TWI882766B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於使杯上升至基板之上方之前，使該杯於短時間內乾燥。 本發明係關於一種使基板旋轉且一面對該基板供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等之基板處理方法及基板處理裝置者。本發明中，於以處理液處理基板時，由杯之內周面捕集自基板飛散之處理液之液滴。於該處理後且杯上升至杯上升位置之前，於使杯旋轉之狀態下，將加熱氣體經由基板之上表面供給至杯之內周面。如此，藉由杯之旋轉與向杯供給加熱氣體而將杯乾燥。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種對基板供給處理液而處理該基板之基板處理技術。此處，基板包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下，簡稱為「基板」)。又，處理包含蝕刻處理。

已知有一種使半導體晶圓等基板旋轉且對該基板供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等之基板處理裝置。例如，專利文獻1所記載之裝置中，為了捕集並回收自旋轉之基板飛散之處理液等而設有防飛散部。防飛散部具有以包圍旋轉之基板之外周之方式固定配置之防濺板(有時亦稱為「杯」)。防濺板之內周面與基板之外周對向，捕集自旋轉之基板甩開之處理液之液滴。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2017-11015號公報

藥液處理或洗淨處理等處理係於將基板保持於旋轉吸盤等基板保持部之狀態下進行。且，進行針對該基板之一連串處理後，上述先前係防濺板下降，移動至較保持於基板保持部之基板下方。然而，近年來，研討有於一連串處理完成後，使杯或防濺板等(以下稱為「杯」)移動至保持於基板保持部之基板之上方之基板處理裝置。如此，於使杯移動至較基板上方之情形時，若於該時點杯未充分乾燥，則有時附著於杯之處理液之液滴落下至基板。落下至基板之液滴成為顆粒之主要原因之一。因此，需要於使杯移動至基板之上方之前，使杯於短時間內充分乾燥。然而，先前不存在滿足此種期望之具體技術。

本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的在於提供一種於使杯上升至基板之上方之前，可使該杯於短時間內乾燥之基板處理裝置及基板處理方法。

本發明之一態樣係一種基板處理方法，其特徵在於具備以下步驟：(a)藉由一面以杯包圍保持於可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板保持部之基板之外周，一面對基板供給處理液，而一面以處理液處理基板， 一面以杯之內周面捕集自基板飛散之處理液之液滴；(b)使處理液附著之基板及杯乾燥；(c)使乾燥後之杯上升至高於基板之杯上升位置；且步驟(b)具有以下步驟：(b-1)一面以杯包圍基板之外周，一面使保持基板之基板保持部及杯繞旋轉軸旋轉；(b-2)藉由將加熱至高於杯及基板之周邊溫度的溫度之加熱氣體供給至旋轉之基板之上表面，而使基板乾燥；(b-3)藉由經由基板之上表面對旋轉之杯之內周面供給加熱氣體，而使杯乾燥。

又，本發明之其他態樣係一種基板處理裝置，其特徵在於具備：基板保持部，其一面保持基板一面可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉地設置；處理機構，其對保持於基板保持部之基板供給處理液而處理基板；旋轉杯部，其具有一面包圍基板之外周一面可繞旋轉軸旋轉且可於鉛直方向升降而設置之杯，以杯之內周面捕集自基板飛散之處理液之液滴；旋轉機構，其使基板保持部及杯旋轉；升降機構，其使杯升降；氣體供給機構，其對基板之上表面供給加熱至高於杯及基板之周邊溫度的溫度之加熱氣體；及控制部，其如下控制旋轉機構、升降機構及氣體供給機構：於使杯上升至高於基板之杯上升位置之前，一面使基板及杯旋轉，一面使加熱氣體經由基板之上表面往向杯之內周面。

如此構成之發明中，以處理液處理基板時，杯之內周面捕集自基板飛散之處理液之液滴。該處理後且杯上升至杯上升位置之前，於使杯旋轉之狀態下，將加熱氣體經由基板之上表面供給至杯之內周面。如此，藉由杯之旋轉與對杯供給加熱氣體而將杯乾燥。

根據本發明，可於杯上升至杯上升位置之前，使該杯於短時間內乾燥。

1:基板處理裝置

2:旋轉機構

3:防飛散機構

4:上表面保護加熱機構

5:處理機構

6:氛圍分離機構

7:升降機構

8:定心機構

9:基板觀察機構

10:控制單元

10A:運算處理部

10B:記憶部

10C:讀取部

10D:圖像控制部

10E:驅動控制部

10F:通信部

10G:排氣控制部

10H:顯示部

10J:輸入部

11:腔室

11a:頂壁

11b:開口

12:內部空間

13:風扇過濾單元

14:沖孔板

15:擋板

21:旋轉吸盤(基板保持部)

22:旋轉軸部

22a:凸緣部位

23:旋轉驅動部

24:外殼

25:配管

26:泵

27:動力傳遞部

27a:圓環構件

27b:磁鐵

27c:磁鐵

28:配管

29:氮氣供給部

31:旋轉杯部

32:下杯

33:上杯

34:固定杯部

35:卡合銷

36:下磁體

37:上磁體

38:排氣部

40:遮斷板構造體(遮斷構件)

41:遮斷板(遮斷構件)

41a:輸入端口

41b:開口

41c:開口

41d:漏斗狀空間

41e:緊固構件

41f:緊固構件

42:圓板部

42a:圓環構件

42b:圓環構件

42c:貫通孔

42d:開口

42e:缺口部

43:支持構件

43a:圓盤構件

43b:中間構件

43c:圓錐台構件

44:缺口部

44a:餽電構件

45:中央噴嘴

45a:餽電構件

46:配管(氣體供給機構)

47:氮氣供給部(氣體供給機構)

48:帶狀加熱器

49:梁構件

51B:處理液噴出噴嘴

51F:處理液噴出噴嘴

52:處理液供給部

53:噴嘴支架

54:支持構件

55:噴嘴移動部

56:噴嘴頭

57:噴嘴支持部

58:配管

61:下密閉杯構件

62:上密閉杯構件

64:O形環

65:O形環

71:升降驅動部

72:升降驅動部

81:抵接構件

82:定心驅動部

91:觀察頭

92:觀察頭驅動部

100:基板處理系統

110:基板處理區域

111:基板搬送機器人

112:載置台

120:傳載部

121:容器保持部

122:傳載機器人

122a:基底部

122b:多關節臂

122c:手

321:上表面周緣部

331:下圓環部位

332:上圓環部位

333:傾斜部位

334:傾斜面

335:凹部

341:液體承接部位

342:排氣部位

343:劃分壁

344:氣體引導部

410:基塊

420:第1底塊

421:加熱器

422:加熱器驅動部

430:第2底塊

440:周緣加熱加熱器

450:中央加熱加熱器

491:支持構件

492:支持構件

511:噴出口

571:圓筒部位

572:凸緣部位

611:凸緣部

612:凸緣部

613:突起部

621:凸緣部

711:第1升降馬達

712:升降部

713:升降部

721:升降馬達

722:升降部

AX:旋轉軸

C:容器

D32:外徑

D331:外徑

d331:徑

D332:外徑

d332:徑

Dw:直徑

FL1:流量

F1~F4:箭頭

GPa:氣隙

GPc:間隙

H1:處理位置

H2:乾燥位置

R2:轉速

R3:轉速

RH:手

RM:記錄媒體

S1~S11:步驟

SPa:空間

SPc:捕集空間

SPe:排出空間

SPo:外側空間

SPs:密閉空間

SPt:搬送空間

W:基板

Wb:(基板之)下表面

Wf:(基板之)上表面

Ws:(基板之)周緣部

Z:鉛直方向

△T1:時間

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。

圖3係圖2之A-A線箭視俯視圖。

圖4係顯示動力傳遞部之構成之俯視圖。

圖5係圖4之B-B線剖視圖。

圖6係顯示旋轉杯部之構造之分解組裝立體圖。

圖7係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。

圖8係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。

圖9係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。

圖10係圖9所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。

圖11係顯示處理機構所裝備之上表面側之處理液噴出噴嘴之立體圖。

圖12(a)、(b)係顯示斜面處理模式及預分配模式下之噴嘴位置之圖。

圖13係顯示處理機構所裝備之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持上述噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。

圖14係顯示氛圍分離機構之構成之局部剖視圖。

圖15係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執 行之斜面處理之流程圖。

圖16A係顯示基板搬入搬出時之裝置各部之動作之模式圖。

圖16B係顯示基板定心時之裝置各部之動作之模式圖。

圖16C係顯示斜面處理時之裝置各部之動作之模式圖。

圖16D係顯示乾燥處理時之裝置各部之動作之模式圖。

圖16E係顯示觀察處理時之裝置各部之動作之模式圖。

圖17A係顯示將上杯之傾斜角設定為60°時之杯旋轉速度與杯乾燥時間之關係的曲線圖。

圖17B係顯示將上杯之傾斜角設定為70°時之杯旋轉速度與杯乾燥時間之關係的曲線圖。

圖18係顯示加熱氣體之流量與乾燥時間之關係之曲線圖。

圖19係顯示本發明之第1實施形態及比較例之乾燥處理之順序之圖。

圖20係顯示本發明之第2實施形態之乾燥處理之順序之圖。

圖21係顯示本發明之基板處理裝置之第4實施形態之上表面保護加熱機構之構成的剖視圖。

圖22係圖21所示之上表面保護加熱機構之分解組裝圖。

圖23(a)、(b)係模式性顯示本發明之基板處理裝置之第5實施形態之斜面處理及乾燥處理之圖。

<第1實施形態>

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。其並非顯示基板處理系統100之外觀者，而係藉 由去除基板處理系統100之外壁面板或其他一部分構成，易於理解其內部構造而顯示之模式圖。該基板處理系統100例如設置於無塵室內，且係將僅於一主面形成有電路圖案等(以下稱為「圖案」)之基板W逐片進行處理之單片式裝置。且，於基板處理系統100所裝備之處理單元1中，執行處理液之基板處理。本說明書中，將基板之兩主面中形成有圖案之圖案形成面(一主面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，本說明書中，「圖案形成面」意指基板中於任意區域形成有凹凸圖案之面。

此處，作為本實施形態之「基板」，可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，主要採用半導體晶圓之處理中使用之基板處理裝置為例，參照圖式進行說明，但亦可同樣應用於上文例示之各種基板之處理。

如圖1所示，基板處理系統100具備對基板W實施處理之基板處理區域110。傳載部120相對於該基板處理區域110相鄰設置。傳載部120具有容器保持部121，該容器保持部121可保持複數個用以收容基板W之容器C(以密閉狀態收容複數個基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓盒)、SMIF(Standard Mechanical Interface：標準機械介面)盒、OC(Open Cassette：開放式晶圓匣)等。又，傳載部120具備傳載機器人 122，其接取保持於容器保持部121之容器C，用以自容器C取出未處理之基板W，或將已處理之基板W收納於容器C。於各容器C將複數塊基板W以大致水平姿勢收容。

傳載機器人122具備固定於裝置殼體之基底部122a、可相對於基底部122a繞鉛直軸轉動而設置之多關節臂122b、及安裝於多關節臂122b之前端之手122c。手122c成為可將基板W載置於其上表面並保持之構造。由於此種具有多關節臂及基板保持用之手之傳載機器人為周知，故省略詳細說明。

基板處理區域110中，載置台112可載置來自傳載機器人122之基板W而設置。又，於俯視時，於基板處理區域110之大致中央配置基板搬送機器人111。再者，以包圍該基板搬送機器人111之方式配置複數個處理單元1。具體而言，面向配置有基板搬送機器人111之空間配置複數個處理單元1。對於該等處理單元1，基板搬送機器人111隨機接取載置台112，於與載置台112間交接基板W。另一方面，各處理單元1對基板W執行特定之處理，相當於本發明之基板處理裝置。本實施形態中，該等處理單元(基板處理裝置)1具有同一功能。因此，可並行處理複數個基板W。另，若基板搬送機器人111可自傳載機器人122直接交接基板W，則無須載置台112。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。又，圖3係圖2之A-A線箭視俯視圖。圖2、圖3及以下參照之各圖中，為容易理 解，有誇大或簡化各部之尺寸或數量而圖示之情形。基板處理裝置(處理單元)1具備旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。該等各部2~9於收容於腔室11之內部空間12之狀態下，與控制裝置全體之控制單元10電性連接。且，各部2~9根據來自控制單元10之指示而動作。

作為控制單元10，例如可採用與一般之電腦相同者。即，控制單元10中，依照程式所記述之順序，由作為主控制部之CPU進行運算處理，藉此控制基板處理裝置1之各部。另，關於控制單元10之詳細構成及動作於下文詳述。又，本實施形態中，對各基板處理裝置1設有控制單元10，但亦可以由1台控制單元控制複數個基板處理裝置1之方式構成。又，亦可構成為由控制基板處理系統100全體之控制單元(省略圖示)控制基板處理裝置1。

如圖2所示，於腔室11之頂壁11a安裝有風扇過濾單元(FFU，Fan Filter Unit)13。該風扇過濾單元13將設有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步清潔化，並供給至腔室11內之處理空間。風扇過濾單元13具備用以引入無塵室內之空氣並將其送出至腔室11內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效粒子空氣)過濾器)，經由設置於頂壁11a之開口11b送入清潔空氣。藉此，於腔室11內之處理空間形成清潔空氣之降流。又，為了使自風扇過濾單元13供給之清潔空氣均一分散，穿設有多個吹出孔之沖孔板14設置於頂壁11a之正下。

如圖1及圖3所示，基板處理裝置1中，於腔室11之側面設有擋板15。於擋板15連接有擋板開閉機構(省略圖示)，根據來自控制單元10之開閉指令使擋板15開閉。更具體而言，基板處理裝置1中，將未處理之基板W搬入至腔室11時，擋板開閉機構打開擋板15，藉由基板搬送機器人111之手(圖16A中之符號RH)將未處理之基板W以面朝上姿勢搬入至旋轉機構2之旋轉吸盤(基板保持部)21。即，基板W以上表面Wf朝向上方之狀態載置於旋轉吸盤21上。且，當該基板搬入後，基板搬送機器人111之手自腔室11退避時，擋板開閉機構關閉擋板15。且，於腔室11之處理空間(相當於下文詳述之密閉空間SPs)內執行針對基板W之周緣部Ws之斜面處理。又，斜面處理結束後，擋板開閉機構再次打開擋板15，基板搬送機器人111之手將已處理之基板W自旋轉吸盤21搬出。如此，本實施形態中，將腔室11之內部空間12保持常溫環境。另，本說明書中，「常溫」意指處於5℃~35℃之溫度範圍。

旋轉機構2具有如下功能：使基板W以其表面朝向上方之狀態保持大致水平姿勢且旋轉，且使防飛散機構3之一部分同步朝與基板W同一方向旋轉。旋轉機構2使基板W及防飛散機構3之旋轉杯部31繞通過主面中心之鉛直之旋轉軸AX旋轉。另，為了明示藉由旋轉機構2一體旋轉之構件或部位等，圖2中對被旋轉部位標註有點。

旋轉機構2具備小於基板W之圓板狀構件即旋轉吸盤21。旋轉吸盤21之上表面大致水平，以其中心軸與旋轉軸AX一致之方式設置。於旋轉吸盤21之下表面連結有圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22以軸線與旋轉軸 AX一致之狀態於鉛直方向延設。又，於旋轉軸部22連接有旋轉驅動部(例如馬達)23。旋轉驅動部23根據來自控制單元10之旋轉指令，將旋轉軸部22繞其軸線旋轉驅動。因此，旋轉吸盤21可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。旋轉驅動部23與旋轉軸部22負責使旋轉吸盤21旋轉軸AX中心旋轉之功能，旋轉軸部22之下端部及旋轉驅動部23收容於筒狀之外殼24內。

於旋轉吸盤21之中央部，設有省略圖示之貫通孔，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間，經由介裝有閥(省略圖示)之配管25連接有泵26。該泵26及閥電性連接於控制單元10，根據來自控制單元10之指令而動作。藉此，對旋轉吸盤21選擇性賦予負壓與正壓。例如，若於基板W以大致水平姿勢放置於旋轉吸盤21之上表面之狀態下，泵26對旋轉吸盤21賦予負壓，則旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。另一方面，若泵26對旋轉吸盤21賦予正壓，則基板W可自旋轉吸盤21之上表面取下。又，若停止泵26之抽吸，則基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

於旋轉吸盤21，經由設置於旋轉軸部22之中央部之配管28連接有氮氣供給部29。氮氣供給部29將自設置基板處理系統100之工廠之設施等供給之常溫氮氣以對應於來自控制單元10之氮氣供給指令的流量及時序供給至旋轉吸盤21，於基板W之下表面Wb側使氮氣自中央部流通至徑向外側。另，本實施形態中雖使用氮氣，但亦可使用其他惰性氣體。關於該點，對於自以下說明之中央噴嘴噴出之加熱氣體亦同樣。又，「流量」意指氮氣等流體每單位時間移動之量。

旋轉機構2為了不僅使旋轉吸盤21與基板W一體旋轉，亦使旋轉杯部31與該旋轉同步旋轉，而具有動力傳遞部27。圖4係顯示動力傳遞部之構成之俯視圖，圖5係圖4之B-B線剖視圖。動力傳遞部27具有以非磁性材料或樹脂構成之圓環構件27a、內置於圓環構件27a之磁鐵27b、及內置於旋轉杯部31之一構成即下杯32之磁鐵27c。圓環構件27a安裝於旋轉軸部22，可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。更詳細而言，旋轉軸部22如圖2及圖5所示，於旋轉吸盤21之正下位置，具有朝徑向外側伸出之凸緣部位22a。且，圓環構件27a相對於凸緣部位22a同心狀配置，且由省略圖示之螺栓等連結固定。

圓環構件27a之外周緣部中，如圖4及圖5所示，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27b以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。本實施形態中，如圖4之放大圖所示，彼此相鄰之2個磁鐵27b之一者以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，另一者以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

與該等磁鐵27b同樣，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27c以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。該等磁鐵27c內置於下杯32。下杯32為以下說明之防飛散機構3之構成零件，如圖4及圖5所示，具有圓環形狀。即，下杯32具有可與圓環構件27a之外周面對向之內周面。該內周面之內徑大於圓環構件27a之外徑。且，一面使該內周面與圓環構件27a之外周面以特定間隔(=(上述內徑-上述外徑)/2)隔 開對向，一面將下杯32與旋轉軸部22及圓環構件27a同心狀配置。於該下杯32之外周緣上表面，設有卡合銷35及下磁體36，藉此，上杯33與下杯32連結，該連結體作為旋轉杯部31發揮功能。關於該點於下文詳述。

下杯32藉由省略圖式之圖示之軸承，保持上述配置狀態可繞旋轉軸AX旋轉地受支持。於該下杯32之內周緣部，如圖4及圖5所示，複數個(本實施形態中為36個)磁鐵27c以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為10°)配置。又，關於彼此相鄰之2個磁鐵27c之配置亦與磁鐵27b相同。即，一者以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，另一者以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

如此構成之動力傳遞部27中，若藉由旋轉驅動部23，圓環構件27a與旋轉軸部22一起旋轉，則藉由磁鐵27b、27c間之磁力作用，下杯32維持氣隙GPa(圓環構件27a與下杯32之間隙)且朝與圓環構件27a相同之方向旋轉。藉此，旋轉杯部31繞旋轉軸AX旋轉。即，旋轉杯部31朝與基板W同一方向且同步旋轉。

防飛散機構3具有：旋轉杯部31，其一面包圍保持於旋轉吸盤21之基板W之外周一面可繞旋轉軸AX旋轉；及固定杯部34，其以包圍旋轉杯部31之方式固定地設置。旋轉杯部31藉由將上杯33連結於下杯32，而一面包圍旋轉之基板W之外周一面可繞旋轉軸AX旋轉地設置。

圖6係顯示旋轉杯部之構造之分解組裝立體圖。圖7係顯示保持於旋 轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。圖8係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。下杯32具有圓環形狀。其外徑大於基板W之外徑，於自鉛直上方俯視時，以自由旋轉吸盤21保持之基板W朝徑向伸出之狀態，下杯32繞旋轉軸AX旋轉自如地配置。該伸出區域，即下杯32之上表面周緣部321中，交替安裝有沿周向立設於鉛直上方之卡合銷35與平板狀之下磁體36，卡合銷35之合計根數為3根，下磁體36之合計個數為3個。該等卡合銷35及下磁體36以旋轉軸AX為中心，以放射狀且等角度間隔(本實施形態中為60°)配置。

另一方面，上杯33如圖2、圖3、圖6及圖7所示，具有下圓環部位331、上圓環部位332、及連結該等之傾斜部位333。下圓環部位331之外徑D331與下杯32之外徑D32相同，如圖6所示，下圓環部位331位於下杯32之上表面周緣部321之鉛直上方。於下圓環部位331之下表面，於相當於卡合銷35之鉛直上方之區域中，設置成朝下方開口之凹部335可與卡合銷35之前端部嵌合。又，於相當於下磁體36之鉛直上方之區域中，安裝有上磁體37。因此，如圖6所示，於凹部335及上磁體37分別與卡合銷35及下磁體36對向之狀態下，上杯33可相對於下杯32卡脫。另，關於凹部與卡合銷之關係亦可反轉。又，除下磁體36與上磁體37之組合以外，亦可為一者以磁體構成，另一者以強磁性體構成。

上杯33可藉由升降機構7於鉛直方向升降。若上杯33藉由升降機構7朝上方移動，則於鉛直方向上，於上杯33與下杯32之間形成基板W之搬入搬出用之搬送空間(圖16A中之符號SPt)。另一方面，若上杯33藉由升降機 構7朝下方移動，則以凹部335被覆卡合銷35之前端部之方式嵌合，上杯33相對於下杯32於水平方向定位。又，上磁體37接近下磁體36，藉由於兩者間產生之引力，上述已定位之上杯33及下杯32互相結合。藉此，如圖3之局部放大圖及圖8所示，以形成有於水平方向延伸之間隙GPc之狀態，將上杯33及下杯32於鉛直方向一體化。且，旋轉杯部31保持形成有間隙GPc之狀態不變而繞旋轉軸AX旋轉自如。

旋轉杯部31中，如圖7所示，上圓環部位332之外徑D332稍小於下圓環部位331之外徑D331。又，若將下圓環部位331及上圓環部位332之內周面之徑d331、d332進行比較，則下圓環部位331大於上圓環部位332，自鉛直上方俯視時，上圓環部位332之內周面位於下圓環部位331之內周面之內側。且，上圓環部位332之內周面與下圓環部位331之內周面遍及上杯33之整周藉由傾斜部位333連結。因此，傾斜部位333之內周面，即包圍基板W之面成為傾斜面334。即，如圖8所示，傾斜部位333包圍旋轉之基板W之外周而可捕集自基板W飛散之液滴，由上杯33及下杯32包圍之空間作為捕集空間SPc發揮功能。

並且，面向捕集空間SPc之傾斜部位333自下圓環部位331向基板W之周緣部之上方傾斜。因此，如圖8所示，由傾斜部位333捕集之液滴沿傾斜面334流動至上杯33之下端部，即下圓環部位331，進而可經由間隙GPc排出至旋轉杯部31之外側。另，傾斜面334相對於水平面傾斜60°。即，傾斜面334之傾斜角設定為60°。關於該點於下文詳述。

固定杯部34以包圍旋轉杯部31之方式設置，形成排出空間SPe。固定杯部34具有液體承接部位341、與設置於液體承接部位341之內側之排氣部位342。液體承接部位341具有以面向間隙GPc之反基板側開口(圖8之左手側開口)之方式開口之杯構造。即，液體承接部位341之內部空間作為排出空間SPe發揮功能，經由間隙GPc與捕集空間SPc連通。因此，由旋轉杯部31捕集之液滴與氣體成分一起經由間隙GPc被引導至排出空間SPe。且，液滴集中於液體承接部位341之底部，自固定杯部34排液。

另一方面，氣體成分集中於排氣部位342。該排氣部位342經由劃分壁343與液體承接部位341劃分開。又，於劃分壁343之上方配置有氣體引導部344。氣體引導部344藉由自劃分壁343之正上位置分別延設至排出空間SPe與排氣部位342之內部，而自上方覆蓋劃分壁343，形成具有曲徑構造之氣體成分之流通路徑。因此，流入至液體承接部位341之流體中之氣體成分經由上述流通路徑集中於排氣部位342。該排氣部位342與排氣部38連接。因此，藉由排氣部38根據來自控制單元10之指令作動，而調整固定杯部34之壓力，將排氣部位342內之氣體成分有效排出。又，藉由排氣部38之精密控制，調整排出空間SPe之壓力或流量。例如，排出空間SPe之壓力較捕集空間SPc之壓力降低。其結果，可將捕集空間SPc內之液滴有效引入至排出空間SPe，促進來自捕集空間SPc之液滴之移動。

圖9係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。圖10係圖9所示之上表面之剖視保護加熱機構圖。上表面保護加熱機構4具有配置於由旋轉吸盤21保持之基板W之上表面Wf之上方之遮斷板41。該遮斷板41具 有以水平姿勢保持之圓板部42。圓板部42內置有藉由加熱器驅動部422驅動控制之加熱器421。該圓板部42具有稍短於基板W之直徑。且，以圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws外之表面區域之方式，由支持構件43支持圓板部42。另，圖9中之符號44為設置於圓板部42之周緣部之缺口部，其係為了防止與處理機構5所含之處理液噴出噴嘴之干涉而設置。缺口部44朝徑向外側開口。

支持構件43之下端部安裝於圓板部42之中央部。以上下貫通支持構件43與圓板部42之方式形成有圓筒狀之貫通孔。又，中央噴嘴45上下插通該貫通孔。於該中央噴嘴45，如圖2所示，經由配管46與氮氣供給部47連接。氮氣供給部47將自設置基板處理系統100之工廠之必要供應設備等供給之常溫氮氣以對應於來自控制單元10之氮氣供給指令的流量及時序供給至中央噴嘴45。又，本實施形態中，於配管46之一部分安裝有帶狀加熱器48。帶狀加熱器48根據來自控制單元10之加熱指令發熱，將配管46內流動之氮氣加熱。

將如此加熱之氮氣(以下稱為「加熱氣體」)向中央噴嘴45壓送，並自中央噴嘴45噴出。例如如圖10所示，藉由於將圓板部42定位於接近由旋轉吸盤21保持之基板W之處理位置之狀態下供給加熱氣體，加熱氣體自被夾於基板W之上表面Wf與內置加熱器之圓板部42間之空間SPa之中央部向周緣部流動。藉此，可抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf。其結果，可有效防止上述氛圍所含之液滴捲入被夾於基板W與圓板部42間之空間SPa。又，可藉由加熱器421之加熱與加熱氣體將上表面Wf全體加 熱，而將基板W之面內溫度均一化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。另，為了獲得該等作用效果，較佳為控制供給至中央噴嘴45之加熱氣體之溫度或流量。關於該點，以下基於模擬結果(圖17A、17B、18)等詳述。

如圖2所示，支持構件43之上端部固定於在與搬入搬出基板W之基板搬送方向(圖3之左右方向)正交之水平方向延伸之梁構件49。該梁構件49與升降機構7連接，根據來自控制單元10之指令藉由升降機構7升降。例如，圖2中藉由將梁構件49定位於下方，而使經由支持構件43連結於梁構件49之圓板部42位於處理位置。另一方面，當承接來自控制單元10之上升指令，升降機構7使梁構件49上升時，梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升，且上杯33亦連動，與下杯32分離而上升。藉此，旋轉吸盤21與上杯33及圓板部42之間擴大，可進行對於旋轉吸盤21之基板W之搬入搬出(參照圖16A)。

圖11係顯示處理機構所裝備之上表面側之處理液噴出噴嘴之立體圖，且係自斜下方向觀察之圖。圖12係顯示斜面處理模式及預分配模式下之噴嘴位置之圖。圖13係顯示處理機構所裝備之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持上述噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。處理機構5具有配置於基板W之上表面側之處理液噴出噴嘴51F、配置於基板W之下表面側之處理液噴出噴嘴51B、及對處理液噴出噴嘴51F、51B供給處理液之處理液供給部52。以下，為了區分上表面側之處理液噴出噴嘴51F與下表面側之處理液噴出噴嘴51B，分別將其稱為「上表面噴嘴51F」及「下表面噴嘴 51B」。又，圖2中，圖示出2個處理液供給部52，但該等相同。

本實施形態中，設置3個上表面噴嘴51F，且對該等連接有處理液供給部52。又，處理液供給部52可供給SC1、DHF、功能水(CO2水等)作為處理液而構成，可自3個上表面噴嘴51F分別獨立噴出SC1、DHF及功能水。

各上表面噴嘴51F中，如圖11所示，於前端下表面設有噴出處理液之噴出口511。且，如圖3中之放大圖所示，以各噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢，將複數個(本實施形態中為3個)上表面噴嘴51F之下方部配置於圓板部42之缺口部44，且上表面噴嘴51F之上方部可於基板W之徑向X移動自如地安裝於噴嘴支架53。該噴嘴支架53由支持構件54支持，進而該支持構件54固定於氛圍分離機構6之下密閉杯構件61。即，上表面噴嘴51F及噴嘴支架53經由支持構件54與下密閉杯構件61一體化，藉由升降機構7與下密閉杯構件61一起於鉛直方向Z升降。另，關於升降機構7之細節於下文說明。

於噴嘴支架53，如圖3及圖12所示，內置有使上表面噴嘴51F一併於徑向X移動之噴嘴移動部55。因此，根據來自控制單元10之位置指令，噴嘴移動部55將3個上表面噴嘴51F一併於方向X驅動。藉此，上表面噴嘴51F於圖12(a)所示之斜面處理位置與圖12(b)所示之預分配位置間往復移動。定位於該斜面處理位置之噴嘴移動部55之噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部。且，若根據來自控制單元10之供給指令，處理液供給 部52將3種處理液中對應於供給指令之處理液供給至該處理液用之上表面噴嘴51F，則自該上表面噴嘴51F之噴出口511對基板W之上表面Wf之周緣部噴出上述處理液。

另一方面，定位於預分配位置之上表面噴嘴51F之噴出口511位於上表面Wf之周緣部之上方，朝向下杯32。且，若根據來自控制單元10之供給指令，處理液供給部52將處理液之全部或一部分供給至對應之上表面噴嘴51F，則自該上表面噴嘴51F之噴出口511對下杯32噴出上述處理液。藉此，執行預分配處理。另，由斜面處理及預分配處理使用之處理液之液滴如圖12所示，經由間隙GPc排出至排出空間SPe。圖12之符號56表示由上表面噴嘴51F與內置噴嘴移動部55之噴嘴支架53構成之構造體，以下稱為「噴嘴頭56」。又，於噴嘴頭56僅安裝有上表面噴嘴51F，但亦可追加裝備噴出氮氣等惰性氣體之氣體噴出噴嘴，例如亦可以來自氣體噴出噴嘴之惰性氣體清洗於基板W旋轉一次之期間內未自周緣部Ws脫離而殘留之處理液。

本實施形態中，為了向基板W之下表面Wb之周緣部噴出處理液，下表面噴嘴51B及噴嘴支持部57設置於由旋轉吸盤21保持之基板W之下方。噴嘴支持部57如圖13所示，具有：薄壁之圓筒部位571，其於鉛直方向延設；及凸緣部位572，其於圓筒部位571之上端部具有朝徑向外側折疊展開之圓環形狀。圓筒部位571具有對形成於圓環構件27a與下杯32之間之氣隙GPa遊插自如之形狀。且，如圖2所示，以圓筒部位571遊插於氣隙GPa且凸緣部位572位於由旋轉吸盤21保持之基板W與下杯32間之方式， 固定配置有噴嘴支持部57。對凸緣部位572之上表面周緣部安裝有3個下表面噴嘴51B。各下表面噴嘴51B具有向基板W之下表面Wb之周緣部開口之噴出口511，可經由配管58噴出自處理液供給部52供給之處理液。

藉由自該等上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B噴出之處理液執行對基板W之周緣部之斜面處理。又，於基板W之下表面側，凸緣部位572延設至周緣部Ws附近。因此，經由配管28供給至下表面側之氮氣如圖8所示，沿凸緣部位572流動至捕集空間SPc。其結果，有效抑制液滴自捕集空間SPc逆流至基板W。

圖14係顯示氛圍分離機構之構成之局部剖視圖。氛圍分離機構6具有下密閉杯構件61與上密閉杯構件62。下密閉杯構件61及上密閉杯構件62皆具有上下開口之筒形狀。且，其等之內徑大於旋轉杯部31之外徑，氛圍分離機構6以自上方完全包圍旋轉吸盤21、保持於旋轉吸盤21之基板W、旋轉杯部31及上表面保護加熱機構4之方式配置，更詳細而言，如圖2所示，上密閉杯構件62以其上方開口自下方覆蓋頂壁11a之開口11b之方式，固定配置於沖孔板14之正下位置。因此，導入至腔室11內之清潔空氣之降流分成通過上密閉杯構件62之內部者、與通過上密閉杯構件62之外側者。

又，上密閉杯構件62之下端部包含具有朝內側折入之圓環形狀之凸緣部621。於該凸緣部621之上表面安裝有O形環64。於上密閉杯構件62之內側，將下密閉杯構件61於鉛直方向移動自如地配置。

下密閉杯構件61之上端部包含具有朝外側折疊展開之圓環形狀之凸緣部611。該凸緣部611於自鉛直上方俯視時，與凸緣部621重合。因此，當下密閉杯構件61下降時，如圖3及圖14所示，下密閉杯構件61之凸緣部611介隔O形環64由上密閉杯構件62之凸緣部621卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置。於該下限位置，於鉛直方向上，上密閉杯構件62與下密閉杯構件61相連，導入至上密閉杯構件62內部之降流被引導至保持於旋轉吸盤21之基板W。

下密閉杯構件61之下端部包含具有朝外側折入之圓環形狀之凸緣部612。該凸緣部612於自鉛直上方俯視時，與固定杯部34之上端部(液體承接部位341之上端部)重合。因此，於上述下限位置，如圖3中之放大圖及圖14所示，下密閉杯構件61之凸緣部612介隔O形環64由固定杯部34卡止。藉此，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間SPs。於該密閉空間SPs內，可執行對基板W之斜面處理。即，藉由將下密閉杯構件61定位於下限位置，密閉空間SPs與密閉空間SPs之外側空間SPo分離(氛圍分離)。因此，可不受外側氛圍之影響，穩定地進行斜面處理。又，為了進行斜面處理而使用處理液，可確實防止處理液自密閉空間SPs洩漏至外側空間SPo。因此，配置於外側空間SPo之零件之選定、設計之自由度變高。

下密閉杯構件61構成為亦可朝鉛直上方移動。又，於鉛直方向上， 於下密閉杯構件61之中間部，如上所述，經由支持構件54固定有噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴支架53)。又，此外，如圖2及圖3所示，上表面保護加熱機構4經由梁構件49固定於下密閉杯構件61之中間部。即，如圖3所示，下密閉杯構件61於周向上互不相同之3個部位分別與梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及支持構件54連接。且，藉由升降機構7使梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及支持構件54升降，伴隨於此，下密閉杯構件61亦升降。

於該下密閉杯構件61之內周面，如圖2、圖3及圖14所示，作為可與上杯33卡合之卡合部位，向內側突設有複數根(4根)突起部613。各突起部613延設至上杯33之上圓環部位332之下方空間。又，各突起部613以於下密閉杯構件61定位於下限位置之狀態下，自上杯33之上圓環部位332朝下方離開之方式安裝。且，藉由下密閉杯構件61之上升，各突起部613可自下方與上圓環部位332卡合。該卡合後，藉由下密閉杯構件61進而上升，亦可使上杯33與下杯32脫離。

本實施形態中，藉由升降機構7，下密閉杯構件61與上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56一起開始上升後，上杯33亦一起上升。藉此，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56亦自旋轉吸盤21朝上方離開。藉由下密閉杯構件61向退避位置(稍後說明之圖16A之位置)移動，形成用以供基板搬送機器人111之手(圖16A中之符號RH)接取旋轉吸盤21之搬送空間(圖16A中之符號SPt)。且，可執行經由該搬送空間對旋轉吸盤21裝載基板W，及自旋轉吸盤21卸下基板W。如此，本實施形態中，藉由升降機構7 之下密閉杯構件61之最小限度之上升，可進行對旋轉吸盤21接取基板W。

升降機構7具有2個升降驅動部71、72。升降驅動部71中，如圖3所示，設有第1升降馬達711。第1升降馬達711根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力。對該第1升降馬達711連結有2個升降部712、713。升降部712、713自第1升降馬達711同時承接上述旋轉力。且，升降部712根據第1升降馬達711之旋轉量，使支持梁構件49之一端部之支持構件491於鉛直方向Z升降。又，升降部713根據第1升降馬達711之旋轉量，使支持噴嘴頭56之支持構件54於鉛直方向Z升降。

升降驅動部72如圖3所示，具有第2升降馬達721與升降部722。第2升降馬達721根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力，並將其賦予至升降部722。升降部722根據第2升降馬達721之旋轉量，使支持梁構件49之另一端部之支持構件492於鉛直方向升降。

升降驅動部71、72使分別固定於周向上互不相同之3個部位之支持構件491、492、54，相對於下密閉杯構件61之側面，同步於鉛直方向移動。因此，可穩定進行上表面保護加熱機構4、噴嘴頭56及下密閉杯構件61之升降。又，隨著下密閉杯構件61之升降，亦可使上杯33穩定升降。

定心機構8具有：抵接構件81，其可接近及離開裝載於旋轉吸盤21之基板W之端面；及定心驅動部82，其用以使抵接構件81於水平方向移動。本實施形態中，以旋轉軸AX為中心放射狀之3個抵接構件81以等角度間隔 配置，圖2中僅圖示出其中之1個。該定心機構8於停止泵26之抽吸之期間(即，於旋轉吸盤21之上表面上，基板W可水平移動之期間)，根據來自控制單元10之定心指令，定心驅動部82使抵接構件81接近基板W(定心處理)。藉由該定心處理，消除基板W相對於旋轉吸盤21之偏心，將基板W之中心與旋轉吸盤21之中心一致化。

基板觀察機構9具有用以觀察基板W之周緣部之觀察頭91。該觀察頭91構成為可接近及離開基板W之周緣部。於觀察頭91連接有觀察頭驅動部92。且，藉由觀察頭91觀察基板W之周緣部時，根據來自控制單元10之觀察指令，觀察頭驅動部92使觀察頭91接近基板W(觀察處理)。且，使用觀察頭91拍攝基板W之周緣部。將所拍攝之圖像發送至控制單元10。控制單元10基於該圖像檢查是否良好地進行了斜面處理。

控制單元10具有運算處理部10A、記憶部10B、讀取部10C、圖像處理部10D、驅動控制部10E、通信部10F及排氣控制部10G。記憶部10B以硬碟驅動器等構成，記憶有用以由上述基板處理裝置1執行斜面處理之程式。該程式例如記憶於電腦可讀取之記錄媒體RM(例如光碟、磁碟、磁光碟等)，藉由讀取部10C自記錄媒體RM讀出，保存於記憶部10B。又，該程式之提供並非限定於記錄媒體RM，例如亦可以經由電通信線路提供該程式之方式構成。圖像處理部10D對藉由基板觀察機構9拍攝之圖像實施各種處理。驅動控制部10E控制基板處理裝置1之各驅動部。通信部10F與統合控制基板處理系統100之各部之控制部等進行通信。排氣控制部10G控制排氣部38。

又，於控制單元10，連接有顯示各種資訊之顯示部10H(例如顯示器等)，或受理來自操作者之輸入之輸入部10J(例如鍵盤及滑鼠等)。

運算處理部10A由具有CPU(=Central Processing Unit：中央處理單元)或RAM(=Random Access Memory：隨機存取記憶體)等之電腦構成，依照記憶於記憶部10B之程式，如下述般控制基板處理裝置1之各部，執行斜面處理。以下，參照圖15、圖16A至圖16D，且針對基板處理裝置1之斜面處理進行說明。

圖15係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置作為基板處理動作之一例執行之斜面處理之流程圖。又，圖16A至圖16E係顯示裝置各部之動作之模式圖。另，圖16A中為明示一體上升之構成，而對該構成參考性標註點，圖16C中為明示一體旋轉之構成，而對該構成參考性標註點。

藉由基板處理裝置1對基板W實施斜面處理時，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升。於該下密閉杯構件61之上升中途，突起部613與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一起上升，而定位於退避位置。藉此，形成足夠由基板搬送機器人111之手RH進入旋轉吸盤21之上方之搬送空間SPt。且，當確認搬送空間SPt之形成完成時，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行裝載基板W之請求，如圖16A所 示，等待將未處理之基板W搬入至基板處理裝置1，載置於旋轉吸盤21之上表面。然後，將基板W載置於旋轉吸盤21上(步驟S1)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成時，基板搬送機器人111自基板處理裝置1退避。接著，運算處理部10A以3個抵接構件81(圖16B中，僅圖示2根)接近基板W之方式，控制定心驅動部82。藉此，消除基板W相對於旋轉吸盤21之偏心，將基板W之中心與旋轉吸盤21之中心一致化(步驟S2)。如此，當定心處理完成時，運算處理部10A以3個抵接構件81離開基板W之方式控制定心驅動部82，且使泵26作動，對旋轉吸盤21賦予負壓。藉此，旋轉吸盤21自下表面吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72賦予下降指令。據此，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。即，如圖6所示，以凹部335覆蓋卡合銷35之前端部之方式嵌合，上杯33相對於下杯32定位於水平方向，且藉由於上磁體37與下磁體36間產生之引力，上杯33及下杯32互相結合，形成旋轉杯部31。

形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進而一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構 件61定位於下限位置(圖2及圖16C之位置)(步驟S3)。上述卡止後，上密閉杯構件62之凸緣部621及下密閉杯構件61之凸緣部611介隔O形環64密接，且下密閉杯構件61之凸緣部612及固定杯部34介隔O形環65密接。其結果，如圖2所示，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間SPs，密閉空間SPs與外側氛圍(外側空間SPo)分離(氛圍分離)。於該氛圍分離狀態下，圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws外之表面區域。又，將上表面噴嘴51F以噴出口511於圓板部42之缺口部44內朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。

接著，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予氮氣供給指令。藉此，如圖16C之箭頭F1所示，開始自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S4)。該氮氣於通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱，升溫至期望溫度，更具體而言，高於上杯33及基板W之周邊溫度之溫度，之後自中央噴嘴45噴出至被夾於基板W與圓板部42之空間SPa(圖10)。藉此，將基板W之上表面Wf全面加熱。又，基板W之加熱亦藉由加熱器421進行。因此，隨著時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度。又，周緣部Ws以外之溫度亦上升至幾乎相等溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均一。因此，可有效抑制基板W翹曲。

如此，當處理液對基板W之供給準備完成時，運算處理部10A對旋轉驅動部23賦予旋轉指令，開始保持基板W之旋轉吸盤21及旋轉杯部31之 旋轉(步驟S5)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度設定為例如1800轉/分鐘。又，運算處理部10A驅動控制加熱器驅動部422，使加熱器421升溫至期望溫度，例如185℃。

接著，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B供給處理液(同圖中之箭頭F2、F3)。即，自上表面噴嘴51F以與基板W之上表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流，且自下表面噴嘴51B以與基板W之下表面周緣部碰撞之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S6)。且，當運算處理部10A檢測出經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52賦予供給停止指令，停止處理液之噴出。

該斜面處理中，自基板W朝徑向飛散之處理液之液滴彈落於傾斜面334。且，若該液滴留在該彈落位置，則有時接下來會產生與自基板W飛散之液滴碰撞。若因該碰撞而液滴飛濺並再附著於基板W，則其成為顆粒產生之原因。然而，本實施形態中，斜面處理中，加熱氣體亦沿基板W之上表面Wf於徑向擴散，噴吹至上杯33之傾斜面334。並且，上杯33在旋轉。因此，彈落於傾斜面334之液滴藉由加熱氣體之噴吹與上杯33之旋轉之協同效果，該液滴迅速自彈落位置經由傾斜面334朝下方移動。其結果，有效防止顆粒之產生。

又，斜面處理後，運算處理部10A以基板W與旋轉杯部31依適於基板W及上杯33之乾燥之轉速旋轉之方式，控制旋轉機構2。又，運算處理部 10A如圖16D之箭頭F4所示，以將加熱氣體依適於上述乾燥之流量自中央噴嘴45向基板W之上表面中央部噴出之方式，控制氮氣供給部47。藉此，加熱氣體沿旋轉之基板W之上表面Wf於徑向擴散，使基板W乾燥。又，通過基板W之上表面Wf之加熱氣體噴吹至上杯33之傾斜面334。因此，基板W之乾燥處理中飛散至上杯33之液滴藉由加熱氣體之噴吹與上杯33之旋轉之協同效果，該液滴迅速自彈落位置經由傾斜面334移動至下方。如此，與基板W之乾燥處理並行執行上杯33之乾燥處理(步驟S7)。

此處，作為用以短時間進行上杯33之乾燥處理之方式，較佳為如以下說明之實證實驗結果所示

(A)將上杯33之轉速增速

(B)將加熱氣體之溫度設定得較高

(C)將加熱氣體之流量設定得較多

(D)將排氣量設定得較多

(E)降低上杯33之傾斜角。以下，參照圖17A、圖17B及圖18，且對實證實驗結果進行說明。

圖17A係顯示將上杯之傾斜角設定為60°時之杯旋轉速度與杯乾燥時間之關係之曲線圖，圖17B係顯示將上杯之傾斜角設定為70°時之杯旋轉速度與杯乾燥時間之關係之曲線圖。該實證實驗中，準備以下3個杯乾燥條件DC1~DC3，

<乾燥條件DC1>

‧排氣部38之排氣壓=80Pa

‧加熱氣體之流量=150[L/min]

‧(加熱)氣體之溫度=室溫(5~35℃)

<乾燥條件DC2>

‧排氣部38之排氣壓=220Pa

‧加熱氣體之流量=150[L/min]

‧(加熱)氣體之溫度=室溫(5~35℃)

<乾燥條件DC3>

‧排氣部38之排氣壓=174Pa

‧加熱氣體之流量=120[L/min]

‧加熱氣體之溫度=174℃。又，一面以各杯乾燥條件DC1~DC3將上杯33之轉速[rpm]以1000rpm、1500rpm及2000rpm多階段變更，一面執行上述步驟S7。又，求得於1000rpm、1500rpm及2000rpm下，確認藉由水敏試紙(有時亦簡稱為「水敏紙」)將液體成分自上杯33完全去除為止所需之時間，即上杯33之乾燥時間。

圖17A及圖17B中，乾燥條件DC1下相對於轉速之乾燥時間以塗黑之四方形表示，乾燥條件DC2下相對於轉速之乾燥時間以塗黑之三角形表示，乾燥條件DC3下相對於轉速之乾燥時間以塗黑之圓形表示。基於該驗證結果可知方式(A)及方式(B)較為有效。又，為了將乾燥時間抑制為目標時間，例如如圖17A所示般之7秒左右，需要將加熱氣體之溫度設定為高於常溫之高溫。為了進而對其進行驗證，若將乾燥條件DC2中之加熱氣體之溫度上升至174℃，則例如如圖17A中之白色三角形所示，1500rpm下 之乾燥時間自約26秒縮短至6秒左右。

又，自圖17A與圖17B之比較，伴隨著上杯33之傾斜角之減少，曲線整體朝低乾燥時間側偏移。其表示要縮短乾燥時間，有效的是降低上杯33之傾斜角。

圖18係顯示加熱氣體之流量與乾燥時間之關係之曲線圖。此處，準備

<乾燥條件DC4>

‧排氣部38之排氣壓=80Pa

‧上杯33之傾斜角=60°

‧加熱氣體之溫度=174℃，一面以該乾燥條件DC4將加熱氣體之流量以3個階段變更，一面執行上述步驟S7。且，於各流量下，藉由水敏試紙求得上杯33之乾燥時間。如由同圖而明瞭，要縮短乾燥時間，有效的是增大加熱氣體之流量，如上所述，為了將乾燥時間抑制為7秒左右，可將加熱氣體之流量設定為60[L/min]以上。

回到圖15繼續動作說明。若基板W之乾燥處理及上杯33之乾燥處理皆完成，則運算處理部10A對旋轉驅動部23賦予旋轉停止指令，停止旋轉吸盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S8)。又，運算處理部10A對氮氣供給部47賦予供給停止指令，停止自氮氣供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S9)。

於接下來之步驟S10，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。更具體而言，運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，而形成搬送空間SPt。且，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91接近基板W。且，當藉由觀察頭91拍攝周緣部Ws後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部92，使觀察頭91自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於所拍攝之周緣部Ws之圖像，運算處理部10A檢查是否良好進行了斜面處理。

檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行卸載基板W之請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S11)。另，重複執行該等一連串步驟。

如上所述，根據第1實施形態，不僅將供給至基板W之上表面Wf之加熱氣體沿基板W之上表面Wf供給至上杯33，亦使上杯33旋轉。此處，為了驗證上杯33之旋轉之效果，於圖19之上段例示於繼斜面處理後執行基板W之乾燥處理及杯之乾燥處理時，與先前技術同樣，不使上杯33旋轉之比較例。若將該比較例與使上杯33旋轉之第1實施形態進行比較，則上杯33之乾燥所需之時間縮短相當於上杯33之旋轉之時間△T1。

又，如參照圖17A、圖17B及圖18且進行說明般，要使上杯33於短時間內乾燥，有效的是採取方式(A)~方式(E)。該等中之方式(A)係關於上杯33之轉速者，方式(B)、(C)係關於加熱氣體者，方式(D)係關於排氣量 者，關於該等，於基板W及上杯33之乾燥處理中可適當變更。且，關於基板W及上杯33之轉速、加熱氣體之溫度或流量、排氣量，存在使上杯33於短時間內乾燥之較佳之範圍(以下，稱為「杯乾燥適當範圍」)。因此，圖19中之第1實施形態中，期望於杯乾燥適當範圍內設定基板W及上杯33之乾燥處理中之轉速R2或加熱氣體之流量FL1等。

上述之第1實施形態中，圖16A、圖16B及圖16E所示之上杯33之位置相當於本發明之「杯上升位置」之一例。又，上杯33相當於本發明之「杯」之一例。又，氣體相當於本發明之「加熱氣體」之一例。旋轉吸盤21相當於本發明之「基板保持部」之一例。又，配管46、氮氣供給部47及帶狀加熱器48作為本發明之「氣體供給機構」發揮功能。控制單元10相當於本發明之「控制部」之一例。

<第2實施形態>

然而，有杯乾燥適當範圍偏離基板W之乾燥較佳之範圍(以下，稱為「基板乾燥適當範圍」)之情形。例如如圖20所示，基板W之乾燥處理中，期望使基板W以轉速R2旋轉，但有時其會低於杯乾燥適當範圍。此種實例中，亦可於基板W之乾燥處理完成之時序，將轉速自基板乾燥適當範圍內之轉速R2變更為杯乾燥適當範圍內之轉速R3。當然，此種乾燥處理條件之變更並非限定於轉速，對於其他條件，例如加熱氣體之流量亦同樣。

<第3實施形態>

關於使基板W乾燥時之乾燥處理條件，即基板W之轉速或加熱氣體之流量等，使用者大多根據基板W之種類等設定於所謂之製程配方中。因此，亦可由運算處理部10A判斷製程配方中設定之基板W之轉速或加熱氣體之流量等是否落在杯乾燥適當範圍內。且，亦可以運算處理部10A基於該判斷切換乾燥處理順序之方式構成。例如，亦可構成為，基板乾燥處理中，判斷為判斷使用者指定之轉速等落在杯乾燥適當範圍內時，運算處理部10A執行圖19之「第1實施形態」所示之順序，另一方面，判斷為使用者指定之轉速等未落在杯乾燥適當範圍內時，運算處理部10A執行圖20所示之順序。藉此，可一面靈活應對使用者設定之製程配方，一面縮短上杯33之乾燥所需之時間。

<第4實施形態>

上述第1實施形態至第3實施形態中，藉由將加熱氣體向基板W之上表面中央部噴出，而將加熱氣體用於基板W及上杯33之乾燥，但加熱氣體之供給形態並非限定於此。例如，亦可以將加熱氣體供給至基板W之周緣部與中央部間之中間區域之方式構成(第4實施形態)。

圖21係顯示本發明之基板處理裝置之第4實施形態之上表面保護加熱機構之構成之剖視圖。圖22係圖21所示之上表面保護加熱機構之分解組裝圖。第4實施形態之上表面保護加熱機構4與第1實施形態者之較大不同點在於，加熱氣體之噴出方向、其構成。即，第4實施形態中，上表面保護加熱機構4具有基塊410、配置於基塊410之鉛直下方之第1底塊420及第2底塊430、配置於第1底塊420之內部之周緣加熱加熱器440、及配置於第 2底塊430之內部之中央加熱加熱器450。基塊410、第1底塊420、第2底塊430、周緣加熱加熱器440及中央加熱加熱器450分別如下述般構成，且藉由將該等組合而構成遮斷板構造體40。

基塊410如圖22所示，全體具有大致圓盤形狀。於基塊410之上表面中央部，安裝有用以導入供給至基板W之上表面Wf之氮氣之輸入端口41a。於輸入端口41a，如圖2所示，經由配管46與氮氣供給部47連接。

基塊410中，如圖21所示，輸入端口41a之上端部開口，該開口41b相當於「第1開口」之一例。又，於基塊410之下表面之中央部，設有寬於開口41b之開口41c。該開口41c相當於「第2開口」之一例。且，於基塊410之下表面側，形成有漏斗狀空間41d。該漏斗狀空間41d之內徑自開口41b向下方擴大，與開口41c相連。

第1底塊420如圖21及圖22所示，具有附凸緣之圓環構件42a與圓環構件42b。又，圓環形狀之周緣加熱加熱器440由圓環構件42a與圓環構件42b夾住，且內置於第1底塊420。圓環構件42a具有稍短於基板W之直徑。又，如圖22所示，於第1底塊420之周緣部，設有缺口部42e。其係為了防止與處理機構5所含之處理液噴出噴嘴之干涉而設置。缺口部42e朝徑向外側開口。

圓環構件42a中，於由凸緣部位包圍之區域之中央部，設置與開口41c同一形狀之貫通孔，該中央部具有中空形狀。又，圓環構件42b及周 緣加熱加熱器440亦與圓環構件42a之中央部同樣，具有設有與開口41c同一形狀之貫通孔之圓環形狀。且，一面使上述貫通孔一致，一面對圓環構件42a之上表面依序積層周緣加熱加熱器440及圓環構件42b。如此構成之積層體(=第1底塊420+周緣加熱加熱器440)中，圓環形狀之周緣加熱加熱器440由圓環構件42a與圓環構件42b夾住，且內置於第1底塊420。又，如圖21之左側圖式所示，於該積層體之中央部形成貫通孔42c，貫通孔42c內之空間相當於「貫通空間」之一例。又，該貫通孔42c之上方側之開口42d相當於「第3開口」。且，以開口42d與基塊410之開口41c一致，且第1底塊420之上表面與基塊410之下表面一致之方式，將上述積層體密接於基塊410，同時藉由螺栓等緊固構件41e，將第1底塊420及周緣加熱加熱器440固定於基塊410。於是，漏斗狀空間41d與上述貫通空間相連而一體化。藉此，形成可游插接下來說明之第2底塊430之空間(=漏斗狀空間41d+貫通空間)。

第2底塊430具有圓盤構件43a、中間構件43b及圓錐台構件43c。圓盤構件43a具有稍窄於貫通孔42c之內徑之外徑，且具有與圓環構件42a相同之厚度，即鉛直方向上之高度。又，中間構件43b具有與圓盤構件43a同一形狀之圓盤部位、及自該圓盤部位朝鉛直上方延設之圓錐台部位。且，藉由由圓盤構件43a與中間構件43b夾住中央加熱加熱器450，而中央加熱加熱器450內置於第2底塊430。另，中央加熱加熱器450具有與圓盤構件43a同一形狀且與周緣加熱加熱器440同一厚度。一面使圓盤構件43a、中央加熱加熱器450、中間構件43b及圓錐台構件43c之旋轉對稱軸一致，一面對圓盤構件43a之上表面依序積層中央加熱加熱器450、中間構件43b及 圓錐台構件43c。如此形成之積層體(=第2底塊430+中央加熱加熱器450)之下表面(即，圓盤構件43a之下表面)以於鉛直方向上與第1底塊420之下表面一致之方式，遊插於以漏斗狀空間41d及貫通空間構成之空間。且，保持該遊插狀態，藉由螺栓等緊固構件41f將第2底塊430及中央加熱加熱器450固定於基塊410。藉此，遮斷板構造體40中，於基塊410及第1底塊420與第2底塊430之間，形成間隙區域40c作為氣體供給路徑。又，於第1底塊420之下表面與第2底塊430之下表面之間形成環狀吹出口40a。其結果，若經由開口41b將加熱氣體導入至上表面保護加熱機構4，則加熱氣體經由間隙區域40c引導至環狀吹出口40a。且，自環狀吹出口40a對基板W之上表面Wf之中央部與周緣部之中間區域，尤其周緣部附近，均一供給加熱氣體。

又，上表面保護加熱機構4中，為了驅動周緣加熱加熱器440，設有餽電構件44a。餽電構件44a如圖21所示，插通至設置於底塊410及圓環構件42b之貫通孔(省略圖示)，連接於周緣加熱加熱器440。因此，若將用以使周緣加熱加熱器440作動之電力自加熱器驅動部422經由餽電構件44a賦予至周緣加熱加熱器440，則自周緣加熱加熱器440釋放熱。該熱經由圓環構件42a賦予至基板W之周緣部Ws，且於間隙區域40c中將往向環狀吹出口40a之流動之加熱氣體加熱。藉此，基板W之周緣部Ws被加熱，周緣部溫度上升。

為了除周緣加熱加熱器440外還對中央加熱加熱器450進行驅動，設有餽電構件45a。餽電構件45a如圖21所示，插通至設置於基塊410、圓錐 台構件43c及中間構件43b之貫通孔(省略圖示)，連接於中央加熱加熱器450。因此，若將用以使中央加熱加熱器450作動之電力自加熱器驅動部442經由餽電構件45a賦予至中央加熱加熱器450，則自中央加熱加熱器450釋放熱。該熱經由圓環構件42a賦予至基板W之上表面Wf之中央部，且於間隙區域40c中將往向環狀吹出口40a之加熱氣體加熱。藉此，可提高供給至基板W之周緣部附近之加熱氣體之溫度，使基板W之周緣部溫度上升。又，可經由圓盤構件43a將基板W之上表面Wf之中央部加熱，縮小與周緣部Ws之溫度差。即，可使基板W之面內溫度均一化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。又，本實施形態中，如圖21所示，樹脂製之旋轉吸盤21與第2底塊之間，(D43>D21)之關係成立。即，於水平面內，旋轉吸盤21之上表面窄於第2底塊430之下表面，位於第2底塊430之下表面之鉛直下方。因此，旋轉吸盤21不易受自環狀吹出口40a供給至周緣部附近之加熱氣體或來自周緣加熱加熱器440之熱的影響，可防止旋轉吸盤21之劣化或形狀變化等，謀求斜面處理之穩定化。

再者，加熱器驅動部442可切換向周緣加熱加熱器440及中央加熱加熱器450之餽電、僅向周緣加熱加熱器440之餽電、停止向兩者之餽電。並且，於對周緣加熱加熱器440及中央加熱加熱器450之兩者餽電之情形時，可個別控制賦予至周緣加熱加熱器440之電力量與賦予至中央加熱加熱器450之電力量。藉由該電力控制，可互相獨立地調整周緣加熱加熱器440之發熱量與中央加熱加熱器450之發熱量。其結果，本實施形態中，可非常精細地控制基板W之溫度。尤其，較佳為以周緣加熱加熱器440之發熱量大於中央加熱加熱器450之發熱量之方式進行控制。

如此加熱之氮氣即加熱氣體如上所述，不僅具有將基板W之周緣部Ws及上杯33加熱之功能，亦具有抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf之功能。即，可有效防止上述氛圍所含之液滴捲入至由基板W與遮斷板構造40所夾之空間SPa。

如上所述，第4實施形態中，環狀吹出口40a形成於基板W之上表面Wf之周緣部附近，自該環狀吹出口40a對基板W之周緣部附近直接供給加熱氣體。因此，可獲得如下之作用效果。於藉由旋轉吸盤21吸附保持基板W之下表面中央部之裝置中，供給至基板W之上表面Wf之中央部之加熱氣體因旋轉吸盤21而變冷。藉此，加熱氣體之溫度降低不可避免。相對於此，第4實施形態中，可不經由基板W之上表面中央部，將加熱氣體供給至基板W之周緣部Ws及上杯33。因此，可以更少之加熱氣體使基板W及上杯33乾燥。其結果，可削減加熱氣體之使用量，藉此可降低環境負荷。又，與第1實施形態至第3實施形態相比，可進而縮短乾燥處理所需之時間。

又，作為用以進而將於間隙區域40c流通之加熱氣體加熱之加熱方式，將周緣加熱加熱器440設置於第1底塊420。即，於自環狀吹出口40a供給之前一刻將加熱氣體進而加熱。因此，自環狀吹出口40a對基板W之上表面Wf之周緣部Ws供給高溫之加熱氣體。且，該基板W之周緣部Ws不僅藉由上述加熱氣體加熱，亦藉由周緣加熱加熱器440加熱。因此，與第1實施形態至第3實施形態相比，可將基板W之周緣部Ws之溫度於短時間 內升降至適於基板處理之溫度。

又，上述實施形態中，除周緣加熱加熱器440外亦設有中央加熱加熱器450。因此，可將基板W之上表面Wf之面內溫度保持均一，有效抑制基板W翹曲。又，雖有基板W中已產生翹曲之情形，但亦可適當應對。如此，對於具有翹曲之基板W，藉由分別個別調整周緣加熱加熱器440與中央加熱加熱器450之加熱器輸出，而產生基板W之中央附近與周緣附近之溫度差。藉由利用該溫度差，可個別控制各部之熱膨脹量。即，藉由調整加熱器輸出，亦可減輕基板W之翹曲。

又，上述實施形態中，間隙區域40c以由基塊410與第2底塊430所夾之傾斜部位，及由第1底塊420與第2底塊430所夾之垂直部位構成。即，加熱氣體之流通路徑自傾斜部位緩慢變更為垂直部位。因此，可抑制傾斜部位與垂直部位之連接處之加熱氣體之壓力損耗，減小加熱氣體之溫度降低。

<第5實施形態>

上述實施形態中，一面將相當於本發明之「遮斷構件」之一例之遮斷板41或遮斷板構造體40配置於自基板W之上表面Wf朝上方離開恆定距離之位置，一面進行斜面處理及乾燥處理。此處，例如如圖23所示，於鉛直方向Z上，可使遮斷板41之位置於斜面處理與乾燥處理中不同。

圖23係模式性顯示本發明之基板處理裝置之第5實施形態之斜面處理 及乾燥處理之圖。同圖(a)顯示斜面處理，另一方面，同圖(b)顯示乾燥處理。斜面處理時，如同圖(a)所示，遮斷板41配置於自基板W之上表面Wf朝上方離開第1距離之處理位置H1。因此，自基板W飛散之處理液之液滴在低於處理位置H1附近之位置，附著於上杯33之傾斜面334。另一方面，乾燥處理中，如同圖(b)所示，遮斷板41配置於自基板W之上表面Wf朝上方離開第2距離(>第1距離)之乾燥位置H2。因此，加熱氣體在與高於處理位置H1之乾燥位置H2相同或低於其之位置，噴吹至上杯33之傾斜面334。因此，可將附著於上杯33之處理液之液滴確實乾燥去除，可提高乾燥性能。

另，本發明並非限定於上述實施形態者，只要不脫離其主旨，則可對上述者施加各種變更。例如，上述實施形態中，如圖7所示，上圓環部位332之內周面之徑d332小於基板W之直徑Dw，自鉛直上方俯視時，以上圓環部位332之內周面與基板W之周緣部Ws重疊之方式定位。以該配置關係執行斜面處理及乾燥處理，但亦可將本發明應用於徑d332與直徑Dw相同或大於直徑Dw之基板處理裝置。

又，上述實施形態中，將本發明應用於以旋轉驅動部23使基板W與旋轉杯部31同步旋轉之基板處理裝置。本發明之應用範圍並非限定於此，亦可應用於分別藉由不同之旋轉驅動部使基板W與旋轉杯部31旋轉之基板處理裝置。

又，將本發明應用於作為「處理液之基板之處理」之一例，執行斜 面處理，其後使基板乾燥的基板處理裝置。本發明之應用範圍並非限定於此者，亦可將本發明應用於藉由將處理液供給至旋轉之基板而對基板實施基板處理，其後使該基板乾燥的基板處理裝置全體。

[產業上之可利用性]

本發明可應用於使基板旋轉且對該基板供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等之基板處理技術全體。

FL1:流量

R2:轉速

△T1:時間

Claims (8)

1. 一種基板處理方法，其特徵在於具備以下步驟： (a)藉由一面以杯包圍保持於可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板保持部之基板之外周，一面對上述基板供給處理液，而一面以上述處理液處理上述基板，一面以上述杯之內周面捕集自上述基板飛散之上述處理液之液滴； (b)使上述處理液附著之上述基板及上述杯乾燥； (c)使乾燥後之上述杯上升至高於上述基板之杯上升位置；且 上述步驟(b)具有以下步驟： (b-1)一面以上述杯包圍上述基板之外周，一面使保持上述基板之上述基板保持部及上述杯繞旋轉軸旋轉； (b-2)藉由將加熱至高於上述杯及上述基板之周邊溫度的溫度之加熱氣體供給至旋轉之上述基板之上表面，而使上述基板乾燥； (b-3)藉由經由上述基板之上表面將上述加熱氣體供給至旋轉之上述杯之上述內周面，而使上述杯乾燥。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述步驟(a)具有以下步驟： (a-1)一面以上述杯包圍上述基板之外周，一面使保持上述基板之上述基板保持部及上述杯繞旋轉軸旋轉； (a-2)藉由將上述加熱氣體供給至旋轉之上述基板之上表面，而經由上述基板之上表面將上述加熱氣體供給至旋轉之上述杯之上述內周面。
3. 如請求項2之基板處理方法，其中 上述步驟(a-2)於將遮斷構件配置於自上述基板之上述上表面朝上方離開第1距離之處理位置之狀態下執行， 上述步驟(b-2)及步驟(b-3)於將上述遮斷構件配置於自上述基板之上述上表面朝上方離開長於上述第1距離之第2距離的乾燥位置之狀態下執行。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中 上述步驟(b-3)至少與上述步驟(b-2)重疊執行。
5. 如請求項4之基板處理方法，其中 上述步驟(b-3)於上述步驟(b-2)完成後亦繼續執行。
6. 如請求項1至3中任一項之基板處理方法，其中 上述步驟(a)為藉由對上述基板之周緣部供給上述處理液而處理上述周緣部之步驟， 上述步驟(b-2)及上述步驟(b-3)中，將上述加熱氣體供給至上述基板之上表面中上述基板之上表面中央部與上述周緣部之間之中間部。
7. 如請求項6之基板處理方法，其中 上述基板保持部藉由吸附上述基板之下表面中與上述上表面中央部對向之下表面中央部，而保持上述基板。
8. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 基板保持部，其一面保持基板一面可繞於鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉地設置； 處理機構，其對保持於上述基板保持部之基板供給處理液而處理上述基板； 旋轉杯部，其具有一面包圍上述基板之外周一面可繞上述旋轉軸旋轉且可於鉛直方向升降而設置的杯，以上述杯之內周面捕集自上述基板飛散之上述處理液之液滴； 旋轉機構，其使上述基板保持部及上述杯旋轉； 升降機構，其使上述杯升降； 氣體供給機構，其對上述基板之上表面供給加熱至高於上述杯及上述基板之周邊溫度的溫度之加熱氣體；及 控制部，其如下控制上述旋轉機構、上述升降機構及上述氣體供給機構：於使上述杯上升至高於上述基板之杯上升位置之前，一面使上述基板及上述杯旋轉，一面使上述加熱氣體經由上述基板之上表面往向上述杯之上述內周面。