TWI879930B - 清洗構件之清洗裝置、基板清洗裝置及清洗構件組件 - Google Patents

Abstract

本發明揭示了一種清洗構件的清洗裝置具有：保持虛設基板(Wd)的基板支撐部(200)；保持具有清洗構件(90)的清洗構件組件(1)的保持部(100)；使所述清洗構件旋轉的構件旋轉部(80)；向所述清洗構件內供給清洗液的內清洗液供給部(110)；從所述清洗構件外供給清洗液的外清洗液供給部(120)；進行控制，以進行一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述虛設基板一邊從所述外清洗液供給部向虛設基板供給清洗液的第一處理和一邊使所述清洗構件從所述虛設基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板一邊從內清洗液供給部供給清洗液的第二處理的控制部(350)。

Description

清洗構件之清洗裝置、基板清洗裝置及清洗構件組 件

本發明係提供一種用於對清洗構件進行清洗的清洗構件之清洗裝置、基板清洗裝置及清洗構件組件。

在新的清洗構件附著有污染物，需要將它們去除而進行初始化之後再使用。另外，還存在如下問題：當使用潔淨化後的清洗構件持續清洗基板時，例如存在於處理對象的基板上的研磨漿料這樣的基板上的顆粒在清洗構件堆積，從而使清洗能力降低。為了解決這樣的問題，在日本特開2016-152345號公報中公開了一種基板清洗裝置，該基板清洗裝置使基板旋轉，並且一邊使清洗構件接觸旋轉的基板一邊對基板進行清洗。在該基板清洗裝置中設置有：自清洗構件，該自清洗構件設置於支承清洗構件的臂，並與清洗構件接觸而進行清洗構件的自清洗；以及移動機構，該移動機構設置於支承清洗構件的臂，並使自清洗構件在與清洗構件接觸的位置和從清洗構件離開的位置之間移動。

在日本特開2016-152345號公報中還公開了向清洗構件與自清洗構件的接觸部供給清洗液的方式，但在像這樣的以往的從外側向清洗構件與自清洗構件的接觸部供給清洗液的方式中，已知有如下技術問題： 例如在使用最近研究的特定的漿料進行基板研磨後的清洗過程中，存在粒子去除性能不能滿足期待的性能的可能性等。

本發明提供一種能夠有效地對清洗構件進行清洗的清洗構件的清洗裝置、基板清洗裝置及清洗構件組件。

[概念1]

本發明的清洗構件的清洗裝置可以具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液。

[概念2]

在概念1的清洗構件的清洗裝置中，可以是在所述第二處理的期間，停止從所述外清洗液供給部向所述基板供給清洗液。

[概念3]

在概念1的清洗構件的清洗裝置中，可以是在所述第二處理的期間，也進行從所述外清洗液供給部向所述基板的清洗液的供給。

[概念4]

在概念1~3中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述第二處理中的所述清洗構件的第二旋轉速度比所述第一處理中的所述清洗構件的第一旋轉速度快。

[概念5]

在概念1~4中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是內清洗液供給部供給沖洗液，且外清洗液供給部供給藥液；內清洗液供給部供給藥液，且外清洗液供給部供給沖洗液；或者內清洗液供給部和外清洗液供給部供給藥液。

[概念6]

在概念1~5中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是內清洗液供給部供給第一藥液，且外清洗液供給部供給與第一藥液不同的第二藥液。

[概念7]

在概念1~6中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述控制部在以第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板的期間從內清洗液供給部供給清洗液，所述第二壓力為所述第一壓力的1/2以下。

[概念8]

在概念1~7中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述控制部控制輸送部，以更換所述基板，並且所述控制部進行控制，以將所述第一處理和所述第二處理的處理和所述基板的更換處理作為多次的組來進行。

[概念9]

在概念8的清洗構件的清洗裝置中，可以是後半組中的第一壓力比前半組中的第一壓力小。

[概念10]

在概念1~9中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述控制部進行控制，以使得在第一壓力為閾值以上的情況下，基板和清洗構件的旋轉方向為反方向，並且在第一壓力小於所述閾值的情況下，基板和清洗構件的旋轉方向為同方向。

[概念11]

在概念1~10中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述外清洗液供給部在所述第一處理和所述第二處理的期間持續供給清洗液，所述內清洗液供給部供給沖洗液，並且在所述第一處理的期間停止沖洗液的供給。

[概念12]

在概念1~11中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述內清洗液供給部供給沖洗液，所述控制部進行控制，以使進行所述第一處理的第一時間比進行所述第二處理的第二時間長。

[概念13]

在概念1~12中的任一個清洗構件的清洗裝置中，可以是所述控制部控制所述外清洗液供給部，以在對要進行清洗處理的基板進行清洗之前進行沖洗處理。

[概念14]

概念1~13中的任一個清洗構件組件可以具備：被上述的清洗構件的清洗裝置清洗的清洗構件。

[概念15]

本發明的基板清洗裝置進行基板的清洗，該基板清洗裝置可以具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；基板清洗液供給部，該基板清洗液供給部向所述基板供給清洗液；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液。

[概念16]

概念15的清洗構件組件可以具備：被上述的基板清洗裝置清洗的清洗構件。

根據本發明，能夠提供能夠有效地對清洗構件進行清洗的清洗構件的清洗裝置等。

1、1a:清洗構件組件

10:清洗構件安裝部

11:第一端部

12:第二端部

20:主體

30:清洗液導入部

40:清洗液供給孔

80:構件旋轉部

90:清洗構件

90a:筆清洗構件

95:凸塊

100:保持部

100a:第一清洗構件保持部

100b:第二清洗構件保持部

110:內清洗液供給部

112:過濾器

115:供給管

120:外清洗液供給部

121:外清洗液供給構件

122:過濾器

124:外清洗液儲存部

200:基板支撐部

210:藥液供給部

220:沖洗液供給部

250:檢測裝置

260:吸引部

300:輸送部

310:外殼

312:裝載口

314a~314d:研磨單元

316、318:清洗單元

320:乾燥單元

322:第一輸送機器人

324:輸送單元

326:第二輸送機器人

328:第三輸送機器人

350:控制部

400:輸入部

515:驅動部

516:轉矩檢測部

517:傳遞部

518:壓力檢測部

519:按壓驅動部

600:磨合裝置

605:磨合殼體

610:磨合模組

650:磨合控制部

655:磨合存儲部

660:第二移動部

690:第一移動部

691:鎖定部

951:內框

951a:孔

952:外框

W:基板

Wd:虛設基板

圖1係表示本發明的實施方式的基板處理裝置的整體結構的概略俯視圖。

圖2係表示在本發明的實施方式中使用的基板清洗裝置的立體圖。

圖3係表示作為本發明的實施方式的一例而使用的清洗構件的清洗裝置的圖。

圖4係表示作為本發明的實施方式的其他例而使用的清洗構件的清洗裝置的圖。

圖5係用於說明在本發明的實施方式中使用的輥清洗構件的清洗方法的圖。

圖6係用於說明通過本發明的實施方式的方式去除清洗構件內的異物的狀況的圖。

圖7係用於說明製造在本發明的實施方式中使用的一體成形的清洗構件的方法的一例的圖。

圖8係在本發明的實施方式中使用的清洗構件的清洗裝置的框圖。

圖9係表示使用本發明的實施方式的實施例1的清洗構件的清洗裝置時殘留於基板上的19nm以上的顆粒和使用比較例1的清洗構件的清洗裝置時殘留於基板上的19nm以上的顆粒的照片(defectmap)。

圖10A和圖10B係將使用本發明的實施方式的實施例1的清洗構件的清洗裝置時殘留於基板上的19nm以上的顆粒的數量和使用比較例1的清洗構件的清洗裝置時殘留於基板上的19nm以上的顆粒的數量用比率來示出的曲線圖。

圖11A係表示在虛設基板與輥清洗構件接觸的部位中，虛設基板和輥清洗構件以相反的方向旋轉的方式。圖11B係表示在虛設基板與輥清洗構件接觸的部位中，虛設基板和輥清洗構件以相同的方向旋轉的方式。

圖12係用於說明在本發明的實施方式中使用的筆形清洗構件的清洗方法的圖。

圖13係表示在本發明的實施方式中使用的輥清洗裝置的結構的概略的結構圖。

圖14係用於說明在本發明的實施例2中使用的輥清洗構件的清洗方法的圖。

圖15係用於說明在本發明的實施例3中使用的輥清洗構件的清洗方法的圖。

圖16係用比率表示本發明的實施例1~3的殘留於基板上的19nm以上的顆粒的數量的曲線圖。

圖17係能夠在本發明的實施方式中使用的磨合裝置的立體圖。

圖18係表示在磨合模組安裝虛設基板時的狀態的立體圖。

圖19係在本發明的實施方式中使用的磨合模組的框圖。

[結構]

對包含基板清洗裝置等的基板處理裝置的實施方式進行說明。此外，在以下的一個實施方式中，示出了半導體晶片(被處理體)的清洗處理，特別是應用於使用了藥液的處理的例，但本發明不限於應用於晶片的清洗處理。

如圖1所示，本實施方式的基板處理裝置具有：大致矩形狀的外殼310和載置有儲存多個基板W的基板盒的裝載口312。裝載口312與外殼310相鄰地配置。在裝載口312能夠搭載開式盒、SMIF(Standard Mechanical Interface，標準機械接口)盒或FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)。SMIF盒、FOUP是能夠通過在內部收納基板盒，並用隔壁覆蓋來保證與外部空間獨立的環境的密閉容器。作為基板W，能夠舉例如半導體晶片等。

在外殼310的內部收容有：多個(在圖1所示的方式中是四個)研磨單元314a~314d、清洗研磨後的基板W的第一清洗單元316和第二清洗單元318，以及乾燥清洗後的基板W的乾燥單元320。研磨單元314a~314d沿著基板處理裝置的長度方向排列，清洗單元316、318和乾燥單元320也沿著基板處理裝置的長度方向排列。根據本實施方式的基板處理裝置，能夠在直徑300mm或450mm的半導體晶片、平板、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)等圖像傳感器、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式隨機存取記憶體)中的磁性膜的製造工序中，對各種基板W進行研磨處理。此外，作為 其他實施方式的基板處理裝置，也可以作為不在外殼310內設置研磨基板W的研磨單元，而進行基板W的清洗處理和乾燥處理的裝置。

在被裝載口312、位於裝載口312側的研磨單元314a和乾燥單元320包圍的區域配置有第一輸送機器人322。另外，與研磨單元314a~314d以及清洗單元316、318和乾燥單元320平行地配置有輸送單元324。第一輸送機器人322從裝載口312接受研磨前的基板W並交接到輸送單元324，或將從乾燥單元320取出的乾燥後的基板W交接到輸送單元324。

在第一清洗單元316與第二清洗單元318之間配置有第二輸送機器人326，該第二輸送機器人326在這些第一清洗單元316與第二清洗單元318之間進行基板W的交接，在第二清洗單元318與乾燥單元320之間配置有第三輸送機器人328，該第三輸送機器人328在這些第二清洗單元318與乾燥單元320之間進行基板W的交接。而且，在外殼310的內部配置有控制基板處理裝置的各設備的動作的控制部(整體控制部)350。在本實施方式中，用控制部350被配置於外殼310的內部的方式進行說明，但不限於此，可以在外殼310的外部配置控制部350，控制部350也可以設置在遠距離地點。

作為第一清洗單元316可以使用輥清洗裝置，該輥清洗裝置在清洗液的存在下，使遍及基板W的直徑的大致全長直線狀地延伸的輥清洗部件90與基板W接觸，並一邊繞與基板W平行的中心軸自轉一邊對基板W的表面進行擦洗。另外，作為第二清洗單元318可以使用筆形清洗裝置，該筆形清洗裝置在清洗液的存在下，使在鉛直方向上延伸的圓柱狀的筆形清洗部件的接觸面與基板W接觸，並使筆形清洗部件一邊自轉一邊朝向一方向移動，從而對基板W進行表面擦洗。另外，作為乾燥單元320可以使用旋轉乾燥單元，該旋轉乾燥單元從移動的噴射噴嘴朝向保持為水平 而旋轉的基板W噴出IPA蒸氣來乾燥基板W，並且使基板W高速地旋轉，從而通過離心力來乾燥基板W。

此外，作為第一清洗單元316，也可以不使用輥清洗裝置，而使用與第二清洗單元318相同的筆形清洗裝置，或使用通過雙流體噴嘴對基板W的表面進行清洗的雙流體噴嘴清洗裝置。另外，作為第二清洗單元318，也可以不使用筆形清洗裝置，而使用與第一清洗單元316相同的輥清洗裝置，或使用通過雙流體噴嘴對基板W的表面進行清洗的雙流體噴嘴清洗裝置

本實施方式的清洗液包含：純水(DIW)等沖洗液

、氨過氧化氫(SC1)、鹽酸過氧化氫(SC2)、硫酸過氧化氫(SPM)、硫酸加水、氫氟酸等藥液。另外，也可以是以這些為主成分的混合液、稀釋液。在本實施方式中，除了特別地否定之外，清洗液表示沖洗液、藥液或沖洗液和藥液這兩者。此外，本實施方式的清洗包含：一邊使輥清洗部件90、筆清洗部件90a等清洗部件旋轉並與基板接觸一邊向基板供給清洗液而擦洗的方式、不使部件與基板接觸而僅供給清洗液的方式。

如圖3所示，清洗部件組件1可以具有：清洗部件安裝部10和安裝於清洗部件安裝部10的表面的清洗部件。在以下，作為一例，對作為清洗部件使用輥清洗部件90進行說明，但不限於此，本實施方式的方式還能夠使用例如筆形清洗部件、刷、心軸(mandrel)這樣的清洗部件。如圖2所示，輥清洗部件90也可以由具有多個突塊(突起部件)95的海綿構成。可以將突塊95的頂部的面積設為5cm2以下。作為清洗部件安裝部10的材料，可以使用PVDF、PTFE。

如圖2所示，基板清洗裝置可以具有保持基板W的基板支承部200。基板支承部200可以將基板W保持為在水平方向上延伸，可以保持 為在鉛直方向上延伸，也可以保持為從水平方向傾斜。基板支承部200可以通過卡盤或吸附來保持基板W並且旋轉，也可以如圖2所示的導軸那樣使基板W旋轉並支承基板W。可以設置向基板W供給藥液的藥液供給部210和向基板W供給沖洗液的沖洗液供給部220。在本實施方式中，向基板W供給清洗液的基板清洗液供給部由藥液供給部210和沖洗液供給部220構成。

在本實施方式中，用清洗部件的清洗裝置由基板清洗裝置構成的方式進行說明。即，在本實施方式中，用如下方式進行說明：在為了對在量產半導體基板晶片等時的一系列的處理工序中使用的基板W進行清洗而使用的基板清洗裝置中，對清洗部件進行清洗的清洗部件的清洗裝置(自清洗裝置或磨合裝置600(參照圖17))同時還用作對基板進行清洗的基板清洗裝置。但是，不限於這樣的方式，也可以設置與基板清洗裝置不同的專用的清洗部件的清洗裝置。在使用這樣的專用的清洗部件的清洗裝置的情況下，不需要將用於基板W的清洗處理的基板清洗裝置用於清洗部件的清洗裝置。因此，在能夠延長基板清洗裝置的工作時間，能夠提高基板處理片數(能夠提高裝置的工作率)這點上是有益的。關於專用的清洗部件的清洗裝置，通過參照將美國專利申請第2019/0088509A1號的整體編入本說明書。

另外，在清洗輥清洗部件90等清洗部件時，作為基板可以使用虛設基板Wd。在本實施方式中，以下，對作為基板使用虛設基板Wd的方式進行說明，但不限於此，也可以使用在量產中使用的晶片等基板W來進行清洗部件的清洗處理。此外，由於在具有金屬膜的虛設基板Wd中，在作為清洗液使用了藥液的情況下，金屬膜有溶解的可能性，因此在 作為清洗液使用了藥液的情況下，作為虛設基板Wd較佳使用具有氧化膜等絕緣膜的基板。該絕緣膜可以是TEOS(四乙氧基矽烷)。

如圖3所示，清洗部件的清洗裝置可以具有：保持具有輥清洗部件90的清洗部件組件1的保持部100、使輥清洗部件90旋轉的部件旋轉部80、向輥清洗部件90內供給清洗液的內清洗液供給部110以及從輥清洗部件90的外方供給清洗液的外清洗液供給部120。

在一實施方式中，部件旋轉部80由例如電機、傳遞電機的驅動力的帶等傳遞部構成，部件旋轉部80與清洗部件組件1經由保持部100連結。並且，構成為將在部件旋轉部80產生的旋轉驅動力向清洗部件組件1的輥清洗部件90傳遞。另外，部件旋轉部80使清洗部件組件1在(相對於基板W)垂直方向上上下自如地動作，並且還能夠具有使清洗部件組件1在規定的位置停止的止動件。在一實施方式中，能夠設置用於使輥清洗部件上下運動的缸機構。另外，在使輥清洗部件旋轉時，構成為除了使電機產生驅動力之外，還通過將驅動力向帶等傳遞部傳遞，而使輥清洗部件90繞沿著長度方向的軸中心旋轉。並且，為了能夠進行輥清洗部件的xyz軸各自的軸向的運動控制，能夠設置對輥清洗部件的位置進行測定的傳感器，並且控制部接收由傳感器得到的信號，由控制部生成使輥清洗部件的位置位移的位移信號，將位移信號向部件旋轉部或缸發送，由此將輥清洗部件的位置向最適合的位置控制。

使用圖13對更具體的例進行說明。

如圖13所示，可以設置輥按壓驅動部519，該輥按壓驅動部519用於將輥清洗部件90向基板W按壓，或使輥清洗部件90從基板W離開。另外，可以設置傳遞基於電機等的驅動部515的旋轉力的由帶(belt)等 構成的傳遞部517。此外，輥清洗部件90的驅動可以通過驅動部515的直接驅動來進行，也可以通過經由帶等的間接電動來進行。

部件旋轉部80可以具有：對施加於驅動部515的轉矩進行檢測的轉矩檢測部516，和檢測基於按壓驅動部519的輥清洗部件90對基板W的按壓力的按壓力檢測部518。作為按壓力檢測部518，可以使用例如測力傳感器。

控制部350也可以基於來自轉矩檢測部516的檢測結果，控制基於按壓驅動部519的輥清洗部件90對基板W的按壓力。例如，控制部350對輥清洗部件90對基板W的按壓力進行控制，以將施加於驅動部515的轉矩限制在一定範圍(後述的第二範圍內)或使該轉矩成為恆定值。

控制部350也可以基於來自按壓力檢測部518的檢測結果，控制基於按壓驅動部519的輥清洗部件90對基板W的按壓力。

另外，控制部350也可以從輥清洗部件90與基板W抵接起到第一時間(例如1秒~3秒)到來為止，基於來自按壓力檢測部518的檢測結果，控制基於按壓驅動部519的輥清洗部件90對基板W的按壓力，並在經過第一時間後基於來自轉矩檢測部516的檢測結果來控制該按壓力。此外，除了這樣的方式，也可以基於來自按壓力檢測部518的檢測結果，僅以輥清洗部件90對基板W的按壓力不會過度地變大或不會過度地變小的方式進行控制(閾值控制)。

另外，控制部350也可以在第一時間到來時，基於來自按壓力檢測部518的檢測結果，判斷輥清洗部件90對基板W的按壓力是否在第一範圍內，並在該按壓力在第一範圍的範圍外的情況下，控制按壓驅動部519，以使按壓力成為在第一範圍內。

可以是，轉矩檢測部516在規定時間內多次檢測轉矩，控制部350基於由轉矩檢測部516檢測到的多個轉矩的值(使用例如多個轉矩的值的平均值)來控制按壓力。另外，轉矩檢測部516可以每隔規定時間(例如每0.1~0.3秒)對轉矩進行檢測。作為一例，控制部350可以基於連續的二~五的檢測結果來控制按壓力。例如，可以每0.1秒獲取三個點，並使用它們的平均值來控制從輥清洗部件90對基板W施加的按壓力。在一實施方式中，在通過輥清洗部件擦洗基板時，可以基於由轉矩檢測部516在規定時間內檢測到的多個轉矩的值來控制清洗部件對基板的按壓力。

此外，在部件旋轉部80以預先設定的轉速旋轉的情況下，由於部件旋轉部80實現恆定的轉速，因此施加的轉矩重複取大值和小值。即，當在某一時刻轉矩變高時，進行控制，以使從輥清洗部件90向基板W施加的按壓力變小，其結果是，轉矩變小。當像這樣轉矩變小時，進行控制，以使從輥清洗部件90向基板W施加的按壓力變大，其結果是，轉矩變大。通過該重複來進行部件旋轉部80的控制，由此，通過取平均值，能夠使用高精度的轉矩的值進行控制。此外，由於轉矩在旋轉軸旋轉一次的期間重複增減，因此也可以預先將該增減的周期作為設定值進行存儲。在此基礎上，也可以在計算出旋轉軸旋轉一次的期間的增減的影響的基礎上，進行上述轉矩監視。此外，旋轉一次內的轉矩的變動量越小的輥清洗部件90，就越能夠將因輥清洗部件90的旋轉位置(與基板W等被清洗體接觸的突塊95的周向的部位)的不同而導致的清洗效果的偏差抑制得較少。

也可以是，轉矩檢測部516在輥清洗部件90旋轉n次(“n”是整數。)的時間內對轉矩進行多次檢測，並使用該均值來控制從輥清洗部件90施加到基板W的按壓力。

控制部350也可以以相對於至少兩個不同種類的清洗液成為不同的值的方式來控制轉矩。另外，控制部350也可以在基板W的種類不同的情況下，控制從輥清洗部件90向基板W施加的按壓力，以成為不同的值的轉矩。

控制部350也可以基於來自轉矩檢測部516的檢測結果控制按壓驅動部519，以使轉矩成為第二範圍內。另外，控制部350也可以基於來自轉矩檢測部516的檢測結果，每隔規定的時間對轉矩是否在第二範圍內進行檢測，並在轉矩在第二範圍外的情況下，控制按壓驅動部519，以使轉矩成為第二範圍內。另外，控制部350也可以基於來自轉矩檢測部516的檢測結果對轉矩是否在第二範圍內進行連續的檢測，並進行適當調整，以使轉矩不會偏離第二範圍。

在作為基板支承部200採用了導軸的情況下，控制部350也可以基於來自轉矩檢測部516的檢測結果控制按壓驅動部519，以使轉矩不會成為第一閾值以上，由此，預防了基板W的旋轉停止。第一閾值可以基於根據經驗的基板W不旋轉或旋轉停止時的值來決定，也可以基於根據理論的基板W不旋轉時的值來決定。例如，可以將根據經驗的基板W不旋轉或旋轉停止時的轉矩的值的10%~30%的以下的值，或者根據理論的基板W不旋轉時的轉矩的值的10%~30%的以下的值作為第一閾值。

在進行第一處理時，例如可以進行如下控制：通過接受來自轉矩檢測部516及/或按壓力檢測部518的檢測結果的反饋，從而控制部350一邊控制按壓驅動部519而使輥清洗部件90以第一壓力按壓基板W，且一邊控制外清洗液供給部120從外清洗液供給部120向基板W供給清洗液。

在進行第二處理時，例如可以進行如下控制，通過接受來自轉矩檢測部516及/或按壓力檢測部518的檢測結果的反饋，從而控制部 350控制按壓驅動部519，以使輥清洗部件90從基板W離開，或者控制按壓驅動部519，以使輥清洗部件90以第二壓力按壓基板W。另外，此時，控制部350也可以控制內清洗液供給部110控制，以向輥清洗部件90內供給清洗液。

通過從轉矩檢測部516及/或按壓力檢測部518向控制部350發送信號，在控制部350接收到來自轉矩檢測部516及/或按壓力檢測部518的檢測結果。另外，通過控制部350向按壓驅動部519發送信號，按壓驅動部519接收該信號，從而按壓驅動部519使輥清洗部件90沿著基板W的法線方向移動。

如圖17所示，磨合裝置600可以具有：磨合殼體605、設置於磨合殼體605內的磨合模塊610、用於控制磨合模塊610的磨合控制部650以及存儲各種信息的磨合存儲部655(參照圖19)。磨合控制部650可以由例如觸摸面板等構成，並設置於磨合殼體605的側面。在本實施方式中，用兩個磨合模塊610被設置於磨合殼體605內的方式進行說明，但不限於此，可以是一個磨合模塊610設置於磨合殼體605內，也可以是三個以上的磨合模塊610設置於磨合殼體605內。在多個磨合模塊610設置於磨合殼體605內的情況下，也可以通過一個以上的磨合模塊610來進行輥清洗部件90的磨合處理，並通過其他一個以上的磨合模塊610來進行筆形清洗部件的磨合處理。此外，磨合裝置600中的控制除了磨合控制部650之外，還可以通過作為整體控制部的控制部350來進行。另外，如圖19所示，磨合控制部650和作為整體控制部的控制部350也可以連接為能夠通信。

如圖17所示，磨合裝置100可以具有使該磨合裝置100能夠移動的第一移動部690。作為一例，可以在磨合殼體605的下表面設置腳輪等第一移動部690。另外，磨合裝置600可以具有鎖定部691，該鎖定部691 用於鎖定為不能通過第一移動部690移動。在本實施方式中，用設置有四個第一移動部690和與它們對應地設置的四個鎖定部691的方式進行說明。

在設置使磨合裝置600能夠移動的第一移動部690的情況下，在能夠自由地變更磨合裝置600的配置位置這點上是有益的。當清洗的基板的種類發生變化、清洗的基板的數量增加時，外殼內的基板清洗裝置的佈局可能改變。因此，使磨合裝置600能夠移動，從而能夠容易地配置於多餘的空間是有益的。

清洗部件保持部100可以構成為能夠保持三個以上的輥清洗部件90(參照圖18)。但不限於此。清洗部件保持部100也可以構成為能夠保持一個或兩個清洗部件90。在圖18所示的方式中，清洗部件保持部100能夠保持四個輥清洗部件90。

從使輥清洗部件90在與實際的清洗相同的環境下“適應”的觀點出發，基於清洗部件保持部100的輥清洗部件90的旋轉速度可以是與在基板清洗裝置中的清洗工序所採用的旋轉速度相同的速度。

如圖18所示，基板支承部200可以構成為，將虛設基板Wd保持為在鉛直方向上延伸(即，虛設基板Wd的面內方向在上下方向上延伸)。但不限於此，基板支承部200可以構成為將基板保持為在水平方向上延伸，也可以構成為將基板保持為從水平方向傾斜。

在圖18所示的方式中，四個基板支承部200均等地(以旋轉中心為中心呈90°的角度)配置。本實施方式的基板支承部200由導軸構成，並構成為使虛設基板Wd旋轉並將其保持。作為基板支承部200，也能夠不是用導軸而使用由卡盤構成的部件。在該情況下，通過卡盤保持虛設基板Wd，被卡盤保持的虛設基板Wd受到來自旋轉部的驅動力而旋轉。基 板支承部200的數量能夠穩定地保持虛設基板Wd即可，可以是例如三個或六個。

在作為基板支承部200採用了卡盤的情況下，可以是，基板支承部200在不保持虛設基板Wd的情況下為開狀態，在保持虛設基板Wd的情況下為閉狀態。可以基於來自磨合控制部650的指令控制虛設基板Wd的開閉，也可以是，基板支承部200通過載置虛設基板Wd而自動地成為閉狀態，並且在取下虛設基板Wd時(通過施加一定以上的力)基板支承部200自動地成為開狀態。

在將虛設基板Wd設置於基板支承部200時，也可以是操作者將虛設基板Wd設置於基板支承部200，也可以是機器臂那樣的基板輸送部將虛設基板Wd設置於基板支承部200。

在圖18所示的方式中設置有四個外清洗供給部120，可以是一個清洗部件保持部100與一個外清洗液供給部120對應的方式設置。另外，也可以以一個內清洗液供給部110對應於一個清洗部件保持部100(參照圖19)的方式設置。根據這樣的方式，在能夠對各輥清洗部件90可靠地供給清洗液這點上是有益的。

在清洗部件保持部100可以連結有第二移動部660，該第二移動部660用於使清洗部件保持部100相對於虛設基板Wd接近和分離(也參照圖18的箭頭)。此外，為了降低製造成本、使裝置結構小型化，第二移動部660也可以構成為僅使清洗部件保持部100相對於虛設基板Wd接近或分離的結構，而不使清洗部件保持部100擺動等。

為了對包含輥清洗部件90的長度方向的兩端部的整體進行磨合處理，第二移動部660也可以能夠使輥清洗部件90沿著其長度方向或與長度方向正交的虛設基板Wd的面內方向移動或擺動。

在圖18所示的方式中，構成為，在虛設基板Wd的正面側和背面側這兩側分別設置第二移動部660，並且使位於虛設基板Wd的正面側的兩個輥清洗部件90和位於虛設基板Wd的背面側的兩個輥清洗部件90同步移動。第二移動部660可以由例如致動器等構成。

接著，對輥清洗部件90的清洗方法的一例進行說明。

首先，通過導軸等基板支承部200支承虛設基板Wd。

接著，使基板W旋轉，並且從外清洗液供給部120向基板W供給清洗液。

接著，控制部350控制按壓驅動部519而使輥清洗部件90以第一壓力按壓基板W(第一處理)。在此期間，持續從外清洗液供給部120向基板W供給清洗液。

接著，控制部350控制按壓驅動部519以使輥清洗部件90從基板W離開，或控制按壓驅動部519以使輥清洗部件90以第二壓力按壓基板W。在像這樣控制的期間或控制之後，控制部350控制內清洗液供給部110而向輥清洗部件90內供給清洗液(第二處理)。在此期間，持續從外清洗液供給部120向基板W供給清洗液。

接著，接收來自控制部350的信號而控制輸送部300，通過輸送部300去除被利用的虛設基板Wd，並搬入其他虛設基板Wd。

之後重複進行上述的工序。此外，也可以不在僅進行了一次第一處理和第二處理時就更換虛設基板Wd，而在以多次的組進行了第一處理和第二處理之後，才更換虛設基板Wd。

控制部350也可以進行控制，以使輥清洗部件90與虛設基板Wd接觸。為了使輥清洗部件90接觸虛設基板Wd，控制部350控制保持部100，並控制為使輥清洗部件90接近虛設基板Wd或從虛設基板Wd離開。 不限於此，控制部350也可以控制基板支承部200，以使虛設基板Wd接近輥清洗部件90或從輥清洗部件90離開。輥清洗部件90的旋轉速度是例如50rpm(轉/分)~400rpm。虛設基板Wd的旋轉速度是例如50rpm~400rpm。此外，在作為清洗部件的清洗裝置使用基板清洗裝置的情況下，作為外清洗液供給部120也可以使用圖2所示的藥液供給部210或沖洗液供給部220。

控制部350也可以進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊使輥清洗部件90以第一壓力按壓虛設基板Wd一邊從外清洗液供給部120向虛設基板Wd供給清洗液，該第二處理使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開，或者使輥清洗部件90一邊以第一壓力以下的第二壓力按壓虛設基板Wd一邊從內清洗液供給部110供給清洗液。

在第二處理中，也可以在使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開的狀態下，一邊使輥清洗部件90以從200到600轉/分(rpm)旋轉，一邊供給由沖洗液等構成的內清洗液。特別是，可以以400轉/分前後旋轉。

清洗液的溫度是例如小於60度。當設為60度以上的溫度時，輥清洗部件90等清洗部件有變質的可能性。此外，清洗液的溫度(小於60度)較高在去除異物的效果高這點上是有益的。另外在本申請中，將存在於基板W上的廢物稱作顆粒，將輥清洗部件90等清洗部件所含的顆粒、殘渣物稱作異物。

在使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開時(向退避位置移動時)，可以使輥清洗部件90沿著虛設基板Wd的法線方向移動，也可以在使輥清洗部件90沿著虛設基板Wd的法線方向稍微移動之後，使輥清洗部件90沿著虛設基板Wd的面內方向移動。

第二處理中的輥清洗部件90的第二旋轉速度可以比第一處理中的輥清洗部件90的第一旋轉速度快。輥清洗部件90的第二旋轉速度可以是第一旋轉速度的1.5倍~6倍的速度，特別較佳1.5倍~3倍的速度。

例如，在磨合新的輥清洗部件90時，可以使用本實施方式的清洗部件的清洗裝置。由於在新的輥清洗部件90附著污物的可能性高，因此使用本實施方式那樣的清洗部件的清洗裝置是有益的。另外，在輥清洗部件90使用了一定程度的情況下，輥清洗部件90也可能附著污物。因此，本實施方式的清洗部件的清洗裝置也能夠在對利用了一定程度的輥清洗部件90進行清洗時使用。

控制部350可以進行控制，以將第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理作為多次的組來進行。控制部350可以將第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理重複進行例如3次~150次。作為一例，可以將下述的表的組(第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理)重複進行。即，可以是，在第一處理中，一邊使輥清洗部件90按壓虛設基板Wd一邊供給外清洗液，在第二處理中，一邊使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開一邊供給內清洗液和外清洗液(參照圖5)。之後，可以停止內清洗液和外清洗液的供給，進行虛設基板Wd的更換，並再次開始第一處理。

此外，不限於這樣的方式，也可以在將上述表1的第一處理和第二處理重複規定的次數(例如3次~50次)之後，進行虛設基板Wd的更換。另外，在進行虛設基板Wd的更換時，可以不停止外清洗液的供給，而持續供給外清洗液。根據該方式，能夠使被更換的虛設基板Wd從最初開始就可靠地成為濕潤的狀態。

控制部350可以進行控制，以使後半組中的第一壓力比前半組中的第一壓力小。例如，在第一次的組中的第一壓力可以比最後一次的組中的第一壓力大。另外，在將第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理重複n次的情況下，超過n的一半的次數中的第一壓力的平均值可以比n的一半以下的次數中的第一壓力的平均值小。更具體而言，可以是，在n為偶數的情況下，n/2以下的次數中的第一壓力的平均值比(n/2+1)以上的次數中的第一壓力的平均值大，在n為奇數的情況下，(n-1)/2以下的次數中的第一壓力的平均值比(n+1)/2以上的次數中的第一壓力的平均值大。

在新的輥清洗部件90的清洗處理(磨合處理)時和將輥清洗部件90使用了一定程度之後的清洗處理(以下也稱作“維持處理”。)時，可以使用相同的方案(處理內容)，但也可以使用不同的方案。一般而言，在輥清洗部件90中，輥自身被製造為海綿狀構造，而且被實施了在內部設置空間的加工，以能夠進行內沖洗，因此，製造時的輥材料的碎片會殘留在內部空間。因此，一般而言，新的輥清洗部件90與已經在基板W的清洗中使用的輥清洗部件90相比較髒，在維持處理時，與磨合處理時相比可以使方案較短。在將第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換的處理以多次的組來進行的情況下，在維持處理時，可以以磨合處理時的組次數的1/2~1/3的組次數來進行。

可以設置用於檢測基板W的污染的檢測裝置250(參照圖8)。可以在根據檢測裝置250的檢測結果，基板W的污染成為規定以上 的情況下(例如顆粒的數量成為規定個數以上的情況)，控制部350進行控制，以進行輥清洗部件90等清洗部件的清洗處理。另外，可以在規定片數的基板W被清洗後的時刻進行清洗部件的清洗處理，例如，控制部350可以進行控制，以在每二十片基板W被清洗時進行使用了虛設基板Wd的清洗部件的清洗處理。

在使用虛設基板Wd對清洗部件進行清洗之後，可以使用該清洗部件來清洗顯示晶片等基板，並通過檢測裝置250確認該基板的污染。另外，可以擠壓濕潤的輥清洗部件90等清洗部件，並用檢測裝置250檢測得到的液體內的顆粒等。作為檢測裝置250，可以使用ICP-MS(ICP質量分析)、LC(液體色譜曲線圖)、作為晶片異物檢查裝置的SP5(KLA-Tencor公司製造)等。

可以在內清洗液供給部110和外清洗液供給部120供給相同的清洗液，但不限於這樣的方式，也可以在內清洗液供給部110和外清洗液供給部120供給不同的清洗液。例如，可以是，內清洗液供給部110供給沖洗液，外清洗液供給部120供給藥液。另外，與這樣的方式不同地，也可以是，內清洗液供給部110供給藥液，外清洗液供給部120供給沖洗液。另外，也可以是，內清洗液供給部110供給第一藥液，外清洗液供給部120供給與第一藥液不同的第二藥液。

控制部350可以進行控制，以在使輥清洗部件90以第二壓力按壓虛設基板Wd的期間，從內清洗液供給部110供給清洗液。此時的第二壓力可以使用比第一壓力小的壓力，可以是1/2以下，也可以進一步是1/3以下。向虛設基板Wd的按壓力是例如1N~20N，例如6N左右。並且，在像這樣作為第一壓力採用了6N的情況下，可以使第二壓力為3N的程度。但不限於這樣的方式，第二壓力可以是與第一壓力相同的值，第二壓力也可以比第一壓力大。

控制部350可以控制輸送部300以更換虛設基板Wd(參照圖8)。輸送部300可以包含：裝載口312、第一輸送機器人322、輸送單元324以及第二輸送機器人326(參照圖1)。在與基板清洗裝置不同地使用專用的清洗部件的清洗裝置的情況下，也可以設置專用的輸送部300。

控制部350也可進行控制，以在第一壓力為閾值以上的情況下，使虛設基板Wd與輥清洗部件90的旋轉方向為反方向，並在第一壓力小於閾值的情況下，使虛設基板Wd與輥清洗部件90的旋轉方向為同方向。閾值可以預先設定，也可以通過利用者從電腦的鍵盤和鼠標等輸入部400(參照圖8)輸入來設定閾值。在本實施方式中，“虛設基板Wd與輥清洗部件90的旋轉方向為反方向”是指，在虛設基板Wd與輥清洗部件90接觸的部位，虛設基板Wd和輥清洗部件90以相反的方向旋轉(參照圖11A)。另外，“虛設基板Wd與輥清洗部件90的旋轉方向為同方向”是指，在虛設基板Wd與輥清洗部件90接觸的部位，虛設基板Wd與輥清洗部件90以相同的方向旋轉(參照圖11B)。此外，在變更旋轉方向時，可以改變虛設基板Wd的旋轉方向，也可以改變輥清洗部件90的旋轉方向。

從內清洗液供給部110和外清洗液供給部120供給的清洗液可以是NH₄OH等鹼性的液體。

外清洗液供給部120可以在第一處理和第二處理的期間持續地供給清洗液。內清洗液供給部110可以供給沖洗液，並在第一處理的期間停止沖洗液的供給。這樣的清洗液和沖洗液的控制可以通過控制部350來進行。

內清洗液供給部110以例如50ml/分~2500ml/分來供給清洗液，典型的是以400ml/分~900ml/分進行供給。外清洗液供給部120可以噴霧狀地供給清洗液，也可以直線狀地供給清洗液。在將從內清洗液供 給部110供給的清洗液的量設為小於50ml/分的情況下，即使供給內清洗液，也可能不能以均勻的噴出壓從設置於清洗部件整體的孔噴出，另外，也無法期待通過噴出壓來物理性地去除污染。另外，例如為了減少逆流等的疑慮而可靠地向清洗部件內供給內清洗液，較佳設為比1500ml/分小。

另外，也可以一邊使從內清洗液供給部110供給的藥液的濃度發生變化一邊進行供給。另外，在從內清洗液供給部110和外清洗液供給部120供給藥液的情況下，從內清洗液供給部110供給的藥液與從外清洗液供給部120供給的藥液可以是種類不同的藥液，也可以是相同的藥液，也可以是濃度不同的藥液。

控制部350也可以進行控制，以使進行第一處理的第一時間比進行第二處理的第二時間長。

控制部350可以控制包含外清洗液供給部120的關聯的裝置，以在對量產的晶片等基板W進行清洗之前進行沖洗處理。此外，沖洗是指，在沒有設置基板W的基板清洗裝置、專用的清洗部件的清洗裝置等裝置內對沖洗液進行噴霧等而對裝置內進行清洗的處理。

可以是，清洗部件組件1的一端部被清洗部件保持部100從動地保持，另一端部被具有電機的部件旋轉部80驅動(參照圖3)。即，清洗部件保持部100可以具有：被部件旋轉部80驅動的第二清洗部件保持部100b和被從動地驅動的第一清洗部件保持部100a。

輥清洗部件90可以是懸臂保持構造，也可以是兩端保持構造。在為懸臂保持構造的情況下，從構造上的觀點來看，使清洗部件從虛設基板Wd離開並旋轉有疑慮，但根據本申請的發明人等的確認，能夠確定在400rpm以下則沒有特別的問題。在輥清洗部件90為懸臂保持構造的情況下，可以在輥清洗部件90被保持的端部側設置部件旋轉部80，且從該端部供給內清洗液(參照圖4)。此外，在為兩端保持構造的情況 下，如果需要，也可以是400rpm以上的轉速。而且，即使是懸臂保持構造，根據設計規格不同，即使400rpm以上的轉速也能夠使用。

在供給內清洗液和外清洗液的清洗液時，雖然也取決於成為對象的基板，但可以使用構成1nm左右以上的網眼的過濾器112、122(參照圖3)。但是，為了應對今後基板的進一步微細化等的要求，也存在使用網眼更小的過濾器的情況。通過使用這樣的過濾器112，122，能夠去除清洗液所含的異物。外清洗液供給部120可以具有外清洗液貯存部124和由與外清洗液貯存部124連結的噴嘴等構成的外清洗液供給部件121。在該情況下，可以在外清洗液貯存部124與外清洗液供給部件121之間設置過濾器122。另外，可以在內清洗液供給部110與清洗部件保持部100之間設置過濾器112。

如圖3所示，清洗部件安裝部10可以具有：主體20、在主體20的內部延伸的清洗液導入部(空隙)30以及與清洗液導入部30連通的多個清洗液供給孔40。清洗部件安裝部10可以由具有中空區域的圓筒形狀構成。可以是，該中空區域成為清洗液導入部30，在清洗液導入部30連通有清洗液供給孔40，向清洗液導入部30供給的清洗液浸入輥清洗部件90，從而在清洗基板W時利用。圖3是在沒有設置突塊95的部位將輥清洗部件90等截斷的剖面。

向清洗液導入部30的清洗液可以經由設置於第一清洗部件保持部100a的內部的供給管115而導入。

虛設基板Wd可以相對於水平方向傾斜地配置，也可以以在鉛直方向上延伸的方式配置。另外，可以使用虛設基板Wd的正面和背面這兩面來進行輥清洗部件90的清洗處理。使用虛設基板Wd的正面和背面這兩面的處理可以同時進行，也可以一次一個面地進行。

在清洗部件組件1中，清洗部件安裝部10和輥清洗部件90可以構成為一體，可以在清洗部件安裝部10上將輥清洗部件90成 形。另外，清洗部件安裝部10和輥清洗部件90可以構成為分開的部件，並能拆卸自如。輥清洗部件90可以由PVA(polyvinyl alcohol)海綿材料、使PVA進行反應後的PVFM(polyvinyl formal)等多孔質樹脂材料構成。該PVA海綿材料(例如，包含PVA-t(polyvinyl acetal)樹脂材料)能夠從聚醋酸乙烯酯的均聚物等調整。作為輥清洗部件90的材料，能夠使用：尼龍、聚氨酯、或聚氨酯和PVA的組合，或者不會劃傷基板表面，而提供適合於過程的材料去除的其他共聚物等其他的成形可能材料。

在一實施方式中，構成第一端部11的蓋部件通過具有孔951a的內框951和外框952而形成模具(參照圖7)。將清洗部件安裝部10插入形成模具的內框951的內部。此外，能夠在向清洗部件安裝部10的內部填充填料(例如蠟)的基礎上，安裝蓋住清洗液供給孔40的各開口部的蓋部件。接著，使用未圖示的噴嘴將構成輥清洗部件90的PVA素材、至少包含重合度500~4000且皂化度80%以上的聚乙烯醇的水溶液與醛類交聯劑、催化劑以及作為氣孔形成劑的澱粉混合後的混合液(或發泡性溶液)流入內框951與清洗部件安裝部10之間。之後，將構成第二端部12的蓋部件安裝於清洗部件安裝部10、內框951以及外框952，並以40~80度加熱，而使液體發生反應。這樣，具有在內部延伸的空隙的長條狀的清洗部件安裝部10和覆蓋清洗部件安裝部10的外表面的多孔質的清洗層(PVA多孔質層)與清洗部件安裝部10形成為一體，且形成為由與清洗層相同的多孔質的PVA構成的多個突塊朝向外側突出。

內框951和外框952分別能夠開閉，接著，通過打開這些內框951和外框952，而將清洗部件安裝部10從模具取出。然後，用規定的方法去除填充於清洗部件安裝部10的內部的填料(例如蠟)，並且取下蓋住清洗液供給孔40的各開口部的蓋部件。

接著，分別對清洗部件安裝部10的內部和清洗液供給孔40的各開口部、輥清洗部件90進行水洗。通過該一系列的工序，能夠以 抑制發生使用時的逆污染的問題的形式，通過一體成形在清洗部件安裝部10上製造由PVA素材構成的輥清洗部件90(模製成形)。

在通過一體成形而在清洗部件安裝部10上製造由PVA素材構成的輥清洗部件90時，能夠以在與輥清洗部件90的清洗液供給孔40的各開口部對應的部位產生凹陷的方式來將由PVA素材構成的輥清洗部件90成形。通過設置為這樣的清洗部件組件1，能夠有效地防止從清洗部件安裝部10向清洗部90噴出的清洗液在內部逆流。

清洗部件組件1能夠用粘接劑將清洗部件安裝部10和輥清洗部件90固定。

在一實施方式中，清洗部件組件1形成為輥清洗部件90的內徑比清洗部件安裝部10的外徑小，通過將輥清洗部件90壓入清洗部件安裝部10，從而通過輥清洗部件90的彈性力固定地支承清洗部件安裝部10與輥清洗部件90。而且，在一實施方式中，在清洗部件安裝部10的表面塗設有表面活性劑，在將輥清洗部件90插入到清洗部件安裝部10的基礎上，能夠通過用水沖洗清洗部件安裝部10和輥清洗部件90來去除表面活性劑。

在一實施方式中，能夠將輥清洗部件90的平均氣孔直徑設為50μm~250μm(這裡的平均氣孔直徑是從對象區域的多個氣孔中隨機抽取的規定數量的氣孔的長徑的平均值)。另外，在一實施方式中，能夠將輥清洗部件90的表觀密度設為0.05g/cm3以上，並將保水率設為500%~1200%。另外，在一實施方式中，能夠將輥清洗部件90的適當的含水狀態下的30%壓縮應力設為3kPa以上200kPa以下。此外，適當的含水狀態是指，相對於乾燥狀態的含水狀態的重量%，並且是在基板W的清洗處理等時，輥清洗部件90具有適當的彈性力的含水狀態。另外，30%壓縮應力是使輥清洗部件90為適當的含水狀態的基礎上，用數碼負 荷測定器測定出的從兩側的端面施加負荷而在長度方向上壓縮到30%時的負荷的值，並用測定值除以端面的面積而得到的單位面積的負荷。

如上所述，作為清洗部件可以使用筆清洗部件90a。在像這樣作為清洗部件使用了筆清洗部件90a的情況下，在第二處理時，可以在使筆清洗部件90a旋轉的同時、或者代替旋轉，通過與清洗部件組件1a(用符號“1a”表示具有筆形清洗部件90a的清洗部件組件。)連結的吸引部260(參照圖12)來吸引筆清洗部件90a內的清洗液。

用實施例示出本實施方式的一方式。

<實施例1>

實施例1的方式是如下方式(參照圖5)，在將由樹脂材料構成的輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd的期間，不從內清洗液供給部110供給沖洗液，在使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開的期間，從內清洗液供給部110供給沖洗液。輥清洗部件90的轉速為400rpm(轉/分)。從外清洗液供給部120持續供給藥液。此外，作為藥液使用NH4OH，作為沖洗液使用純水(DIW)。在實施例1中，重複進行第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的交換處理。

<比較例1>

在比較例1中，是在將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd的狀態下從外清洗液供給部120持續供給藥液的方式。此時，不從內清洗液供給部110供給沖洗液。

根據實施例1，在60分鐘後與比較例1相比，能夠成為約42%，在經過180分鐘後，與60分鐘後的比較例1的結果相比，成為了約12%(參照圖10A和圖10B)。根據比較例1，雖然能夠將顆粒的數量減少到一定個數為止，但難以進一步減少。示出該結果的照片是圖9所示的寫真(defect map)。此外，在本申請的實施例1中所指的(圖10A和 圖10B所示)顆粒是指，能夠通過檢查裝置觀測的顆粒的最大直徑為19nm以上的顆粒。但是，也能夠應對今後基板的進一步微細化等要求，而提高檢查裝置的精度，從而看到更小的顆粒。

<實施例2>

在實施例2中，在從外清洗液供給部120供給藥液的期間，不從內清洗液供給部110供給沖洗液，在停止來自外清洗液供給部120的藥液的供給之後，從內清洗液供給部110以900ml/分進行沖洗液的供給(參照圖14)。在此期間，由樹脂材料構成的輥清洗部件90被以9N按壓於虛設基板Wd，輥清洗部件90向虛設基板Wd的按壓力總是為同樣的值的9N(即，第一壓力=第二壓力。)。

<實施例3>

在實施例3中，從外清洗液供給部120持續供給藥液，並在一定的時刻從內清洗液供給部110以900ml/分進行沖洗液的供給(參照圖15)。在此期間，與實施例2相同地，由樹脂材料構成的輥清洗部件90被以9N按壓於虛設基板Wd，輥清洗部件90向虛設基板Wd的按壓力總是為同樣的值的9N(即，第一壓力=第二壓力。)。

此外，由於實施例2和實施例3中的實驗與進行實施例1和比較例1的實驗的顆粒的確認方法(方案)不同，因此對於與實施例1相同地，在將由樹脂材料構成的輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd的期間，不從內清洗液供給部110供給沖洗液，在使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開的期間，從內清洗液供給部110供給沖洗液的方式(參照圖5)，將以與實施例2和實施例3相同的方案測定出的結果作為實施例4示出(參照圖16)。

本申請的實施例2和實施例3與實施例1相同地，將能夠通過檢查裝置觀測的顆粒的最大直徑為19nm以上的顆粒作為顆粒處理，對其數量進行計數，並與60分鐘後的比較例1的結果進行比較(將該結 果作為100%)，而得到圖16所示的結果。此外，實施例2和實施例3與實施例1相同地，重複進行第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理。在進行虛設基板Wd的更換時，使輥清洗部件90從虛設基板Wd離開而進行。如上所述，關於第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理，可以以多次的組來進行，例如可以以2~10次的組來進行。這點在實施例1中也是相同的。

如圖16所示，在實施例3中，與60分鐘後的比較例1的結果相比，能夠成為約3%，在實施例2中，與60分鐘後的比較例1的結果相比，能夠成為約5%。在與實施例1對應的實施例4中，與60分鐘的比較例1的結果相比，能夠成為約8%，因此，在實施例2和實施例3中，即使與該實施例4相比，也能夠得到有益的效果。

在實施例2和實施例3的每一個中，能夠在60分鐘這樣短的時間內，明顯地減少顆粒的數量，從而是有益的。特別是根據實施例2的方式，與實施例3的方式相比成為更好的結果，從而確認了使用該方式是有益的。即，在第二處理的期間，一邊將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd，一邊停止從外清洗液供給部120向虛設基板Wd供給清洗液的方式是特別有益的，並確認了在第二處理的期間，一邊將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd，一邊進行從外清洗液供給部120向虛設基板Wd供給清洗液的方式也是有益的。此外，在實施例2~實施例4中，以9N的力將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd，但以5N以上的力將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd是有益的，以9N以上的力將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd是更有益的，以15N以上的力將輥清洗部件90按壓於虛設基板Wd是進一步有益的。

[效果]

接著，對由上述的結構構成的本實施方式的效果，並且以還未說明的效果為中心進行說明。即使是在“結構”一節中未記載的情況下，在 “效果”一節說明的全部結構都能在本件發明中採用。此外，在“效果”一節中，不使用作為清洗部件的一例的“輥清洗部件”這樣的用語，而是使用“清洗部件”這樣的術語進行說明。

在控制部350進行控制，以進行第一處理和第二處理的情況下，能夠顯著縮短清洗部件的清洗時間(參照圖10A和圖10B)，該第一處理一邊將作為清洗對象的清洗部件以第一壓力按壓於虛設基板Wd，一邊從外清洗液供給部120向虛設基板Wd供給清洗液，該第二處理一邊使清洗部件從虛設基板Wd離開，或以第一壓力以下的第二壓力將清洗部件按壓於虛設基板Wd，一邊從內清洗液供給部110供給清洗液。通過一邊從外清洗液供給部120供給清洗液一邊將清洗部件按壓於虛設基板Wd，能夠去除清洗部件的外面上的污物。另外，通過一邊使清洗部件從虛設基板Wd離開，或者以第一壓力以下的第二壓力將清洗部件按壓於虛設基板Wd，一邊從內清洗液供給部110供給清洗液，能夠有效地將清洗部件內的異物向外部壓出(參照圖6)。

近年，進一步要求去除小尺寸的異物，根據本實施方式的方式，在能夠有效地去除小尺寸的異物這點上是有益的。另外，由於能夠將清洗部件的潔淨度維持地較高，因此還能夠實現清洗部件的長壽命化和生產的穩定化。

根據本申請的發明人等，確認到：通過使第二處理中的清洗部件的第二旋轉速度比第一處理中的清洗部件的第一旋轉速度快，能夠提高清洗部件的清洗效果。

在內清洗液供給部110和外清洗液供給部120供給不同的清洗液的情況下，根據清洗部件的材質不同，能夠更有效地進行清洗。

在內清洗液供給部110供給沖洗液且外清洗液供給部120供給藥液的情況下，在採用進行第一處理的第一時間比進行第二處理的第 二時間長的方式的情況下，在能夠使清洗部件富含藥液，能夠提高清洗效果這點上是有益的。

在以第二壓力將清洗部件按壓於虛設基板Wd的期間，從內清洗液供給部110供給清洗液的情況下，能夠防止附著於虛設基板Wd的污物返回清洗部件。因此，能夠更有效地對清洗部件進行清洗。

在控制部350控制輸送部300以更換虛設基板Wd的情況下，還能夠自動地進行清洗部件的清洗處理中的虛設基板Wd的更換。

在控制部350以用多次的組來進行第一處理和第二處理的處理和虛設基板Wd的更換處理的方式進行控制的情況下，能夠自動地進行有效的清洗部件的清洗處理。

在控制部350進行控制，以使後半組中的第一壓力比前半組中的第一壓力小的情況下，能夠防止逆污染的發生。當清洗處理結束時，雖然進行晶片等基板W的清洗處理，但不能否定發生在清洗處理的過程中虛設基板Wd的污物附著於清洗部件等狀況的可能性。這樣的污染可能在將清洗部件較強地按壓於虛設基板Wd的情況下發生，因此，使後半組中的第一壓力比前半組中的第一壓力小在能夠降低逆污染的風險這點是有益的。

通過採用在第一壓力為閾值以上的情況下使虛設基板Wd和清洗部件的旋轉方向為反方向的方式，能夠在將更多的清洗液貯留於虛設基板Wd與清洗部件的接觸部位的狀態下，進行清洗部件的清洗處理。一般而言，將清洗部件較強地按壓於虛設基板Wd的情況能夠有效地進行清洗，但根據本方式，能夠在這樣的情況下，將更多的清洗液貯留於虛設基板Wd與清洗部件的接觸部位。

當在第一壓力比閾值小的情況下控制為使虛設基板Wd和清洗部件的旋轉方向為相同方向時，在相對地沒有進行更有效的清洗的情況下，能夠使清洗部件不被大量的清洗液浸入。這樣，通過使清洗部件不 被大量的清洗液浸入，能夠防止發生從虛設基板Wd向清洗部件的逆污染。

作為一例，可以是，在第一壓力較大的前半組中，控制部350以虛設基板Wd和清洗部件的旋轉方向為反方向的方式進行控制(參照圖11B)，在第一壓力較小的後半組中，控制部350以虛設基板Wd和清洗部件的旋轉方向為相同方向的方式進行控制(參照圖11A)。

通過作為清洗液使用藥液，能夠產生負電位，作為其結果，能夠生成較高的界達電位。因此，能夠在清洗部件與異物之間生成排斥力、在異物彼此生成排斥力，從而能夠容易去除異物。從該觀點出發，作為藥液使用鹼性的藥液是有益的。這是由於，NH4OH等鹼性的藥液與酸性的藥液相比負電位大。此外，即使在基板W的清洗處理中使用的清洗液是由酸性的藥液構成的情況下，在清洗部件的清洗處理時也可以使用鹼性的藥液。另一方面，也可以使用與基板W的清洗處理中使用的藥液相同的藥液來進行清洗部件的清洗處理。在該情況下，在不需要變更裝置結構這點是有益的。

在採用外清洗液供給部120在第一處理和第二處理的期間持續供給清洗液的方式的情況下，能夠使虛設基板Wd總是為濕潤的狀態。由於當虛設基板Wd成為乾燥的狀態時，在清洗部件附著異物的可能性變高，因此，通過外清洗液供給部120使虛設基板Wd總是為濕潤的狀態是有益的。從該觀點出發，在通過清洗液將虛設基板Wd濕潤之後再開始包含磨合處理的清洗部件的清洗處理是有益的。

在對新的清洗部件進行清洗處理時(磨合處理時)，可以預先用清洗液濕潤清洗部件。由於當在清洗部件為乾燥的狀態下進行清洗處理時，存在清洗部件發生逆污染的可能性，因此，採用這樣的方式是有益的。為了用清洗液濕潤清洗部件，可以是控制部350控制為將清洗部件浸泡於清洗液，也可以是控制部350控制為從內清洗液供給部110供給清 洗液，並在供給了一定量的清洗液之後再開始清洗部件的清洗處理。此外，根據本申請的發明人等，確認到，作為用於濕潤清洗部件的清洗液，不使用沖洗液而使用藥液的情況下，清洗效果更高。

在從內清洗液供給部110供給沖洗液且從外清洗液供給部120供給藥液的情況下，可以在清洗部件與虛設基板Wd接觸的期間停止來自內清洗液供給部110的沖洗液的供給。這是由於，當從內清洗液供給部110持續供給沖洗液時，從外清洗液供給部120供給的藥液變稀，從而清洗效果下降。此外，在從內清洗液供給部110供給藥液的情況下，即使在清洗部件與虛設基板Wd接觸的期間，也可以從內清洗液供給部110供給藥液。

通過使清洗部件旋轉，可能導致清洗液在裝置內飛散，從而對量產的基板W的清洗產生不利影響。從該觀點出發，在作為清洗部件的清洗裝置使用基板清洗裝置的情況下，在開始量產的基板W的清洗之前對裝置內進行沖洗能夠防止飛散的清洗液導致的不利影響，從而是有益的。另外，從防止清洗液在裝置內飛散的觀點出發，在作為清洗部件的清洗裝置使用基板清洗裝置的情況下，與對基板W進行清洗時相比，可以在進行清洗部件的清洗處理的期間增大裝置內的向下流量。

此外，一實施方式中的清洗部件清洗的處理對象物不限於半導體晶片，可以是矽晶片、玻璃基板、印刷配線基板、液晶面板、太陽光面板。另外，處理對象物的平面的形狀可以是圓形也可以是矩形，平面的厚度可以是容許面內的偏轉的厚度。處理的基板包含方形基板、圓形基板。另外，方形基板包含矩形等多邊形的玻璃基板、液晶基板、印刷基板、其他的多邊形的電鍍對象物。圓形基板包含半導體晶片、玻璃基板、其他圓形的電鍍對象物。

作為清洗液，能夠應用高溫的純水、APM(Ammonium Hydrogen-peroxide Mixture，氨和過氧化氫水的混合液)、SPM (Sulfuric-Acid Hydrogen Peroxide Mixture，硫酸和過氧化氫水的混合液)、碳酸水、超聲波水、臭氧水等。

上述的各實施方式的記載和附圖的發明不過是用於說明請求保護的範圍所記載的發明的一例，並不通過上述的各實施方式的記載或附圖的發明來限定請求保護的範圍所記載的發明。另外，申請時的請求保護的範圍的記載不過是一例，能夠基於說明書、附圖等的記載對請求保護的範圍的記載進行適當變更。

1:清洗部

Wd:虛設基板

120:外清洗液供給部

Claims (16)

1. 一種清洗構件之清洗裝置，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，其中，所述第二處理中的所述清洗構件的第二旋轉速度比所述第一處理中的所述清洗構件的第一旋轉速度快。
2. 一種清洗構件之清洗裝置，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液； 外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，所述控制部控制輸送部，以更換所述基板，並且所述控制部進行控制，以將所述第一處理和所述第二處理的處理和所述基板的更換處理作為多次的組來進行。
3. 根據請求項2所述的清洗構件的清洗裝置，其中，後半組中的第一壓力比前半組中的第一壓力小。
4. 一種清洗構件之清洗裝置，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構 件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，所述控制部進行控制，以使得在第一壓力為閾值以上的情況下，基板和清洗構件的旋轉方向為反方向，並且在第一壓力小於所述閾值的情況下，基板和清洗構件的旋轉方向為同方向。
5. 一種清洗構件之清洗裝置，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，所述外清洗液供給部在所述第一處理和所述第二處理的期間持續供給清洗液，所述內清洗液供給部供給沖洗液，並且在所述第一處理的期間停止沖洗液的供給。
6. 根據請求項1~4中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中， 在所述第二處理的期間，停止從所述外清洗液供給部向所述基板供給清洗液。
7. 根據請求項1~4中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中，在所述第二處理的期間，也進行從所述外清洗液供給部向所述基板的清洗液的供給。
8. 根據請求項2~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中，所述第二處理中的所述清洗構件的第二旋轉速度比所述第一處理中的所述清洗構件的第一旋轉速度快。
9. 根據請求項1~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中，內清洗液供給部供給沖洗液，且外清洗液供給部供給藥液；或者內清洗液供給部供給藥液，且外清洗液供給部供給沖洗液；或者內清洗液供給部和外清洗液供給部供給藥液。
10. 根據請求項1~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中，內清洗液供給部供給第一藥液，且外清洗液供給部供給與第一藥液不同的第二藥液。
11. 根據請求項1~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中， 所述控制部在以第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板的期間從內清洗液供給部供給清洗液，所述第二壓力為所述第一壓力的1/2以下。
12. 根據請求項1~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置，其中，所述控制部控制所述外清洗液供給部，以在對要進行清洗處理的基板進行清洗之前進行沖洗處理。
13. 一種清洗構件組件，其中，具備被請求項1~5中任一項所述的清洗構件的清洗裝置清洗的清洗構件。
14. 一種基板清洗裝置，進行基板的清洗，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；基板清洗液供給部，該基板清洗液供給部向所述基板供給清洗液；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構 件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，所述第二處理中的所述清洗構件的第二旋轉速度比所述第一處理中的所述清洗構件的第一旋轉速度快。
15. 一種基板清洗裝置，進行基板的清洗，其具備：基板支撐部，該基板支撐部保持基板；基板清洗液供給部，該基板清洗液供給部向所述基板供給清洗液；保持部，該保持部保持具有清洗構件的清洗構件組件；構件旋轉部，該構件旋轉部使所述清洗構件旋轉；內清洗液供給部，該內清洗液供給部向所述清洗構件內供給清洗液；外清洗液供給部，該外清洗液供給部從所述清洗構件外供給清洗液；以及控制部，該控制部進行控制，以進行第一處理和第二處理，該第一處理一邊以第一壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從所述外清洗液供給部向基板供給清洗液，該第二處理一邊使所述清洗構件從所述基板離開或以第一壓力以下的第二壓力將所述清洗構件按壓於所述基板，一邊從內清洗液供給部供給清洗液，還具備轉矩檢測部，該轉矩檢測部在規定時間內對將所述清洗構件按壓於所述基板時的轉矩進行多次檢測，所述控制部基於由所述轉矩檢測部檢測到的多個轉矩的值來控制所述清洗構件對所述基板的按壓力。
16. 一種清洗構件組件，其中， 具備被請求項14或15所述的基板清洗裝置清洗的清洗構件。