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TWI874665B - 積層體、附有電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法 - Google Patents

積層體、附有電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法 Download PDF

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TWI874665B
TWI874665B TW110120170A TW110120170A TWI874665B TW I874665 B TWI874665 B TW I874665B TW 110120170 A TW110120170 A TW 110120170A TW 110120170 A TW110120170 A TW 110120170A TW I874665 B TWI874665 B TW I874665B
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宮澤英明
山田和夫
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種積層體、附有電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法，上述積層體係藉由伴隨著加熱處理(例如200℃以上)之方法於基板上形成電子裝置用構件後，藉由雷射剝離可將具有電子裝置用構件之基板剝離，且所剝離之具有電子裝置用構件之基板具有用於實施鍍覆處理之晶種層。本發明之積層體依序具有支持基材、密接層、金屬層及基板，且金屬層包含選自由銅、鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬。

Description

積層體、附有電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法
本發明係關於一種積層體、附有電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。
下述電子裝置之薄型化、輕量化不斷發展：太陽電池(PV)；液晶面板(LCD)；有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)；感知電磁波、X射線、紫外線、可見光線、紅外線等之接收感測器面板；等。伴隨於此，電子裝置所使用之玻璃基板等基板之薄板化亦不斷發展。若因薄板化導致基板之強度不足，則基板之處理性會降低，於基板上形成電子裝置用構件之步驟(構件形成步驟)等中會產生問題。
最近，為了應對上述問題，提出如下方法：準備積層有玻璃基板及補強板之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，自玻璃基板分離補強板(例如，參照專利文獻1)。補強板具有支持基材及固定於該支持基材上之聚矽氧樹脂層，於玻璃積層體中，聚矽氧樹脂層與玻璃基板可剝離地密接。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2007/018028號
於專利文獻1中，自補強板剝離配置有電子裝置用構件之玻璃基板時，主要實施機械剝離，即對玻璃基板施加物理力而將其自補強板剝離。
另一方面，近年來，伴隨著電子裝置用構件之高功能化或複雜化，需要更進一步謹慎地處理電子裝置用構件。若進行如專利文獻1所記載之機械剝離，則有對電子裝置用構件造成不良影響之虞。
作為與如上述之機械剝離不同之方法，有向對象物照射雷射而使2個構件間產生剝離之雷射剝離。若為雷射剝離，則可抑制對電子裝置用構件施加物理力，故而較佳。再者，通常，於基板上形成電子裝置用構件時大多情況下伴隨著加熱處理。因此，理想的是藉由伴隨著加熱處理之方法於基板上形成電子裝置用構件後，藉由雷射剝離可自所獲得之積層體剝離具有電子裝置用構件之基板。
又，若可對所剝離之具有電子裝置用構件之基板直接實施鍍覆處理，則可於基板上高效率地形成新的電路，故而較為理想。
本發明之課題在於鑒於上述實際情況，提供一種積層體，該積層體係藉由伴隨著加熱處理(例如200℃以上)之方法於基板上形成電子裝置用構件後，藉由雷射剝離可將具有電子裝置用構件之基板剝離，且所剝離之具有電子裝置用構件之基板具有用於實施鍍覆處理之晶種層。
本發明之課題亦在於提供一種附有電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。
本發明人等經銳意研究，結果發現可藉由如下構成解決上述問題。
(1)一種積層體，其依序具有支持基材、密接層、金屬層及基板，且金屬層包含選自由銅、鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬。
(2)如(1)中所記載之積層體，其中金屬層包含選自由銅、鈦、鈀、金及鎳所組成之群中之至少1種金屬。
(3)如(1)或(2)中所記載之積層體，其中金屬層具有第1金屬層及配置於第1金屬層上之第2金屬層，且第1金屬層中所包含之金屬之種類與第2金屬層中所包含之金屬之種類不同。
(4)如(3)中所記載之積層體，其中第1金屬層相較於第2金屬層配置於更靠基板側，且第1金屬層包含鈦。
(5)如(4)中所記載之積層體，其中第2金屬層包含銅。
(6)如(1)至(5)中任一項所記載之積層體，其中金屬層具有沿厚度方向延伸之第1貫通孔，基板具有沿厚度方向延伸之第2貫通孔，且第1貫通孔與第2貫通孔連通。
(7)如(6)中所記載之積層體，其進一步具有覆蓋第2貫通孔之內壁面之至少一部分且包含金屬之金屬被覆部。
(8)如(1)至(7)中任一項所記載之積層體，其中密接層為聚矽氧樹脂層。
(9)如(1)至(8)中任一項所記載之積層體，其中基板為玻璃基板。
(10)如(1)至(9)中任一項所記載之積層體，其中支持基材為玻璃基板。
(11)一種附有電子裝置用構件之積層體，其具有：如(1)至(10)中任一項所記載之積層體；及電子裝置用構件，其配置於積層體中之基板上。
(12)一種電子裝置之製造方法，其具備：構件形成步驟，於如(1)至(10)中任一項所記載之積層體之基板之表面上形成電子裝置用構件，獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，自附有電子裝置用構件之積層體之支持基材側照射雷射後，自附有電子裝置用構件之積層體剝離支持基材及密接層，而獲得具有電子裝置用構件、基板及金屬層之電子裝置。
根據本發明，鑒於上述實際情況，可提供一種積層體，該積層體係藉由伴隨著加熱處理之方法於基板上形成電子裝置用構件後，藉由雷射剝離可將具有電子裝置用構件之基板剝離，且所剝離之具有電子裝置用構件之基板具有用於實施鍍覆處理之晶種層。
根據本發明，可提供一種附有電子裝置用構件之積層體及電子裝置之製造方法。
10A:積層體
10B:積層體
10C:積層體
12:支持基材
14:密接層
16A:金屬層
16B:金屬層
16C:金屬層
18A:基板
18B:基板
18C:基板
20:附有密接層之支持基材
22:第1貫通孔
24:第2貫通孔
26:金屬被覆部
28:電子裝置用構件
30:附有電子裝置用構件之積層體
32:電子裝置
圖1係模式地表示本發明之積層體之第1實施方式之剖視圖。
圖2係模式地表示本發明之積層體之第2實施方式之剖視圖。
圖3係圖2所示之積層體之俯視圖。
圖4係模式地表示本發明之積層體之第2實施方式之變化例的剖視圖。
圖5係用於說明構件形成步驟之圖。
圖6係用於說明分離步驟之圖。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。其中，以下之實施方式係用於說明本發明之示例，本發明並不限制於以下所示之實施方式。再者，可於不脫離本發明之範圍之前提下，對以下之實施方式進行各種變化及置換。
使用「~」所表示之數值範圍意指包含「~」之前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。
作為本發明之積層體之特徵，可例舉使用包含規定金屬之金屬層。
發現藉由採用如上述之構成，可獲得所需之效果。首先，若對本發明之積層體照射雷射，則於密接層與金屬層之間產生剝離，可實現所謂之雷射剝離。又，所剝離之具有電子裝置用構件之基板具有金屬層，可使用該金屬層作為鍍覆處理時之晶種層。
<積層體之第1實施方式>
圖1係模式地表示本發明之積層體之第1實施方式之剖視圖。
積層體10A依序具備支持基材12、密接層14、金屬層16A及基板18A。
如下所述，若藉由伴隨著加熱處理之方法於積層體10A之基板18A上形成電子裝置用構件後，對具有電子裝置用構件之積層體10A 照射雷射，則於密接層14與金屬層16A之間之界面產生剝離。
包含支持基材12及密接層14之2層部分具有補強基板18A之功能。再者，為了製造積層體10A而預先製造之包含支持基材12及密接層14的2層部分亦稱為附有密接層之支持基材20。
如上所述，於該積層體10A中，附有密接層之支持基材20被分離。所分離之附有密接層之支持基材20與具有新的金屬層16A及基板18A之積層體基板積層，可作為新的積層體10A再利用。
以下，對構成積層體10A之各層進行詳述，其後，對積層體10A之製造方法進行詳述。
(支持基材)
支持基材12為支持並補強基板18A之構件。
作為支持基材12，例如可例舉玻璃基板、塑膠板、金屬板(例如SUS(Steel Use Stainless，不鏽鋼)板)。其中，較佳為玻璃基板。
作為玻璃之種類，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%的玻璃。
作為玻璃基板，更具體而言，可例舉包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃基板(AGC股份有限公司製造，商品名為「AN100」)。
關於玻璃基板之製造方法，通常，對玻璃原料進行熔融，將熔融玻璃成形為板狀而獲得玻璃基板。此種成形方法可為一般方法，例如可例舉浮式法、熔融法、流孔下引法。
支持基材12之形狀(主面之形狀)並無特別限制，較佳為矩 形、圓形。
支持基材12之厚度可較基板18A厚，亦可較基板18A薄。就積層體10A之使用性之方面而言，支持基材12之厚度較佳為較基板18A厚。
支持基材12較佳為非可撓性。因此，支持基材12之厚度較佳為0.3mm以上，更佳為0.5mm以上。
另一方面，支持基材12之厚度較佳為2.0mm以下，更佳為1.0mm以下。
(密接層)
密接層14係進行雷射剝離前，為了防止金屬層16A及基板18A之位置偏移而密接於金屬層16A之層。如下所述，藉由照射雷射，而於密接層14與金屬層16A之間產生剝離。
密接層14可為有機層，亦可為無機層。
作為有機層之材質，例如可例舉丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂、氟樹脂。又，亦可將幾種樹脂加以混合而構成密接層14。
作為無機層之材質，例如可例舉氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、矽化物、氟化物。作為氧化物(較佳為金屬氧化物)、氮化物(較佳為金屬氮化物)、氮氧化物(較佳為金屬氮氧化物)，例如可例舉選自由Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In及Ba所組成之群中之1種以上之元素之氧化物、氮化物、氮氧化物。
作為碳化物(較佳為金屬碳化物)、碳氮化物(較佳為金屬碳氮化物)， 例如可例舉選自由Ti、W、Si、Zr及Nb所組成之群中之1種以上之元素之碳化物、碳氮化物、碳氧化物。
作為矽化物(較佳為金屬矽化物)，例如可例舉選自由Mo、W及Cr所組成之群中之1種以上之元素之矽化物。
作為氟化物(較佳為金屬氟化物)，例如可例舉選自由Mg、Y、La及Ba所組成之群中之1種以上之元素之氟化物。
密接層14可為電漿聚合膜。
於密接層14為電漿聚合膜之情形時，作為形成電漿聚合膜之材料，例如可例舉CF4、CHF3、C2H6、C3H6、C2H2、CH3F、C4H8等氟碳單體、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯等碳氫單體、氫、SF6。
其中，就耐熱性或剝離性之方面而言，作為密接層14之材質，較佳為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂，更佳為聚矽氧樹脂，進而較佳為由加成反應型聚矽氧或縮合反應型聚矽氧所形成之聚矽氧樹脂。即，密接層14較佳為聚矽氧樹脂層。
以下，對密接層14為聚矽氧樹脂層之態樣進行詳述。
構成聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂係包含規定之有機矽烷氧基單元之樹脂，通常可使硬化性聚矽氧硬化而獲得。硬化性聚矽氧根據其硬化機制分為加成反應型聚矽氧、縮合反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，均可使用。其中，較佳為加成反應型聚矽氧或縮合反應型聚矽氧。
密接層14較佳為使用包含硬化性聚矽氧之硬化性組合物來形成。
硬化性組合物除硬化性聚矽氧以外，還可包含溶劑、鉑觸媒(於使用加成反應型聚矽氧作為硬化性聚矽氧之情形時)、調平劑、金屬化合物等。作為金屬化合物中所包含之金屬元素，例如可例舉3d過渡金屬、4d過渡金屬、鑭系元素系金屬、鉍、鋁、錫。金屬化合物之含量並無特別限制，可適宜地調整。
密接層14較佳為以較強之結合力與支持基材12結合。作為提高兩者之密接性之方法，例如，於密接層14為聚矽氧樹脂層之情形時，於支持基材12之表面上形成聚矽氧樹脂層(更具體而言，使可形成規定之聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧(有機聚矽氧烷)於支持基材12上硬化)，藉此使聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂接著於支持基材12之表面，可獲得較高之結合力。又，實施使支持基材12之表面與聚矽氧樹脂層之間產生較強結合力之處理(例如，使用偶合劑之處理)，可提高支持基材12之表面與聚矽氧樹脂層之間之結合力。
密接層14之厚度較佳為100μm以下，更佳為50μm以下，進而較佳為30μm以下。另一方面，密接層14之厚度較佳為超過1μm，更佳為4μm以上。上述厚度係利用接觸式膜厚測定裝置對5處以上之任意位置處之密接層14之厚度進行測定，並對其等進行算術平均而得者。
(金屬層)
金屬層16A與密接層14相接，照射雷射後與基板18A一同自密接層14上剝離。其後，金屬層16A作為鍍覆處理之晶種層發揮功能。
金屬層16A包含選自由銅、鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬。
其中，就雷射剝離時之剝離性良好之方面而言，金屬層16A較佳為包 含選自由銅、鈦、鈀、金及鎳所組成之群中之至少1種金屬。
金屬層16A可僅包含1種金屬，亦可包含複數種金屬。
金屬層16A可為單層構造，亦可為多層構造。
於金屬層16A為單層構造之情形時，就藉由雷射剝離將具有金屬層16A之基板剝離後，金屬層16A與基板18A之密接性更加優異之方面而言，金屬層16A較佳為包含選自由鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬。
於金屬層16A為多層構造之情形時，金屬層16A可為積層有分別包含不同種類之金屬之複數層的構造。
例如，於金屬層16A為2層構造之情形時，金屬層16A具有第1金屬層及配置於第1金屬層上之第2金屬層，且第1金屬層中所包含之金屬之種類與第2金屬層中所包含之金屬之種類不同。
上述中，對金屬層16A為2層構造之形態進行了詳述，但金屬層16A亦可為3層以上之積層構造。
於金屬層16A為多層構造之情形時，就藉由伴隨著加熱處理之方法於基板18A上形成電子裝置用構件後，金屬層16A與基板18A之密接性更加優異之方面而言，金屬層16A較佳為具有上述第1金屬層及配置於第1金屬層上之上述第2金屬層，第1金屬層相較於第2金屬層配置於更靠基板18A側，且第1金屬層包含鈦。
再者，於該形態中，第2金屬層較佳為包含銅。
金屬層16A之厚度並無特別限制，就藉由雷射剝離將具有金屬層16A之基板剝離後，金屬層16A與基板18A之密接性更加優異之方面而言，較佳為5~1000nm，更佳為10~500nm。
再者，於金屬層16A為具有第1金屬層及第2金屬層之2層構造，且第1金屬層相較於第2金屬層配置於更靠基板18A側之情形時，第1金屬層之厚度較佳為5~300nm，更佳為10~200nm，第2金屬層之厚度較佳為5~600nm，更佳為10~400nm。
(基板)
基板18A係用於在其上形成裝置用構件之構件。
基板18A之種類並無特別限制，例如可例舉玻璃基板、塑膠板、金屬板(例如SUS板)。其中，較佳為玻璃基板。
作為玻璃基板之具體種類，可例舉上述支持基材12中所說明之玻璃基板之說明。
就薄型化及/或輕量化之方面而言，基板18A之厚度較佳為0.5mm以下，更佳為0.4mm以下，進而較佳為0.2mm以下，特佳為0.10mm以下。於為0.5mm以下之情形時，可對基板18A賦予良好之可撓性。於為0.2mm以下之情形時，可將基板18A捲取為卷狀。
又，就容易使用基板18A之方面而言，基板18A之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，基板18A可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。
<積層體之製造方法>
積層體10A之製造方法並無特別限制，可例舉公知之方法。
其中，就生產性更加優異之方面而言，較佳為具有：密接層形成步驟，於支持基材12上形成密接層14，獲得附有密接層之支持基材；金屬層形成步驟，於基板18A上形成金屬層16A，獲得附有金屬層之基板；及 積層步驟，以密接層14與金屬層16A相接之方式積層附有密接層之支持基材及附有金屬層之基板，而獲得積層體10A。
以下，對密接層形成步驟、金屬層形成步驟及積層步驟進行詳述。
(密接層形成步驟)
密接層形成步驟係於支持基材12上形成密接層14，獲得附有密接層之支持基材之步驟。形成密接層14之方法並無特別限制，可採用公知之方法，根據構成密接層14之材料之種類而有所不同。
例如，於密接層14為有機層之情形時，作為製作有機層之方法，例如可例舉如下方法：將包含硬化性樹脂之硬化性樹脂組合物塗佈於支持基材12上，使所形成之硬化性樹脂組合物層硬化而形成固定於支持基材12上之密接層14(塗佈方法)；或將膜狀之密接層14固定於支持基材12之表面(貼附方法)。其中，就密接層14對支持基材12之接著強度更加優異之方面而言，較佳為塗佈方法。
於塗佈方法中，作為於支持基材12之表面上形成硬化性樹脂組合物層之方法，例如可例舉將硬化性樹脂組合物塗佈於支持基材12之表面上之方法。作為進行塗佈之方法，例如可例舉噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法。
硬化方法並無特別限制，可根據所使用之樹脂來選擇最佳之硬化條件。通常，作為硬化方法，採用加熱處理。
再者，除上述以外，亦可藉由公知方法製作有機層。
例如，製作包含氟樹脂之密接層之方法並無特別限制，可例舉如下方法：使用包含氟樹脂之組合物製作密接層；或使用氟系氣體，照射電漿，藉此於對象物表面製作密接層。
又，於密接層14為無機層之情形時，作為無機層之製造方法，可採用公知之方法。例如可例舉如下方法：藉由蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法，於支持基材12上設置包含規定成分之無機層。
再者，作為製作包含碳化物(碳材料)之無機層之方法，例如可例舉如下方法：將包含酚系樹脂等樹脂成分之樹脂組合物塗佈於支持基材12上，實施燒結處理而使其碳化。
各種方法之製造條件可根據所使用之材料適宜地選擇最佳條件。
(金屬層形成步驟)
金屬層形成步驟係於基板18A上形成金屬層16A，獲得附有金屬層之基板之步驟。
形成金屬層16A之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如可例舉如下方法：藉由蒸鍍法、濺鍍法、CVD法，於基板18A上設置包含規定成分之金屬層16A。
(積層步驟)
積層步驟係以上述密接層形成步驟中獲得之附有密接層之支持基材之密接層14與上述金屬層形成步驟中獲得之附有金屬層之基板之金屬層16A相接的方式，積層附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板，而獲得積層體10A之步驟。
積層附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如可例舉如下方法：於常壓環境下使附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板重疊。再者，視需要，可於使附有密接層之支持基材與附 有金屬層之基板重疊後，使用輥或加壓機將附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板進行壓接。藉由利用輥或加壓機進行壓接，容易去除密接層14與金屬層16A之間所混入之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由於真空下進行壓接，亦具有如下優點：即便於殘存有微小氣泡之情形時，氣泡亦不會因加熱而成長，不易導致變形缺陷。
積層附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板時，較佳為充分洗淨密接層14之表面及金屬層16A之表面，而於潔淨度較高之環境下進行積層。
再者，積層附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板後，視需要亦可進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，附有密接層之支持基材與附有金屬層之基板之間之密接性有所提昇。
<積層體之第2實施方式>
圖2係模式地表示本發明之積層體之第2實施方式之剖視圖。圖3係圖2所示之積層體之俯視圖。再者，圖2係相當於沿圖3中之A-A線之剖視圖。
積層體10B依序具備支持基材12、密接層14、金屬層16B及基板18B。
於第2實施方式之積層體10B中，金屬層16B及基板18B分別具有貫通孔，除此以外，具有與上述第1實施方式之積層體10A相同之構成。對積層體10B與積層體10A中之相同構成標註相同之元件符號，省略其說明。
金屬層16B具有複數個沿金屬層16B之厚度方向延伸之第1 貫通孔22。
又，基板18B具有複數個沿基板18B之厚度方向延伸之第2貫通孔24。
第1貫通孔22與第2貫通孔24連通。
再者，第1貫通孔22與第2貫通孔24之交界位於金屬層16B與基板18B之厚度方向上之界面。
於如上所述積層體中之基板具有貫通孔之情形時，藉由向貫通孔內填充導電體(例如金屬)，可達成配置於基板之雙面之電子裝置間之導通。再者，如下所述，作為向貫通孔內填充導電體之方法，可例舉鍍覆處理。
第1貫通孔22之開口部之直徑並無特別限制，就易於向第1貫通孔22內填充金屬之方面而言，較佳為5~500μm，更佳為10~200μm。再者，於第1貫通孔之開口部之形狀不為真圓狀之情形時，將長徑作為上述直徑。
第2貫通孔24之開口部之直徑並無特別限制，就易於向第2貫通孔24內填充金屬之方面而言，較佳為10~500μm，更佳為15~200μm。再者，於第2貫通孔之開口部之形狀不為真圓狀之情形時，將長徑作為上述直徑。
第1貫通孔22及第2貫通孔24之數量可分別為1個，亦可分別為複數個。
於設置複數個第1貫通孔22及第2貫通孔24之情形時，貫通孔間之面內方向之中心間距離可根據所使用之用途來選擇最佳距離(例如，有時為20~400μm)。
於圖2中，為第1貫通孔22之開口部與第2貫通孔24之開口部為相同大小之形態，但本發明並不限定於該形態，兩者之大小亦可不 同。
圖2所示之積層體10B之製造方法並無特別限制，可例舉如下方法：實施上述金屬層形成步驟後，實施設置分別貫通基板及金屬層之貫通孔之貫通孔形成步驟，之後使用所獲得之具有貫通孔之附有金屬層之基板，實施上述積層步驟。
作為第2實施方式之變化例，可例舉圖4所示之形態。
圖4所示之積層體10C依序具有支持基材12、密接層14、金屬層16C及基板18C，且金屬層16C及基板18C分別具有第1貫通孔22及第2貫通孔24。
積層體10C進一步具有金屬被覆部26，其覆蓋基板18C之第2貫通孔24之內壁面之至少一部分且包含金屬。
金屬被覆部26相當於自金屬層16C與基板18C之厚度方向之界面起覆蓋基板18C側之第2貫通孔24之內壁面之至少一部分的部分。
藉由使積層體10C具有金屬被覆部26，而於雷射剝離時，密接層14與金屬層16C之間之剝離性有所提昇。
上述剝離性提昇之理由之詳細情況不明，但於金屬層16C具有第1貫通孔22，且基板18C具有第2貫通孔24之情形時，密接層14會通過第1貫通孔22到達基板18C之第2貫通孔24之內壁面。特別是，於密接層14如樹脂層(例如聚矽氧樹脂層)般容易塑性變形之情形時，容易產生此種現象。若密接層14之一部分到達並接觸基板18C之第2貫通孔24之內壁面，則有時會對附有金屬層之基板自密接層14之剝離性造成影響。相對於此，於設置有上述金屬被覆部26之情形時，可防止密接層14與基板18C之第2貫通孔24之內壁面直接接觸，而可抑制雷射剝離時附有金屬層之基板之剝離不 良。
於圖4所示之積層體10C中，金屬被覆部26與金屬層16C一體地連續，但金屬被覆部26之至少一部分亦可與金屬層16C隔開。
於圖4所示之積層體10C中，金屬被覆部26以覆蓋基板18C之第2貫通孔24之金屬層16C側之內壁面全周的方式設置，但本發明並不限定於該形態，設置於第2貫通孔24之內壁面之一部分即可。
金屬被覆部26較佳為如圖4所示，以自金屬層16C與基板18C之厚度方向之界面向基板18C側延伸之方式設置。
構成金屬被覆部26之金屬之種類並無特別限制，較佳為構成金屬層16C之金屬，即選自由銅、鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬。
構成金屬被覆部26之金屬之種類與構成金屬層16C之金屬之種類可相同，亦可不同，就生產性之方面而言，較佳為相同。
圖4所示之積層體10C之製造方法並無特別限制，例如可例舉如下方法：藉由蒸鍍法、濺鍍法、CVD法使金屬沈積於具有沿厚度方向延伸之貫通孔之基板之一表面，藉此可形成包含金屬層16C及基板18C之附有金屬層之基板，使用所獲得之附有金屬層之基板，實施上述積層步驟。
<積層體之用途>
積層體(上述第1實施方式及第2實施方式之積層體)可用於各種用途，例如可例舉如下用途：製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓、接收感測器面板等電子零件。於該等用途中，亦存在積層體於大氣氛圍下暴露(例如20分鐘以上)於高溫條件(例如 450℃以上)下之情況。
顯示裝置用面板包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED(Light Emitting Diode，發光二極體)面板、微LED顯示面板、MEMS(microelectromechanical system，微機電系統)快門面板等。
接收感測器面板包括電磁波接收感測器面板、X射線受光感測器面板、紫外線受光感測器面板、可見光線受光感測器面板、紅外線受光感測器面板等。接收感測器面板所使用之基板可藉由樹脂等補強片等進行補強。
<電子裝置之製造方法>
使用積層體，製造下述包括電子裝置用構件之電子裝置。
電子裝置之製造方法例如為如下方法，即，如圖5及圖6所示，具備：構件形成步驟，於積層體10A之基板18A上(基板18A之與金屬層16A側為相反側之表面上)形成電子裝置用構件28，獲得附有電子裝置用構件之積層體30；及分離步驟，自附有電子裝置用構件之積層體30之支持基材12側照射雷射後，自附有電子裝置用構件之積層體30剝離支持基材12及密接層14，而獲得具有電子裝置用構件28、基板18A及金屬層16A之電子裝置32。
再者，上述中作為積層體之代表例，以第1實施方式中所說明之積層體10A為例進行了說明，但是，亦可使用第2實施方式中所說明之積層體10B及積層體10C，藉由相同程序來製造電子裝置。
以下，將形成電子裝置用構件28之步驟稱為「構件形成步驟」，將分離為電子裝置32與附有密接層之支持基材20之步驟稱為「分離 步驟」。
以下，對各步驟所使用之材料及程序進行詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於積層體10A之基板18A上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖5所示，於基板18A上(基板18A之與金屬層16A側為相反側之表面上)形成電子裝置用構件28，獲得附有電子裝置用構件之積層體30。
首先，對本步驟所使用之電子裝置用構件28進行詳述，其後，對步驟之程序進行詳述。
(電子裝置用構件)
電子裝置用構件28係構成積層體10A之基板18A上所形成之電子裝置之至少一部分的構件。更具體而言，作為電子裝置用構件28，可例舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件、接收感測器面板等所使用之構件(例如，薄膜電晶體等顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路、接收感測器用構件)，例如可例舉美國專利申請公開第2018/0178492號說明書之段落[0192]中所記載之太陽電池用構件、同一專利之段落[0193]中所記載之薄膜二次電池用構件、同一專利之段落[0194]中所記載之電子零件用電路。
(步驟之程序)
上述附有電子裝置用構件之積層體30之製造方法並無特別限制，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，藉由先前公知之方法，於積層體10A之基板18A上形成電子裝置用構件28。
電子裝置用構件28亦可全部構件之一部分(以下，稱為「部分構件」)，而不為最終形成於基板18A上之構件之全部(以下，稱為「全部構件」)。亦可於其後之步驟中將自密接層14剝離之附有部分構件之基板作為附有全部構件之基板(相當於下述電子裝置)。
對於自密接層14剝離之附有全部構件之基板，可於其剝離面形成其他電子裝置用構件。進而，亦可使2片附有電子裝置用構件之積層體30之電子裝置用構件28彼此相對向，將兩者貼合而組裝附有全部構件之積層體，其後，自附有全部構件之積層體剝離2片附有密接層之支持基材20，從而製造電子裝置。
例如，以製造OLED之情況為例，為了於積層體10A之基板18A之與金屬層16A側為相反側的表面上形成有機EL構造體，而進行各種層形成或處理，例如形成透明電極；於形成有透明電極之面上進而蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封板進行密封。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可例舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
再者，於使用積層體10B及積層體10C之情形時，於基板18B及基板18C設置有貫通孔，因此可藉由於形成電子裝置用構件時實施鍍覆處理，而利用導電體(金屬)填充貫通孔。
(分離步驟)
分離步驟係如圖6所示，自附有電子裝置用構件之積層體30之支持基材12側照射雷射後，自附有電子裝置用構件之積層體30剝離支持基材12及密接層14，從而獲得包含電子裝置用構件28、基板18A及金屬層16A之電子裝置32的步驟。
於所剝離之基板18A上之電子裝置用構件28為形成全部構成構件所需之一部分之情形時，分離後，亦可於基板18A上形成剩餘構成構件。
若自附有電子裝置用構件之積層體30之支持基材12側照射雷射，則金屬層16A吸收雷射，於密接層14與金屬層16A之間發生剝離。發生剝離之詳細理由不明，但是，認為因金屬層16A吸收雷射，導致金屬層16A之溫度局部上升，與金屬層16A相鄰之密接層14發生分解，導致兩者間發生剝離。
雷射之照射條件並無特別限制，雷射波長較佳為193~10600nm，更佳為300~1064nm。
雷射之射束尺寸(面積)較佳為10~500mm2。
雷射之重複頻率較佳為10~10000Hz。
雷射之重疊率較佳為10~90%。
照射能量較佳為10~300mJ/cm2。
由於分離後獲得之電子裝置中包含金屬層，故而可進一步對所獲得之電子裝置實施鍍覆處理。
實施例
以下，藉由實施例等對本發明進行具體說明，但本發明並不受該等例子所限制。
以下，例1~17為實施例，例18~22為比較例。
以下，作為支持基材，使用200×200mm、厚度0.5mm之玻璃板(「AN100」，AGC股份有限公司製造)。
作為基板，使用於200×200mm、厚度0.15mm之玻璃板 (「AN100」，AGC股份有限公司製造)及200×200mm、厚度0.13mm之玻璃板(「AN100」，AGC股份有限公司製造)之中央部180×180mm形成有貫通孔(孔直徑為100μm，孔間距(孔之中心間距離)為200μm)的基板。
對於支持基材及基板，使用水系玻璃洗淨劑(「PK-LCG213」，Parker Corporation公司製造)進行洗淨，其後利用純水進行洗淨。
<評價>
(評價基板之貫通孔之內壁面上有無金屬被覆部)
於例12~17中，利用掃描電子顯微鏡(SEM)對形成有金屬層且具有貫通孔之基板之貫通孔部分之剖面進行觀察，評價基板之貫通孔之內壁面上有無金屬被覆部。
將有金屬被覆部之情況評價為「有」，將無金屬被覆部之情況評價為「無」。將未進行評價之情況記為「-」。
(剝離評價)
對於加熱處理後之積層體，使用雷射波長355nm、射束尺寸40×0.4mm、雷射之重複頻率20Hz之雷射裝置，進行剝離試驗。
對於積層體，自支持基材側入射雷射光，雷射光之照射形狀之重疊率(overlap rate)以50~90%進行調整，照射能量密度以10~260mJ/cm2進行調整。
照射雷射光後，藉由目視確認以密接層與金屬層之間作為剝離界面且包含金屬層及基板之附有金屬層之基板自密接層的剝離狀態，並以下述基準進行評價。於下述評價基準中，若為評價A及B，則可判斷為實用上之容許範圍內。
A：於密接層與金屬層之間整面剝離。
B：於密接層與金屬層之間存在一部分未剝離之處。
C：於密接層與金屬層之間未剝離。
(晶種層功能評價)
嘗試於進行上述(剝離評價)而剝離之附有金屬層之基板的金屬層之面藉由電解鍍覆或無電解鍍覆形成銅或金之鍍膜。藉由目視確認鍍膜形成之狀態，並以下述基準進行評價。於下述評價基準中，若為評價A及B，則可判斷為實用上之容許範圍內。
A：於金屬層之整面上形成有鍍膜。
B：於金屬層上部分形成有鍍膜。
C：於金屬層上完全未形成鍍膜。
(金屬層之附著力評價)
於進行上述(剝離評價)而剝離之附有金屬層之基板的金屬層之面貼上黏著帶(「600-1-18DN」，3M Japan股份有限公司製造)。以與膜面垂直之方式拉伸膠帶，剝離膠帶。藉由目視確認剝離膠帶後之金屬層之狀態，並以下述基準進行評價。於下述評價基準中，若為評價A及B，則可判斷為實用上之容許範圍內。
A：金屬層未見剝離。
B：金屬層可見部分剝離。
C：金屬層整面剝離。
<硬化性聚矽氧1及硬化性組合物1之製備>
(硬化性聚矽氧1之製備)
藉由將有機氫化矽氧烷與含有烯基之矽氧烷加以混合，而獲得硬化性聚矽氧1。關於硬化性聚矽氧1之組成，M單元、D單元、T單元之莫耳 比為9：59：32，有機基之甲基與苯基之莫耳比為44：56，全部烯基與鍵結於全部矽原子之氫原子之莫耳比(氫原子/烯基)為0.7，平均OX基數為0.1。平均OX基數為表示1個Si原子上平均鍵結有多少個OX基(X為氫原子或烴基)之數值。
(硬化性組合物1之製備)
向將二乙二醇二乙醚(「HYSORB EDE」，東邦化學工業股份有限公司製造)(84.9g)與硬化性聚矽氧1(200g)加以混合而成之溶液中，以鉑元素相對於硬化性聚矽氧1之含量成為120ppm之方式，添加鉑(0)-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(CAS No.為68478-92-2)，獲得混合物A。向混合物A中混合甲基苯基改性聚矽氧(「AP 1000」，旭化成瓦克矽酮股份有限公司製造)(0.500g)，使用孔徑0.45μm之過濾器對所獲得之混合液進行過濾，藉此獲得硬化性組合物1。
<例1>
將所製備之硬化性組合物1塗佈於支持基材，使用加熱板於140℃下加熱5分鐘，繼而使用烘箱於250℃下加熱30分鐘，藉此形成厚度10μm之聚矽氧樹脂層，獲得附有聚矽氧樹脂層之支持基材。
其次，使用濺鍍裝置於另行準備之基板之表面形成金屬層。再者，於例1中，形成Ti層作為第1層，形成Cu層作為第2層，獲得附有金屬層之基板。
其後，以聚矽氧樹脂層與金屬層相接之方式，使用貼合裝置將附有聚矽氧樹脂層之支持基材與附有金屬層之基板貼合，而獲得積層體。
使用惰性氣體烘箱，將所獲得之積層體於氮氣氛圍下以300℃加熱30分鐘。
對所獲得之積層體，實施上述各種評價。
<例2~22>
如下述表所示，變更所使用之基板之種類及金屬膜之種類，除此以外，按照與例1相同之程序實施各種評價。
再者，關於例12~15，使用具有貫通孔之基板，於該基板之表面使用濺鍍裝置形成金屬層。
又，關於例16~17，按照與例1相同之程序獲得附有金屬層之基板後，設置貫通基板與金屬層之貫通孔後，與附有聚矽氧樹脂層之支持基材貼合。
表1~4中，「金屬層」欄之標記表示金屬層中之金屬種類及厚度。例如，「Ti/50nm」表示厚度50nm之Ti層。
表1~4中，「金屬被覆部之附著性評價」欄表示上述(評價基板之貫通孔之內壁面上有無金屬被覆部)之結果。
Figure 110120170-A0305-12-0025-1
Figure 110120170-A0305-12-0026-2
Figure 110120170-A0305-12-0026-3
Figure 110120170-A0305-12-0026-4
如表1~4所示，本發明之積層體顯示出所需之效果。
根據例5與例1~4之比較確認到，於金屬層為多層構造之情形時，金屬層之附著力更加優異。
根據例14與例16之比較確認到，於貫通孔之內壁面上有金屬被覆部之情形時，剝離性更加優異。
<有機EL顯示裝置(相當於電子裝置)之製造>
使用例1~17所獲得之積層體基板，按照以下之程序，製造有機EL顯示裝置。
首先，於積層體之基板之與支持基材側為相反側之表面上，藉由電漿CVD法使氮化矽、氧化矽、非晶矽依序成膜。其次，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層，進行加熱處理，進行脫氫處理。其次，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。其次，自使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置將低濃度之磷注入至非晶矽層，形成N型及P型之TFT(thin-film transistor，薄膜電晶體)區域。
其次，於積層體之基板之與支持基材側為相反側之表面上，藉由電漿CVD法形成氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成閘電極。其次，藉由光微影法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼及磷注入至N型、P型各者之所需區域，形成源極區域及汲極區域。
其次，於積層體之基板之與支持基材側為相反側之表面上，藉由電漿CVD法使氧化矽成膜而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法使鋁成膜及藉由使用光微影法之蝕刻形成TFT電極。其次，於氫氣氛圍下，進行加熱處理，進行氫化處理後，藉由電漿CVD法使氮化矽成膜，從而形成鈍化層。
其次，於積層體之基板之與支持基材側為相反側之表面上塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法形成平坦層及接觸孔。其次，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。繼而，藉由蒸鍍法，於聚醯亞胺樹脂層之與玻璃板側相反之側，依序進行如下成膜，即， 使4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺成膜以作為電洞注入層；使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜以作為電洞傳輸層；使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)而成者成膜以作為發光層；將Alq3成膜以作為電子傳輸層。其次，藉由濺鍍法使鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。
其次，於積層體之基板之與支持基材側為相反側之表面上，經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃板並進行密封。藉由上述程序，於聚醯亞胺樹脂層上形成有機EL構造體。基板上具有有機EL構造體之構造物(以下，稱為面板A)為本發明之附有電子裝置用構件之積層體。
繼而，使面板A之密封體側真空吸附於壓盤後，自支持基材側照射雷射，於密接層(聚矽氧樹脂層)與金屬層之間進行剝離。結果，可剝離附有聚矽氧樹脂層之支持基材。
又，已參照特定之實施方式對本發明進行了詳細說明，但是，對本領域技術人員而言，顯而易見的是可於不脫離本發明之精神與範圍之前提下進行各種變更或修正。本申請係基於2020年6月11日申請之日本專利(特願2020-101638)者，其內容以參照之方式被引用於此。

Claims (11)

  1. 一種積層體，其依序具有支持基材、密接層、金屬層及基板，上述金屬層包含選自由銅、鈦、鈀、金、鎳、鎢及鉬所組成之群中之至少1種金屬，且上述基板為玻璃基板。
  2. 如請求項1之積層體，其中上述金屬層包含選自由銅、鈦、鈀、金及鎳所組成之群中之至少1種金屬。
  3. 如請求項1或2之積層體，其中上述金屬層具有第1金屬層及配置於上述第1金屬層上之第2金屬層，且上述第1金屬層中所包含之金屬之種類與上述第2金屬層中所包含之金屬之種類不同。
  4. 如請求項3之積層體，其中上述第1金屬層相較於上述第2金屬層配置於更靠上述基板側，且上述第1金屬層包含鈦。
  5. 如請求項4之積層體，其中上述第2金屬層包含銅。
  6. 如請求項1或2之積層體，其中上述金屬層具有沿厚度方向延伸之第1貫通孔， 上述基板具有沿厚度方向延伸之第2貫通孔，且上述第1貫通孔與上述第2貫通孔連通。
  7. 如請求項6之積層體，其進一步具有覆蓋上述第2貫通孔之內壁面之至少一部分且包含金屬的金屬被覆部。
  8. 如請求項1或2之積層體，其中上述密接層為聚矽氧樹脂層。
  9. 如請求項1或2之積層體，其中上述支持基材為玻璃基板。
  10. 一種附有電子裝置用構件之積層體，其具有：如請求項1至9中任一項之積層體；及電子裝置用構件，其配置於上述積層體中之上述基板上。
  11. 一種電子裝置之製造方法，其具備：構件形成步驟，係於如請求項1至9中任一項之積層體之上述基板之表面上形成電子裝置用構件，獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，係自上述附有電子裝置用構件之積層體之上述支持基材側照射雷射後，自上述附有電子裝置用構件之積層體剝離上述支持基材及上述密接層，從而獲得具有上述電子裝置用構件、上述基板及上述金屬層之電子裝置。
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