TWI878523B - 高溫及真空隔離處理最小環境 - Google Patents

Abstract

一種用於基板處理的方法及設備以及包括移送腔室組件及複數個處理組件的群集工具。移送腔室組件及處理組件可包括用於ALD、CVD、PVD、蝕刻、清潔、佈植、加熱、退火、及/或拋光製程的處理平臺。處理腔室體積使用其上設置有基板的支撐夾具密封隔開移送腔室體積。升高支撐夾具以使用波紋管組件及夾具密封表面在處理腔室體積與移送腔室體積之間形成隔離密封。

Description

高溫及真空隔離處理最小環境

本文描述的實施例大體係關於用於處理基板的方法及設備。更特定而言，本揭示的實施例係關於採用多個處理腔室來處理其中的基板的基板處理平臺。

用於藉由在其上沉積材料來處理基板、蝕刻基板或其上的材料、或在製造積體電路晶片期間使用的其他製程的習知群集工具經構造為在其中的基板處理期間執行一或多個製程。例如，群集工具可以包括用於在基板上執行PVD製程的物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)腔室、用於在基板上執行ALD製程的原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)腔室、用於在基板上執行CVD製程的化學氣相沉積(chemical  vapor  deposition; CVD)腔室、用於在基板上執行蝕刻製程的蝕刻腔室、用於在基板上執行熱處理的熱處理腔室、用於將離子植入基板或其上形成的膜層中的電漿離子佈植腔室、及/或一或多個其他處理腔室。

先前提及的群集工具具有限制，諸如對其中的基板的產量的機械限制、在基板處理環境中存在的顆粒（粒子）位準、以及對群集工具上的處理腔室內的處理條件的限制。由此，在本領域中需要一種能夠改進機械產量、降低在基板處理環境中存在的顆粒位準、及增加在相同群集工具內的處理腔室之間的處理條件靈活性的群集工具。

本文描述了使用多個處理組件來處理基板的基板處理設備。

本揭示大體係關於用於基板處理的設備及包括移送腔室組件及複數個處理組件的群集工具。

在一個實施例中，描述了用於同時處理複數個基板的設備。設備包括：移送腔室組件，具有界定移送體積的一或多個壁；支撐夾具，具有基板支撐表面；密封環，具有夾具密封表面；及複數個處理組件，設置在移送腔室組件中。夾具密封表面在支撐夾具的基板支撐表面周圍設置。處理組件中的每一者包含一或多個處理腔室壁、及升舉組件。處理腔室壁具有上部密封表面及用於在移送位置與處理位置之間移動支撐夾具的升舉組件。上部密封表面與夾具密封表面形成隔離密封並且當支撐夾具處於處理位置時在一或多個處理腔室壁與支撐夾具之間形成與移送體積流體隔離的經密封的處理腔室體積。當支撐夾具處於移送位置時，移送體積與處理腔室體積流體連通。

在另一實施例中，描述了另一種用於同時處理複數個基板的設備。設備包括：移送腔室組件，具有界定移送體積的一或多個壁；支撐夾具，具有基板支撐表面；密封環，具有夾具密封表面；複數個處理組件，設置在移送腔室組件中；及升舉組件。夾具密封表面在支撐夾具的基板支撐表面周圍設置。處理組件中的每一者包含一或多個處理腔室壁。一或多個處理腔室壁具有上部密封表面，並且升舉組件在移送位置與處理位置之間移動支撐夾具。上部密封表面與夾具密封表面形成隔離密封並且當支撐夾具處於處理位置時在一或多個處理腔室壁與支撐夾具之間形成與移送體積流體隔離的經密封的處理腔室體積。當支撐夾具處於移送位置時，移送體積與處理腔室體積流體連通。機器人移送裝置在移送腔室組件內定位並且在移送組件內的複數個處理組件之間移送基板。

在又一實施例中，描述了一種處理基板的方法。方法包括將基板及支撐夾具定位到移送體積內的機器人移送裝置上的第一位置中。隨後升高升舉組件以耦接到支撐夾具。支撐夾具從機器人移送裝置脫離並且利用升舉組件升高到第二位置。夾具密封表面抵靠上部密封表面密封以形成腔室體積，使得腔室體積與移送體積流體隔離。隨後在腔室體積中處理基板。

本揭示的實施例涉及用於基板處理的設備及包括移送腔室組件及複數個處理組件的群集工具。移送腔室組件及處理組件可包括用於ALD、CVD、PVD、蝕刻、清潔、佈植、加熱、退火、及/或拋光製程的處理平臺。其他處理平臺亦可與本揭示一起使用。本揭示大體提供在相同群集工具內的處理組件之間具有增加的處理條件靈活性的基板處理工具。

本揭示包括用於基板處理的實施例。基板及視情況支撐夾具可在藉由移送腔室組件形成的移送體積內的處理組件之間運輸。處理組件包括在其中處理基板的處理體積。支撐夾具可在處理組件之間運輸時視情況從升舉組件脫離。當基板及支撐夾具設置在升舉組件上時，升舉組件將基板及支撐夾具升高到上部處理位置。在處於上部處理位置時，處理組件及支撐夾具的表面抵靠彼此密封以形成流體隔離的處理體積。處理體積與藉由移送腔室組件形成的移送體積流體隔離。

藉由移動升舉組件將處理體積與移送體積隔離允許將處理體積中的每一者調節到不同壓力。甚至當每個處理步驟需要不同壓力及溫度時，此舉使得不同的基板處理步驟能夠在移送腔室組件內的處理組件中的每一者內執行。使用支撐夾具作為處理組件內的密封構件亦最小化處理體積的體積。最小化處理體積減少在每個製程期間需要的處理氣體及淨化氣體的量。在每個處理體積與移送體積之間的密封額外最小化到移送腔室中的處理氣體洩漏。用於在處理體積與移送體積之間產生密封的設備及方法最小化處理體積內的粒子污染，並且減少藉由部分替換及清潔導致的設備的停機時間。

第1A圖至第1B圖係如本文描述的具有移送腔室組件150及處理組件160的群集工具組件100a、100b的平面圖。第1A圖的群集工具組件100a包括單個移送腔室組件150及在移送腔室組件150與裝載閘腔室130之間的複數個前端機器人腔室180。第1B圖的群集工具組件100b包括多個移送腔室組件150及在移送腔室組件150與裝載閘腔室130之間設置的緩衝腔室140。

在第1A圖中，群集工具組件100a包括前開式晶圓傳送盒(Front Opening Unified Pod; FOUP) 110、鄰近FOUP 110並且可操作連接到FOUP 110的工廠界面(Factory Interface; FI) 120、鄰近FI 120並且可操作地連接到FI 120的裝載閘腔室130、鄰近裝載閘腔室130並且可操作地連接到裝載閘腔室130的前端機器人腔室180、鄰近前端機器人腔室180並且可操作地連接到前端機器人腔室180的準備腔室190、及連接到前端機器人腔室180的移送腔室組件150。

FOUP 110用於在其於不同基板處理設備之間的移動期間以及在基板設置於其中時將FOUP連接到基板處理設備期間安全地固定及儲存基板。FOUP 110的數量（圖示了四個）的量可取決於在群集工具組件100a中運行的製程而變化。群集工具組件100a的產量亦至少部分限定FI 120上的對接站的數量，FOUP連接到該等對接站用於從其卸載基板及向其中裝載基板。FI 120在FOUP 110與裝載閘腔室130之間設置。FI 120在半導體製造設施(Fab)與群集工具組件100a之間產生界面。FI 120連接到裝載閘腔室130，使得基板從FI 120移送到裝載閘腔室130並且從裝載閘腔室130移送到FI 120中。

前端機器人腔室180位於裝載閘腔室130中的每一者的相同側面上，使得裝載閘腔室130位於FI 120與前端機器人腔室180之間。前端機器人腔室180中各自包括移送機器人185。移送機器人185係適於在腔室之間穿過或經由前端機器人腔室180移送一或多個基板的任何機器人。在一些實施例中，如第1A圖所示，在每個前端機器人腔室180內的移送機器人185經構造為將基板從裝載閘腔室130中的一者運輸到準備腔室190中的一者中。

取決於在群集工具組件100a內的期望製程，準備腔室190可係預清潔腔室、退火腔室、或冷卻腔室中的任一者。在一些實施例中，準備腔室190係電漿清潔腔室。在又一些示例性實施例中，準備腔室190係可獲自美國加利福尼亞州聖克拉拉市的應用材料公司的Preclean II腔室。真空泵196鄰近準備腔室190中的每一者定位。真空泵196經構造為將準備腔室190泵送到預定壓力。在一些實施例中，真空泵196經構造為減小準備腔室190的壓力，諸如在準備腔室190內產生真空。

如第1A圖所示，兩個裝載閘腔室130、兩個前端機器人腔室180、及兩個準備腔室190在群集工具組件100a內構造。當如第1A圖所示及上文描述般佈置時，兩個裝載閘腔室130、兩個前端機器人腔室180、及兩個準備腔室190可形成兩個運輸組件。兩個運輸組件可彼此間隔開並且可形成彼此的鏡像，使得準備腔室190在其相應的前端機器人腔室180的相對壁上。

移送腔室組件150鄰近前端機器人腔室180並且可操作地連接到前端機器人腔室180，使得基板在移送腔室組件150與前端機器人腔室180之間移送。移送腔室組件150包括中央移送裝置145及其中的複數個處理組件160。複數個處理組件160在中央移送裝置145周圍從移送腔室組件150中的中央移送裝置145的樞軸或中心軸徑向向外設置。

腔室泵165鄰近處理組件160中的每一者設置並且與其流體連通，使得在中央移送裝置145周圍設置有複數個腔室泵165。複數個腔室泵165從移送腔室組件150中的中央移送裝置145徑向向外設置。如第1A圖所示，一個腔室泵165流體耦接到處理組件160中的每一者。

在一些實施例中，可能存在流體耦接到每個處理組件160的多個腔室泵165。在又一些實施例中，一或多個處理組件160可能不具有直接與其流體耦接的腔室泵165。在一些實施例中，變化數量的腔室泵165流體耦接到每個處理組件160，使得一或多個處理組件160可具有與一或多個其他處理組件160不同數量的腔室泵165。腔室泵165實現在每個處理組件160內的處理區域的分離真空泵送，並且因此在處理組件中的每一者內的壓力可維持彼此分離且與在移送腔室組件150中存在的壓力分離。

第1A圖描繪了在移送腔室組件150內具有六個處理組件160的實施例。然而，其他實施例可具有在移送腔室150內的不同數量的處理組件160。例如，在一些實施例中，兩個到十二個處理組件160可在移送腔室組件150內定位，諸如四個到八個處理組件160。在其他實施例中，四個處理組件160可在移送腔室組件150內定位。處理組件160的數量影響群集工具100a的總佔地面積、能夠藉由群集工具100a執行的可能處理步驟的數量、群集工具100a的總製造成本、及群集工具100a的產量。

處理組件160中的每一者可以係PVD、CVD、ALD、蝕刻、清潔、加熱、退火、及/或拋光平臺中的任一者。在一些實施例中，處理組件160皆係一種類型的處理平臺。在其他實施例中，處理組件160包括兩個或多個不同處理平臺。在一個示例性實施例中，所有處理組件160係PVD處理腔室。在另一示例性實施例中，處理組件160包括PVD及CVD處理腔室兩者。複數個處理組件160可以經改變以匹配完成半導體製造製程所需要的處理腔室的類型。

中央移送裝置145在中央腔室組件150的大致中心處設置，使得移送腔室組件150的中心軸155穿過中央移送裝置145設置。中央移送裝置145係經構造為在處理組件160中的每一者之間運輸基板的任何適宜的移送裝置。在一個實施例中，中央移送裝置145係具有一或多個葉片的中央機器人，該等葉片經構造為在每個處理組件160之間運輸基板。在另一實施例中，中央移送裝置係轉盤系統，藉由該轉盤系統處理區域沿著在移送腔室組件150的中心軸155上的中央的圓形軌道路徑移動。

第1B圖係具有與其連接的多個移送腔室組件150的群集工具100b的平面圖。FOUP 110、FI 120、及裝載閘腔室130可與上文關於第1A圖描述的FOUP 110、FI 120、及裝載閘腔室130類似地佈置。第1B圖的群集工具100b進一步包括FI蝕刻設備115、緩衝腔室140、及複數個移送腔室組件150。

FI蝕刻設備115鄰近FI 120定位，使得FI蝕刻設備115在FI 120的側壁上設置。FI蝕刻設備115可在FI 120的側壁上定位，該側壁與連接到FOUP 110及裝載閘腔室130的FI的側壁分離。FI蝕刻設備115可係蝕刻腔室。FI蝕刻設備115可與可獲自應用材料公司的蝕刻腔室的Centris^®線類似。

緩衝腔室140位於裝載閘腔室130與複數個移送腔室組件150之間並且提供可隔離體積，基板可穿過該體積在裝載閘腔室130與多個移送腔室組件150之中及之間移送。緩衝腔室140耦接到裝載閘腔室130及複數個移送腔室組件150兩者。如第1B圖所示，三個移送腔室組件150在緩衝腔室140周圍設置並且附接到緩衝腔室140。在其他實施例中，可能存在一個、兩個、或三個以上的在緩衝腔室140周圍設置的移送腔室組件150。

緩衝腔室140包括與移送腔室組件150或裝載閘腔室130接觸的沿著緩衝腔室140的每個壁的至少一個開口146。開口146中的每一者的大小經調整為允許將基板、基板夾具、或基板夾具上的基板傳遞到移送腔室組件150且從移送腔室組件150傳遞。在一些實施例中，存在沿著鄰近移送腔室組件150的緩衝腔室140的每個壁的兩個開口146。此舉允許同時將兩個基板從緩衝腔室140傳遞到移送腔室組件150或從移送腔室組件150傳遞到緩衝腔室140。

緩衝腔室140包括一或多個緩衝腔室移送機器人148。緩衝腔室移送機器人148在移送腔室組件150與裝載閘腔室130之間移動基板、夾具、或基板及夾具兩者。緩衝腔室移送機器人148可係任何適宜的基板移送機器人。

為了實現將緩衝腔室140的內部體積與在移送腔室組件150的處理組件160中使用的處理氣體隔離，在每個移送腔室組件150之間的入口、以及在緩衝腔室140中的開口146藉由相應的流體隔離閥（諸如狹縫閥）選擇性密封。流體隔離閥（未圖示）在移送腔室組件150中的每一者的壁、緩衝腔室140的壁內設置，或作為在緩衝腔室140與移送腔室組件150之間的分離組件設置。此外，流體隔離閥可包括藉由選擇性可操作閘板按壓以選擇性覆蓋及密封、或未覆蓋相應開口146的板及密封組件292（第2A圖至第3B圖）。板及密封組件292藉此選擇性密封、或允許在移送腔室組件150與緩衝腔室140之間的流體連通，並且亦允許當從開口146縮回時在緩衝腔室140中的緩衝腔室移送機器人148上的支撐葉片或端效器穿過開口146運輸基板。

移送腔室組件150可與上文關於第1A圖描述者相同地構造。這包括中央移送裝置145、複數個處理組件160、及腔室泵165在移送腔室組件150中的每一者內的放置及結構。然而，可利用移送腔室組件150的替代實施例。

第2A圖至第2B圖係根據第一實施例的移送腔室組件150及處理組件160a的一部分的示意性橫截面圖。在第一實施例中，移送腔室組件150包括機器人，諸如中央移送裝置145（第1A圖及第1B圖），用於將基板200移送到處理組件160a內的支撐夾具224a的基板支撐表面223上。支撐夾具224a附接到處理組件160a內的基板升舉組件220a。處理組件160a進一步包括磁控管組件295及微型處理腔室216a。

第2A圖描繪了在基板升舉組件220a處於降低的基板接收位置時的處理組件160a，在該基板接收位置中基板200在微型處理腔室216a下方定位。第2B圖描繪了在基板升舉組件處於升高的基板處理位置時的處理組件160a，在該基板處理位置中基板200在微型處理腔室216a內定位。在第2A圖至第2B圖所示的構造中，支撐夾具224a在處理組件160之間運輸基板200期間及在微型處理腔室216a內的基板處理期間保持附接到基板升舉組件220a。

第2A圖的處理組件160a包括磁控管組件295、移送腔室體積236的一部分、移送腔室組件150的一部分、微型處理腔室216a、支撐夾具224a、及基板升舉組件220a。第2A圖的處理組件160圖示了處於基板接收位置的基板升舉組件220a，使得支撐夾具224a及基板200係在移送腔室體積236內。開口201及板及密封組件292鄰近處理組件160a設置。

開口201在移送腔室組件150的外側壁上。開口201的大小經調整為允許穿過其傳遞基板200及攜帶基板200的機械臂。機械臂可係在前端機器人腔室180內的移送機器人185(第1A圖)或緩衝腔室140的緩衝腔室移送機器人148(第1B圖)。在基板200移動到移送腔室組件150及從移送腔室組件150移動基板200之間將開口201密封隔開前端機器人腔室180及/或緩衝腔室140。開口201使用在開口201的外側上設置的板及密封組件292密封。在利用緩衝腔室140的實施例中，開口201鄰近緩衝腔室140的相應開口146並且與之對準。

移送腔室組件蓋302在中央移送裝置145(第1A圖至第1B圖)上方設置。移送腔室組件蓋302連接到移送腔室組件150的頂表面並且能夠移除來用於維護及替換移送腔室組件150內的部分。

在一些實施例中，微型處理腔室216a係物理氣相沉積(PVD)處理腔室，其中用於在其中暴露的基板200上形成層的材料從濺射靶組件203濺射。因此，此處的微型處理腔室216a包括濺射靶組件203、介電隔離器204、襯墊206、密封器構件208、蓋環210、磁控管組件295、及蓋構件296。腔室體積278包含在微型處理腔室216a內。

濺射靶組件203在腔室體積278的頂部上設置，並且形成腔室體積278的封蓋。其中，從上方觀察，濺射靶組件係圓形的並且具有平坦（亦即，大致平面）的頂表面。濺射靶組件203的環形表面在介電隔離器204上設置，該介電隔離器係具有足夠介電強度及大小的介電材料以將濺射靶組件203與襯墊206電氣隔離。

濺射靶組件203連接到AC電源286。AC電源286為濺射靶組件203供電，使得在基板處理期間偏壓濺射靶組件203。

介電隔離器204係環形形狀，使得介電隔離器具有徑向寬度並且圍繞中空內半徑部分。介電隔離器204的介電材料係能夠將濺射靶組件203與襯墊206電氣隔離的任何材料，並且亦在其間提供熱隔離。此處的襯墊206包括至少部分在介電隔離器204下面延伸的部分以形成其上實體支撐介電隔離器204的支撐凸緣。襯墊206與移送腔室組件150的頂表面218的至少一部分機械接觸。襯墊206亦與密封器構件208的一部分接觸，該部分提供在從濺射靶組件203濺射的材料的通量與襯墊206的向內側壁217之間的屏蔽。

濺射靶組件203在藉由磁控管支撐壁289及蓋構件296界定的磁控管體積299與腔室體積278之間設置。濺射靶組件203內的濺射靶202的邊緣從密封器構件208及介電隔離器204向內定位。濺射靶202由在濺射期間在基板200的表面上沉積的材料構成。濺射靶202可係用於在基板200中形成的高深寬比特徵中沉積為晶種層的銅濺射靶。濺射靶202亦可包括其他材料，諸如銅摻雜的鋁濺射靶。或者，濺射靶202由用於加襯介電層中的溝槽、通孔或接觸開口的表面的襯墊/阻障材料構成，並且在溝槽、通孔或接觸開口的表面上沉積的材料由靶材料構成，且在一些情況下係由靶材料形成的化合物。例如，其上具有上層氮化鉭層的鉭層可以藉由首先在惰性氣體環境中濺射靶並且隨後將氮添加到處理體積中來在溝槽、通孔、或接觸開口的表面上形成。或者，將第一靶材料的第一金屬濺射到基板200上，包括基板上的溝槽、通孔、或接觸開口的表面。基板200移動到具有相同或不同靶組成的第二腔室，並且將諸如氮的反應物引入處理體積中以在非化合物層上方形成化合物層。

襯墊206係環形構件。襯墊206包括在移送腔室組件150的頂表面218上設置的主要支撐部分225。主要支撐部分225包括其上設置有介電隔離器204的上部環形凸緣。介電隔離器204藉由襯墊206的主要支撐部分225實體支撐。襯墊206包括向下突出的環形部分226。向下突出的環形部分226從襯墊206的主要支撐部分225向下設置。向下突出的環形部分226係從主要支撐部分225的底表面延伸的垂直部分。襯墊206的水平環狀部分227在向下突出的環形部分226的底部遠端上設置。水平環狀部分227從向下突出的環形部分226相對於處理組件中心軸205徑向向內延伸。水平環狀部分227在密封器構件208的下部環形部分272下面設置。在第2A圖至第2B圖所示的實施例中，襯墊206的水平環狀部分227在密封器構件208的下部環形部分272的部分下面設置。在一些實施例中，襯墊206的水平環狀部分227可在密封器構件208的整個下部環形部分272下面設置。

密封器構件208包括上部屏蔽主體222及下部屏蔽主體229。上部屏蔽主體222係圓柱形主體。上部屏蔽主體222從襯墊206的主要支撐部分225相對於處理組件中心軸205徑向向內設置。上部屏蔽主體222在下部屏蔽主體229的頂部上設置。下部屏蔽主體229係U形主體。

下部屏蔽主體229包括第一圓柱形下部221、第二圓柱形下部220、及下部環形部分272。第一圓柱形下部221從上部屏蔽主體222相對於處理組件中心軸205徑向向外設置。第一圓柱形下部221連接到上部屏蔽主體222的底部。第一圓柱形下部221係環並且從第一上部屏蔽主體222垂直向下延伸。下部環形部分272連接到最遠離上部屏蔽主體222的第一圓柱形下部221的遠端。下部環形部分272係從第一圓柱形下部221徑向向內延伸的水平構件。下部環形部分272連接第一圓柱形下部221與第二圓柱形下部220。下部環形部分272連接到第二圓柱形下部220的下部遠端。第二圓柱形下部220係在下部環形部分272之上設置的垂直圓柱形壁。第二圓柱形下部220從第一圓柱形下部221徑向向內設置並且與第一圓柱形下部221的至少一部分同心。

蓋環210在下部屏蔽主體229的第二圓柱形下部220的頂部上設置。蓋環210防止在邊緣環228上及支撐夾具224a或升舉組件220a的側面上的不期望的沉積。蓋環210包括下部構件215及上部構件214。上部構件214具有水平接觸表面274。當如第2B圖所示支撐夾具224a及升舉組件220a處於升高位置時，水平接觸表面274的大小經調整為接觸圍繞支撐夾具224a的邊緣環228。

波紋管組件250在蓋環210下方設置。波紋管組件250連接到下部屏蔽主體229並且從襯墊206及密封器構件208的上部屏蔽主體222相對於處理組件中心軸205徑向向內設置。

磁控管組件295在濺射靶組件203上方設置。磁控管組件295包括藉由連接到軸件291的底板293支撐的複數個磁體294，該軸件與微型處理腔室的中心軸205軸向對準。軸件291連接到在磁控管組件295的蓋構件296的相對側面上設置的馬達287。馬達287旋轉軸件291，使得磁體294在磁控管體積299內旋轉。磁控管體積299藉由蓋構件296、磁控管支撐壁289及濺射靶組件203界定。在一個實施方式中，磁體在濺射靶組件203的前面附近的微型處理腔室216a內產生磁場以維持其中產生的電漿，使得顯著通量的離子化氣體原子撞擊濺射靶組件203，從而導致靶材料的濺射發射。磁體繞著微型處理腔室的中心軸205旋轉，用於增加跨濺射靶組件203的表面的磁場的均勻性。

流體穿過磁控管體積299遞送以便控制磁體294及濺射靶組件203的溫度。藉由流體供應器297將流體遞送到磁控管體積299中並且藉由流體排出器298將流體流出磁控管體積。流體供應器297及流體排出器298在磁控管組件295的相對側面上，使得流體穿過磁控管體積299、跨過濺射靶組件203的頂部、及在磁體294上方流動。流體可係DI水或其他適宜的冷卻流體。

磁控管組件295、AC電源286、濺射靶組件、及密封器構件208形成處理部件285。處理部件285可經選擇性修改以在腔室體積278內執行不同製程。在一些實施例中，處理部件285可經修改為包括噴頭組件、遠端電漿源、複數個加熱元件、或感測器。在第2A圖至第6E圖中描述的實施例中，處理部件285經構造為實現PVD製程。在替代實施例中，處理部件285經修改為使得處理組件160a、160b能夠執行CVD、ALD、蝕刻、退火、或清潔製程。

支撐夾具224a及升舉組件220a共同包括邊緣環228、階梯式密封環264、升舉組件軸件238、上部升舉區段230、電線240、背側氣體出口243、及氣體線242。基板200在支撐夾具224a的基板支撐表面223上設置。

支撐夾具224a支撐基板200及邊緣環228。在所示的實施例中，支撐夾具224a係靜電夾具，使得支撐夾具224a可以藉由電氣電源（諸如電源244）偏壓。在升舉組件220a的處理及移動期間，支撐夾具224a的偏壓夾持基板200並且在支撐夾具224a上的適當位置處固持基板200。支撐夾具224a亦可含有加熱元件（未圖示）及熱感測器（未圖示）。加熱元件及溫度感測器亦可連接到電源244並且輔助維持跨基板支撐表面223及其上設置的基板200的均勻及受控溫度。

升舉組件205a包括致動器246，諸如一或多個馬達。致動器246實現支撐夾具224a的垂直及旋轉移動，使得支撐夾具224a可以穿過移送腔室體積236垂直向上及向下移動並且繞著中心軸205旋轉地移動。

支撐夾具224a具有形成基板支撐表面223的平面上表面。支撐夾具224a具有在支撐夾具224a的基板支撐表面223周圍設置的外部凸緣266。外部凸緣266從基板支撐表面223垂直偏移。外部凸緣266的大小經調整為接收邊緣環228。邊緣環228從支撐夾具224a的基板支撐表面223徑向向外設置。當升舉組件220a及支撐夾具224a處於升高的處理位置時，邊緣環228的大小經調整為接觸蓋環210的水平接觸表面274。

支撐夾具224a在升舉組件220a的頂部上設置，使得支撐夾具224a在上部升舉區段230的頂部上設置。上部升舉區段230在支撐夾具224a的整個底表面261下方設置。上部升舉區段230在升舉組件軸件238的頂部上並且圍繞升舉組件軸件238設置。升舉組件軸件238係垂直軸件。升舉組件軸件238包括其中設置的電線240及氣體線242。電線240可包括多個電氣連接，諸如接線。電線240將支撐夾具224a連接到電源244。電線240及電源244將電力供應到支撐夾具224a用於偏壓及加熱。電源244亦可供應電力用於移動升舉組件220a。

氣體線242連接到淨化氣源241。氣體線242與背側氣體出口243流體連通。藉由淨化氣源241供應到氣體線242的淨化氣體穿過背側氣體出口243流動並且將背側氣體提供到在基板支撐表面223上設置的基板200的底部。

當相對於處理組件中心軸205截取時，階梯式密封環264從支撐夾具224a徑向向外設置並且連接到支撐夾具224a。階梯式密封環264在波紋管組件250下方設置並且具有與波紋管組件250重疊的環形表面區域，使得當將支撐夾具224a及升舉組件220a升高到處於處理位置時（如第2B圖所描繪），階梯式密封環264接觸波紋管組件250並且與波紋管組件250形成密封。

在一些實施例中，升舉銷（未圖示）可在穿過支撐夾具224a、升舉組件220a的上部升舉區段230、及夾具密封組件235的下部密封屏蔽件232的主屏蔽區段251形成的升舉銷孔中設置。升舉銷可延伸到基板支撐表面223。升舉銷可經構造為在處理步驟之間或當從移送腔室組件150裝載或卸載基板時升舉及降低基板200。在一些實施例中，使用其他基板移送機制來替代升舉銷。在此構造中，省去升舉銷以減少在基板處理期間在移送腔室體積236與腔室體積278之間的處理氣體的洩漏。

第2B圖包括與第2A圖相同的部件。第2B圖示出了當升舉組件220a及支撐夾具224a處於上部位置或處理位置時的處理組件160a。當升舉組件220a處於上部位置時，階梯式密封環264及波紋管組件250彼此接觸並且形成密封。將升舉組件220a移動到上部位置向上推動階梯式密封環264並且與波紋管組件250的表面接觸。邊緣環228亦向上移動並且接觸蓋環210的水平接觸表面274。階梯式密封環264及波紋管組件250兩者的密封表面與基板200穿過處理組件160之間的移送腔室體積236的移送平面平行。基板200的移送平面係與基板支撐表面223平行的水平面。基板200藉由在移送腔室體積236內設置的機器人（諸如中央移送裝置145）沿著移送平面在處理組件之間移送。

當將升舉組件220a升舉到基板處理位置時，階梯式密封環264、波紋管組件250、支撐夾具224a、密封器構件208、及濺射靶組件203界定處理腔室體積278。在處於上部位置時，製程在腔室體積278內的基板200上執行。

第3A圖至第3B圖係根據第二實施例的移送腔室組件150及處理組件160b的一部分的示意性橫截面圖。第3A圖至第3B圖描繪了磁控管組件295、AC電源286、開口201、板及密封組件292、移送腔室體積236、移送腔室組件150、微型處理腔室216b、支撐夾具224b、及基板升舉組件220b。磁控管組件295、AC電源286、板及密封組件292、移送腔室體積236、及移送腔室組件150與第2A圖至第2B圖所描繪的彼等類似。開口201的大小經調整為允許穿過其中傳遞基板200、支撐夾具224b、或基板200與支撐夾具224b兩者，使得基板200可在支撐夾具224b上的整個群集工具100a、100b中移動。

處理組件160b包括微型處理腔室216b、磁控管組件295、移送腔室體積236的一部分、移送腔室組件150的一部分、支撐夾具224b、及基板升舉組件220b。第3A圖至第3B圖的微型處理腔室216b包括濺射靶組件203、介電隔離器204、襯墊206、密封器構件208、蓋環210、磁控管組件295、及蓋構件296。微型處理腔室216b的內側係腔室體積278。濺射靶組件203、介電隔離器204、襯墊206、密封器構件208、蓋環210、磁控管組件295、及蓋構件296與第2A圖至第2B圖中描繪的彼等相同。

第3A圖至第3B圖的實施例的支撐夾具224b、中央移送裝置145、及基板升舉組件220b與第2A圖至第2B圖的實施例的支撐夾具224a、中央移送裝置145、及基板升舉組件220a不同。

在第3A圖中，支撐夾具224b及升舉組件220b圖示處在基板接收位置中。在處於基板接收位置時，支撐夾具224b及在支撐夾具224b的基板支撐表面223上設置的基板200與升舉組件220b分離並且可以藉由中央移送裝置145（第1A圖至第1B圖）穿過移送腔室組件150運輸。中央移送裝置145在軌道路徑中繞著移送腔室組件150的中心軸155移動基板200及支撐夾具224b，用於將支撐夾具224b頂上定位的基板200移送到各個處理組件160。

與第2A圖至第2B圖中描繪的實施例類似，升舉組件220b具有在上部升舉區段230上方定位的支撐夾具224b。邊緣環228在基板200的周邊邊緣處的支撐夾具224b上設置。階梯式密封環264繞著支撐夾具224b的周邊定位。升舉組件220b包括升舉組件軸件238、電線240、背側氣體出口243、及氣體線242。基板200在支撐夾具224b的基板支撐表面223上設置。

支撐夾具224b在升舉組件220b的頂部上設置。支撐夾具224b支撐基板200及邊緣環228。支撐夾具224b係靜電夾具，使得支撐夾具224b可以藉由諸如電源244的電氣電源偏壓。在基板處理操作期間並且在升舉組件220b的移動期間，支撐夾具224b的偏壓夾持基板200並且在支撐夾具224b上的適當位置固持基板200。支撐夾具224b亦可含有加熱元件（未圖示）及熱感測器（未圖示）。加熱元件及溫度感測器亦可連接到電源244並且輔助跨基板支撐表面223及其上設置的基板200維持均勻及受控的溫度。

支撐夾具224b連接到致動器246，諸如一或多個馬達。致動器246實現支撐夾具224b的垂直及旋轉移動，使得支撐夾具224b可以穿過移送腔室體積236向上及向下垂直移動並且繞著中心軸205旋轉地移動。

支撐夾具224b具有形成基板支撐表面223的平面上表面。支撐夾具224b具有在支撐夾具224b的基板支撐表面223周圍設置的外部凸緣266。外部凸緣266從基板支撐表面223垂直偏移。外部凸緣266的大小經調整為接收邊緣環228。邊緣環228從支撐夾具224b的基板支撐表面223徑向向外設置。當支撐夾具224b處於升舉的處理位置時，邊緣環228的大小經調整為接觸蓋環210的水平接觸表面274。

支撐夾具224b進一步包括下表面308。下表面308與基板支撐表面223相對並且與基板支撐表面223平行。下表面308包括夾具移送連接310、夾具升舉組件連接312、及背側氣體連接314。夾具移送連接310在下表面308上設置並且用作在支撐夾具224b與中央移送裝置145上設置的移送裝置連接306之間的連接點。夾具移送連接310用於將支撐夾具224b電氣及實體連接到中央移送裝置145。當支撐夾具224b在中央移送裝置145上設置時，夾具移送連接310將電力提供到支撐夾具224b。夾具移送連接310亦用於在移送腔室組件150內（諸如從一個處理組件160到另一處理組件160）移送期間將支撐夾具224b緊固到中央移送裝置145。在一些實施例中，存在複數個夾具移送連接310，諸如2至5個夾具移送連接310。

背側氣體連接314與背側氣體出口243連體連通。背側氣體連接314及背側氣體出口243在支撐夾具224b的中心處，使得背側氣體連接314及背側氣體出口243穿過支撐夾具224b的中心設置。背側氣體連接314連接到背側氣體出口243的底側並且從底側設置，使得背側氣體連接314在支撐夾具224b的下表面308下方設置。

中央移送裝置145包括頂表面304、移送裝置連接306、及裝置開口325。中央移送裝置145在移送腔室體積236內的處理組件160之間移送基板200及/或支撐夾具224b。中央移送裝置145在與中央移送裝置145的頂表面304平行的水平移送平面中行進。移送裝置連接306在中央移送裝置145的頂表面304上並且圍繞裝置開口325設置。移送裝置連接306與支撐夾具224b上的夾具移送連接310對準。在一些實施例中，存在複數個移送裝置連接306，諸如2至5個移送裝置306。移送裝置連接306電氣連接到移送裝置電源330。移送裝置電源330提供電力，用於在穿過移送腔室組件150運輸支撐夾具224b及基板200期間將基板200夾持到支撐夾具224b。在運輸支撐夾具224b期間夾持基板200將基板200固持在基板支撐表面223上的適當位置並且防止對基板200的背側損壞。

背側氣體連接314及夾具升舉組件連接312未連接到中央移送裝置145，並且在裝置開口325之上設置，而支撐夾具224b在中央移送裝置145的頂部上設置，使得背側氣體連接314及夾具升舉組件連接312從移送裝置連接306相對於處理組件中心軸205徑向向內設置。

在第3B圖中，支撐夾具224b在升舉組件220b的頂部上設置，使得支撐夾具224b在上部升舉區段230的頂部上設置。上部升舉區段230在升舉組件軸件238的頂部上並且圍繞升舉組件軸件238設置。升舉組件軸件238係垂直軸件。升舉組件軸件238包括其中設置的電線240及氣體線242。電線240可包括多個電氣連接，諸如接線。電線240將支撐夾具224b連接到電源244。電線240及電源244將電力供應到支撐夾具224b用於偏壓及加熱。電源244亦可將電力供應到致動器246用於移動升舉組件220b。

氣體線242連接到淨化氣源241。氣體線242穿過背側氣體連接314與背側氣體出口243流體連通。背側氣體連接314穿過氣體連接接收器326連接到升舉組件220b。氣體連接接收器326在上部升舉區段230的頂表面320上設置。一旦背側氣體連接314耦接到氣體連接接收器326，淨化氣源241就與背側氣體出口243流體連通。藉由淨化氣源241供應到氣體線242的淨化氣體穿過背側氣體出口243流動並且將背側氣體提供到在基板支撐表面223上設置的基板200的底部。

升舉組件220b進一步包括夾具連接318。夾具連接318在升舉組件220b的上部升舉區段230的頂表面320上設置。夾具連接318藉由電線240電氣連接到電源244。當支撐夾具224b藉由夾具連接318及升舉組件連接312連接到升舉組件220b時，夾具連接318將電力供應到支撐夾具224b。當升舉組件220b從下部接收位置升高直到中央移送裝置145並且經過裝置開口325接觸升舉組件連接312時，夾具連接318及升舉組件連接312彼此耦接。由於升舉組件220b穿過裝置開口325升高並且移動到如第3B圖所示的處理位置，支撐夾具224b隨後與中央移送裝置145分離。

藉由耦接升舉組件連接312及夾具連接318以及背側氣體連接314及氣體連接接收器326，支撐夾具224b連接到升舉組件220b。當升舉組件220b升高時，升舉組件連接312及背側氣體連接314耦接到夾具連接318及氣體連接接收器326，使得升舉組件連接接觸夾具連接318並且背側氣體連接314接觸氣體連接接收器326。

階梯式密封環264從支撐夾具224b相對於處理組件中心軸205徑向向外設置並且連接到支撐夾具224b。階梯式密封環264在波紋管組件250下方設置並且具有與波紋管組件250重疊的環形表面區域，使得當支撐夾具224b及升舉組件220b升高到上部處理位置（諸如在第3B圖中）時，階梯式密封環264接觸波紋管組件250並且與波紋管組件250形成密封。當支撐夾具224b在中央移送裝置145上設置時，階梯式密封環264接觸中央移送裝置145的頂表面316。在一些實施例中，階梯式密封環264支撐支撐夾具224b的至少部分重量，並且在整個移送腔室組件150中運輸支撐夾具224b及基板200期間並且在升舉組件220b處於下部移送位置時支撐支撐夾具224b。

在一些實施例中，升舉銷（未圖示）可在穿過支撐夾具224b、升舉組件220b的上部升舉區段230、及夾具密封組件235的下部密封屏蔽件232的主屏蔽區段251形成的升舉銷孔中設置。升舉銷可延伸到基板支撐表面223。升舉銷經構造為在處理步驟之間或當從移送腔室組件150裝載或卸載基板時升舉及降低基板200。在一些實施例中，使用其他基板移送機制來替代升舉銷。在此構造中，省略升舉銷以減少在基板處理期間在移送腔室體積236與腔室體積278之間的處理氣體的洩漏。在諸如本文揭示的彼等的實施例中，支撐夾具224a以及基板200使用具有與中央移送裝置145類似的夾持能力的機器人移送進出移送腔室體積236。在一些實施例中，形成升舉銷以從升舉組件220b升舉支撐夾具224b的至少部分連同基板200。在腔室體積278中處理基板200期間，中央移送裝置145保持在處理組件160b中設置。在一些實施例中，中央移送裝置145係轉盤裝置並且在移送腔室組件150的處理組件160之間運輸複數個基板200。中央移送裝置145經構造為在升舉組件220b的垂直移動期間並且在基板200的處理期間保持在下部移送位置中，使得當將支撐夾具224b及基板200垂直運輸到處理位置時並且在基板處理期間中央移送裝置145保持靜止。

第3A圖至第3B圖的實施例允許從基板升舉組件220b移除支撐夾具224b。在處理組件160之間運輸基板200及支撐夾具224b期間，支撐夾具224b耦接到中央移送裝置145的臂。將支撐夾具224b連同基板200耦接到中央移送裝置145減少在支撐夾具224b的頂表面上的磨損並且使支撐夾具224b能夠在替換或維護支撐夾具224b之前得以利用更長時間。藉由將基板200保持在支撐夾具224b上，亦已經發現由於基板200以較低頻率從支撐夾具224b升舉並且沉積到支撐夾具224b上，可減少對基板200的背側損壞。階梯式密封環264及波紋管組件250兩者的密封表面與基板200穿過處理組件160之間的移送腔室體積236的移送平面平行。

第4A圖至第4C圖係根據第2B圖及第3B圖的在密封環264與波紋管組件250之間的界面的示意性特寫橫截面圖。亦圖示了在邊緣環228與蓋環210之間的界面。第4A圖圖示了處於第一位置的支撐夾具224a-b。第4B圖圖示了處於第二位置的支撐夾具224a-b。第4C圖圖示了處於第三位置的支撐夾具224a-b。

在第4A圖中，支撐夾具224a-b的第一位置係在處理位置下方的位置，使得密封環264尚未接觸波紋管組件250並且波紋管組件250未處於壓縮或膨脹狀態。

階梯式密封環264包括外部凸緣部分402及階梯式部分404。階梯式密封環264的徑向內壁406鄰近支撐夾具224a-b的徑向外壁408設置並且與之接觸。外部凸緣部分402係從階梯式密封環264的階梯式部分404徑向向外延伸的水平凸緣。階梯式部分404從外部凸緣部分402的夾具密封表面422垂直向上延伸。

階梯式密封環264的底表面428係外部凸緣部分402及階梯式部分404兩者的底表面。底表面428與底部夾具表面432共面。底部夾具表面432可係第3A圖至第3B圖的支撐夾具224b的下表面308或第2A圖至第2B圖的支撐夾具224a的底表面261。

階梯式密封環264的頂表面430係階梯式部分404的頂表面。頂表面430與支撐夾具224a-b的外部凸緣266共面。邊緣環228部分在階梯式密封環264的頂表面430上設置。夾具密封表面422係外部凸緣部分402的頂表面。夾具密封表面422係水平且平面的表面。夾具密封表面422從階梯式密封環264的頂表面430垂直偏移。階梯式密封環264可係金屬或陶瓷材料，使得階梯式密封環264的表面係金屬或陶瓷材料。當利用金屬材料時，階梯式密封環264可係鋁或陽極化鋁材料、不鏽鋼材料、或因可鎳合金材料。不鏽鋼材料可係6000系列鋁，諸如6060或6061鋁。當利用陶瓷材料時，陶瓷材料可係氧化鋁、氮化鋁、或石英(SiO ₂)。夾具密封表面422具有小於等於約10 Ra的表面粗糙度，諸如約2 Ra至約10 Ra，諸如約4 Ra至約8 Ra。

邊緣環228在支撐夾具224a-b及階梯式密封環264的頂部上設置，使得邊緣環底表面438在階梯式密封環的頂表面430及支撐夾具224a-b的外部凸緣266的頂部上設置。邊緣環228包括內部頂表面436、中間頂表面424、及外部頂表面434。內部頂表面436從中間頂表面424及外部頂表面434兩者徑向向內設置。中間頂表面424從外部頂表面434徑向向內設置。中間頂表面424係彎曲頂表面，使得中間頂表面424在內部頂表面436與外部頂表面434之間形成溝槽。內部頂表面436與外部頂表面434共面。內部頂表面436與基板支撐表面223共面。外部頂表面434的大小經調整為接收蓋環210的上部構件214的水平接觸表面274。

波紋管組件250包括上部波紋管環410、波紋管412、及下部波紋管環414。波紋管412在上部波紋管環410與下部波紋管環414之間設置。上部波紋管環410在下部波紋管環414之上設置。上部波紋管環410從密封器構件208的第二圓柱形下部220徑向向內設置。

上部波紋管環410具有在上部波紋管環410的底表面上設置的上部密封表面420。上部密封表面420的形狀經調整為與階梯式密封環264的夾具密封表面422形成隔離密封。上部密封表面420與階梯式密封環264的夾具密封表面422平行並且上部密封表面420具有重疊階梯式密封環264的夾具密封表面422的環形表面的至少部分的環形表面。上部波紋管環410可係金屬材料，使得上部波紋管環410的表面係鋁、不鏽鋼、或因可鎳材料。鋁可係陽極化鋁。不鏽鋼材料可係6000系列不鏽鋼，諸如6060或6061不鏽鋼。上部密封表面420具有小於或等於約10 Ra的表面粗糙度，諸如約2 Ra至約10 Ra，諸如約4 Ra至約8 Ra。取決於階梯式密封環264，上部密封表面420及夾具密封表面422可具有類似或非類似的材料，使得密封在類似或非類似的材料之間形成。可選擇階梯式密封環264及夾具密封表面422的材料，以便改進在上部密封表面420與夾具密封表面422之間的密封或降低夾具密封表面422變形的可能性。

夾具密封表面422與濺射靶202的底表面平行。如第2A圖至第2B圖及第3A圖至第3B圖中示出，夾具密封表面422、上部密封表面420、基板支撐表面223、及濺射靶202的底表面的實質上平行的定向/對準允許形成可重複的可靠密封，同時亦允許在處理期間容易形成及/或維持在基板支撐表面223與濺射靶202的底表面之間的環形對準。夾具密封表面422及上部密封表面420亦與基板及/或支撐夾具224b的移送平面平行。在先前描述移送平面並且移送平面係在處理組件160之間移送的水平平面。

下部波紋管環414連接到密封器構件208的下部環形部分272。下部波紋管環414具有上表面418，上表面418抵靠密封器構件208的下部環形部分272的下表面416設置。下部波紋管環414的上表面418耦接到密封器構件208的下部環形部分272的下表面416。

波紋管412在上部波紋管環410與下部波紋管環414之間設置，使得波紋管412附接到下部波紋管環414的上表面418及上部波紋管環410的上部密封表面420。波紋管412在上部波紋管環410與下部波紋管環414之間形成阻障層，使得氣體不可以經過波紋管412。波紋管412具有約50 lbf/in至約80 lbf/in的彈簧常數(k)，諸如約55 lbf/in至約75 lbf/in，諸如約60 lbf/in至約70 lbf/in。如下文論述，在一些實施例中，選擇波紋管412的彈簧率以實現期望的密封力，該密封力在波紋管412的期望延伸範圍內實現。在一些實施例中，波紋管412的彈簧常數(k)取決於在腔室體積278內執行的製程的溫度而變化。波紋管412的溫度連同腔室體積278內的溫度改變。在一些實施例中，當腔室體積278內的操作溫度在約攝氏350度至約攝氏600度的溫度下時，波紋管412的彈簧常數係約55 lbf/in至約75 lbf/in，諸如約60 lbf/in至約70 lbf/in。在其他實施例中，當腔室體積278在約攝氏150度至約攝氏250度的操作溫度下時，波紋管412的彈簧常數係約35 lbf/in至約55 lbf/in，諸如約40 lbf/in至約50 lbf/in。在又一些實施例中，當腔室體積278內的操作溫度係約攝氏20度至約攝氏150度時，波紋管412的彈簧常數係約15 lbf/in至約35 lbf/in，諸如約20 lbf/in至約30 lbf/in。波紋管412的彈簧常數隨著各種溫度範圍而改變係歸因於材料的楊氏模量的改變。波紋管412亦可熱膨脹或收縮。

波紋管組件250的波紋管412經構造為在至少一個方向上係順應的，該方向諸如垂直方向（亦即，Z方向），並且經構造為在處理期間防止氣體經過其中。波紋管組件250可係在相對端處焊接到上部波紋管環410及下部波紋管環414的不鏽鋼或因可鎳波紋管組件。波紋管組件250的順應性質允許在階梯式密封環264的夾具密封表面422與處理腔室壁的上部密封表面420之間的任何未對準或平面度差異，使得可靠且可重複的密封可以在上部密封表面420處形成。在第2圖至第5圖的實施例中，波紋管組件250係膨脹波紋管組件，並且波紋管412在處理腔室體積278的密封期間膨脹。

儘管處於第4A圖的第一位置，但階梯式密封環264不在上部密封表面420上施加任何力。在階梯式密封環264與上部密封表面420之間沒有任何力的情況下，在腔室體積278與移送腔室體積236之間不存在密封。在第4A圖的第一位置中，腔室體積278及移送腔室體積236處於流體連通。當腔室體積278及移送腔室體積236處於流體連通時，穿過處理氣體入口426提供的氣體可洩漏到移送腔室體積236中。

在第4A圖的第一位置中，波紋管412的長度係約1.1吋至約1.7吋，諸如約1.2吋至約1.6吋，諸如約1.3吋至約1.5吋。波紋管412處於鬆弛狀態並且沒有來自支撐夾具224a-b的任何力衝擊波紋管的長度。

在第4B圖中，支撐夾具224a-b處於第二位置，使得階梯式密封環264已接觸上部波紋管環410的上部密封表面420。第二位置係在第4A圖的第一位置與第4C圖的第三位置之間的垂直位置。

除了階梯式密封環264接觸上部波紋管環410的上部密封表面420之外，邊緣環228的外部頂表面434抵靠蓋環210的水平接觸表面274設置。蓋環210保護波紋管組件250不受腔室體積278內的處理自由基影響。當蓋環210接觸邊緣環228時，改進對波紋管組件的保護。

當將支撐夾具224a-b升高到第二位置時，上部波紋管環410被向上推動並且波紋管412膨脹。接觸蓋環210的邊緣環228亦向上推動蓋環210。當升高蓋環210時，蓋環210的下部構件215的底表面454垂直地在密封器構件208的第二圓柱形下部220的頂表面455下方。下部構件215的底表面454垂直地在密封器構件208的第二圓柱形下部220的頂表面455下方確保保護波紋管組件250的波紋管412不受處理自由基的影響。

在第4B圖的第二位置中，波紋管412膨脹到約1.2吋至約1.8吋的長度，諸如約1.3吋至約1.7吋，諸如約1.4吋至約1.6吋。

階梯式密封環264與上部波紋管環410的上部密封表面420接觸導致藉由階梯式密封環264在上部密封表面420上施加較低力452。較低力452在腔室體積278與移送腔室體積236之間提供至少部分密封。在腔室體積278與移送腔室體積236之間的密封允許執行不需要與移送腔室體積236內的壓力不同的壓力的一些製程。此外，腔室體積278的淨化可在將支撐夾具224a-b升舉到最終處理位置時開始。

第4C圖圖示了處於高於第二位置的第三位置的支撐夾具224a-b，使得階梯式密封環264已接觸上部波紋管環410的上部密封表面420，並且支撐夾具224a-b向上移動以膨脹波紋管412。第三位置係在第4A圖的第一位置及第4B圖的第二位置兩者之上的垂直位置。

除了階梯式密封環264接觸上部波紋管環410的上部密封表面420之外，邊緣環228的外部頂表面434抵靠蓋環210的水平接觸表面274設置。

當將支撐夾具224a-b升高到第三位置時，上部波紋管環410被向上推動並且波紋管412膨脹至與第二位置相比較大的膨脹點。接觸蓋環210的邊緣環228亦向上推動蓋環210。當升高蓋環210時，蓋環210的下部構件215的底表面454仍垂直地在密封器構件208的第二圓柱形下部220的頂表面455下方。

在第4C圖的第三位置中，波紋管412膨脹到約1.7吋至約2.3吋的長度，諸如約1.8吋至約2.2吋，諸如約1.9吋至約2.1吋。波紋管412從第4A圖的第一位置到第4C圖的第三位置的總衝程係約0.5吋至約1.1吋，諸如約0.6吋至約1.0吋，諸如約0.7吋至約0.9吋。

階梯式密封環264與上部波紋管環410的上部密封表面420接觸並且波紋管412進一步膨脹導致藉由階梯式密封環264在上部密封表面420上施加較高力453。較高力453大於第4B圖中的第二位置處的較低力452。較高力453提供在腔室體積278與移送腔室體積236之間的完全密封，使得腔室體積278及移送腔室體積236流體隔離。在腔室體積278與移送腔室體積236之間的密封允許執行需要與移送腔室體積236內的壓力不同的壓力的製程。此外，歸因於本文揭示的總體設計，可以調節在基板支撐表面223上設置的基板表面與靶表面之間的間隔以改進在基板處理步驟（例如，PVD沉積步驟）期間實現的處理結果。在一些實施例中，當基板在靶到基板間隔的期望範圍內定位時，選擇波紋管412的彈簧率以實現期望的較高力453。

在處理組件160內處理大量基板之後，維持夾具密封表面422及上部密封表面420兩者的結構完整性。夾具密封表面422及上部密封表面420隨時間幾乎沒有翹曲並且由此在腔室的整個壽命期間維持在腔室體積278與移送腔室體積236之間的高品質密封。翹曲可係上部密封表面420的夾具密封表面422中的一者的彎曲或者可係夾具密封表面422及上部密封表面420的不期望磨損。不期望的彎曲或磨損將在夾具密封表面422與上部密封表面420之間形成的密封內產生洩漏。夾具密封表面422及上部密封表面420的翹曲至少部分藉由利用波紋管組件250最小化。波紋管組件250使對夾具密封表面422及上部密封表面420中的任一者的力的突然施加最小化。波紋管組件250在更長時間內分散形成密封的衝擊力，並且由此減少夾具密封表面422及上部密封表面420的變形。

密封環264及夾具密封表面422在移送腔室體積236及腔室體積278兩者內的寬範圍的溫度及壓力上維持平面度。密封環264在寬範圍的支撐夾具224a-b的位置期間額外維持平面度。在基板處理期間移動支撐夾具224a-b的實施例中，波紋管412的靈活性允許密封環264的夾具密封表面422及上部密封表面420兩者在支撐夾具224a-b的各個位置上保持平面並且彼此平行。若期望在處理期間移動基板，則可移動支撐夾具224a-b。由於基板200及基板支撐表面223的溫度在基板處理期間增加，密封環264及夾具密封表面422進一步維持平面度。由於夾具密封表面422的位置歸因於熱膨脹及收縮而變化，波紋管組件250被動地調節位置以適應移動並且維持密封。

上部波紋管環410被認為係處理腔室壁。處理腔室壁可係界定處理組件160中的腔室體積的任何壁。在一些實施例中，額外處理腔室壁包括濺射靶組件203、密封器構件208、及波紋管412。

第5圖係根據第2B圖及第3B圖的在密封環264與波紋管組件250之間修改的界面以及處理氣體入口426及氣體出口536的示意性特寫橫截面圖。在密封環264與波紋管組件250之間的界面包括中間泵送區域502。處理氣體入口426及氣體出口536穿過密封器構件208設置。

中間泵送區域502在密封環264的夾具密封表面422與波紋管組件250的上部波紋管環410的上部密封表面420之間設置。中間泵送區域502可係在夾具密封表面422與上部密封表面420之間形成的小空腔或凹穴。中間泵送區域502在泵送線512的末端處形成。泵送線512穿過上部波紋管環410、下部波紋管環414、襯墊206的水平環狀部分227、及移送腔室組件150的側壁設置。泵送線512連接到中間區域泵514。中間區域泵514可用於將中間泵送區域502泵送到在腔室體積278與移送腔室體積236的壓力之間的壓力。

泵送線512包括第一泵送線區段504、第二泵送線區段506、及第三泵送線區段508。第一泵送線區段504、第二泵送線區段506、及第三泵送線區段508均彼此連接並且流體連通，使得第一泵送線區段504連接到第二泵送線區段506並且與之流體連通，以及第二泵送線區段506連接到第三泵送線區段508且與之流體連通。第三泵送線區段508連接到中間區域泵514並且與之流體連通。

第一泵送線區段504穿過上部波紋管環410設置，使得第一泵送線區段504具有鄰近中間泵送區域502並且穿過上部密封表面420的部分形成的第一端以及穿過上部密封表面420形成的第二端，上部密封表面420從密封環264的外部凸緣部分402徑向向外且從波紋管412徑向向內。第一泵送線區段504的第二端連接到第二泵送線區段506的第一端。

第二泵送線區段506從波紋管組件250的波紋管412徑向向內設置。第二泵送線區段506從上部波紋管環410延伸到下部波紋管環414。第二泵送線區段506的第二端在下部波紋管環414的外壁處連接到第三泵送線區段508的第一端。

第三泵送線區段508穿過下部波紋管環414、襯墊206的水平環狀部分227、及移送腔室組件150的側壁形成。第三泵送線區段508係水平設置的泵送線。第三泵送線區段508的第二端連接到中間區域泵514。或者，可能存在額外的將第三泵送線區段508連接到中間區域泵514的第四泵送線區段。在一些實施例中，中間區域泵514係真空泵。

磁控管組件295在濺射靶組件203上設置，使得磁控管支撐壁289在濺射靶組件203的頂部上並且在介電隔離器204之上設置。磁控管體積299與腔室體積236及移送腔室體積236流體隔離。濺射靶組件203將磁控管體積299與腔室體積236分離。

夾具密封表面422進一步包括兩個O形環溝槽515、516及兩個O形環517、519。第一O形環溝槽515及第二O形環溝槽516在階梯式密封環264的夾具密封表面422中設置。O形環溝槽515、516可經設置為使得第一O形環溝槽515從中間泵送區域徑向向內並且第二O形環溝槽從中間泵送區域徑向向外。第一O形環517及第二O形環519分別在第一O形環溝槽515及第二O形環溝槽516中設置。第一O形環517及第二O形環519可係KYFLON™O形環。第一O形環517及第二O形環519抵靠上部波紋管環410的上部密封表面420密封。第一O形環517及第二O形環519輔助在移送腔室體積236與腔室體積278之間形成隔離密封。

移送腔室體積236形成下部泵送區域。移送體積泵518將移送腔室體積236泵送到預定壓力。移送體積泵518藉由移送體積線510流體連接到移送腔室體積236。移送體積線510穿過移送腔室組件150的側壁形成。在一些實施例中，移送體積泵518係真空泵。

處理氣體入口426及氣體出口536與腔室體積278流體連通。處理氣體入口426在上部屏蔽主體222與下部屏蔽主體229的第一圓柱形下部221之間形成。處理氣體入口426可替代地穿過下部屏蔽主體229或上部屏蔽主體222的第一圓柱形下部221中的一者形成。處理氣體入口426將腔室體積278流體連接到入口氣室532。入口氣室532係圍繞腔室體積278並且穿過襯墊206的主要支撐部分225形成的氣室。入口氣室532藉由襯墊206的主要支撐部分225及密封器構件208的外表面至少部分界定。入口氣室532流體連接到入口氣體通路528。入口氣體通路528流體連接入口氣室532與氣源520。入口氣體通路528係傾斜氣體通路，其中由於入口氣體通路528從氣源520接近入口氣室532，入口氣體通路528具有負斜坡。

氣源520可供應處理氣體、淨化氣體、調節氣體、或清潔氣體。在一些實施例中，氣源520可係多個氣源520。氣源520可供應氣體，諸如含矽氣體、含氮氣體、及含氧氣體。氣源520亦可供應氬氣、氖氣、及氦氣。當正在供應清潔氣體時，氣源520可供應氯或氟氣體。可供應本文未明確描述的其他處理氣體、淨化氣體、調節氣體、或清潔氣體。

氣體出口536在上部屏蔽主體222、濺射靶組件203、及介電隔離器204之間形成。氣體出口536連接腔室體積278與排放氣室540。排放氣室540外接腔室體積278及密封器構件208的上部屏蔽主體222的至少部分。排放氣室540穿過襯墊206的主要支撐部分225形成。排放氣室540藉由密封器構件208的上部屏蔽主體222的外壁548、介電隔離器204、及襯墊206的主支撐構件208至少部分界定。排放氣室540將氣體出口536流體連接到出口氣體通路530。出口氣體通路530穿過襯墊206的主要支撐部分225形成。出口氣體通路530流體連接排放氣室540及排放泵546。

排放泵546用於排放藉由氣源520引入腔室體積278中的氣體。排放泵546亦用於將腔室體積278泵送至預定的處理壓力。在一些實施例中，將升舉組件220a-b升舉到處理位置並且將腔室體積278與移送腔室體積236流體隔離。直接在將升舉組件220a-b移動到處理位置之後，腔室體積278及移送腔室體積236內的壓力係相同的壓力。在一些實施例中，製程在與移送腔室體積236內的壓力不同的壓力下執行。為了改變腔室體積278內的壓力，排放泵546可從腔室體積278泵出氣體或者氣體可藉由氣源520引入。

氣體穿過處理氣體入口426的流動藉由入口流動箭頭550圖示。入口流動箭頭550圖示了在上部屏蔽主體222的懸架534與下部屏蔽主體229的第一圓柱形下部221之間從處理氣體入口427向下移動的氣體。入口流動箭頭550隨後圖示了在蓋環210與上部屏蔽主體222的懸架534之間流動的氣體進入腔室體積278的主要部分。蓋環210屏蔽波紋管組件250而不直接引入來自處理氣體入口426的氣體，並且朝向腔室體積278的中心向上導引氣體。

氣體從腔室體積278穿過氣體出口536的流動藉由排放流動箭頭560圖示。排放流動箭頭560圖示了在腔室體積278的頂部拐角處從腔室體積278移動到氣體出口536的排放氣體。排放流動箭頭560隨後圖示了從氣體出口536流動到排放氣室540的排放氣體。

襯墊206的主要支撐部分225中設置有冷卻通道524。冷卻通道524在襯墊206的主要支撐部分225與移送腔室組件150的頂表面538之間設置。冷卻通道524可具有其中循環的水或其他流體以在基板處理期間維持襯墊206或移送腔室組件150內的恆定溫度。

O形環522在移送腔室組件150的頂表面538上的溝槽552中設置。O形環522在移送腔室組件150的頂表面538與襯墊206的主要支撐部分225之間。

O形環542在襯墊206的主要支撐部分225的支撐凸緣556上的溝槽554中設置。O形環542在襯墊206的主要支撐部分225與介電隔離器204之間設置。

第6A圖至第6E圖係根據第2B圖及第3B圖的在修改的邊緣環628a-e、交替蓋環611a-e、下部屏蔽主體229、及壓縮波紋管組件650之間的界面的示意性特寫橫截面圖。第6A圖至第6E圖的交替界面中的每一者可彼此結合或與第2B圖及第3B圖的實施例結合。第6A圖至第6E圖的實施例係其中波紋管組件250用壓縮波紋管組件650替換，邊緣環228用若干修改的邊緣環628a-e中的一者替換，並且蓋環210用若干修改的蓋環611a-e中的一者替換的實施例。在一些實施例中，修改的下部屏蔽主體629替換下部屏蔽主體229。

在第6A圖中，描繪了第一替代實施例。第一替代實施例具有與第1圖至第5圖中描述的下部屏蔽主體229類似的下部屏蔽主體229。下部屏蔽主體229具有壓縮波紋管組件650及其上附接的波紋管停止器608。第一替代實施例亦包括修改的蓋環611a、修改的邊緣環628a、及修改的支撐夾具624a。修改的蓋環611a、修改的邊緣環628a、及修改的支撐夾具624a具有與本文描述的蓋環210、邊緣環228、及支撐夾具224類似的材料組成，但包括修改的幾何形狀。

壓縮波紋管組件650包括波紋管612、上部波紋管環605、及階梯式部分602。波紋管612與本文描述的波紋管412類似。上部波紋管環605在下部屏蔽主體229的第二圓柱形下部220的頂表面455的頂部上設置。上部波紋管環605從第二圓柱形下部220的頂表面455徑向向內延伸。波紋管612連接到上部波紋管環605的底側。階梯式部分602係Z形部分。階梯式部分602包括下部水平部分616、垂直部分606、及上部水平部分607。下部水平部分616連接到波紋管612的底部。下部水平部分616從波紋管612徑向向內延伸。垂直部分606附接到從波紋管612徑向向內的下部水平部分616。階梯式部分602的垂直部分606從下部水平部分616的遠端向上延伸。上部水平部分607在垂直部分606的頂部上設置。上部水平部分607從階梯式部分602的垂直部分606徑向向內延伸。上部水平部分607具有界定上部密封表面420的下表面。

壓縮波紋管組件650的波紋管612經構造為在至少一個方向上係順應的，該方向諸如垂直方向（亦即，Z方向），並且經構造為在處理期間防止氣體經過其中。波紋管組件650可係在相對端處焊接到上部波紋管環605及階梯式部分602的不鏽鋼或因可鎳波紋管組件。波紋管組件250的順應性質允許在階梯式密封環264的夾具密封表面422與處理腔室壁的上部密封表面420之間的任何未對準或平面度差異，使得可靠且可重複的密封可以在上部密封表面420處形成。在第6A圖至第6E圖的實施例中，壓縮波紋管組件650在密封處理腔室體積278期間縮回。

波紋管停止器608附接到下部屏蔽主體229的環形部分272，使得波紋管停止器608在環形部分272的底部上設置。波紋管停止器608具有波紋管接收表面640。當修改的支撐夾具624a處於處理位置下方的較低位置並且波紋管處於膨脹狀態時，波紋管接收表面640停止波紋管612的膨脹。波紋管接收表面640的大小經調整為接收階梯式部分602的下部水平部分616。

修改的蓋環611a包括上部構件614a及下部構件615a。上部構件614a係水平構件。下部構件615a係垂直構件。下部構件615a從上部構件614a的徑向向外遠端向下延伸。下部構件615a在下部屏蔽主體229的第二圓柱形下部220與第一圓柱形下部221之間徑向設置。上部構件614a在波紋管組件650的整體及修改的邊緣環628a的至少部分上方延伸。上部構件614a包括在上部構件614a的底側上設置的水平接觸表面274。上部構件614a進一步包括向下突起652。向下突起652在水平接觸表面274上設置並且從上部構件614a延伸，使得向下突起652接觸上部水平部分607的頂表面。

修改的邊緣環628a在修改的支撐夾具624a的外部凸緣266上設置。修改的邊緣環628a與第1圖至第5圖的邊緣環228類似。修改的邊緣環628a包括內部頂表面636、中間頂表面624、及外部頂表面634。內部頂表面636從中間頂表面624及外部頂表面634兩者徑向向內設置。內部頂表面636與基板支撐表面223共面。中間頂表面624從外部頂表面634徑向向內設置。中間頂表面624係彎曲頂表面，使得中間頂表面624在內部頂表面636與外部頂表面634之間形成溝槽。外部頂表面634的大小經調整為接收修改的蓋環611a的水平接觸部分274的至少部分。內部頂表面636在外部頂表面634之上設置。

修改的支撐夾具624a與支撐夾具224a-b類似，不同之處在於密封環係外部凸緣266的延伸部，使得夾具密封表面422與修改的支撐夾具624a的外部凸緣266共面。

當將修改的支撐夾具624a升高到處理位置時，壓縮波紋管組件650的上部密封表面420接觸夾具密封表面422，並且壓縮波紋管612。當壓縮波紋管612時，升高修改的蓋環611a。儘管未在第6A圖中圖示，但修改的邊緣環628a可接觸修改的蓋環611a的水平接觸表面274。

在第6B圖中，描繪了第二替代實施例。第二替代實施例具有修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629具有壓縮波紋管組件650及其上附接的波紋管停止器608。第二替代實施例亦包括修改的蓋環611b、修改的邊緣環628b、及修改的支撐夾具624b。修改的蓋環611b、修改的邊緣環628b、及修改的支撐夾具624b具有與本文描述的蓋環210、邊緣環228、及支撐夾具224類似的材料組成，但包括修改的幾何形狀。

修改的下部屏蔽主體629與第1圖至第5圖中描述的下部屏蔽主體229類似，但具有修改的第二圓柱形下部620及水平波紋管附接部分603。修改的第二圓柱形下部620與本文描述的第二圓柱形下部220類似，但第二圓柱形下部220膨脹，且水平波紋管附接部分603在其上設置。水平波紋管附接部分603係從修改的第二圓柱形下部620徑向向內延伸的水平部分。水平波紋管附接部分603具有在其底部上設置的修改的上部波紋管環610。

壓縮波紋管組件650包括波紋管612、修改的上部波紋管環610、及階梯式部分602。波紋管612與本文描述的波紋管412類似。修改的上部波紋管環610在水平波紋管附接部分603的底表面上設置。波紋管612連接到修改的上部波紋管環610的底側。階梯式部分602係Z形部分。階梯式部分602包括下部水平部分616、垂直部分606、及上部水平部分607。下部水平部分616連接到波紋管612的底部。下部水平部分616從波紋管612徑向向內延伸。垂直部分606附接到從波紋管612徑向向內的下部水平部分616。階梯式部分602的垂直部分606從下部水平部分616的遠端向上延伸。上部水平部分607在垂直部分606的頂部上設置。上部水平部分607從階梯式部分602的垂直部分606徑向向內延伸。上部水平部分607具有界定上部密封表面420的下表面。

波紋管停止器608附接到下部屏蔽主體229的環形部分272。波紋管停止器608與第6A圖中描述的波紋管停止器608類似。

修改的蓋環611b包括上部構件614b及下部構件615b。上部構件614b係水平構件。下部構件615b係垂直構件。下部構件615b從上部構件614b的徑向向外遠端向下延伸。下部構件615b在下部屏蔽主體629的第二圓柱形 下部220與第一圓柱形下部221之間徑向設置。上部構件614b在波紋管組件650的整體及修改的邊緣環628b的至少部分上方延伸。上部構件614b包括在上部構件614b的底側上設置的水平接觸表面274。

修改的邊緣環628b與第6A圖的修改的邊緣環628a類似。修改的邊緣環628b在修改的支撐夾具624b的外部凸緣266上設置。修改的邊緣環628b的外部頂表面634的大小經調整為接收修改的蓋環611b的水平接觸表面274的至少部分。

修改的支撐夾具624b與支撐夾具224a-b類似，不同之處在於支撐夾具624b包括從外部凸緣266徑向向外設置的裙部支撐表面660。裙部支撐表面660在外部凸緣266下方設置並且支撐支撐夾具裙部609。

支撐夾具裙部609包括支撐元件661、階梯式元件662、及接觸元件663。支撐元件661在修改的支撐夾具624b的裙部支撐表面660的頂部上設置。支撐元件661從修改的支撐夾具624b的裙部支撐表面660徑向向外延伸。階梯式元件662從支撐元件661垂直向下設置。接觸元件663連接到階梯式元件662的底部遠端並且從其徑向向外設置。接觸元件663包括上部接觸表面622。上部接觸表面622的大小經調整為接觸壓縮波紋管組件650的上部密封表面420。

當將修改的支撐夾具624b升高到處理位置時，壓縮波紋管組件650的上部密封表面420接觸上部接觸表面 622並且壓縮波紋管612。當壓縮波紋管612時，藉由接觸修改的邊緣環628b的外部頂表面634來升高修改的蓋環611b。

在第6C圖中，描繪了第三替代實施例。第三替代實施例具有修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629係相同的第6B圖的修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629包括其上附有的在第6B圖中描述的壓縮波紋管組件650及對應文本，以及在第6A圖至第6B圖中描述的波紋管停止器608及對應文本。第三替代實施例亦包括修改的蓋環611c、修改的邊緣環628c、及修改的支撐夾具624c。修改的蓋環611c、修改的邊緣環628c、及修改的支撐夾具624c具有與本文描述的蓋環210、邊緣環228、及支撐夾具224類似的材料組成，但包括修改的幾何形狀。

修改的蓋環611c包括上部構件614c及下部構件615c。上部構件614c係水平構件。下部構件615c係垂直構件。下部構件615c從上部構件614c的徑向向外遠端向下延伸。下部構件615c在下部屏蔽主體629的第二圓柱形下部220與第一圓柱形下部221之間徑向設置。上部構件614c在波紋管組件650的整體及修改的邊緣環628c的至少部分上方延伸。上部構件614c包括在上部構件614c的底側上設置的水平接觸表面274。

修改的邊緣環628c與第6A圖至第6B圖的修改的邊緣環628a、628b類似。修改的邊緣環628c在修改的 支撐夾具624c的外部凸緣266上設置。修改的邊緣環628c的外部頂表面634的大小經調整為接收修改的蓋環611c的水平接觸表面274的至少部分。

修改的支撐夾具624c與支撐夾具224a-b類似，不同之處在於本文描述的階梯式密封環264係修改的支撐夾具624c的連續部分。階梯式密封環264的夾具密封表面422的大小經調整為接觸壓縮波紋管組件650的上部密封表面420。

當將修改的支撐夾具624c升高到處理位置時，壓縮波紋管組件650的上部密封表面420接觸夾具密封表面422並且壓縮波紋管612。當壓縮波紋管612時，修改的蓋環611c藉由接觸修改的邊緣環628c的外部頂表面634升高。

在第6D圖中，描繪了第四替代實施例。第四替代實施例具有修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629係相同的第6B圖的修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629包括其上附有的在第6B圖中描述的壓縮波紋管組件650及對應文本，以及在第6A圖至第6B圖中描述的波紋管停止器608及對應文本。第四替代實施例亦包括修改的蓋環611d、修改的邊緣環628d、及修改的支撐夾具624d。修改的蓋環611d、修改的邊緣環628d、及修改的支撐夾具624d具有與本文描述的蓋環210、邊緣環228、及支撐夾具224類似的材料組成，但包括修改的幾何形狀。

修改的蓋環611d包括上部構件614d及下部構件615d。上部構件614d係水平構件。下部構件615d係垂直構件。下部構件615d從上部構件614d的徑向向外遠端向下延伸。下部構件615d在下部屏蔽主體629的第二圓柱形下部220與第一圓柱形下部221之間徑向設置。上部構件614d在波紋管組件650的整體及修改的邊緣環628d的至少部分上方延伸。上部構件614d不延伸經過修改的支撐夾具624d的階梯式密封環264。上部構件614d包括在上部構件614d的底側上設置的水平接觸表面274。

修改的邊緣環628d在修改的支撐夾具624d的外部凸緣266上設置。修改的邊緣環628d包括內部頂表面636、第一階梯644、第二階梯646、及第三階梯648。第一階梯644係與外部凸緣266平行並且在外部凸緣266之上設置的水平表面。第二階梯646係與外部凸緣266平行並且在第一階梯644下方垂直設置的水平表面。第二階梯646可與外部凸緣266共面。第二階梯646包括外部頂表面634，其大小經調整為接收修改的蓋環611d的水平接觸表面274的至少部分。第三階梯648係與外部凸緣266平行並且在第二階梯646下方垂直設置的水平表面。第三階梯648可與底部夾具表面432共面或可在底部夾具表面432下面設置。第三階梯648包括波紋管支撐表面654。波紋管支撐表面654係第三階梯648的頂表面並且大小經調整為接收及支撐上部水平部分607的上部密封表面420。

修改的支撐夾具624d與支撐夾具224a-b類似，不同之處在於本文描述的階梯式密封環264係修改的支撐夾具624d的連續部分。在修改的支撐夾具624d中，階梯式密封環264的夾具密封表面422的大小經調整為接觸修改的邊緣環628d的第二階梯646的底表面。

當將修改的支撐夾具624d升高到處理位置時，壓縮波紋管組件650的上部密封表面420接觸波紋管支撐表面654並且壓縮波紋管612。當壓縮波紋管612時，修改的蓋環611d藉由接觸修改的邊緣環628d的外部頂表面634來升高。

在第6E圖中，描繪了第五替代實施例。第五替代實施例具有修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629係相同的第6B圖的修改的下部屏蔽主體629。修改的下部屏蔽主體629包括其上附有的在第6B圖中描述的壓縮波紋管組件650及對應文本，以及在第6A圖至第6B圖中描述的波紋管停止器608及對應文本。第五替代實施例亦包括修改的蓋環611e、修改的邊緣環628e、及修改的支撐夾具624e。修改的蓋環611e、修改的邊緣環628e、及修改的支撐夾具624e具有與本文描述的蓋環210、邊緣環228、及支撐夾具224類似的材料組成，但包括修改的幾何形狀。

修改的蓋環611e包括上部構件614e及下部構件615e。上部構件614e係水平構件。下部構件615e係垂直構件。下部構件615e從上部構件614e的徑向向外遠端向 下延伸。下部構件615e在下部屏蔽主體629的修改的第二圓柱形下部620與第一圓柱形下部221之間徑向設置。上部構件614e在波紋管組件650的整體及修改的邊緣環628e的至少部分上方延伸。上部構件614d具有突起676，突起676具有第二底部接觸表面678。上部構件614e包括在上部構件614e的底側上設置的水平接觸表面274。水平接觸表面274接觸修改的邊緣環628e的至少部分。突起676從上部構件614e的水平接觸表面274向下延伸。第二底部接觸表面678在突起676的底端上並且形狀經調整為與修改的邊緣環628e的外部凸緣680相互作用。第二底部接觸表面678接觸外部邊緣環表面682及外部凸緣680的頂部凸緣表面684。

修改的邊緣環628e在修改的支撐夾具624e的外部凸緣266上設置。修改的邊緣環628e包括內部頂表面636、第一階梯644、及外部凸緣680。內部頂表面636與第6A圖中描述的內部頂表面636類似。第一階梯644係與修改的支撐夾具624e的外部凸緣266平行並且在外部凸緣266之上設置的水平表面。外部凸緣680係在第一階梯644下方垂直設置的凸緣。外部凸緣680包括頂部凸緣表面684及外部邊緣環表面682。外部邊緣環表面682係連接到頂部凸緣表面684並且從其徑向向外設置的斜面。頂部凸緣表面684係從第一階梯644徑向向外設置的水平表面。頂部凸緣表面684係從修改的支撐夾具624e的外部凸緣266向外徑向設置並且垂直偏移。頂部凸緣表面684及外部邊 緣環表面682在修改的支撐夾具624e上的階梯式密封環的夾具密封表面422上方設置。修改的邊緣環628e包括下部凸緣表面686。下部凸緣表面686係外部凸緣680的下表面。下部凸緣表面686在頂部凸緣表面684及外部邊緣環表面682下方設置。下部凸緣表面686從夾具密封表面422垂直偏移，使得下部凸緣表面686自由浮動。

修改的支撐夾具624e與支撐夾具224a-b類似，不同之處在於本文描述的階梯式密封環264係修改的支撐夾具624e的連續部分。在修改的支撐夾具624e中，階梯式密封環264的夾具密封表面422的大小經調整為接觸壓縮波紋管組件650的上部密封表面420。

當將修改的支撐夾具624e升高到處理位置時，壓縮波紋管組件650的上部密封表面420接觸夾具密封表面422並且壓縮波紋管612。當壓縮波紋管612時，修改的蓋環611e藉由接觸修改的邊緣環628e的第一階梯644及頂部凸緣表面684來升高。

在一些實施例中，修改的支撐夾具624a-e可具有在底部夾具表面432中形成的空腔。空腔可係在修改的支撐夾具624a-e內的凹穴並且可延伸遠到外部凸緣266下面。波紋管組件650的階梯式部分602的上部水平部分607被認為係處理腔室壁。處理腔室壁可係界定處理組件160中的腔室體積的任何壁。在一些實施例中，額外處理腔室壁包括濺射靶組件203、密封器構件208、及波紋管612。

若未在本文中另外描述，則未在第6A圖至第6E圖中圖示的部件與第1圖至第5圖中描述的部件相同。在一些實施例中，在第6A圖至第6E圖中描述的一些部件及伴隨文本可與第1圖至第5圖中描述的實施例結合。

第7圖描繪了在第2A圖至第2B圖的移送體積236及腔室體積278內移送基板的方法700。方法700藉由在第2A圖至第2B圖中描述的設備實現。在一些實施例中，方法700可包括不同於本文描述的彼等的額外處理操作。

方法700的第一操作702係使用機器人在第一區域內的基板接收位置處的基板支撐件上定位基板，諸如基板200。在第一操作702中，基板支撐件係支撐夾具224a的基板支撐表面223。基板接收位置係第2A圖的基板接收位置，其中支撐夾具224a及升舉組件220a處於其中基板200可裝載在其上的下部位置。第一區域係移送腔室組件150及其中形成的移送體積236。在第一操作702中使用的機器人係中央移送裝置145。機器人可係任何適宜的基板移送機器人。機器人在處理組件160之間移送基板200。其中基板200在第一操作702期間暴露出的壓力係移送體積壓力。移送體積壓力係約10 ^-9托至約10 ^-4，諸如約10 ^-8托至約10 ^-5托，諸如約10 ^-7托至約10 ^-6托。

方法700的第二操作704係從第一垂直位置升舉基板支撐件及基板。升舉組件220a實現基板支撐件及基板的垂直運動。基板支撐件及基板以足以加速基板處理速率的速率升舉，同時最小化對基板造成的損壞。升舉組件220a及支撐夾具224a附接到彼此並且在整個升舉操作中以相同速率得以升舉。

方法700的第三操作706係在處理位置處定位基板支撐件，使得基板在第二區域中，並且第一及第二區域彼此密封。在第三操作706中，升舉基板支撐件及基板，使得基板支撐件及基板處於如第2B圖所示的處理位置。在處理位置中，波紋管組件250與支撐夾具224a接觸並且密封在移送體積236與腔室體積278之間形成。在此實施例中，移送體積236係第一區域並且腔室體積278係第二區域。在移送體積236與腔室體積278之間提供密封實現將腔室體積278泵送到與移送體積236不同的壓力。將腔室體積278泵送到不同壓力允許在群集工具組件100a、100b內的處理組件160中的每一者內執行不同製程。

方法700的第四操作708係執行基板製造製程。基板製造製程係PVD、CVD、ALD、蝕刻、清潔、加熱、退火、及/或拋光製程中的一者。基板製造製程在腔室體積278中執行。在第2圖至第6圖中描述的腔室體積278內，基板製造製程係PVD製程。PVD製程在基板200上產生薄膜及塗層。PVD製程可沉積鉭、銅、鋁、鈷、釕、鉬、鋅、鉻、金、鈀、鈦、矽或其他金屬及含金屬化合物。

在基板上的第四操作708中執行製程之後，腔室體積278可淨化並且支撐夾具224a降低回到基板接收位置。機器人從支撐夾具224a移除支撐基板200並且方法700用不同基板重複。在一些實施例中，在基板的壽命期間，單個處理組件160可處理基板多次。

第8圖係在第3A圖至第3B圖的移送體積236及腔室體積278內移送基板200的方法800。方法800藉由第3A圖至第3B圖中描述的設備實現。在一些實施例中，方法800包括不同於本文描述的彼等的額外處理操作。

方法800的第一操作802係將支撐夾具（諸如支撐夾具224b）移動到第一區域內的機器人上的第一位置中。在第一操作802中，第一位置係在升舉組件（諸如升舉組件220b）之上的裝載位置。支撐夾具224b連同基板（諸如基板200）在處理組件160之間運輸，並且在第一操作802期間從升舉組件220b脫離。支撐夾具224b在升舉組件220b之上定位，使得升舉組件220b完全在支撐夾具224b下面設置。第一區域係在移送腔室組件150內的移送體積236。運輸基板夾具的機器人係中央移送裝置145。

儘管在第3A圖至第3B圖中圖示了轉盤，但中央移送裝置145可用其他適宜的基板及基板夾具移送裝置替換。配備移送裝置以在第一區域內運輸基板夾具及基板兩者。

在方法800的第二操作804中，升高升舉組件以接觸支撐夾具的底側。升舉組件耦接到支撐夾具的底側，使得升舉組件及支撐夾具彼此牢固地連接。升舉組件經過耦接到支撐夾具的機械臂中的中央開口，以便接觸支撐夾具的底側。升舉組件亦提供到支撐夾具的電氣連接及氣體連接。儘管升高升舉組件以接觸支撐夾具的底側，但支撐夾具仍連接到機器人並且在機器人上設置。

在第二操作804期間，支撐夾具電氣連接到升舉組件及機器人兩者，使得支撐夾具可不斷地提供對基板的加熱及夾持。不斷加熱及夾持基板輔助基板維持恆定溫度並且最小化藉由基板滑動導致的對基板背側的損壞。儘管升舉組件及機器人兩者提供用於為支撐夾具供電的電氣連接，在第二操作804期間支撐夾具的供電從機器人切換到升舉組件。

在方法800的第三操作806中，支撐夾具及基板藉由升舉組件從機器人升舉。在第三操作806期間，支撐夾具從機器人去耦。升舉組件升高支撐夾具及在支撐夾具的頂部上垂直向上設置的基板，使得支撐夾具及基板穿過第一區域朝向第二區域行進。

在方法800的第四操作808中，升舉組件在第二垂直位置處定位，使得基板處於第二區域並且第一及第二區域彼此密封。在第四操作808中，支撐夾具及基板藉由升舉組件升舉，使得支撐夾具及基板處於如第3B圖所示的處理位置。在處理位置中，波紋管組件250與支撐夾具224b接觸並且密封在移送體積236與腔室體積278之間形成。在此實施例中，移送體積236係第一區域並且腔室體積278係第二區域。在移送體積236與腔室體積278之間提供密封實現將腔室體積278泵送到與移送體積236不同的壓力。將腔室體積278泵送到不同壓力允許在群集工具組件100a、100b內的處理組件160中的每一者內執行不同製程。

方法800的第五操作810係執行基板製造製程。基板製造製程係PVD、CVD、ALD、蝕刻、清潔、加熱、退火、及/或拋光製程中的一者。基板製造製程在腔室體積278中執行。在第2圖至第6圖中描述的腔室體積278內，基板製造製程係PVD製程。PVD製程在基板200上產生薄膜及塗層。PVD製程可沉積鋅、鉻、金、鈀、鈦、銅、或其他金屬及含金屬化合物。

在基板200上的第五操作810中執行製程之後，可淨化腔室體積278並且支撐夾具224a降低回到基板接收位置。機器人從升舉組件移除支撐夾具224a並且方法800用不同基板重複。在一些實施例中，在基板的壽命期間，單個處理組件160可處理基板多次。

可組合方法700、800的元件。本文描述的方法能夠藉由第1圖至第6圖中描述的設備執行。本文描述的方法亦設想為能夠使用替代設備完成。

本文揭示的實施例涉及用於基板處理的設備及包括移送腔室組件及複數個處理組件的群集工具。本揭示大體提供在相同群集工具內的處理組件之間具有增加的處理條件靈活性的基板處理工具。

在本揭示中，基板及視情況支撐夾具在藉由移送腔室組件形成的移送體積內的處理組件之間運輸。處理組件包括在其中處理基板的處理體積。支撐夾具可在處理組件之間運輸時視情況從升舉組件脫離。當基板及支撐夾具在升舉組件上設置時，升舉組件將基板及支撐夾具升高到上部處理位置。在處於上部處理位置時，處理組件及支撐夾具的表面抵靠彼此密封以形成流體隔離的處理體積。處理體積與藉由移送腔室組件形成的移送體積流體隔離。

藉由移動升舉組件隔離處理體積與移送體積允許將處理體積中的每一者調節到不同壓力並且使得能夠在移送腔室組件內的處理組件中的每一者內執行不同基板處理步驟。甚至當每個處理步驟需要不同壓力及溫度時，不同處理步驟可在處理體積的每一者中執行。使用支撐夾具作為處理組件內的密封構件亦最小化處理體積的體積。最小化處理體積減少在每個製程期間需要的處理氣體及淨化氣體的量。在每個處理體積與移送體積之間的密封額外最小化到移送腔室中的處理氣體洩漏。

儘管上述內容涉及本揭示的實施例，可在不脫離其基本範疇的情況下設計本揭示的其他及進一步實施例，並且其範疇由以下申請專利範圍決定。

100a:群集工具組件 100b:群集工具組件 110:前開式晶圓傳送盒(FOUP) 115:FI蝕刻設備 120:工廠界面(FI) 130:裝載閘腔室 140:緩衝腔室 145:中央移送裝置 146:開口 148:緩衝腔室移送機器人 150:移送腔室組件 155:中心軸 160:處理組件 160a:處理組件 160b:處理組件 165:腔室泵 180:前端機器人腔室 185:移送機器人 190:準備腔室 196:真空泵 200:基板 201:開口 202:濺射靶 203:濺射靶組件 204:介電隔離器 205:處理組件中心軸 206:襯墊 208:密封器構件 210:蓋環 214:上部構件 215:下部構件 216a:微型處理腔室 216b:微型處理腔室 217:向內側壁 218:頂表面 220:第二圓柱形下部 220a:基板升舉組件 220b:基板升舉組件 221:第一圓柱形下部 222:上部屏蔽主體 223:基板支撐表面 224a:支撐夾具 224a-b:支撐夾具 224b:支撐夾具 225:主要支撐部分 226:環形部分 227:水平環狀部分 228:邊緣環 229:下部屏蔽主體 230:上部升舉區段 236:移送腔室體積 238:升舉組件軸件 240:電線 241:淨化氣源 242:氣體線 243:背側氣體出口 244:電源 246:致動器 250:波紋管組件 261:底表面 264:階梯式密封環 266:外部凸緣 272:下部環形部分 274:水平接觸表面 278:腔室體積 285:處理部件 286:AC電源 287:馬達 289:磁控管支撐壁 291:軸件 292:板及密封組件 293:底板 294:磁體 295:磁控管組件 296:蓋構件 297:流體供應器 298:流體排出器 299:磁控管體積 302:移送腔室組件蓋 304:頂表面 306:移送裝置連接 308:下表面 310:夾具移送連接 312:夾具升舉組件連接 316:頂表面 318:夾具連接 320:頂表面 325:裝置開口 326:氣體連接接收器 330:移送裝置電源 402:外部凸緣部分 404:階梯式部分 406:徑向內壁 408:徑向外壁 410:上部波紋管環 412:波紋管 414:下部波紋管環 416:下表面 418:上表面 420:上部密封表面 422:夾具密封表面 424:中間頂表面 426:處理氣體入口 428:底表面 430:頂表面 432:底部夾具表面 434:外部頂表面 436:內部頂表面 438:邊緣環底表面 452:較低力 453:較高力 454:底表面 455:頂表面 502:中間泵送區域 504:第一泵送線區段 506:第二泵送線區段 508:第三泵送線區段 510:移送體積線 512:泵送線 514:中間區域泵 515:第一O形環溝槽 516:第二O形環溝槽 517:第一O形環 518:移送體積泵 519:第二O形環 520:氣源 522:O形環 524:冷卻通道 528:入口氣體通路 530:出口氣體通路 532:入口氣室 534:懸架 536:氣體出口 538:頂表面 540:排放氣室 542:O形環 546:排放泵 548:外壁 550:入口流動箭頭 552:溝槽 554:溝槽 556:支撐凸緣 560:排放流動箭頭 602:階梯式部分 603:水平波紋管附接部分 605:上部波紋管環 606:垂直部分 607:上部水平部分 608:波紋管停止器 609:支撐夾具裙部 610:上部波紋管環 611a:蓋環 611b:蓋環 611c:蓋環 611d:蓋環 611e:蓋環 612:波紋管 614a:上部構件 614b:上部構件 614c:上部構件 614d:上部構件 614e:上部構件 615a:下部構件 615b:下部構件 615c:下部構件 615d:下部構件 615e:下部構件 616:下部水平部分 620:修改的第二圓柱形下部 622:上部接觸表面 624:中間頂表面 624a:支撐夾具 624b:支撐夾具 624c:支撐夾具 624d:支撐夾具 624e:支撐夾具 628a:邊緣環 628b:邊緣環 628c:邊緣環 628d:邊緣環 628e:邊緣環 629:下部屏蔽主體 634:外部頂表面 636:內部頂表面 640:波紋管接收表面 644:第一階梯 646:第二階梯 648:第三階梯 650:波紋管組件 652:向下突起 654:波紋管支撐表面 660:裙部支撐表面 661:支撐元件 662:階梯式元件 663:接觸元件 676:突起 678:第二底部接觸表面 680:外部凸緣 682:外部邊緣環表面 684:頂部凸緣表面 686:下部凸緣表面 700:方法 702:第一操作 704:第二操作 706:第三操作 708:第四操作 800:方法 802:第一操作 804:第二操作 806:第三操作 808:第四操作 810:第五操作

為了能夠詳細理解本揭示的上述特徵所用方式，可參考實施例進行對上文簡要概述的本揭示的更特定描述，一些實施例在附圖中示出。然而，將注意，附圖僅示出本揭示的常見實施例，並且由此不被認為限制其範疇，因為本揭示可允許其他等同有效的實施例。

第1A圖至第1B圖係如本文描述的具有移送腔室組件及處理組件的群集工具組件的平面圖。

第2A圖至第2B圖係根據第一實施例的移送腔室組件及處理組件的示意性橫截面圖。

第3A圖至第3B圖係根據第二實施例的移送腔室組件及處理組件的示意性橫截面圖。

第4A圖至第4C圖係根據第2B圖及第3B圖的在密封環與波紋管組件之間的界面的示意性特寫橫截面圖。

第5圖係根據第2B圖及第3B圖的在密封環與波紋管組件之間修改的界面以及氣體入口及出口的示意性特寫橫截面圖。

第6A圖至第6E圖係根據第2B圖及第3B圖的在密封環與波紋管組件之間的交替界面的示意性特寫橫截面圖。

第7圖係在第2A圖至第2B圖的移送體積及腔室體積內移送基板的方法。

第8圖係在第3A圖至第3B圖的移送體積及腔室體積內移送基板的方法。

為了便於理解，相同元件符號在可能的情況下已經用於標識圖中共有的相同元件。可以預期，一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例中，而無需進一步敘述

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

145:中央移送裝置

150:移送腔室組件

160b:處理組件

201:開口

202:濺射靶

203:濺射靶組件

204:介電隔離器

205:處理組件中心軸

206:襯墊

208:密封器構件

210:蓋環

214:上部構件

215:下部構件

216b:微型處理腔室

217:向內側壁

218:頂表面

220:第二圓柱形下部

220b:基板升舉組件

221:第一圓柱形下部

222:上部屏蔽主體

224b:支撐夾具

225:主要支撐部分

226:環形部分

227:水平環狀部分

229:下部屏蔽主體

230:上部升舉區段

236:移送腔室體積

238:升舉組件軸件

240:電線

241:淨化氣源

242:氣體線

243:背側氣體出口

244:電源

246:致動器

250:波紋管組件

264:階梯式密封環

272:下部環形部分

274:水平接觸表面

278:腔室體積

285:處理部件

286:AC電源

287:馬達

289:磁控管支撐壁

291:軸件

292:板及密封組件

293:底板

294:磁體

295:磁控管組件

296:蓋構件

297:流體供應器

298:流體排出器

299:磁控管體積

302:移送腔室組件蓋

304:頂表面

306:移送裝置連接

310:夾具移送連接

312:夾具升舉組件連接

318:夾具連接

320:頂表面

325:裝置開口

326:氣體連接接收器

330:移送裝置電源

Claims (14)

1. 一種經構造為同時處理複數個基板的設備，包含：一移送組件，具有界定一移送裝置；一支撐夾具，包含：一基板支撐表面；一邊緣環，設置在該基板支撐表面外側；及一密封環，具有一夾具密封表面，其中該夾具密封表面在該支撐夾具的該基板支撐表面周圍設置；以及一處理組件，耦接至一移送體積，其中該處理組件包含：一或多個處理腔室壁，部分地界定一處理腔室體積；一升舉組件，經構造為在一移送位置與一處理位置之間移動該支撐夾具；及一波紋管組件，該波紋管組件包含：一環；一波紋管；及一階梯式部分，藉由該波紋管耦接至該環，該階梯式部分包含一上部密封表面，其中：當該支撐夾具處於該處理位置時，該上部密封表面與該夾具密封表面接觸並形成一隔離密封，該隔離密封形成與該移送體積流體隔離的一經密封的處理腔室體積，並且 該經密封的處理腔室體積由部分地界定的該處理腔室體積、波紋管組件及該支撐夾具形成，並且當該支撐夾具處於該移送位置時，該移送體積與部分地界定的該處理腔室體積流體連通。
2. 如請求項1所述的設備，其中該上部密封表面中設置有與該夾具密封表面流體連通的一通道，並且其中該夾具密封表面具有其中設置有一對應O形環的一或多個溝槽。
3. 如請求項1所述的設備，其中該移送體積與一第一真空泵流體連通並且該處理腔室體積與一第二真空泵流體連通。
4. 如請求項1所述的設備，其中該波紋管組件耦接到該上部密封表面。
5. 如請求項4所述的設備，其中該波紋管組件係一壓縮波紋管組件並且經構造為當該夾具密封表面抵靠該上部密封表面定位時壓縮。
6. 如請求項4所述的設備，其中該波紋管組件係一膨脹波紋管組件並且經構造為當該夾具密封表面抵靠該上部密封表面定位時膨脹。
7. 如請求項5所述的設備，其中該波紋管組件及該上部密封表面係一腔室密封構件的部分，該腔室密封構件進一步包含連接到該波紋管組件的一底部波紋管支撐環。
8. 一種經構造為同時處理複數個基板的設備， 包含：一個或多個處理組件，其中該等處理組件的每一個各自包含：一個或多個處理腔室壁，部分地界定一處理腔室體積；一移送體積；一支撐夾具，配置成在該處理腔室體積和該移送體積之間平移，該支撐夾具包含：一基板支撐表面；及一夾具密封表面，設置在該支撐夾具的該基板支撐表面周圍；一磁控管組件；一升舉組件，設置在該移送體積中，與該磁控管組件相對，該升舉組件經構造為在一移送位置與一處理位置之間越過該移送體積而移動該支撐夾具；及一波紋管組件，該波紋管組件包含：一環；一波紋管；及一階梯式部分，藉由該波紋管耦接至該環，該階梯式部分包含一上部密封表面，其中當該支撐夾具處於該處理位置時，該上部密封表面與該夾具密封表面接觸並形成一隔離密封，當該支撐夾具處於該處理位置時，該隔離密封形成與該移送體積流體隔離的一經密封的處理腔室體積， 當該支撐夾具處於該移送位置時，該夾具密封表面與該上部密封表面分離，並且該經密封的處理腔室體積由部分地界定的該處理腔室體積、波紋管組件及該支撐夾具形成，並且當該支撐夾具處於該移送位置時，該移送體積與部分界定的該處理腔室體積流體連通。
9. 如請求項8所述的設備，其中該夾具密封表面及該上部密封表面具有一重疊的環形表面區域並且形成該隔離密封。
10. 如請求項8所述的設備，其中一邊緣環設置在該基板支撐表面與該夾具密封表面之間。
11. 如請求項10所述的設備，其中該邊緣環包含一環形頂表面並且一蓋環設置在具有一水平接觸表面的該腔室體積內，該水平接觸表面具有與該環形頂表面重疊的一環形表面。
12. 如請求項11所述的設備，其中當該夾具密封表面抵靠該上部密封表面定位時，該環形頂表面及該水平接觸表面彼此接觸。
13. 一種處理一基板的方法，包含以下步驟：將在一支撐夾具上的一基板從一移送體積內的一機器人移送裝置定位到一第一位置中；升高一升舉組件以耦接到該支撐夾具；從該機器人移送裝置脫離該支撐夾具；用該升舉組件將該支撐夾具升高到一第二位置； 抵靠一上部密封表面密封一夾具密封表面以形成一腔室體積，其中該腔室體積與該移送體積流體隔離；以及在該腔室體積中處理該基板。
14. 如請求項13所述的方法，進一步包含以下步驟：將該腔室體積泵送到與該移送體積內的一壓力不同的一壓力。

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