TWI882152B

TWI882152B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI882152B
Application number: TW110127832A
Authority: TW
Inventors: 梅﨑翔太; 稲富弘朗
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2020-08-07
Filing date: 2021-07-29
Publication date: 2025-05-01
Also published as: JP2024096283A; US11688613B2; KR20220018922A; JP7486377B2; US20220044944A1; TW202531546A; JP2022030850A; TW202230661A; CN114068360A

Abstract

[課題] 提供一種使進行超臨界乾燥之基板處理裝置小型化的技術。 [解決手段] 基板處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥前述基板。前述基板處理裝置，係具備有：壓力容器；蓋體；及支撐體。前述壓力容器，係在內部形成前述基板的乾燥室。前述蓋體，係堵塞前述乾燥室的開口。前述支撐體，係在前述乾燥室中，水平地支撐前述基板。前述支撐體，係被固定於前述乾燥室。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本揭示，係關於基板處理裝置及基板處理方法。

記載於專利文獻1之乾燥處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥基板。該乾燥處理裝置，係具備有：矩形箱型狀的容器本體；蓋體；及基板載置台。蓋體與基板載置台，係兼作為用以搬入及搬出基板的搬入搬出機構，且被設置成可進退。在專利文獻2亦揭示有相同的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2013-254904號公報 [專利文獻2] 日本特開2019-67863號公報

[本發明所欲解決之課題]

本揭示之一態樣，係提供一種使進行超臨界乾燥之基板處理裝置小型化的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣的基板處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥前述基板。前述基板處理裝置，係具備有：壓力容器；蓋體；及支撐體。前述壓力容器，係在內部形成前述基板的乾燥室。前述蓋體，係堵塞前述乾燥室的開口。前述支撐體，係在前述乾燥室中，水平地支撐前述基板。前述支撐體，係被固定於前述乾燥室。前述支撐體，係包含有：整流板，調整前述乾燥室中之流體的流動；及載置部，被固定於前述整流板的上面。前述整流板被固定於前述乾燥室。前述基板被載置於前述載置部。 [發明之效果]

根據本揭示之一態樣，可使進行超臨界乾燥之基板處理裝置小型化。

以下，參照圖面，說明關於本揭示之實施形態。另外，在各圖面中，對於相同或相對應之構成，係有時賦予相同符號並省略說明。在本說明書中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向，係彼此垂直的方向。X軸方向及Y軸方向為水平方向，Z軸方向為垂直方向。

首先，參照圖1～圖3，說明關於實施形態的基板處理裝置1。如圖1所示般，基板處理裝置1，係具備有：搬入搬出站2；及處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係在X軸方向上鄰接設置。

搬入搬出站2，係具備有：載置部21；搬送部22；及收授部23。載置部21，係載置有複數個載體C者。複數個載體C，係分別在垂直方向上隔開間隔地收容複數片水平的基板W。

基板W，係包含有矽晶圓抑或化合物半導體晶圓等的半導體基板或玻璃基板。基板W，係亦可更包含有被形成於半導體基板或玻璃基板的表面之電子電路等的元件。基板W，係亦可在其表面具有凹凸圖案。

搬送部22，係鄰接設置於載置台21。在搬送部22之內部，係配置有第1搬送裝置22a。第1搬送裝置22a，係在搬送部22之內部搬送基板W，並在被配置於搬送部22旁邊的複數個裝置間搬送基板W。

第1搬送裝置22a，係包含有：第1搬送臂，保持基板W。第1搬送臂，係可朝水平方向(X軸方向及Y軸方向之兩方向)及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉。第1搬送臂之數量，係亦可為1個或亦可為複數個。

收授部23，係鄰接設置於搬送部22。收授部23，係具有：移轉裝置23a，暫時收容基板W。如圖2所示般，複數個移轉裝置23a亦可被堆疊於垂直方向。但是，移轉裝置23a之配置及數量，係並不特別限定。

處理站3，係具備有：搬送區塊31；及複數個處理區塊32。搬送區塊31，係鄰接設置於收授部23。搬送區塊31，係長方體狀。在搬送區塊31之內部，係配置有第2搬送裝置31a。第2搬送裝置31a，係在被配置於搬送區塊31旁邊的複數個裝置間搬送基板W。

第2搬送裝置31a，係包含有：第2搬送臂，保持基板W。第2搬送臂，係可朝水平方向(X軸方向及Y軸方向之兩方向)及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉。第2搬送臂之數量，係亦可為1個或亦可為複數個。

處理區塊32，係鄰接設置於搬送區塊31。處理區塊32，係亦可設置有複數個。如圖1所示般，只要複數個處理區塊32被對稱配置於搬送區塊31的Y軸方向兩側，則在複數個處理區塊32間可降低基板W之處理時間的偏差，並可降低基板W之處理品質的偏差。又，如圖2所示般，只要複數個處理區塊32被堆疊於垂直方向，則可降低處理區塊32的設置面積。但是，處理區塊32之配置及數量，係並不特別限定。

在複數個處理區塊32被堆疊於垂直方向的情況下，如圖3所示般，複數個搬送區塊31亦可被堆疊於垂直方向。搬送區塊31之層數與處理區塊32之層數為相同。可在不同高度同時搬送複數個基板W，並可增加每一單位時間之基板W的處理片數。但是，搬送區塊31之配置及數量，係並不特別限定。

處理區塊32，係包含有：液膜形成單元32a；乾燥單元32b；及供給單元32c。處理區塊32，係亦可具有複數組(例如2組)液膜形成單元32a、乾燥單元32b及供給單元32c的組。如後述般，根據本實施形態，由於可使乾燥單元32b小型化，因此，即便增加各種單元的數量，亦可抑制處理區塊32的大型化。

液膜形成單元32a，係將液體供給至水平的基板W之上面。液膜形成單元32a，係例如包含有：旋轉卡盤，水平地保持基板W；及噴嘴，將液體吐出至基板W的上面。噴嘴，係將液體供給至旋轉的基板W之上面的中心。液體，係藉由離心力，從基板W之上面的中心朝向周緣浸濕擴散。作為液體，例如依藥液、沖洗液、乾燥液該順序予以供給。亦可供給複數個種類的藥液，且亦可在一藥液的供給與另一藥液的供給之間供給沖洗液。

液膜形成單元32a，係例如在水平的基板W之上面形成藥液的液膜，接著，將藥液的液膜置換成沖洗液的液膜，其次，將沖洗液的液膜置換成乾燥液的液膜。藥液，係例如SC1(氨與過氧化氫之水溶液)或DHF(稀氫氟酸)等。沖洗液，係例如DIW(去離子水)等。乾燥液，係例如IPA(異丙醇)等的有機溶劑。

乾燥單元32b，係將被形成於水平的基板W之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥基板W。超臨界流體，係指被放置於臨界溫度以上的溫度與臨界壓力以上的壓力下之流體，且為無法區分液體與氣體的狀態之流體。藉由將乾燥液等的液膜置換成超臨界流體的方式，可抑制因表面張力所造成的基板W之凹凸圖案的倒塌。乾燥單元32b之詳細內容，係如後述。

供給單元32c，係對乾燥單元32b供給流體。具體而言，供給單元32c，係具備有：供給機器群，包含流量計、流量調整器、背壓閥、加熱器等；及殼體，收容供給機器群。供給單元32c，係將作為流體的例如CO ₂供給至乾燥單元32b。

於俯視下，同一處理區塊32所包含的液膜形成單元32a與乾燥單元32b，係與矩形之搬送區塊31的長邊接觸。同一處理區塊32所包含的複數個液膜形成單元32a，係相互鄰接，且被配置於比乾燥單元32b更靠近移轉裝置23a。

於俯視下，同一處理區塊32所包含的乾燥單元32b與供給單元32c，係在X軸方向上交互地排列。供給單元32c，係對於在X軸負方向側鄰接的乾燥單元32b供給流體。供給單元32c，係亦可鄰接於搬送區塊31或不鄰接於搬送區塊31。其原因在於，基板W並未被搬入搬出供給單元32c。

於俯視下，處理區塊32，係比搬送區塊31更往X軸正方向突出。在其突出部分配置有供給單元32c。供給單元32c之三方(Y軸正方向、Y軸負方向及X軸正方向)被開放，且維護時的作業性良好。

在設置有複數個處理區塊32的情況下，第2搬送裝置31a，係在同一處理區塊32所包含的複數個單元間(例如液膜形成單元32a與乾燥單元32b之間)搬送一基板W。第2搬送裝置31a，係在複數個處理區塊32間不搬送基板W。

基板處理裝置1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有CPU(Central Processing Unit) 41與記憶體等的記憶媒體42。在記憶媒體42，係儲存有控制在基板處理裝置1中所執行之各種處理的程式。控制裝置4，係藉由使CPU41執行被記憶於記憶媒體42之程式的方式，控制基板處理裝置1的動作。

其次，參照圖4，說明關於基板處理裝置1的動作。圖4所示之步驟S1～S4，係在控制裝置4的控制下予以實施。

首先，第1搬送裝置22a從載體C取出基板W，並將取出的基板W搬送至移轉裝置23a。接著，第2搬送裝置31a從移轉裝置23a取出基板W，並將取出的基板W搬送至液膜形成單元32a。

其次，液膜形成單元32a將藥液供給至水平的基板W之上面(S1)。藥液，係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力而擴展至上面的徑方向整體，形成液膜。

其次，液膜形成單元32a將沖洗液供給至水平的基板W之上面(S2)。沖洗液，係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力而擴展至上面的徑方向整體，形成液膜。藥液的液膜被置換成沖洗液的液膜。

其次，液膜形成單元32a將乾燥液供給至水平的基板W之上面(S3)。乾燥液，係被供給至旋轉的基板W之上面的中心，藉由離心力而擴展至上面的徑方向整體，形成液膜。沖洗液的液膜被置換成乾燥液的液膜。

其次，第2搬送裝置31a從液膜形成單元32a取出基板W，並將取出的基板W搬送至乾燥單元32b。

其次，乾燥單元32b將被形成於水平的基板W之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥基板W(S4)。只要將乾燥液等的液膜置換成超臨界流體，則可抑制在基板W之凹凸圖案出現液體與氣體的界面。其結果，可抑制表面張力之產生，並可抑制凹凸圖案的倒塌。

最後，第2搬送裝置31a從乾燥單元32b取出基板W，並將取出的基板W搬送至移轉裝置23a。接著，第1搬送裝置22a從移轉裝置23a取出基板W，並將取出的基板W收納至載體C。

其次，參閱圖5，說明關於乾燥單元32b。圖5所示之乾燥單元32b，係被配置於搬送區塊31的Y軸正方向側。在乾燥單元32b之說明中，係將基板W朝乾燥室S搬入的搬入方向(在圖5中，係Y軸正方向)設成為前方，並將基板W從乾燥室S搬出的搬出方向(在圖5中，係Y軸負方向)設成為後方而進行說明。

乾燥單元32b，係具備有：壓力容器51，在內部形成基板W的乾燥室S；蓋體52，堵塞乾燥室S的第1開口Sa；及支撐體53，在乾燥室S中，水平地保基板W。第1開口Sa，係基板W的搬入搬出口。基板W，係通過第1開口Sa被搬入至乾燥室S，當在乾燥室S予以乾燥後，通過第1開口Sa從乾燥室S被搬出。

壓力容器51，係例如包含有下壁51a、上壁51b、前壁51c、後壁51d及一對側壁51e、51f(參閱圖6等)，並在其內部形成乾燥室S。乾燥室S，係例如長方體狀。在後壁51d形成矩形的第1開口Sa，並在前壁51c形成矩形的第2開口Sb。

蓋體52，係被設置於後壁51d的後方。蓋體52，係可在閉塞位置(參閱圖5(C))與開放位置(參閱圖5(B))之間進退。閉塞位置，係蓋體52將第1開口Sa封閉的位置。開放位置，係在閉塞位置之後方且為蓋體52開放第1開口Sa的位置。

然而，在專利文獻1及2中，支撐體53，係被固定於蓋體52，並與蓋體52一起進退。支撐體53，係未被固定於乾燥室S，支撐體53與第2搬送裝置31a在壓力容器51之外部收授基板W。因此，在壓力容器51之外部設置有收授基板W的區域。

對此，在本實施形態中，支撐體53，係被固定於壓力容器51且不與蓋體52一起進退。支撐體53，係被固定於乾燥室S，第2搬送裝置31a與支撐體53在乾燥室S收授基板W。因此，由於可在壓力容器51之外部不設置收授基板W的區域，因此，可使乾燥單元32b小型化。

又，根據本實施形態，支撐體53，係被固定於乾燥室S，與支撐體53相對於壓力容器51進退的情形不同，並不會產生滑動零件彼此的背隙(BACKLASH)。其結果，可抑制支撐體53之振動，且可抑制基板W之振動並抑制液膜LF散落。

乾燥室S之第1開口Sa，係與專利文獻1及2不同，朝向搬送區塊31而配置。即便不使第2搬送裝置31a的第2搬送臂以垂直軸為中心旋轉，亦可將基板W搬入至乾燥室S。可不使基板W旋轉而將基板W搬入至乾燥室S，並可防止乾燥液從基板W的上面甩出。

蓋體52，係在開放位置與待機位置(參閱圖5(A))之間轉動，使得第2搬送裝置31a容易進入乾燥室S。待機位置，係指偏離基板W之搬入搬出路徑的位置。在基板W搬入搬出之際，蓋體52，係在待機位置待機。藉此，可迴避蓋體52與基板W的干涉。

支撐體53，係如圖6(A)～圖6(C)所示般，包含有：整流板53a，調整乾燥室S中之流體的流動；及載置部53b，被固定於整流板53a的上面。整流板53a被固定於乾燥室S。基板W被載置於載置部53b。

如圖6(B)所示般，載置部53b，係在基板W與整流板53a之間形成間隙，抑制基板W的下面受到污染。載置部53b，係例如包含有複數根支撐銷。複數根支撐銷，係雖支撐基板W的下面，但亦可支撐基板W的周緣。

整流板53a，係被形成為從乾燥室S之第1開口Sa觀看呈U字狀，並具有：水平板53a1，被載置於壓力容器51的下壁51a；及一對垂直板53a2、53a3，被設置於水平板53a1的X軸方向兩端。一對垂直板53a2、53a3被固定於壓力容器51的側壁51e、51f。例如，在一對垂直板53a2、53a3分別設置有螺孔。螺絲54，係被擰入至垂直板53a2、53a3的螺孔與側壁51e、51f的螺孔，將整流板53a固定於壓力容器51。

如圖6(A)所示般，於俯視下，整流板53a，係在由支撐體53所支撐之基板W的外側包含有排出口53a4。排出口53a4，係從整流板53a之上方將流體供給至下方的孔。藉由排出口53a4之位置，決定乾燥室S中之流體的流動。排出口53a4，係例如直線狀地被設置於水平板53a1的後端緣。排出口53a4之長度，係比基板W的直徑長。

又，於俯視下，整流板53a，係在由支撐體53所支撐之基板W的外側包含有供給口53a5。供給口53a5，係從整流板53a之下方將流體供給至上方的孔。藉由供給口53a5之位置，決定乾燥室S中之流體的流動。供給口53a5，係例如在水平板53a1之四角各設置有複數個。另外，供給口53a5之位置及數量，係並不特別限定。例如，複數個供給口53a5亦可沿著基板W的周緣被配列成環狀。

如圖6(C)所示般，壓力容器51，係包含有：排出埠51g，從乾燥室S排出流體；及供給埠51h，將流體供給至乾燥室S。排出埠51g與供給埠51h，係被形成於壓力容器51的下壁51a。在下壁51a，係載置有整流板53a。

在整流板53a之下面，係獨立地形成有：第1流路CH1，連接排出口53a4與排出埠51g；及第2流路CH2，連接供給口53a5與供給埠51h。第1流路CH1與第2流路CH2，係被形成於整流板53a之下面的溝。由於第1流路CH1與第2流路CH2不相連，因此，可分別實施流體從乾燥室S的排出與流體對乾燥室S的供給。

供給埠51h，係例如被形成於下壁51a的中央。第2流路CH2，係例如從整流板53a之中央朝向四角被形成為放射狀。由於從整流板53a之中央至四角為止的距離相等，因此，可朝向整流板53a之四角均等地分配流體。

另一方面，排出埠51g，係被形成於供給埠51h的後方。第1流路CH1，係被形成為不與第2流路CH2相連，並從排出埠51g往後方呈直線狀地形成。在排出埠51g之後方，被配置於排出口53a4。

如圖9及圖10所示般，乾燥單元32b，係具備有：支撐框架54，支撐壓力容器51。支撐框架54，係例如具有：水平的基底板54a；複數根柱54b，從基底板54a突出至上方；及水平板54c，被固定於複數根柱54b的上面。水平板54c，係在X軸方向上隔開間隔地設置有一對。壓力容器51被固定於一對水平板54c上。

乾燥單元32b，係具備有：直接傳動機構55，使蓋體52在閉塞位置與開放位置之間進退；及轉動機構56，使蓋體52在開放位置與待機位置之間轉動。轉動機構56，係例如包含有：蓋體52的旋轉軸56a；及旋轉致動器56b，使旋轉軸56a旋轉。另一方面，直接傳動機構55，係例如包含有：滑動器55a，保持旋轉軸56a的軸承；及直接傳動致動器55b，使滑動器55a進退。

蓋體52之旋轉軸56a，係夾隔著蓋體52而對稱地被配置於X軸方向兩側。滑動器55a亦夾隔著蓋體52而對稱地被配置於X軸方向兩側。滑動器55a之導件55c，係分別被鋪設於一對水平板54c。旋轉致動器56b，係被固定於一方的滑動器55a，可與滑動器55a一起進退。直接傳動致動器55b，係被固定於一方的水平板54c。

直接傳動致動器55b，係例如氣壓缸( PNEUMATIC CYLINDER)，以壓縮空氣的壓力將蓋體52推壓至壓力容器51。可藉由直接傳動致動器55b的驅動力來壓扁將蓋體52與壓力容器51之間密封的密封構件(未圖示)，並在將後述的鎖定鍵57嵌入於壓力容器51之上壁51b的嵌合孔51i之際，可防止蓋體52妨礙鎖定鍵57的移動。另外，直接傳動致動器55b，係亦可包含有：馬達；及滾珠螺桿，將馬達之旋轉運動轉換成蓋體52的直線運動。

乾燥單元32b，係具備有：鎖定鍵57，限制蓋體52從閉塞位置朝向開放位置後退。鎖定鍵57，係被嵌入於壓力容器51的嵌合孔51i，限制蓋體52之後退。即便將流體供給至乾燥室S且使乾燥室S的壓力上升，亦可限制蓋體52之後退並可抑制流體的洩漏。

嵌合孔51i，係被形成為在Z軸方向上貫通下壁51a與上壁51b。下壁51a與上壁51b，係比後壁51d更往後方突出。在其突出部分形成有嵌合孔51i。嵌合孔51i，係在X軸方向上隔開間隔地形成有複數個。鎖定鍵57亦在X軸方向上隔開間隔地設置有複數個。複數個鎖定鍵57，係分別被嵌入於下壁51a的嵌合孔51i與上壁51b的嵌合孔51i兩者。

鎖定鍵57之數量，係並不特別限定，例如為3個。與鎖定鍵57之數量為2個的情形不同，亦可按壓蓋體52的X軸方向中央部。其結果，在將流體供給至乾燥室S且使乾燥室S的壓力上升之際，可抑制蓋體52的X軸方向中央部比X軸方向端部更朝後方膨脹。

乾燥單元32b，係具備有：膜厚計58，測定被形成於基板W的上面之液膜LF的膜厚。膜厚計58，係從壓力容器51(更詳細為上壁51b)之嵌合孔51i對基板W照射雷射，測定液膜LF的膜厚。例如，膜厚計58，係測定被液膜LF之上面所反射的反射光和被液膜LF與基板W之界面所反射的反射光之相位差，並測定液膜LF的膜厚。可檢查液膜LF所致之基板W的被覆狀態，並可確認基板W之凹凸圖案被液膜LF覆蓋的情形。液膜LF之最大膜厚只要大於凹凸圖案的高低差即可。

壓力容器51之嵌合孔51i，係被設置於乾燥室S之第1開口Sa的附近。由於膜厚計58，係從嵌合孔51i對基板W照射雷射，因此，可在基板W即將被收容於乾燥室S之前測定液膜LF的膜厚。因此，可在使液膜LF即將置換成超臨界流體之前，檢測液膜LF所致之基板W的被覆狀態。由於乾燥液為揮發性高的有機溶劑，因此，在基板W整體即將被收容於乾燥室S之前測定液膜LF的膜厚為有效。

膜厚計58，係在藉由第2搬送裝置31a將基板W搬入至乾燥室S的過程中，測定液膜LF的膜厚。膜厚計58，係亦可一邊藉由第2搬送裝置31a變更膜厚的測定點，一邊重覆地測定膜厚。可在複數個點測定液膜LF的膜厚，並可檢查基板W的上面整體。

乾燥單元32b，係具備有：升降機構59，使鎖定鍵57在鎖定位置(參閱圖9(B))與鎖定解除位置(參閱圖10(B))之間升降。鎖定位置，係指鎖定鍵57限制蓋體52之後退的位置，且為鎖定鍵57被嵌入於下壁51a與上壁51b兩者之嵌合孔51i的位置。鎖定解除位置，係指鎖定鍵57容許蓋體52之後退的位置，且為鎖定鍵57從上壁51b之嵌合孔51i朝下方拔出的位置。為了防止鎖定鍵57與基板W的干涉，鎖定解除位置，係被設定於比基板W之搬入搬出路徑更下方。

升降機構59，係例如包含有：升降台59a，載置複數個鎖定鍵57；及直接傳動致動器59b，使升降台59a升降。升降台59a，係具有載置鎖定鍵57的水平面59a1。直接傳動致動器59b，係例如氣壓缸，藉由使升降台59a升降的方式，使複數個鎖定鍵57升降。直接傳動致動器59b，係亦可包含有：馬達；及滾珠螺桿，將馬達之旋轉運動轉換成升降台59a的直線運動。

如圖11所示般，乾燥單元32b，係亦可具備有：滾動體60，滾動自如地被保持於鎖定鍵57。滾動體60，係例如球狀體，被保持為以球狀體的中心旋轉自如。滾動體60，係亦可為滾筒。

在升降機構59使鎖定鍵57從鎖定解除位置上升至鎖定位置之際，滾動體60在與蓋體52或壓力容器51接觸的狀態下滾動。藉由滾動體60可降低摩擦阻力，並可抑制摩擦所致之微粒的產生。

滾動體60，係與專利文獻2不同，在鎖定鍵57的下面57a亦設置有複數個，並在與升降機構59之水平面59a1接觸的狀態下滾動。在使鎖定鍵57上升之際，可在嵌合孔51i的內部水平移動鎖定鍵57，並可降低摩擦阻力。

鎖定鍵57，係亦可在使其後面57b垂直地直立的狀態下進行升降。如專利文獻2般，其原因在於，當「在使鎖定鍵57之後面57b前傾的狀態下使鎖定鍵57上升」時，恐有鎖定鍵57之上面前端的邊角57c碰撞蓋體52的後面52a之虞。

滾動體60，係與專利文獻2不同，在鎖定鍵57之後面57b沿Z軸方向隔開間隔地設置有複數個。與僅設置1個的情形相比，可抑制鎖定鍵57與壓力容器51的摩擦。在鎖定鍵57之後面57b垂直地直立的情況下特別有效。

鎖定鍵57，係亦可在其前面具有：傾斜面57d，越從上端朝向下方則越往前方傾斜；及垂直面57e，從傾斜面57d的下端往正下方延伸。藉由形成傾斜面57d的方式，可抑制鎖定鍵57之上面前端的邊角57c碰撞蓋體52的後面52a。

滾動體60，係亦被設置於鎖定鍵57的傾斜面57d，並在與蓋體52之後面52a接觸的狀態下滾動。蓋體52之後面52a，係與鎖定鍵57的傾斜面57d對向，且越從上端朝向下方則越往前方傾斜。

其次，參照圖12，說明關於S4的詳細內容。圖12所示之步驟S41～S45，係在控制裝置4的控制下予以實施。

首先，第2搬送裝置31a水平地保持形成了乾燥液之液膜LF的基板W，並將基板W搬入至壓力容器51之內部的乾燥室S(S41)。在其過程中，膜厚計58測定液膜LF的膜厚。可確認基板W之凹凸圖案被液膜LF被覆的情形。

其次，固定於乾燥室S之支撐體53從第2搬送裝置31a接收基板W，並水平地支撐接收到的基板W。接著，第2搬送裝置31a從乾燥室S的第1開口Sa退出至外部。

其次，轉動機構56使蓋體52從待機位置轉動至開放位置。接著，直接傳動機構55使蓋體52從開放位置前進至閉塞位置。其結果，蓋體52堵塞乾燥室S的第1開口Sa。

其次，升降機構59使鎖定鍵57從鎖定解除位置上升至鎖定位置。鎖定鍵57，係從後方按壓蓋體52，限制蓋體52之後退。在後述的S42中，可抑制流體的洩漏。

其次，供給單元32c將CO ₂等的流體供給至乾燥室S，並使乾燥室S的壓力上升(S42)。此時，流體，係如圖7(B)所示般，從下壁51a的供給埠51h被供給至乾燥室S。流體，係從整流板53a的供給口53a5噴出至上方。於俯視下，如圖7(A)所示般，供給口53a5，係在整流板53a之四角各形成有複數個，流體，係從基板W的外側流向內側。在基板的上方形成有從基板之周緣朝向中心的流動。因此，可抑制液膜LF因流體之流動而散落於基板W的外側。於俯視下，由於供給口53a5被配置於基板W的外側，因此，即便供給口53a5朝正上方噴出流體，基板W亦不會晃動。在使乾燥室S之壓力上升的期間，流體，係無法從乾燥室S排出而被儲存於乾燥室S。乾燥室S之壓力，係被上升至臨界壓力以上的設定壓力。

其次，供給單元32c將流體供給至乾燥室S，並且未圖示之排出單元從乾燥室S排出流體，一邊將乾燥室S的壓力維持於設定壓力，一邊沖洗溶解於超臨界狀態之流體的乾燥液(S43)。此時，流體，係如圖8(B)所示般，從第2蓋體61的吐出口61a被供給至乾燥室S。第2蓋體61，係堵塞乾燥室S的第2開口Sb者，且與蓋體52對向配置。第2蓋體61之吐出口61a，係如圖8(A)所示般，在X軸方向上隔開間隔地設置有複數個，在基板W之上方形成簾幕狀的氣流。流體，係一邊通過基板W之上方，一邊溶解液膜LF的乾燥液。溶解了乾燥液之流體，係在通過了基板W的上方後，通過整流板53a之排出口53a4被排出至乾燥室S的外部。其結果，液膜LF被置換成超臨界流體。

其次，供給單元32c停止將流體供給至乾燥室S，且未圖示之排出單元從乾燥室S排出流體，並使乾燥室S的壓力減少(S44)。為了縮短減壓時間，排出單元，係亦可包含有真空泵或噴射器等。乾燥室S之壓力，係被減少至大氣壓程度。

其次，升降機構59使鎖定鍵57從鎖定位置下降至鎖定解除位置。

其次，直接傳動機構55使蓋體52從閉塞位置後退至開放位置。接著，轉動機構56使蓋體52從開放位置轉動至待機位置。

其次，第2搬送裝置31a進入壓力容器51之內部的乾燥室S，從支撐體53接收基板W並搬出接收到的基板W(S45)。

其次，參閱圖13及圖14，說明關於第1變形例之基板處理裝置1。以下，主要說明關於本變形例與上述實施形態的相異點。本變形例之處理區塊32，係如圖13及圖14所示般，除了液膜形成單元32a與乾燥單元32b與供給單元32c以外，更包含有檢查單元32d。

檢查單元32d，係檢查液膜LF所致之基板W的被覆狀態。檢查單元32d，係例如包含有重量計，藉由測定基板W之重量的方式，確認基板W之凹凸圖案被液膜LF被覆的情形。檢查單元32d，係亦可包含有膜厚計。

即便在乾燥單元32b不包含膜厚計58的情況下，亦只要處理區塊32包含有檢查單元32d，則可在超臨界乾燥之前，檢查液膜LF所致之基板W的被覆狀態。但是，亦可使用檢查單元32d與膜厚計58兩者。

依液膜LF之形成與被覆狀態之檢查與基板W之乾燥該順序予以實施。因此，如圖13所示般，於俯視下，依同一處理區塊32所包含的液膜形成單元32a與檢查單元32d與乾燥單元32b該順序而一列地被配列於矩形之搬送區塊31的長邊方向。在將基板W從液膜形成單元32a搬入至乾燥單元32b之途中，可實施被覆狀態的檢查，並可縮短基板W的搬送路徑。

處理區塊32，係如圖14所示般，亦可更包含有洗淨單元32e。洗淨單元32e，係對基板W照射紫外線，去除附著於基板W的有機物等。在基板W之乾燥後進行紫外線的照射，去除乾燥液或超臨界流體的殘渣。

如圖14所示般，只要洗淨單元32e與檢查單元32d被堆疊於垂直方向，則可降低處理區塊32的設置面積。洗淨單元32e與檢查單元32d，係任一者亦可被配置於上面。

處理區塊32，係包含各一個液膜形成單元32a、乾燥單元32b、供給單元32c、檢查單元32d及洗淨單元32e。但是，構成處理區塊32之單元的種類、數量及配置，係並不特別限定。例如本變形例之處理區塊32，係雖包含有檢查單元32d與洗淨單元32e兩者，但亦可僅包含任一者。

在處理區塊32包含洗淨單元32e的情況下，於俯視下，依同一處理區塊32所包含的液膜形成單元32a與洗淨單元32e與乾燥單元32b該順序而一列地被配列於矩形之搬送區塊31的長邊方向。在將基板W從乾燥單元32b搬入至移轉裝置23a之途中，可實施基板W的洗淨，並可縮短基板W的搬送路徑。

其次，參閱圖15及圖16，說明關於第2變形例之基板處理裝置1。以下，主要說明關於本變形例與上述實施形態等的相異點。本變形例之基板處理裝置1，係如圖15所示般，除了搬送區塊31與處理區塊32以外，更包含有第2處理區塊33。

第2處理區塊33，係如圖15所示般，於俯視下，夾隔著搬送區塊31而被Y軸方向兩側所對稱配置的2個處理區塊32、32與搬送區塊31從三方包圍。第2處理區塊33，係包含有檢查單元33a。

檢查單元33a，係檢查液膜LF所致之基板W的被覆狀態。檢查單元33a，係例如包含有重量計，藉由測定基板W之重量的方式，確認基板W之凹凸圖案被液膜LF被覆的情形。檢查單元33a，係亦可包含有膜厚計。

即便在乾燥單元32b不包含膜厚計58的情況下，亦只要第2處理區塊33包含有檢查單元33a，則可在超臨界乾燥之前，檢查液膜LF所致之基板W的被覆狀態。但是，亦可使用檢查單元33a與膜厚計58兩者。

處理區塊32，係包含有複數組(例如2組)液膜形成單元32a、乾燥單元32b及供給單元32c的組，第2處理區塊33亦包含有複數個(例如2個)檢查單元33a。如圖16所示般，只要複數個檢查單元33a被堆疊於垂直方向，則可降低處理區塊32的設置面積。

其次，參閱圖17，說明關於升壓時(步驟S42)之流動與沖洗時(步驟S43)之流動的第1變形例。第2蓋體61，係具備有：供給排出埠61b；及供給埠61c、61d。供給排出埠61b，係在升壓時供給流體且在沖洗時排出流體。供給埠61c、61d，係在沖洗時供給流體。

供給排出埠61b，係如上所述，不僅在升壓時供給流體且在沖洗時排出流體。沖洗時，乾燥液之蒸氣雖進入供給排出埠61b，但其乾燥液之蒸氣會被CO ₂等的流體沖走。其結果，可將供給排出埠61b保持潔淨。因此，在下一次升壓時，可抑制供給排出埠61b將乾燥液之成分散布於乾燥室S，並可抑制微粒的產生。

供給埠61c，係被設置於比由載置部53b所支撐之基板W的上面更上方。供給埠61c，係在沖洗時，在基板W的上方形成氣流。流體，係在一邊通過基板W之上方，一邊溶解液膜LF的乾燥液後，被排出至乾燥室S的外部。其結果，液膜LF被置換成超臨界流體。

又，供給埠61d，係被設置於比整流板53a的上面更上方且比由載置部53b所支撐之基板W的下面更下方。供給埠61d，係在沖洗時，在基板W與整流板53a之間形成氣流。其結果，可防止圖17(B)中以虛線所示之循環流的形成。因此，可抑制乾燥液之蒸氣在基板W的周圍循環，並可抑制微粒的產生。

供給排出埠61b，係被設置於比整流板的上面更下方。供給排出埠61b，係在沖洗時，形成與供給埠61c、61d相反方向的氣流。在沖洗時，流體，係在從供給埠61c、61d吐出後，被吸入至供給排出埠61b。

其次，參閱圖18，說明關於升壓時(步驟S42)之流動與沖洗時(步驟S43)之流動的第2變形例。第2蓋體61，係具備有：供給埠61e；及排出埠61f、61g。供給埠61e，係在升壓時供給流體且在沖洗時亦供給流體。排出埠61f、61g，係在沖洗時排出流體。

供給埠61e，係如上所述，不僅在升壓時供給流體且在沖洗時亦供給流體。因此，在沖洗時，可防止乾燥液之蒸氣進入供給埠61e，並可將供給埠61e保持潔淨。因此，在下一次升壓時，可抑制供給埠61e將乾燥液之成分散布於乾燥室S，並可抑制微粒的產生。

供給埠61e，係被設置於比整流板的上面更下方。供給埠61e，係在沖洗時，形成與排出埠61f、61g相反方向的氣流。在沖洗時，流體，係在從供給埠61e吐出後，被吸入至供給排出埠61f、61g。

排出埠61f，係被設置於比由載置部53b所支撐之前述基板的上面更上方。排出埠61f，係在沖洗時，在基板W的上方形成氣流。流體，係在一邊通過基板W之上方，一邊溶解液膜LF的乾燥液後，被排出至乾燥室S的外部。其結果，液膜LF被置換成超臨界流體。

又，排出埠61g，係被設置於比整流板53a的上面更上方且比由載置部53b所支撐之基板W的下面更下方。排出埠61g，係在沖洗時，在基板W與整流板53a之間形成氣流。其結果，可防止圖18(B)中以虛線所示之循環流的形成。因此，可抑制乾燥液之蒸氣在基板W的周圍循環，並可抑制微粒的產生。

以上，雖說明了關於本揭示之基板處理裝置及基板處理方法的實施形態等，但本揭示並不限定於上述實施形態等。在申請專利範圍所記載的範疇中，可進行各種變更、修正、置換、追加、刪除及組合。關於該些，當然亦屬於本揭示的技術範圍。

1:基板處理裝置 51:壓力容器 52:蓋體 53:支撐體 LF:液膜 S:乾燥室 W:基板

[圖1]圖1，係一實施形態之基板處理裝置的平面圖。 [圖2]圖2，係一實施形態之基板處理裝置的正視圖。 [圖3]圖3，係一實施形態之基板處理裝置的側視圖。 [圖4]圖4，係表示一實施形態之基板處理方法的流程圖。 [圖5]圖5(A)，係表示蓋體的待機位置之一例的剖面圖，圖5(B)，係表示蓋體的開放位置之一例的剖面圖，圖5(C)，係表示蓋體的閉塞位置之一例的剖面圖。 [圖6]圖6(A)，係表示整流板之一例的水平剖面圖，圖6(B)，係沿著圖6(A)之B-B線的剖面圖，圖6(C)，係沿著圖6(A)之C-C線的剖面圖。 [圖7]圖7(A)，係表示升壓時的流動之一例的水平剖面圖，圖7(B)，係表示升壓時的流動之一例的垂直剖面圖。 [圖8]圖8(A)，係表示沖洗時的流動之一例的水平剖面圖，圖8(B)，係表示沖洗時的流動之一例的垂直剖面圖。 [圖9]圖9(A)，係表示乾燥單元的流體供給時之狀態的側視圖，圖9(B)，係沿著圖9(A)之B-B線的剖面圖。 [圖10]圖10(A)，係表示乾燥單元的基板搬入搬出時之狀態的側視圖，圖10(B)，係沿著圖10(A)之B-B線的剖面圖。 [圖11]圖11(A)，係表示鎖定鍵開始上升時的狀態之一例的剖面圖，圖11(B)，係表示鎖定鍵結束上升時的狀態之一例的剖面圖。 [圖12]圖12，係表示圖4的S4之一例的流程圖。 [圖13]圖13，係第1變形例之基板處理裝置的平面圖。 [圖14]圖14，係第1變形例之基板處理裝置的正視圖。 [圖15]圖15，係第2變形例之基板處理裝置的平面圖。 [圖16]圖16，係第2變形例之基板處理裝置的側視圖。 [圖17]圖17(A)，係表示升壓時的流動之第1變形例的垂直剖面圖，圖17(B)，係表示沖洗時的流動之第1變形例的垂直剖面圖。 [圖18]圖18(A)，係表示升壓時的流動之第2變形例的垂直剖面圖，圖18(B)，係表示沖洗時的流動之第2變形例的垂直剖面圖。

31:搬送區塊

31a:第2搬送裝置

32b:乾燥單元

51:壓力容器

51a:下壁

51b:上壁

51c:前壁

51d:後壁

51i:嵌合孔

52:蓋體

53:支撐體

53a:整流板

53b:載置部

57:鎖定鍵

58:膜厚計

61:第2蓋體

W:基板

S:乾燥室

Sa:第1開口

Sb:第2開口

LF:液膜

Claims

一種基板處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥前述基板，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：壓力容器，在內部形成前述基板的乾燥室；蓋體，堵塞前述乾燥室的開口；及支撐體，在前述乾燥室中，水平地支撐前述基板，前述支撐體，係被固定於前述乾燥室，前述支撐體，係包含有：整流板，調整前述乾燥室中之流體的流動；及載置部，被固定於前述整流板的上面，前述整流板被固定於前述乾燥室，前述基板被載置於前述載置部。
如請求項1之基板處理裝置，其中，前述整流板，係被形成為從前述乾燥室之前述開口觀看呈U字狀，並具有：水平板，被載置於前述壓力容器的下壁；及一對垂直板，被設置於前述水平板的兩端，一對前述垂直板被固定於前述壓力容器的側壁。
如請求項1或2之基板處理裝置，其中，於俯視下，前述整流板，係在由前述支撐體所支撐之前述基板的外側包含有排出口，該排出口，係從前述整流板之上方將流體供給至下方。
如請求項3之基板處理裝置，其中，於俯視下，前述整流板，係在由前述支撐體所支撐之前述基板的外側包含有供給口，該供給口，係從前述整流板之下方將流體供給至上方。
如請求項4之基板處理裝置，其中，前述壓力容器，係包含有：排出埠，從前述乾燥室排出流體；及供給埠，將流體供給至前述乾燥室，在前述整流板之下面，係獨立地形成有：第1流路，連接前述排出口與前述排出埠；及第2流路，連接前述供給口與前述供給埠。
如請求項1之基板處理裝置，其中，具備有：供給排出埠，在使前述乾燥室之壓力上升至臨界壓力以上的設定壓力之際供給流體，且在將前述乾燥室的壓力維持於前述設定壓力之際排出流體；及供給埠，在將前述乾燥室的壓力維持於前述設定壓力之際供給流體。
如請求項6之基板處理裝置，其中，前述供給埠，係被設置於比前述整流板的上面更上方且比由前述載置部所支撐之前述基板的下面更下方與比由前述載置部所支撐之前述基板的上面更上方兩者。
如請求項1之基板處理裝置，其中，具備有：供給埠，在使前述乾燥室之壓力上升至臨界壓力以上的設定壓力之際供給流體，且在將前述乾燥室的壓力維持於前述設定壓力之際亦供給流體；及排出埠，在將前述乾燥室的壓力維持於前述設定壓力之際排出流體。
如請求項8之基板處理裝置，其中，前述排出埠，係被設置於比前述整流板的上面更上方且比由前述載置部所支撐之前述基板的下面更下方與比由前述載置部所支撐之前述基板的上面更上方兩者。
一種基板處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥前述基板，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：壓力容器，在內部形成前述基板的乾燥室；蓋體，堵塞前述乾燥室的開口；及支撐體，在前述乾燥室中，水平地支撐前述基板，前述支撐體，係被固定於前述乾燥室，且具備有：直接傳動機構，使前述蓋體在堵塞前述開口的閉塞位置與從前述閉塞位置朝前述基板之搬出方向離開的開放位置之間進退；及轉動機構，使前述蓋體在前述開放位置與偏離前述基板之搬入搬出路徑的待機位置之間轉動。
一種基板處理裝置，係將被形成於水平的基板之上面的液膜置換成超臨界流體，並乾燥前述基板，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：壓力容器，在內部形成前述基板的乾燥室；蓋體，堵塞前述乾燥室的開口；及支撐體，在前述乾燥室中，水平地支撐前述基板，前述支撐體，係被固定於前述乾燥室，前述蓋體，係在堵塞前述開口的閉塞位置與從前述閉塞位置朝前述基板之搬出方向離開的開放位置之間進退，且具備有：鎖定鍵，被嵌入於前述壓力容器的嵌合孔，限制前述蓋體從前述閉塞位置朝向前述開放位置後退。
如請求項11之基板處理裝置，其中，具備有：膜厚計，測定前述液膜的膜厚，前述膜厚計，係從前述壓力容器之前述嵌合孔對前述基板照射雷射，測定前述液膜的膜厚。
如請求項12之基板處理裝置，其中，具備有：升降機構，使前述鎖定鍵在限制前述蓋體之後退的鎖定位置與容許前述蓋體之後退的鎖定解除位置之間升降；及滾動體，滾動自如地被保持於前述鎖定鍵，前述升降機構，係具有載置前述鎖定鍵的水平面，前述滾動體，係在前述鎖定鍵的下面設置有複數個，並在與前述升降機構之前述水平面接觸的狀態下滾動。
如請求項13之基板處理裝置，其中，前述滾動體，係在前述鎖定鍵之後面，沿垂直方向隔開間隔地設置有複數個。
一種基板處理方法，係使用如請求項1~14中任一項之基板處理裝置，該基板處理方法，其特徵係，具有：搬送裝置水平地保持形成有前述液膜之前述基板，並通過前述乾燥室的前述開口進入前述乾燥室；固定於前述乾燥室之前述支撐體從前述搬送裝置接收前述基板，並水平地支撐接收到的前述基板；前述搬送裝置從前述乾燥室的前述開口退出至外部；以前述蓋體堵塞前述乾燥室的前述開口；及在前述乾燥室中，將前述液膜置換成前述超臨界流體，並乾燥前述基板。