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TWI881163B - Ｅｕｖ空白光罩用附多層反射膜之基板、其製造方法及ｅｕｖ空白光罩 - Google Patents

Ｅｕｖ空白光罩用附多層反射膜之基板、其製造方法及ｅｕｖ空白光罩 Download PDF

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TWI881163B
TWI881163B TW110132824A TW110132824A TWI881163B TW I881163 B TWI881163 B TW I881163B TW 110132824 A TW110132824 A TW 110132824A TW 110132824 A TW110132824 A TW 110132824A TW I881163 B TWI881163 B TW I881163B
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TW
Taiwan
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reflective film
sputtering
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TW110132824A
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TW202225817A (zh
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稲月判臣
寺澤恒男
髙坂卓郎
金子英雄
西川和宏
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

[解決手段]一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其特徵係，具有：基板；及多層反射膜，被設置於基板上，該多層反射膜，係具有Si層與Mo層交互層積而成的Si/Mo層積部，在Si/Mo層積部的Si層與Mo層之間的任一者以上中，含有Si與N之層，係相接於Si層與Mo層兩者而形成。 [效果]可提供一種「具有高反射率，並具有即便在施加了熱的情況下，反射率亦難以降低之多層反射膜」的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板及EUV空白光罩。

Description

ＥＵＶ空白光罩用附多層反射膜之基板、其製造方法及ＥＵＶ空白光罩
本發明，係關於LSI等的半導體元件之製造等中所使用的作為EUV光罩之材料的EUV空白光罩、EUV空白光罩之製造中所使用的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板及其製造方法。
在半導體元件(半導體裝置)之製造工程中，係重覆使用光微影技術，該光微影技術，係對轉印用光罩照射曝光光，將被形成於光罩的電路圖案經由縮小投影光學系統轉印至半導體基板(半導體晶圓)上。以往，曝光光之波長，係以使用了氟化氬(ArF)準分子雷射光的193nm為主流，藉由採用組合複數次曝光製程或加工製程之多重圖案化這樣的製程，最終可形成尺寸小於曝光波長的圖案。
但是，由於因連續之元件圖案的微細化而有必要形成更微細圖案，因此，已開發出使用了比ArF準分子雷射光更短波長之EUV(Extreme UltraViolet(極端紫外))光作為曝光光的EUV微影技術。所謂EUV光，係波長為例如10～20nm左右的光，更具體而言，係波長為13.5nm附近的光。由於該EUV光，係對於物質之穿透性極低且無法使用以往的透過型之投影光學系統或光罩，因此，使用反射型之光學元件。因此，圖案轉印用之光罩亦提出反射型光罩。反射型光罩，係在基板上形成反射EUV光之多層反射膜，並在多層反射膜上呈圖案狀地形成有吸收EUV光的吸收體膜者。另一方面，對吸收體膜進行圖案化之前的狀態(亦包含形成有光阻層的狀態)者被稱為反射型空白光罩，並將其使用作為反射型光罩的材料。一般而言，使EUV光反射之反射型光罩及反射型空白光罩，係分別被稱為EUV光罩及EUV空白光罩。
EUV空白光罩，係具有「包含低熱膨脹的基板與被形成於其上之反射EUV光的多層反射膜與被形成於其上之吸收EUV光的吸收體膜」之基本構造。作為多層反射膜，係通常使用Mo/Si多層反射膜，該Mo/Si多層反射膜，係藉由交互層積鉬(Mo)膜與矽(Si)膜而獲得對於EUV光所需要的反射率。而且，作為用以保護多層反射膜之保護膜，在多層反射膜的最表層形成釕(Ru)膜或由Ru與鈮(Nb)或鋯(Zr)之混合物所構成的膜。另一方面，作為吸收體膜，係使用以對於EUV光具有比較大之消衰係數的值之鉭(Ta)或鉻(Cr)作為主成分的材料。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2005-516182號公報 [專利文獻2]國際公開第2015/012151號
[本發明所欲解決之課題]
多層反射膜，係雖被要求對EUV光具有高反射率，但在Mo層與Si層交互層積而成的部分，係在Mo層與Si層之間形成有兩者的成分即Si與Mo混合而成的交互擴散層，從而只能得到偏離由Mo層與Si層之層積所獲得的理論反射率的低反射率。又，當「在光罩加工製程或由使用了光罩之EUV光所進行的曝光時等情況下，對多層反射膜施加熱」時，則交互擴散層會變厚，或交互擴散層會發生變化而造成進一步降低反射率。
本發明，係為了解決上述課題而進行研究者，其目的在於提供一種「具有高反射率，並具有即便在施加了熱的情況下，反射率亦難以降低之多層反射膜」的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板及其製造方法和EUV空白光罩。 [用以解決課題之手段]
本發明者們為了解決上述課題，經重複深入研究之結果，發現到一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板及EUV空白光罩，而終至完成本發明，其係將構成被使用於EUV空白光罩之多層反射膜的Si/Mo層積部設成為「交互層積Si層與Mo層，並在Si層與Mo層之間的任一者以上中，使含有Si與N之層相接於Si層與Mo層兩者而形成」的構成，較佳為將多層反射膜構成為包含有：像這樣的Si/Mo層積部；及保護層，作為多層反射膜之最上層，相接於Si/Mo層積部而形成並含有Ru，藉此，具有高反射率，並具有即便在施加了熱的情況下，反射率亦難以降低之多層反射膜。
因此，本發明，係提供以下的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板、其製造方法及EUV空白光罩。 1.一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其特徵係，具有：基板；及多層反射膜，被設置於該基板上，該多層反射膜，係具有Si層與Mo層交互層積而成的Si/Mo層積部，在該Si/Mo層積部的上述Si層與上述Mo層之間的任一者以上中，含有Si與N之層，係相接於上述Si層與上述Mo層兩者而形成。 2.如1之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，上述含有Si與N之層的厚度，係2nm以下。 3.如1或2之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，上述多層反射膜，係更具有：保護層，作為該多層反射膜之最上層，相接於上述Si/Mo層積部，且含有Ru。 4.如3之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，與上述Si/Mo層積部之上述保護層相接的層，係Mo層。 5.如4之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，上述多層反射膜的最上部，係自遠離上述基板之側起由上述保護層、上述Mo層、上述含有Si與N之層及上述Si層所構成。 6.如5之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，在上述最上部中，上述保護層的厚度為4nm以下，上述Mo層的厚度為1nm以下，上述含有Si與N之層的厚度為2nm以下且上述Si層的厚度為4nm以下。 7.如1～6中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由「Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層及相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層」所構成的3層層積構造單元或自基板側起由「Mo層、相接於Mo層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Si層」所構成的3層層積構造單元。 8.如1～6中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由「Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層、相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層及相接於該Mo層而形成的含有Si與N之層」所構成的4層層積構造單元。 9.如1～8中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中，波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之上述多層反射膜的峰值反射率，係65%以上。 10.一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的製造方法，係製造如1～9中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的方法，其特徵係，包含有： (A)藉由濺鍍來形成上述Si/Mo層積部的工程， 以具備有腔室之磁控濺鍍裝置實施上述濺鍍，該腔室，係可分別裝設1個以上的Mo靶材與Si靶材，並可對Mo靶材與Si靶材分別施加電力，基板與各個靶材之配置為偏移配置，不具有遮蔽各個靶材與基板之間的構件，可使基板沿著主表面自轉且可導入含氮氣體。 11.一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的製造方法，係製造如3～6中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的方法，其特徵係，包含有： (A)藉由濺鍍來形成上述Si/Mo層積部的工程；及 (B)藉由濺鍍來形成上述保護層的工程， 在上述(A)工程後，使與該Si/Mo層積部反應之氣體不與以上述(A)工程所形成的上述Si/Mo層積部接觸地實施上述(B)工程。 12.如11之製造方法，其中，在一濺鍍腔室內實施上述(A)工程，使形成了上述Si/Mo層積部的基板從一濺鍍腔室移動至另一濺鍍腔室，在上述另一濺鍍腔室內實施上述(B)工程。 13.如12之製造方法，其中，在上述一及另一濺鍍腔室之間設置可與各個濺鍍腔室個別地連通或與兩者濺鍍腔室同時地連通的搬送用腔室，使形成了上述Si/Mo層積部的基板從上述一濺鍍腔室經由上述搬送用腔室向上述另一濺鍍腔室移動。 14.如13之製造方法，其中，均在真空下實施從上述一濺鍍腔室向上述搬送用腔室的移動及從該搬送用腔室向上述另一濺鍍腔室的移動。 15.如11～14中任一之製造方法，其中，在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由「Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層及相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層」所構成的3層層積構造單元或自基板側起由「Mo層、相接於Mo層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Si層」所構成的3層層積構造單元。 16.如11～14中任一之製造方法，其中，在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由「Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層、相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層及相接於該Mo層而形成的含有Si與N之層」所構成的4層層積構造單元。 17.如11～16中任一之製造方法，其中，波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之上述多層反射膜的峰值反射率，係65%以上。 18.一種EUV空白光罩，其特徵係，在如1～9中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上，具有：吸收體膜，含有Ta或Cr。 19.一種EUV空白光罩，其特徵係，在如1～9中任一之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上，具有：吸收體膜，含有Ta而不含有Cr；及硬光罩膜，在該吸收體膜上含有Cr，作為對上述吸收體膜進行乾蝕刻時的蝕刻光罩而發揮功能。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種「具有高反射率，並具有即便在施加了熱的情況下，反射率亦難以降低之多層反射膜」的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板及EUV空白光罩。
以下，更詳細地說明關於本發明。 本發明的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，係具有：基板；及多層反射膜，反射被形成於基板上(一主表面(表側的面)上)的曝光光，具體而言為反射EUV光。多層反射膜，係亦可相接於基板之一主表面而設置，又，亦可在基板與多層反射膜之間設置基底膜。使用於以EUV光作為曝光光的EUV微影之EUV光的波長，係13～14nm，通常波長為13.5nm左右(例如13.4～13.6nm)之光。
圖1，係表示本發明的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的一例之中間省略部分剖面圖。該EUV空白光罩用附多層反射膜之基板10，係在基板1之一主表面上具有相接於一主表面而形成的多層反射膜2。
作為EUV光曝光用，基板，係具有低熱膨脹特性者為較佳，例如由熱膨脹係數為±2×10 -8/℃以內，較佳為±5×10 -9/℃之範圍內的材料所形成為較佳。又，基板，係使用表面被充分平坦化者為較佳，基板之主表面的表面粗糙度，係在RMS值上為0.5nm以下，特別是0.2nm以下為較佳。像這樣的表面粗糙度，係可藉由基板之研磨等來獲得。
多層反射膜，係在EUV光罩中，反射曝光光之EUV光的膜。在本發明中，多層反射膜，係具有：Si/Mo層積部，由Si(矽)層與Mo(鉬)層交互層積而成的多層所構成。在該Si/Mo層積部，係使用周期性地層積「具有對EUV光相對較高之折射率的材料即Si層與具有對EUV光相對較低之折射率的材料即Mo層」而成者。在此，Si層及Mo層，係分別由矽單質及鉬單質所形成的層。Si層及Mo層之層積數，係例如40周期以上(分別40層以上)為較佳，又，60周期以下(分別60層以下)為較佳。Si/Mo層積部之Si層及Mo層的厚度，係因應曝光波長而適當設定，Si層之厚度，係5nm以下為較佳，Mo層之厚度，係4nm以下為較佳。Si層之厚度的下限，係雖不特別限定，但通常為1nm以上，Mo層之厚度的下限，係雖不特別限定，但通常為1nm以上。Si層及Mo層之厚度，係只要設定為可獲得對EUV光具有高反射率即可。又，Si層及Mo層之厚度的各個厚度，係亦可為固定或各層不相同。Si/Mo層積部之整體的厚度，係通常為250～450nm左右。
在本發明中，Si/Mo層積部，係在Si層與Mo層之間的任一者以上中，含有Si與N之層相接於Si層與Mo層兩者而形成。含有Si與N之層，係不包含氧為較佳。作為含有Si與N之層，具體而言，係SiN(在此，SiN，係意味著構成元素僅由Si與N所構成。)層較為適合。含有Si與N之層的N之含有率，係1原子%以上，特別是5原子%以上為較佳，又，60原子%以下，特別是57原子%以下為較佳。又，含有Si與N之層的厚度，係2nm以下為較佳，1nm以下為更佳。含有Si與N之層的厚度之下限，係雖不特別限定，但0.1nm以上為較佳。
含有Si與N之層，係被設置於構成Si/Mo層積部的Si層與Mo層之間的至少1部位。含有Si與N之層，係雖亦可設置於Mo層的基板側(下側)之一部分或全部，或亦可設置於Mo層之遠離基板的側(上側)之一部分或全部，但設置於構成Si/Mo層積部的Si層與Mo層之間的全部為較佳。
特別是，從獲得高反射率的觀點來看，在Si/Mo層積部中，包含30個以上(特別是40個以上)之自基板側起由「Si層、相接於Si層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Mo層」所構成的3層層積構造單元或自基板側起由「Mo層、相接於Mo層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Si層」所構成的3層層積構造單元為較佳。又，在Si/Mo層積部中，包含30個以上(特別是40個以上)之自基板側起由「Si層、相接於Si層而形成的含有Si與N之層、相接於含有Si與N之層而形成的Mo層及相接於Mo層而形成的含有Si與N之層」所構成的4層層積構造單元為更佳。3層層積構造單元及4層層積構造單元之上限，係均較佳為60以下。
在本發明中，作為Si/Mo層積部，具體而言，係例如可列舉出如圖1所示般者。在圖1所示的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板10的多層反射膜2，係相接於基板1地形成有Si/Mo層積部21。在Si/Mo層積部21，係Si層211及Mo層212交互層積，在該情況下，係最靠近基板1的側為Si層211，最遠離基板1的側為Mo層212。而且，在Si層211及Mo層212之間的全部，相接於Si層211及Mo層212兩者而形成含有Si與N之層213。因此，在該情況下，係包含自基板側起之Si層211、含有Si與N之層213及Mo層212的3層層積構造單元，又，包含自基板側起之Mo層212、含有Si與N之層213及Si層211的3層層積構造單元，更包含自基板側起之Si層211、含有Si與N之層213、Mo層212及含有Si與N之層213的4層層積構造單元。
多層反射膜之Si/Mo層積部，係藉由交互層積Si層與Mo層來形成。圖2，係用以說明具有由理想的Si/Mo層積部與保護層所構成之多層反射膜的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的中間省略部分剖面圖。又，圖3，係表示具有由以往的Si/Mo層積部與保護層所構成之多層反射膜的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的中間省略部分剖面圖。在將Si層與Mo層直接交互層積於基板1上而形成了EUV空白光罩用附多層反射膜之基板10的多層反射膜2之Si/Mo層積部21的情況下，如圖2所示般，形成了Si層與Mo層接觸之僅由Si層211與Mo層212所構成的Si/Mo層積部21之狀態為較理想。只要是像這樣的Si/Mo層積部21，則可獲得僅由Si層與Mo層所構成的Si/Mo層積部所致之理論上的反射率。
但是，形成像這樣的構成之Si/Mo層積部，係雖在原理上並非不可能，但在以現實的方法形成的情況下，係實際上，如圖3所示般，Si與Mo在Si層211與Mo層212接觸的部分混合，導致在該部分無意地形成由Si與Mo所構成的交互擴散層21a。當形成像這樣的由Si與Mo所構成之交互擴散層時，則導致反射率從在僅由Si層與Mo層構成的Si/Mo層積部中所獲得之理論上的值降低。而且，當「在光罩加工製程或由使用了光罩之EUV光所進行的曝光時等情況下，對多層反射膜施加熱」時，則由Si與Mo所構成的交互擴散層會變厚，或由Si與Mo所構成的交互擴散層會發生變化而造成進一步降低反射率。
對此，當含有Si與N之層相接於Si層與Mo層兩者而被形成於Si層與Mo層之間時，則由於可抑制引起反射率降低之由Si與Mo所構成的交互擴散層形成於Si層與Mo層之間，因此，可抑制反射率從在僅由Si層與Mo層構成的Si/Mo層積部中所獲得之理論上的值降低，且與以往相比，達成高反射率。另外，在未形成含有Si與N之層的Si層與Mo層之間，係雖通常上述由Si與Mo所構成的交互擴散層相接於Si層與Mo層兩者而形成，但在本發明之多層反射膜的Si/Mo層積部中，係由於可抑制在形成含有Si與N之層的Si層與Mo層之間形成由Si與Mo所構成的交互擴散層，因此，與由Si與Mo所構成的交互擴散層被形成於Si層與Mo層之間的全部相比，可抑制熱所致之反射率的降低。從該觀點來看，含有Si與N之層，係雖只要被形成於Si層與Mo層之間的一部分即可，但被形成於Si層與Mo層之間的大部分者為較有利，且被形成於Si層與Mo層之間的全部為特別有利。
在本發明中，多層反射膜，係具有保護層為較佳，其作為多層反射膜之最上層，相接於Si/Mo層積部。在將多層反射膜之最表層設成為Si層或Mo層的情況下，由於其會被使用了包含氟之氣體的乾蝕刻予以蝕刻，因此，在Si/Mo層積部上設置保護層為較有效。保護層，係亦被稱為覆蓋層，作為在從被形成於其上之吸收體膜形成吸收體圖案時的蝕刻阻止層而發揮功能。因此，在保護層，係使用蝕刻特性不同於吸收體膜的材料。又，保護層，係在修正吸收體圖案時，亦有效地用於保護多層反射膜為較佳。
在本發明中，作為保護層，具體而言，係例如可列舉出如圖1所示般者。在圖1所示的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板10的多層反射膜2，係相接於Si/Mo層積部21地形成有保護層22。
作為保護層之材料，係使用含有釕(Ru)的材料。作為含有Ru之材料，係適宜使用Ru單質、於Ru中添加有鈮(Nb)或鋯(Zr)的化合物等。保護層之厚度，係通常5nm以下，特別是4nm以下為較佳。保護層之厚度的下限，係通常2nm以上。
Si/Mo層積部，係亦可將多層反射膜之最靠近基板的側之層設成為Si層或Mo層。另一方面，最遠離基板的側之層，係雖亦可設成為Si層或Mo層，但設成為Mo層為較佳，Si/Mo層積部之與保護層相接的層是Mo層為較佳。
在Si/Mo層積部之與保護層相接的層為Si層的情況下，當將含有Ru之材料的保護層直接層積於Si/Mo層積部時，則如圖2所示般，Si/Mo層積部21之Si層211與保護層22接觸的狀態為較理想。只要是像這樣的狀態，則由保護層22所導致之多層反射膜2的反射率之降低有限，從而可獲得高反射率。
但是，設成為像這樣的狀態，係雖在原理上並非不可能，但在以現實的方法形成的情況下，係實際上，如圖3所示般，Si與Ru在Si層211與保護層22接觸的部分混合，導致在該部分無意地形成由Si與Ru所構成的交互擴散層21b。當形成像這樣的由Si與Ru所構成之交互擴散層時，則反射率因由Si與Ru所構成之交互擴散層21b而降低。而且，當「在光罩加工製程或由使用了光罩之EUV光所進行的曝光時等情況下，對多層反射膜施加熱」時，則由Si與Ru所構成的交互擴散層會變厚，或由Si與Ru所構成的交互擴散層會發生變化，或進而當含有Ru之材料的保護層曝露於大氣時，則不僅保護層被氧化且Si層亦被氧化而造成進一步降低反射率。
對此，如圖1所示般，當Si/Mo層積部21之與保護層22相接的層為Mo層212時，則由於引起反射率降低之由Si與Ru所構成的交互擴散層不會被形成於Si/Mo層積部與含有Ru之材料的保護層之間，因此，和Si/Mo層積部之與保護層相接的層為Si層的情形相比，更達成高反射率。
在將Si/Mo層積部之與保護層相接的層設成為Mo層的情況下，在緊鄰該Mo層之Si層與相接於保護層的Mo層之間，係相接於Si層與Mo層兩者地形成含有Si與N的層為較佳。具體而言，多層反射膜的最上部，係自遠離基板之側起由保護層、Mo層、含有Si與N之層及Si層所構成為較佳。緊鄰Si/Mo層積部之與保護層相接的Mo層之Si層和與保護層相接的Mo層之間，係由於容易受到保護層影響，又，當對多層反射膜施加熱時，最容易受到熱的影響，因此，最容易形成由Si與Mo所構成的交互擴散層。因此，對於獲得高反射率方面而言，在多層反射膜之最上部的Si層與Mo層之間形成含有Si與N之層，係特別有效。
在該情況下，當形成含有Si與N之層時，即便將與由含有Ru之材料所形成的保護層相接之Mo層形成得較薄，亦只要在其上形成由含有Ru之材料所形成的保護層，則即便由含有Ru之材料所形成的保護層為比較薄的膜，由含有Ru之材料所形成的保護層，係亦成為具有結晶性緻密之構造的穩定狀態。因此，與由包含Ru之材料所形成的保護層相接之Mo層的厚度，係2nm以下為較佳，1nm以下為更佳。特別是，在多層反射膜的最上部為自遠離基板之側起由保護層、Mo層、含有Si與N之層及Si層所構成的情況下，保護層的厚度是4nm以下，Mo層的厚度是1nm以下，含有Si與N之層的厚度是2nm以下，Si層的厚度是4nm以下為較佳。
在本發明中，係作為波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之峰值反射率，可將多層反射膜的反射率設成為65%以上，且即便在例如大氣氛圍中對多層反射膜實施200℃、10分鐘的熱處理，反射率之變化(降低)亦小，且在熱處理後，峰值反射率亦可維持65%以上。
作為Si/Mo層積部之形成方法，係可列舉出「對靶材供給電力，並藉由所供給之電力使氛圍氣體電漿化(離子化)而進行濺鍍」的濺鍍法，或「將離子束照射至靶材」的離子束濺鍍法。作為濺鍍法，係存在有對靶材施加直流電壓的DC濺鍍法、對靶材施加高頻電壓的RF濺鍍法。濺鍍法，係在將濺鍍氣體導入至腔室的狀態下，對靶材施加電壓，使氣體離子化並利用了因氣體離子而引起之濺鍍現象的成膜方法，特別是磁控濺鍍法，係在生產率上為有利。施加至靶材之電力，係亦可為DC或亦可為RF，又，為了防止靶材的充電，在DC，係亦包含在短時間內將施加至靶材之負偏壓反轉的脈衝濺鍍。
Si/Mo層積部，係例如可使用能裝設複數個靶材之濺鍍裝置而藉由濺鍍法來形成，具體而言，係使用「用以形成Si層及含有Si與N之層」的矽(Si)靶材與用以形成Mo層的鉬(Mo)靶材，在形成Si層及Mo層的情況下，使用氦(He)氣體、氬(Ar)氣體、氪(Kr)氣體、氙(Xe)氣體等的稀有氣體作為濺鍍氣體，而在形成含有Si與N之層的情況下，使用稀有氣體與氮氣(N 2氣體)等的含氮氣體作為濺鍍氣體，且使基板與各個靶材之配置成為偏移配置(通過各個靶材之濺鍍面的中心之垂直線與通過基板之膜形成面的中心之垂直線不一致的配置)，並對Si靶材與Mo靶材依序進行濺鍍，藉此，可依序形成Si層、含有Si與N之層及Mo層。濺鍍，係一面使基板沿著主表面自轉一面實施為較佳。又，在該情況下，在腔室內，係不設置擋板等的遮蔽靶材與基板之間的構件為較佳。另外，含有Si與N之層，係亦可藉由使用了含氮氣體的反應性濺鍍來加以形成，或亦可使用氮化矽靶材等的矽化合物靶材作為靶材來加以形成。
Si/Mo層積部，係可藉由下述方法來形成，該方法，係包含有(A)藉由濺鍍來形成Si/Mo層積部的工程。在該情況下，特別是，以具備有腔室之磁控濺鍍裝置實施該濺鍍較為適合，該腔室，係可分別裝設1個以上的Mo靶材與Si靶材，並可對Mo靶材與Si靶材分別施加電力，基板與各個靶材之配置為偏移配置，不具有遮蔽各個靶材與基板之間的構件，可使基板沿著主表面自轉且可導入含氮氣體。
保護層，係雖與Si/Mo層積部相同地，可藉由例如離子束濺鍍法或磁控濺鍍法等的濺鍍法來加以形成，但與Si/Mo層積部相同地，磁控濺鍍法為有利。
保護層，係例如可使用能裝設單數個或複數個靶材之濺鍍裝置而藉由濺鍍法來形成，具體而言，係使用釕(Ru)靶材與因應所需之選自鈮(Nb)及鋯(Zr)的1種以上之元素的靶材，並使用氦(He)氣體、氬(Ar)氣體、氪(Kr)氣體、氙(Xe)氣體等的稀有氣體作為濺鍍氣體，且使靶材與基板之主表面對向(例如，以通過靶材之濺鍍面的中心之垂直線與通過基板之膜形成面的中心之垂直線呈一致的配置)，可藉由「在單獨之靶材進行濺鍍或使基板與各個靶材之配置成為偏移配置而對複數個靶材同時進行濺鍍」的方式來形成。濺鍍，係一面使基板沿著主表面自轉一面實施為較佳。
在以包含金屬以外之其他元素的化合物形成保護層的情況下，係可藉由「將稀有氣體與含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等的反應性氣體一起使用作為濺鍍氣體」之反應性濺鍍來形成。又，亦可將靶材設成為化合物。
如此一來，多層反射膜，係可藉由下述工程來適當形成，該工程，係包含有： (A)藉由濺鍍來形成Si/Mo層積部的工程；及 (B)藉由濺鍍來形成保護層的工程。在該情況下，例如雖可在一濺鍍腔室內實施(A)工程，使形成了Si/Mo層積部的基板從一濺鍍腔室移動至另一濺鍍腔室，在另一濺鍍腔室內實施(B)工程，但在從(A)工程移行至(B)工程之際，當將Si/Mo層積部曝露於例如大氣中等的包含氧之氛圍時，則恐有在Si/Mo層積部與保護層之間形成不必要的氧化物層而產生反射率之降低或層間的剝離之虞。因此，當在(A)工程後移行至(B)工程之際，使與Si/Mo層積部反應之氣體(特別是，包含氧氣(O 2氣體)等的氧之氣體)不與以(A)工程所形成的Si/Mo層積部接觸地(更具體而言，係不曝露於大氣)移行至(B)工程且實施(B)工程為較佳。
作為使與Si/Mo層積部反應之氣體不與以(A)工程所形成的Si/Mo層積部接觸地實施(B)工程之方法，具體而言，係列舉出如下述方法：當「在一濺鍍腔室內實施(A)工程，使形成了Si/Mo層積部的基板從一濺鍍腔室移動至另一濺鍍腔室，在另一濺鍍腔室內實施(B)工程」之際，在一及另一濺鍍腔室間設置可與各個濺鍍腔室個別地連通或與兩者濺鍍腔室同時地連通的搬送用腔室，使形成了Si/Mo層積部的基板從一濺鍍腔室經由搬送用腔室向另一濺鍍腔室移動。此時，均在常壓(大氣壓)或減壓(比常壓更低壓)之惰性氣體氛圍下或真空下實施從一濺鍍腔室向搬送用腔室的移動及從搬送用腔室向另一濺鍍腔室的移動為較佳。
圖4，係表示適於形成本發明之多層反射膜的濺鍍裝置之一例的概念圖。該濺鍍裝置100，係由下述者所構成：濺鍍腔室101，用以藉由濺鍍形成Si/Mo層積部；濺鍍腔室102，用以藉由濺鍍形成保護層；搬送用腔室103，與濺鍍腔室101、102兩者連結；及裝載鎖定腔室104，與搬送用腔室103連結。在搬送用腔室103與裝載鎖定腔室104之間，係設置有能開關的分隔壁(未圖示)，又，在濺鍍腔室101、102與搬送用腔室103之間亦可分別設置能因應所需而開關的分隔壁。
在以像這樣濺鍍裝置形成多層反射膜的情況下，例如，首先，在將基板導入至裝載鎖定腔室104並對裝載鎖定腔室104內進行減壓後，開啟分隔壁，使基板經由搬送用腔室103移動至濺鍍腔室101，在濺鍍腔室101內形成Si/Mo層積部。其次，使形成有Si/Mo層積部的基板從濺鍍腔室101經由搬送用腔室103移動至濺鍍腔室102，在濺鍍腔室102形成保護層。其次，只要使形成有Si/Mo層積部及保護層(多層反射膜)的基板從濺鍍腔室102經由搬送用腔室103移動至裝載鎖定腔室104，且關閉分隔壁，使裝載鎖定腔室104內返回到常壓並取出形成有多層反射膜的基板，則可獲得EUV空白光罩用附多層反射膜之基板。只要像這樣地形成多層反射膜，則可使與Si/Mo層積部反應之氣體不與以(A)工程所形成的Si/Mo層積部接觸地實施(B)工程。
EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，係藉由在多層反射膜上形成吸收體膜的方式，成為EUV空白光罩。
本發明之EUV空白光罩，係具有被形成於EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上之吸收曝光光的吸收體膜，具體而言為具有吸收EUV光而使反射率降低的吸收體膜。吸收體膜，係相接於保護層而設置為較佳。EUV空白光罩，係更具有：硬光罩膜，在吸收體膜上，作為對吸收體膜進行乾蝕刻時的蝕刻光罩而發揮功能。另一方面，基板之與一主表面相反側的面即另一主表面(背側的面)之下亦可設置導電膜，該導電膜，係較佳為相接於另一主表面，用於將EUV光罩靜電夾持於曝光裝置。另外，在本發明中，雖將基板之一主表面設成為表側的側且為上側，另一主表面設成為背側的面且為下側，但兩者之表背及上下是為了方便起見而決定者，所謂一主表面與另一主表面，係基板之2個主表面(膜形成面)的任一者，表背及上下可置換。
從EUV空白光罩(EUV曝光用空白光罩)來製造具有將吸收體膜圖案化而形成之吸收體圖案(吸收體膜之圖案)的EUV光罩(EUV曝光用光罩)。EUV空白光罩及EUV光罩，係反射型空白光罩及反射型光罩。
吸收體膜，係被形成於多層反射膜上，吸收曝光光即EUV光而降低曝光光之反射率的膜，在EUV光罩中，係藉由形成有吸收體膜的部分與未形成吸收體膜的部分之反射率的差，形成轉印圖案。
作為吸收體膜之材料，係只要為可吸收EUV光並可進行圖案加工的材料，則沒有限制。作為吸收體膜之材料，係例如可列舉出含有鉭(Ta)或鉻(Cr)的材料。又，含有Ta或Cr之材料，係亦可含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)等。作為含有Ta之材料，係可列舉出Ta單質、TaO、TaN、TaON、TaC、TaCN、TaCO、TaCON、TaB、TaOB、TaNB、TaONB、TaCB、TaCNB、TaCOB、TaCONB等的鉭化合物。作為含有Cr之材料，具體而言，係可列舉出Cr單質、CrO、CrN、CrON、CrC、CrCN、CrCO、CrCON、CrB、CrOB、CrNB、CrONB、CrCB、CrCNB、CrCOB、CrCONB等的鉻化合物。
吸收體膜，係可藉由濺鍍來形成，濺鍍，係磁控濺鍍為較佳。具體而言，係使用鉻(Cr)靶材、鉭(Ta)靶材等的金屬靶材或鉻化合物靶材、鉭化合物靶材等的金屬化合物靶材(含有Cr、Ta等的金屬與氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)等的靶材)等，並可藉由使用了氦(He)氣體、氬(Ar)氣體、氪(Kr)氣體、氙(Xe)氣體等的稀有氣體作為濺鍍氣體之濺鍍來加以形成，又，可藉由「將稀有氣體與含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等的反應性氣體一起使用作為濺鍍氣體」之反應性濺鍍來加以形成。
在吸收體膜上之遠離基板的側，係亦可設置硬光罩膜(吸收體膜之蝕刻光罩膜)，該蝕刻光罩，係較佳為與吸收體膜相接，蝕刻特性與吸收體膜不同。該硬光罩膜，係作為對吸收體膜進行乾蝕刻時之蝕刻光罩而發揮功能的膜。在形成吸收體圖案後，該硬光罩膜，係例如亦可作為反射率降低層殘留且作為吸收體膜的一部分，或亦可將其去除而不殘存於EUV光罩上，該反射率降低層，係用以降低在圖案檢查等檢查中所使用的光之波長下的反射率。作為硬光罩膜之材料，係可列舉出含有鉻(Cr)的材料。由含有Cr之材料所形成的硬光罩膜，係尤其適合於「吸收體膜由含有Ta而不含有Cr之材料所形成」的情形。在吸收體膜上形成主要具有降低在圖案檢查等檢查中所使用的光之波長下的反射率之功能的層(反射率降低層)時，硬光罩膜，係可形成於吸收體膜的反射率降低層上。硬光罩膜，係例如可藉由磁控濺鍍法來形成。硬光罩膜之膜厚，係雖不特別限制，但通常為5～20nm左右。
導電膜，係薄片電阻為100Ω/□以下較佳，材質並不特別限制。作為導電膜之材料，係例如可列舉出含有鉭(Ta)或鉻(Cr)的材料。又，含有Ta或Cr之材料，係亦可含有氧(O)、氮(N)、碳(C)、硼(B)等。作為含有Ta之材料，係可列舉出Ta單質、TaO、TaN、TaON、TaC、TaCN、TaCO、TaCON、TaB、TaOB、TaNB、TaONB、TaCB、TaCNB、TaCOB、TaCONB等的鉭化合物。作為含有Cr之材料，具體而言，係可列舉出Cr單質、CrO、CrN、CrON、CrC、CrCN、CrCO、CrCON、CrB、CrOB、CrNB、CrONB、CrCB、CrCNB、CrCOB、CrCONB等的鉻化合物。
導電膜之膜厚，係只要作為靜電夾持用而發揮功能即可，雖並不特別限制，但通常為5～100nm左右。導電膜之膜厚，係以「在形成為EUV光罩後，亦即在形成吸收體圖案後，膜應力與多層反射膜及吸收體圖案取得平衡」的方式來形成為較佳。導電膜，係亦可在形成多層反射膜之前形成，或亦可在形成基板之多層反射膜側的所有膜後形成，又，亦可在形成基板之多層反射膜側的一部分之膜後，形成導電膜，其後，形成基板之多層反射膜側之剩餘部分的膜。導電膜，係例如可藉由磁控濺鍍法來形成。
而且，EUV空白光罩，係亦可為在最遠離基板之側形成有光阻膜者。光阻膜，係電子束(EB)光阻為較佳。 [實施例]
以下，雖表示實施例及比較例而具體地說明本發明，但本發明並非被限制於下述的實施例。
[實施例1] 在基板形成了由Si/Mo層積部與含有Ru之保護層所構成的多層反射膜，該基板，係由熱膨脹係數為±5.0×10 -9/℃之範圍內的低熱膨脹材料所構成，主表面之表面粗糙度在RMS值上為0.1nm以下，主表面之平坦度在TIR值上為100nm。
Si/Mo層積部，係使用Si靶材與Mo靶材作為靶材，並使用Ar氣體與N 2氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在磁控濺鍍裝置分別各裝設一個Si靶材與Mo靶材，並使基板與各個靶材之配置成為偏移配置，一面使基板自轉一面形成。首先，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Si層。接著，使Ar氣體與N 2氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度1.0nm之設定形成了SiN層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Mo層。將該些Si層、SiN層及Mo層之形成設成為1循環，重覆進行該些3層之形成合計40個循環。其後，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度2.8nm之設定形成了Si層。接著，使Ar氣體與N 2氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度1.0nm之設定形成了SiN層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度0.5nm之設定形成了Mo層而製成Si/Mo層積部。
保護層，係使用Ru靶材作為靶材，並使用Ar氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在有別於形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置的磁控濺鍍裝置裝設一個Ru靶材，並使基板與靶材對向配置，一面使基板自轉一面形成。使形成有Si/Mo層積部之基板從形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置經由與兩者之濺鍍腔室連通的搬送用腔室向形成保護層之磁控濺鍍裝置移動，且在真空下移動。使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並使Ru靶材放電，以厚度2.5nm之設定形成了Ru層而製成保護層。
以穿透式電子顯微鏡(TEM)來觀察所獲得的多層反射膜之剖面，其結果觀察到，在多層反射膜之上部，係從表面側(遠離基板的側)依序為厚度2.5nm的Ru層、厚度0.5nm的Mo層、厚度1.0nm的SiN層、厚度2.6nm的Si層、厚度0.5nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層、厚度2.3nm的Mo層、厚度0.9nm的SiN層。又，在大氣氛圍中，對以相同方法所獲得的多層反射膜實施200℃、10分鐘的熱處理，並同樣地觀察多層反射膜之剖面，其結果與熱處理前相同。又，在熱處理前後，測定波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之峰值反射率，其結果，熱處理前為67%，熱處理後為65%，均為65%以上的高反射率。
[實施例2] 在基板形成了由Si/Mo層積部與含有Ru之保護層所構成的多層反射膜，該基板，係由熱膨脹係數為±5.0×10 -9/℃之範圍內的低熱膨脹材料所構成，主表面之表面粗糙度在RMS值上為0.1nm以下，主表面之平坦度在TIR值上為100nm。
Si/Mo層積部，係使用Si靶材與Mo靶材作為靶材，並使用Ar氣體與N 2氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在磁控濺鍍裝置分別各裝設一個Si靶材與Mo靶材，並使基板與各個靶材之配置成為偏移配置，一面使基板自轉一面形成。首先，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Si層。接著，使Ar氣體與N 2氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度0.5nm之設定形成了SiN層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Mo層。接著，使Ar氣體與N 2氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度0.5nm之設定形成了SiN層。將該些Si層、SiN層、Mo層及SiN層之形成設成為1循環，重覆進行該些4層之形成合計40個循環。其後，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度2.4nm之設定形成了Si層。接著，使Ar氣體與N 2氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度0.5nm之設定形成了SiN層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度0.5nm之設定形成了Mo層而製成Si/Mo層積部。
保護層，係使用Ru靶材作為靶材，並使用Ar氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在有別於形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置的磁控濺鍍裝置裝設一個Ru靶材，並使基板與靶材對向配置，一面使基板自轉一面形成。使形成有Si/Mo層積部之基板從形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置經由與兩者之濺鍍腔室連通的搬送用腔室向形成保護層之磁控濺鍍裝置移動，且在真空下移動。使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並使Ru靶材放電，以厚度2.5nm之設定形成了Ru層而製成保護層。
以穿透式電子顯微鏡(TEM)來觀察所獲得的多層反射膜之剖面，其結果觀察到，在多層反射膜之上部，係從表面側(遠離基板的側)依序為厚度2.7nm的Ru層、厚度0.5nm的Mo層、厚度0.5nm的SiN層、厚度2.5nm的Si層、厚度0.5nm的SiN層、厚度2.5nm的Mo層、厚度0.5nm的SiN層。又，在大氣氛圍中，對以相同方法所獲得的多層反射膜實施200℃、10分鐘的熱處理，並同樣地觀察多層反射膜之剖面，其結果與熱處理前相同。又，在熱處理前後，測定波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之峰值反射率，其結果，熱處理前為67%，熱處理後為65%，均為65%以上的高反射率。
[比較例1] 在基板形成了由Si/Mo層積部與含有Ru之保護層所構成的多層反射膜，該基板，係由熱膨脹係數為±5.0×10 -9/℃之範圍內的低熱膨脹材料所形成，主表面之表面粗糙度在RMS值上為0.1nm以下，主表面之平坦度在TIR值上為100nm。
Si/Mo層積部，係使用Si靶材與Mo靶材作為靶材，並使用Ar氣體與N 2氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在磁控濺鍍裝置分別各裝設一個Si靶材與Mo靶材，並使基板與各個靶材之配置成為偏移配置，一面使基板自轉一面形成。首先，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度4.0nm之設定形成了Si層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Mo層。將該些Si層及Mo層之形成設成為1循環，重覆進行該些2層之形成合計40個循環。其後，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Si靶材放電，以厚度3.0nm之設定形成了Si層。接著，僅使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並僅使Mo靶材放電，以厚度1.0nm之設定形成了Mo層而製成Si/Mo層積部。
保護層，係使用Ru靶材作為靶材，並使用Ar氣體作為濺鍍氣體，藉由磁控濺鍍而形成。在有別於形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置的磁控濺鍍裝置裝設一個Ru靶材，並使基板與靶材對向配置，一面使基板自轉一面形成。使形成有Si/Mo層積部之基板從形成有Si/Mo層積部之磁控濺鍍裝置經由與兩者之濺鍍腔室連通的搬送用腔室向形成保護層之磁控濺鍍裝置移動，且在真空下移動。使Ar氣體流入濺鍍腔室內，並使Ru靶材放電，以厚度2.5nm之設定形成了Ru層而製成保護層。
以穿透式電子顯微鏡(TEM)來觀察所獲得的多層反射膜之剖面，其結果觀察到，在多層反射膜之上部，係從表面側(遠離基板的側)依序為厚度2.5nm的Ru層、厚度1.2nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層、厚度2.8nm的Si層、厚度0.5nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層、厚度2.7nm的Mo層、厚度1.3nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層。又，在大氣氛圍中，對以相同方法所獲得的多層反射膜實施200℃、10分鐘的熱處理，並同樣地觀察多層反射膜之剖面，其結果觀察到，在多層反射膜之上部，係從表面側(遠離基板的側)依序為厚度2.5nm的Ru層、厚度1.6nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層、厚度2.6nm的Si層、厚度0.5nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層、厚度2.6nm的Mo層、厚度1.6nm之Si與Mo混合而成的交互擴散層。又，在熱處理前後，測定波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之峰值反射率，其結果，熱處理前為65%，熱處理後為62%，熱處理後，係未滿65%的低反射率。
1:基板 10:EUV空白光罩用附多層反射膜之基板 2:多層反射膜 21:Si/Mo層積部 211:Si層 212:Mo層 213:含有Si與N之層 21a:由Si與Mo所構成的交互擴散層 21b:由Si與Ru所構成的交互擴散層 22:保護層 100:濺鍍裝置 101,102:濺鍍腔室 103:搬送用腔室 104:裝載鎖定腔室
[圖1]表示本發明的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的一例之中間省略部分剖面圖。 [圖2]用以說明具有由理想的Si/Mo層積部與保護層所構成之多層反射膜的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的中間省略部分剖面圖。 [圖3]表示具有由以往的Si/Mo層積部與保護層所構成之多層反射膜的EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的中間省略部分剖面圖。 [圖4]表示適於形成本發明之多層反射膜的濺鍍裝置之一例的概念圖。
1:基板
2:多層反射膜
10:EUV空白光罩用附多層反射膜之基板
21:Si/Mo層積部
22:保護層
211:Si層
212:Mo層
213:含有Si與N之層

Claims (16)

  1. 一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其特徵係，具有：基板；及多層反射膜，被設置於該基板上，該多層反射膜，係具有Si層與Mo層交互層積而成的Si/Mo層積部，在該Si/Mo層積部的上述Si層與上述Mo層之間的任一者以上中，含有Si與N之層，係相接於上述Si層與上述Mo層兩者而形成， 上述多層反射膜，係更具有：保護層，作為該多層反射膜之最上層，相接於上述Si/Mo層積部，且含有Ru， 與上述Si/Mo層積部之上述保護層相接的層，係Mo層， 上述多層反射膜的最上部，係自遠離上述基板之側起由上述保護層、上述Mo層、上述含有Si與N之層及上述Si層所構成，及 上述最上部中的上述Mo層的厚度為1nm以下。
  2. 如請求項1之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中， 上述含有Si與N之層的厚度，係2nm以下。
  3. 如請求項1之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中， 在上述最上部中，上述保護層的厚度為4nm以下，上述含有Si與N之層的厚度為2nm以下且上述Si層的厚度為4nm以下。
  4. 如請求項1或2之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中， 在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層及相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層所構成的3層層積構造單元或自基板側起由Mo層、相接於Mo層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Si層所構成的3層層積構造單元。
  5. 如請求項1或2之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中， 在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層、相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層及相接於該Mo層而形成的含有Si與N之層所構成的4層層積構造單元。
  6. 如請求項1或2之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板，其中， 波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之上述多層反射膜的峰值反射率，係65%以上。
  7. 一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的製造方法，係製造如請求項1～6中任一項之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的方法，其特徵係，包含有： (A)藉由濺鍍來形成上述Si/Mo層積部的工程， 以具備有腔室之磁控濺鍍裝置實施上述濺鍍，該腔室，係可分別裝設1個以上的Mo靶材與Si靶材，並可對Mo靶材與Si靶材分別施加電力，基板與各個靶材之配置為偏移配置，不具有遮蔽各個靶材與基板之間的構件，可使基板沿著主表面自轉且可導入含氮氣體。
  8. 一種EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的製造方法，係製造如請求項1～6中任一項之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的方法，其特徵係，包含有： (A)藉由濺鍍來形成上述Si/Mo層積部的工程；及 (B)藉由濺鍍來形成上述保護層的工程， 在上述(A)工程後，使與該Si/Mo層積部反應之氣體不與以上述(A)工程所形成的上述Si/Mo層積部接觸地實施上述(B)工程。
  9. 如請求項8之製造方法，其中， 在一濺鍍腔室內實施上述(A)工程，使形成了上述Si/Mo層積部的基板從一濺鍍腔室移動至另一濺鍍腔室，在上述另一濺鍍腔室內實施上述(B)工程。
  10. 如請求項9之製造方法，其中， 在上述一及另一濺鍍腔室之間設置可與各個濺鍍腔室個別地連通或與兩者濺鍍腔室同時地連通的搬送用腔室，使形成了上述Si/Mo層積部的基板從上述一濺鍍腔室經由上述搬送用腔室向上述另一濺鍍腔室移動。
  11. 如請求項10之製造方法，其中， 均在真空下實施從上述一濺鍍腔室向上述搬送用腔室的移動及從該搬送用腔室向上述另一濺鍍腔室的移動。
  12. 如請求項8之製造方法，其中， 在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層及相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層所構成的3層層積構造單元或自基板側起由Mo層、相接於Mo層而形成的含有Si與N之層及相接於含有Si與N之層而形成的Si層所構成的3層層積構造單元。
  13. 如請求項8之製造方法，其中， 在上述Si/Mo層積部中，包含30個以上之自上述基板側起由Si層、相接於該Si層而形成的含有Si與N之層、相接於該含有Si與N之層而形成的Mo層及相接於該Mo層而形成的含有Si與N之層所構成的4層層積構造單元。
  14. 如請求項8之製造方法，其中， 波長13.4～13.6nm之範圍內的EUV光在入射角6°下之上述多層反射膜的峰值反射率，係65%以上。
  15. 一種EUV空白光罩，其特徵係， 在如請求項1～6中任一項之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上，具有：吸收體膜，含有Ta或Cr。
  16. 一種EUV空白光罩，其特徵係， 在如請求項1～6中任一項之EUV空白光罩用附多層反射膜之基板的上述多層反射膜上，具有：吸收體膜，含有Ta而不含有Cr；及硬光罩膜，在該吸收體膜上含有Cr，作為對上述吸收體膜進行乾蝕刻時的蝕刻光罩而發揮功能。
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