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TWI873266B - 基板處理方法及設備 - Google Patents

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TWI873266B
TWI873266B TW109146874A TW109146874A TWI873266B TW I873266 B TWI873266 B TW I873266B TW 109146874 A TW109146874 A TW 109146874A TW 109146874 A TW109146874 A TW 109146874A TW I873266 B TWI873266 B TW I873266B
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趙一衡
金德鎬
黃喆周
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南韓商周星工程股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種基板處理方法及設備，其能藉由單一個氣體供應單元而將氣體供應至多個處理腔體，而且同時供應相異的氣體，從而提升在各個腔體中沉積的薄膜之厚度的均勻性。基板處理方法及設備能藉由僅向一腔體同時供應氣體而僅在一腔體中進行處理，或藉由將相異的氣體供應至各個腔體而在多個腔體中進行相異的處理。因此，能在各個腔體中沉積具有均勻厚度之薄膜，而能提升氣體供應效率。

Description

基板處理方法及設備
本發明係關於基板處理方法及設備，特別係關於一種基板處理方法，其能藉由單一個氣體供應系統而將氣體供應至多個處理腔體，且能同時供應相異的氣體，從而提升在各個腔體中沉積的薄膜之厚度的均勻性。
一般而言，薄膜沉積處理、微影處理及蝕刻處理等處理可用於製造半導體裝置，且這些處理是在設計成對應處理為最佳環境的腔體中所進行。薄膜沉積處理係指一種藉由在矽晶圓上沉積原料而形成薄膜的處理，微影處理係指一種使用光阻材料來讓選自薄膜之區域露出或掩蔽的處理，蝕刻處理係指一種藉由將所選區域之薄膜去除而以期望的方式將所選區域圖案化的處理。
用於將預定薄膜形成在矽晶圓上的薄膜沉積裝置係使用例如化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)裝置及原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)裝置等各種裝置。薄膜沉積裝置係應用於製造半導體用的各種領域。
在此等裝置當中，ALD裝置能沉積具有優異均勻性的奈米薄膜。因此，作為製造奈米尺度半導體裝置所需的沉積技 術，ALD裝置引起諸多關注。尤其，ALD薄膜沉積裝置可以埃(Angstrom)為單位精確控制薄膜的厚度。因此，ALD薄膜沉積裝置具有優異的段差覆蓋性，且甚至可均勻沉積複雜的三維結構，並可精確控制薄膜的厚度及成分。因此，ALD裝置能以均勻的速度在大面積上沉積薄膜。
近來，為了提升生產力而使用叢集式基板處理設備。叢集式基板處理設備包含彼此緊密耦合的多個處理模組、搬運模組及負載鎖定模組，搬運模組用於搬運基板。再者，使用同時處理多個基板的多腔體式基板處理設備，以提升現有ALD裝置的生產力。
圖1係繪示傳統多腔體基板處理設備之配置的俯視示意圖。傳統多腔體基板處理設備100包含耦合至搬運模組110周圍的多個處理模組121、122、123及負載鎖定模組130。
搬運模組110包含安裝在其內的搬運機器人111，所述搬運機器人111用於搬運基板S。藉由搬運機器人111使基板S在多個處理模組121、122、123及負載鎖定模組130之間移動。除了需要設定或維護的情形以外，搬運模組110始終維持真空狀態。
處理模組121、122、123之各者在一個或多個處理腔體121a及121b、122a及122b或者123a及123b內的基板S上進行例如薄膜沉積或蝕刻的實際處理。
當基板S在真空狀態下搬進或搬出多個處理模組 121、122、123時，負載鎖定模組130用作為供基板S臨時停留在其中的緩衝空間。一般而言，考量到生產力，其中兩個腔體垂直堆疊的結構通常用作為負載鎖定模組130。
因此，當將基板S自外部搬進多個處理模組121、122、123時，負載鎖定模組130切換到真空狀態，且當將基板S自多個處理模組121、122、123搬出到外部時，負載鎖定模組130切換到大氣狀態。
圖2係繪示傳統多腔體基板處理設備之配置的側視剖面示意圖。
參照圖2，多腔體基板處理設備200包含第一處理腔體210及第二處理腔體220。第一處理腔體210包含在其上供第一基板S1安置的第一基板安置單元210a及供處理氣體噴出的第一淋灑頭210b，而且第二處理腔體220包含在其上供第二基板S2安置的第二基板安置單元220a及供處理氣體噴出的第二淋灑頭220b。
用於自氣體供應單元230供應處理氣體的第一處理氣體供應線路211連接至第一處理腔體210，並藉由第一閥門212來開關。用於自氣體供應單元230供應處理氣體的第二處理氣體供應線路221連接至第二處理腔體220，並藉由第二閥門222來開關。
為了便於描述，圖2將第一處理氣體供應線路211及第二處理氣體供應線路221各繪示成一條線，且將第一閥門212 及第二閥門222各繪示成一閥門。
然而，第一處理氣體供應線路211可由四條線路(即原料氣體供應線路、原料吹掃氣體供應線路、反應氣體供應線路及反應吹掃氣體供應線路)所構成，而且第二處理氣體供應線路221可由四條線路(即原料氣體供應線路、原料吹掃氣體供應線路、反應氣體供應線路及反應吹掃氣體供應線路)所構成。
再者，第一閥門212可由四個閥門(即原料氣體供應線路之閥門、原料吹掃氣體供應線路之閥門、反應氣體供應線路之閥門及反應吹掃氣體供應線路之閥門)所構成，而且第二閥門222可由四個閥門(即原料氣體供應線路之閥門、原料吹掃氣體供應線路之閥門、反應氣體供應線路之閥門及反應吹掃氣體供應線路之閥門)所構成。
由於控制第一閥門212及第二閥門222同時開關，故薄膜以相同的處理條件在第一處理腔體210及第二處理腔體220中沉積。
圖3係用於描述傳統多腔體基板處理設備中之沉積處理之流程的時序圖。
如圖3所示，在相同的處理條件下，傳統多腔體基板處理設備中之第一閥門及第二閥門的開關操作被均等控制以分別在第一處理腔體210及第二處理腔體220中沉積薄膜。
亦即，藉由自一個氣體供應單元230分支之第一處理氣體供應線路211及第二處理氣體供應線路221，以將處理氣 體供應至第一處理腔體210及第二處理腔體220。此時，相同的氣體同時供應至第一處理腔體210及第二處理腔體220，以使相同種類的薄膜沉積在第一基板S1及第二基板S2上。
然而，雖然第一閥門及第二閥門的開關操作被均等控制，但可能因硬體應體問題，而在第一閥門及第二閥門實際開關之時間之間或在自第一處理氣體供應線路211及第二處理氣體供應線路221所供應之處理氣體之速度或流量之間發生差異。
當發生此種差異時，在沉積於第一處理腔體210之第一基板S1上之第一薄膜的厚度及沉積於第二處理腔體220之第二基板S2上之第二薄膜的厚度之間可能會發生偏差。
各種實施例係指一種基板處理方法及設備，其能藉由對各個處理腔體同時供應相異的氣體而在多個處理腔體中進行相異的處理，並且以與傳統基板處理設備的配置相同的方式維持氣體供應單元、處理氣體供應線路及處理氣體供應線路之閥門的配置，從而提升沉積在各個腔體中之薄膜之厚度的均勻性。
在一實施例中，提供一種基板處理設備的基板處理方法，所述基板處理設備包含氣體供應單元、第一氣體線路、第二氣體線路、第三氣體線路及控制單元，氣體供應單元用以供應處理氣體，第一氣體線路用以將處理氣體供應至具有第一基板安置於其內的第一腔體，第二氣體線路用以將處理氣體供應至具有第二基板安置於其內的第二腔體，第三氣體線路用以將自氣體供 應單元所供應之處理氣體供應至第一氣體線路及第二氣體線路之各者，控制單元用以控制此等氣體線路，而基板處理方法可包含：控制自氣體供應單元所供應之處理氣體經由第三氣體線路而僅供應至第一氣體線路及第二氣體線路之任一者；以及利用處理氣體處理第一基板及第二基板。
在一實施例中，提供一種基板處理設備的基板處理方法，所述基板處理設備包含氣體供應單元、第一氣體線路、第一閥門、第二氣體線路、第二閥門及第三氣體線路，氣體供應單元用以供應處理氣體，第一氣體線路用以將處理氣體供應至第一腔體，第一閥門用以開關第一氣體線路，第二氣體線路用以將處理氣體供應至第二腔體，第二閥門用以開關第二氣體線路，第三氣體線路用以將自氣體供應單元所供應之處理氣體供應至第一氣體線路及第二氣體線路之各者。自氣體供應單元所供應之處理氣體可經由第三氣體線路而供應至第一氣體線路及第二氣體線路，而且可藉由第一閥門及第二閥門之操作來控制處理氣體之供應。
在一實施例中，一種基板處理設備可包含：氣體供應單元，用以供應處理氣體；第一氣體線路，用以將處理氣體供應至具有第一基板安置於其內的第一腔體；第二氣體線路，用以將處理氣體供應至具有第二基板安置於其內的一第二腔體；第三氣體線路，用以將自氣體供應單元所供應之處理氣體供應至第一氣體線路及第二氣體線路之各者；以及控制單元，用以控制第一氣體線路、第二氣體線路及第三氣體線路；其中自氣體供應單元所 供應之處理氣體經由第三氣體線路而僅供應至第一氣體線路及第二氣體線路之任一者。
根據本揭露之實施例，基板處理方法及設備能藉由將氣體經由共通的氣體供應單元及共通的流率控制器而供應至用於多個腔體之氣體線路，以在多個腔體中進行相異的處理，並且控制所述氣體依序供應至各個腔體。因此，能在各個腔體中沉積具有均勻厚度之薄膜，而能提升氣體供應效率。
100:基板處理設備
110:搬運模組
111:搬運機器人
121、122、123:處理模組
121a、121b、122a、122b、123a、123b:處理腔體
130:負載鎖定模組
210:第一處理腔體
210a:第一基板安置單元
210b:第一淋灑頭
211:第一處理氣體供應線路
212:第一閥門
220:第二處理腔體
220a:第二基板安置單元
220b:第二淋灑頭
221:第二處理氣體供應線路
222:第二閥門
230:氣體供應單元
400:基板處理設備
410:第一腔體
410a:第一基板安置單元
410b:第一淋灑頭
411:第一氣體線路
412:第一閥門
420:第二腔體
420a:第二基板安置單元
420b:第二淋灑頭
421:第二氣體線路
422:第二閥門
430:氣體供應單元
431:第三氣體線路
432:第三閥門
440:流率控制器
450:氣體儲存空間
461a:第一排氣線路
461b:第一排氣閥門
462a:第二排氣線路
462b:第二排氣閥門
470:共通排氣泵浦
480:控制單元
500:基板處理設備
510:第一腔體
510a:第一基板安置單元
510b:第一淋灑頭
511:第一氣體線路
512:第一閥門
520:第二腔體
520a:第二基板安置單元
520b:第二淋灑頭
521:第二氣體線路
522:第二閥門
530:氣體供應單元
531:第三氣體線路
532:第三閥門
540:流率控制器
550:氣體儲存空間
561a:第一排氣線路
561b:第一排氣閥門
562a:第二排氣線路
562b:第二排氣閥門
571:第一排氣泵浦
572:第二排氣泵浦
580:控制單元
S:基板
S1:第一基板
S2:第二基板
圖1係繪示傳統多腔體基板處理設備之配置的俯視示意圖。
圖2係繪示傳統多腔體基板處理設備之配置的側視剖面示意圖。
圖3係用於描述傳統多腔體基板處理設備中之沉積處理之流程的時序圖。
圖4係繪示根據本揭露之一實施例的基板處理設備之配置的側視剖面示意圖。
圖5係繪示根據本揭露之另一實施例的基板處理設備之配置的側視剖面示意圖。
圖6係用於描述根據本揭露之一實施例的基板處理方法之流程的時序圖。
圖7係用於描述根據本揭露之另一實施例的基板處理方法之流程的時序圖。
圖8係用於描述根據本揭露之另一實施例的基板處理方法之一範例的圖。
以下，將參照所附圖式詳細描述本揭露之示例實施例。在本說明書及申請專利範圍中所使用之術語不應解釋為受限於典型及字典的意義，而應解釋為與本揭露之技術事項一致的意義及概念。
本說明書所述之實施例及圖式所示之組件為本揭露之優選實施例，並且不代表本揭露之所有技術思想。因此，各種在提交本申請時，可存在能替代實施例的各種均等物及修改物。
圖4係繪示根據本揭露之一實施例的基板處理設備之配置的側視剖面示意圖，而圖5係繪示根據本揭露之另一實施例的基板處理設備之配置的側視剖面示意圖。
參照圖4，根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400包含氣體供應單元430、第一氣體線路411、第一閥門412、第二氣體線路421、第二閥門422、第三氣體線路431及控制單元480。氣體供應單元430用於供應處理氣體，第一氣體線路411用於將處理氣體供應至第一腔體410，第一閥門412用於開關第一氣體線路411，第二氣體線路421用於將處理氣體供應至第二腔體420，第二閥門422用於開關第二氣體線路421，第三氣體線路431用以將自氣體供應單元430所供應之處理氣體僅供應至第一氣體線路411及第二氣體線路421之任一者，而控制單元480用 於控制第一氣體線路411、第二氣體線路421及第三氣體線路431。
自氣體供應單元430所供應之處理氣體經由第三氣體線路431而僅供應至第一氣體線路411及第二氣體線路421之任一者，而控制單元480控制第一閥門412及第二閥門422之操作，以將處理氣體供應至氣體線路之任一者。
根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400包含第一腔體410及第二腔體420。第一腔體410包含在其上供第一基板S1安置的第一基板安置單元410a及供處理氣體噴出的第一淋灑頭410b，而第二腔體420包含在其上供第二基板S2安置的第二基板安置單元420a及供處理氣體噴出的第二淋灑頭420b。
自氣體供應單元430供應處理氣體而流經的第一氣體線路411係與第一腔體410連接，並藉由第一閥門412開關。自氣體供應單元430供應處理氣體而流經的第二氣體線路421係與第二腔體420連接，並藉由第二閥門422開關。
根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400包含共通的流率控制器440，其用以控制自氣體供應單元430經由第三氣體線路431而供應至第一氣體線路411及第二氣體線路421之任一氣體線路的氣體流率。自氣體供應單元430所供應之氣體係經由第一氣體線路411及第二氣體線路421而分別輸送至第一腔體410及第二腔體420，以使第一薄膜形成在第一基板S1上以及使第二薄膜形成在第二基板S2上。
根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400可更 包含氣體儲存空間450，其安裝在第三氣體線路431上且用以儲存自氣體供應單元430所供應之處理氣體，且將處理氣體供應至第一氣體線路411或第二氣體線路421。
根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400可更包含第三閥門432，其安裝在第三氣體線路431上且用以將處理氣體自氣體供應單元430供應至第一氣體線路411或第二氣體線路421，或阻斷處理氣體之供應。
為了便於描述，圖4將第一氣體線路411及第二氣體線路421各繪示成一條線，且將第一閥門412及第二閥門422各繪示成一閥門。
然而，第一氣體線路411可由四條線路(即原料氣體供應線路、原料吹掃氣體供應線路、反應氣體供應線路及反應吹掃氣體供應線路)所構成，而且第二氣體線路421可由四條線路(即原料氣體供應線路、原料吹掃氣體供應線路、反應氣體供應線路及反應吹掃氣體供應線路)所構成。
第一閥門412可由四個閥門(即原料氣體供應線路之閥門、原料吹掃氣體供應線路之閥門、反應氣體供應線路之閥門及反應吹掃氣體供應線路之閥門)所構成，而且第二閥門422可由四個閥門(即原料氣體供應線路之閥門、原料吹掃氣體供應線路之閥門、反應氣體供應線路之閥門及反應吹掃氣體供應線路之閥門)所構成。
在第一腔體410下方形成有第一排氣線路461a及第 一排氣閥門461b，而且在第二腔體420下方形成有第二排氣線路462a及第二排氣閥門462b。第一排氣線路461a及第二排氣線路462a連接至共通排氣泵浦470。
在根據本揭露之所述實施例的基板處理設備400中，在第一步驟期間不將處理氣體供應至第二腔體420，其中將原料氣體、原料吹掃氣體、反應氣體及反應吹掃氣體依序供應至第一腔體410，以使第一薄膜沉積在第一基板S1上。
再者，在第二步驟期間不將處理氣體供應至第一腔體410，其中將原料氣體、原料吹掃氣體、反應氣體及反應吹掃氣體依序供應至第二腔體420，以使第二薄膜沉積在第二基板S2上。
根據本揭露之所述另一實施例之圖5的基板處理設備500具有與圖4相同的配置，除了形成在第一腔體510下方的第一排氣線路561a及第一排氣閥門561b連接至第一排氣泵浦571以及形成在第二腔體520下方的第二排氣線路562a及第二排氣閥門562b連接至分開的第二排氣泵浦572以外。
參照圖5，根據本揭露之所述另一實施例之基板處理設備500包含氣體供應單元530、第一氣體線路511、第一閥門512、第二氣體線路521、第二閥門522、第三氣體線路531、第三閥門532及控制單元580。氣體供應單元530用於供應處理氣體，第一氣體線路511用於將處理氣體供應至第一腔體510，第一閥門512用於開關第一氣體線路511，第二氣體線路521用於 將處理氣體供應至第二腔體520，第二閥門522用於開關第二氣體線路521，第三氣體線路531用以將自氣體供應單元530所供應之處理氣體供應至第一氣體線路511及第二氣體線路521，第三閥門532用於開關第三氣體線路531，而且控制單元580用於控制第一氣體線路511、第二氣體線路521及第三氣體線路531。
根據本揭露之所述另一實施例之基板處理設備500包含第一腔體510及第二腔體520。第一腔體510包含在其上供第一基板S1安置的第一基板安置單元510a及供處理氣體噴出的第一淋灑頭510b，而且第二腔體520包含在其上供第二基板S2安置的第二基板安置單元520a及供處理氣體噴出的第二淋灑頭520b。
根據本揭露之所述另一實施例的基板處理設備500包含共通的流率控制器540，其用以控制自氣體供應單元530經由第三氣體線路531而供應至第一氣體線路511及第二氣體線路521之氣體的流率。
根據本揭露之所述實施例的基板處理設備500可更包含氣體儲存空間550，其安裝在第三氣體線路531上且用以儲存自氣體供應單元530所供應之處理氣體，並將處理氣體供應至第一氣體線路511或第二氣體線路521。在圖5所示之基板處理設備500中，在將原料氣體、原料吹掃氣體、反應氣體及反應吹掃氣體依序供應至第一腔體510以使第一薄膜沉積在第一基板S1上的第一步驟期間，將反應氣體、反應吹掃氣體、原料氣體及原 料吹掃氣體依序供應至第二腔體520以使第二薄膜沉積在第二基板S2上。
相較於圖4所示之基板處理設備400，圖5所示之基板處理設備500能縮短處理時間。
圖6係用於描述根據本揭露之一實施例的基板處理方法之流程的時序圖。
參照圖6，根據本揭露之所述實施例的基板處理方法包含第一步驟S610及第二步驟S620。
根據本揭露之所述實施例的基板處理方法係使用基板處理設備的基板處理方法，所述基板處理設備包含：氣體供應單元，用以供應處理氣體；第一氣體線路，用以將處理氣體供應至具有第一基板安置於其內的第一腔體；第二氣體線路，用以將處理氣體供應至具有第二基板安置於其內的第二腔體；第三氣體線路，用以將自氣體供應單元所供應之處理氣體供應至第一氣體線路及第二氣體線路之各者；以及控制單元，用以控制各個氣體線路。基板處理方法包含：控制自氣體供應單元所供應之處理氣體經由第三氣體線路而僅供應至第一氣體線路及第二氣體線路之任一者；以及利用處理氣體處理第一基板及第二基板。
在第一步驟S610中，將處理氣體供應至第一腔體，而不供應至第二腔體。第一步驟S610包含藉由依序重複將原料氣體噴進第一腔體的第一原料處理S_1、將原料吹掃氣體噴進第一腔體的第一原料吹掃處理SP_1、將反應氣體噴進第一腔體的第 一反應處理R_1，以及將反應吹掃氣體噴進第一腔體的第一反應吹掃處理RP_1，以在第一基板S1上形成第一薄膜。
在第二步驟S620中，將處理氣體供應至第二腔體，而不供應至第一腔體。第二步驟S620包含藉由依序重複將原料氣體噴進第二腔體的第二原料處理S_2、將原料吹掃氣體噴進第二腔體的第二原料吹掃處理SP_2、將反應氣體噴進第二腔體的第二反應處理R_2，以及將反應吹掃氣體噴進第二腔體的第二反應吹掃處理RP_2，以在第二基板S2上形成第二薄膜。
依序進行第一步驟S610及第二步驟S620。此時，將第一步驟S610及第二步驟S620設定為一循環(cycle)，並在重複所述循環的同時分別在第一基板S1及第二基板S2上形成第一薄膜及第二薄膜。
在第一步驟S610中，不將處理氣體供應至第二腔體，並且不在第二腔體中進行薄膜的沉積。在第二步驟S620中，不將處理氣體供應至第一腔體，並且不在第一腔體中進行薄膜的沉積。
圖7係用於描述根據本揭露之另一實施例的基板處理方法之流程的時序圖。
參照圖7，根據本揭露之所述另一實施例的基板處理方法包含第一步驟S710及第二步驟S720。
根據本揭露之所述另一實施例的基板處理方法係使用基板處理設備的基板處理方法，所述基板處理設備包含：氣體供應單元，用以供應處理氣體；第一氣體線路，用以將處理氣體 供應至第一腔體；第一閥門，用以開關第一氣體線路；第二氣體線路，用以將處理氣體供應至第二腔體；第二閥門，用以開關第二氣體線路；以及第三氣體線路，用以將自氣體供應單元所供應之處理氣體供應至第一氣體線路及第二氣體線路之各者。基板處理方法包含：將自氣體供應單元所供應之處理氣體經由第三氣體線路而供應至第一氣體線路及第二氣體線路，而且藉由第一閥門及第二閥門之操作來控制處理氣體之供應。
在第一步驟S710中，進行將原料氣體噴進第一腔體的第一原料處理S_1、將原料吹掃氣體噴進第一腔體的第一原料吹掃處理SP_1、將反應氣體噴進第二腔體的第一反應處理R_1，以及將反應吹掃氣體噴進第二腔體的第一反應吹掃處理RP_1。
在第二步驟S720中，進行將反應氣體噴進第一腔體的第二反應處理R_2、將反應吹掃氣體噴進第一腔體的第二反應吹掃處理RP_2、將原料氣體噴進第二腔體的第二原料處理S_2，以及將原料吹掃氣體噴進第二腔體的第二原料吹掃處理SP_2。
根據本揭露之所述另一實施例的基板處理方法包含依序進行第一步驟S610及第二步驟S620。此時，在重複先進行第一步驟S610再進行第二步驟S620之一循環的同時，分別在第一基板S1及第二基板S2上沉積薄膜。
在第一步驟S710中同時進行第一原料處理S_1及第一反應處理R_1，而且在第二步驟S720中同時進行第二反應處理R_2及第二原料處理S_2。
亦即，在將原料氣體供應至第一腔體以進行第一原料處理S_1的同時，將反應氣體供應至第二腔體以進行第一反應處理R_1，而且在將反應氣體供應至第一腔體以進行第二反應處理R_2的同時，將原料氣體供應至第二腔體以進行第二原料處理S_2。
由於在一循環內在第一腔體及第二腔體之各者中進行薄膜沉積，故可減少薄膜沉積處理的整體時間。
圖8係用於描述根據本揭露之圖6之所述實施例的基板處理方法之一範例的圖。
參照圖8，雖然第一步驟S610之整體處理時間及第二步驟S620之整體處理時間彼此相等，但構成第一步驟S610及第二步驟S620之各者的處理時間亦可有所變動。
亦即，在進行第一步驟S610之第一原料處理S_1、第一原料吹掃處理SP_1、第一反應處理R_1及第一反應吹掃處理RP_1之各者之期間的時間，以及在進行第二步驟S620之第二反應處理R_2、第二反應吹掃處理RP_2、第二原料處理S_2及第二原料吹掃處理SP_2之各者之期間的時間，均可有所變動。
如此表示，當在第一步驟S610中形成在第一基板S1上之第一薄膜的厚度及在第二步驟S620中形成在第二基板S2上之第二薄膜的厚度彼此相異時，可調整第一步驟S610及第二步驟S620之詳細處理時間，以提升薄膜之厚度的均勻性。
圖8之(a)繪示正常進行根據本揭露之基板處理方 法的處理。
如圖8之(a)所示，在根據本揭露之基板處理方法中，在進行第一步驟S610之第一原料處理S_1、第一原料吹掃處理SP_1、第一反應處理R_1及第一反應吹掃處理RP_1之各者之期間的時間，以及在進行第二步驟S620之第二反應處理R_2、第二反應吹掃處理RP_2、第二原料處理S_2及第二原料吹掃處理SP_2之各者之期間的時間，可設定成相同的時間，例如0.4秒(sec)。在此情況下，具有均勻厚度的薄膜可形成在第一基板S1及第二基板S2上。
由於各種原因，第一薄膜及第二薄膜的厚度可能彼此相異。當第一薄膜及第二薄膜的厚度彼此相異時，可調整第一步驟S610及第二步驟S620之詳細處理時間，以控制薄膜之厚度的均勻性。
如圖8之(b)所示，在第一步驟S610中之各個處理的處理時間可維持在0.4秒，在第二步驟S620中之第二反應處理R_2的處理時間可減至0.3秒，而在第二步驟S620中之第二原料處理S_2的處理時間可調整至0.5秒，以使調整薄膜之厚度的均勻性成為可能。此時，第二反應吹掃處理RP_2的處理時間及第二原料吹掃處理SP_2的處理時間維持在0.4秒，其與第一原料吹掃處理SP_1的處理時間及第一反應吹掃處理RP_1的處理時間相等。因此，藉由將第一原料處理S_1的處理時間及第一反應處理R_1的處理時間相加而獲得的時間，係與藉由將第二反應處 理R_2的處理時間及第二原料處理S_2的處理時間相加而獲得的時間相等。
如圖8之(c)所示，在第一步驟S610中之各個處理的處理時間可維持在0.4秒，在第二步驟S620中之第二反應吹掃處理RP_2的處理時間可減至0.3秒，而且在第二步驟S620中之第二原料吹掃處理SP_2的處理時間可調整至0.5秒，以使調整薄膜之厚度的均勻性成為可能。此時，第二反應處理R_2的處理時間及第二原料處理S_2的處理時間維持在0.4秒，其與第一原料處理S_1的處理時間及第一反應處理R_1的處理時間相等。因此，藉由將第一原料吹掃處理SP_1的處理時間及第一反應吹掃處理RP_1的處理時間相加而獲得的時間，係與藉由將第二反應吹掃處理RP_2的處理時間及第二原料吹掃處理SP_2的處理時間相加而獲得的時間相等。
如圖8之(d)所示，在進行第一步驟S610之第一原料處理S_1、第一原料吹掃處理SP_1、第一反應處理R_1及第一反應吹掃處理RP_1之各者之期間的時間，以及在進行第二步驟S620之第二反應處理R_2、第二反應吹掃處理RP_2、第二原料處理S_2及第二原料吹掃處理SP_2之各者之期間的時間，可全部予以改變，以調整薄膜之厚度的均勻性。
此時，藉由將第一原料處理S_1的處理時間、第一原料吹掃處理SP_1的處理時間、第一反應處理R_1的處理時間及第一反應吹掃處理RP_1的處理時間相加而獲得的時間，係與 藉由將第二反應處理R_2的處理時間、第二反應吹掃處理RP_2的處理時間、第二原料處理S_2的處理時間及第二原料吹掃處理SP_2的處理時間相加而獲得的時間相等。
亦即，根據本揭露之所述實施例的基板處理方法，能藉由對於各個腔體在改變原料處理及反應處理之時間的同時均等維持吹掃處理之時間，在改變吹掃處理之時間的同時均等維持原料處理及反應處理之時間，或改變原料處理、反應處理及吹掃處理之所有時間，來調節薄膜之厚度的均勻性。
如上所述，根據本揭露之所述實施例的基板處理方法，可在包含多個腔體之基板處理設備中藉由共通的氣體供應單元及共通的流率控制器而將氣體供應至處理氣體供應線路，且在同時僅向任一腔體供應氣體，以僅在一個腔體進行處理，或者向各個腔體供應相異的氣體，以在各個腔體中進行相異的處理，從而在各個處理腔體中沉積具有均勻厚度的薄膜，以提升氣體供應之效率。
雖然以上已描述各種實施例，但是本領域中具有通常知識者將理解，所描述的實施例僅為示例性的。因此，不應基於所描述的實施例來限制描述於此的揭露內容。
400:基板處理設備
410:第一腔體
410a:第一基板安置單元
410b:第一淋灑頭
411:第一氣體線路
412:第一閥門
420:第二腔體
420a:第二基板安置單元
420b:第二淋灑頭
421:第二氣體線路
422:第二閥門
430:氣體供應單元
431:第三氣體線路
432:第三閥門
440:流率控制器
450:氣體儲存空間
461a:第一排氣線路
461b:第一排氣閥門
462a:第二排氣線路
462b:第二排氣閥門
470:共通排氣泵浦
480:控制單元
S1:第一基板
S2:第二基板

Claims (4)

  1. 一種基板處理設備的基板處理方法，其中該基板處理設備包括一氣體供應單元、一第一氣體線路、一第一閥門、一第二氣體線路、一第二閥門及一第三氣體線路，該氣體供應單元用以供應一處理氣體，該第一氣體線路用以將該處理氣體供應至一第一腔體，該第一閥門用以開關該第一氣體線路，該第二氣體線路用以將該處理氣體供應至一第二腔體，該第二閥門用以開關該第二氣體線路，該第三氣體線路用以將自該氣體供應單元所供應之該處理氣體供應至該第一氣體線路及該第二氣體線路之各者，其中自該氣體供應單元所供應之該處理氣體經由該第三氣體線路而供應至該第一氣體線路及該第二氣體線路，且藉由該第一閥門及該第二閥門之操作來控制該處理氣體之供應，其中該處理氣體包括一原料氣體及一反應氣體之任一者，其中該基板處理方法包括：一第一步驟，將該處理氣體之該原料氣體供應至該第一腔體且將該處理氣體之該反應氣體供應至該第二腔體；以及一第二步驟，將該處理氣體之該反應氣體供應至該第一腔體且將該處理氣體之該原料氣體供應至該第二腔體。
  2. 如請求項1所述之基板處理方法，其中將進行該第一步驟並接下來進行該第二步驟之一處理設定為一循環，且重複進行該一循環。
  3. 如請求項1或2所述之基板處理方法，更包括在該第一步驟及該第二步驟之後供應一吹掃氣體。
  4. 如請求項1或2所述之基板處理方法，其中該原料氣體之一供應時間及該反應氣體之一供應時間彼此相異。
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