TWI878168B - 應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統 - Google Patents

Abstract

一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，包含至少一具薄膜之載體，薄膜具一薄膜厚度；至少一聲波單元，設於載體之周側並實時偵測薄膜厚度的變化而產生一諧振頻率；一計算單元接收及處理聲波元件偵測產生的諧振頻率。計算單元由〔薄膜厚度-諧振頻率〕數值得至少一校正前膜厚頻率二維座標系，還由〔腔體溫度-諧振頻率〕數值得至少一溫度頻率代償二維座標系；計算單元再將校正前膜厚頻率二維座標系和溫度頻率代償二維座標系運算得一膜厚測量三維座標系，供測量時內插搜尋得到薄膜厚度，可實時偵測反饋薄膜厚度，準確率高，提高鍍膜良率。

Description

應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統

本創作與薄膜厚度測量有關，特別是指一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統。

按，在例如晶圓載體上進行鍍膜時，需要根據鍍膜的厚度以進行各項作業參數的調整，且鍍膜的厚度還供作其他數據的計算。而目前常用於鍍膜厚度測量的聲波元件有Surface Acoustic Wave（簡稱SAW）、Film Bulk Acoustic Resonator（簡稱FBAR）、Bulk Acoustic Waves-Solidly Mounted Resonator（簡稱BAW-SMR）等，利用偵測諧振頻率以換算得到鍍膜的厚度。然而隨着鍍膜厚度增加，或鍍膜時腔體溫度上升，均影響偵測得到的諧振頻率，導致以該諧振頻率換算得到的鍍膜厚度與實際鍍膜厚度偏差較大。爲避免腔體溫度影響所測得諧振頻率的準確度，業者只有在鍍膜完成待晶圓載體及聲波元件冷卻後才進行膜厚量測及諧振頻率數據收集，然而離線測量必須反覆地在腔體破真空後再抽真空的狀態下進行量測，這樣除了額外耗費時間外，還無法實時得知鍍膜過程中鍍膜厚度的變化，以馬上進行相應的作業調整，且停止鍍膜再啓動後，新舊膜層之間有銜接誤差，存在鍍膜良率降低且報廢重來之問題。

另外，某些習用技術是在聲波元件採用溫度補償層（例如SiO ₂）以代償鍍膜時聲波元件的溫度變化，但此方式僅能降低溫度對諧振頻率的干擾，仍然不能持續不間斷地偵測鍍膜過程中鍍膜厚度的變化。且此類習用技術僅考量溫度變化對諧振頻率的影響，並未將鍍膜厚度增加所導致的諧振頻率變化共同納入變數比對以計算得到準確之鍍膜厚度。由此可見，習用技術既不具有實時監控鍍膜厚度變化之功能，亦無法提供一精確之諧振頻率以換算得到準確的鍍膜厚度。

有鑒於此，故如何解決上述問題，即為本發明所欲解決之首要課題。

本發明之主要目的，在於提供一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，藉由薄膜厚度與諧振頻率構成之校正前膜厚頻率二維座標系，及溫度與諧振頻率構成之溫度頻率代償二維座標系，構成一包含腔體溫度、薄膜厚度及諧振頻率對應數值之膜厚測量三維座標系，透過實時測量得到的腔體溫度和諧振頻率於該膜厚測量三維座標系內插搜尋，即可得到一（腔體溫度-諧振頻率-薄膜厚度）之三維座標，從而實時得到薄膜厚度，不僅可實時偵測薄膜厚度變化以調整作業參數，還可快速獲得薄膜厚度相關數值，縮短測量所需時間。

爲達前述之目的，本發明提供一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，該系統包含：

至少一載體，其表面鍍有一薄膜，該薄膜具有一薄膜厚度；

至少一聲波元件，設於該載體之周側，用以實時偵測該薄膜厚度的變化，並產生一諧振頻率；

一計算單元，用以接收及處理該聲波元件偵測產生的諧振頻率；

當持續於該載體之表面鍍薄膜時，該聲波元件的表面也會被鍍上相同的薄膜以實時偵測該薄膜厚度變化，該聲波元件所產生的諧振頻率隨該薄膜厚度的增加而降低，在固定溫度條件下，由該計算單元透過〔薄膜厚度-諧振頻率〕測量數值對應產生至少一校正前膜厚頻率二維座標系；

當腔體溫度持續上升，該聲波元件的溫度隨之上升時，該聲波元件實時偵測該薄膜厚度所產生的諧振頻率隨溫度的升高而降低，在固定薄膜厚度條件下，由該計算單元透過〔腔體溫度-諧振頻率〕測量數值對應產生至少一溫度頻率代償二維座標系；

該計算單元進一步將該些校正前膜厚頻率二維座標系和該些溫度頻率代償二維座標系綜合運算產生一膜厚測量三維座標系，可獲得包含腔體溫度、薄膜厚度及諧振頻率對應數值之三維座標，藉以使該聲波元件偵測該薄膜厚度時，可將偵測之諧振頻率值、腔體溫度於該膜厚測量三維座標系進行內插搜尋，獲得一〔腔體溫度-薄膜厚度-諧振頻率〕之三維座標值，即可得到所對應之薄膜厚度，並以間歇式測量鍍膜過程中腔體溫度及諧振頻率而達到即時量測薄膜厚度之作用。

較優地，該聲波元件的諧振頻率介於1GHz〜10GHz。

較優地，該聲波元件實時偵測該載體之薄膜厚度變化時，薄膜厚度每增加1nm，該聲波元件的諧振頻率變化介於1KHz〜20MHz。

較優地，該系統適用於溫度變化範圍爲0℃〜150℃，所鍍的薄膜厚度範圍爲1nm〜1000nm之載體鍍膜環境。

較優地，該些載體面向一鍍膜來源，該鍍膜來源與該些載體之間設有複數個擋片，該些擋片與該計算單元通訊，根據該計算單元實時偵測得到之薄膜厚度，控制改變該些擋片與該載體之間的相對位置，以調整該鍍膜來源對該載體鍍膜的均勻度。

較優地，該些載體的鍍膜過程結束，轉爲進行蝕刻作業時，該些聲波元件亦配合該計算單元實時測得薄膜厚度，以調整薄膜蝕刻深度。

較優地，數個聲波元件陣列排佈於各載體之周側，各聲波元件對應設置一MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）開關元件，使該些MEMS開關元件形成陣列排設，並藉由啓閉該些MEMS開關以決定所對應之聲波元件運作或關閉。

較佳地，各該載體對應地置放於一沉積區域，或將該沉積區域貼近於該載體周側佈設，各該MEMS開關元件對應該聲波元件之一側的表面積大於該聲波元件之諧振有效區域，以完全遮蔽該聲波元件之諧振有效區域繼而控制該聲波元件運作。

較佳地，上述即時量測薄膜厚度之系統在載體鍍膜時包含以下運作步驟：

步驟一，各聲波元件還分別設在與一鍍膜來源不同距離處，以收集不同環境條件的諧振頻率；

步驟二，該計算單元接收上述諧振頻率並透過運作該即時量測薄膜厚度之系統計算獲得一膜厚沉積率，並將該膜厚沉積率之數據回傳至一控制系統；

步驟三，該控制系統調整各擋片對該鍍膜來源的遮擋面積、遮擋角度及遮擋距離；

步驟四，重複步驟二並判斷是否達到目標膜厚沉積率，若未達到則重複步驟三，若達到則執行步驟五；

步驟五，固定擋片的參數。

較佳地，步驟一中，鍍膜前該腔體內升溫並測試該聲波元件所產生的諧振頻率，判斷該諧振頻率在一校正範圍內後再進行鍍膜測量，而在鍍膜測量過程中偵測該諧振頻率的變化並比對是否超出經校正後的諧振頻率範圍，判斷該聲波元件能否正常運作。

而本發明之上述目的與優點，不難從下述所選用實施例之詳細說明與附圖中獲得深入了解。

如第1圖至第11圖所示，爲本發明實施例所提供的一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，該系統包含至少一載體、至少一聲波元件、一計算單元。

請參閱第9圖所示，本實施例中設置有三個載體，各載體之周側均設有一聲波元件，用以實時偵測鍍膜時形成於該載體表面之薄膜厚度的變化，並產生一諧振頻率，該聲波元件的諧振頻率介於1GHz〜10GHz。該聲波元件爲Surface Acoustic Wave（簡稱SAW）、Film Bulk Acoustic Resonator（簡稱FBAR）、Bulk Acoustic Waves-Solidly Mounted Resonator（簡稱BAW-SMR中其中一種，上述聲波元件均隨溫度改變而發生頻率變化。本實施例之聲波元件爲FBAR。

承上，當持續於該載體之表面鍍薄膜時，該聲波元件的表面也會被鍍上相同的薄膜以實時偵測該薄膜厚度變化，該聲波元件所產生的諧振頻率隨該薄膜厚度的增加而降低。需特別說明，該薄膜厚度每增加1nm時，該聲波元件的諧振頻率變化介於1KHz〜20MHz。在固定溫度條件下，由該計算單元透過〔薄膜厚度-諧振頻率〕測量數值對應產生一如第1圖所示之校正前膜厚頻率二維座標系。本發明在腔體溫度分別穩定爲25℃、40℃、50℃和100℃的條件下，分別測量隨薄膜厚度增加，諧振頻率的變化，由該計算單元透過偵測在4個不同溫度條件下，得到不同薄膜厚度產生的〔薄膜厚度-諧振頻率〕測量數值，進而獲得所對應之校正前膜厚頻率二維座標系。

請參見第2圖所示曲線爲不同諧振面積之聲波元件在腔體溫度25℃條件下，薄膜厚度與諧振頻率之間的關係圖。其中聲波元件之諧振面積分別爲6400um ²、10000 um ²、14400 um ²及25600 um ²，以及薄膜厚度分別爲0nm（即未鍍膜）、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm及50nm的條件下，聲波元件偵測得到的諧振頻率隨鍍膜厚度增加而逐漸降低。從上述校正前膜厚頻率二維座標系可見，在腔體溫度不變的條件下，載體的薄膜厚度增加，而聲波單元所偵測獲得的諧振頻率逐漸降低。

當腔體溫度持續上升，該聲波元件的溫度隨之上升時，該聲波元件實時偵測該薄膜厚度所產生的諧振頻率隨溫度的升高而降低。在固定薄膜厚度條件下，由該計算單元透過偵測得到的〔腔體溫度-諧振頻率〕測量數值對應產生一如第3圖所示之溫度頻率代償二維座標系。進一步地，當聲波元件的有效諧振面積為6400 um ²，本發明在載體與聲波元件具有0nm（即未鍍膜）、5nm、10nm、15nm、30nm和50nm不同薄膜厚度時，腔體溫度分別爲25℃、40℃、50℃、100℃的條件下，測量並記錄隨溫度升高其諧振頻率的變化，由該計算單元透過偵測得到不同薄膜厚度對應4個不同溫度條件產生的〔腔體溫度-諧振頻率〕測量數值，進而獲得所對應之溫度頻率代償二維座標系，並將上述校正前溫度頻率代償二維座標系彙整如第4圖所示，從上述溫度頻率代償二維座標系可見，在載體薄膜厚度不變的條件下，腔體溫度逐漸增高，而聲波單元所偵測獲得的諧振頻率逐漸降低。

接着，該計算單元進一步將該些校正前膜厚頻率二維座標系和該些溫度頻率代償座標系綜合運算產生一如第5圖所示之膜厚測量三維座標系，可獲得包含腔體溫度、薄膜厚度及諧振頻率對應數值之三維座標，藉以使該聲波元件偵測該薄膜厚度時，可將偵測之諧振頻率、腔體溫度於該膜厚測量三維座標系進行內插搜尋，獲得一〔腔體溫度-薄膜厚度-諧振頻率〕之三維座標值，即可得到所對應之薄膜厚度，並以間歇式測量鍍膜過程中腔體溫度及諧振頻率而達到即時量測薄膜厚度之作用，該系統適用於溫度變化範圍爲0℃〜150℃，所鍍的薄膜厚度範圍爲1nm〜1000nm之載體鍍膜環境。

其中，如第9圖和第10圖所示，該些載體2面向一鍍膜來源4，該鍍膜來源4以濺射方式令鍍膜材料於載體2表面形成一薄膜，鍍膜方法可以爲蒸鍍、濺鍍或化學氣相沉積鍍膜。該鍍膜來源4與該些載體2之間設有複數個擋片5。在本實施例中設置三個載體2面對一鍍膜來源4，並於該鍍膜來源4與該些載體2之間設有至少2片可左右擺動之擋片5。該些擋片5與該計算單元通訊，計算單元依據實時偵測之腔體溫度及諧振頻率於該膜厚量測三維座標系得到實時薄膜厚度，根據實時薄膜厚度控制改變該些擋片5與該載體2之間的相對位置，以調整該鍍膜來源對該載體鍍膜的均勻度。詳言之，擋片5用以調整鍍膜來源之鍍膜速率，其對鍍膜來源4或載體2的遮擋面積與膜厚成反比關係，當薄膜厚度鍍得越厚標示越接近目標設定厚度，此時要放慢鍍膜速率，因此計算單元控制擋片5移動增加遮擋面積、調整遮擋角度以及遮擋距離，從而降低鍍膜速率，保證載體鍍膜的均勻度。

如第8圖所示進一步說明，本發明數個聲波元件1陣列排佈於各載體2周側，各聲波元件1對應設置一MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）開關元件3，使該些MEMS開關元件3形成陣列排設。進一步說明，各該載體對應地置放於一沉積區域，於其他可實施之態樣中亦可將該沉積區域貼近該載體佈設。各該MEMS開關元件對應該聲波元件之一側的表面積大於該聲波元件的諧振有效區域，以完全遮蔽該聲波元件1，而藉由啓閉該些MEMS開關3以決定所對應之聲波元件1運作或關閉，即該MEMS開關3打開，其對應之聲波元件1運作並產生諧振頻率；若MEMS開關3閉合，則所對應之聲波元件1關閉停止運作，實現根據所需測量的載體數量靈活調整相應運作的聲波元件。在薄膜厚度測量過程中，開啓至少一聲波元件作爲測量組監測載體的薄膜厚度變化，並可於不同鍍膜時間及溫度開啓另外一聲波元件作爲對比組，以對照組偵測之諧振頻率與測量組之數據比對用以判斷測量組偵測之諧振頻率是否有問題。抑或使用一段時間後，例如1000小時後開啓對比組來驗證聲波元件的準確性。

另外，第2圖、第6圖和第7圖所示曲線爲聲波元件之諧振面積、SiO ₂膜層厚度與諧振頻率之間的關係圖，在腔體溫度分別爲25℃、40℃，以及薄膜厚度分別爲0nm（即未鍍膜）、5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm以及聲波元件之有效諧振面積爲6400um ²、10000um ²、14400um ²、25600um ²的條件下，聲波元件偵測得到的諧振頻率隨聲波元件之有效諧振面積的增加而上升，但隨膜層厚度的增加而降低。據此可透過MEMS開關半開或部分開啓微調即時薄膜厚度測量系統，亦可用於校正溫度升高引起的諧振頻率飄移。

如第11圖所示，本發明之應用聲波元件即時測量薄膜厚度之系統在載體鍍膜時包含以下運作步驟：

步驟一，各聲波元件還分別設在與一鍍膜來源的不同距離處，以收集不同環境條件（如腔體溫度）的諧振頻率；鍍膜前該腔體內升溫並測試該聲波元件所產生的諧振頻率，判斷該諧振頻率在一校正範圍內後再進行鍍膜測量，而在鍍膜測量過程中偵測該諧振頻率的變化並比對是否超出經校正後的諧振頻率範圍，判斷該聲波元件是否正常運作，判斷正常運作後再執行步驟二；

步驟二，該計算單元接收上述諧振頻率並透過運作該即時量測薄膜厚度之系統計算獲得一膜厚沉積率，並將該膜厚沉積率之數據回傳至一控制系統；

步驟三，該控制系統調整各擋片對該鍍膜來源的遮擋面積、遮擋角度及遮擋距離；

步驟四，重複步驟二並判斷是否達到目標膜厚沉積率，若未達到則重複步驟三，若達到則執行步驟五；

步驟五，固定擋片的參數。

本發明還可應用於鍍膜完成後的蝕刻作業，利用鍍膜時薄膜厚度增加則諧振頻率變低，蝕刻薄膜時薄膜厚度減少則諧振頻率增加且腔體溫度升高則頻率降低的原理。在該些載體的鍍膜過程結束後，轉爲進行蝕刻作業時，該些聲波元件亦配合該計算單元實時測得薄膜厚度，計算單元根據諧振頻率的增加得到薄膜蝕刻深度，繼而根據工藝需求調整薄膜蝕刻深度。

從上述實施例可見，本創作所提供的應用聲波元件即時測量薄膜厚度之系統可達下列改善效果：

第一，實時偵測反饋薄膜厚度，提高鍍膜良率；本發明透過構建一包含腔體溫度、薄膜厚度和諧振頻率之膜厚計算三維座標系，實際使用時僅需偵測腔體溫度及諧振頻率，並將上述二數據於該膜厚計算三維座標系內插搜尋，即可得到準確之薄膜厚度，計算效率高，且實時回饋製程中關鍵參數薄膜厚度，有利於操作人員及時調整作業參數，保證鍍膜的均勻度，提高鍍膜良率。

第二，自動代償腔體溫度導致的諧振頻率變化，結果準確度高；習用技術採用溫度補償層以代償鍍膜時腔體的溫度變化，但因溫度補償層無法根據生產實際情況靈活調整，導致其代償的溫度變化並不準確。而本發明透過大量的實驗數據而建立的膜厚計算三維座標系，囊括了不同腔體溫度條件下對應的諧振頻率，在膜厚計算三維座標系中以該諧振頻率代償實際測得之諧振頻率，從而得到準確的薄膜厚度。

第三，可以靈活選擇聲波元件；相較習用技術，本發明無需在聲波元件加入溫度補償層後方可對載體鍍膜進行膜厚偵測，因此大部分的聲波元件適用於本發明。

第四，可應用於不同工序之膜厚偵測；本發明可應用於鍍膜及蝕刻時的實時膜厚偵測，當鍍膜過程結束後即可立刻轉爲蝕刻作業，本發明之聲波元件亦配合計算單元實時偵測薄膜厚度，利用鍍膜時薄膜厚度增加則諧振頻率變低，蝕刻薄膜時薄膜厚度減少則諧振頻率增加且腔體溫度升高則頻率降低的原理，計算單元根據諧振頻率的增加得到薄膜蝕刻深度，繼而根據工藝需求調整薄膜蝕刻深度。

惟，以上所述者，僅爲本發明之一較佳實施例而已，當不能以之限定本發明之範圍，即大凡依申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

綜上所述，當可使熟知本項技藝者明瞭本發明確可達成前述目的，實已符合專利法之規定，故依法提出申請。

聲波元件1 載體2 MEMS開關元件3 鍍膜來源4 擋片5

第1圖為本發明之校正前膜厚頻率二維座標系圖。 第2圖爲本發明之25℃條件下不同諧振面積的聲波元件之薄膜厚度-諧振頻率二維座標曲線圖。 第3圖爲本發明之溫度頻率代償二維座標系圖。 第4圖爲本發明之具不同鍍膜厚度的聲波元件之溫度頻率代償二維座標系圖。 第5圖爲本發明之膜厚測量三維座標系圖。 第6圖爲本發明之25℃條件下不同膜厚的聲波元件之諧振面積-諧振頻率二維座標曲線圖。 第7圖爲本發明之40℃條件下不同膜厚的聲波元件之諧振面積-諧振頻率二維座標曲線圖。 第8圖爲本發明之聲波元件與MEMS開關元件之位置結構示意圖。 第9圖為本發明之鍍膜來源與載體之位置結構示意圖。 第10圖爲本發明之各部件連接關係之方塊示意圖。 第11圖爲本發明之膜厚監控及修正之流程示意圖。

Claims (10)

1. 一種應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，該系統包含： 至少一載體，於一腔體內進行鍍膜，其表面鍍有一薄膜，該薄膜具有一薄膜厚度； 至少一聲波元件，設於該載體之周側，用以實時偵測該薄膜厚度的變化，並產生一諧振頻率； 一計算單元，用以接收及處理該聲波元件偵測產生的諧振頻率； 當持續於該載體之表面鍍薄膜時，該聲波元件的表面也會被鍍上相同的薄膜以實時偵測該薄膜厚度變化，該聲波元件所產生的諧振頻率隨該薄膜厚度的增加而降低，在固定溫度條件下，由該計算單元透過〔薄膜厚度-諧振頻率〕測量數值對應產生至少一校正前膜厚頻率二維座標系； 當該腔體之腔體溫度持續上升，該聲波元件的溫度隨之上升時，該聲波元件實時偵測該薄膜厚度所產生的諧振頻率隨溫度的升高而降低，在固定薄膜厚度條件下，由該計算單元透過〔腔體溫度-諧振頻率〕測量數值對應產生至少一溫度頻率代償二維座標系； 該計算單元進一步將該些校正前膜厚頻率二維座標系和該些溫度頻率代償二維座標系綜合運算產生一膜厚測量三維座標系，可獲得包含腔體溫度、薄膜厚度及諧振頻率對應數值之三維座標，藉以使該聲波元件偵測該薄膜厚度時，可將偵測之諧振頻率值、腔體溫度於該膜厚測量三維座標系進行內插搜尋，獲得一〔腔體溫度-薄膜厚度-諧振頻率〕之三維座標值，即可得到所對應之薄膜厚度，並以間歇式測量鍍膜過程中腔體溫度及諧振頻率而達到即時量測薄膜厚度之作用。
2. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，該聲波元件的諧振頻率介於1GHz〜10GHz。
3. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，該聲波元件實時偵測該載體之該薄膜厚度變化時，該薄膜厚度每增加1nm，該聲波元件的諧振頻率變化介於1KHz〜20MHz。
4. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，該系統適用於溫度變化範圍爲0℃〜150℃，所鍍的該薄膜厚度範圍爲1nm〜1000nm之載體鍍膜環境。
5. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，該些載體面向一鍍膜來源，該鍍膜來源與該些載體之間設有複數個擋片，該些擋片與該計算單元通訊，根據該計算單元實時偵測得到之薄膜厚度，控制改變該些擋片與該載體之間的相對位置，以調整該鍍膜來源對該載體鍍膜的均勻度。
6. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，該些載體的鍍膜過程結束，轉爲進行蝕刻作業時，該些聲波元件亦配合該計算單元實時測得薄膜厚度，以調整薄膜蝕刻深度。
7. 如請求項1所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中， 數個聲波元件陣列排佈於各載體之周側，各聲波元件對應設置一MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）開關元件，使該些MEMS開關元件形成陣列排設，並藉由啓閉該些MEMS開關以決定所對應之聲波元件運作或關閉。
8. 如請求項7所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，各該載體對應地置放於一沉積區域，或將該沉積區域貼近於該載體周側佈設，各該MEMS開關元件對應該聲波元件之一側的表面積大於該聲波元件之諧振有效區域，以完全遮蔽該聲波元件之諧振有效區域繼而控制該聲波元件運作。
9. 如請求項1至請求項8任一項所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，上述即時量測薄膜厚度之系統在載體鍍膜時包含以下運作步驟： 步驟一，各聲波元件還分別設在與一鍍膜來源的不同距離處，以收集不同環境條件的諧振頻率； 步驟二，該計算單元接收上述諧振頻率並透過運作該即時量測薄膜厚度之系統計算獲得一膜厚沉積率，並將該膜厚沉積率之數據回傳至一控制系統； 步驟三，該控制系統調整各擋片對該鍍膜來源的遮擋面積、遮擋角度及遮擋距離； 步驟四，重複步驟二並判斷是否達到目標膜厚沉積率，若未達到則重複步驟三，若達到則執行步驟五； 步驟五，固定擋片的參數。
10. 如請求項9所述之應用聲波元件即時量測薄膜厚度之系統，其中，步驟一中，鍍膜前該腔體內升溫並測試該聲波元件所產生的諧振頻率，判斷該諧振頻率在一校正範圍內後再進行鍍膜測量，而在鍍膜測量過程中偵測該諧振頻率的變化並比對是否超出經校正後的諧振頻率範圍，判斷該聲波元件能否正常運作。