TWI883710B - 靜壓墊、研磨設備及矽片 - Google Patents

Abstract

本發明實施例公開了一種靜壓墊、研磨設備及矽片，所述靜壓墊用於在矽片雙面研磨設備中成對地夾持所述矽片的兩側，所述靜壓墊包括：具有朝向所述矽片的固定平面的基座；在所述固定平面上沿豎直方向均勻分佈並且從所述固定平面伸出的多個靜壓塊，所述多個靜壓塊通過流體向所述矽片提供靜壓力以對所述矽片一側進行非接觸地支撐；驅動模塊，所述驅動模塊經配置成當每個靜壓塊的末端所構成的第一平面不與所述矽片所在的目標平面平行時，所述驅動模塊驅動每個靜壓塊沿垂直於所述固定平面的方向移動，以使得所述第一平面與所述目標平面平行。

Description

靜壓墊、研磨設備及矽片 相關申請案

本發明請主張在2023年3月31日在中國提交的中國專利申請No.202310340170.3的優先權，其全部內容通過引用包含於此。

本發明涉及半導體製造技術領域，尤其涉及靜壓墊、研磨設備及矽片。

半導體矽片的生產工藝通常包括拉晶、線切割、研磨、拋光等處理過程。雙面研磨作為一種研磨工藝用於同時對矽片的兩個主表面進行研磨以使矽片具有高度平整表面。在雙面研磨過程中，需要使用專用裝置來保持矽片，以便於研磨輪對矽片的兩個主表面同時進行研磨。通常，這種保持裝置包括對向設置的一對流體靜壓支撐件，矽片沿豎向方向設置在兩個流體靜壓支撐件之間，流體靜壓支撐件可以在其自身與矽片的主表面之間形成流體屏障，以便使矽片能夠在不與兩個流體靜壓支撐件接觸的情況下被保持豎立，與此同時，可以利用對置的研磨輪對矽片的兩個主表面進行研磨。相比於物理夾持，流體靜壓支撐件的流體夾持方式減少了對矽片的損傷，並使得矽片以較小的摩擦相對於流體靜壓支撐件表面在切向上移動(轉動)。

在雙面研磨設備中需要調整對置的一對研磨輪的角度，以對矽片的平坦度進行修整，在調節研磨輪的過程中，當左右一對研磨輪的偏轉角太大時，在研磨輪直接接觸矽片的情況下導致矽片發生傾斜，又或者當使用 上述專用裝置來保持矽片時也會因為機械結構的不穩定性導致矽片發生傾斜，在這種情況下，由於一對靜壓支撐件之間的間距固定，單側的靜壓支撐件與矽片之間的距離固定，因此矽片會與靜壓支撐件發生接觸，導致矽片和靜壓支撐件進行摩擦，使得矽片的平坦度惡化，甚至碎片的發生。

在研磨結束後，矽片會被下料裝置抵靠在靜壓支撐件進行下料，用於保持矽片的專用裝置驅動矽片移動至抵靠靜壓支撐件，矽片抵靠靜壓支撐件的一側由靜壓支撐件吸附保持，由於在加工過程中加工殘渣會濺射到靜壓支撐件又或者矽片表面潔淨度較差，導致矽片與靜壓支撐件接觸時導致矽片表面污染，使得矽片表面出現大量凹坑狀缺陷。

為解決上述技術問題，本發明實施例期望提供一種靜壓墊、研磨設備及矽片，通過在雙面研磨過程中實時通過改變所述靜壓墊的構型以調整所述靜壓墊與所述矽片的間距，用以確保研磨過程的穩定性，提升產品品質，同時減小所述靜壓墊吸附所述矽片的面積，改善矽片的表面損傷。

本發明的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本發明提供了一種靜壓墊，所述靜壓墊用於在矽片雙面研磨設備中成對地夾持所述矽片的兩側，所述靜壓墊包括：具有朝向所述矽片的固定平面的基座；在所述固定平面上沿豎直方向均勻分佈並且從所述固定平面伸出的多個靜壓塊，所述多個靜壓塊通過流體向所述矽片提供靜壓力以對所述矽片一側進行非接觸地支撐；驅動模塊，所述驅動模塊經配置成當每個靜壓塊的末端所構成的第一平面不與所述矽片所在的目標平面平行時，所述驅動模塊驅動每個靜壓塊沿垂直於所述固定平面的方向移動，以使得所述第一平面與所述目標平面平行。

可選地，所述靜壓墊還包括設置在所述固定平面上的支撐塊，所述支撐塊能夠沿垂直於所述固定平面的方向移動以凸出所述固定平面，所述支撐塊經構造成基於所述固定平面所述支撐塊的凸出高度大於所述多個靜壓塊中任一靜壓塊的凸出高度。

可選地，所述支撐塊的端部設置有多個吸附孔，所述吸附孔經構造成通孔真空對所述矽片進行吸附。

可選地，所述靜壓墊還包括感測器和控制器，所述感測器用於感測所述目標平面的空間位置，所述控制器基於所述目標平面的空間位置向所述驅動模塊發送控制信號，所述驅動模塊依據所述控制信號驅動所述多個靜壓塊移動，以使得所述第一平面與所述目標平面平行。

可選地，所述感測器為壓力感測器，所述壓力感測器用於感測所述矽片受到所述靜壓力的變化，從而獲得所述矽片的空間姿態。

可選地，所述感測器為距離感測器，所述距離感測器用於感測所述矽片與所述第一平面之間的間距，從而獲得所述矽片的空間姿態。

可選地，每個靜壓塊的端部設置有多個通孔，所述通孔經配置成供所述流體流出以非接觸的方式支撐所述矽片。

可選地，所述驅動模塊包括用於驅動所述靜壓塊移動的液壓驅動單元或氣壓驅動單元。

第二方面，本發明提供了一種研磨設備，所述研磨設備用於對矽片進行雙面研磨，所述研磨設備包括：用於沿豎直方向承載所述矽片的承載件；關於所述承載件對稱設置的兩個研磨輪；關於所述承載件對稱設置的兩個上述的靜壓墊。

第三方面，本發明提供了一種矽片，所述矽片通過使用上述研磨設備獲得。

本發明實施例提供了一種靜壓墊、研磨設備及矽片，所述靜壓墊包括基座、能夠伸縮以凸出所述基座表面的多個靜壓塊和用於驅動所述靜壓塊移動的驅動模塊，多個所述靜壓塊的末端所構成的第一平面用於向矽片提供靜壓力以保持所述矽片，所述靜壓墊能夠根據所述矽片所在的目標平面調節多個所述靜壓塊的伸縮長度以改變所述第一平面的空間位置，使得所述第一平面和所述目標平面平行，從而保證所述矽片發生較大的傾斜的情況下，所述靜壓墊不會與所述矽片發生觸碰，避免導致碎片和/或靜壓墊損壞的情況發生。另外，通過支撐塊減小所述靜壓墊對所述矽片的吸附面積，改善所述矽片的背面損傷。

10:靜壓墊

11:基座

12:靜壓塊

20:靜壓墊

30:立式研磨設備

31:研磨輪

32:流體靜壓墊

W:矽片

A:固定平面

B:一平面

C:目標平面

L:流體

T:通孔

圖1為相關技術中一種立式研磨設備的結構示意圖；圖2為本發明實施例中一種研磨墊的結構示意圖；圖3為使用本發明實施例中一種研磨墊夾持傾斜的矽片的示意圖；圖4為本發明實施例中一種研磨墊的形狀示意圖。

下面將結合本發明實施例中的圖式，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。

隨著矽片直徑越來越大的同時集成電路特徵尺寸越來越小，矽片表面的平坦度及潔淨度有了更高的要求，同時矽片表面損傷度也提出了更高的要求。雙面研磨是指同時對矽片兩面進行研磨，從而產出具有高度平整表面的矽片，在使用立式研磨設備進行雙面研磨的期間，需要使用矽片夾持 裝置將矽片保持直立，所述夾持裝置通常包括一對流體靜壓墊，所述一對流體靜壓墊設置成用於向放置於二者之間的所述矽片的兩個側面同時施加流體壓力，從而以非接觸的方式支承所述矽片，在所述立式研磨設備中用於打磨所述矽片的研磨裝置包括對向設置的一對研磨輪，所述一對研磨輪在矽片被所述一對流體靜壓墊支承的情況下按照預定的研磨軌跡同時對矽片的兩個側面進行研磨。

在使用立式研磨設備對矽片進行雙面研磨時，所述矽片會發生期望地或者不期望地發生傾斜，例如，需要對所述矽片的平坦度進行修整，則通過將所述一對研磨輪進行偏轉角調整實現對所述矽片表面平坦度的修整，具體地，參見圖1，其示出了相關技術中立式研磨設備的示意圖，其中，所述立式研磨設備30包括一對研磨輪31和一對流體靜壓墊32，所述一對流體靜壓墊32通過流體L對所述矽片W進行非接觸支撐，所述一對研磨輪31需要沿著同一方向進行偏轉以調節所述矽片W的表面平坦度，在這種情況下，所述一對研磨輪31會帶動所述矽片W發生相同偏轉角度的偏轉，此時，所述矽片W會與所述一對流體靜壓墊32的表面發生觸碰，影響所述矽片W的質量或者導致碎片的發生。

在加工結束後，所述一對研磨輪31延其自身中心軸線遠離所述矽片W退回至初始位置，所述矽片W會被真空壓力吸附在所述一對流體靜壓墊32中的任一側靜壓墊上，等待用於下料的機械臂從相反一側吸附所述矽片W後，靜壓墊停止吸附，完成取片。但是在加工過程中有較多殘渣會濺射到所述一對流體靜壓墊32上，所述一對流體靜壓墊32並不具備自清潔功能，所以當所述矽片W和所述靜壓墊接觸時導致所述矽片W的表面會產生大量凹坑狀缺陷，其次，矽片W表面攜帶的污染物也會導致同樣的情況發生。

為了解決上述技術問題，參見圖2至圖4，本發明提供了一種靜 壓墊10，所述靜壓墊10能夠根據矽片W的空間姿態確定出所述矽片W處於的目標平面C的位置，所述靜壓墊10基於所述目標平面C調節所述靜壓墊10的姿態以使得所述靜壓墊10與所述目標平面C平行，從而避免當所述矽片W發生傾斜與所述靜壓墊10接觸從而影響所述矽片W質量或者碎片的發生，同時，所述靜壓墊10在所述矽片W下料的過程中減小用於支承所述矽片W的接觸面積以減少所述矽片W的背面損傷。

具體地，參見圖2和圖3，所述靜壓墊10包括基座11、多個靜壓塊12和驅動模塊(未示出)，所述基座11具有朝向所述矽片W的固定平面A，所述多個靜壓塊12沿豎直方向均勻分佈在所述固定平面A上，所述多個靜壓塊12通過所述驅動模塊能夠沿著垂直於所述固定平面A的方向移動以使得所述多個靜壓塊12中的每個靜壓塊12的末端所組成的第一平面B與所述矽片W處於的目標平面C平行，其中，所述多個靜壓塊12的數量為至少兩個靜壓塊12。所述靜壓墊10通過改變所述多個靜壓塊12凸出所述固定平面A的高度改變所述第一平面B的空間姿態，當所述矽片W發生傾斜時，及時通過上述結構改變所述第一平面B的空間姿態，以使得所述第一平面B與所述目標平面C平行。

可選地，所述靜壓墊10還包括用於支承所述矽片W的支撐塊(未示出)，所述支撐塊在所述驅動模塊的驅動下能夠凸出所述基座11的固定平面A，當所述矽片W被機械手下料時，所述矽片W移動至抵靠所述靜壓墊10，所述支撐塊凸出所述固定平面A，並且所述支撐塊基於所述固定平面A的凸出高度大於所述多個靜壓塊12基於固定平面A的伸出高度，以使得所述支撐塊能夠先於所述多個靜壓塊12中的每一個靜壓塊12接觸所述矽片W向所述矽片W提供支撐力，從而減小所述靜壓墊10用於支承所述矽片W的面積，避免所述矽片W背面產生損傷。

當用於研磨所述矽片W的受關聯部件發生了移動，致使所述矽 片W在研磨過程中發生傾斜，為了避免所述矽片W與所述靜壓墊10發生接觸影響所述矽片W的質量或碎片的發生，不同於常規的流體靜壓墊，本發明實施例所提供的靜壓墊10能夠通過改變所述靜壓墊10朝向所述矽片W一側的相關聯部件的構型，使得所述靜壓墊10朝向所述矽片W一側的表面始終處於與所述矽片W的平行狀態，同時，為了避免在卸下所述矽片W的過程中劃傷所述矽片W表面，導致所述矽片W表面產生損傷，所述靜壓墊10還減小了用以支撐所述矽片W的相關聯部件的面積。

具體地，為了對所述靜壓墊10的各部件進行穩定支撐以使靜壓墊10能夠穩定地支承所述矽片W，所述基座11通常由金屬製成，參見圖2和圖3，所述基座11具有固定平面A和中心軸線(未示出)，所述固定平面A為所述基座11朝向所述矽片W的表面，所述固定平面A處於豎直平面，所述中心軸線垂直於所述固定平面A，所述多個靜壓塊12豎直方向均勻地分佈在所述固定平面A並且從所述固定平面A凸出，參見圖2至圖4，所述多個靜壓塊12經構造成沿豎直方向等長，參見圖4，所述多個靜壓塊12在所述固定平面A上拼接成與所述基座11形狀一致。

在所述矽片W未發生傾斜之前，所述多個靜壓塊12以相同高度凸出所述固定平面A的方式向所述矽片W提供靜壓力以支撐所述矽片W，所述第一平面B與所述目標平面C平行，參見圖2，所述第一平面B處於豎直平面內，其中，所述多個靜壓塊12通過流體對所述矽片W一側進行非接觸地支撐，當所述矽片W發生傾斜時，所述矽片W的空間姿態發生變化，導致所述矽片W處於的目標平面C發生變化，示意性地，參見圖3，所述矽片W沿順時針方向發生了傾斜，當使用常規流體靜壓墊時，所述矽片W發生傾斜會與所述靜壓墊發生接觸從而導致矽片W研磨質量變差或者碎片的發生。然而，在本發明的實施例中，當所述矽片W沿順時針方向發生傾斜時，即所述第一平面B與所述目 標平面C不再平行，所述多個靜壓塊12在驅動模塊的驅動下沿所述基座11的中心軸線延伸，以使得所述第一平面B和所述目標平面C平行，從而避免所述矽片W與所述靜壓塊接觸，防止所述矽片W研磨質量受影響或者碎片的發生。

具體地，當所述第一平面B和所述目標平面C不再平行時，所述多個靜壓塊12在所述驅動模塊的驅動下沿著所述中心軸線方向凸出所述固定平面A不同距離，以使得所述多個靜壓塊12中的每一個靜壓塊的端部沿所述中心軸線移動至不同的位置，從而改變每一個靜壓塊的端部組成的第一平面B的空間位置。示意性地，參見圖2和圖3，所述多個靜壓塊12沿豎直方向從上至下共包括五個靜壓塊，在所述矽片W發生傾斜之前，五個靜壓塊以凸出所述固定平面A相同高度的方式設置在所述固定平面A上，五個靜壓塊的端部所組成的第一平面B處於豎直平面內向所述矽片W一側噴射流體，以靜壓力支撐所述矽片W的一側。當所述矽片W發生如圖3所示的傾斜時，五個靜壓塊由上至下依次以伸出的距離均勻遞加的方式沿著所述中心軸線朝向所述矽片W延伸，使得五個靜壓塊末端組成的第一平面B也沿順時針方向傾斜。需要注意的是，五個靜壓塊在所述驅動模塊的驅動下不限定於沿所述中心軸線朝向所述矽片W延伸，五個靜壓塊中的任意靜壓塊也可以沿所述中心軸線方向遠離所述矽片W收縮，從而達到改變所述第一平面B空間位置的效果。

需要注意的是，在雙面研磨裝置中，矽片W的不同側都設置有靜壓墊10提供流體靜壓以支撐所述矽片W。對於本領域技術人員來說，容易理解的是，當所述矽片W兩側的靜壓墊10需要發生傾斜時，兩個靜壓墊10中各自第一平面B的傾斜方向和傾斜角度是一致的，但是分別用於實現上述傾斜的靜壓塊的伸縮狀態時不同的，示意性地，參見圖3，設置在所述矽片W右側的多個靜壓塊12組成的第一平面B沿著順時針的方向傾斜，設置在所述矽片W左側的多個靜壓塊12組成的第一平面B同樣沿著順時針的方向傾斜，但是分別 用於實現兩個第一平面B傾斜的多個靜壓塊12的伸縮狀態是不同的。

所述驅動模塊包括用於驅動每一個靜壓塊12移動驅動單元，所述驅動單元可選用液壓驅動裝置或氣壓驅動裝置或其他能夠實現所述靜壓塊移動的驅動裝置，示意性地，所述驅動單元選用通過電機驅動的螺桿裝置，所述螺桿裝置設置在所述基座11內，所述螺桿裝置中的螺桿一端連接至所述靜壓塊12遠離所述矽片W的一端，所述螺桿裝置在所述電機的驅動下能夠沿所述中心軸線方向伸縮，帶動所述靜壓塊沿所述中心軸線方向移動。

為了精確獲得所述目標平面C的具體空間位置以作為所述靜壓塊伸縮的基準，所述靜壓墊10還包括感測器(未示出)和控制器(未示出)，所述感測器用於感測所述矽片W的空間姿態以獲得所述目標平面C的具體位置信息，所述控制器用於依據所述目標平面C的位置信息向所述驅動模塊發送控制信號，以使得所述驅動模塊中的每個驅動單元帶動每一個相應的靜壓塊伸縮，從而實現所述第一平面B的傾斜，使得所述第一平面B和所述目標平面C平行。

具體地，所述感測器為壓力感測器，所述壓力感測器用於感測所述矽片W受到的靜壓力，所述靜壓力由所述多個靜壓塊12穩定提供、即所述多個靜壓塊12流出的流體向所述矽片W的一側施加靜壓力作為支撐所述矽片W的支撐力。當所述第一平面B與所述目標平面C平行時，所述矽片W上每一處所受到的靜壓力大小相等、方向相同；當所述矽片W發生傾斜時，所述壓力感測器感測到所述矽片W受到的靜壓力變化，所述壓力感測器通過感測不同大小靜壓力的分佈判斷所述矽片W發生了傾斜，並根據所述矽片W上受到不同大小靜壓力的分佈得知所述矽片W相對於之前位置的變化，從而獲得所述矽片W傾斜後的新的目標平面C的空間位置，所述控制器基於所述新的目標平面C向所述驅動模塊發送控制信號，所述驅動模塊基於所述控制信號控制每一個 驅動單元伸縮使得相應的每一個靜壓塊沿所述中心軸線方向伸縮，以使得所述第一平面B傾斜至與所述目標平面C平行。

在本發明的另一實施例中，所述感測器為距離感測器，所述距離感測器用於直接測量所述矽片W上的每一處與所述基座11的固定平面A之間的距離，在這裡，所述距離指的是所述矽片W上的每一處與所述固定平面A之間的直線距離，所述直線為水平直線。當所述矽片W上的每一處與所述固定平面A之間的距離不一致時，便判斷所述矽片W發生了傾斜，所述距離感測器依據所述矽片W上的每一處與所述固定平面A之間的距離獲得所述目標平面C與所述固定平面A之間的夾角，所述控制器基於所述夾角向所述驅動模塊發送控制信號，所述驅動模塊基於所述控制信號控制每一個驅動單元伸縮使得相應的每一個靜壓塊沿所述中心軸線方向伸縮，以使得所述第一平面B傾斜至與所述目標平面C平行。

可選地，參見圖4，每個靜壓塊上均勻地設置有多個通孔T，所述通孔T用於使流體在壓力的作用下穿過靜壓塊的端面噴射至矽片W朝向與靜壓塊的一側，使得所述矽片W能夠通過流體靜壓被支承。需要注意的是，在雙面研磨裝置中，矽片W的不同側都提供有流體靜壓，如圖3中示出的，根據本發明的實施例的靜壓墊10與另一靜壓墊10分別設置在矽片W的不同側並共同為矽片W提供流體靜壓。

可選地，所述靜壓塊包括流體壓力驅動單元，所述流體壓力驅動單元經構造成：當所述靜壓塊對所述矽片W處於所述目標平面C中的表面施加靜壓力時，所述流體壓力驅動單元分別控制每個靜壓塊中流體的壓力，以使得每個靜壓塊始終對所述矽片W處於所述目標平面C中的表面施加大小相等且恒定的靜壓力。具體地，所述流體壓力驅動單元包括用於容納流體的壓力缸、加壓單元和傳感器，其中，所述加壓單元用於以設定的壓力恒定地將 所述流體噴射出所述通孔T，所述傳感器經配置成檢測所述矽片W對所述流體的反作用力，並且所述加壓單元設置成能夠根據所述傳感器的檢測結果控制所述流體噴射出所述通孔T時的壓力，以使得每個靜壓塊始終對所述矽片W的處於所述目標平面C中的表面施加恒定的靜壓力。

當所述矽片W通過上述靜壓墊10完成研磨過程後，所述矽片W以被機械手臂夾持的方式進行下料，所述機械手臂驅動所述矽片W靠近所述靜壓墊10，並抵靠至所述靜壓墊10以真空吸附的方式實現對所述矽片W的保持。為了避免所述矽片W抵靠至所述靜壓墊10一側的表面產生劃痕或其他因為異物摩擦導致的物理劃傷缺陷，所述靜壓墊10還包括支撐塊，所述支撐塊用在當所述矽片W抵靠所述靜壓墊10時凸出所述固定平面A接觸所述矽片W，所述支撐塊設置在所述基座11靠近所述矽片W的一側、即所述固定平面A上，所述支撐塊在所述驅動模塊的驅動下能夠沿著所述中心軸向方向伸縮。當所述多個靜壓塊12保持所述矽片W時，所述支撐塊收縮至所述基座11內部避免影響所述多個靜壓塊12用於對所述矽片W進行位置固定的流體的穩定性，同時也能夠減少所述支撐塊端面附著殘渣和/或廢屑；當所述矽片W需要下料時，所述支撐塊延伸凸出所述基座11的固定平面A與所述矽片W接觸。為了保證所述支撐塊能夠先於所述多個靜壓塊12接觸所述矽片W，所述支撐塊經構造成：以所述固定平面A為基準，所述支撐塊凸出於所述固定平面A的高度大於所述多個靜壓塊12中任一靜壓塊凸出於所述固定平面A的高度。

可選地，為了進一步增強所述支撐塊和所述矽片W的抵接穩定性，所述支撐塊遠離所述矽片W一端連接有真空裝置，所述支撐塊靠近所述矽片W的一端開設有多個吸附孔，所述支撐塊通過吸附孔以真空吸附的方式吸附所述矽片W。

可選地，所述支撐塊靠近所述矽片W的一端由橡膠或其他柔性 材料製成或者由上述材料包裹以進一步避免劃傷速技術矽片W表面。

本發明的實施例公開了一種靜壓墊10，所述靜壓墊10包括基座11、多個靜壓塊12和驅動模塊，所述多個靜壓塊12中的每一個靜壓塊的靠近所述矽片W的端部設置有通孔T，所述通孔T用於供流體流出以非接觸的方式支撐所述矽片W，所述驅動模塊包括用於驅動每個靜壓塊移動的驅動單元，每個靜壓塊在所述驅動單元的驅動下能夠靠近或遠離所述矽片W，所述靜壓墊10還包括感測器和控制器，當所述矽片W處於期望或者不期望的原因發生傾斜時，其表徵為所述矽片W在空間中所處的目標平面C發生改變，所述感測器用於感測所述矽片W發生的變化以獲得所述目標平面C新的空間位置，所述控制器基於所述目標平面C新的空間位置向所述驅動模塊發送控制信號，所述驅動模塊基於所述控制信號驅動所述多個靜壓塊12沿水平方向移動，直至每個靜壓塊的末端所構成的第一平面B與所述矽片W傾斜後所在的目標平面C平行。

通過上述靜壓墊10能夠實時調整靜壓墊10與矽片W之間的間距，時刻保持所述靜壓墊10與所述矽片W平行，從而確保研磨過程的穩定性，提升產品品質。需要注意的是，在使用上述靜壓墊10時，所述矽片W的不同側均設置有所述靜壓墊10提供流體靜壓以支撐所述矽片W，位於所述矽片W兩側的靜壓墊10調節原理相同，其最終實現的技術效果均能夠使得所述靜壓墊10與所述矽片W平行。

基於上述靜壓墊10，本發明實施例還提供了一種研磨設備，所述研磨設備用於對矽片W進行雙面研磨，所述研磨設備包括承載件、一對研磨輪和一對上述的靜壓墊10。所述承載件用於沿豎直方向保持所述矽片W；所述一對研磨輪關於所述承載件對稱設置在所述矽片W兩側；一對上述的靜壓墊10關於所述承載件對稱設置在所述矽片W兩側。具體地，參見圖4，所述靜壓 墊10外形經構造成月牙狀，這是為了在矽片W雙面研磨裝置中將磨輪設置在圓形的缺口處，所述一對磨輪通過繞公共旋轉軸線旋轉對被所述承載件承載並且通過一對靜壓墊10支承的矽片W的兩個主表面進行研磨，磨輪可以在不對矽片W進行研磨時縮回到研磨墊的圓形的缺口中。

基於上述一種研磨設備，本發明實施例還提供了一種矽片W，所述矽片W通過使用上述的一種研磨設備獲得。

需要說明的是：本發明實施例所記載的技術方案之間，在不衝突的情況下，可以任意組合。

以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。因此，本發明的保護範圍應以所述申請專利範圍的保護範圍為准。

10:靜壓墊

11:基座

12:靜壓塊

20:靜壓墊

W:矽片

A:固定平面

B:第一平面

C:目標平面

Claims (10)

1. 一種靜壓墊，所述靜壓墊用於在矽片雙面研磨設備中成對地夾持所述矽片的兩側，所述靜壓墊包括： 具有朝向所述矽片的固定平面的基座； 在所述固定平面上沿豎直方向均勻分佈並且從所述固定平面伸出的多個靜壓塊，所述多個靜壓塊通過流體向所述矽片提供靜壓力以對所述矽片一側進行非接觸地支撐； 驅動模塊，所述驅動模塊經配置成當每個靜壓塊的末端所構成的第一平面不與所述矽片所在的目標平面平行時，所述驅動模塊驅動每個靜壓塊沿垂直於所述固定平面的方向移動，以使得所述第一平面與所述目標平面平行。
2. 如請求項1所述的靜壓墊，其中，所述靜壓墊還包括設置在所述固定平面上的支撐塊，所述支撐塊能夠沿垂直於所述固定平面的方向移動以凸出所述固定平面，所述支撐塊經構造成基於所述固定平面所述支撐塊的凸出高度大於所述多個靜壓塊中任一靜壓塊的凸出高度。
3. 如請求項2所述的靜壓墊，其中，所述支撐塊的端部設置有多個吸附孔，所述吸附孔經構造成通孔真空對所述矽片進行吸附。
4. 如請求項1或2所述的靜壓墊，其中，所述靜壓墊還包括感測器和控制器，所述感測器用於感測所述目標平面的空間位置，所述控制器基於所述目標平面的空間位置向所述驅動模塊發送控制信號，所述驅動模塊依據所述控制信號驅動所述多個靜壓塊移動，以使得所述第一平面與所述目標平面平行。
5. 如請求項4所述的靜壓墊，其中，所述感測器為壓力感測器，所述壓力感測器用於感測所述矽片受到所述靜壓力的變化，從而獲得所述矽片的空間姿態。
6. 如請求項4所述的靜壓墊，其中，所述感測器為距離感測器，所述距離感測器用於感測所述矽片與所述第一平面之間的間距，從而獲得所述矽片的空間姿態。
7. 如請求項1或2所述的靜壓墊，其中，每個靜壓塊的端部設置有多個通孔，所述通孔經配置成供所述流體流出以非接觸的方式支撐所述矽片。
8. 如請求項1或2所述的靜壓墊，其中，所述驅動模塊包括用於驅動所述靜壓塊移動的液壓驅動單元或氣壓驅動單元。
9. 一種研磨設備，所述研磨設備用於對矽片進行雙面研磨，所述研磨設備包括： 用於沿豎直方向承載所述矽片的承載件； 關於所述承載件對稱設置的兩個研磨輪； 關於所述承載件對稱設置的兩個如請求項1至8中的任一項所述的靜壓墊。
10. 一種矽片，所述矽片通過使用請求項9所述的研磨設備獲得。