TWI884765B

TWI884765B - 發光模組

Info

Publication number: TWI884765B
Application number: TW113113905A
Authority: TW
Inventors: 蔡欣蓉
Original assignee: 隆達電子股份有限公司
Priority date: 2024-04-15
Filing date: 2024-04-15
Publication date: 2025-05-21
Also published as: CN120830824A

Abstract

本揭露提供一種發光模組，包括：一光源；以及一透鏡結構，設置於光源上，其中透鏡結構具有一第一表面與一第二表面，第二表面相對於第一表面，且第二表面鄰近光源，其中第一表面包括一第一凹陷部與多個第二凹陷部，第一凹陷部對應光源，第二凹陷部位於第一凹陷部的延伸方向上，以及第二表面具有一反射面，位於第一凹陷部與第二凹陷部之間。

Description

發光模組

本揭露是關於一種發光模組，特別是關於一種具有特殊透鏡結構的發光模組。

目前市面上直下式機種是將光源以矩陣的方式進行排列。由於光源發光角度的問題(例如，擴光角度不足)，使得光源排列需相當密集且需使用較多數量的光源才能達到面內均勻的效果，導致成本增加。

根據本揭露的一實施例，提供一種發光模組，包括：一光源；以及一透鏡結構，設置於光源上，其中透鏡結構具有一第一表面與一第二表面，第二表面相對於第一表面，且第二表面鄰近光源，其中第一表面包括一第一凹陷部與多個第二凹陷部，第一凹陷部對應光源，第二凹陷部位於第一凹陷部的延伸方向上，以及第二表面具有一反射面，位於第一凹陷部與第二凹陷部之間。

在本揭露發光模組中，光源所發出的光線經過透鏡結構中的反射結構(例如，第一凹陷部)後，會有部分光線朝四周移動，再利用透鏡結構的底部設計(例如，反射面)可使光線於需求處(例如，第二凹陷部)出光。本揭露利用單顆光源搭配特殊透鏡結構的設計(例如，單顆光源搭配具有四個第二凹陷部的透鏡結構)可達到五顆光源的發光效果，有效減少所需光源的數量。

在以下描述中詳細描述本發明的發光元件。在以下的實施方式中，出於解釋的目的，闡述了許多具體細節和實施例以提供對本揭露的透徹理解。闡述以下實施方式中所描述的特定元件和配置，以清楚地描述本揭露。然而，將顯而易見的是，本文所闡述的示例性實施例僅用於說明的目的，且發明概念可以各種形式體現，而不限於那些示例性實施例。此外，不同實施例的圖式可使用相似和/或對應的數字來表示相似和/或對應的元件，以便清楚地描述本揭露。然而，在不同實施例的圖式中使用相似和/或對應的數字不暗示不同實施例之間的任何相關性。此外，在本說明書中，例如「設置在第二材料層上/上方的第一材料層」的表達可指第一材料層和第二材料層的直接接觸，或者其可指在第一材料層和第二材料層之間有一或多層中間層的非接觸狀態。在上述情況中，第一材料層可不與第二材料層直接接觸。

此外，在本說明書中，使用相對性的表達。例如「較低」、「底部」、「較高」或「頂部」用於描述一元件相對於另一元件的位置。應理解的是，如果將裝置上下顛倒，則「較低」的元件將變為「較高」的元件。

除非另有定義，否則本文使用的所有技術和科學術語都具有與本發明所屬技術領域中通常知識者一般所理解的相同含義。應理解的是，在各種情況下，在常用字典中定義的術語應被解釋為具有符合本揭露的相對技能和本揭露的背景或上下文的含義，且不應以理想化或過於正式的方式來解釋，除非如此定義。

在敘述中，相對性術語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該實施例以及相關圖式中所繪示的方位。此相對性的用語是為了方便說明之用，並不表示所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。此外，關於接合、連接之用語，例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可表示兩個結構直接接觸，或者亦可表示兩個結構並非直接接觸，而是有其它結構設置於此兩個結構之間。另外，關於接合、連接之用語，亦可包含兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之實施例。

應理解的是，儘管可在本文中使用術語第一、第二、第三等等，來描述各種元件、組件、區域、膜層、部分和/或區段，但這些元件、組件、區域、膜層、部分和/或區段不應受這些術語所限制。這些術語僅用於區分一元件、組件、區域、膜層、部分或區段與另一元件、組件、區域、膜層、部分或區段。因此，在不脫離本揭露的教示的情況下，以下所討論的第一元件、組件、區域、膜層、部分或區段可被稱為第二元件、組件、區域、膜層、部分或區段。

在說明書中，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值的正負20%之內，或正負10%之內，或正負5%之內，或正負3%之內，或正負2%之內，或正負1%之內，或正負0.5%之內的範圍。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。

以下描述為實施本發明的最佳構想模式。進行該描述的目的是為了說明本發明的一般原理，而不應被認為是限制性的。本發明之範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

請參閱第1圖，根據本揭露的一實施例，提供一種發光模組10。第1圖為發光模組10的剖面示意圖。

如第1圖所示，發光模組10包括光源12、透鏡結構14、以及光學元件組16。透鏡結構14設置於光源12上。光學元件組16設置於透鏡結構14上。透鏡結構14具有第一表面14a與第二表面14b，第二表面14b相對於第一表面14a，且第二表面14b鄰近光源12。第一表面14a包括第一凹陷部18與多個第二凹陷部20。第一凹陷部18對應光源12，第二凹陷部20位於第一凹陷部18的延伸方向上。第二表面14b具有反射面22，位於第一凹陷部18與第二凹陷部20之間。在一些實施例中，透鏡結構14具有支撐部23。在一些實施例中，支撐部23的數量為3至8個。

在一些實施例中，第二凹陷部20的最低點20 _B與透鏡結構14的最高點14 _T的高度差h介於大約0.01mm與大約1mm之間。在一些實施例中，第二凹陷部20的最低點20 _B與透鏡結構14的最高點14 _T的高度差h可以為0.01mm、0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、或1mm。

在一些實施例中，第二表面14b可以是平面、曲面、斜面、或其組合。在一些實施例中，第二表面14b可以是平面與曲面所組成。在一些實施例中，第二表面14b可以是平面與斜面所組成。

在一些實施例中，光源12可包括發光二極體或次毫米發光二極體(Mini LED)，但本揭露不限於此，其他適合的發光源亦可適用於本揭露。在一些實施例中，光源12可發射白光、藍光、或紫外光，但本揭露不限於此，光源12亦可發射其他波長的光，例如，紅光或綠光。

請參閱第2A至2E圖，進一步說明光源12的發光方式。第2A至2E圖為光源12的發光方式的剖面示意圖。

如第2A圖所示，光源12 (例如，立方體)為單面發光，例如，發光面為光源12的上表面12a。在一些實施例中，光線24自光源12的上表面12a朝周圍發射，形成單面發光。在一些實施例中，光源12可以是具有反射杯發光二極體封裝體。

如第2B圖所示，光源12 (例如，立方體)為多面發光，例如，五面發光。舉例來說，發光面包括光源12的上表面12a以及四個側面12b。在一些實施例中，光線24自光源12的上表面12a以及四個側面12b朝周圍發射，形成五面發光。

如第2C圖所示，更包括將光源12 (例如，立方體)設置於基板26上。光源12為多面發光，例如，五面發光。舉例來說，發光面包括光源12的上表面12a以及四個側面12b。在一些實施例中，光線24自光源12的上表面12a以及四個側面12b朝周圍發射，形成五面發光。

如第2D圖所示，於光源12 (例如，立方體)的上表面12a，更包括設置有反射層28。光源12為多面發光，例如，四面發光。舉例來說，發光面包括光源12的四個側面12b。在一些實施例中，光線24自光源12的四個側面12b朝周圍發射，形成四面發光。由於光源12的上表面12a設置有反射層28，使得自四個側面12b發射的光線24的強度可以增強。在一些實施例中，反射層28可以是分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector，DBR) 。

如第2E圖所示，於光源12 (例如，立方體)的上表面12a，更包括設置有反射層28，以及更包括將光源12設置於基板26上。光源12為多面發光，例如，四面發光。舉例來說，發光面包括光源12的四個側面12b。在一些實施例中，光線24自光源12的四個側面12b朝周圍發射，形成四面發光。由於光源12的上表面12a設置有反射層28，使得自四個側面12b發射的光線24的強度可以增強。

在一些實施例中，透鏡結構14的第一凹陷部18可包括V型凹陷部，如第1圖所示。在一些實施例中，當第一凹陷部18為V型凹陷部時，第一凹陷部18包括第一反射面30與第二反射面32，且第一反射面30與第二反射面32的夾角α介於大約85度與大約130度之間，以反射自光源12發射的光線。在一些實施例中，第一反射面30與第二反射面32的夾角α可以為85度、90度、95度、100度、105度、115度、120度、125度、或130度。

在一些實施例中，發光模組10更包括反射層34，設置於第一凹陷部18上。在一些實施例中，反射層34的厚度介於大約0.01mm與大約0.5mm之間。

請參閱第3圖，進一步說明反射層34的配置。第3圖為透鏡結構14的立體圖。

如第3圖所示，透鏡結構14包括第一凹陷部18 (位於透鏡結構14內部，請參考第1圖)與多個第二凹陷部20。第二凹陷部20位於第一凹陷部18的延伸方向上。反射層34設置於第一凹陷部18上。在一些實施例中，如第3圖所示，反射層34可由多片尺寸相異的圓形反射材料所組成，且依產品需求以特定方式分布於透鏡結構14上。在一些實施例中，反射層34完整覆蓋於第一凹陷部18上。在一些實施例中，反射層34可以是規則的點狀分布在透鏡結構14上方。在一些實施例中，反射層34可以是不規則的點狀分布在透鏡結構14上方。

在一些實施例中，透鏡結構14的第二凹陷部20的數量可包括二、三、或四，例如，透鏡結構14具有四個第二凹陷部20，如第3圖所示。值得注意的是，每一第二凹陷部20可作為透鏡結構14的發光面。

請參閱第4、5圖，進一步說明第二凹陷部20的結構特徵。第4、5圖為第二凹陷部20的剖面示意圖。

如第4圖所示，每一第二凹陷部20可包括曲面36，也就是，透鏡結構14具有多個曲面發光面，可達到多個光源點的效果。

如第5圖所示，第二凹陷部20的曲面36的中心可更包括平面38，可進一步提升透鏡結構14於第二凹陷部20處的聚光效果。

請參閱第1圖，透鏡結構14的第二表面14b包括第一區S1與第二區S2，第一區S1對應光源12，第二區S2包括反射面22，鄰近第一區S1。在一些實施例中，第一區S1可包括平面、斜面、或其組合。在一些實施例中，第二區S2可包括斜面、曲面、或其組合。

在一些實施例中，發光模組10更包括微結構40，設置於第二表面14b的第一區S1上，對應光源12。

請參閱第6A至6D圖，進一步說明微結構40的配置。第6A至6D圖為微結構40的示意圖。

如第6A圖所示，微結構40包括多個V型結構，以圓形的方式排列。

如第6B圖所示，微結構40包括多個V型結構，以縱向的方式排列。

如第6C圖所示，微結構40包括多個V型結構，以橫向的方式排列。

如第6D圖所示，微結構40包括多個V型結構，以橫向與縱向互相交疊的方式排列。

在一些實施例中，微結構40的高度介於大約0.001mm與大約0.2mm之間。在一些實施例中，微結構40之間的距離為等距離。在一些實施例中，微結構40之間的距離介於大約0.01mm與大約0.1mm之間。

在一些實施例中，透鏡結構14的厚度T介於大約2mm與大約8mm之間。在一些實施例中，透鏡結構14的厚度T可以為5mm。

在一些實施例中，光學元件組16可包括，例如，擴散板、量子點膜、結構膜、以及液晶螢幕，但本揭露不限於此，其他適合的光學元件亦可包含於本揭露中，例如，增亮膜(brightness enhancement film，BEF)。

在一些實施例中，擴散板的材料可包括聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或甲基丙烯酸甲酯(MMA)，但本揭露不限於此，其他適合的透光性聚合材料或合成材料亦可適用於本揭露。

在一些實施例中，量子點膜的材料可包括硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)、或碲化鎘(CdTe)，但本揭露不限於此，其他適合的可進行波長轉換的奈米級半導體顆粒或晶體亦可適用於本揭露。

在一些實施例中，更包括將發光模組10設置於印刷電路板(PCB) 44上。在一些實施例中，於印刷電路板44上，更包括設置有反射片46。反射片46具有腳位(支撐部)開孔46a，以供透鏡結構14設置於印刷電路板44上。

在一些實施例中，本揭露可以用於光學距離(OD，optical distance)為4以上的背光模組。光學距離OD為光學元件組16的底部16 _B到印刷電路板(PCB) 44的頂表面44 _T的距離。

在一些實施例中，在第一區S1的第二表面14b到印刷電路板(PCB) 44的底面44 _B的距離h’介於大約0.1mm與大約1mm之間。因此，可以放置光源12，例如，具有反射杯發光二極體封裝體，而不會影響透鏡結構14的安裝平整度。

請參閱第7圖，根據本揭露的一實施例，提供一種發光模組100。第7圖為發光模組100的剖面示意圖。

如第7圖所示，發光模組100包括光源120、透鏡結構140、以及光學元件組160。透鏡結構140設置於光源120上。光學元件組160設置於透鏡結構140上。透鏡結構140具有第一表面140a與第二表面140b，第二表面140b相對於第一表面140a，且第二表面140b鄰近光源120。第一表面140a包括第一凹陷部180與多個第二凹陷部200。第一凹陷部180對應光源120，第二凹陷部200位於第一凹陷部180的延伸方向上。第二表面140b具有反射面220，位於第一凹陷部180與第二凹陷部200之間。此外，透鏡結構140的第二表面140b包括第一區S1與第二區S2，第一區S1對應光源120，第二區S2包括反射面220，鄰近第一區S1。在一些實施例中，透鏡結構140具有支撐部230。在一些實施例中，支撐部230的數量為3至8個。

在一些實施例中，第一表面140a可以為霧面或亮面。

在一些實施例中，第二表面140b的斜率隨者高度(與印刷電路板(PCB) 440的距離)增加而降低。

第二凹陷部200的最低點200 _B與透鏡結構140的最高點140 _T的高度差H介於大約0.01mm與大約1mm之間。

在第7圖中，類似於第1圖所揭露的部分，此處不再贅述。其與第1圖的主要差異在於，第7圖所揭露的發光模組100其透鏡結構140的第二表面140b的第一區S1更包括形成有第三凹陷部480，包圍光源120。在一些實施例中，第7圖所揭露透鏡結構140的上方可以不包括如第1圖的反射層34。

在一些實施例中，第三凹陷部480具有平面、曲面、斜面、或其組合。在一些實施例中，第三凹陷部480具有一平面與一曲面形成一容置光源120的空間。在一些實施例中，第三凹陷部480具有一平面與一斜面形成一容置光源120的空間。在一些實施例中，第三凹陷部480的平面為入光面480 _S。第三凹陷部480的入光面480 _S與透鏡結構140的支撐部230的底部230 _B的距離H’介於大約0.2mm與大約3mm之間。

在一些實施例中，光源120的上表面120a設置有反射層280。在一些實施例中，反射層280可以是分散式布拉格反射器(distributed Bragg reflector，DBR)。

在一些實施例中，透鏡結構140可以依第一凹陷部180為中心的對稱結構。

在一些實施例中，更包括將發光模組100設置於印刷電路板(PCB) 440上。在一些實施例中，於印刷電路板440與透鏡結構140之間，更包括設置有反射片460。

在一些實施例中，本揭露可以用於光學距離(OD，optical distance)為4以上的背光模組。光學距離OD為光學元件組160的底部160 _B到印刷電路板(PCB) 440的頂表面440 _T的距離。

請參閱第8圖，根據本揭露的一實施例，提供一種燈板結構500。第8圖為燈板結構500的上視圖。

如第8圖所示，燈板結構500包括印刷電路板(PCB) 510以及多個如第1圖所示的發光模組10或如第7圖所示的發光模組100。此處以發光模組10 (其細部結構請參閱第1圖)為例作說明。發光模組10設置於印刷電路板510上。發光模組10包括多個第一發光模組10a與多個第二發光模組10b。第一發光模組10a沿第一方向L1設置於印刷電路板510上。第二發光模組10b沿第二方向L2設置於印刷電路板510上。第一方向L1與第二方向L2的夾角β為45度。第一發光模組10a與第二發光模組10b分別沿第三方向L3與第四方向L4以交替的方式排列。第三方向L3垂直於第四方向L4，且第一方向L1平行於第三方向L3。

在一些實施例中，第一發光模組10a與第二發光模組10b在第三方向L3上的間距(pitch)定義為x，第一發光模組10a與第二發光模組10b在第四方向L4上的間距(pitch)定義為y，透鏡結構14的最大長度定義為A (該參數的定義請參閱第3圖)。在一些實施例中，間距x大約為A±10mm，間距y大約為A±10mm。

請參閱第9圖，根據本揭露的一實施例，提供一種燈板結構600。第9圖為燈板結構600的剖面示意圖。

如第9圖所示，燈板結構600包括印刷電路板(PCB) 610以及多個如第1圖所示的發光模組10或如第7圖所示的發光模組100。此處以發光模組10 (其細部結構請參閱第1圖)為例作說明。發光模組10設置於印刷電路板610上。發光模組10分別沿第一方向L1’與第二方向L2’以交錯的方式排列，且第一方向L1’垂直於第二方向L2’。

在一些實施例中，發光模組10在第一方向L1’上的間距(pitch)定義為x’，發光模組10在第二方向L2’上的間距(pitch)定義為y’，透鏡結構14的最大長度定義為A (該參數的定義請參閱第3圖)。在一些實施例中，間距x’大約為0.5A±5mm，間距y’大約為A±5mm。

實施例1

本揭露單顆單面光源搭配特殊透鏡結構的視覺效果測試

本實施例以單顆單面光源搭配特殊透鏡結構進行視覺效果測試。首先，以第10圖說明光線在本實施例透鏡結構中的行進路徑。如第10圖所示，光源12自上表面發出光線24，光線24經過透鏡結構14中的第一凹陷部18後，會有部分光線24朝四周移動，再利用透鏡結構14下方的反射面22使光線24於第二凹陷部20集中出光。測試結果請參閱第11A圖。第11A圖顯示所觀察到的光型具有明顯的十字特徵，中心光源具有一個輕微亮圈特徵，而十字尾端的亮度較亮，此顯示本實施例單顆單面光源搭配透鏡的視覺效果可達5顆光源的效果。

比較例1

傳統單面光源未搭配特殊透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試

本比較例以單面光源未搭配特殊透鏡結構組成的發光模組進行視覺效果測試。測試結果請參閱第11B圖。第11B圖顯示所觀察到，光學面上點光源明顯，且光線強弱差異過大，光學面上亮暗區明顯(量測點位上採用美國國家標準協會(ANSI)所定義之9點取得亮度平均值)。

實施例2

本揭露單面光源搭配特殊透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試

本實施例以單面光源搭配特殊透鏡結構組成的發光模組進行視覺效果測試。測試結果請參閱第11C圖。第11C圖顯示所觀察到的，光學面無明顯點光源，且光線強弱差異較小，無法明顯看到亮暗區，均勻度較優(量測點位上採用美國國家標準協會(ANSI)所定義之9點取得亮度平均值)，此顯示本揭露發光模組的擴光效果佳，可達到視覺上品味均勻的效果。

實施例3

本揭露單顆多面光源搭配特殊透鏡結構的視覺效果測試

本實施例以單顆多面光源搭配特殊透鏡結構進行視覺效果測試。首先，以第12圖說明光線在本實施例透鏡結構中的行進路徑。如第12圖所示，光源120自上表面及側面發出光線240，光線240經過透鏡結構140中的第一凹陷部180後，會有部分光線240朝四周移動，再利用透鏡結構140下方的反射面220使光線240於第二凹陷部200集中出光。測試結果請參閱第13A圖。第13A圖顯示所觀察到的光型偏向矩形光型，中間亮度較亮，並於矩形四邊的中心出現小亮點，矩形四角也有輕微亮點特徵，此顯示本實施例單顆多面光源搭配透鏡的視覺效果有明顯擴開的情況。

比較例2

傳統多面光源未搭配特殊透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試

本比較例以多面光源未搭配特殊透鏡結構組成的發光模組進行視覺效果測試。測試結果請參閱第13B圖。第13B圖顯示所觀察到，光學面上點光源明顯，且光線強弱差異過大，光學面上亮暗區明顯(量測點位上採用美國國家標準協會(ANSI)所定義之9點取得亮度平均值)。

實施例4

本揭露多面光源搭配特殊透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試

本實施例以多面光源搭配特殊透鏡結構組成的發光模組進行視覺效果測試。測試結果請參閱第13C圖。第13C圖顯示所觀察到，光學面點光源較密集，無法明顯看到亮暗區，均勻度較優(量測點位上採用美國國家標準協會(ANSI)所定義之9點取得亮度平均值)。此顯示本揭露發光模組的擴光效果佳，可達到視覺上品味均勻的效果。

雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露實施例內容中理解，現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以與在此處所述實施例中實現大抵相同功能或獲得大抵相同結果者皆可根據本揭露實施例使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。此外，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定為準。

10,100:發光模組 10a:第一發光模組 10b:第二發光模組 12,120:光源 12a,120a:光源的上表面 12b:光源的側面 14,140:透鏡結構 14a,140a:透鏡結構的第一表面 14b,140b:透鏡結構的第二表面 14 _T,140 _T:透鏡結構的最高點 16,160:光學元件組 16 _B,160 _B:光學元件組的底部 18,180:第一凹陷部 20,200:第二凹陷部 20 _B,200 _B:第二凹陷部的最低點 22,220:反射面 23,230:支撐部 24:光線 26:基板 28,34,280:反射層 30:第一反射面 32:第二反射面 36:曲面 38:平面 40:微結構 44,440,510,610:印刷電路板 44 _B:印刷電路板的底面 44 _T,440 _T:印刷電路板的頂表面 46,460:反射片 46a:腳位開孔 230 _B:支撐部的底部 480:第三凹陷部 480 _S:第三凹陷部的平面 500,600:燈板結構 A:透鏡結構的最大長度 h,H:第二凹陷部最低點與透鏡結構最高點的高度差 h’:在第一區的第二表面與印刷電路板底面的距離 H’:第三凹陷部的平面與支撐部底部的距離 L1,L1’:第一方向 L2,L2’:第二方向 L3:第三方向 L4:第四方向 OD:光學元件組底部與印刷電路板頂表面的距離 S1:第一區 S2:第二區 T:透鏡結構的厚度 x:第一發光模組與第二發光模組在第三方向上的間距 x’:發光模組在第一方向上的間距 y:第一發光模組與第二發光模組在第四方向上的間距 y’:發光模組在第二方向上的間距 α:第一反射面與第二反射面的夾角 β:第一方向與第二方向的夾角

第1圖係根據本揭露的一實施例，一種發光模組的剖面示意圖；第2A圖係根據本揭露的一實施例，一種光源發光方式的剖面示意圖；第2B圖係根據本揭露的一實施例，一種光源發光方式的剖面示意圖；第2C圖係根據本揭露的一實施例，一種光源發光方式的剖面示意圖；第2D圖係根據本揭露的一實施例，一種光源發光方式的剖面示意圖；第2E圖係根據本揭露的一實施例，一種光源發光方式的剖面示意圖；第3圖係根據本揭露的一實施例，一種透鏡結構的立體圖；第4圖係根據本揭露的一實施例，一種透鏡結構中第二凹陷部的剖面示意圖；第5圖係根據本揭露的一實施例，一種透鏡結構中第二凹陷部的剖面示意圖；第6A圖係根據本揭露的一實施例，一種微結構的示意圖；第6B圖係根據本揭露的一實施例，一種微結構的示意圖；第6C圖係根據本揭露的一實施例，一種微結構的示意圖；第6D圖係根據本揭露的一實施例，一種微結構的示意圖；第7圖係根據本揭露的一實施例，一種發光模組的剖面示意圖；第8圖係根據本揭露的一實施例，一種燈板結構的上視圖；第9圖係根據本揭露的一實施例，一種燈板結構的上視圖；第10圖係根據本揭露的一實施例，顯示光線在透鏡結構中的行進路徑；第11A圖係根據本揭露的一實施例，顯示單顆單面光源搭配本揭露透鏡結構的視覺效果測試；第11B圖係根據本揭露的一實施例，顯示單面光源未搭配本揭露透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試；第11C圖係根據本揭露的一實施例，顯示單面光源搭配本揭露透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試；第12圖係根據本揭露的一實施例，顯示光線在透鏡結構中的行進路徑；第13A圖係根據本揭露的一實施例，顯示單顆多面光源搭配本揭露透鏡結構的視覺效果測試；第13B圖係根據本揭露的一實施例，顯示多面光源未搭配本揭露透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試；第13C圖係根據本揭露的一實施例，顯示多面光源搭配本揭露透鏡結構組成的發光模組的視覺效果測試。

10:發光模組

12:光源

14:透鏡結構

14a:透鏡結構的第一表面

14b:透鏡結構的第二表面

14_T:透鏡結構的最高點

16:光學元件組

16_B:光學元件組的底部

18:第一凹陷部

20:第二凹陷部

20_B:第二凹陷部的最低點

22:反射面

23:支撐部

30:第一反射面

32:第二反射面

34:反射層

40:微結構

44:印刷電路板

44_B:印刷電路板的底面

44_T:印刷電路板的頂表面

46:反射片

46a:腳位開孔

h:第二凹陷部最低點與透鏡結構最高點的高度差

h’:在第一區的第二表面與印刷電路板底面的距離

OD:光學元件組底部與印刷電路板頂表面的距離

S1:第一區

S2:第二區

T:透鏡結構的厚度

α:第一反射面與第二反射面的夾角

Claims

一種發光模組，包括：一光源；以及一透鏡結構，設置於該光源上，其中該透鏡結構具有一第一表面與一第二表面，該第二表面相對於該第一表面，且該第二表面鄰近該光源，其中該第一表面包括一第一凹陷部與多個第二凹陷部，該第一凹陷部對應該光源，該等第二凹陷部位於該第一凹陷部的延伸方向上，以及該第二表面具有一反射面，位於該第一凹陷部與該等第二凹陷部之間，其中該第一凹陷部包括一第一反射面與一第二反射面，且該第一反射面與該第二反射面的夾角介於85度與130度之間。
如請求項1所述之發光模組，其中該第一凹陷部包括一V型凹陷部。
如請求項1所述之發光模組，更包括一反射層，設置於該第一凹陷部上。
如請求項3所述之發光模組，其中該反射層的厚度介於0.01mm與0.5mm之間。
如請求項1所述之發光模組，其中該等第二凹陷部的數量包括二、三、或四。
如請求項1所述之發光模組，其中每一該等第二凹陷部包括一曲面。
如請求項6所述之發光模組，其中該曲面的中心包括一平面。
如請求項1所述之發光模組，其中該第二表面包括一第一區與一第二區，該第一區對應該光源，該第二區包括該反射面，鄰近該第一區，且該第一區包括一平面、一斜面、或其組合，該第二區包括一斜面、一曲面、或其組合。
如請求項8所述之發光模組，其中該第二表面的該第一區更包括一第三凹陷部，包圍該光源。