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TWI872548B - 多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents

多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體 Download PDF

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TWI872548B
TWI872548B TW112118723A TW112118723A TWI872548B TW I872548 B TWI872548 B TW I872548B TW 112118723 A TW112118723 A TW 112118723A TW 112118723 A TW112118723 A TW 112118723A TW I872548 B TWI872548 B TW I872548B
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森田博文
五島嘉国
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日商紐富來科技股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可達成描繪精度的提升之多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體。 一種多帶電粒子束的評估方法，係評估通過了設於孔徑陣列基板的複數個開口部的多帶電粒子束當中的複數個個別射束的軌道，其中，將前述多帶電粒子束的成像面、或形成有射束位置測定用的標記的測定面於光軸方向的高度予以設為彼此相異的複數種高度，而分別測定前述複數個個別射束的位置，基於在前述複數種高度分別測定出的前述複數個個別射束的各者的射束位置的差分亦即位置差分，抽出前述複數個個別射束當中，射束軌道發生了變化的特異射束。

Description

多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體
本發明有關多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體。
隨著LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成所需的電路圖案，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖案縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖案，係藉由電子束描繪裝置來描繪，運用所謂的電子束微影技術。
例如，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產出大幅提升。多射束方式的描繪裝置中，例如會讓從電子源放出的電子束通過具有複數個開口的成形孔徑陣列(SAA：Shaping Aperture Array)基板而形成多射束，然後將各射束藉由遮沒孔徑陣列(BAA： Blanking Aperture Array)基板個別地做遮沒控制，將未被遮蔽的各射束藉由光學系統縮小，並藉由偏向器偏向而照射到試料上的所需的位置。
多射束描繪裝置中，有時附著於SAA基板的垃圾或污染物(因射束照射而生成的污染)會帶電，而發生電子光學設計上非預期的偏向，因而讓多射束內的一部分射束的軌道以異於設計的角度被彎曲。以下，將這樣的在SAA基板鄰近的射束軌道的角度變化稱為SAA角度偏差。
SAA基板和BAA基板係接近配置，故此SAA角度偏差也會因為附著於BAA基板的垃圾或污染物的帶電、或者由於製造工程的不穩定性而露出的絕緣體或附著的異物帶電而發生。多射束描繪裝置中使用的SAA基板或BAA基板等的孔徑陣列基板中，有著例如512列×512行，計26萬個以上這樣非常多的微小的開口或複雜的電極構造，故該些垃圾或絕緣體等的附著或露出很難藉由事前的觀察或分析等檢查而全部檢測出來。大規模的(非常多數的)微細構造的檢查技術雖然隨著LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)技術的發展而高度發展，但孔徑陣列基板的檢查中，將電子束截止或使其通過鄰近時是否對射束軌道造成影響才是最終的合格判定基準，故依靠電子電路的檢查技術不能彌補，依靠習知的LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)等的檢查技術無法充分對應。
SAA角度偏差，會使在描繪面(試料面)的多射束的畸變及像差惡化，而有使描繪精度降低的問題。習知，無法依每一個別射束測定SAA角度偏差，而妨礙了描 繪精度提升。此外，有著無法完全地檢測造成SAA角度偏差的原因之SAA基板的BAA基板的局部性的失常(垃圾附著、容易讓污染物附著的構造或材質、絕緣體露出、異物附著等)的問題。
本發明提供一種可達成描繪精度的提升之多帶電粒子束的評估方法，多帶電粒子束描繪方法，多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法及電腦可讀取記錄媒體。
按照本發明的一態樣之多帶電粒子束的評估方法，係評估通過了設於孔徑陣列基板的複數個開口部的多帶電粒子束當中的複數個個別射束的軌道，該多帶電粒子束的評估方法，將前述多帶電粒子束的成像面、或形成有射束位置測定用的標記的測定面於光軸方向的高度予以設為彼此相異的複數種高度，而分別測定前述複數個個別射束的位置，基於在前述複數種高度分別測定出的前述複數個個別射束的各者的射束位置的差分亦即位置差分，抽出前述複數個個別射束當中，射束軌道發生了變化的特異射束。
10:基板
20:標記
102:電子光學鏡筒
103:描繪室
105:XY平台
110:控制計算機
120:控制電路
200:電子束
201:電子源
202:照明透鏡
203:成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列基板
206:限制孔徑基板
208:偏向器
210:對物透鏡
[圖1]本發明的實施方式之描繪裝置的概略構成圖。
[圖2]成形孔徑陣列基板的平面圖。
[圖3]說明同實施方式之多帶電粒子束的評估方法的流程圖。
[圖4(a)][圖4(b)]示意測定個別射束的位置偏離量時的高度變化的例子的圖。
[圖5]示意射束位置差分的例子的圖。
以下，實施方式中，說明使用了電子束作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是運用離子束等帶電粒子的射束。此外，實施方式中，作為多帶電粒子束照射裝置的一例，說明運用了多電子束的多射束描繪裝置。但，多帶電粒子束照射裝置不限於多射束描繪裝置，本實施方式亦能夠適用於多射束檢查裝置。
圖1為本發明的實施方式之多射束描繪裝置的概略構成圖。如圖1所示，多射束描繪裝置具備描繪部W及控制部C。
描繪部W具備電子光學鏡筒102與描繪室103。在電子光學鏡筒102內，配置有構成多射束描繪裝置的電子光學系統之電子源201、照明透鏡202、成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列基板204、限制孔徑基板206、偏向器208及對物透鏡210。
在描繪室103內，配置有可於XY方向移動之 XY平台105、以及檢測器220。XY平台105亦可為可於Z方向移動。在XY平台105上，配置描繪對象之基板10。基板10，包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，基板10中包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。
在XY平台105上又設有射束位置測定用的標記20。標記20例如為十字形狀的金屬製標記。檢測器220，檢測對標記20做射束掃描時的反射電子(或二次電子)。
此外，在XY平台105上配置平台的位置測定用的鏡30。
控制部C，具有控制計算機110、控制電路120、檢測電路122及平台位置檢測器124。平台位置檢測器124，係照射雷射，接收來自鏡30的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來檢測XY平台105的位置。
圖1中，記載了用以說明實施方式所必須之構成，其他的構成的圖示則省略。
圖2為示意成形孔徑陣列(SAA：Shaping Aperture Array)基板203的構成的概念圖。圖2中，在成形孔徑陣列基板203，有縱(y方向)p列×橫(x方向)q行(p，q≧2)的開口(第1開口部)203a以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。例如形成有512列×512行的開口203a。各開口203a均以相同尺寸形狀的矩形來形成。開口203a亦可為 圓形。電子束200的一部分各自通過該些複數個開口203a，藉此形成多射束MB。
遮沒孔徑陣列基板204，設於成形孔徑陣列基板203的下方，配合成形孔徑陣列基板203的各開口203a的配置位置而形成有通過孔(第2開口部)。在各通過孔配置由成對的2個電極的組所構成之遮沒器。遮沒器的一方的電極被固定在接地電位，將另一方的電極切換成接地電位及另一電位。通過各通過孔的電子束，藉由被施加於遮沒器之電壓而各自獨立地受到偏向。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列基板203的複數個開口203a的多射束MB當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。
從電子源201(放出部)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202被折射而對成形孔徑陣列基板203全體做照明。電子束200，對包含複數個(所有)開口203a之區域照明。電子束200的一部分通過成形孔徑陣列基板203的複數個開口203a，藉此形成複數個電子束(多射束MB)。多射束MB會通過遮沒孔徑陣列基板204的各個相對應之遮沒器內。遮沒器對各個通過的射束做遮沒控制，以使射束於設定好的描繪時間(照射時間)成為ON狀態。
藉由照明透鏡202所致之折射，通過了遮沒孔徑陣列基板204的多射束MB會朝向形成於限制孔徑基板206的中心的開口部(第3開口部)前進。然後，多射束MB在限制孔徑基板206的開口部的高度位置形成交叉點。
這裡，藉由遮沒孔徑陣列基板204的遮沒器 而被偏向的射束，其位置會偏離限制孔徑基板206的開口部，而被限制孔徑基板206遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列基板204的遮沒器偏向的射束，會通過限制孔徑基板206的開口部。像這樣，限制孔徑基板206，將藉由各遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態的射束予以遮蔽。
藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束，形成1次份的擊發的各射束。通過了限制孔徑基板206的多射束MB的各射束，藉由對物透鏡210而成為成形孔徑陣列基板203的開口203a的所需的縮小倍率的孔徑像，焦點被調整於基板10上。然後，藉由偏向器208，通過了限制孔徑基板206的各射束(多射束全體)朝同方向被一齊偏向，照射至各射束於基板10上各自的照射位置。
例如，當XY平台105在連續移動時，射束的照射位置會受到偏向器208控制，以便跟隨XY平台105的移動。一次所照射之多射束MB，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個開口203a的排列間距乘上上述所需的縮小率而得之間距而並排。描繪裝置，以連續依序逐漸照射擊發射束之柵狀掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪所需的圖案時，不需要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束關閉。
這樣的描繪裝置中，有時附著於成形孔徑陣列基板203的垃圾或污染物會帶電，而發生電子光學設計上非預期的偏向，因而讓多射束內的一部分射束發生射束 軌道以異於設計的角度在成形孔徑陣列(SAA)基板203附近被彎曲，即『SAA角度偏差』。此外，此SAA角度偏差也會因為附著於遮沒孔徑陣列基板204的垃圾或污染物的帶電、或者由於製造工程的不穩定性而露出的絕緣體或附著的異物帶電而發生。
為了提高對於基板10的圖案描繪精度，必須辨明發生了SAA角度偏差的射束。沿圖3所示流程圖，說明辨明發生了SAA角度偏差的射束之多射束評估方法。
首先，在描繪面附近的相異的2種高度(第1高度z1、第2高度z2)，測定構成多射束的多數個個別射束當中的複數個個別射束的位置(步驟S1、S2)。這裡所謂射束的位置，為在垂直於光軸的測定面的射束入射位置，通常是以測定面內的x座標值與y座標值的組來表現。例如，僅將測定對象的個別射束一道道地依序設為ON，藉由偏向器208將射束偏向而掃描標記20，藉由檢測器220檢測在標記20被反射的電子。檢測電路122，將藉由檢測器220檢測出的電子量通知給控制計算機110。控制計算機110，從檢測出的電子量取得掃描波形，以XY平台105的位置為基準，求出個別射束的位置。
依序切換設為ON的個別射束，求出各射束的位置。求出位置的個別射束的數量無特別限定，惟例如是從構成多射束的512×512道的射束以等間隔地選擇7×7道的射束作為測定對象。
另，所謂「相異高度」或「改變高度」，可 如圖4(a)所示般為使XY平台105於Z方向(光軸方向、或射束行進方向)移動，改變標記20的表面(測定面)的光軸方向的高度，但多射束的成像面的高度則固定之「測定面高度變更/成像面高度固定」，亦可如圖4(b)所示般測定面的高度不變，而改變多射束的成像面的光軸方向的高度之「測定面高度固定/成像面高度變更」。此時，當構成描繪裝置的電子光學系統的對物透鏡210為磁場透鏡的情形下，藉由運用控制電路120來變更對物透鏡210的激磁，便能夠改變多射束的成像面的高度。當對物透鏡210為靜電透鏡的情形下，變更施加電壓即可。亦可不變更對物透鏡，而是變更例如配置於偏向器208與標記20之間的靜電焦點修正透鏡(未圖示)的施加電壓。
像這樣，藉由變更於光軸方向配置於成形孔徑陣列基板203與標記20之間的透鏡(對物透鏡、焦點修正透鏡等)的激發量(磁場透鏡中為激磁、靜電透鏡中為施加電壓)，便能夠改變多射束的成像面的高度。另，亦可使複數個透鏡的激發量以一定的比率變化來改變成像面的高度。
2種高度z1與高度z2的差，較佳為數μm~數十μm程度。高度座標z的原點，在本案方法的執行中只要為一定，則以任何方式決定皆無妨。另，在高度z1、z2，射束不必準焦於標記20的表面(測定面)。例如，可在一種高度準焦，另一種高度發生對焦偏離，亦可在雙方的高度發生對焦偏離。
針對各射束，算出在第1高度z1的位置與在第2高度z2的位置之差分(位置差分)(步驟53)。位置差分的算出，是在x座標值及y座標值的各者進行。
將各射束的位置差分繪製成距常態位置的偏離，而抽出位置差分特異的射束(步驟S4)。所謂位置差分特異，例如指位置差分的絕對值及/或方向和周圍的射束大幅(規定值以上)乖離。例如，將位置差分大之處的射束、位置差分的變化大之處及其周邊的射束、位置差分的方向變化之處及其周邊的射束等予以抽出作為特異的射束。圖5示意位置差分特異的射束的例子。位置差分特異的射束之抽出可由控制計算機110進行，亦可由操作者目視進行。
發生了SAA角度偏差的射束，其對物透鏡210內的射束軌道會成為脫離周圍的未發生SAA角度偏差的射束之軌道。
若藉由上述的「測定面高度固定/成像面高度變更」使對物透鏡210的激磁變化，則在對物透鏡210內的對於各射束的匯聚力會變化，在測定面的射束位置會移動。此射束位置的移動，若是未發生SAA角度偏差的射束係為連續性而平緩的變化，但發生了SAA角度偏差的射束則會通過脫離周圍的未發生SAA角度偏差的射束之軌道，故會顯現相異的傾向。是故，藉由抽出對於對物透鏡激磁的變化會特異性地位置變化之射束，便能夠辨明發生了SAA角度偏差的射束。
射束在成像面附近係實質上直進，故若藉由上述的「測定面高度變更/成像面高度固定」來改變測定射束位置的面的高度，則射束位置會在測定面內移動。此射束位置的移動，在未發生SAA角度偏差的射束係為連續性而平緩的變化，但發生了SAA角度偏差的射束則是從脫離周圍的未發生SAA角度偏差的射束之處入射而來，故往成像面的入射角會大幅變化，其結果就射束位置的移動而言會顯現相異的傾向。是故，藉由抽出對於射束位置測定面高度的變化會特異性地位置變化之射束，便能夠辨明往成像面的入射角發生了大幅變化的射束，也就是發生了SAA角度偏差的射束。
將依此方式辨明的發生了SAA角度偏差的射束予以剔除，而運用描繪裝置對基板10描繪圖案。首先，控制計算機110，從記憶裝置(圖示略)讀出描繪資料，對描繪資料進行複數段的資料變換處理，生成裝置固有的擊發資料。擊發資料中，定義著各擊發的照射量及照射位置座標等。
控制計算機110，依據擊發資料將各擊發的照射量輸出至控制電路120。控制電路120，將輸入的照射量除以電流密度來求出照射時間t。然後，控制電路120，當進行相對應的擊發時，控制對相對應的遮沒器施加的偏向電壓，使得射束ON達照射時間t。發生了SAA角度偏差的射束設為射束OFF。
控制計算機110，將偏向位置資料輸出至控 制電路120，使得各射束被偏向至擊發資料所示之位置(座標)。控制電路120演算偏向量，對偏向器208施加偏向電壓。藉此，該次被擊發之多射束會受到一齊偏向。
藉由避免使用發生了SAA角度偏差的射束，能夠使描繪精度提升。
上述實施方式中，當已辨明發生了SAA角度偏差的射束的情形下，亦可視為以已辨明的射束為中心之規定尺寸的區域內的複數個射束都發生了SAA角度偏差，而避免使用此區域內的射束。
記錄發生了SAA角度偏差的射束於陣列內的位置，將電子光學鏡筒102解體後，對成形孔徑陣列基板203的對應的區域做觀察或分析等檢查，藉此便能夠有效率地進行垃圾或帶電原因的辨明。其結果，可迅速地採取措施，及早達成成形孔徑陣列基板的品質改善。此外，藉由對遮沒孔徑陣列基板204的對應的區域做觀察或分析等檢查，能夠有效率地進行絕緣體露出或異物附著等之確認及原因辨明。其結果，可迅速地採取措施，及早達成遮沒孔徑陣列基板的品質改善。
像這樣，能夠從非常多的(例如26萬個以上的)微小開口或微小電極構造當中確實且有效率地篩選出實際對射束軌道造成影響的失常處，故失常原因的辨明及措施的效率會大幅提升，而加速孔徑陣列基板的品質改善，亦有助於裝置可靠性的提升、維護期間的延長等。
上述實施方式中，說明了將位置差分繪製成 距常態位置的偏離，而抽出位置差分特異的射束的例子，惟亦可設計成將位置差分測定值藉由位置的多項式予以近似，而從原本的位置差分測定值減去近似多項式的0次、1次、2次、3次等的多項式低次成分的全部或部分，以除去平緩的變化的成分。如此，射束間的位置差分的局部性變化會被強調，而能夠容易地辨明發生了SAA角度偏差的射束。
針對位置差分，亦可進行射束間的微分處理或二次以上的微分處理而使用該值。依此方式得到的值，會強調位置差分的局部性變化，故射束間的位置差分的比較會變得容易。另，通常，鄰接射束間的差分實質上等同於微分，故微分處理中亦包含差分處理。
亦可對於上述的位置差分測定值、除去多項式低次成分而成的值、或施以微分處理後的值予以設定一判定值，而選擇絕對值為判定值以上的射束(射束區域)，藉此辨明發生了SAA角度偏差的射束。另，強調位置差分的局部性變化的計算處理，不限定於多項式低次成分的除去或微分。
上述實施方式中，說明了抽出位置差分特異的射束的例子，惟亦可使用將位置差分除以高度的差△z(=z2-z1)而成的值。高度的差，為多射束的成像面的高度的差、或標記20的表面(測定面)的高度的差。此外，亦可使用將位置差分除以高度的差△z，再除以成形孔徑陣列基板203的角度倍率而成的值。依此方式得到的值，是被 換算成相當於在成形孔徑陣列基板203鄰近的角度變化的量，故適合於跨越測定時期或對象裝置來比較探討角度變化的程度。
上述實施方式中，說明了在2種高度(z1、z2)測定射束位置的例子，惟亦可在3種以上的高度測定射束位置。藉由算出相對於成像面高度或測定面高度之射束位置的變化率，便可得到相當於將位置差分除以高度的差△z而成的值之量。
亦可單純將把對物透鏡激磁或標記高度從準焦挪離而測定出的射束位置予以利用作為位置差分。這是因為藉由成形孔徑陣列基板203鄰近的角度變化而發生的畸變，通常在準焦的成像面會相對較小，故把對物透鏡激磁或標記高度從準焦挪離而測定出的射束位置，其值會成為接近與在準焦的對物透鏡激磁或標記高度測定出的射束位置之差分。此方法雖精度會稍微下降，但優點是簡易。
上述實施方式中，是先設定高度，再保持高度而測定射束位置，但亦可先設定要做位置測定的射束，再保持它而變更高度，而測定相異高度下的射束位置。
亦可取代射束位置而測定多射束的射束全體形狀的畸變，由畸變的變化來辨明發生了SAA角度偏差的射束。
上述實施方式中，是以多射束掃描標記20而計測反射電子，藉此測定個別射束的位置，惟亦可在基板描繪測試圖案，以測定器測定描繪出的圖案的位置，藉此 求出個別射束的位置。
上述的多射束評估方法的各步驟，是控制計算機110控制控制電路120、檢測電路122及平台位置檢測器124而使描繪部W的各部動作，藉此執行。控制計算機110，可由電子電路等的硬體來構成，亦可由軟體來構成。當由軟體構成的情形下，亦可將實現控制計算機110的至少一部分功能之程式存放於記錄媒體，並令含有電子電路的電腦讀入以執行。
另，本發明並不限定於上述實施方式本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由上述實施方式中揭示的複數個構成要素的適宜組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施方式所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施方式之間的構成要素予以適當組合。
[關連申請案]
本申請案以日本專利申請案2022-094497號(申請日：2022年6月10日)為基礎申請案而享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。

Claims (11)

  1. 一種多帶電粒子束的評估方法，係評估通過了設於孔徑陣列基板的複數個開口部的多帶電粒子束當中的複數個個別射束的軌道，該多帶電粒子束的評估方法， 將前述多帶電粒子束的成像面、或形成有射束位置測定用的標記的測定面於光軸方向的高度予以設為彼此相異的複數種高度，而分別測定前述複數個個別射束的位置， 基於在前述複數種高度分別測定出的前述複數個個別射束的各者的射束位置的差分亦即位置差分，抽出前述複數個個別射束當中，射束軌道發生了變化的特異射束。
  2. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 前述光軸方向的高度為前述成像面於前述光軸方向的高度，將前述測定面設為一定，而使於前述光軸方向配置於前述孔徑陣列基板與前述標記之間的透鏡的激發量變化，來將前述成像面設定成前述複數種高度的各者。
  3. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 前述光軸方向的高度為前述測定面於前述光軸方向的高度，將前述成像面設為一定，而使前述測定面於前述光軸方向移動來設定成前述複數種高度的各者。
  4. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 將前述位置差分藉由多項式予以近似，基於從前述位置差分的測定值減去該多項式的規定的低次成分而成的值，來抽出前述特異射束。
  5. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 基於對前述位置差分進行微分處理或二次以上的微分處理而成的值，來抽出前述特異射束。
  6. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 基於將前述位置差分除以對應的高度的差分而成的值，來抽出前述特異射束。
  7. 如請求項1記載之多帶電粒子束的評估方法，其中， 前述彼此相異的複數種高度，為第1高度及第2高度， 前述位置差分，為在前述第1高度測定出的射束位置與在前述第2高度測定出的射束位置之差分。
  8. 一種多帶電粒子束描繪方法，係 使用通過了設於前述孔徑陣列基板的複數個開口部的多帶電粒子束當中的藉由如請求項1的評估方法抽出的前述特異射束以外之射束，對基板描繪圖案。
  9. 如請求項8記載之多帶電粒子束描繪方法，其中， 使用以前述特異射束為中心的規定尺寸的區域內的射束以外之射束，對基板描繪圖案。
  10. 一種多帶電粒子束照射裝置用孔徑陣列基板的檢查方法，係 運用藉由如請求項1的評估方法抽出的前述特異射束的位置資訊，進行前述孔徑陣列基板的檢查。
  11. 一種記錄媒體，係存放多帶電粒子束的評估程式之電腦可讀取記錄媒體，該多帶電粒子束的評估程式係評估通過了設於孔徑陣列基板的複數個開口部的多帶電粒子束當中的複數個個別射束的軌道，前述程式令電腦執行： 將前述多帶電粒子束的成像面、或形成有射束位置測定用的標記的測定面於光軸方向的高度予以設為彼此相異的複數種高度，而分別測定前述複數個個別射束的位置之步驟；及 基於在前述複數種高度分別測定出的前述複數個個別射束的各者的射束位置的差分亦即位置差分，抽出前述複數個個別射束當中，射束軌道發生了變化的特異射束之步驟。
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