TWI883205B - 包括被配置為散熱器的引線鍵合的封裝 - Google Patents

Abstract

一種封裝，其包括基板、整合元件、複數個第一引線鍵合、至少一個第二引線鍵合、以及包封層。該整合元件耦合到該基板。該複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件以及該基板。該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一條電路徑。該至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件。該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的電路電連接。該包封層位於該基板及該整合元件之上。該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。

Description

包括被配置為散熱器的引線鍵合的封裝

本專利申請案主張於2020年7月28日在美國專利商標局提交的待決非臨時申請案第16/941,487號的優先權和權益。

各種特徵係關於包括整合元件的封裝，更特定言之係關於包括整合元件、基板以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝。

圖1圖示了包括基板102、整合元件104和包封層108的封裝100。基板102包括至少一個介電層120、複數個互連122和複數個焊料互連124。複數個焊料互連144被耦合到基板102和整合元件104。整合元件104可以是倒裝晶片。包封層108包封整合元件104和該複數個焊料互連144。用包封層108來包封整合元件104可限制並減緩從整合元件104散熱，此可導致整合元件104過熱。一直需要為整合元件提供高效的散熱。

各種特徵係關於包括整合元件的封裝，更特定言之係關於包括整合元件、基板以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝。

一個實例提供了一種封裝，其包括基板、整合元件、複數個第一引線鍵合、至少一個第二引線鍵合、以及包封層。該整合元件耦合到該基板。該複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件以及該基板。該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一個電路徑。該至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件。該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的電路電連接。該包封層位於該基板以及該整合元件之上。該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。

另一實例提供了一種包括封裝的裝置。該封裝包括基板、整合元件、複數個第一引線鍵合、至少一個第二引線鍵合、以及包封層。該整合元件耦合到該基板。該複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件以及該基板。該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一個電路徑。該至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件。該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的電路電連接。該包封層位於該基板以及該整合元件之上。該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。

另一實例提供了一種設備，其包括基板、整合元件、用於引線互連的構件、用於引線散熱的構件以及用於包封的構件。該整合元件耦合到該基板。用於引線互連的構件耦合到該整合元件以及該基板。用於引線互連的構件被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一個電路徑。用於引線散熱的構件耦合到該整合元件。用於引線散熱的構件被配置成不與該整合元件的電路電連接。用於包封的構件位於該基板以及該整合元件之上。用於包封的構件包封該整合元件、該用於引線互連的構件以及該用於引線散熱的構件。

另一實例提供了一種用於製造封裝的方法。該方法提供基板。該方法將整合元件耦合到該基板。該方法將複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件以及該基板。該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一個電路徑。該方法將至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件。該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的電路電連接。該方法在該基板和該整合元件之上形成包封層。該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。

在以下描述中，提供了特定細節以提供對本案的各個態樣的透徹理解。然而，本領域一般技藝人士將理解，沒有該等特定細節亦可以實踐該等態樣。例如，電路可能用方塊圖圖示以避免使該等態樣湮沒在不必要的細節中。在其他實例中，公知的電路、結構和技術可能不被詳細圖示以免湮沒本案的該等態樣。

本案描述了一種封裝，其包括基板、整合元件、複數個第一引線鍵合、至少一個第二引線鍵合、以及包封層。該整合元件耦合到該基板。該複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件以及該基板。該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一個電路徑。該至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件。該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的電路電連接。該包封層位於該基板以及該整合元件之上。該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。該至少一個第二引線鍵合被配置成耗散來自該整合元件的熱量。該封裝可進一步包括形成在該包封層的外表面之上的金屬層，其中該金屬層被配置為電磁干擾（EMI）遮罩件。該至少一個第二引線鍵合耦合到該金屬層。該封裝提供了能夠高效且有效地將熱量從該整合元件耗散出去的封裝。引線鍵合更靠近熱源（例如，整合元件），由此引線鍵合可提供從整合元件的更好且改進的散熱。另外，使用引線鍵合增加了最少的製造成本，因為引線鍵合已經被形成在整合元件之上以便為該整合元件提供電連接。 包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的示例性封裝

圖2圖示了包括作為散熱器的引線鍵合的封裝200的剖面視圖。經由使用引線鍵合，封裝200提供了具有用於從整合元件散熱的高效且有效結構的封裝。封裝200可提供從整合元件散熱的經濟的解決方案。如圖2所示，封裝200包括基板202、整合元件206、複數個第一引線鍵合210、至少一個第二引線鍵合212、包封層208、以及金屬層230。

基板202包括至少一個介電層220和複數個互連222。不同實施方案可提供不同類型的基板。基板202可以是無芯基板(例如，嵌入式跡線基板)、層壓基板或包括芯層的基板。至少一個介電層220可包括不同材料，諸如預浸料層、聚醯亞胺（例如，可光蝕刻介電層）、有機層及/或陶瓷。

整合元件206被耦合到基板202。整合元件206可包括半導體裸晶粒。整合元件206可包括前側和背側（例如，裸晶粒可包括前側和背側）。整合元件206的背側可以經由附接件260（例如，晶粒附接件）耦合到基板202的第一表面（例如，頂面）。複數個第一引線鍵合210耦合到該整合元件206以及該基板202。該複數個第一引線鍵合210被配置成提供該整合元件206與該基板202之間的至少一個電路徑。該複數個第一引線鍵合210可以是用於引線互連的構件。該複數個第一引線鍵合210如何耦合到整合元件206和基板202的實例以下在至少圖3至圖4中進一步圖示和描述。

該至少一個第二引線鍵合212耦合到該整合元件206。該至少一個第二引線鍵合212可以是用於引線散熱的構件。該至少一個第二引線鍵合212被配置成不與該整合元件206的電路電連接。整合元件206的電路可包括主動元件。主動元件可包括至少一個電晶體。該至少一個第二引線鍵合212如何耦合到整合元件206的實例以下在至少圖3至圖4中進一步圖示和描述。該複數個第一引線鍵合210以及該至少一個第二引線鍵合212可由類似材料或相同材料製成。

包封層208被形成且定位在基板202和整合元件206之上。包封層208可以耦合到基板202的第一表面（例如，頂面）。該包封層208可包封該整合元件206、該複數個第一引線鍵合210以及該至少一個第二引線鍵合212。包封層208可包括模塑、樹脂及/或環氧樹脂。包封層208可以是用於包封的構件。該至少一個第二引線鍵合212被配置成耗散來自該整合元件206的熱量。該至少一個第二引線鍵合212可被配置成藉由提供導熱路徑以使得熱量從整合元件206耗散到包封層208的頂面來耗散來自該整合元件的熱量。該至少一個第二引線鍵合212可行進離開整合元件206（例如，相對於整合元件206的表面豎直行進）。然而，如將在下文中描述的，該至少一個第二引線鍵合212可以在不同的方向及/或路徑上行進。

金屬層230被形成並定位在包封層208的外表面及/或基板202的側面之上。金屬層230可以耦合到包封層208的外表面及/或基板202的側面。金屬層230可被配置為電磁干擾（EMI）遮罩件。金屬層230可包括若干金屬層。該至少一個第二引線鍵合212可耦合到該金屬層230。在一些實施方案中，該至少一個第二引線鍵合212及/或金屬層230可被配置成耦合到接地。金屬層230可説明散熱。金屬層230可以是共形金屬層。金屬層230可以是外金屬層。

複數個焊料互連240被耦合到基板202的第二表面（例如，底面）。該複數個焊料互連240可經由回流製程來耦合到複數個互連222。

圖3和圖4圖示了引線鍵合可被如何耦合到整合元件和基板的近攝視圖。圖3圖示了整合元件206，該整合元件包括晶粒基板302、位於晶粒基板302之上的複數個主動元件310、以及複數個晶粒互連320（例如，320a、320b）、至少一個晶粒基板通孔330和鈍化層340。整合元件206包括前側和背側。整合元件206的前側可包括具有鈍化層340、複數個晶粒互連320及/或複數個主動元件310的一側。複數個主動元件310可包括至少一個電晶體。整合元件206的背側可包括具有晶粒基板302的一側。如圖3所示，整合元件206的背側（例如，該整合元件的晶粒基板）可以經由附接件260耦合到基板202的第一表面。例如，裸晶粒的背側經由附接件（例如260）（例如，晶粒附接件）耦合到基板202的第一表面，並且裸晶粒的前側被配置成經由複數個第一引線鍵合210電耦合到基板202的第一表面。

複數個晶粒互連320可包括複數個第一晶粒互連320a以及至少一個第二晶粒互連320b。該複數個第一晶粒互連320a(例如，焊盤)耦合到複數個主動元件310。至少第二晶粒互連320b耦合到至少一個第二引線鍵合212。至少一個第二晶粒互連320b可被配置成不與複數個主動元件310電連接。亦即，該至少一個第二晶粒互連320b可被配置成不與整合元件206的電晶體電連接。

該複數個第一引線鍵合210耦合到整合元件206的複數個第一晶粒互連320a(例如，引線鍵合焊盤)。該複數個第一引線鍵合210耦合到複數個互連222(例如，基板的引線鍵合焊盤)。由此，整合元件206與基板202之間的至少一個電流(例如，電信號)可行進穿過該複數個第一引線鍵合210。特定而言，複數個主動元件310與基板202之間的至少一個電流可行進穿過該複數個第一引線鍵合210。

至少一個第二引線鍵合212耦合到至少一個第二晶粒互連320b(例如，焊盤)。至少一個第二晶粒互連320b可耦合到至少一個晶粒基板通孔330。該至少一個晶粒基板通孔330可行進穿過晶粒基板302的背側。來自整合元件206的熱量可經由該至少一個第二引線鍵合212、至少第二晶粒互連320b及/或該至少一個晶粒基板通孔330來耗散。該至少一個第二引線鍵合212、至少第二晶粒互連320b及/或該至少一個晶粒基板通孔330可被配置成不與整合元件206的複數個主動元件310（例如，電晶體）電連接。該至少一個第二引線鍵合212、至少第二晶粒互連320b及/或該至少一個晶粒基板通孔330可被配置成耦合到接地。在一些實施方案中，該至少一個第二引線鍵合212可被接近地定位在距複數個主動元件310達50微米。例如，至少一個引線鍵合212與來自複數個主動元件310的主動元件之間的豎直距離可以是大約50微米或更大。

圖4圖示了整合元件206，該整合元件包括晶粒基板302、位於晶粒基板302之上的複數個主動元件310、以及複數個晶粒互連320、至少一個晶粒基板通孔330、至少一個晶粒互連430和鈍化層340。圖4的整合元件206類似於圖3的整合元件206。然而，如圖4所示，至少一個晶粒互連430（例如，焊盤）耦合到至少一個晶粒基板通孔330。至少一個晶粒互連430可位於整合元件206的背側之上（例如，晶粒基板302的背側之上）。至少一個晶粒互連430可位於基板202的第一表面之上。至少一個晶粒互連430可以耦合到至少一個介電層220及/或位於該至少一個介電層220之中及/或之上的至少一個互連。

圖5圖示了包括整合元件206、金屬層230、複數個第一引線鍵合210、至少一個第二引線鍵合212以及複數個互連222的封裝200的平面視圖。圖5可圖示封裝200的俯視圖。圖5圖示了複數個第一引線鍵合210和至少一個第二引線鍵合212可以耦合到各種部件，並由此不限於耦合到整合元件。來自複數個互連222的一些互連可被配置為被動元件，諸如電感器。

圖6圖示了封裝600的剖面視圖。封裝600類似於封裝200。由此，封裝600包括與封裝200類似的部件及/或相同的部件。圖6圖示了被配置用於散熱的至少一些引線鍵合可被對準及/或定向在不同方向上。封裝600包括基板202、整合元件206、複數個第一引線鍵合210、至少一個第二引線鍵合612（例如，612a–612d）、包封層208和金屬層230。該至少一個第二引線鍵合612可以是用於引線散熱的構件。該至少一個第二引線鍵合612類似於至少一個第二引線鍵合212，並且可以按與圖2至圖4中描述的方式相類似的方式耦合到整合元件206。至少一個第二引線鍵合612可包括至少一個豎直引線鍵合、至少一個對角引線鍵合、至少一個彎曲引線鍵合、至少一個非線性引線鍵合，或其組合。豎直行進（例如，豎直延伸）的引線鍵合可以相對於部件表面線性地及/或非線性地豎直延伸。豎直行進的引線鍵合可以從該引線鍵合耦合到的部件的表面延伸出去。豎直行進的引線鍵合可包括對角延伸（線性地及/或非線性地）的引線鍵合。

圖7圖示了封裝700的剖面視圖。封裝700類似於封裝200及/或封裝600。由此，封裝700包括與封裝200及/或封裝600類似的部件及/或相同的部件。圖7圖示了封裝可包括不止一個整合元件。封裝700包括基板202、整合元件206、複數個第一引線鍵合210、至少一個第二引線鍵合212、整合元件706、複數個第一引線鍵合710、至少一個第二引線鍵合712、包封層208和金屬層230。該複數個第一引線鍵合710類似於複數個引線鍵合210，並且可以按與圖2至圖4中描述的方式相類似的方式耦合到整合元件706。類似地，該至少一個第二引線鍵合712類似於至少一個第二引線鍵合612，並且可以按與圖2至圖4和圖6中描述的方式相類似的方式耦合到整合元件706。整合元件（例如，206、706）可包括功率放大器。封裝（例如，200、600、700）可以包括射頻前端（RFFE）封裝。

整合元件（例如，206、706）可包括晶粒（例如，裸晶粒）。整合元件可以包括射頻（RF）元件、模擬元件、被動元件、濾波器、電容器、電感器、天線、發射器、接收器、表面聲波（SAW）濾波器、體聲波（BAW）濾波器、發光二極體（LED）整合元件、基於矽（Si）的整合元件、基於碳化矽（SiC）的整合元件、基於GaAs的整合元件、基於GaN的整合元件、記憶體、功率管理處理器，及/或其組合。

在描述了包括作為散熱器的引線鍵合的各種封裝後，現在將在下文中描述用於製造基板和封裝的各種方法。 用於製造基板的示例性序列

在一些實施方案中，製造基板包括若干製程。圖8A至圖8B圖示了用於提供或製造基板的示例性序列。在一些實施方案中，圖8A至圖8B的序列可被用於提供或製造圖2的基板202。然而，圖8A至圖8B的製程可被用來製造本案中所描述的任何基板。注意，可使用其他類型的基板，而不是圖8A至圖8B所示的基板。

應當注意，圖8A至圖8B的序列可以組合一或多個階段以便簡化及/或闡明用於提供或製造基板的序列。在一些實施方案中，該等製程的次序可被改變或修改。在一些實施方案中，可以在不脫離本案的精神的情況下替代或置換一或多個製程。

如圖8A中圖示的，階段1圖示了提供載體800並且在該載體800之上形成金屬層之後的狀態。該金屬層可被圖案化以形成互連802。可以使用鍍敷製程和蝕刻製程來形成該金屬層和互連。

階段2圖示了在載體800和互連802之上形成介電層820之後的狀態。可使用沉積製程來形成介電層820。介電層820可包括聚醯亞胺。然而，不同實施方案可以將不同材料用於介電層。

階段3圖示了在介電層820中形成至少一個腔810之後的狀態。可以使用蝕刻製程(例如，光蝕刻製程)或鐳射製程來形成至少一個腔810。

階段4圖示了在介電層812之中和之上形成互連820之後的狀態。例如，可以形成通孔、焊盤及/或跡線。可以使用鍍敷製程來形成該等互連。互連820可以是複數個互連222的一部分。

階段5圖示了在介電層822之上形成另一介電層820之後的狀態。可使用沉積製程來形成介電層822。介電層822可以是與介電層820相同的材料。然而，不同實施方案可以將不同材料用於介電層（例如，820、822）。

如圖8B中圖示的，階段6圖示了在介電層822中形成至少一個腔830之後的狀態。可以使用蝕刻製程或鐳射製程來形成該至少一個腔830。

階段7圖示了在介電層814之中和之上形成互連822之後的狀態。例如，可以形成通孔、焊盤及/或跡線。可以使用鍍敷製程來形成該等互連。互連814可以是複數個互連222的一部分。

階段8圖示了從至少一個介電層220解耦（例如，移除、磨掉、溶解）載體800從而留下基板202之後的狀態。至少一個介電層220可以表示介電層820和介電層822。複數個互連222可以表示複數個互連802、812及/或814。階段8可圖示圖2的基板202。

不同實施方案可使用不同製程來形成（諸）金屬層。在一些實施方案中，化學氣相沉積（CVD）製程及/或實體氣相沉積（PVD）製程可用於形成（諸）金屬層。例如，可使用濺鍍製程、噴塗製程，及/或鍍敷製程來形成（諸）金屬層。 用於製造基板的方法的示例性流程圖

在一些實施方案中，製造基板包括若干製程。圖9圖示了用於提供或製造基板的方法900的示例性流程圖。在一些實施方案中，圖9的方法900可被用於提供或製造圖2的基板202，或本案中所描述的任何基板。

應注意，圖9的方法可以組合一或多個製程以便簡化及/或闡明用於提供或製造基板的方法。在一些實施方案中，該等製程的次序可被改變或修改。

該方法（在905）提供載體800。不同實施方案可將不同材料用於載體。載體可包括基板、玻璃、石英及/或載體帶。圖8A的階段1圖示了提供載體之後的實例。

該方法（在910）在載體800之上形成金屬層。該金屬層可被圖案化以形成互連。可以使用鍍敷製程來形成金屬層和互連。圖8A的階段1圖示了形成金屬層和互連802之後的實例。

該方法（在915）在載體800和互連802之上形成至少一個介電層（例如，介電層820）。介電層820可包括聚醯亞胺。形成介電層亦可包括在介電層820中形成複數個腔（例如，810）。可使用沉積製程來形成至少一個介電層。可以使用蝕刻製程（例如，光蝕刻）或鐳射製程來形成該複數個腔。圖8A的階段2–3圖示了形成介電層並且在該介電層中形成腔的實例。

該方法（在920）在該介電層之中和之上形成互連。例如，可在介電層820之中和之上形成互連812。可以使用鍍敷製程來形成該等互連。形成互連可以包括在介電層之上及/或之中提供圖案化金屬層。圖8A的階段4圖示了在介電層之中和之上形成互連的實例。

在一些實施方案中，可以形成若干介電層（例如，822）並在該等介電層之中和之上形成若干互連（例如，814）。圖8A至圖8B的階段2-8圖示了形成至少一個介電層並在（諸）介電層之中和之上形成複數個互連的實例。

該方法（在925）在該至少一個介電層（例如，220）以及該至少一個互連222之上形成阻焊層。可以使用沉積製程來形成（諸）阻焊層。

不同實施方案可使用不同製程來形成金屬層。在一些實施方案中，化學氣相沉積（CVD）製程及/或實體氣相沉積（PVD）製程用於形成（諸）金屬層。例如，可使用濺鍍製程、噴塗製程，及/或鍍敷製程來形成（諸）金屬層。 用於製造包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的示例性序列

圖10A至圖10C圖示了用於提供或製造包括被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的示例性序列。在一些實施方案中，圖10A至圖10C的序列可被用於提供或製造圖2的封裝200，或本案中所描述的任何封裝。

應當注意，圖10A至圖10C的序列可以組合一或多個階段以簡化及/或闡明用於提供或製造封裝的序列。在一些實施方案中，該等製程的次序可被改變或修改。在一些實施方案中，可以在不脫離本案的精神的情況下替代或置換一或多個製程。圖10A至圖10C的序列可被用來一次製造一個封裝或若干封裝（作為晶圓的一部分）。

如圖10A中所示，階段1圖示了在提供基板202之後的狀態。基板202可以由供應商提供或被製造。可以使用與圖8A至圖8B中所示的製程相似的製程來製造基板202。然而，不同的實施方案可使用不同類型的基板及/或可使用不同的製程來製造基板。可被用來製造基板的製程的實例包括半加成製程（SAP）和改良型半加成製程（mSAP）。

基板202包括第一表面（例如，頂面）和第二表面（例如，底面）。基板202包括至少一個介電層220和複數個互連222。複數個互連222至少位於該至少一個介電層220之中和之上。如前述，基板202可包括基板202的第一表面上的阻焊層以及基板202的第二表面上的另一阻焊層。

階段2圖示了整合元件206的背側耦合到基板202的第一表面（例如，頂面）之後的狀態。整合元件206可以經由附接件260（例如，晶粒附接件）耦合到基板202。整合元件206可包括功率放大器。

階段3圖示了複數個引線鍵合被形成並耦合到整合元件206及/或基板202之後的狀態。引線鍵合製程可用於將複數個第一引線鍵合210耦合到整合元件206和基板202。複數個第一引線鍵合210可耦合到整合元件206的互連（例如，320a）以及基板202的互連（例如，222）。例如，複數個第一引線鍵合210可以耦合到整合元件206的焊盤以及基板202的焊盤。引線鍵合製程亦可用於將至少一個第二引線鍵合212耦合到整合元件206。例如，至少一個第二引線鍵合212可以耦合到整合元件206的焊盤。至少一個第二引線鍵合212可以在不同的方向上（例如，豎直、對角、彎曲、非線性）行進及/或延伸，如在至少以上圖6和圖7中圖示和描述的。

如圖10B所示，階段4圖示了包封層208被形成在基板202的第一表面之上以使得包封層208包封整合元件206、複數個第一引線鍵合210以及至少一個第二引線鍵合212之後的狀態。包封層208可包括模塑、樹脂及/或環氧樹脂。形成及/或佈置包封層208的製程可以包括使用壓縮和轉移模塑製程、片狀模塑製程，或液態模塑製程。

階段5圖示了包封層208的各部分以及至少一個第二引線鍵合212的各部分被移除之後的狀態。可使用磨削製程（例如，帶材磨削製程）來移除包封層208的各部分以及至少一個第二引線鍵合212的各部分。至少一個第二引線鍵合212的頂部可以與包封層208的頂面（例如，頂部外表面）共面。

如圖10C所示，階段6圖示了金屬層230被形成在包封層208的外表面以及基板202的側面之上後的狀態。金屬層230可被配置為EMI遮罩件（例如，用於電磁干擾（EMI）遮罩的構件）。可使用濺鍍製程、噴塗，及/或鍍敷製程來形成金屬層230。金屬層230可包括導電層。金屬層230可被形成在至少第二引線鍵合212之上並耦合到至少第二引線鍵合212。金屬層230可被配置成被耦合到接地。

階段7圖示了經由回流製程將複數個焊料互連240耦合到複數個互連222之後的狀態。該複數個焊料互連240可以耦合到基板202的第二表面（例如，底面）。階段6及/或7可圖示封裝200。

本案中所描述的封裝（例如，200、400、600、700）可以一次製造一個，或者可以一起製造（作為一或多個晶片的一部分），並且隨後切單成個體封裝。 用於製造包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的方法的示例性流程圖

在一些實施方案中，製造包括被配置為散熱器的引線鍵合的封裝包括若干製程。圖11圖示了用於提供或製造包括作為散熱器的引線鍵合的封裝的方法1100的示例性流程圖。在一些實施方案中，圖11的方法1100可被用來提供或製造本案中所描述的圖2的封裝200。然而，方法1100可被用來提供或製造本案中所描述的任何封裝。

應注意，圖11的方法可以組合一或多個製程以便簡化及/或闡明用於提供或製造封裝的方法。在一些實施方案中，該等製程的次序可被改變或修改。

該方法（在1105）提供基板（例如，202）。基板202可以由供應商提供或被製造。基板202包括第一表面（例如，頂面）和第二表面（例如，底面）。基板202可包括至少一個介電層220和複數個互連222。該複數個互連222至少位於該至少一個介電層220之中和之上。

不同實施方案可提供不同的基板。可以使用與圖8A至圖8B中所示的製程相似的製程來製造基板202。然而，不同的實施方案可使用不同類型的基板並且可使用不同的製程來製造基板202。圖10A的階段1圖示和描述了提供基板的實例。

該方法（在1110）將至少一個部件（例如，功率放大器、整合元件）耦合到基板（例如，202）。例如，該方法可將整合元件206的背側經由附接件260耦合到基板202的第一表面（例如，頂面）。圖10A的階段2圖示且描述了將至少一個部件耦合到基板的實例。

該方法（在1115）形成複數個引線鍵合併將其耦合到整合元件206及/或基板202。引線鍵合製程可用於將複數個第一引線鍵合210耦合到整合元件206和基板202。複數個第一引線鍵合210可耦合到整合元件206的互連（例如，320a）以及基板202的互連（例如，222）。例如，複數個第一引線鍵合210可以耦合到整合元件206的焊盤以及基板202的焊盤。引線鍵合製程亦可用於形成至少一個第二引線鍵合212並將其耦合到整合元件206。例如，至少一個第二引線鍵合212可以耦合到整合元件206的焊盤。該至少一個第二引線鍵合212可以在不同的方向上（例如，豎直、對角、彎曲、非線性）行進及/或延伸。圖10A的階段3圖示並描述了形成引線鍵合的實例。

該方法（在1120）在基板（例如，202）的第一表面之上形成包封層（例如，208）。該包封層可被形成在基板的第一表面之上，以使得包封層208包封整合元件206、複數個第一引線鍵合210和至少一個第二引線鍵合212。包封層可被耦合到基板的第一表面。形成及/或佈置包封層208的製程可以包括使用壓縮和轉移模塑製程、片狀模塑製程，或液態模塑製程。圖10B的階段4圖示和描述了位於基板之上並且包封整合元件和引線鍵合的包封層的實例。

該方法（在1125）移除包封層208的各部分以及至少一個第二引線鍵合212的各部分。可使用磨削製程（例如，帶材磨削製程）來移除包封層208的各部分以及至少一個第二引線鍵合212的各部分。然而，不同的實施方案可使用不同的製程來移除包封層的各部分及/或至少一個第二引線鍵合的各部分。圖10B的階段5圖示並描述了包封層和引線鍵合的被移除的部分的實例。

該方法（在1130）在包封層208的外表面和基板202的側面之上形成金屬層230。該金屬層230可被配置為EMI遮罩件。可使用濺鍍製程、噴塗，及/或鍍敷製程來形成金屬層230。金屬層230可包括導電層。金屬層230可被形成在至少第二引線鍵合212之上並耦合到至少第二引線鍵合212。金屬層230可被配置成耦合到接地。圖10C的階段6圖示並描述了被形成在包封層之上並被配置為EMI遮罩件的金屬層的實例。

該方法可將複數個焊料互連（例如，240）耦合到基板（例如，202）。回流製程可被用於將複數個焊料互連240耦合到基板202的複數個互連222。圖10C的階段8圖示且描述了將焊料互連耦合到基板的實例。 示例性電子元件

圖12圖示了可整合有前述元件、整合元件、積體電路（IC）封裝、積體電路（IC）元件、半導體元件、積體電路、晶粒、中介體、封裝、層疊封裝（PoP）、系統級封裝（SiP），或片上系統（SoC）中的任一者的各種電子裝置。例如，行動電話裝置1202、膝上型電腦裝置1204、固定位置終端裝置1206、可穿戴裝置1208，或機動交通工具1210可以包括如本文中所描述的元件1200。元件1200可以是例如本文中所描述的元件及/或積體電路（IC）封裝中的任一者。圖12中所圖示的裝置1202、1204、1206和1208、以及交通工具1210僅僅是示例性的。其他電子裝置亦能以元件1200為特徵，此類電子裝置包括但不限於包括以下各項的裝置（例如，電子裝置）群組：行動裝置、掌上型個人通訊系統（PCS）單元、可攜式資料單元（諸如個人數位助理）、啟用全球定位系統（GPS）的設備、導航裝置、機上盒、音樂播放機、視訊播放機、娛樂單元、固定位置資料單元（諸如儀錶讀取設備）、通訊裝置、智慧型電話、平板電腦、電腦、可穿戴裝置（例如，手錶、眼鏡）、物聯網路（IoT）裝置、伺服器、路由器、機動交通工具（例如，自主交通工具）中實施的電子裝置，或者儲存或取得資料或電腦指令的任何其他裝置，或者其任何組合。

圖2至圖7、圖8A至圖8B、圖9、圖10A至圖10C及/或圖11至圖12中所圖示的各部件、製程、特徵及/或功能中的一或多者可以被重新安排及/或組合成單個部件、製程、特徵或功能，或者在若干部件、製程或功能中體現。亦可添加附加元件、部件、製程，及/或功能而不會脫離本案。亦應當注意，圖2至圖7、圖8A至圖8B、圖9、圖10A至圖10C及/或圖11至圖12及其在本案中的對應描述不限於晶粒及/或IC。在一些實施方案中，圖2至圖7、圖8A至圖8B、圖9、圖10A至圖10C及/或圖11至圖12及其對應描述可被用來製造、創造、提供，及/或生產元件及/或整合元件。在一些實施方案中，元件可以包括晶粒、整合元件、整合被動元件（IPD）、晶粒封裝、積體電路（IC）元件、元件封裝、積體電路（IC）封裝、晶片、半導體元件、層疊封裝（PoP）元件、散熱元件及/或中介體。

注意，本案中的附圖可以表示各種零件、部件、物件、元件、封裝、整合元件、積體電路，及/或電晶體的實際表示及/或概念表示。在一些實例中，附圖可以不是按比例的。在一些實例中，為了清楚起見，並未圖示所有部件及/或零件。在一些實例中，附圖中的各個零件及/或部件的定位、位置、大小，及/或形狀可以是示例性的。在一些實施方案中，附圖中的各個部件及/或零件可以是可任選的。

措辭「示例性」在本文中用於意指「用作示例、實例，或說明」。本文中描述為「示例性」的任何實施方案或態樣不必被解釋為優於或勝過本案的其他態樣。同樣，術語「態樣」不要求本案的所有態樣皆包括所論述的特徵、優點或操作模式。術語「耦合」在本文中用於指兩個物件之間的直接或間接耦合（例如，機械耦合）。例如，若物件A實體地接觸物件B，且物件B接觸物件C，則物件A和C仍可被認為是彼此耦合的—即便其並非彼此直接實體接觸。術語「電耦合」可表示兩個物件直接或間接耦合在一起，以使得電流（例如，信號、功率、接地）可以在兩個物件之間傳遞。電耦合的兩個物件在該兩個物件之間可以有或者可以沒有電流傳遞。術語「第一」、「第二」、「第三」和「第四」（及/或高於第四的任何事物）的使用是任意的。所描述的任何部件可以是第一部件、第二部件、第三部件或第四部件。例如，被稱為第二部件的部件可以是第一部件、第二部件、第三部件或第四部件。術語「包封」意指物件可以部分地包封或完全包封另一物件。術語「頂部」和「底部」是任意的。位於頂部的部件可以處在位於底部的部件之上。頂部部件可被視為底部部件，反之亦然。如本案所描述的，位於第二部件「之上」的第一部件可意味著第一部件位於第二部件上方或下方，此取決於底部或頂部被如何任意定義。在另一實例中，第一部件可位於第二部件的第一表面之上（例如，上方），而第三部件可位於第二部件的第二表面之上（例如，下方），其中第二表面與第一表面相對。進一步注意到，如在本案中在一個部件位於另一部件之上的上下文中所使用的術語「之上」可被用來表示部件在另一部件上及/或在另一部件中（例如，在部件的表面上或被嵌入在部件中）。由此，例如，第一部件在第二部件之上可表示：（1）第一部件在第二部件之上，但是不直接接觸第二部件；（2）第一部件在第二部件上（例如，在第二部件的表面上）；及/或（3）第一部件在第二部件中（例如，嵌入在第二部件中）。位於第二部件「中」的第一部件可以部分地位於第二部件中或者完全位於第二部件中。如本案中所使用的術語「約‘值X’」或「大致為值X」意味著在‘值X’的百分之十以內。例如，約1或大致為1的值將意味著在0.9-1.1範圍中的值。

在一些實施方案中，互連是裝置或封裝中允許或促成兩個點、元件及/或部件之間的電連接的元件或部件。在一些實施方案中，互連可包括跡線、通孔、焊盤、焊柱、重分佈金屬層，及/或凸塊下金屬化（UBM）層。在一些實施方案中，互連是可被配置成為信號（例如，資料信號）、接地及/或功率提供電路徑的導電材料。互連可包括不止一個元件或部件。互連可以由一或多個互連來定義。互連可包括一或多個金屬層。互連可以是電路的一部分。不同實施方案可使用不同製程及/或序列來形成互連。在一些實施方案中，化學氣相沉積（CVD）製程、實體氣相沉積（PVD）製程、濺鍍製程、噴塗，及/或鍍敷製程可被用於形成互連。

亦注意到，本文中所包含的各種揭示內容可以作為被圖示為流程圖、流程圖、結構圖或方塊圖的製程來描述。儘管流程圖可以將操作描述為順序製程，但很多操作可以並行地或併發地執行。另外，可以重新排列操作的次序。製程在其操作完成時終止。

本文中所描述的本案的各種特徵可實施於不同系統中而不會脫離本案。應當注意，本案的以上各態樣僅是實例，且不應被解釋成限定本案。對本案的各態樣的描述意欲是說明性的，而非限定所附請求項的範疇。由此，本發明的教示可以現成地應用於其他類型的設備，並且許多替換、修改和變形對於本領域技藝人士將是顯而易見的。

100:封裝 102:基板 104:整合元件 108:包封層 120:介電層 122:互連 124:焊料互連 144:焊料互連 200:封裝 202:基板 206:整合元件 208:包封層 210:第一引線鍵合 212:第二引線鍵合 220:介電層 222:互連 230:金屬層 240:焊料互連 260:附接件 302:晶粒基板 310:主動元件 320:晶粒互連 320a:晶粒互連 320b:晶粒互連 330:晶粒基板通孔 340:鈍化層 430:晶粒互連 600:封裝 612:第二引線鍵合 612a:第二引線鍵合 612b:第二引線鍵合 612c:第二引線鍵合 612d:第二引線鍵合 700:封裝 706:整合元件 710:第一引線鍵合 712:第二引線鍵合 800:載體 802:互連 810:腔 812:互連 814:介電層 820:介電層 822:介電層 830:腔 900:方法 905:步骤 910:步骤 915:步骤 920:步骤 925:步骤 1100:方法 1105:步骤 1110:步骤 1115:步骤 1120:步骤 1125:步骤 1130:步骤 1200:元件 1202:裝置 1204:裝置 1206:裝置 1208:裝置 1210:機動交通工具 Y:軸線 Z:軸線

在結合附圖理解下文闡述的詳細描述時，各種特徵、本質和優點會變得明顯，在附圖中，相像的元件符號貫穿始終作相應標識。

圖1圖示了包括整合元件和基板的封裝的剖面視圖。

圖2圖示了包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的剖面視圖。

圖3圖示了包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的近攝剖面視圖。

圖4圖示了包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的近攝剖面視圖。

圖5圖示了包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的平面視圖。

圖6圖示了包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的剖面視圖。

圖7圖示了包括基板、若干整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的剖面視圖。

圖8A至圖8B圖示了用於製造基板的示例性序列。

圖9圖示了用於製造基板的方法的示例性流程圖。

圖10A至圖10C圖示了用於製造包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的示例性序列。

圖11圖示了用於製造包括基板、整合元件以及被配置為散熱器的引線鍵合的封裝的方法的示例性流程圖。

圖12圖示了可以整合本文中所描述的晶粒、整合元件、整合被動元件（IPD）、被動部件、封裝，及/或元件封裝的各種電子裝置。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

200:封裝

202:基板

206:整合元件

208:包封層

210:第一引線鍵合

212:第二引線鍵合

220:介電層

222:互連

230:金屬層

240:焊料互連

260:附接件

Claims (30)

1. 一種封裝，該封裝包括：一基板；一整合元件，耦合到該基板，其中該整合元件包含：一晶粒基板；複數個主動元件，該複數個主動元件位於該晶粒基板之上；複數個第一晶粒互連，該複數個第一晶粒互連耦合到該複數個主動元件；至少一個第二晶粒互連，該至少一個第二晶粒互連被配置成不與該複數個主動元件電連接；及至少一個晶粒基板通孔，該至少一個晶粒基板通孔耦合到該至少一個第二晶粒互連，其中該至少一個晶粒基板通孔延伸穿過該整合元件的一背側；複數個第一引線鍵合，耦合到該整合元件和該基板，其中該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一條電路徑；至少一個第二引線鍵合，耦合到該整合元件，其中該至少一個第二引線鍵合被配置成耦合至該整合元件的該至少一個第二晶粒互連，且其中該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的該複數個主動元件電連接；及一包封層，位於該基板和該整合元件之上，其中該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至 少一個第二引線鍵合。
2. 如請求項1所述之封裝，其中該至少一個第二引線鍵合被配置成藉由提供一導熱路徑以使得熱量從該整合元件耗散來耗散來自該整合元件的熱量。
3. 如請求項1所述之封裝，進一步包括形成在該包封層的一外表面之上的一金屬層，其中該金屬層被配置為一電磁干擾(EMI)遮罩件。
4. 如請求項3所述之封裝，其中該至少一個第二引線鍵合耦合到該金屬層。
5. 如請求項1所述之封裝，其中該整合元件包括一裸晶粒。
6. 如請求項1所述之封裝，其中該至少一個晶粒基板通孔位於該整合元件的該晶粒基板中。
7. 如請求項1所述之封裝，其中該複數個主動元件是該整合元件的一電路的一部分。
8. 如請求項1所述之封裝，其中該複數個主動元件包括複數個電晶體。
9. 如請求項1所述之封裝，其中該整合元件進一步包含耦合至(i)該晶粒基板的一背側與(ii)該至少一個晶粒基板通孔的至少一個晶粒互連。
10. 如請求項1所述之封裝，其中該整合元件包含一背側與一前側，其中該整合元件的該背側經由一晶粒附接件耦合到該 基板的一第一表面，並且其中該整合元件的該前側經由該複數個第一引線鍵合電耦合到該基板的該第一表面。
11. 如請求項1所述之封裝，其中該至少第二引線鍵合的一端部遠離該整合元件和該基板。
12. 如請求項1所述之封裝，其中該至少一個第二引線鍵合包括至少一個豎直引線鍵合、至少一個對角引線鍵合、至少一個彎曲引線鍵合、至少一個非線性引線鍵合，或其組合。
13. 如請求項1所述之封裝，其中該整合元件包括一功率放大器。
14. 如請求項1所述之封裝，其中該封裝包括一射頻前端(RFFE)封裝。
15. 一種電子設備，該電子設備包括：一基板；一整合元件，耦合到該基板，其中該整合元件包含：一晶粒基板；複數個電晶體，該複數個電晶體位於該晶粒基板之上；至少一個晶粒互連，該至少一個晶粒互連被配置成不與該複數個電晶體電連接；及至少一個晶粒基板通孔，該至少一個晶粒基板通孔耦合到該至少一個晶粒互連，其中該至少一個晶粒基板通孔延伸穿過該晶粒基板； 耦合到該整合元件和該基板的用於引線互連的構件，其中該用於引線互連的構件被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一條電路徑；耦合到該整合元件的用於引線散熱的構件，其中該用於引線散熱的構件被配置成不與該整合元件的該複數個電晶體電連接；及位於該基板和該整合元件之上的用於包封的構件，其中該用於包封的構件包封該整合元件、該用於引線互連的構件以及該用於引線散熱的構件。
16. 如請求項15所述之設備，其中該用於引線散熱的構件被配置成藉由提供一導熱路徑以使得熱量從該整合元件耗散來耗散來自該整合元件的熱量。
17. 如請求項15所述之設備，進一步包括位於該用於包封的構件的一外表面之上的用於電磁干擾(EMI)遮罩的構件。
18. 如請求項17所述之設備，其中該用於引線散熱的構件耦合到該用於EMI遮罩的構件。
19. 如請求項15所述之設備，其中該整合元件包括一裸晶粒。
20. 如請求項15所述之設備，其中該整合元件進一步包含複數個第一晶粒互連，該複數個第一晶粒互連耦合至該複數個電晶體。
21. 如請求項15所述之設備，其中該用於引線散熱的構件被配置成耦合至該至少一個晶粒互連。
22. 如請求項15所述之設備，其中該整合元件進一步包含複數個第一晶粒互連，該複數個第一晶粒互連耦合至該複數個電晶體。
23. 如請求項15所述之設備，其中該整合元件包含一裸晶粒，該裸晶粒包含一背側與一前側，其中該裸晶粒的該背側經由晶粒附接件耦合到該基板的一第一表面，並且其中該裸晶粒的該前側經由該用於引線互連的構件來電耦合到該基板的該第一表面。
24. 如請求項15所述之設備，其中該用於引線散熱的構件包括至少一個豎直引線鍵合、至少一個對角引線鍵合、至少一個彎曲引線鍵合、至少一個非線性引線鍵合，或其組合。
25. 一種包括一封裝的裝置，該封裝包括：一基板；一整合元件，耦合到該基板，其中該整合元件包含：一晶粒基板；複數個電晶體，該複數個電晶體位於該晶粒基板之上；至少一個晶粒互連，該至少一個晶粒互連被配置成不與該複數個電晶體電連接；及至少一個晶粒基板通孔，該至少一個晶粒基板通孔耦合到該至少一個晶粒互連，其中該至少一個晶粒基 板通孔延伸穿過該晶粒基板；複數個第一引線鍵合，耦合到該整合元件和該基板，其中該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一條電路徑；至少一個第二引線鍵合，耦合到該整合元件的該至少一個晶粒互連，其中該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的該複數個電晶體電連接；及一包封層，位於該基板和該整合元件之上，其中該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。
26. 如請求項25所述之裝置，其中該裝置選自包括以下各項的群組：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航裝置、一通訊裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴裝置、一膝上型電腦、一伺服器、一物聯網路(IoT)裝置、以及一機動交通工具中的一裝置。
27. 一種用於製造封裝的方法，包括：提供一基板；將一整合元件耦合到該基板，其中該整合元件包含：一晶粒基板；複數個電晶體，該複數個電晶體位於該晶粒基板之上；至少一個晶粒互連，該至少一個晶粒互連被配置成 不與該複數個電晶體電連接；及至少一個晶粒基板通孔，該至少一個晶粒基板通孔耦合到該至少一個晶粒互連，其中該至少一個晶粒基板通孔延伸穿過該晶粒基板；將複數個第一引線鍵合耦合到該整合元件和該基板，其中該複數個第一引線鍵合被配置成提供該整合元件與該基板之間的至少一條電路經；將至少一個第二引線鍵合耦合到該整合元件，其中該至少一個第二引線鍵合被配置成不與該整合元件的該複數個電晶體電連接；及在該基板和該整合元件之上形成一包封層，其中該包封層包封該整合元件、該複數個第一引線鍵合以及該至少一個第二引線鍵合。
28. 如請求項27所述之方法，其中該至少一個第二引線鍵合被配置成耗散來自該整合元件的熱量。
29. 如請求項27所述之方法，進一步包括在該包封層的一外表面之上形成一金屬層，其中該金屬層被配置為一電磁干擾(EMI)遮罩件。
30. 如請求項29所述之方法，其中形成該金屬層包括將該金屬層耦合到該至少一個第二引線鍵合。