被描述以較少細節，以免非必要地混淆本揭露之實施例。再者，應理解其圖形中所示之各個實施例為說明性表示且不一定依比例描繪。
於一些例子中，在以下描述中，眾所周知的方法及裝置被顯示以方塊圖形式(而非詳盡的)以避免混淆本揭露。遍及本說明書內針對「實施例」或「一實施例」之參考係表示關於該實施例所描述之特定特徵、結構、功能、或特性，被包括於本揭露之至少一實施例中。遍及本說明書於各處中之用語「於一實施例中」或「於一個實施例中」的出現不一定指稱本揭露之相同實施例。再者，特定特徵、結構、功能、或特性可被結合以任何適當的方式於一或更多實施例中。例如，第一實施例可與第二實施例結合於其中與該兩個實施例相關的特定特徵、結構、功能、或特性不互斥的任何地方。
如說明書及後附申請專利範圍中所使用，單一形式「一」、「一個」及「該」係為了同時包括複數形式，除非其上下文清楚地另有指示。亦應理解：如文中所使用之術語「及/或」係指稱並含括相關列出項目之一或更多者的任何或所有組合。
術語「耦合」及「連接」(連同其衍生詞)可於文中被用以描述介於組件之間的功能或結構關係。應理解這些術語並非被用為彼此的同義詞。反之，於特定實施例中，「連接」可被用以指示其二或更多元件係彼此直接 實體、光學、或電氣接觸。「耦合」可被用以指示其二或更多元件係彼此直接或間接(有其他介於其間的中間元件)實體、電氣或磁性接觸，及/或其二或更多元件係彼此協作或互動(例如，如在原因及效果關係中)。
如文中所使用之術語「上方」、「下方」、「之間」及「上」指的是一組件或材料相對於其他組件或材料之相對位置，其中此等實體關係是顯著的。例如，於材料之背景中，配置於另一者上方或下方之一種材料或材料可直接地接觸或可具有一或更多中間材料。再者，配置於兩材料間之一材料可直接地接觸該兩層或者可有一或更多中間層。相對地，於第二材料「上」之第一材料係直接接觸與該第二材料/材料。類似差異將被做出於組件組合之背景中。如遍及本說明書(以及於申請專利範圍中)所使用，由術語「之至少一者」或「之一或更多者」可表示所列出之項目的任何組合。
文中之術語「相鄰」通常係指稱接著(例如，緊接著或接近於，其中一或多個事物介於其間)或鄰接另一事物(例如，毗連之)之事物的位置。
術語「信號」可指稱至少一電流信號、電壓信號、磁性信號、或資料/時脈信號。「一」、「一個」及「該」之意義包括複數參考。「在...中」之意義包括「在...中」及「在...上」。
術語「裝置」通常可指稱依據該術語之使用背景的設備。例如，裝置可指稱層或結構之堆疊、結構或 層、具有主動及/或被動元件之各個結構的連接，等等。一般而言，裝置係具有沿著x-y-z笛卡爾座標系統之x-y方向的平面及沿著其z方向的高度之三維結構。裝置之平面亦可為包含該裝置之設備的平面。
如遍及本說明書(以及於申請專利範圍中)所使用，由術語「之至少一者」或「之一或更多者」可表示所列出之項目的任何組合。
除非在其使用之明確背景中另有指明，否則術語「實質上等於」、「約等於」、及「約略等於」意指其在兩個所描述的事物之間沒有多於偶發的變化。在本技術中，此等變化通常不多於預定目標值之+/-10%。
在說明書中以及在申請專利範圍中之術語「左」、「右」、「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」等等(假如有的話)係用於描述之目的而不一定用於描述永久的相對位置。例如，如文中所使用之術語「上方」、「下方」、「前側」、「後側」、「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」、及「上」指的是在裝置內之一組件、結構、或材料相對於其他參考組件、結構或材料的相對位置，其中此等實體關係是顯著的。這些術語被採用在文中以利描述之目的且主要地在裝置z軸之背景內，而因此可係相對於裝置之定向。因此，在文中所提供之圖形的背景下，第一材料在第二材料「上方」亦可係在第二材料「下方」，假如裝置相對於所提供之圖形的背景被倒置地定向的話。於材料之背景 中，配置於另一者上方或下方之一種材料可直接地接觸或可具有一或更多中間材料。再者，配置於兩材料間之一材料可直接地接觸該兩層或者可有一或更多中間層。相對地，於第二材料「上」之第一材料係直接接觸與該第二材料。類似差異將被做出於組件組合之背景中。
術語「之間」可被採用在裝置之z軸、x軸或y軸的背景中。介於兩個其他材料之間的材料可係與那些材料之一者或兩者接觸，或者其可係藉由一或多個中間材料而分離自其他兩個材料之兩者。介於兩個其他材料「之間」的材料可因此係與其他材料之任一者接觸，或者其可係透過中間材料而耦合至之其他兩個材料。介於兩個其他裝置之間的裝置可係直接地連接至那些裝置之一者或兩者，或者其可係藉由一或多個中間裝置而分離自其他兩個裝置之兩者。
鈣鈦礦FeRAM裝置對於高密度記憶體應用係有利的，由於其低功率消耗及高開/關比。鈣鈦礦FeRAM裝置亦優於其他形式的記憶體(諸如磁穿隧接面為基的裝置)，由於為了裝置功能性所實施之相對低數目的層。典型的FeRAM可配合三個層而完全地操作，其中鐵電電介質被包含在兩個電極層之間。電極層亦可包括鈣鈦礦材料，用以致能晶格匹配及電阻值之減少。無鉛鈣鈦礦材料之引入提供額外的環境利益而不犧牲裝置性能。
鐵電電容可與電晶體集成來形成FeRAM裝置。FeRAM裝置可直接地相鄰於邏輯區，用以致能系統功 能。特別地，鐵電電容可被形成在一直接地相鄰於邏輯區之路由互連的位準上。該位準之高度可受邏輯區之路由互連中的通孔與金屬線之總結合厚度所影響。然而，鐵電電容可涵蓋一取決於記憶體裝置中之個別層的厚度之總厚度，其中該厚度可等於路由互連之一或多個位準的厚度。
為了可製造性，在複數鐵電電容中之鐵電電容可一般地被直接形成在各別過渡電極上。過渡電極可直接地介於鐵電電容與各別導電互連(其係與較低位準上之各別電晶體耦合)之間。過渡電極被廣泛地實施，因為導電互連被成形自諸如銅之材料。過渡電極可作用為擴散障壁，其中過渡電極可具有大於導電互連之表面積的表面積，以防止銅在鐵電電容之形成期間被暴露。
然而，過渡電極可能增加鐵電電容之總厚度。厚度之增加可需要邏輯區中之額外位準的路由互連。額外層針對成本以及針對電阻值可係有害的。例如，在一些情況下，鐵電電容之厚度的增加係逐漸小的，其大於邏輯區中之位準的路由互連可能需要者。在一些此類範例中，耦合在鐵電電容之上的通孔電極可能必須非必要地較高，以涵蓋大於邏輯區中之位準的路由互連之總厚度。增加通孔電極之厚度可增加鐵電電容中之電線電阻值。
然而，為了減少鐵電電容之總高度，過渡電極可被移除。然而，鐵電電容之最下層的相對面積可相對於導電互連之頂部表面的面積而被調諧，根據導電互連之材料。在其中導電互連可包括銅之範例中，高度期待其鐵 電電容具有一面積覆蓋區，其中該面積覆蓋區之周界重疊導電互連之周界。重疊可防止銅暴露，而同時圖案化程序被執行以形成鐵電電容。在其他範例中，當導電互連包括除了銅之外的材料時，則鐵電電容之面積覆蓋區可小於、等於或大於導電互連之面積覆蓋區。
雖然過渡電極可被移除在記憶體區中，但在至少一實施例中，絕緣體層被實施以促進過渡電極之形成，其可餘留在邏輯區中。絕緣體層可與邏輯區中之導電互連直接接觸。絕緣體層可被有利地實施在邏輯區中以致能瞄準電介質材料之已知厚度，用於圖案化介於邏輯區中的各別導電互連與金屬線之間的通孔。
發明人已發明出一種方法，其提供位於記憶體區中之導電互連上的鐵電電容以及僅在邏輯區中的絕緣體層。該方法進一步促進鐵電電容之形成，該鐵電電容具有其可被調諧至實質上落入邏輯區中之路由互連的一位準內之所欲厚度的厚度。此外，該方法允許具有在邏輯區中之實質上固定厚度的絕緣體層之實施。該方法利用多步驟消去圖案化製程，其中第一操作形成鐵電電容裝置，而第二操作形成路由互連在邏輯區中。在範例實施例中，第二製程亦包括圖案化在裝置周圍之囊封。
為了致能高密度FeRAM裝置，發明人已訴諸於無鉛為基的鈣鈦礦材料，由於其對於大量製造之環境友善。鐵電電容之堆疊可包括一或多個硬遮罩材料。硬遮罩材料可包括電介質材料、金屬材料或其組合。利用介於硬 遮罩與裝置層之間的高選擇性之蝕刻(諸如反應性離子蝕刻、或電漿蝕刻程序)的實施可有利地致能其小於相鄰導電互連位準內之層的總厚度之總堆疊厚度。
在至少一實施例中，與各別鐵電電容耦合之導電互連係離散島結構。在其他實施例中，導電互連可係連續溝槽線，其中複數電容可與溝槽線耦合。在一些此類實施例中，囊封層可在各別鐵電電容之間連續且沿著溝槽線之長度而延伸。在進一步實施例中，導電互連係離散的，但個別鐵電電容之頂部電極係藉由導電板而被耦合在一起。導電板可在如路由互連之位準的相同位準內。
圖1A係裝置結構100之橫斷面圖示，包括區101A，相鄰於區101B。區101A及101B可係(例如)記憶體區及邏輯區，各別地或反之亦然。在至少一實施例中，區101A為記憶體區而區101B為邏輯區。記憶體區101A包括複數導電互連，諸如在位準104內之導電互連102。裝置結構100進一步包括在位準104之上的第二位準106。第二位準106可包括記憶體裝置。在至少一實施例中，第二位準106包括複數鐵電記憶體裝置，諸如在各別導電互連102之上的鐵電記憶體裝置108。為了在製造程序期間保護鐵電記憶體裝置108內之層不會退化，囊封層114係相鄰於鐵電記憶體裝置108之側壁且在鐵電記憶體裝置108之頂部表面上。在至少一實施例中，囊封層114係在鐵電記憶體裝置108之側壁108A上及最上表面108B上。
鐵電記憶體裝置108可寬於或窄於導電互連 102，取決於導電互連102之材料。在至少一實施例中，鐵電記憶體裝置108係寬於導電互連102且可包括諸如銅或鈷之材料。囊封層114具有厚度，TEC，如測量自側壁108A。在至少一實施例中，囊封層114亦橫向地延伸在電介質136之最上表面136A上，超過厚度，TEC。橫向延伸114B可具有長度，LEX，如橫向地測量自囊封層114之最外側壁114A。囊封層114可橫向地延伸在電介質136之最上表面136A的一部分上，以其係囊封層114之厚度，TEC，的至少25%之距離。LEX可介於2nm與10nm之間。囊封層114之橫向延伸114B可不以鐵電記憶體裝置108為中心而對稱。
在至少一實施例中，囊封層114具有足夠大的厚度，使得囊封層114不橫向地延伸超過厚度，TEC，如圖1B中所示。在至少一實施例中，TEC亦可隨鐵電記憶體裝置108之高度或垂直厚度，TMD，而變動。TEC可隨著TMD而增加或減少。
在至少一實施例中，在圖1B中所示之囊封層114可進一步延伸低於電介質136之最上表面136A或鐵電記憶體裝置108之最下表面108D，如圖1C中所示。在一些此類實施例中，電介質136具有最上表面136A及低於最上表面136A之下表面136B。在至少一實施例中，下表面136B係實質上平坦的。下表面136B可係傾斜的。如圖所示，當電介質包括凹陷下表面136B時，囊封層114可進一步延伸在下表面136B上以及在側壁部分136C上。側壁部分136C可與側壁108A實質上對準。
在其他實施例中，囊封層114亦可橫向地延伸至下表面136B上，如圖1D中所示。在實施例中，電介質136具有電介質136之一或多個性質，而囊封層114具有囊封層114之一或多個性質，描繪在圖1C中。如圖1D中所示，囊封層114之橫向延伸可在下表面136B上。在其他實施例中，囊封層114依循電介質136之下表面136B的表面形貌。以上所討論的不同表面形貌係用以製造鐵電記憶體裝置108之處理序列的結果。
再次參考圖1A，第二位準106亦包括通孔電極116，其係與各別鐵電記憶體裝置108耦合。如圖所示，鐵電記憶體裝置108具有垂直厚度TMD，而通孔電極116具有垂直厚度，TVE。第二位準106具有垂直厚度，T106，其係實質上等於TMD與TVE之結合總和。個別厚度TMD及TVE可被相依地選擇以最佳化鐵電記憶體裝置108。例如，較厚的TMD相應於較薄的TVE，且反之亦然。
在至少一實施例中，邏輯區101B包括涵蓋位準104及第二位準106之互連結構117。互連結構117包括在位準104中之一或多個導電互連以及在第二位準106中之與導電互連118耦合的一或多個通孔和金屬線。在至少一實施例中，互連結構117包括在位準104中之導電互連118及複數金屬線120和122，其中金屬線122係透過通孔124而與導電互連118耦合。金屬線122可透過不同平面上之通孔而與導電互連耦合，在圖示之平面後方。
通孔124具有垂直厚度TV，如測量自位準104 之最低點或者自導電互連118之最上表面118A，而金屬線122具有垂直厚度TM。T106亦實質上等於TM與TV之結合總和。在範例實施例中，TM與TV之結合總和等於各別厚度TMD與TVE之結合總和。通常，TM與TVE無須相等。TM可大於TVE或反之亦然。在至少一實施例中，當TMD小於TV時，TVE大於TM。在至少一實施例中，TVE可大於TM四倍，當TMD小於20nm時。在一些此類實施例中，TM可介於20nm與50nm之間。
在其他實施例中，當TMD大於TV時，TVE係介於TM的5%至20%之間。例如，TMD可為100nm。在其他實施例中，TM可介於20nm與200nm之間。
邏輯區101B亦包括介於導電互連118與金屬線122之間的蝕刻停止層126。在至少一實施例中，蝕刻停止層126涵蓋邏輯區101B，且係直接地在導電互連118之一部分之上。通孔124係透過蝕刻停止層126而與導電互連118耦合。蝕刻停止層126具有厚度TL。TL可基於通孔124之所欲輪廓及厚度來選擇，如將被進一步討論於下。蝕刻停止層126包括不同於囊封層114之材料的材料。
在至少一實施例中，部分108C(文中的堆疊部分108C)，其包括鐵電記憶體裝置108之一或多個層在電介質136上，相鄰於蝕刻停止層126，如圖所示。堆疊部分108C可沿著側壁126A而延伸至各個高度。堆疊部分108C可係用以製造裝置結構100之處理方法的假影。裝置結構100之其他實施例可不包括堆疊部分108C。
在至少一實施例中，在裝置結構100內之各鐵電記憶體裝置108係實質上相同的。雖然繪示了兩個鐵電記憶體裝置108，但一陣列可具有多於1000個實質上相同的鐵電記憶體裝置108。相鄰的鐵電記憶體裝置108可被橫向地彼此分離以距離SM。SM的範圍可介於20nm與50nm之間。該分離，SM，係取決於相鄰導電互連102之間的分離SIC；並取決於導電互連102之橫向厚度，WCI，如將被進一步討論於下。
在實施例中，SM可取決於鐵電記憶體裝置108內之層的堆疊。取決於實施例，鐵電記憶體裝置108可具有三或更多層。包括五層之鐵電記憶體裝置108的實施例被繪示在圖1E中。如圖所示，鐵電記憶體裝置108包括底部電極128、鐵電氧化物層130及頂部電極132。在至少一實施例中，鐵電記憶體裝置108亦包括擴散障壁層135。當導電互連102包括諸如銅或鈷之材料時，擴散障壁層135可被實施。擴散障壁層135可包括材料，諸如(但不限定於)Al2O3、AlOx、HfOx、ZrOx、TaOx、TiOx、SiOx、SiN、SiCN、SiC、SiON、AlSiOx、HfSiOx、TaSiOx、TiON、TaON。AlN、ZrN、HfN、TiAlN、TiAlO、TiAl、W、Ru、Ir、Mo、Ta、Zr、Hf、Nb。
在一實施例中，底部電極128及頂部電極132包括導電鐵電氧化物。導電鐵電氧化物包括無鉛鈣鈦礦金屬氧化物之一，諸如(但不限定於)La-Sr-CoO3、SrRuO3、La-Sr-MnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
在一實施例中，鐵電氧化物層130係鐵電電介質層，其包括以ABO3形式之無鉛鈣鈦礦材料，其中A及B為不同大小之兩個陽離子而O為氧。A之大小通常大於B。在至少一實施例中，無鉛鈣鈦礦亦可被摻雜(例如)以La或鑭系。無鉛鈣鈦礦材料可包括以下之一或多者：La、Sr、Co、Cr、K、Nb、Na、Sr、Ru、Y、Fe、Ba、Hf、Zr、Cu、Ta、Bi、Ca、Ti及Ni。
在其他實施例中，鐵電電介質層包括在頂部電極132與底部電極128之間的低電壓鐵電材料。這些低電壓FE材料可係AA’BB’O3之形式，其中A’係用於原子位點A之摻雜物且可係選自鑭系之元素，其中B’係用於原子位點B之摻雜物且可係選自過渡金屬元素之元素，諸如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可具有位點A之相同原子價，具有不同的鐵電極化性。低於X伏特之電壓係夠低以被表徵為低電壓。
鐵電記憶體裝置108亦可包括硬遮罩134，如圖所示。在至少一實施例中，硬遮罩134可為電介質，其中電介質包括諸如矽及氮、氧或碳之一或多者的材料。在其他實施例中，硬遮罩包括導電材料，例如，鉭、鈦、釕、或氮與鉭、鈦、釕之一或多者的合金。在鐵電記憶體裝置108中之層的結合厚度之範圍可介於7nm與100nm之間。
在至少一實施例中，其中鐵電記憶體裝置108包括硬遮罩134，硬遮罩134之材料將判定通孔電極116 是否接觸硬遮罩134或延伸通過硬遮罩134之一部分並接觸頂部電極132。如圖1F中所示，其中硬遮罩134包括導電材料，通孔電極116係與最上硬遮罩表面134A接觸。在其他實施例中，其中硬遮罩134包括電介質材料，通孔電極116延伸通過硬遮罩134且與最上表面108B接觸，如圖1G中所示。
在進一步實施例中，鐵電記憶體裝置108包括雙硬遮罩，其中硬遮罩134係電介質且硬遮罩144包括導電材料，如圖1H中所示。包括硬遮罩144之雙硬遮罩可係有利的，當鐵電記憶體裝置108具有厚度TMD時，其係實質上小於TV(通孔124之厚度)。例如，在至少一實施例中，TMD係介於10nm與30nm之間而TV係100nm，其中比介於1：3至1：10。在一些此類實施例中，硬遮罩144補償鐵電記憶體裝置108之較短長度。
再次參考圖1A，導電互連118具有導電互連102之一或多個性質。導電互連102及118包括諸如銅或鎢之材料。導電互連102及118具有涵蓋位準104內之電介質136的一部分的厚度。在位準104內可有其他的通孔及互連路由連接，其未顯示在圖形中。在一實施例中，通孔電極116、通孔124、金屬線120及122包括相同或實質上相同的材料。在至少一實施例中，通孔電極116、通孔124、金屬線120及122包括如導電互連102之材料的相同或實質上相同材料。
在不同實施例中，通孔電極116、通孔124、 導電互連102及118可係離散的通孔或連續溝槽。
依據本揭露之實施例，圖1I係圖1A中之裝置結構100的等角圖示，其中導電互連102係離散島。如圖所示，在裝置結構100中之記憶體區101A進一步包括複數記憶體裝置，諸如鐵電記憶體裝置140(透過囊封層114中之切開所繪示)。鐵電記憶體裝置140係在平面141上，在鐵電記憶體裝置108後方。鐵電記憶體裝置140係實質上相同於鐵電記憶體裝置108且具有其所有性質。在至少一實施例中，各別鐵電記憶體裝置108或鐵電記憶體裝置140具有圓柱形形狀。在至少一實施例中，各鐵電記憶體裝置140係與導電互連102(其係一離散島)耦合。鐵電記憶體裝置140可被隔離自鐵電記憶體裝置108以一距離，SM2。在至少一實施例中，離散的通孔電極116係與各別鐵電記憶體裝置108或鐵電記憶體裝置140耦合。
鐵電記憶體裝置108可具有寬度WMD，其係小於或大於導電互連102之寬度WCI。在一實施例中，WCI小於WMD當導電互連包括(例如)銅時。在另一實施例中，WCI大於WMD(例如在圖形中之虛線中的導電互連102)當導電互連包括(例如)除了銅之外的導電材料時。
在至少一實施例中，導電互連118係導電互連118且沿著y方向延伸。如圖所示，金屬線120及122亦沿著y方向延伸。在至少一實施例中，通孔124可係介於金屬線122與導電互連118之間的唯一導電通孔。在其他實施例中，互連結構117可包括複數通孔，諸如介於金屬線122與 導電互連118之間的通孔124，用以防止線電阻值之增加。
在至少一實施例中，堆疊部分108C沿著y方向延伸，平行於金屬線120及122。
在至少一實施例中，與各鐵電記憶體裝置108及140耦合之通孔電極116可藉由共同板電極142而被進一步耦合在一起，諸如在圖1J之橫斷面圖示中所顯示。邏輯區101B為了清晰之目的而未繪示。於一此類實施例中，板電極142可延伸在所有記憶體裝置(諸如鐵電記憶體裝置108及140)之頂部上方並與其耦合，透過各別通孔電極116。在實施例中，板電極142係在第二位準106內。
在至少一實施例中，導電互連102包括除了銅之外的材料，諸如鎢、釕、鈦、鉭、及/或鎢、釕、鈦或鉭之氮化物。在一些此類實施例中，導電互連102可等於或寬於鐵電記憶體裝置108，如在圖2A中所示。在一此類實施例中，導電互連102連續地沿著縱向方向而延伸，諸如(例如)從鐵電記憶體裝置108至鐵電記憶體裝置140，如圖所示。在至少一實施例中，鐵電記憶體裝置108具有寬度WMD，其係小於導電互連102之寬度WCI，沿著長度LCI。
在至少一實施例中，其中鐵電記憶體裝置108延伸在導電互連102之一部分(而非全部)上方，在x及y方向之一者或兩者中，囊封層114亦可延伸在導電互連102上方，沿著一或兩個方向，如圖2A中所示。在至少一實施例中，囊封層114係在各鐵電記憶體裝置108及140上方且 與其相鄰。
在至少一實施例中，其中導電互連102沿著y方向延伸但包括除了銅之外的材料，囊封層114亦可連續地沿著y方向而延伸，如圖2B中所示。邏輯區101B為了清晰之目的而被省略。在一些此類實施例中，鐵電記憶體裝置108可具有寬度WMD，其係大於或小於導電互連102之寬度WCI。在至少一實施例中，WMD大於導電互連102之寬度WCI。
在進一步一些此類實施例中，囊封層114具有橫向厚度WEC(其係至少等於或大於WCI)及長度LEC(其沿著y方向延伸)。囊封層114可提供保護免於導電互連102之最上表面的氧化。
在至少一實施例中，各別鐵電記憶體裝置108或鐵電記憶體裝置140具有圓柱形形狀。在一些此類實施例中，WMD係各別鐵電記憶體裝置108或鐵電記憶體裝置140之直徑。
在其他實施例中，囊封層114係連續在相鄰鐵電記憶體裝置108之間、在相鄰鐵電記憶體裝置140、以及在鐵電記憶體裝置108與140之間，如圖3中所示。在一些此類實施例中，囊封層114亦可延伸在蝕刻停止層126上。
圖4係圖2A中之結構的實施例，其中囊封層114具有延伸超過囊封層114之厚度TEC的橫向延伸，但橫向厚度(或寬度)WEC沿著y方向而改變。
圖5用以形成記憶體區中之複數鐵電記憶體裝置及邏輯區中之導電互連的流程圖，依據本揭露之實施例。方法開始在操作510，其中複數導電互連係以電介質形成。方法500繼續在操作520，其中係沈積蝕刻停止層在電介質上以及在複數導電互連上，並移除蝕刻停止層自記憶體區而非自邏輯區。方法繼續在操作530，其中係沈積材料層堆疊以形成記憶體裝置在電極材料上。方法繼續在操作540，其中程序係圖案化材料層堆疊以形成記憶體裝置在記憶體區中的各導電互連之上。方法繼續在操作550，其中係沈積囊封層在記憶體裝置上。方法繼續在操作560，其中係形成遮罩在囊封層上並圖案化囊封層及電極材料，其中遮罩係在各記憶體裝置之上。方法繼續在操作570，其中係覆蓋層沈積一電介質層。方法繼續在操作580，其中係形成一或多個開口在電介質層中並暴露邏輯區中之一或多個導電互連。方法繼續在操作590，其中係形成一或多個互連通孔在一或多個開口中以及金屬線在各別互連通孔中。
圖6A係形成在基材600之上的電介質136內之複數導電互連102及118的橫斷面圖示。在至少一實施例中，導電互連102被形成在記憶體區中而導電互連118被形成在邏輯區中。在範例實施例中，在導電互連102及118與基材600之間可有一或多個位準的電晶體及互連。在高密度記憶體應用中，導電互連之數目可介於1K與5K之間範圍，在記憶體區101A中之既定陣列內。導電互連102及118 具有橫向厚度WCI，其可由最小可接受電阻值所判定。在至少一實施例中，導電互連102係離散結構，其形狀係實質上圓形或橢圓形；而導電互連118係溝槽線。導電互連102可具有介於20nm與40nm之間的最大橫向厚度。例如，導電互連102可具有介於20nm與40nm之間的橫向厚度，沿著x方向，如圖所示。在其他實施例中，各導電互連102及118係延伸入圖形之平面中的線。如圖所示，導電互連102及118具有實質上相同的橫向厚度，用以最小化裝置性能中的變異性。
在至少一實施例中，導電互連102及118被電氣地或機械地耦合與通孔及/或線，諸如在圖形中之虛線盒中所指示的通孔601及/或線601。通孔601及/或線601可包括如導電互連102之材料的相同或實質上相同材料。
在一或多個實施例中，導電互連102及118包括銅。在至少一實施例中，導電互連102及118包括襯裡層及在襯裡層上之填充金屬。例如，襯裡層可包括一種材料，諸如(但不限定於)釕、鈷或鉭，而填充金屬可包括銅或鎢。在一實施例中，導電互連102之各者係由間隔SIC所分離。SIC係實質上由待製造在既定區域內之鐵電記憶體裝置的設計密度、以及嵌入在由導電互連102底下之層內的下方結構所判定。
在一實施例中，蝕刻停止層126被沈積在導電互連102和118上以及在電介質136上。蝕刻停止層126被沈積至其被選擇以容納待形成通孔之高度的厚度，以及用 以在下游操作中瞄準邏輯區101B中之蝕刻。在一實施例中，蝕刻停止層126亦作用為擴散障壁層。擴散障壁層對於防止從導電互連118至待形成鐵電記憶體裝置之銅的擴散係必要的。如此一來，蝕刻停止層126包括材料，諸如(但不限定於)矽及氮、氧、或碳之一或多者。
圖6B係圖6A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以自記憶體區蝕刻蝕刻停止層126之一部分的程序後。在一實施例中，光抗蝕劑遮罩602係藉由微影技術而被形成在蝕刻停止層126上。蝕刻停止層126之暴露部分可藉由電漿蝕刻程序而被蝕刻通過光抗蝕劑遮罩602中之開口。蝕刻程序將蝕刻停止層126隔離至邏輯區101B，並暴露記憶體區中之電介質136及導電互連102。基材600未繪示在圖6B-9B中，以利清晰。
圖6C係圖6B中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成記憶體裝置在導電互連102和118上、及在電介質136上之材料層堆疊606的覆蓋層沈積之程序後，接續以硬遮罩層608之沈積在材料層堆疊606上以及光抗蝕劑遮罩609之形成在硬遮罩層608上，依據本揭露之實施例。在範例實施例中，蝕刻停止層126及材料層堆疊606之所有層被沈積在原處，例如，不中斷真空。材料層堆疊606可藉由原子層沈積(ALD)程序、電漿加強化學氣相沈積(PECVD)、化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)程序而被沈積。在至少一實施例中，導電層606A被覆蓋層沈積在電極材料604上。在範例實施例中，導電層606A包括導 電鐵電氧化物。導電鐵電氧化物包括無鉛鈣鈦礦金屬氧化物之一，諸如(但不限定於)La-Sr-CoO3、SrRuO3、La-Sr-MnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、或LaNiO3。
導電層606A被沈積至一厚度T1，其適於最小化電阻值且在用以製造鐵電記憶體裝置之圖案化程序期間外傾在側壁中。在至少一實施例中，導電層606A具有介於3nm與30nm之間的厚度。小於30nm之厚度係為了防止在圖案化程序期間之側壁的顯著漸縮所高度企望的。
沈積程序係藉由鐵電電介質層606B之沈積而繼續。在範例實施例中，鐵電電介質層606B被覆蓋層沈積在導電層606A上。鐵電電介質層606B具有介於1nm與30nm之間的厚度T2。在至少一實施例中，鐵電電介質層606B包括以形式ABO3之無鉛鈣鈦礦材料，其中A及B為不同大小之兩個陽離子而O為氧。A之大小通常大於B。在至少一實施例中，無鉛鈣鈦礦亦可被摻雜(例如)以La或鑭系。無鉛鈣鈦礦材料可包括以下之一或多者：La、Sr、Co、Cr、K、Nb、Na、Sr、Ru、Y、Fe、Ba、Hf、Zr、Cu、Ta、Bi、Ca、Ti及Ni。
在其他實施例中，鐵電電介質層606B包括在導電氧化物層(606A及606C)之間的低電壓鐵電材料。低電壓材料可係形式AA’BB’O3，其中A’係用於原子位點A之摻雜物且可係選自鑭系之元素，其中B’係用於原子位點B之摻雜物且可係選自過渡金屬元素之元素，諸如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可具有位點A之相 同原子價，具有不同的鐵電極化性。低於3伏特之電壓係夠低以被表徵為低電壓。
沈積程序係以導電層606C之沈積在鐵電電介質層606B上來繼續。在範例實施例中，導電層606C包括相同或實質上相同於導電層606A之材料的材料。當導電層606A及606C包括相同材料時，材料層堆疊係對稱的。在不同實施例中，導電層606C可具有與導電層606A不同的厚度。針對導電層606C所欲的是盡可能的薄以促進製造。在實施例中，導電層606C被沈積至介於3nm與30nm之間的厚度T3。
沈積程序以硬遮罩層608之形成在導電層606C上來結束。在一些實施例中，硬遮罩層608係藉由PECVD、CVD或PVD程序來覆蓋層沈積。在一實施例中，硬遮罩層608包括一種材料，其具有相較於材料層堆疊606中之鐵電材料的理想蝕刻選擇性。在至少一實施例中，硬遮罩層608包括材料，其可用相對於形成在硬遮罩層608上之遮蔽層的高保真度來圖案化，例如SiO2、Si3N4、DLC(鑽石狀碳)或Al2O3。在至少一實施例中，硬遮罩層608可包括不同於鐵電材料之導電材料的導電材料。在至少一實施例中，所欲的是沈積硬遮罩層608至厚度T4，其致能至少導電層606C之圖案化。在其他實施例中，硬遮罩層608可沈積至厚度T4，其取決於材料層堆疊606之總厚度。T4可為至少20nm。
在一實施例中，光抗蝕劑遮罩609被形成在 硬遮罩層608上且係藉由微影程序來形成。光抗蝕劑遮罩609包括區塊609A及609B。各區塊609A-B係用於圖案化離散FeRAM裝置之遮罩。
圖6D係圖2D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以圖案化硬遮罩層及材料層堆疊606中之層的程序後。在一實施例中，硬遮罩層係藉由電漿蝕刻程序來蝕刻以形成硬遮罩134。電漿蝕刻程序可包括由磁性增強反應離子蝕刻機制所產生的放電、電子迴旋加速器共振放電或電感式耦合電漿放電。電漿參數可由以下所表徵：諸如介於1e9-1e12 ions/cm3之間的電漿密度範圍、在0.001至10Torr之範圍中的壓力、及在1-8eV之範圍中的電子溫度。高度企望的是圖案化以形成硬遮罩134成具有實質上垂直的側壁，以防止當圖案化材料層堆疊606中之剩餘層時增加橫向厚度。
在範例實施例中，硬遮罩134具有相對於最上表面136A之實質上垂直的輪廓。在至少一實施例中，光抗蝕劑遮罩609被移除在形成硬遮罩134之後。電漿蝕刻程序被繼續以圖案化導電層606C。硬遮罩134被利用以圖案化導電層606C。在一實施例中，電漿蝕刻程序被利用以蝕刻導電層606C來形成頂部電極132。在至少一實施例中，頂部電極132具有實質上垂直的側壁132A。在其他實施例中，側壁132A係非垂直且具有一斜率，其係不同於相對於最低表面132B之法線的90°。在至少一實施例中，硬遮罩134被移除在電漿蝕刻程序期間(如圖所示)，當硬遮罩134 包括電介質材料時。蝕刻程序被繼續以蝕刻鐵電電介質層606B來形成經蝕刻鐵電氧化物層130(在文中為鐵電電介質層130)。在其他實施例中，鐵電電介質層130之側壁130A係傾斜的。
電漿蝕刻程序被繼續以圖案化並形成底部電極128。在一實施例中，用以蝕刻導電層606A(圖6C)來形成底部電極128之程序可實質上相同於用以形成頂部電極132之蝕刻程序。在至少一實施例中，鐵電記憶體裝置108之側壁108A係實質上垂直相對於最上表面136A或最上表面108B之法線。在其他實施例中，側壁108A係非垂直且具有一斜率，其係不同於相對於最上表面136A或最上表面108B之法線的90°。形成頂部電極132、鐵電電介質層130、底部電極128之程序亦完成鐵電記憶體裝置108之形成。
在一實施例中，包括鐵電記憶體裝置108中之一或多個層的堆疊部分108C亦被留下成為相鄰於蝕刻停止層126之側壁126A的間隔物。在不同實施例中，堆疊部分108C延伸至沿著側壁126A之各個點。在至少一實施例中，電介質136亦相對於最上表面136A而係懸掛溝槽，如在盒子610中之增強影像以及由虛線137所指示，在用以形成底部電極128之圖案化期間。
圖6E係圖6D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以沈積囊封層114在鐵電記憶體裝置108上、在部分108C上、及在電介質136上之程序後。在一實施例中，囊 封層114包括矽及碳、氮和氧之一或多者。囊封層114可藉由PVD、PECVD、或ALD程序來沈積。在範例實施例中，囊封層114包括不同於蝕刻停止封層126之材料的材料。囊封層114可包括相同的元素組成但不同的摻雜物濃度。不同的摻雜物濃度可致能蝕刻停止層126具有相對於囊封層114之較高的蝕刻選擇性。
用以形成囊封層114之沈積程序可導致共形沈積在鐵電記憶體裝置108之最上表面108B上及側壁108A上。在其他實施例中，蝕刻停止層126可在鐵電記憶體裝置108之最上表面108B處較寬而在其基底處較窄。在囊封層114可被沈積至介於5nm與30nm之間的厚度TEC。厚度TEC取決於相鄰鐵電記憶體裝置108之間的最大間隔SM1。
圖6F係圖6E中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成遮罩611在囊封層114上以隔離各鐵電記憶體裝置108之程序後。如所示，遮罩611包括遮罩部分611A在記憶體區101A與邏輯區101B之間的介面處。在一實施例中，遮罩611係藉由微影技術而被形成且包括光抗蝕劑材料。遮罩部分611A可寬於或窄於所描繪者。在範例實施例中，遮罩部分611A可具有寬度WK，其係夠窄以移除部分108C。
遮罩611可不以各鐵電記憶體裝置108為中心而完美對稱。非對稱遮罩可造成囊封層114之橫向部分不成比例在側壁108A周圍。例如，一些部分可寬於其他部分。然而，不成比例之位準可被保留橫跨各鐵電記憶體裝 置108。此不成比例不預期會導致裝置性能之退化。
圖7A係圖6F中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻囊封層114之程序後。在一實施例中，電漿蝕刻程序被利用以蝕刻對蝕刻停止層126有選擇性的囊封層114。如以上所討論，囊封層114及蝕刻停止層126可包括類似的材料，諸如摻雜有雜質之氮化矽。摻雜物物種之差異可提供對蝕刻停止層126(其蝕刻囊封層114)之選擇性。在至少一實施例中，囊封層114被移除自經遮蔽區域，諸如自堆疊部分108C之側壁，如將被進一步討論於下。
圖7B係圖7A中之結構的平面視圖圖示，在其中導電互連102為離散島且遮罩形成實質上圓形的囊封層114在鐵電記憶體裝置108之側壁108A周圍的實施例中。在其他實施例中，囊封層114可為矩形，如由虛線114D所指示。鐵電記憶體裝置108之平面視圖輪廓可獨立於囊封層114之平面視圖輪廓。
圖7D係圖7A中之結構的平面視圖圖示，在其中導電互連102為溝槽且遮罩形成囊封層114在鐵電記憶體裝置108之側壁108A周圍的實施例中。如圖所示，囊封層114亦延伸平行於導電互連102、具有橫向延伸LEX、且類似圖2B中所描繪之結構。
參考圖7B-7C中之囊封層114，囊封層114之最外側壁114A可不以各鐵電記憶體裝置108為中心而完美對稱。以上所討論之非對稱遮罩可造成囊封層114之橫向部分不成比例在側壁108A周圍。例如，一些部分可寬於其 他部分。然而，不成比例之位準可被保留橫跨各鐵電記憶體裝置108。此不成比例不預期會導致裝置性能之退化。
圖8A係圖7A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成開口在鐵電記憶體裝置108之上的電介質中之程序後。在一實施例中，覆蓋層沈積程序被利用以沈積電介質138在囊封層114上、在電介質136上及在蝕刻停止層126上。沈積程序可由PVD、PEVCD或化學氣相沈積(CVD)程序來執行。電介質138可在沈積後被平坦化。遮罩613可藉由微影程序而被形成在電介質138上。在一實施例中，開口615可藉由電漿蝕刻程序而被形成在電介質138中。蝕刻程序被繼續，囊封層114被完全地蝕刻在開口615中的鐵電記憶體裝置108之上。根據圖1A、1D及1E中所討論的實施例，蝕刻程序被進一步繼續以蝕刻硬遮罩(假如存在的話)並暴露各鐵電記憶體裝置108之最上表面108B；或假如不存在的話，暴露最上表面108B，如所繪示。在至少一實施例中，開口615被漸縮。在其他實施例中，開口615係實質上垂直的。
開口615之總深度係取決於鐵電記憶體裝置108之垂直厚度TMD。如圖所示，電介質138具有約略等於第二位準106之垂直厚度T106的厚度。在其他實施例中，其中電介質136被凹陷如與圖6D相關聯所述，電介質138亦延伸在第二位準106下方至位準104中。
圖8B係圖8A中之結構的橫斷面圖示，接續於用以移除遮罩613並沈積導電材料來形成通孔電極116之 程序後。在一實施例中，一或多個襯裡層被形成在鐵電記憶體裝置108之最上層上的開口615中。在至少一實施例中，諸如銅、鎢、鎳、鈷之填充金屬被沈積在襯裡層上。襯裡層包括釕或鉭。平坦化程序可被履行以移除其沈積在電介質138上之過量導電材料。在一實施例中，平坦化程序包括化學機械拋光(CMP)程序。
圖8C係圖8B中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成遮罩617在電介質138上、及在通孔電極116上之程序後。遮罩617被設計以形成互連結構在邏輯區101B中。在一實施例中，遮罩617係藉由微影技術而被形成且包括光抗蝕劑材料。
圖8D係圖8C中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻電介質138來形成溝槽619A及619B在邏輯區101B中之程序後。在一實施例中，電漿蝕刻程序被利用以蝕刻電介質138通過遮罩617中之開口來形成溝槽619A、及619B。電介質138可被蝕刻至深度TH及寬度WH，其係由蝕刻停止層126之上的電介質138之厚度TO所判定。在實施例中，TH及WH之範圍係介於10nm與200nm之間以及介於10nm與50nm之間，各別地。WH係由待形成在溝槽內之互連通孔的寬度所判定。餘留電介質138的高度，介於TO與TH之間的差異，(如測量自蝕刻停止層126之最上表面)，亦可由待形成在溝槽619B內之通孔的高度及寬度所判定。通孔之高度及寬度係由待形成在溝槽619B內之通孔的所欲最小線電導所判定。
圖8E係圖8D中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻電介質138來形成通孔在邏輯區101B中之懸掛溝槽內的程序後。在一實施例中，用以形成溝槽619A及619B之遮罩被移除且遮罩621被形成。在一實施例中，遮罩621係藉由微影技術而被形成且包括光抗蝕劑材料。遮罩621具有開口在溝槽619A內，其被設計以致能蝕刻電介質138來形成通孔開口619C，如圖所示。在至少一實施例中，遮罩621不包括在圖形之平面中的溝槽619A內之開口，但可包括在其後或前之平面中的開口。在一實施例中，電漿蝕刻程序被利用以藉由蝕刻電介質138及蝕刻停止層126來形成通孔開口619C。文中所概述之程序方法的優點在於其蝕刻停止層126具有厚度TEC，其係藉由沈積程序來判定且係藉由記憶體區101A中之鐵電記憶體裝置108的形成而未改變。在停止層126內之通孔開口619C的形成可藉由沈積蝕刻停止層126至所欲厚度而被瞄準且調諧。在至少一實施例中，通孔開口619C之形成暴露了導電互連118之最上表面118A。
圖8F係圖8E中之結構的橫斷面圖示，接續於用以移除遮罩並沈積導電材料至開口中來形成通孔124、及金屬線120和122之程序後。用以形成通孔開口619C之遮罩被移除，且導電材料被沈積至溝槽619A、619B及通孔開口619C中。在一實施例中，導電材料包括相同或實質上相同於通孔電極116之材料的材料，包括具有或不具襯裡層或襯裡層上之填充金屬的實施例。在至少 一實施例中，填充金屬包括銅、鎢、鎳或鈷，而襯裡層包括釕或鉭。在一些此類實施例中，襯裡層被沈積在導電互連118之最上表面118A上、在蝕刻停止層126之側壁上、在電介質138上、在最上電介質表面138A上及在通孔電極116之表面上。在其他實施例中，其中無襯裡被實施，填充金屬或導電材料被直接沈積在導電互連118之最上表面118A上、在蝕刻停止層126之側壁上、在電介質138上、在最上電介質表面138A上及在通孔電極116之表面上。
平坦化程序可被利用以移除其沈積在電介質138上及在通孔電極116上之過量導電材料。在一實施例中，平坦化程序包括化學機械拋光(CMP)程序。CMP程序將金屬線120隔離自金屬線122。通孔124被形成在如金屬線122之相同時刻。
在至少一實施例中，通孔電極116之最上表面116A及金屬線之最上表面120A和122A為共平面或實質上共平面，在CMP程序之後。
通常，通孔電極116可被製造在通孔124及金屬線122之製造前或後。與圖8A-F相關聯而描述之方法可被履行以製造通孔124及金屬線122，在通孔電極116之製造以前。
在其他實施例中，諸如圖16A中所示者，開口615、及溝槽619A和619B可被同時地形成。在一些此類實施例中，開口615、及溝槽619A和619B可具有實質上相同的深度DH，如圖所示。DH小於電介質138之總深度TO， 如圖所示。溝槽619A及619B具有寬度WH。WH針對溝槽619A及619B可相同或不同。在一實施例中，第一電漿蝕刻被利用以蝕刻對囊封層114有選擇性的電介質138，而對電介質138有選擇性的第二電漿蝕刻被利用以蝕刻囊封層114。在至少一實施例中，取決於電介質138及囊封層114之厚度，在邏輯區101B中之DH可較大以高達5%，相較於記憶體區101A中之DH。
該程序可被繼續以形成遮罩621，其覆蓋開口615及溝槽619A和619B之部分，如圖16B中所示。與圖8E相關聯所描述之電漿蝕刻程序可被履行以形成開口619C。電漿蝕刻蝕刻整個厚度TEC且暴露最上表面118A。在至少一實施例中，遮罩621可被移除在開口615、及溝槽619A和619B之形成後，如圖16C中所示。
該程序可被繼續以填充開口615、溝槽619A和619B、及開口619C，如圖16D中所示。用以填充開口615、及溝槽619A和619B並形成通孔電極116、通孔124和金屬線120和122之程序係相同或實質上相同於與圖8F相關聯所描述之方法。
圖9A係圖6F中之結構的橫斷面圖示，接續於用以蝕刻囊封層114來移除或減少部分108C之厚度的程序後。在至少一實施例中，遮罩部分611A(虛線盒)已被移除以促進囊封層114之較容易移除自堆疊部分108C之上，並用於在後續處理操作中之堆疊部分108C的移除。
在至少一實施例中，電漿蝕刻被利用以蝕刻 囊封層114，選擇性地相對於蝕刻停止層126及電介質136。
圖9B係圖6E中之結構的橫斷面圖示，接續於用以形成其覆蓋記憶體區101A之實質部分的遮罩623之程序後以及接續於用以蝕刻並移除囊封層114(未由遮罩623所覆蓋的每處)之程序後。在至少一實施例中，遮罩623暴露邏輯區101B。如圖所示，電漿蝕刻程序被利用以蝕刻囊封層114，如與圖7A相關聯所描述。再次參考圖9B，囊封層餘留在記憶體區101A中，相鄰於堆疊部分108C並覆蓋電介質136。囊封層114連續地延伸在各鐵電記憶體裝置108之間，如圖3中所示。
在其他實施例中，堆疊部分108C(相鄰於側壁126A)可由蝕刻程序所移除，在囊封層114之移除後。
圖10繪示具有同調快取或記憶體側緩衝器小晶片(其包括記憶體控制器)之計算架構1000，其中同調快取或記憶體側緩衝器小晶片被耦合至加速器、處理器、記憶體，依據至少一實施例。計算架構1000包含同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001、加速器1002(例如，干擾晶片)、處理器1020(例如，中央處理單元)、及記憶體晶粒1004。在至少一實施例中，同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001包含至少兩個通道1015，其被組態成與加速器1002及處理器1020連接。在至少一實施例中，同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001包含I/O及控制器1010以管理與記憶體晶粒1004之資料流量。藉由將控制器1010從處理 器1020移動至同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001，有關用於處理器1020之功率及晶粒面積的成本被減少。在至少一實施例中，同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001為包含鐵電記憶體單元之快取記憶體。例如，同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1001包含以下之一或多者：FE-SRAM、FE-DRAM、SRAM、MRAM、電阻式RAM(Re-RAM)、嵌入式DRAM(例如，1T-1C為基的記憶體)、或其組合。使用FE-SRAM、MRAM、或Re-RAM容許低功率及高速記憶體操作。
圖11繪示具有多個控制器及多個快取庫之同調快取或記憶體側緩衝器小晶片(例如，1107)的架構1100，依據至少一實施例。在至少一實施例中，架構1100包含通道(例如，ch0 1115-1及ch1 1115-2)、快取庫1101、本地快取控制器1102、非揮發性(NV)控制器1103、及可靠性邏輯1104。同調快取或記憶體側緩衝器小晶片1107作用為快取或記憶體緩衝器。在至少一實施例中，快取查找表可透過間接通孔標籤之使用以將大實體記憶體映射至小實體快取中。於此，間接意指用以指明哪個位址映射至哪個實體位置之標籤的使用。假如多個位址可映射至一實體位置，則標籤被用以斷定哪個位址目前被映射。
在至少一實施例中，各快取庫1101包括資料庫1105(例如，包含記憶體單元)及關聯標籤1106。在至少一實施例中，資料庫1105包含鐵電記憶體單元。在至少一實施例中，資料庫1105包含以下之一或多個：FE-SRAM、 FE-DRAM、SRAM、MRAM、電阻式RAM(Re-RAM)、嵌入式DRAM(例如，1T-1C為基的記憶體)、或其組合。使用FE-SRAM、MRAM、或Re-RAM容許低功率及高速記憶體操作。在至少一實施例中，當資料庫1105包括鐵電記憶體時，其使用NV控制器1103及較強的可靠性邏輯(例如，錯誤校正碼)於安全性，相較於用於資料庫1105之非鐵電記憶體。
當資料庫1105被用以實施快取時，標籤可被用以識別哪些位址映射至庫中之哪些實體位置。快取可被設定相關聯，其中特定位址可映射至數個實體位置。新配置位址所映射至之特定實體位置可由諸如LRU(最近使用)或偽LRU、或甚至隨機等替換演算法來判定。另一方面，快取可被直接映射，其中各位址映射至僅一實體快取線。在兩經設定相關聯及直接映射快取中，數個位址映射至一實體快取線。為了識別目前佔據實體快取線之位址，標籤1106可被耦合與各實體線。標籤1106可包含一些位址位元，足以獨特地識別哪個位址目前佔據其與該標籤耦合之實體線。
在至少一實施例中，快取控制器1102可被用以控制用於快取查找表所需之狀態變遷，諸如比較所請求的位址與儲存在標籤陣列中的標籤1106、及當快取未中發生時識別用於替換之候選者(替換演算法)。此外，快取控制器可被指派以初始化快取之工作，當快取供電時。當資料庫1105之FE記憶體(其留存橫跨功率循環之狀態)被使用 時，快取控制器1102可將0寫入至所有記憶體位置以確保其與先前執行之程式相關聯的資料被抹除，防止任何資料洩漏至後續執行的程式。非揮發性記憶體亦可包括NV位元，其可指示快取資料係意欲成為非揮發性且餘留橫跨功率循環。快取控制器1102將因此跳過經標示的位置，當初始化記憶體時。
在至少一實施例中，可靠性邏輯1104履行對資料之錯誤校正。任何適當的錯誤校正方案(例如，利用錯誤校正碼(ECC))可由可靠性邏輯1104所使用。在至少一實施例中，NV控制器1103被提供以明確地清除快取，當使用非揮發性記憶體(諸如FM記憶體)於資料庫1105時。NV控制器1103可包括NV位元，其指示不應被清除但被預期留存其內容橫跨功率循環之快取線。NV控制器1103之功能可被結合在快取控制器1102中，或反之亦然。
圖12繪示設備1200，其包含記憶體及相應邏輯，其中記憶體包含鐵電(FE)記憶體位元單元，依據至少一實施例。設備1200包含位元單元之M x N記憶體陣列1201、用於位址解碼之邏輯電路1202、感測放大器和寫入驅動器1203、及板-線(PL)驅動器1204。邏輯電路1202包含位址解碼器，用於自M x N記憶體陣列1201選擇一列位元單元及/或一特定位元單元，其中M及N為相同或不同值之整數。寫入驅動器1203包含用於自選定位元單元讀取該些值之感測放大器，而寫入驅動器被用以將特定值寫入至選定位元單元。於此，FE位元單元12010,0之示意圖被繪示。 相同實施例適用於M x N陣列之其他位元單元。在此範例中，一電晶體一電容(1T1C)位元單元被顯示，但實施例可應用於1TnC位元單元及多元件FE增益位元單元，如文中所述。
在至少一實施例中，位元單元12010,0包含字元線(WL)、板線(PL)、位元線(BL)、互補位元線(BLB)、及兩個半位元單元12010,0_A及12010,0_B。在至少一實施例中，位元單元12010,0包含n型電晶體MN1、及FE電容性結構Cfe1。電晶體MN1之閘極被耦合至共同WL。在各個實施例中，FE電容性結構Cfe1之一個終端被耦合至PL。FE電容性結構之第二終端被耦合至電晶體MN1之源極或汲極終端。在各個實施例中，BL被耦合至第一電晶體MN1之源極或汲極終端。在至少一實施例中，BL電容CBI1被耦合至第一電晶體MN1之源極或汲極終端以及至參考節點(例如，接地以使得FE電容不被耦合至相同的源極或汲極終端)。在至少一實施例中，PL係平行於BL且正交於WL。在至少一實施例中，PL係平行於WL且正交於BL。
在至少一實施例中，FE電容係平面電容。在至少一實施例中，FE電容係柱或非平面電容。在至少一實施例中，當位元單元係1TnC位元單元時，FE電容被組態以塔結構，其容許x-y覆蓋區針對1T1C位元單元保持相同但在z方向具有較高位元單元。在至少一實施例中，當位元單元係多元件FE增益位元單元時，位元單元容許自BL之儲存節點的解耦、容許減少針對柱電容之厚度擴縮需 求、及容許減少極化密度需求。再者，藉由在z方向堆疊‘n’電容(形成塔)，面積係由於兩個電晶體而在x-y方向增加。面積之增加(由於每位元單元兩個電晶體)容許在x-y方向上擴張電容之大小(或半徑)。
圖13繪示一種人工智慧(AI)機器1300之高階架構，其包含位於記憶體晶粒之頂部上的計算晶粒，依據至少一實施例。AI機器1300包含計算區塊1301或處理器，其具有隨機存取記憶體(RAM)1302及計算晶粒1303；第一隨機存取記憶體1304(例如，靜態RAM(SRAM)、鐵電或順電RAM(FeRAM)、鐵電或順電靜態隨機存取記憶體(FeSRAM))、主處理器1305、第二隨機存取記憶體1306(動態RAM(DRAM)、FeRAM)、及固態記憶體或驅動(SSD)1307。在至少一實施例中，AI機器1300之一些或所有組件被封裝在形成系統單晶片(SoC)之單一封裝中。SoC可被組態為邏輯上邏輯組態，其可係3D組態或2.5D組態。
在至少一實施例中，計算區塊1301被封裝在單一封裝中，且接著耦合至處理器1305及印刷電路板(PCB)上之第一隨機存取記憶體1304、第二隨機存取記憶體1306、和SSD 1307。在至少一實施例中，計算區塊1301被組態為邏輯上邏輯組態，其可係3D組態或2.5D組態。在至少一實施例中，計算區塊1301包含特殊用途計算晶粒1303或微處理器。例如，計算晶粒1303係計算小晶片，其履行加速器或推論之功能。在至少一實施例中，RAM 1302係DRAM，其形成用於特殊用途計算晶粒1303之特殊 記憶體/快取。DRAM可係嵌入式DRAM(eDRAM)，諸如1T-1C(一電晶體及一電容)為基的記憶體。在至少一實施例中，RAM 1302係鐵電或順電RAM(Fe-RAM)。
在至少一實施例中，計算晶粒1303針對諸如以下之應用而被特殊化：人工智慧、圖形處理、及用於資料處理之演算法。在至少一實施例中，計算晶粒1303進一步具有邏輯計算區塊，例如，用於乘法器及緩衝器、特殊資料記憶體區塊(例如，緩衝器)，包含DRAM、FeRAM、或其組合。在至少一實施例中，RAM 1302具有依序儲存之加權及輸入，用以增進計算效率。介於處理器1305(亦稱為特殊用途處理器)、第一隨機存取記憶體1304及計算晶粒1303之間的互連係針對高頻寬及低潛時而被最佳化。圖13之架構容許用以降低能量、功率、或成本之高效率封裝，並提供介於計算1301的RAM 1302與計算小晶片1303之間的超高頻寬。
在至少一實施例中，RAM 1302被分割以儲存輸入資料(或待處理資料)1302a及加權因素1302b。在至少一實施例中，輸入資料1302a被儲存在分離記憶體(例如，分離記憶體晶粒)中，而加權因素1302b被儲存在分離記憶體(例如，分離記憶體晶粒)中。
在至少一實施例中，計算邏輯或計算晶粒1303包含矩陣乘法器、加法器、序連邏輯、緩衝器、及組合邏輯。在各個實施例中，計算晶粒1303履行對於輸入資料1302a及加權因素1302b之乘法操作。在至少一實施例 中，加權因素1302b為固定加權。例如，處理器1305(例如，圖形處理器單元(GPU)、場可編程柵格陣列(FPGA)處理器、特定應用積體電路(ASIC)處理器、數位信號處理器(DSP)、AI處理器、中央處理單元(CPU)、或任何其他高性能處理器)計算訓練模型之加權。一旦該等加權被計算，其便被儲存在RAM 1302中。在各個實施例中，輸入資料(其係使用訓練模型而被分析)係由具有經計算加權因素1302b之計算區塊1301所處理，以產生輸出(例如，分類結果)。
在至少一實施例中，第一隨機存取記憶體1304係鐵電或順電為基的SRAM。例如，具有鐵電或順電電晶體之六個電晶體(6T)SRAM位元單元被用以實施非揮發性FeSRAM。在至少一實施例中，SSD 1307包含NAND快閃單元。在至少一實施例中，SSD 1307包含NOR快閃單元。在至少一實施例中，SSD 1307包含多臨限值NAND快閃單元。
在各個實施例中，FeRAM之非揮發性被用以引入新特徵，諸如AI機器1300的架構之安全性、功能性安全、及較快的重開機時間。非揮發性FeRAM係低功率RAM，其提供對資料及加權的快速存取。第一隨機存取記憶體1304亦可作用為推論晶粒1301(或加速器)之快速儲存，其通常具有低容量及快速存取需求。
在各個實施例中，FeRAM(FeDRAM或FeSRAM)包括鐵電或順電材料。鐵電或順電(FE)材料可在 電晶體閘極堆疊中或者在記憶體之電容中。鐵電材料可為任何適當的低電壓FE材料，其容許FE材料藉由低電壓(例如，1300mV)來切換其狀態。FE材料中之臨限值具有在極化相對於電壓回應中之高度非線性轉移函數。臨限值係相關於a)切換轉移函數之非線性、及b)FE切換之方性。切換轉移函數之非線性係極化相對於電壓圖之導數的寬度。方性係由殘留極化與飽和極化之比來界定；完美的方性將顯示1之值。
FE切換之方性可利用化學取代而被適當的調處。例如，在PbTiO3中，P-E(極化-電場)方形迴路將藉由La或Nb取代而被修改以產生S型迴路。該形狀可被系統性地調諧以最終地產生非線性電介質。FE切換之方性亦可藉由FE層之粒度而被改變。完美的外延、結晶FE層將顯示較高的方性(例如，比接近於1)，相較於多晶FE。完美外延可使用晶格匹配的底部電極及頂部電極來完成。在一範例中，BiFeO(BFO)可使用晶格匹配的SrRuO3底部電極而被外延地合成，產生其為方形的P-E迴路。利用La的逐步摻雜將減少方性。
在至少一實施例中，FE材料包含類型ABO3之鈣鈦礦，其中‘A’及‘B’係不同大小的兩個陽離子，而‘O’係氧，其為鍵結至兩個陽離子之陰離子。一般而言，A之原子的大小係大於B原子的大小。在至少一實施例中，鈣鈦礦可被摻雜(例如，以La或鑭系)。在各個實施例中，當FE材料為鈣鈦礦時，導電氧化物係類型AA’BB’O3。A’係 原子位點A之摻雜物，其可係來自鑭系之元素。B’係原子位點B之摻雜物，其可係來自過渡金屬元素之元素，特別是Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可具有位點A之相同原子價，具有不同的鐵電極化性。
在至少一實施例中，FE材料包含類型h-RMnO3之六角鐵電體，其中R係稀土元素，其包括下列之一：鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及釔(Y)。鐵電相係由層化的MnO5多面體之彎曲來表徵，伴隨以Y離子之置換，其導致淨電極化。在至少一實施例中，六角FE包括以下之一：YMnO3或LuFeO3。在各個實施例中，當FE材料包含六角鐵電體時，導電氧化物係A2O3(例如，In2O3、Fe2O3)及ABO3類型，其中‘A’係稀土元素而B係Mn。
在至少一實施例中，FE材料係鈣鈦礦，其包括以下之一或多者：La、Sr、Co、Sr、Ru、Y、Ba、Cu、Bi、Ca、及Ni。例如，金屬鈣鈦礦，諸如：(La,Sr)CoO3、SrRuO3、(La,Sr)MnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、LaNiO3等等可被用於FE材料。鈣鈦礦可被適當地摻雜以獲得在0.3至2%之範圍中的自發變形。針對材料之化學取代的BiFeO3、BrCrO3、BuCoO3類別，La或稀土取代至Bi位點中可調諧自發變形。在至少一實施例中，FE材料係接觸與導電金屬氧化物，其包括由以下所舉例的導電鈣鈦礦金屬氧化物之一：La-Sr-CoO3、SrRuO3、La-Sr-MnO3、 YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O8、及LaNiO3。
在至少一實施例中，FE材料包含層之堆疊，包括介於導電氧化物之間的低電壓FE材料。在各個實施例中，當FE材料為鈣鈦礦時，導電氧化物係類型AA’BB’O3。A’係原子位點A之摻雜物，其可係來自鑭系之元素。B’係原子位點B之摻雜物，其可係來自過渡金屬元素之元素，特別是Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可具有位點A之相同原子價，具有不同的鐵電極化性。在各個實施例中，當金屬鈣鈦礦被用於FE材料時，導電氧化物可包括以下之一或多者：IrO2、RuO2、PdO2、OsO2、或ReO3。在至少一實施例中，鈣鈦礦被摻雜以La或鑭系。在至少一實施例中，薄層(例如，約略10nm)鈣鈦礦模板導體，諸如塗佈在IrO2、RuO2、PdO2、PtO2之頂部上的SrRuO3，其具有非鈣鈦礦結構但較高的導電率以提供用於在低溫處之純鈣鈦礦鐵電的生長之種晶或模板，被使用為導電氧化物。
在至少一實施例中，鐵電材料被摻雜以s軌道材料(例如，用於第一週期、第二週期、及離子第三及第四週期之材料)。在至少一實施例中，f軌道材料(例如，鑭系)被摻雜至鐵電材料以製造順電材料。室溫順電材料之範例包括：SrTiO3、Ba(x)Sr(y)TiO3(其中x係-0.05，而y係0.95)、HfZrO2、Hf-Si-O。
在至少一實施例中，FE材料包含以下之一或多者：鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、矽(Si)、其氧化物或其合 金氧化物。在至少一實施例中，FE材料包括以下之一或多者：Al(1-x)Sc(x)N、Ga(1-x)Sc(x)N、Al(1-x)Y(x)N或Al(1-x-y)Mg(x)Nb(y)N、y摻雜的HfO2，其中x包括以下之一：Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y，其中‘x’係分數。在至少一實施例中，FE材料包括以下之一或多者：鉍鐵氧體(BFO)、或具有摻雜材料之BFO。
在至少一實施例中，FE材料包括鉍鐵氧體(BFO)、具有第一摻雜材料之BFO，其中在第一摻雜材料中的是鑭、或來自週期表之鑭系的任何元素之一。在至少一實施例中，FE材料包括鬆弛劑，鐵電包括鋇鈦-鉍鋅鈮鉭(BT-BZNT)或鋇鈦-鋇鍶鈦(BT-BST)之一。
在至少一實施例中，FE材料包括Hf(1-x) E(x) Oy之形式的氧化鉿，其中E可係Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y。在至少一實施例中，FE材料包括鈮酸類型化合物LiNbO3、LiTaO3、鋰鐵鉭Oxy氟化物、鋇鍶鈮酸、鈉鋇鈮酸、或鉀鍶鈮酸。
在至少一實施例中，FE材料包含多個層。例如，可使用[Bi2O2]2+、及偽鈣鈦礦區塊(Bi4Ti3O12及相關的奧里維里斯(Aurivillius)相)之交替層，具有其在厚度上係n個八面層的鈣鈦礦層。在至少一實施例中，FE材料包含有機材料。例如，聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)或聚偏二氟乙烯(polyvinylidene difluoride,PVDF)。
在至少一實施例中，FE材料包含類型h- RMnO3之六角鐵電體，其中R係稀土元素，其包括下列之一：鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及釔(Y)。鐵電相係由層化的MnO5多面體之彎曲來表徵，伴隨以Y離子之置換，其導致淨電極化。在至少一實施例中，六角FE包括以下之一：YMnO3或LuFeO3。在各個實施例中，當FE材料包含六角鐵電體時，導電氧化物係A2O3(例如，In2O3、Fe2O3)及ABO3類型，其中‘A’係稀土元素而B係Mn。
在至少一實施例中，FE材料包含不當的FE材料。不當的鐵電係一種鐵電，其中主要序參數係一種序機制，諸如原子序之應變或彎曲。不當FE材料之範例係鐵電和順電材料SnTiO3(STO)，各別地，以及LaAlO3(LAO)和STO，各別地，之材料或超晶格的LuFeO3類別。例如，[PTO/STO]n或[LAO/STO]n之超晶格，其中‘n’係介於1至1300之間。雖然文中之各個實施例係參考用於儲存電荷狀態之鐵電材料來描述，但實施例亦可應用於順電材料。在至少一實施例中，順電材料包括以下之一：SrTiO3、Ba(x)Sr(y)TiO3、HfZrO2、Hf-Si-O。
形成文中所述之結構的方法可應用於各種邏輯實施例。例如，文中所形成之FeRAM裝置或電容性結構可被用以形成其他鐵電/順電電路。這些電路可被實施多數閘、少數閘及/或臨限閘。
提供其闡明各個實施例之後續範例。該些範 例可與其他範例結合。如此一來，各個實施例可與其他實施例結合而不改變本發明之範圍。
圖14繪示使用非線性輸入電容之3輸入多數閘1400，依據至少一實施例。在至少一實施例中，3輸入多數閘1400包含非線性輸入電容C1nl、C2nl、及C3nl，其各別地接收數位信號a、b及c。於此，信號名稱及節點名稱被可交換地使用。例如，‘a’指的是節點‘a’或信號‘a’，取決於句子之前後文。電容C1nl之一個末端或終端被耦合至節點a，而電容C1n1之另一末端被耦合至加總節點Vs。針對其他非線性電容C2n1及C3nl亦為真，如圖所示。在至少一實施例中，3輸入多數閘1400包含驅動器電路1401。在此範例中，驅動器電路1401係反向器。在其他實施例中，其他類型的驅動器電路可被使用，諸如NAND閘、NOR閘、多工器、緩衝器、及其他邏輯閘。多數函數被履行在加總節點Vs當作多數(a,b,c)。在此範例中，因為驅動器電路1401係反向器，所以少數函數被履行在輸出“out”當作少數(a,b,c)。
在至少一實施例中，除了驅動器電路1401之閘極電容以外，額外線性電容CL被耦合至加總節點Vs及接地，如圖所示。在至少一實施例中，此線性電容CL係非鐵電電容。在至少一實施例中，非鐵電電容包括以下之一：電介質電容、順電電容、或非線性電介質電容。電介質電容包含第一金屬板與第二金屬板，具有電介質介於其間。此類電介質之範例為：HfOX、ABO3鈣鈦礦、氮化 物、oxy-氟化物、氧化物等等。順電電容包含第一金屬板與第二金屬板，具有順電材料介於其間。在至少一實施例中，f軌道材料(例如，鑭系)被摻雜至鐵電材料以製造順電材料。室溫順電材料之範例包括：SrTiO3、Ba(x)Sr(y)TiO3、HfZrO2、Hf-Si-O、La取代的PbTiO3、PMN-PT為基的鬆弛劑鐵電體。電介質電容包含第一金屬板與第二金屬板，具有非線性電介質電容介於其間。電介質常數之範圍係1.2至10000。電容CL可被實施為MIM(金屬絕緣體金屬)電容技術、電晶體閘極電容、金屬電容或電晶體電容之併合。電容CL可被實施為MIM(金屬絕緣體金屬)電容技術、電晶體閘極電容、或者金屬電容或電晶體電容之併合。
在至少一實施例中，非線性輸入電容C1nl、C2nl、及C3nl包含非線性極性材料。在至少一實施例中，非線性極性材料包括以下之一：鐵電(FE)材料、順電材料、鬆弛劑鐵電、或非線性電介質。在各個實施例中，順電材料係相同於FE材料，但利用藉由無極性變形之離子的主動鐵電離子之化學摻雜。在一些情況下，非極性離子係形成有p、d、f外部軌道之非s軌道離子。在至少一實施例中，非線性電介質材料係相同於順電材料、鬆弛劑、及雙極性玻璃。
在至少一實施例中，f軌道材料(例如，鑭系)被摻雜至鐵電材料以製造順電材料。室溫順電材料之範例包括：SrTiO3、Ba(x)Sr(y)TiO3、HfZrO2、Hf-Si-O。
在各個實施例中，FE材料可為任何適當的低電壓FE材料，其容許FE材料藉由低電壓(例如，100mV)來切換其狀態。在至少一實施例中，FE材料包含類型ABO3之鈣鈦礦，其中‘A’及‘B’係不同大小的兩個陽離子，而‘O’係氧，其為鍵結至兩個陽離子之陰離子。一般而言，A原子的大小係大於B原子的大小。在至少一實施例中，鈣鈦礦可被摻雜(例如，以La或鑭系)。鈣鈦礦可被適當地摻雜以獲得在0.3至2%之範圍中的自發變形。例如，針對化學取代的鉛鈦酸，諸如在Ti位點之Zr、在Ti位點之La、Nb，這些取代物之濃度係使得其獲得0.3至2%之範圍中的自發變形。針對材料之化學取代的BiFeO3、BiCrO3、BiCoO3類別，La或稀土取代至Bi位點中可調諧自發變形。在至少一實施例中，鈣鈦礦包括以下之一：BaTiO3、KNbO3、或NaTaO3。
FE材料中之臨限值具有在極化相對於電壓回應中之高度非線性轉移函數。臨限值係相關於：a)切換轉移函數之非線性；及b)FE切換之方性。切換轉移函數之非線性係極化相對於電壓圖之導數的寬度。方性係由殘留極化與飽和極化之比來界定；完美的方性將顯示1之值。
FE切換之方性可利用化學取代而被適當的調處。例如，在PbTiO3中，P-E(極化-電場)方形迴路將藉由La或Nb取代而被修改以產生S型迴路。該形狀可被系統性地調諧以最終地產生非線性電介質。FE切換之方性亦可藉由FE層之粒度而被改變。完美的外延、結晶FE層將顯示 較高的方性(例如，比接近於1)，相較於多晶FE。此完美外延可藉由使用晶格匹配的底部電極及頂部電極來完成。在一範例中，BiFeO(BFO)可使用晶格匹配的SrRuO3底部電極而被外延地合成，產生其為方形的P-E迴路。利用La的逐步摻雜將減少方性。
在至少一實施例中，FE材料係接觸與導電金屬氧化物，其包括由以下所舉例的導電鈣鈦礦金屬氧化物之一：La-Sr-CoO3、SrRuO3、La-Sr-MnO3、YBa2Cu3O7、Bi2Sr2CaCu2O14、LaNiO3、及ReO3。
在至少一實施例中，FE材料包含層之堆疊，包括介於導電氧化物之間的低電壓FE材料。在各個實施例中，當FE材料為鈣鈦礦時，導電氧化物係類型AA’BB’O3。A’係原子位點A之摻雜物，其可係來自鑭系之元素。B’係原子位點B之摻雜物，其可係來自過渡金屬元素之元素，特別是Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn。A’可具有位點A之相同原子價，具有不同的鐵電極化性。
在至少一實施例中，FE材料包含類型h-RMnO3之六角鐵電體，其中R係稀土元素，諸如：鈰(Ce)、鏑(Dy)、鉺(Er)、銪(Eu)、釓(Gd)、鈥(Ho)、鑭(La)、鎦(Lu)、釹(Nd)、鐠(Pr)、鉅(Pm)、釤(Sm)、鈧(Sc)、鋱(Tb)、銩(Tm)、鐿(Yb)、及釔(Y)。鐵電相係由層化的MnO5多面體之彎曲來表徵，伴隨以Y離子之置換，其導致淨電極化。在至少一實施例中，六角FE包括以下之 一：YMnO3或LuFeO3。在各個實施例中，當FE材料包含六角鐵電體時，則相鄰於FE材料之導電氧化物係A2O3(例如，In2O3、Fe2O3)及AB2O3類型，其中‘A’係稀土元素而B係Mn。
在至少一實施例中，FE材料包含不當的FE材料。不當的鐵電係一種鐵電，其中主要序參數係一種序機制，諸如原子序之應變或彎曲。不當FE材料之範例係鐵電和順電材料之材料或超晶格的LuFeO3類別。雖然文中之各個實施例係參考用於儲存電荷狀態之鐵電材料來描述，但實施例亦可應用於順電材料。例如，各個實施例之電容可使用順電材料以取代鐵電材料來形成。
在至少一實施例中，FE材料包括以下之一：鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、矽(Si)、其氧化物或其合金氧化物。在至少一實施例中，FE材料包括以下之一：Al(1-x)Sc(x)N、Ga(1-x)Sc(x)N、Al(1-x)Y(x)N或Al(1-x-y)Mg(x)Nb(y)N、y摻雜的HfO2，其中x包括以下之一：Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y，其中‘x’係分數。在至少一實施例中，FE材料包括鉍鐵氧體(BFO)、或具有摻雜材料之BFO。
在至少一實施例中，FE材料包括鉍鐵氧體(BFO)、具有第一摻雜材料之BFO，其中在第一摻雜材料中的是鑭、或來自週期表之鑭系的任何元素之一。在至少一實施例中，FE材料包括鬆弛劑鐵電，其包括鋇鈦-鉍鋅鈮鉭(BT-BZNT)，或鋇鈦-鋇鍶鈦(BT-BST)之一。
在至少一實施例中，FE材料包括Hf(1-x) E(x) Oy之形式的氧化鉿，其中E可係Al、Ca、Ce、Dy、Er、Gd、Ge、La、Sc、Si、Sr、Sn、或Y。在至少一實施例中，FE材料包括鈮酸類型化合物LiNbO3、LiTaO3、鋰鐵鉭Oxy氟化物、鋇鍶鈮酸、鈉鋇鈮酸、或鉀鍶鈮酸。
在至少一實施例中，FE材料包含多個層。例如，可使用[Bi2O2]2+、及偽鈣鈦礦區塊(Bi4Ti3O12及相關的奧里維里斯(Aurivillius)相)之交替層，具有其在厚度上係n個八面層的鈣鈦礦層。
在至少一實施例中，FE材料包含有機材料。例如，聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride)或聚偏二氟乙烯(polyvinylidene difluoride,PVDF)。FE材料係介於兩個電極之間。這些電極係導電電極。在至少一實施例中，該些電極係鈣鈦礦模板導體。在此一模板結構中，鈣鈦礦導體(諸如SrSuO3)之薄層(例如，約略10nm)被塗佈在IrO2、RuO2、PdO2、或PtO2(其具有非鈣鈦礦結構但較高的導電率)之頂部上以提供用於在低溫處之純鈣鈦礦鐵電的生長之種晶或模板。在至少一實施例中，當鐵電包含六角鐵電材料時，電極可具有六角金屬、尖晶石、或立方體金屬。六角金屬之範例包括：PtCoO2、PdCoO2、及其他黑銅鐵礦結構的六角金屬氧化物，諸如Al-摻雜的ZnO。尖晶石之範例包括Fe3O4及LiV2O4。立方體金屬之範例包括氧化銦錫(ITO)，諸如Sn-摻雜的In2O3。
在節點Vs上所生成之電荷產生一電壓及電 流，其係3輸入多數閘1400之輸出。任何適當的驅動器電路1401可驅動此輸出。例如，非FE邏輯、FE邏輯、CMOS邏輯、BJT邏輯等可被用以驅動輸出至一下游邏輯。驅動器之範例包括反向器、緩衝器、NAND閘、NOR閘、XOR閘、放大器、比較器、數位至類比轉換器、類比至數位轉換器、多工器，等等。
多數函數被履行在加總節點Vs處，而所得電壓被投射至驅動器電路1401之電容上。例如，在節點Vs上之電流(Ia、Ib、及Ic)的多數函數導致其為電容充電之所得電流。表1繪示多數函數f(多數a,b,c)。
Figure 111132920-A0305-12-0057-1
在節點Vs上所生成之電荷產生一電壓及電流，其係3輸入多數閘1400之輸出。任何適當的驅動器電路1401可驅動此輸出。例如，非FE邏輯、FE邏輯、CMOS邏輯、BJT邏輯等可被用以驅動輸出至一下游邏輯。驅動器之範例包括反向器、緩衝器、NAND閘、NOR閘、XOR閘、放大器、比較器、數位至類比轉換器、類比至數位轉 換器、多工器，等等。
雖然圖14繪示3輸入多數閘，但相同概念可延伸至多於3個輸入以製造N輸入多數閘，其中N大於2。在各個實施例中，‘N’係奇數。例如，5輸入多數閘係類似於3輸入多數閘1400，但用於額外的輸入‘d’及‘e’。這些輸入可來自相同驅動器或來自不同驅動器。
在至少一實施例中，3輸入多數閘可被組態為具有快速甚多的傳播延遲之快速反向器，相較於類似大小的(針對面積覆蓋區)CMOS反向器。此係特別有用的，當輸入具有顯著較緩的斜坡時，相較於通過非線性輸入電容之傳播延遲。用以組態3輸入多數閘為反向器的一種方式係將一個輸入設定至邏輯高(例如，b=1)而將另一輸入設定至邏輯低(例如，b=0)。第三輸入為驅動輸入，其將被反轉。反轉將在Vs節點處。相同技術亦可被應用於N輸入多數閘，其中‘N’為1或任何其他奇數。在N輸入多數閘中，(N-1)/2輸入被設定至‘1’而(N-1)/2輸入被設定至‘0’，且一個輸入被用以決定反轉函數。各個實施例被描述為多數閘，相同概念可應用於少數閘。在少數閘中，驅動電路係耦合至加總節點Vs之反轉電路。少數函數係見於反轉電路之輸出處。
在至少一實施例中，(2N-1)輸入多數閘可操作為N輸入AND閘，其中多數閘之(N-1)輸入被設定至零。AND函數將被見於加總節點Vs處。類似地，N輸入NAND、OR、NOR閘可被實現。在各個實施例中，加總節 點Vs係由驅動器電路(例如，反向器、緩衝器、NAND閘、AND閘、OR閘、NOR閘、或任何其他邏輯電路)所驅動。然而，驅動器電路1401可被取代以另一多數或少數閘。於一此類實施例中，儲存節點Vs被直接地耦合至另一多數或少數閘之非線性電容。
任何邏輯函數f(x 1,x 2,...x n )可由邏輯之兩個位準所表示，如由最小期擴展所給出：
Figure 111132920-A0305-12-0059-2
Figure 111132920-A0305-12-0059-3
其中C i 為0或1。當C i 為1時，
Figure 111132920-A0305-12-0059-4
(該輸入被使 用在其原始形式中)。當C i 為0時，
Figure 111132920-A0305-12-0059-5
(該輸入被使用在其經反轉形式中)。邏輯之第一位準係由至多2 n AND閘(△)所表示，0及1之2 n 可能組合的各者一個，針對C 1,C 2,....C n 。邏輯之第二位準係由OR閘(∨)所表示。OR閘之各運算元係針對f(x 1,x 2,...x n )之真值表中的列之表示。
(2N-1)輸入多數閘可表示N-輸入AND閘，藉由將多數閘之輸入的(N-1)連結至接地位準。類似地，(2N-1)輸入多數閘可表示N-輸入OR閘，藉由將多數閘之輸入的(N-1)連結至供應位準(Vdd)。因為多數閘可表示AND及OR閘，且通至AND及OR閘之輸入為輸入數位信號之原始或經反轉形式，所以任何邏輯函數可僅由多數閘及反向器所表示，依據至少一實施例。
圖15繪示使用5輸入多數閘所實施之複合邏輯閘1500，依據至少一實施例。在至少一實施例中，AOI(及-或-反轉)邏輯包含5輸入多數閘。5輸入多數閘包括 非線性電容C1nl、C2nl、C3nl、C4nl、及C5nl以及驅動電路1501，其被耦合如所示。在各個實施例中，非線性電容之兩者接收相同的輸入。於此，電容C3nl及C4nl接收輸入‘c’。在各個實施例中，C5nl被耦合至Vdd以產生OR函數在節點Vs處，其中OR函數係OR(AND(a,b),c)。在至少一實施例中，其他邏輯閘可藉由改變Vdd至接地(針對電容C5nl)、及/或改變其他輸入來實現。
提供其闡明各個實施例之後續範例。該些範例可與其他範例結合。如此一來，各個實施例可與其他實施例結合而不改變本發明之範圍。
提供摘要，其將容許讀者確認本技術上發明之本質及要旨。應理解該摘要之提出不應被用來限制申請專利範圍之範圍或意義。下列申請專利範圍於此被併入詳細說明中，以各項申請專利範圍本身成為一分離的實施例。
範例1：一種裝置，包含：一第一區。該第一區包含：在一第一位準內之複數第一導電互連；在該第一位準之上的一第二位準，該第二位準包含：複數鐵電記憶體裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之一個別鐵電記憶體裝置係在該等複數第一導電互連中之一各別第一導電互連之上，及其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置包含一第一高度；在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的一側壁上之一囊封層；在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝 置上的一通孔電極，其中該通孔電極包含一第二高度；及相鄰於該第一區之一第二區，該第二區包含一互連結構，該互連結構包含：在該第一位準內之一或多個第二導電互連；一蝕刻停止層，其包含在該第二位準中之一電介質材料；在該蝕刻停止層之上的複數金屬線，其中該等複數金屬線係在該第二位準內，其中在該等複數金屬線中之一各別個別金屬線包含一第三高度；及一通孔結構，其耦合該等複數金屬線中之一金屬線與該一或多個第二導電互連中之一第二導電互連，其中該通孔結構係在該第二位準中且包含一第四高度，其中該第一高度與該第二高度之一結合總和等於該第三高度與該第四高度之一結合總和。
範例2：如範例1之裝置，其中該等複數第一導電互連之個別者包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，且其中該等複數第一導電互連之個別者包含一第一橫向厚度。
範例3：如範例2之裝置，其中該等複數第一導電互連之個別者包含銅以及鈦或釕之一或多者，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該第二橫向厚度大於該第一橫向厚度。
範例4：如範例3之裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置進一步延伸在相鄰於該等複數第一導電互連之該等個別者的一電介質之部分上方。
範例5：如範例2之裝置，其中該等複數第一導電互連之個別者包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者但非銅，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該第二橫向厚度小於該第一橫向厚度。
範例6：如範例1之裝置，其中該第二高度大於該第三高度，且其中該第一高度小於該第四高度。
範例7：如範例1之裝置，其中該第二高度小於該第三高度且其中該第一高度大於該第四高度。
範例8：如範例1之裝置，其中該囊封層包含介於5nm與30nm之間的厚度，如自該等複數鐵電記憶體裝置之該等個別者的該側壁所測量。
範例9：如範例8之裝置，其中該囊封層包含一外側壁，其係與一相鄰於該等複數鐵電記憶體裝置之該等個別者的該側壁之側壁相對，及其中該囊封層橫向地延伸在相鄰於該等複數第一導電互連之該等個別者的一電介質之一最上表面的一部分上。
範例10：如範例10之裝置，其中該囊封層橫向地延伸在該電介質之一最上表面的一部分上，以其係該囊封層之該厚度的至少25%之一距離。
範例11：如範例8之裝置，其中該囊封層包含一外側壁，其係與一相鄰於該等複數鐵電記憶體裝置之該等個別者的該側壁之側壁相對，及其中該囊封層橫向地延伸在該電介質之一表面上，以其係該囊封層之該厚度的 至少25%之一距離，及其中該電介質之該表面低於該電介質之一最上表面。
範例12：如範例10之裝置，其中該電介質具有包含一側壁之一部分，該側壁係實質上與該等複數鐵電記憶體裝置之該等個別者的該側壁對準，及其中該囊封層延伸在該電介質之一最上表面下方以及在該電介質之一側壁的一部分上。
範例13：如範例8之裝置，其中在該最上表面下方之該電介質的該表面係逐漸傾斜的。
範例14：如範例8之裝置，其中在該最上表面下方之該電介質的該表面係實質上平坦的。
範例15：如範例1之裝置，其中該等複數鐵電記憶體裝置係第一複數記憶體裝置，其中該囊封層係一第一囊封層，其中該通孔電極係一第一通孔電極，其中該裝置進一步包含：在包含該等第一複數導電互連之一平面後方的一平面上之第三複數導電互連；第二複數鐵電記憶體裝置，其中在該等第二複數鐵電記憶體裝置中之一個別鐵電記憶體裝置係在該等複數第二導電互連中之一各別導電互連之上，及其中在該等第二複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置包含該第一高度；在該等第二複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的一各別側壁上之一第二囊封層；及在該等複數鐵電記憶體裝置之個別者上的一第二通孔電極，其中該第二通孔電極包含該第二高度。
範例16：如範例15之裝置，其中該第一囊封層係直接地相鄰於在該等第一複數記憶體裝置中之一第一鐵電記憶體裝置的該側壁且橫向地延伸朝向並合併與該第二囊封層，該第二囊封層係直接地相鄰於在該等第二複數記憶體裝置中之該第二鐵電記憶體裝置的該側壁，其中該第二鐵電記憶體裝置係直接地在該第一鐵電記憶體裝置後方。
範例17：如範例16之裝置，其中介於該第一鐵電記憶體裝置與該第二鐵電記憶體裝置之間的該第一囊封層或該第二囊封層具有一橫向厚度，其沿著從該第一鐵電記憶體裝置至該第二鐵電記憶體裝置之一方向係恆定的。
範例18：如範例17之裝置，其中該第一囊封層及該第二囊封層包含相同材料，及其中相鄰於該等第一複數記憶體裝置之該第一囊封層與相鄰於該等第二複數記憶體裝置之該第二囊封層在該電介質上方合併。
範例19：一種裝置，包含一第一區。該第一區包含：沿著一第一方向延伸之一溝槽互連；在該第一位準之上的一第二位準，該第二位準包含：複數鐵電記憶體裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置係橫向地隔離在該溝槽互連之上；在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置的側壁上之一囊封層；在該等複數鐵電記憶體裝置中之一各別個別鐵電記憶體裝置上的一通孔電極；及相鄰於該第一區之一第二 區，該第二區包含一互連結構，該互連結構包含：在該第一位準內之一或多個導電互連；包含在該第二位準中之一電介質材料的一蝕刻停止層；在該蝕刻停止層之上的複數金屬線，該等複數金屬線在該第二位準中；及一通孔結構，其耦合在該等複數金屬線中之一各別金屬線及在該一或多個導電互連中之一導電互連，及其中該通孔電極之一最上表面係與該等金屬線之一最上表面共面。
範例20：範例19之裝置，其中該溝槽互連包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，且其中該溝槽互連包含一第一橫向厚度。
範例21：如範例20之裝置，其中該溝槽互連包含銅以及鈦或釕之一或多者，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該第二橫向厚度大於該第一橫向厚度。
範例22：如範例19之裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置進一步延伸在相鄰於該溝槽互連之側壁的一電介質之部分上方。
範例23：如範例19之裝置，其中該等複數第一導電互連之個別者包含鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者但非銅，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該第二橫向厚度小於該第一橫向厚度。
範例24：一種製造一裝置結構之方法，該方法包含：形成複數導電互連在一記憶體區中之一電介質中 及一或多個導電互連在一邏輯區中；沈積一蝕刻停止層在該電介質上及在該等複數導電互連上及在該一或多個導電互連上；蝕刻以自一記憶體區但非自一邏輯區移除該蝕刻停止層；沈積一電極材料在該記憶體區中之該等複數導電互連上以及在該邏輯區中之該蝕刻停止層上；藉由蝕刻該材料層堆疊以形成複數記憶體裝置，其中該蝕刻形成該等複數記憶體裝置之一記憶體裝置在該記憶體區中之該等複數導電互連中的一各別導電互連之上；沈積一囊封層在該等複數記憶體裝置上；覆蓋層沈積一電介質層在該囊封層上；形成一或多個開口在該電介質層以及在該囊封層中，該一或多個開口暴露在該邏輯區中之該一或多個導電互連；形成一互連通孔在一各別一或多個開口中以及一金屬線在一各別互連通孔上；形成一開口在該等複數記憶體裝置中之一各別記憶體裝置之上；及以一導電材料填充在該等複數記憶體裝置中之該各別記憶體裝置之上的開口來形成一各別通孔電極。
範例25：如範例24之方法，其中該方法進一步包含：形成一遮罩在該囊封層上，其中該遮罩覆蓋在該等複數記憶體裝置中之一各別記憶體裝置；及蝕刻該囊封層。
範例26：一種包含一第一區之裝置，該第一區包含：在一第一位準內之一第一導電互連；在該第一位準之上的一第二位準，該第二位準包含：一鐵電記憶體裝置，其包含一第一高度且進一步包含一圓柱形形狀，該鐵 電記憶體裝置在該第一導電互連之上；在該鐵電記憶體裝置之一側壁上的一囊封層；在該鐵電記憶體裝置上之一通孔電極，其中該通孔電極包含一第二高度；及相鄰於該第一區之一第二區，該第二區包含一互連結構，該互連結構包含：在該第一位準內之一第二導電互連；及包含在該第二位準中之一電介質材料的一蝕刻停止層；在該蝕刻停止層之上的一金屬線，其中該金屬線係在該第二位準內且其中該金屬線包含一第三高度；及一通孔結構，其耦合該金屬線與該第二導電互連，其中該通孔結構係在該第二位準中且包含一第四高度，其中該第一高度與該第二高度之一結合總和等於該第三高度與該第四高度之一結合總和。
範例27：如範例26之裝置，其中該第一導電互連包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，其中該第一導電互連包含一圓柱形輪廓且其中該第一導電互連包含一第一橫向厚度，其中該第一橫向厚度係一第一直徑。
範例28：如範例27之裝置，其中該第一導電互連包含銅及鈦或釕之一或多者，其中該鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，其中該第二橫向厚度係一第二直徑，其中該第一直徑小於該第二直徑。
範例29：如範例27之裝置，其中該第一導電互連包含鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，但非銅，其中該鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，其中該第二橫向厚度係一第二直徑，其中該第一直徑大於該第二 直徑。
範例29：如範例27之裝置，其中該第一導電互連包含鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，但非銅，其中該鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，其中該第二橫向厚度係一第二直徑，其中該第一直徑小於該第二直徑。
範例30：如範例26之裝置，其中該第二高度大於該第三高度，且其中該第一高度小於該第四高度，且其中該第一高度小於20nm而該第二高度大於50nm但小於200nm。
範例31：如範例26之裝置，其中該鐵電記憶體裝置係一第一記憶體裝置，其中該囊封層係一第一囊封層，其中該通孔電極係一第一通孔電極，其中該裝置進一步包含：在包含該第一導電互連之一平面後方的一平面上之一第三導電互連；在該第三導電互連之上的一第二鐵電記憶體裝置且其中該第二鐵電記憶體裝置包含該第一高度；在該鐵電記憶體裝置之一側壁上的一第二囊封層；及在該第二鐵電記憶體裝置上之一第二通孔電極，其中該第二通孔電極包含該第二高度。
範例32：如範例31之裝置，其中該第一囊封層及該第二囊封層包含相同材料，且其中該第一囊封層沿著從該第一導電互連之上至該第三導電互連的一最短方向而延伸。
範例33：如範例31之裝置，其中該第一囊封 層係直接地相鄰於一第一鐵電記憶體裝置之該側壁且橫向地延伸朝向並相鄰於該第二囊封層，其係直接地相鄰於該第二鐵電記憶體裝置之該側壁，其中介於該第一鐵電記憶體裝置與該第二鐵電記憶體裝置之間的該第一囊封層或該第二囊封層具有一橫向厚度，其沿著從該第一鐵電記憶體裝置至該第二鐵電記憶體裝置之一方向係恆定的，及其中該橫向厚度大於該第一鐵電記憶體裝置之一第一直徑或該第二鐵電記憶體裝置之一第二直徑以同等於該囊封層之一厚度的一厚度。
範例34：如範例33之裝置，其中該橫向厚度大於該第一鐵電記憶體裝置之一第一直徑或該第二鐵電記憶體裝置之一第二直徑以同等於其係至少25%大於該囊封層之一厚度的一厚度之一厚度。
範例35：如範例31之裝置，其中該第一通孔電極與該第二通孔電極係藉由一板電極而被耦合，該板電極從該第一鐵電記憶體裝置之上延伸至一第二鐵電記憶體裝置，其中該板電極係在該第二位準內。
範例36：如範例26之裝置，其中該第一鐵電記憶體裝置包含一電介質硬遮罩，其中該通孔電極係透過該電介質硬遮罩中之一開口而與該第一鐵電記憶體裝置耦合。
範例37：如範例26之裝置，其中該第一鐵電記憶體裝置包含一導電硬遮罩，其中該通孔電極係透過該導電硬遮罩而與該第一鐵電記憶體裝置耦合。
範例38：如範例26之裝置，其中該第一鐵電記憶體裝置包含一雙層硬遮罩，其包含導電的一第一層及在該第一層上之一第二層，其中該第二層係一電介質，其中該通孔電極係透過該第一層而與該第二層耦合。
範例39：如範例26之裝置，其中該第一鐵電記憶體裝置包含側壁，其相對於該第一鐵電記憶體裝置之一最低表面係實質上垂直的。
範例41：如範例26之裝置，其中該第一鐵電記憶體裝置包含側壁，其具有相對於該第一鐵電記憶體裝置之一最低表面係90°不同的一斜率。
範例42：如範例26之裝置，其中該裝置進一步包含該鐵電記憶體裝置之一或多個層的部分，其係相鄰於在該記憶體區與該邏輯區之間的介面處之蝕刻停止層之一側壁。
範例43：一種製造一裝置結構之方法，該方法包含：形成複數導電互連在一記憶體區中之一電介質中及一或多個導電互連在一邏輯區中；沈積一蝕刻停止層在該電介質上及在該等複數導電互連上及在該一或多個導電互連上；蝕刻以自一記憶體區但非自一邏輯區移除該蝕刻停止層；沈積一電極材料在該記憶體區中之該等複數導電互連上以及在該邏輯區中之該蝕刻停止層上；藉由蝕刻該材料層堆疊以形成複數記憶體裝置，其中該蝕刻形成該等複數記憶體裝置之一記憶體裝置在該記憶體區中之該等複數導電互連中的一各別導電互連之上；沈積一囊封層在該 等複數記憶體裝置上；覆蓋層沈積一電介質層在該囊封層上；形成一或多個第一開口在該電介質層中以及在該囊封層中，該第一一或多個開口暴露在該邏輯區中之該一或多個導電互連且同時地形成一第二一或多個開口在該記憶體區中，該第二一或多個開口暴露在該等複數記憶體裝置中之一或多個裝置；及形成一互連通孔在一各別第一一或多個開口中以及一金屬線在一各別互連通孔上；及形成一導電通孔在該第二一或多個開口中以形成一各別通孔電極，藉由沈積一導電材料在該第一及該第二一或多個開口中。
範例44：如範例43之方法，其中沈積該囊封層之該方法包含沈積在相鄰於該等複數導電互連之一電介質層的一表面上，其中該表面係相對於在該等複數記憶體裝置中之一個別記憶體裝置的一側壁而漸縮。
範例45：如範例44之方法，其中該方法進一步包含沈積該囊封層之一部分在該電介質層之一側壁上，其中該電介質層之該側壁與在該等複數記憶體裝置中之該個別記憶體裝置的該側壁被實質上對準。
範例46：如範例43之方法，其中形成該互連通孔在一各別第一一或多個開口中之該方法進一步包含：遮蔽該第二一或多個開口及該第一一或多個開口之一部分；形成一第二開口在該第一一或多個開口之該部分內；蝕刻由該第二開口所暴露之該電介質；及在蝕刻該電介質之後蝕刻該蝕刻停止層，該蝕刻暴露在該邏輯區中之該一或多個導電互連中的一導電互連。
101A:第一區
101B:第二區
102:互連
104:位準
106:第二位準
108:鐵電記憶體裝置
108A:側壁
108B:頂部表面
108C:部分
114:囊封層
116:通孔電極
117:互連結構
118:導電互連
120,122:金屬線
124:通孔
126:蝕刻停止層
126A:側壁
136:電介質
138:電介質

Claims (16)

  1. 一種用於嵌入式記憶體之裝置，包含： 一第一區，其包含： 在一第一位準內之複數第一導電互連；及 在該第一位準之上的一第二位準，該第二位準包含： 複數鐵電記憶體裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之一個別鐵電記憶體裝置係在該等複數第一導電互連中之一各別第一導電互連之上，及其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置包含一第一高度； 在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的一側壁上之一囊封層；及 在該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置上的一通孔電極，其中該通孔電極包含一第二高度； 相鄰於該第一區之一第二區，該第二區包含一互連結構，該互連結構包含： 在該第一位準內之一或多個第二導電互連； 一蝕刻停止層，其包含在該第二位準中之一電介質材料，其中該電介質材料係不同於該囊封層之一材料； 在該蝕刻停止層之上的複數金屬線，其中該等複數金屬線係在該第二位準內，其中在該等複數金屬線中之一各別個別金屬線包含一第三高度；及 一通孔結構，其耦合該等複數金屬線中之一金屬線與該一或多個第二導電互連中之一第二導電互連，其中該通孔結構係在該第二位準中且包含一第四高度，其中該第一高度與該第二高度之一結合總和等於該第三高度與該第四高度之一結合總和；以及 該個別鐵電記憶體裝置之一或多個層的一部分，其係相鄰於在該第一區與該第二區之間的一介面處之該蝕刻停止層之一側壁。
  2. 如請求項1之裝置，其中該等複數第一導電互連之個別者包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者，且其中該等複數第一導電互連之該等個別者包含一第一橫向厚度。
  3. 如請求項2之裝置，其中該等複數第一導電互連之該等個別者包含銅以及鈦或釕之一或多者，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該各別第二橫向厚度大於該第一橫向厚度。
  4. 如請求項3之裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置進一步延伸在相鄰於該等複數第一導電互連之該等個別者的一電介質之部分上方。
  5. 如請求項2之裝置，其中該等複數第一導電互連之該等個別者包含銅、鈷、鎢、釕、鉬、鉭或鈦之一或多者但非銅，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置包含一各別第二橫向厚度，及其中該各別第二橫向厚度小於該第一橫向厚度。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第二高度大於該第三高度，且其中該第一高度小於該第四高度。
  7. 如請求項1之裝置，其中該第二高度小於該第三高度且其中該第一高度大於該第四高度。
  8. 如請求項1之裝置，其中該囊封層包含介於5nm與30nm之間的厚度，如自該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的該側壁所測量。
  9. 如請求項8之裝置，其中該囊封層包含一外側壁，其係與一相鄰於該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的該側壁之側壁相對，及其中該囊封層橫向地延伸在相鄰於該等複數第一導電互連之個別者的一電介質之一最上表面的一第一部分上。
  10. 如請求項9之裝置，其中該囊封層橫向地延伸在該電介質之該最上表面的一第二部分上，以其係該囊封層之該厚度的至少25%之距離。
  11. 如請求項9之裝置，其中該囊封層包含與相鄰於該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的該側壁之該側壁相對的該外側壁，及其中該囊封層橫向地延伸在該電介質之一表面上，以其係該囊封層之該厚度的至少25%之一距離，及其中該電介質之該表面低於該電介質之該最上表面。
  12. 如請求項10之裝置，其中該電介質具有包含一第一側壁之一部分，該第一側壁係實質上與該等複數鐵電記憶體裝置中之該個別鐵電記憶體裝置的該側壁對準，及其中該囊封層延伸在該第一側壁上之該電介質的該最上表面下方。
  13. 如請求項11之裝置，其中在該最上表面下方之該電介質的該表面係逐漸地傾斜或實質上平坦的。
  14. 如請求項1之裝置，其中該等複數鐵電記憶體裝置係第一複數記憶體裝置，其中該個別鐵電記憶體裝置係一第一個別鐵電記憶體裝置，其中該囊封層係一第一囊封層，其中該通孔電極係一第一通孔電極，其中該裝置進一步包含： 在包含該等複數第一導電互連之一第二平面後方的一第一平面上之複數第三導電互連； 第二複數鐵電記憶體裝置，其中在該等第二複數鐵電記憶體裝置中之一第二個別鐵電記憶體裝置係在該等複數第三導電互連中之一第三導電互連之上，及其中該第二個別鐵電記憶體裝置包含該第一高度； 該第二個別鐵電記憶體裝置的一側壁上之一第二囊封層；以及 在該第二個別鐵電記憶體裝置上的一第二通孔電極，其中該第二通孔電極包含該第二高度。
  15. 如請求項14之裝置，其中該第一囊封層係直接地相鄰於該第一個別鐵電記憶體裝置的該側壁，其中該第一囊封層橫向地延伸朝向並合併與該第二囊封層，該第二囊封層係直接地相鄰於該第二個別鐵電記憶體裝置的該側壁，其中該第二個別鐵電記憶體裝置係直接地在該第一個別鐵電記憶體裝置後方。
  16. 一種用於嵌入式記憶體之裝置，包含： 一第一區，其包含： 在一第一位準中沿著一第一方向延伸之一溝槽互連；及 在該第一位準之上的一第二位準，該第二位準包含： 複數鐵電記憶體裝置，其中在該等複數鐵電記憶體裝置中之個別鐵電記憶體裝置係橫向地隔離在該溝槽互連之上； 在該等複數鐵電記憶體裝置中之該等個別鐵電記憶體裝置的側壁上之一囊封層；及 在該等複數鐵電記憶體裝置中之一各別個別鐵電記憶體裝置上的一通孔電極； 相鄰於該第一區之一第二區，該第二區包含一互連結構，該互連結構包含： 在該第一位準內之一或多個導電互連； 一蝕刻停止層，其包含在該第二位準中之一電介質材料，其中該電介質材料係不同於該囊封層之一材料； 在該蝕刻停止層之上的複數金屬線，該等複數金屬線在該第二位準中；以及 一通孔結構，其耦合在該等複數金屬線中之一金屬線及在該一或多個導電互連中之一導電互連，其中該通孔電極之一最上表面係與該金屬線之一最上表面共面；以及 該等個別鐵電記憶體裝置之一或多個層的一部分，其係相鄰於在該第一區與該第二區之間的一介面處之該蝕刻停止層之一側壁。
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