TWI872945B

TWI872945B - 控制電路、操作方法與非暫態電腦可讀取儲存媒體

Info

Publication number: TWI872945B
Application number: TW113104832A
Authority: TW
Inventors: 沈揚智; 周柏昇; 詹伯彥
Original assignee: 慧榮科技股份有限公司
Priority date: 2024-02-06
Filing date: 2024-02-06
Publication date: 2025-02-11
Also published as: CN120447826A; TW202533028A; US20250252048A1

Abstract

一種控制電路，包含儲存電路及處理器。儲存電路用於儲存重讀順序表格與複數個讀取電壓表格。處理器耦接於儲存電路，用於存取包含複數個區塊的記憶體。當讀取錯誤發生在該些區塊中的第一區塊時，處理器依據重讀順序表格所指示的重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對第一區塊執行重讀測試。當第一區塊的重讀歷史資料符合調整條件時，處理器調整重讀順序表格所指示的重讀順序。

Description

控制電路、操作方法與非暫態電腦可讀取儲存媒體

本揭示內容關於記憶體技術，特別指提升記憶體讀取效率的控制電路、操作方法與非暫態電腦可讀取儲存媒體。

儲存裝置的記憶體老化狀態會隨著溫度、濕度、時間、讀寫次數等環境因素變化而改變。儲存裝置中通常事先儲存有記憶體生產商提供的多組補償電壓，其中每組補償電壓用於調整儲存裝置在讀取運作中使用的字元線電壓。當讀取失敗發生時，儲存裝置通常會針對當下的記憶體老化狀態，為後續的讀取運作選擇合適的一組補償電壓。然而，習知的儲存裝置需耗費相當長的時間搜尋合適的該組補償電壓，故其讀取效率十分低下。

本揭示內容係關於一種控制電路，包含儲存電路及處理器。儲存電路用於儲存重讀順序表格與複數個讀取電壓表格。處理器耦接於儲存電路，用於存取包含複數個區塊的記憶體。當讀取錯誤發生在該些區塊中的第一區塊時，處理器依據重讀順序表格所指示的重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對第一區塊執行重讀測試。當第一區塊的重讀歷史資料符合調整條件時，處理器調整重讀順序表格所指示的重讀順序。

本揭示內容還關於一種操作方法，適用於控制電路，控制電路用於存取包含複數個區塊的記憶體，且用於儲存有重讀順序表格與複數個讀取電壓表格。操作方法包含：當讀取錯誤發生在該些區塊中的第一區塊時，依據重讀順序表格所指示的重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對第一區塊執行重讀測試；以及當第一區塊的重讀歷史資料符合調整條件時，調整重讀順序表格所指示的重讀順序。

本揭示內容還關於一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，包含複數個電腦可讀取指令。當處理器執行該些電腦可讀取指令時，該些電腦可讀取指令使處理器存取包含複數個區塊的記憶體，且執行以下運作：當讀取錯誤發生在該些區塊中的第一區塊時，依據重讀順序表格所指示的重讀順序，依序使用複數個讀取電壓表格對第一區塊執行重讀測試，其中重讀順序表格與該些讀取電壓表格儲存在耦接於處理器的儲存電路之中；以及當第一區塊的重讀歷史資料符合調整條件時，調整重讀順序表格所指示的重讀順序。

據此，透過動態地調整重讀順序表格所指示的重讀順序，將可減少處理器在執行重讀測試時所需反覆執行的次數，進而提昇記憶體讀取的效率與正確性。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

於本文中，當一元件被稱為「連接」或「耦接」時，可指「電性連接」或「電性耦接」。「連接」或「耦接」亦可用以表示二或多個元件間相互搭配操作或互動。此外，雖然本文中使用「第一」、「第二」、…等用語描述不同元件，該用語僅是用以區別以相同技術用語描述的元件或操作。除非上下文清楚指明，否則該用語並非特別指稱或暗示次序或順位，亦非用以限定本發明。

關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致約」一般通常係指數值之誤差或範圍在百分之二十以內，較好地是在百分之十以內，而更佳地則是在百分五之以內。文中若無明確說明，其所提及的數值皆視作為近似值，即如「約」、「大約」或「大致約」所表示的誤差或範圍。

第1圖為依據本揭示內容之一實施例的電子系統100簡化後的功能方塊圖。電子系統100包含控制電路110與記憶體120。控制電路110通訊耦接於外部運算電路（圖中未示，例如：中央處理器），以依據外部運算電路提供的讀取、寫入與擦除指令，對記憶體120進行相應的讀取、寫入或擦除等存取動作。在一些實施例中，記憶體120可由快閃記憶體（如：NAND記憶體）或其他合適種類的非揮發性記憶體來實現。

記憶體120包含多個邏輯單元L0～L1（LUN，或又稱為晶粒（Die）），如第1圖所示，每個邏輯單元L0～L1包含多個區塊（block），例如邏輯單元L0包含區塊B0～B49，且邏輯單元L1包含區塊B50～B99。

控制電路110包含處理器112與儲存電路114，處理器112耦接於儲存電路114，且通訊耦接於記憶體120的多個邏輯單元L0～L1，用以對儲存電路114及記憶體120執行讀取、寫入或擦除等存取動作。

在一些實施例中，處理器112包含但不限於單一處理器以及多個微處理器之集成。處理器112可以被實施為中央處理器（central processing unit，CPU）、系統單晶片（System on Chip，SoC）、應用處理器、數位訊號處理器（digital signal processor）或特定功能的處理晶片或控制器。

儲存電路114儲存有映射表格TA、多個讀取電壓表格TB0～TBk以及重讀順序表格TC，其中k為大於1的正整數。在一實施例中，儲存電路114為控制電路110的內部記憶體，但本揭示內容不以此為限。此外，第1圖中邏輯單元、區塊及讀取電壓表格的數量皆僅為示例，本揭示內容不以此為限。

第2圖為依據本揭示內容之一實施例的映射表格TA的示意圖。映射表格TA包含多個索引值0～k，且記錄有各個索引值與各個讀取電壓表格TB0～TBk間的對應關係。如第2圖所示，索引值0～k分別對應於讀取電壓表格TB0～TBk。

第3圖為依據本揭示內容之一實施例的讀取電壓表格TB（包含TB0～TBk）的示意圖。在此依據第1～3圖來說明讀取電壓表格TB0～TBk的應用方式。如第3圖所示，每個讀取電壓表格TB0～TBk中都紀錄有多個閾值電壓的偏移量。其中，「閾值電壓（Vth）」係處理器112對記憶體120進行讀取時所使用的參考電壓值。當閾值電壓為「1.5V」時，處理器112會以此閾值電壓為基準，判斷記憶體120中各區塊所儲存的資料為位元值是「0」或「1」。舉例而言，當處理器112讀取區塊內的電壓為「1.2V」時，由於1.2V小於1.5V，故處理器112讀取的結果為位元值「0」。相對地，當處理器112讀取區塊內的電壓為「2V」時，由於2V大於1.5V，故處理器112讀取的結果為位元值「1」。

承上，由於記憶體120內的資料容易受到存取操作（即，讀取、寫入、擦除）及環境因素（如：溫度）的影響而發生錯誤，因此，當處理器112發現記憶體120內的資料出現錯誤時，將需要對閾值電壓進行調整（如：將1.5V提昇至1.7V），以減少這些錯誤數據的影響，此一操作稱為「重讀測試（Retry Read）」。

讀取電壓表格TB0～TBk中「閾值電壓的偏移量」的數量係依據記憶體120的類型。在對記憶體120進行讀取時，處理器112會根據所選取的讀取電壓表格，將多個閾值電壓依序應用到字元線上，以判斷記憶體120的記憶胞（cell）所儲存的位元值。由於本領域人士能理解發現記憶體中存在錯誤的方式，故在此不另贅述。

舉例而言，在記憶體120為多級單元（Multi-Level Cell，簡稱MLC）記憶體的實施例中，處理器112會依序將三個不同的閾值電壓應用至字元線。如第3圖所示，每一個讀取電壓表格TB0～TBk都記錄有第一閾值電壓偏移量、第二閾值電壓偏移量及第三閾值電壓偏移量。處理器112依據讀取電壓表格TB0～TBk中記錄的偏移量，調整應用於字元線的閾值電壓，以補償記憶體120於不同的使用情況（例如，環境溫度或總使用時數）下產生的變異。

相似地，若記憶體120為三級單元（Triple-Level Cell，簡稱TLC）記憶體，則每一個讀取電壓表格都記錄有七個閾值電壓偏移量。處理器112依據讀取電壓表格中記錄的偏移量，調整應用於字元線的閾值電壓，為簡潔起見，在此即不複述。

第4圖為依據本揭示內容之一實施例的操作方法400的流程圖。操作方法400的特徵的任意組合可以實現為儲存於非暫態電腦可讀取儲存媒體中的多個電腦可讀取指令。當這些指令由處理器112執行時，這些指令將使部分或全部的操作方法400被執行。

請同時參考第4圖和第5圖，其中第5圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格TC的示意圖。在步驟S410中，當讀取錯誤發生在區塊B0～B99中的某一區塊（例如，區塊99）時，處理器112依據重讀順序表格TC所指示的重讀順序，依序找出對應的讀取電壓表，且依序根據各讀取電壓表對發生讀取錯誤之區塊執行重讀測試。

在一些實施例中，「重讀順序」關聯於重讀順序表格TC中索引值的排列方式。例如，重讀順序表格TC中的第一欄至第七欄依序記錄了索引值「4、1、2、3、5、6、7」，故處理器112會依序使用讀取電壓表格TB4、TB1、TB2、TB3、TB5、TB6以及TB7對發生讀取錯誤的區塊進行重讀測試。換言之，重讀順序可理解為處理器112在重讀測試中使用讀取電壓表格TB0～TBk的順序。值得一提的是，重讀順序不需與重讀順序表格TC中的欄位順序一致。

在步驟S420中，在根據重讀順序表格TC所指示的重讀順序執行重讀測試時，處理器112將監測發生讀取錯誤的區塊（例如，區塊99）的重讀歷史資料，以判斷重讀歷史資料是否符合調整條件。當重讀歷史資料符合調整條件時，處理器112將調整重讀順序表格TC所指示的重讀順序（即，調整重讀順序表格TC中索引值的排列方式）。換言之，重讀順序表格TC中索引值的排列方式將會動態地產生變化。處理器112調整重讀順序表格TC的「調整條件」及「調整方式」可預先儲存/設定於控制電路110中。

在一實施例中，儲存電路114中還儲存有連結表格TD（Linked Table）。連結表格TD用以紀錄區塊B0～B99中具有已編程狀態（即，已被寫入資料）的多個區塊。為便於辨識，在此將已編程狀態的區塊稱為「編程區塊」。處理器112會根據區塊進入已編程狀態的順序，依序將區塊紀錄於連結表格TD。換言之，處理器112以連結表格TD來紀錄編程區塊的已編程狀態，且連結表格TD可反應出編程區塊進入已編程狀態的相對時間點/相對順序。

第6圖為依據本揭示內容之一實施例的連結表格TD的示意圖。連結表格TD紀錄有多個編程區塊，如第6圖所示之順序「2、37、12、99、7、89」，其中最左方的編程區塊（例如區塊「2」）為連結表格TD的串列頭（Head），最右方的編程區塊（例如區塊「89」）則為連結表格TD的串列尾（Tail）。舉例而言，編程區塊「2」及「37」相鄰排列於連結表格TD中，代表這兩個編程區塊係接續地進入已編程狀態。相似地，編程區塊「37」及「12」相鄰排列於連結表格TD中，代表這兩個編程區塊係接續地進入已編程狀態。此外，當處理器112擦除編程區塊內的資料時，處理器112會同時將連結表格TD中對應之編程區塊的紀錄移除。

連結表格TD還紀錄有每個編程區塊的重讀歷史資料。在一實施例中，重讀歷史資料為區塊重讀參數。「區塊重讀參數」代表處理器112成功對編程區塊執行重讀測試時所使用的對應之讀取電壓表格。此一參數可對應於重讀順序表格TC中的索引值。請搭配參閱第5及6圖所示，編程區塊「37」的區塊重讀參數為「5」，代表當處理器112對編程區塊「37」執行重讀測試時，處理器112係使用對應於索引值「5」的讀取電壓表格TB5，以成功通過重讀測試。

承上，相似地，編程區塊「12」的區塊重讀參數為「2」，代表當處理器112對編程區塊「37」執行重讀測試時，處理器112係使用索引值「2」的讀取電壓表格TB2，以成功通過重讀測試。此外，編程區塊「2」的區塊重讀參數為「0」，代表編程區塊「2」還未曾執行過重讀測試。

以下針對前述步驟S420的實施細節做進一步的說明。處理器112調整重讀順序表格TC的「調整條件」可為「編程區塊未曾執行過重讀測試」，且此一條件可由重讀歷史資料（區塊重讀參數）所判斷得知。處理器112調整重讀順序表格TC的「調整方式」則可為「根據連結表格TD中相鄰區塊的重讀歷史資料（區塊重讀參數）調整重讀順序」。換言之，在對其中一個編程區塊執行重讀測試前，若該編程區塊尚未執行過重讀測試，則處理器112可利用「連結表格TD中相鄰區塊的重讀歷史資料（區塊重讀參數）」來調整重讀順序表格TC所指示的重讀順序。

第7圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格TC根據連結表格TD被調整的示意圖。在一實施例中，編程區塊「99」為當前要執行重讀測試的編程區塊。在執行重讀測試前，重讀順序表格TC所指示的重讀順序為索引值「4、1、2、3、5、6、7」。

由於編程區塊「99」的區塊重讀參數為「0」，代表編程區塊「99」先前尚未執行過重讀測試，因此，此時處理器112將利用「連結表格TD中相鄰區塊的重讀歷史資料（區塊重讀參數）」來調整重讀順序表格TC所指示的重讀順序。如第7圖所示，連結表格TD中與編程區塊「99」相鄰的編程區塊為編程區塊「12」或「7」，編程區塊「12」或「7」皆與編程區塊「99」接續地進入已編程狀態。處理器112內事先設定有選擇規則，例如：選擇「前一個編程的區塊（即，編程區塊「12」）」，或選擇「後一個編程的區塊（即，編程區塊「7」）」。

承上，處理器112會根據所選擇的編程區塊來更新重讀順序表格TC所指示的重讀順序中的第一順位。舉例而言，若處理器112選擇以編程區塊「12」的區塊重讀參數「2」來更新重讀順序表格TC，則處理器112會將重讀順序表格TC中的索引值「2」（對應於讀取電壓表格TB2）移動到第一順位，其他索引值則往後依序移動，使得重讀順序表格TC所指示的重讀順序將變更為索引值「2、4、1、3、5、6、7」。

在此說明處理器112調整重讀順序表格TC的「調整方式」的另一個實施例。第8圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格TC被調整的示意圖。如第8圖左方表格所示，重讀順序表格TC所指示的重讀順序為索引值「4、1、2、3、5、6、7」。處理器112會根據重讀順序，依序使用對應於索引值的讀取電壓表格TB，對對應之編程區塊（如區塊「99」）執行重讀測試。亦即，處理器112會依序使用讀取電壓表格TB4、TB1、TB2、TB3、TB5、TB6、TB7中紀錄的閾值電壓的偏移量，執行重讀測試。

為便於說明，在此將「當前執行重讀測試時使用的讀取電壓表格TB」稱為「目標讀取電壓表格」。當處理器112使用目標讀取電壓表格，成功對編程區塊執行重讀測試時（即，資料的讀取結果符合預期範圍，而可通過重讀測試），處理器112將此一目標讀取電壓表格位於重讀順序中的第N個順位記錄於該編程區塊的重讀歷史資料。

承上，在此舉例重讀順序總共具有M個順位。在利用「M個順位中第N個順位所紀錄之索引值對應的讀取電壓表格TB」對編程區塊執行重讀測試並測試成功時，處理器112將判斷N是否大於或等於設定的閾值。若N大於或等於閾值，則處理器112會將目標讀取電壓表格所對應的第N順位調整為重讀順序中的第一順位，其中，M、N皆為大於1的正整數。亦即，處理器112將「位於原本的重讀順序之第N順位的索引值」調整為重讀順序中的第一順位（即，形成新的重讀順序）。相對地，若N小於閾值，則處理器112不會調整重讀順序。據此，將可減少無效讀取的時間浪費以及瑣碎的重讀順序調整動作。

請參閱第8圖所示，如前所述，處理器112依序使用讀取電壓表格TB4、TB1、TB2、TB3、TB5、TB6、TB7中紀錄的閾值電壓的偏移量，對編程區塊「99」執行重讀測試。若閾值為「3」，且處理器112使用讀取電壓表格TB3（對應索引值「3」）時成功通過重讀測試，由於索引值「3」所對應的順位為「4」，大於閾值「3」，因此，在完成對編程區塊「99」的重讀測試後，處理器112會將索引值「3」移動為第一順位，如第8圖中的右方表格所示。

另一方面，若閾值為「3」，且處理器112使用讀取電壓表格TB1（對應索引值「1」）時成功通過重讀測試，由於索引值「1」所對應的順位為「2」，小於閾值「3」，因此此時處理器112不會調整重讀順序。

若未設定閾值，則在進行重讀測試時，處理器112平均需要進行M/2次重讀測試（M為重讀順序中的順位數量），因此，在一實施例中，閾值可被設定於2～M/2之間，例如：若重讀順序表格TC所指示的重讀順序有八個順位，則閾值可設定為2～4之間的任一數值。

在前述第7圖所示之實施例中，處理器112利用「連結表格TD中相鄰區塊的重讀歷史資料（區塊重讀參數）」來調整重讀順序表格TC所指示的重讀順序。在前述第8圖所示之實施例中，處理器112判斷以目標讀取電壓表格使編程區塊成功通過重讀測試時，重讀順序中的第N個順位是否大於或等於設定的閾值，進而選擇性地調整/更新重讀順序。在一些實施例中，前述兩個實施例可單獨使用、亦可結合使用。

舉例而言，如第7圖所示，當處理器112針對編程區塊「99」進行重讀測試時，可先根據相鄰之編程區塊「7」來調整重讀順序表格TC的重讀順序。接著，在編程區塊「99」成功通過重讀測試時，處理器112可判斷所使用的目標讀取電壓表格對應的索引值所在的第N順位是否大於閾值，以調整重讀順序，據此，當處理器112對下一個編程區塊進行重讀測試時，即可依照調整後的重讀順序。

此外，如前所述，本揭示內容之操作方法亦可由非暫態電腦可讀取儲存媒體來實現。非暫態電腦可讀取儲存媒體可包含多個電腦可讀取指令，當處理器112執行電腦可讀取指令時，電腦可讀取指令使處理器112存取包含記憶體120的各區塊B0～B99，且執行前述第4圖所示之操作方法。

前述各實施例中的各項元件、方法步驟或技術特徵，係可相互結合，而不以本揭示內容中的文字描述順序或圖式呈現順序為限。

雖然本揭示內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示內容，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭示內容之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本揭示內容之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100:電子系統 110:控制電路 112:處理器 114:儲存電路 120:記憶體 400:操作方法 L0-L1:邏輯單元 B0-B49:區塊 B50-B99:區塊 S410-S420:步驟 TA:映射表格 TB:讀取電壓表格 TB0-TBk:讀取電壓表格 TC:重讀順序表格 TD:連結表格

第1圖為依據本揭示內容之一實施例的電子系統簡化後的功能方塊圖。第2圖為依據本揭示內容之一實施例的映射表格的示意圖。第3圖為依據本揭示內容之一實施例的讀取電壓表格的示意圖。第4圖為依據本揭示內容之一實施例的操作方法的流程圖。第5圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格的示意圖。第6圖為依據本揭示內容之一實施例的連結表格的示意圖。第7圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格根據連結表格被調整的示意圖。第8圖為依據本揭示內容之一實施例的重讀順序表格被調整的示意圖。

100:電子系統

110:控制電路

112:處理器

114:儲存電路

120:記憶體

L0-L1:邏輯單元

B0-B49:區塊

B50-B99:區塊

TA:映射表格

TB:讀取電壓表格

TB0-TBk:讀取電壓表格

TC:重讀順序表格

TD:連結表格

Claims

一種控制電路，包含：一儲存電路，用於儲存一重讀順序表格與複數個讀取電壓表格；以及一處理器，耦接於該儲存電路，用於存取包含複數個區塊的一記憶體，其中當一讀取錯誤發生在該些區塊中的一第一區塊時，該處理器依據該重讀順序表格所指示的一重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行一重讀測試；其中當該第一區塊的一重讀歷史資料符合一調整條件時，該處理器調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序；其中當該第一區塊具有已編程狀態，且該第一區塊的該重讀歷史資料代表未曾執行過該重讀測試時，該處理器用於：在對該第一區塊執行該重讀測試前，依據具有已編程狀態的一第二區塊的一重讀歷史資料調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序；其中該第一區塊與該第二區塊係接續地進入已編程狀態。
如請求項1所述之控制電路，其中該第二區塊的該重讀歷史資料包含該第二區塊的一區塊重讀參數，該第二區塊的該區塊重讀參數代表該處理器成功對該第二區塊執行該重讀測試時使用的該些讀取電壓表格的對應一者；其中該處理器以該第二區塊的該區塊重讀參數更新該重讀順序的一第一順位。
如請求項1所述之控制電路，其中該儲存電路還用於儲存一連結表格，該連結表格用於記錄該些區塊中具有已編程狀態的複數個編程區塊；其中該處理器用於依據該些編程區塊進入已編程狀態的順序，依序將該些編程區塊記錄於該連結表格；其中該些編程區塊包含該第一區塊與該第二區塊，且該處理器以該連結表格記錄該第一區塊與該第二區塊係接續地進入已編程狀態。
如請求項3所述之控制電路，其中當該處理器擦除該些編程區塊的其中一者，該處理器將該些編程區塊的該其中一者的記錄自該連結表格中移除。
一種控制電路，包含：一儲存電路，用於儲存一重讀順序表格與複數個讀取電壓表格；以及一處理器，耦接於該儲存電路，用於存取包含複數個區塊的一記憶體，其中當一讀取錯誤發生在該些區塊中的一第一區塊時，該處理器依據該重讀順序表格所指示的一重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行一重讀測試；其中當該第一區塊的一重讀歷史資料符合一調整條件時，該處理器調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序，該重讀順序包含M個順位，M為大於1的正整數；其中當該處理器使用該些讀取電壓表格中的一目標讀取電壓表格成功對該第一區塊執行該重讀測試時，該處理器將該目標讀取電壓表格位於該重讀順序中的一第N個順位記錄於該第一區塊的該重讀歷史資料；其中當N大於或等於一閾值時，該處理器將該第N順位調整為該重讀順序中的一第一順位，其中N為正整數。
如請求項5所述之控制電路，其中當N小於該閾值時，該處理器不調整該重讀順序。
如請求項5所述之控制電路，其中該閾值介於2至M/2的範圍。
一種操作方法，適用於一控制電路，該控制電路用於存取包含複數個區塊的一記憶體，且用於儲存有一重讀順序表格與複數個讀取電壓表格，該操作方法包含：當一讀取錯誤發生在該些區塊中的一第一區塊時，依據該重讀順序表格所指示的一重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行一重讀測試；以及當該第一區塊的一重讀歷史資料符合一調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序；其中當該第一區塊的該重讀歷史資料符合該調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序包含：當該第一區塊具有已編程狀態且該第一區塊的該重讀歷史資料代表未曾執行過該重讀測試，在對該第一區塊執行該重讀測試前，依據具有已編程狀態的一第二區塊的一重讀歷史資料調整該重讀順序表格指示的該重讀順序；其中該第一區塊與該第二區塊係接續地進入已編程狀態。
如請求項8所述之操作方法，其中該第二區塊的該重讀歷史資料包含該第二區塊的一區塊重讀參數，該第二區塊的該區塊重讀參數代表該控制電路成功對該第二區塊執行該重讀測試時使用的該些讀取電壓表格的對應一者；其中依據具有已編程狀態的該第二區塊的該重讀歷史資料調整該重讀順序表格指示的該重讀順序包含：以該第二區塊的該區塊重讀參數更新該重讀順序的一第一順位。
如請求項8所述之操作方法，其中該控制電路還用於儲存一連結表格，該連結表格用於記錄該些區塊中具有已編程狀態的複數個編程區塊；其中該控制電路用於依據該些編程區塊進入已編程狀態的順序，依序將該些編程區塊記錄於該連結表格；其中該些編程區塊包含該第一區塊與該第二區塊，且該控制電路以該連結表格記錄該第一區塊與該第二區塊係接續地進入已編程狀態。
如請求項10所述之操作方法，其中當該控制電路擦除該些編程區塊的其中一者，該控制電路將該些編程區塊的該其中一者的記錄自該連結表格中移除。
一種操作方法，適用於一控制電路，該控制電路用於存取包含複數個區塊的一記憶體，且用於儲存有一重讀順序表格與複數個讀取電壓表格，該操作方法包含：當一讀取錯誤發生在該些區塊中的一第一區塊時，依據該重讀順序表格所指示的一重讀順序，依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行一重讀測試；以及當該第一區塊的一重讀歷史資料符合一調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序，其中該重讀順序包含M個順位，M為大於1的正整數；其中依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行該重讀測試包含：當使用該些讀取電壓表格中的一目標讀取電壓表格成功對該第一區塊執行該重讀測試時，將該目標讀取電壓表格位於該重讀順序表格中的一第N順位記錄於該第一區塊的該重讀歷史資料；其中當該第一區塊的該重讀歷史資料符合該調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序包含：當N大於或等於一閾值時，將該第N順位調整為該重讀順序中的一第一順位，其中N為正整數。
如請求項12所述之操作方法，其中當該第一區塊的該重讀歷史資料符合該調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序還包含：當N小於該閾值時，不調整該重讀順序。
如請求項12所述之操作方法，其中該閾值介於2至M/2的範圍。
一種非暫態電腦可讀取儲存媒體，包含複數個電腦可讀取指令，當一處理器執行該些電腦可讀取指令時，該些電腦可讀取指令使該處理器存取包含複數個區塊的一記憶體，且執行以下運作：當一讀取錯誤發生在該些區塊中的一第一區塊時，依據一重讀順序表格所指示的一重讀順序，依序使用複數個讀取電壓表格對該第一區塊執行一重讀測試，其中該重讀順序表格與該些讀取電壓表格儲存在耦接於該處理器的一儲存電路之中；以及當該第一區塊的一重讀歷史資料符合一調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序；其中該重讀順序包含M個順位，M為大於1的正整數；其中依序使用該些讀取電壓表格對該第一區塊執行該重讀測試包含：當使用該些讀取電壓表格中的一目標讀取電壓表格成功對該第一區塊執行該重讀測試時，將該目標讀取電壓表格位於該重讀順序中的一第N順位記錄於該第一區塊的該重讀歷史資料；其中當該第一區塊的該重讀歷史資料符合該調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序包含：當N大於或等於一閾值時，將該第N順位調整為該重讀順序中的一第一順位，其中N為正整數；以及當N小於該閾值時，不調整該重讀順序。
如請求項15所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中當該第一區塊的該重讀歷史資料符合該調整條件時，調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序包含：當該第一區塊具有已編程狀態且該第一區塊的該重讀歷史資料代表未曾執行過該重讀測試時，在對該第一區塊執行該重讀測試前，依據具有已編程狀態的一第二區塊的一重讀歷史資料調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序，其中該第一區塊與該第二區塊係接續地進入已編程狀態。
如請求項16所述之非暫態電腦可讀取儲存媒體，其中該第二區塊的該重讀歷史資料包含該第二區塊的一區塊重讀參數，該第二區塊的該區塊重讀參數代表該處理器成功對該第二區塊執行該重讀測試時使用的該些讀取電壓表格的對應一者；其中依據具有已編程狀態的該第二區塊的該重讀歷史資料調整該重讀順序表格所指示的該重讀順序包含：以該第二區塊的該區塊重讀參數更新該重讀順序的一第一順位。