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TWI877004B - 插座總成 - Google Patents

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TWI877004B
TWI877004B TW113118622A TW113118622A TWI877004B TW I877004 B TWI877004 B TW I877004B TW 113118622 A TW113118622 A TW 113118622A TW 113118622 A TW113118622 A TW 113118622A TW I877004 B TWI877004 B TW I877004B
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groove
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TW113118622A
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Inventor
俊良 劉
陳和也
Original Assignee
大陸商芯卓科技（浙江）有限公司
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Abstract

本揭露提供一種插座總成。插座總成包含主體、多個屏蔽件及多個彈性探針。主體具有多個穿孔以及多個溝槽。多個穿孔用以容置多個彈性探針。任意相鄰的二個穿孔間設有至少一個溝槽。多個屏蔽件插設於多個溝槽中。

Description

插座總成
本揭露是關於一種插座總成。特別是關於一種具有屏蔽功能的插座總成，且所述插座總成用於晶片測試插座。
晶片在封裝形成封裝晶片（package IC）後皆需進行檢測，以過濾不良之封裝晶片。其中，封裝晶片一般使用具有測試探針的插座（socket）進行檢測，而插座所搭配的探針普遍使用彈簧探針（pogo pin）。彈簧探針一端與插座上的電路板接觸，另一端與封裝晶片的引脚接觸，如此以進行測試。
然而，因為插座用以容置彈性探針的穿孔彼此間距離很近，使得測試過程中相鄰彈性探針的訊號會形成彼此干擾導致測試結果不如預期，此種干擾在高頻訊號測試時更為明顯。因此，如何改善訊號干擾以提升測試的穩定向與準確性，為本領域亟待解决之問題。
上文的“先前技術”說明僅是提供背景技術，並未承認上文的“先前技術”說明揭示本揭露的標的，不構成本揭露的先前技術，且上文的“先前技術”的任何說明均不應作為本案的任一部分。
有鑒於此，為解决先前技術測試訊號干擾的問題，本揭露的目的在於提供一種插座總成。
本揭露的一實施例提供一種用於一晶片測試插座（IC test socket）之插座總成，插座總成包含主體、複數第一屏蔽件、複數第二屏蔽件及複數彈性探針。主體具有上表面、相對於上表面之下表面、複數第一穿孔陣列、複數第二穿孔陣列、複數第一溝槽以及複數第二溝槽。每個第一穿孔陣列包含複數第一穿孔，第一穿孔沿第一方向排列。每個第二穿孔陣列包含複數第二穿孔，第二穿孔沿第二方向排列。每個第一溝槽沿第一方向延伸，任意相鄰的二個第一穿孔陣列間設有一個第一溝槽。每個第二溝槽沿第二方向延伸，任意相鄰的二個第二穿孔陣列間設有一個第二溝槽。每個第一屏蔽件具有第一表面，複數第一屏蔽件插設於複數第一溝槽。每個第二屏蔽件具有第二表面，複數第二屏蔽件插設於複數第二溝槽。複數彈性探針設置於複數第一穿孔及複數第二穿孔。複數第一屏蔽件的第一表面與下表面具有第一間距，複數第二屏蔽件的第二表面與下表面具有第二間距。
本揭露的另一實施例提供一插座總成，包含主體、複數屏蔽件及複數彈性探針。複數穿孔之至少一第一部分之穿孔形成複數第一穿孔陣列。複數穿孔之至少一第二部分之穿孔形成複數第二穿孔陣列。複數溝槽之至少一第一部分之溝槽設置於任意相鄰之二個第一穿孔陣列間。複數溝槽之至少一第二部分之溝槽設置於任意相鄰之二個第二穿孔陣列間。複數屏蔽件插設於複數溝槽。複數彈性探針設置於複數穿孔。
據此，由於本揭露的插座總成，於測試過程中可藉由屏蔽件，屏蔽探針間的訊號干擾，以便更有效地改善訊號干擾以提升測試的穩定向與準確性。
上文已相當廣泛地概述本揭露的技術特徵及優點，使下文的本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露的申請專利範圍標的的其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或制程而實現與本揭露相同的目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附的申請專利範圍書所界定的本揭露的精神和範圍。
本揭露的以下說明伴隨併入且組成說明書的一部分的圖式，說明本揭露的實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以完成另一實施例。
“一實施例”、“實施例”、“例示實施例”、“其他實施例”、“另一實施例”等是指本揭露所描述的實施例可包括特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包括該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用“在實施例中”一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。另外，本說明書所提及之插座總成主要是用於半導體測試中的晶片測試之插座總成。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。
應當理解，以下公開內容提供用於實作本揭露的不同特徵的諸多不同的實施例或實例。以下闡述組件及排列形式的具體實施例或實例以簡化本揭露內容。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例而言，元件的尺寸並非僅限於所公開範圍或值，而是可相依於制程條件及/或裝置的所期望性質。此外，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵“之上”或第二特徵“上”可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵、進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。為簡潔及清晰起見，可按不同比例任意繪製各種特徵。在附圖中，為簡化起見，可省略一些層/特徵。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如“之下(beneath)”、“下面(below)”、“下部的(lower)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空間相對關係用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對關係用語旨在除圖中所繪示的取向外亦囊括元件在使用或操作中的不同取向。所述裝置可具有其他取向(旋轉90度或處於其他取向)且本文中所用的空間相對關係描述語可同樣相應地進行解釋。
本揭露的實施例係關於用於晶片測試插座（IC test socket）之插座總成，包含主體、複數屏蔽件及複數彈性探針。複數彈性探針用以測試高頻訊號。主體以絕緣材料製成，具有複數穿孔及複數溝槽，任意相鄰的二個穿孔間設有至少一個所述溝槽。複數穿孔用以容置複數彈性探針。複數屏蔽件以導電金屬材料製成，插設於複數溝槽中。透過此種結構，主體本身的絕緣性可阻隔彈性探針間的電性接觸，而用於容置彈性探針的穿孔間插設的金屬屏蔽件，可有效地屏蔽彈性探針於測試過程中的訊號干擾，尤其是高頻訊號測試過程中的訊號干擾。如此一來，當插座總成安裝於相應之插座時，插座總成便可更有效地改善訊號干擾以提升測試的穩定向與準確性。詳細結構及說明如後實施例。
參考圖1A至圖1D。圖1A是本揭露的一些實施例的一插座總成11的立體圖，圖1B是本揭露的一些實施例的插座總成11的另一立體圖，圖1C是本揭露的一些實施例的插座總成11的剖面圖，圖1D是本揭露的一些實施例的插座總成11的另一剖面圖。具體而言，插座總成11包含一主體111、複數屏蔽件113及複數彈性探針13。主體111具有一上表面111S1以及相對於上表面111S1的一下表面111S2。。
請一併參考圖1E至圖1I。圖1E及1F是本揭露的一些實施例的主體111的立體圖，圖1G是本揭露的一些實施例的主體111的另一立體圖，圖1H是本揭露的一些實施例的主體111的剖面圖，圖1I是本揭露的一些實施例的主體111的另一剖面圖。具體而言，主體111具有多個穿孔1110以及多個溝槽1112。其中，多個穿孔1110之至少一第一部分形成複數第一穿孔陣列1110AR1。每一第一穿孔陣列1110AR1中之穿孔1110視為第一穿孔，沿一第一方向D13排列。多個穿孔1110之至少一第二部分形成複數第二穿孔陣列1110AR2。每一第二穿孔陣列1110AR2中之穿孔1110視為第二穿孔，沿一第二方向D14排列。於一些實施例中，某一第一穿孔與某一個第二穿孔可能為同一穿孔，第一穿孔及第二穿孔僅以不同穿孔陣列之角度進行簡單區隔。
於一些實施例中，多個溝槽1112包含多個第一溝槽11120及多個第二溝槽11122。每個第一溝槽11120沿第一方向D13延伸，且任意相鄰的二個第一穿孔陣列1110AR1間設有一個第一溝槽11120。每個第二溝槽11122沿第二方向D14延伸，且任意相鄰的二個第二穿孔陣列1110AR2間設有一個第二溝槽11122。
於一些實施例中，多個屏蔽件113包含多個第一屏蔽件1131及多個第二屏蔽件1133。第一屏蔽件1131自上表面111S1分別插設於多個第一溝槽11120中，第二屏蔽件1133自上表面111S1分別插設於多個第二溝槽11122中。多個穿孔1110用以容置多個彈性探針13。於一些實施例中，第一屏蔽件1131及第二屏蔽件1133可交錯設置。交錯設置的二個屏蔽件間具有相互嵌卡的結構。
於一些實施例中，每一第一屏蔽件1131具有第一表面1131S，每一第二屏蔽件1133具有第二表面1133S。第一表面1131S、第二表面1133S與下表面111S2實質上面向同一方向。當第一屏蔽件1131及第二屏蔽件1133插設於相應的插槽後，第一表面1131S與下表面111S2間具有一第一間距D11，第二表面1133S與下表面111S2間具有一第二間距D12。
於一些實施例中，上表面111S1與下表面111S2實質平行，第一屏蔽件1131的第一表面1131S實質共面，第二屏蔽件1133的第二表面1133S實質共面，第一表面1131S與第二表面1133S實質共面，第一間距D11與第二間距D12的值實質相同，惟其並非用以限制本揭露的實施態樣。
如此一來，基於前述插座總成11的結構，當晶片測試進行而二個相鄰的穿孔1110內容置的彈性探針13進行訊號傳輸時，透過相鄰的二個穿孔1110間設置的溝槽1112中插設的屏蔽件113，便可有效地屏蔽訊號干擾。請參考圖1A，舉例而言，當晶片測試進行而穿孔1110A、1110B內容置的彈性探針13A、13B進行訊號傳輸時，二個穿孔1110A、1110B間設置的溝槽1112A中插設的屏蔽件113A可有效地屏蔽訊號干擾。
參考圖2A至圖2E。圖2A是本揭露的一些實施例的一插座總成21的立體圖，圖2B是本揭露的一些實施例的插座總成21的另一立體圖，圖2C至圖2E是本揭露的一些實施例的插座總成21的剖面圖。具體而言，插座總成21包含一主體211、複數屏蔽件213及複數彈性探針23。主體211具有一上表面211S1以及相對於上表面211S1的一下表面211S2。
請一併參考圖2F至圖2K。圖2F及2G是本揭露的一些實施例的主體211的立體圖，圖2H是本揭露的一些實施例的主體211的另一立體圖，圖2I至圖2K是本揭露的一些實施例的主體211的剖面圖。具體而言，主體211可呈塊狀（例如：方形塊狀），具有多排第一穿孔陣列2110AR1以及多排第二穿孔陣列2110AR2。每一排第一穿孔陣列2110AR1包含複數第一穿孔2110-1，同排第一穿孔陣列2110AR1內的第一穿孔2110-1沿第一方向D23排列。每一排第二穿孔陣列2110AR2包含複數第二穿孔2110-2，同排第二穿孔陣列2110AR2內的第二穿孔2110-2沿第二方向D24排列。於此些實施例中，第一方向D23與第二方向D24基本上是垂直，然其並非用於限制本揭露的實施態樣。於一些實施例中，某一第一穿孔2110-1與某一個第二穿孔2110-2可能為同一穿孔，第一穿孔及第二穿孔僅以不同穿孔陣列之角度進行簡單區隔。
另一方面，主體211具有複數第一溝槽21120以及複數第二溝槽21122。每個第一溝槽21120沿第一方向D23延伸，且任意相鄰的二排第一穿孔陣列2110AR1間設有一個第一溝槽21120。每個第二溝槽21122沿第二方向D24延伸，且任意相鄰的二排第二穿孔陣列2110AR2間設有一個第二溝槽21122。於一些實施例中，第一溝槽21120與第二溝槽21122是交錯設置。
於一些實施例中，複數屏蔽件213包含複數第一屏蔽件2131以及複數第二屏蔽件2133。複數第一屏蔽件2131自上表面211S1往主體211內部插設於複數第一溝槽21120中，且第一屏蔽件2131與第一溝槽21120是一對一設置。複數第二屏蔽件2133自上表面211S1往主體211內部插設於複數第二溝槽21122中，且第二屏蔽件2133與第二溝槽21122是一對一設置。第一屏蔽件2131及第二屏蔽件2133是交錯設置。複數第一穿孔2110-1及第二穿孔2110-2用以容置複數彈性探針23。
於一些實施例中，每一第一屏蔽件2131具有第一表面2131S，每一第二屏蔽件2133具有第二表面2133S。第一表面2131S、第二表面2133S與下表面211S2實質上面向同一方向。第一溝槽21120及第二溝槽21122於主體211內具有相同之一底面211S3，主體211於底面211S3及下表面211S2間具有一厚度D25。當第一屏蔽件2131插設於相應的插槽後，第一表面2131S鄰接主體211的底面211S3，且第一表面2131S與下表面211S2間具有一第一間距D21。當第二屏蔽件2133插設於相應的插槽後，第二表面2133S鄰接主體211的底面211S3，且第二表面2133S與下表面211S2間具有一第二間距D22。於一些實施例中，厚度D25、第一間距D21及第二間距D22的值相同。
於一些實施例中，二個第一溝槽21120與二個第二溝槽21122構成井字型，而就單一井字來看，九個空格中的每一格皆形成有一個穿孔（例如第一穿孔2110-1或第二穿孔2110-2）。透過此種結構，任意相鄰的二個穿孔（例如第一穿孔2110-1與第二穿孔2110-2）間設有至少一個溝槽（例如第一溝槽21120或第二溝槽21122）。更進一步來說，任意相鄰的二個穿孔(例如第一穿孔2110-1與第二穿孔2110-2）內的彈性探針23間設有：第一溝槽21120內插設的第一屏蔽件2131；或第二溝槽21122內插設的第二屏蔽件2133。
於一些實施例中，第一溝槽21120於主體211的上表面211S1具有一個第一開口21120X，並於主體211的下表面211S2具有複數第二開口21120Y。第二開口21120Y沿第一溝槽21120延伸的方向間隔形成，每個第二開口21120Y的尺寸小於第一開口21120X的尺寸。第一屏蔽件2131具有複數凸出部2131P，第一屏蔽件2131自第一開口21120X插設於第一溝槽21120時，相應的凸出部2131P分別穿設於第一溝槽21120的第二開口21120Y並凸出於下表面211S2（即凸出部2131P自下表面211S2向外凸出）。
於一些實施例中，第二溝槽21122於主體211的上表面211S1具有一個第三開口21122X，並於主體211的下表面211S2具有複數第四開口21122Y。第四開口21122Y沿第二溝槽21122延伸的方向間隔形成，每個第四開口21122Y的尺寸小於第三開口21122X的尺寸。第二屏蔽件2133具有複數凸出部2133P，第二屏蔽件2133自第三開口21122X插設於第二溝槽21122時，相應的凸出部2133P分別穿設於第二溝槽21122的第四開口21122Y並凸出於下表面211S2（即凸出部2133P自下表面211S2向外凸出）。
於一些實施例中，第一屏蔽件2131的每個第一凸出部2131P具有第三表面2131PS，所有第三表面2131PS實質共面。第二屏蔽件2133的每個第二凸出部2133P具有第四表面2133PS，所有第四表面2133PS實質共面。於一些實施例中，所有第三表面2131PS及所有第四表面2133PS實質共面。
請一併參考圖2L，是本揭露的一些實施例的第一屏蔽件2131及第二屏蔽件2133的側視圖。具體而言，每一個第一屏蔽件2131具有複數第一接合處21310，每一個第二屏蔽件2133具有複數第二接合處21330。當第一屏蔽件2131及第二屏蔽件2133交錯設置時，第一接合處21310接收第二屏蔽件2133且第二接合處21330接收第一屏蔽件2131。
於一些實施例中，第一接合處21310及第二接合處21330皆為凹槽並相互卡合。須說明，於此些實施例中，第一接合處21310的凹槽深度大致上為第一屏蔽件2131高度的一半，第二接合處21330的凹槽深度大致上為第二屏蔽件2133高度的一半，據此，當第一屏蔽件2131的高度與第二屏蔽件2133的高度一致時，第一屏蔽件2131與第二屏蔽件2133相互卡合後的總高度亦與第一屏蔽件2131或第二屏蔽件2133的原始高度相同。
須說明，前述實施例並非用以第一屏蔽件2131與第二屏蔽件2133的實施態樣。於一些實施例中，第一屏蔽件2131的高度與第二屏蔽件2133的高度一致，第一接合處21310的凹槽深度加上第二接合處21330的凹槽深度大約為第一屏蔽件2131或第二屏蔽件2133的高度，如此，第一屏蔽件2131與第二屏蔽件2133相互卡合後的總高度亦與第一屏蔽件2131或第二屏蔽件2133的原始高度相同。於一些實施例中，第一屏蔽件2131與第二屏蔽件2133亦可為一體成形（one-piece）。
如此一來，基於前述插座總成21的結構，當晶片測試進行而二個相鄰的穿孔（例如第一穿孔2110-1或第二穿孔2110-2）內容置的彈性探針23進行訊號傳輸時，透過相鄰的二個穿孔（例如第一穿孔2110-1與第二穿孔2110-2）間設置的第一溝槽21120中插設的第一屏蔽件2131或第二溝槽21122中插設的第二屏蔽件2133，便可有效地屏蔽訊號干擾。更進一步來說，第一屏蔽件2131及第二屏蔽件2133的凸出部2131P、2133P可增加彈性探針23間的屏蔽範圍，加强訊號干擾的屏蔽。
請參考圖2A，舉例而言，當晶片測試進行而穿孔2110A、2110B內容置的彈性探針23A、23B進行訊號傳輸時，二個穿孔2110A、2110B間設置的第二溝槽21122A中插設的第二屏蔽件2133A可有效地屏蔽訊號干擾，且第二屏蔽件2133A的凸出部2133P可增加屏蔽範圍。
請一併參考圖2M至圖2O。圖2M是本揭露的一些實施例的插座總成21'的立體圖，圖2N是本揭露的一些實施例的插座總成21'的剖面圖，圖2O是本揭露的一些實施例的插座總成21'的另一剖面圖。具體而言，插座總成21'比插座總成21多的一個電路基板25，電路基板25設置於主體211的上表面211S1，並與彈性探針23電性連接以傳遞測試相關訊號。彈性探針23另一端用於接觸待測物（未繪示）。於一些實施例中，第一屏蔽件2131、第二屏蔽件2133與電路基板25電性連結形成接地迴路。
於一些實施例中，插座總成21'包含一第一屏蔽件2131'。相較於第一屏蔽件2131，第一屏蔽件2131'具有第一固定結構2131F，電路基板25具有相應於第一固定結構2131F形狀的第二固定結構251。透過第一固定結構2131F與第二固定結構251的接合，可將第一屏蔽件2131'與電路基板25更穩固的組合在一起。須說明，此些實施例中，第一固定結構2131F是勾子形狀，第二固定結構251是相應於勾子形狀的槽狀，然其並非用以限制本揭露的實施態樣，於其他實施態樣中，第二固定結構251是勾子形狀，第一固定結構2131F是相應於勾子形狀的槽狀。於一些實施例中，第一屏蔽件2131'的第一固定結構2131F與電路基板25的第二固定結構251電性連結形成接地迴路。同樣地，第二屏蔽件2133亦可形成相同的固定結構與電路基板25接合，於此不再贅述。
請一併參考圖2P，其是圖2N的部分放大圖。於一些實施例中，第二屏蔽件2133的凸出部2133P的端部2133E與下表面211S2（即第三表面2131PS與下表面211S2間）具有一第三間距D26，鄰近的彈性探針23容置於相應的穿孔時，與下表面211S2具有一第四間距D27。第四間距D27大於第三間距D26，且第四間距D27與第三間距D26間的一間距差大於等於彈性探針23的壓縮行程，如此便可避免彈性探針23壓縮後卡到第二屏蔽件2133的凸出部2133P。同樣地，第一屏蔽件2131亦具有相同特徵，以避免彈性探針23壓縮後卡到第一屏蔽件2131的凸出部2131P，於此不再贅述。
參考圖3，是本揭露的一些實施例的一插座總成31的立體圖。具體而言，插座總成31包含一主體311以及多個屏蔽件313。主體311具有一上表面311S1。主體311具有多個穿孔3110以及多個獨立溝槽3112，溝槽3112間彼此並無連接。其中，任意相鄰的二個穿孔3110間設有一個溝槽3112。多個屏蔽件313插設於多個溝槽3112中。多個穿孔3110用以容置多個彈性探針33。
參考圖4A，是本揭露的一些實施例的一插座總成41的立體圖。具體而言，插座總成41包含一主體411以及複數屏蔽件413。主體411具有一上表面411S1。主體411具有複數穿孔4110以及複數溝槽4112。其中，任意相鄰的二個穿孔4110間設有二個溝槽4112。複數屏蔽件413插設於複數溝槽4112中。複數穿孔4110用以容置複數彈性探針43。
參考圖4B，是本揭露的一些實施例的一插座總成41'的立體圖。具體而言，插座總成41'與插座總成41的差異在於，插座總成41'的溝槽4112以及屏蔽件413是間隔設置，其同樣可達成屏蔽的功效。
於一些實施例中，前述實施例的各溝槽的寬度小於相應的彈性探針的厚度。於一些實施例中，前述實施例的主體的材料包含絕緣材料，用以隔絕彈性探針間的電性接觸，且主體可以一體成形的方式（例如：射出成型）製作成具有穿孔以及溝槽的塊狀實心體。於一些實施例中，屏蔽件的材料包含金屬材料（例如：可導電的金屬材料），用以屏蔽訊號干擾。
須說明，前述實施例中，任意二彈性探針間都有屏蔽件的設置，惟其並非用以限制本揭露之實施態樣，本領域技術人員應可以理解，於一些實施例中，並非每個彈性探針産生的訊號都需要被屏蔽，因此，可針對需要屏蔽的彈性探針（例如：用於偵測高頻訊號的彈性探針）間設置屏蔽件即可。
再者，應理解的是，本揭露之彈性探針僅為示意。各種探針均在本揭露的考量與範疇之內。
須說明，前述實施例中，為簡潔易於明瞭之目的，針對部分重複性元件圖式上僅標注單一元件，惟其並非用以限制本揭露之實施態樣，本領域技術人員應可以理解圖式上繪示之多個重複性元件。
綜上所述，本揭露的實施例的插座總成，透過其內嵌的屏蔽件於相異的彈性探針間産生屏蔽作用，如此一來，於測試過程中可降低訊號干擾，以便更有效地提升測試的穩定向與準確性。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義的本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多制程，並且以其他制程或其組合替代上述的許多制程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述的制程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟的特定實施例。該技藝的技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述的對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果的現存或是未來發展的制程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等制程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟是包括於本申請案的申請專利範圍書內。
11:插座總成
13,13A,13B:彈性探針
21,21':插座總成
23,23A,23B:彈性探針
25:電路基板
31:插座總成
33:彈性探針
41,41':插座總成
43:彈性探針
111:主體
111S1:上表面
111S2:下表面
113,113A:屏蔽件
211:主體
211S1:上表面
211S2:下表面
213:屏蔽件
251:第二固定結構
311:主體
311S1:上表面
313:屏蔽件
411:主體
411S1:上表面
413:屏蔽件
1110,1110A,1110B:穿孔
1110AR1:第一穿孔陣列
1110AR2:第二穿孔陣列
1112,1112A:溝槽
1131:第一屏蔽件
1131S:第一表面
1133:第二屏蔽件
1133S:第二表面
2131,2131':第一屏蔽件
2131F:第一固定結構
2131P:凸出部
2131PS:第三表面
2131S:第一表面
2133,2133A:第二屏蔽件
2133S:第二表面
2133E:端部
2133P:凸出部
2133PS:第四表面
3110:穿孔
3112:溝槽
4110:穿孔
4112:溝槽
2110-1:第一穿孔
2110-2:第二穿孔
2110A,2110B:穿孔
2110AR1:第一穿孔陣列
2110AR2:第二穿孔陣列
11120:第一溝槽
11122:第二溝槽
21120:第一溝槽
21120X:第一開口
21120Y:第二開口
21122,21122A:第二溝槽
21122X:第三開口
21122Y:第四開口
21310:第一接合處
21330:第二接合處
D11,D21:第一間距
D12,D22:第二間距
D13,D23:第一方向
D14,D24:第二方向
D25:厚度
D26:第三間距
D27:第四間距
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面瞭解本申請案的揭示內容，圖式中相同的元件符號是指相同的元件。 圖1A是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖1B是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖1C是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖1D是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖1E是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖1F是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖1G是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖1H是本揭露一些實施例的主體的剖面圖。 圖1I是本揭露一些實施例的主體的剖面圖。 圖2A是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖2B是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖2C是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖2D是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖2E是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖2F是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖2G是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖2H是本揭露一些實施例的主體的立體圖。 圖2I是本揭露一些實施例的主體的剖面圖。 圖2J是本揭露一些實施例的主體的剖面圖。 圖2K是本揭露一些實施例的主體的剖面圖。 圖2L是本揭露一些實施例的屏蔽件的剖面圖。 圖2M是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖2N是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖2O是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖2P是本揭露一些實施例的插座總成的剖面放大圖。 圖3是本揭露一些實施例的插座總成的立體圖。 圖4A是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。 圖4B是本揭露一些實施例的插座總成的剖面圖。
21:插座總成
23,23A,23B:彈性探針
211:主體
211S1:上表面
213:屏蔽件
2131:第一屏蔽件
2133,2133A:第二屏蔽件
21122A:第二溝槽
D23:第一方向
D24:第二方向

Claims (20)

  1. 一種插座總成，用於一晶片測試插座，該插座總成包含：一主體，具有：一上表面；一下表面，該下表面與該上表面相對應設置；複數第一穿孔陣列，其中，每個第一穿孔陣列包含複數第一穿孔，該等第一穿孔沿一第一方向排列；複數第二穿孔陣列，其中，每個第二穿孔陣列包含複數第二穿孔，該等第二穿孔沿一第二方向排列；複數第一溝槽，每個第一溝槽沿該第一方向延伸，其中，任意相鄰的二個第一穿孔陣列間設有一個第一溝槽；以及複數第二溝槽，每個第二溝槽沿該第二方向延伸，其中，任意相鄰的二個第二穿孔陣列間設有一個第二溝槽；複數第一屏蔽件，每個第一屏蔽件具有一第一表面，該等第一屏蔽件自該上表面插設於該等第一溝槽；複數第二屏蔽件，每個第二屏蔽件具有一第二表面，該等第二屏蔽件自該上表面插設於該等第二溝槽；以及複數彈性探針，設置於該等第一穿孔及該等第二穿孔；其中，該等第一屏蔽件的該等第一表面與該下表面具有一第一間距；其中，該等第二屏蔽件的該等第二表面與該下表面具有一第二間距。
  2. 如請求項1所述的插座總成，其中，該等第一表面共面，該等第二表面共面。
  3. 如請求項2所述的插座總成，其中，該等第一表面與該等第二表面共面。
  4. 如請求項1所述的插座總成，其中，該第一間距與該第二間距的值相同。
  5. 如請求項1所述的插座總成，其中，該第一方向與該第二方向垂直，該等第一溝槽與該等第二溝槽交錯設置，該等第一屏蔽件與該等第二屏蔽件交錯設置。
  6. 如請求項5所述的插座總成，其中，每個第一屏蔽件具有複數第一接合處，該等第一接合處接收該等第二屏蔽件。
  7. 如請求項6所述的插座總成，其中，每個第二屏蔽件具有複數第二接合處，該等第二接合處接收該等第一屏蔽件。
  8. 如請求項1所述的插座總成，其中，每個第一溝槽於該主體的該上表面具有一第一開口，且每個第一溝槽於該主體的該下表面具有複數第二開口，其中，每個第二開口的尺寸小於該第一開口；以及 每個第二溝槽於該主體的該上表面具有一第三開口，且每個第二溝槽於該主體的該下表面具有複數第四開口，其中，每個第四開口的尺寸小於該第三開口。
  9. 如請求項8所述的插座總成，其中，該等第一屏蔽件的至少其中之一具有複數第一凸出部，且該等第一凸出部分別穿設於所對應的該第一溝槽的該等第二開口，該等第一凸出部凸出於該下表面。
  10. 如請求項9所述的插座總成，其中，該等第二屏蔽件的至少其中之一具有複數第二凸出部，且該等第二凸出部分別穿設於所對應的該第二溝槽的該等第四開口，該等第二凸出部凸出於該下表面。
  11. 如請求項10所述的插座總成，其中，該等第一凸出部及該等第二凸出部的端部與該下表面具有一第三間距，該等彈性探針之一第一彈性探針容置於相應的穿孔時，該第一彈性探針的端部與該下表面具有一第四間距，該第四間距與該第三間距間的一間距差大於等於該第一彈性探針的壓縮行程。
  12. 如請求項10所述的插座總成，其中，每個第一凸出部具有一第三表面，該等第三表面共面，每個第二凸出部具有一第四表面，該等第四表面共面。
  13. 如請求項12所述的插座總成，其中，該等第三表面與該等第四表面 共面。
  14. 如請求項1所述的插座總成，更包含：一電路基板，設置於該主體的該上表面；其中，該等第一屏蔽件及該等第二屏蔽件與該電路基板電性連結形成一接地迴路。
  15. 如請求項1所述的插座總成，更包含：一電路基板，設置於該主體的該上表面，其中，該等第一屏蔽件及該等第二屏蔽件具有複數第一固定結構，與該電路基板的複數第二固定結構接合。
  16. 如請求項15所述的插座總成，其中，該等第一固定結構與該等第二固定結構電性連接。
  17. 如請求項1所述的插座總成，其中，每個第一溝槽及每個第二溝槽的寬度小於一個彈性探針的厚度。
  18. 如請求項1所述的插座總成，其中，該主體由絕緣材料形成，該等第一屏蔽件及該等第二屏蔽件的材料包含導電金屬材料。
  19. 如請求項1所述的插座總成，其中，該等第一溝槽及該等第二溝槽於該主體內具有相同之一底面，該主體於該底面及該主體之該下表面間具有 一厚度。
  20. 一種插座總成，包含：一主體，具有：複數穿孔，其中，至少一第一部分之該等穿孔形成複數第一穿孔陣列，至少一第二部分之該等穿孔形成複數第二穿孔陣列；以及複數溝槽，其中，至少一第一部分之該等溝槽設置於任意相鄰之二個第一穿孔陣列間，至少一第二部分之該等溝槽設置於任意相鄰之二個第二穿孔陣列間；複數屏蔽件，插設於該等溝槽；以及複數彈性探針，設置於該等穿孔。
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