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TWI872238B - 暫時黏結方法、裝置晶圓加工方法，暫時黏結用層疊體及裝置晶圓加工用層疊體 - Google Patents

暫時黏結方法、裝置晶圓加工方法，暫時黏結用層疊體及裝置晶圓加工用層疊體 Download PDF

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TWI872238B
TWI872238B TW110114848A TW110114848A TWI872238B TW I872238 B TWI872238 B TW I872238B TW 110114848 A TW110114848 A TW 110114848A TW 110114848 A TW110114848 A TW 110114848A TW I872238 B TWI872238 B TW I872238B
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日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

本發明為一種暫時黏結方法，係經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面之晶圓暫時黏結於支撐體之方法，其特徵為： 經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層，來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結。 藉此，可提供一種可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離的暫時黏結方法。

Description

暫時黏結方法、裝置晶圓加工方法，暫時黏結用層疊體及裝置晶圓加工用層疊體
本發明是有關暫時黏結方法、裝置晶圓加工方法、暫時黏結用層疊體及裝置晶圓加工用層疊體。
三維的半導體安裝是為了實現更進一步的高密度、大容量化而成為必須。所謂三維安裝技術是將1個的半導體晶片薄化，更予以將晶片藉由矽貫通電極(TSV；through silicon via)等來邊結線，邊多層地層疊的半導體製作技術。為了予以實現，而需要藉由非電路形成面(亦稱為「背面」)研削來將形成了半導體電路的晶圓薄型化，進一步在背面進行包含TSV的電極形成的工程。以往，矽基板的背面研削工程是在研削面的相反側貼附保護膠帶，防止研削時的晶圓破損。但，此膠帶是將有機樹脂薄膜用於支撐基材，具有柔軟性，相反的，強度或耐熱性不夠充分，不適於進行TSV形成工程或在背面的配線層形成工程。
於是，將半導體晶圓經由黏結層來接合矽、玻璃等的支撐體，藉此可充分耐於背面研削、TSV或背面 電極形成的工程之系統被提案。此時重要的是將晶圓接合於支撐體時的黏結層。這需要可將晶圓牢固地接合於支撐體，耐於之後的工程的充分的耐久性，進一步需要最後可從支撐體簡便地剝離薄型晶圓。由於如此最後剝離，所以在本說明書中，將此黏結層稱為暫時黏結層。
至今作為習知的暫時黏結層及其剝離方法，藉由對含光吸收性物質的黏結材照射高強度的光，將黏結材層分解而從支撐體剝離黏結材層的技術(專利文獻1)、及將熱溶融性的碳化氫系化合物用於黏結材，在加熱溶融狀態下進行接合．剝離的技術(專利文獻2)被提案。前者的技術是藉由來自雷射振盪器的強光，使雷射吸收層燒蝕，藉此使薄型晶圓從支撐體簡便地剝離的技術，在剝離時是幾乎不使應力作用於薄化晶圓的技術。又，後者的技術是藉由基板的加熱來使黏結材熱分解的技術，在貼合支撐體之後進行的TSV形成或配線形成，製程溫度為不引起黏結材熱分解的範圍(200℃程度以下)，是非常良好的暫時黏結技術。
又，有將矽酮黏合劑用在暫時黏結材層的技術被提案(專利文獻3)。這是使用附加硬化型的矽酮黏合劑來將晶圓接合於支撐體，在剝離時是浸漬於將矽酮樹脂溶解或分解之類的藥劑而從支撐體分離晶圓者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-64040號公報
[專利文獻2]日本特開2006-328104號公報
[專利文獻3]美國專利第7541264號公報
[專利文獻4]美國專利出願公開第2015/0368519號公報
[專利文獻5]美國專利第9,566,722號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]APPLIED MATERIAL& INTERFACES，Vol.1，No.4，pp.849-855，2009
[非專利文獻2]J.Adhesion Sci. Technol.，Vol.17，No.8，pp.1055-1073
在既存的暫時黏結技術使用的材料，基本上當然具有貼合(黏結)所欲薄化的晶圓與支撐體的機能，且在使加工後的薄化晶圓與支撐體分離的機能亦為其特徵。作為參考的專利文獻是利用雷射燒蝕或熱分解、溶媒的溶解作用。然而，該等的專利文獻記載的技術的暫時黏結層是若一度使用於貼合，然後剝離，則不再度發揮貼合的機能。因此，暫時黏結層的材料一般是剝離後以洗淨除去而消失者。因此，新的貼合是需要形成新的暫時黏結層。亦即，以往的暫時黏結技術的暫時黏結層是無法重複使用。
而且，進行專利文獻1的雷射燒蝕之類的專 用裝置是非常地高價。
本發明是有鑑於上述問題點而研發者，以提供一種可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離的暫時黏結方法、以此暫時黏結方法來暫時黏結晶圓與支撐體而進行晶圓的加工之裝置晶圓加工方法、可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離的暫時黏結用層疊體、以及包含此暫時黏結層疊體的裝置晶圓加工用層疊體為目的。
為了達成上述課題，本發明提供一種暫時黏結方法，經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面之晶圓暫時黏結於支撐體之方法，其特徵為： 經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層，來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結。
若為本發明的暫時黏結方法，則由於經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層來進行暫時黏結，因此在薄化加工、電極形成、金屬配線形成及保護膜形成等的加工中可防止晶圓從支撐體分離，另一方面，在上述加工後，即使不使用高價的機械 等，也可容易從支撐體剝離晶圓。又，具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體是在將晶圓與支撐體的暫時黏結解放之後，可再度使用於更進一步的暫時黏結。亦即，若利用本發明的暫時黏結方法，則可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因此，若根據本發明的暫時黏結方法，則能以高的生產性及低的成本製造例如薄型裝置晶圓。
使用前述複數的柱狀構造為以熱硬化性樹脂所形成者，作為前述乾式黏結性纖維構造體為理想。
複數的柱狀構造為以熱硬化性樹脂所形成的乾式黏結性纖維構造體是對於真空製程及熱製程可顯示良好的耐性。因此，藉由使用如此的乾式黏結性纖維構造體，可使薄型裝置晶圓的生產性及成本效益更提升。
使用前述複數的柱狀構造為以矽酮變性聚醯亞胺所形成者，作為前述乾式黏結性纖維構造體為理想。
如此的乾式黏結性纖維構造體是複數的柱狀構造可顯示良好的耐熱性及良好的可撓性。因此，藉由使用如此的乾式黏結性纖維構造體，可使薄型裝置晶圓的生產性更提升。
又，提供一種裝置晶圓加工方法，其特徵為：藉由本發明的暫時黏結方法來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結，加工被暫時黏結的前述晶圓的前述第2主面。
本發明的裝置晶圓加工方法是藉由本發明的暫時黏結方法來進行晶圓與支撐體的暫時黏結，加工如此被暫時黏結的晶圓的第2主面，因此能以高的生產性及低的成本製造薄型裝置晶圓。
可加工前述晶圓的前述第2主面之後，將利用前述暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，在其他的暫時黏結中重複使用前述暫時黏結層。
在本發明的暫時黏結方法及本發明的裝置晶圓的加工方法使用的包含乾式黏結性纖維構造體的暫時黏結層是在暫時黏結及剝離中可重複使用。
可加工前述晶圓的前述第2主面之後，將利用前述暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，經由暫時黏結層來將與前述晶圓不同的基材暫時黏結於前述支撐體。
本發明的裝置晶圓的加工方法是亦可在1個的晶圓的加工後，重複使用暫時黏結層，將與此晶圓不同的基材暫時黏結於支撐體。
又，在本發明中，提供一種暫時黏結用層疊體，為了經由暫時黏結層來將晶圓暫時黏結於支撐體而使用的暫時黏結用層疊體，其特徵為：包含前述支撐體及被形成於前述支撐體上的前述暫時黏結層，前述暫時黏結層是包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體。
若根據本發明的暫時黏結用層疊體，則由於暫時黏結層包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體，因此在薄化加工、電極形成、金屬配線形成及保護 膜形成等的加工中，可防止晶圓從支撐體分離，另一方面，即使在上述加工後不使用高價的機械等也可從支撐體容易地剝離晶圓。並且，具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體是將晶圓與支撐體的暫時黏結解放之後，可再度使用於更進一步的暫時黏結。亦即，藉由使用本發明的暫時黏結用層疊體，可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因此，若使用本發明的暫時黏結用層疊體，則能以高的生產性及低的成本製造例如薄型裝置晶圓。
前述複數的柱狀構造是以熱硬化性樹脂所形成者為理想。
以熱硬化性樹脂所形成的柱狀構造是對於真空製程及熱製程可顯示良好的耐性。因此，藉由使用包含如此的柱狀構造的暫時黏結用層疊體，可使薄型裝置晶圓的生產性及成本效益更提升。
前述複數的柱狀構造是可舉矽酮樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、丙烯樹脂、聚酯、聚醯胺樹脂、苯樹脂、氟樹脂、聚氨酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、SBR、NBR等的橡膠等。為了使耐熱性或可撓性顯現，而以矽酮變性聚醯亞胺來形成為理想。
如此的柱狀構造是可顯示良好的耐熱性及良好的可撓性。因此，藉由使用包含如此的柱狀構造的暫時黏結用層疊體，可使薄型裝置晶圓的生產性更提升。
更包含被形成於前述支撐體上之包圍前述乾式黏結性纖維構造體的保護環為理想。
若為包含如此的保護環，則即使例如晶圓的第2主面被實施於濕製程，也可防止加工用的液體侵入至晶圓的第1主面側。
又，在本發明中，提供一種裝置晶圓加工用層疊體，其特徵是包含：本發明的暫時黏結用層疊體；及晶圓，具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面，前述第1主面會經由前述支撐體上的前述暫時黏結層來被暫時黏結於前述支撐體。
若根據本發明的裝置晶圓加工用層疊體，則由於暫時黏結層包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體，因此在晶圓的第2主面的加工中可防止晶圓從支撐體分離，且加工後，即使不使用高價的裝置，也可從支撐體容易地剝離晶圓。又，加工後，可將暫時黏結層重複使用於其他的暫時黏結。因此，若使用本發明的裝置晶圓加工用層疊體，則能以高的生產性及低的成本製造例如薄型裝置晶圓。
如以上般，若根據本發明的暫時黏結方法，則可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因 此，若根據本發明的暫時黏結方法，則能以高的生產性及低的成本製造薄型裝置晶圓。
又，若根據本發明的裝置晶圓加工方法，則能以高的生產性及低的成本製造薄型裝置晶圓。
又，若根據本發明的暫時黏結用層疊體，則可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因此，若根據本發明的暫時黏結用層疊體，則能以高的生產性及低的成本製造薄型裝置晶圓。
而且，若根據本發明的裝置晶圓加工用層疊體，則能以高的生產性製造薄型裝置晶圓，其利用價值非常高。
2:暫時黏結層
3:支撐體
4:保護環
10:晶圓
11:第1主面
11a:凹部
11b:凸部
12:第2主面
13:電極構造(電路)
20:暫時黏結用層疊體
21:乾式黏結性纖維構造體
22:柱狀構造
23:前端
24:底部
25:主部
[圖1]是表示本發明的暫時黏結用層疊體之一例的概略部分剖面圖。
[圖2]是表示將本發明的暫時黏結用層疊體暫時黏結於晶圓的例子的概略部分剖面圖。
[圖3]是表示本發明的暫時黏結用層疊體的其他的一例的概略平面圖。
[圖4]是表示本發明的裝置晶圓加工用層疊體之一例的概略平面圖。
如上述般，可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離的暫時黏結方法的開發被要求。
本發明者們針對上述課題深入檢討的結果，發現經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層來暫時黏結晶圓的與應加工的第2主面相反側的第1主面和支撐體，可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行如此的暫時黏結及剝離，使完成本發明。
亦即，本發明是一種暫時黏結方法，經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面之晶圓暫時黏結於支撐體的方法，其特徵為：經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結。
又，本發明是一種裝置晶圓加工方法，其特徵為：藉由上述本發明的暫時黏結方法，進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結，加工被暫時黏結的前述晶圓的前述第2主面。
又，本發明是一種暫時黏結用層疊體，為了經由暫時黏結層來將晶圓暫時黏結於支撐體而使用的暫時黏結用層疊體，其特徵為：包含前述支撐體、及被形成於前述支撐體上的前述暫 時黏結層，前述暫時黏結層是包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者。
又，本發明是一種裝置晶圓加工用層疊體，其特徵是包含：前述本發明的暫時黏結用層疊體；及晶圓，具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面，前述第1主面會經由前述支撐體上的前述暫時黏結層來被暫時黏結於前述支撐體。
另外，例如，在專利文獻4及非專利文獻1是揭示有乾式黏結性纖維構造體。又，例如，在專利文獻5及非專利文獻2是揭示有乾式黏結性纖維構造體的製造方法。然而，該等的文獻是未言及任何將乾式黏結性纖維構造體適用在裝置晶圓製造製程的暫時黏結的情形。
以下，詳細說明有關本發明，但本發明是不被限定於該等。
[暫時黏結用層疊體]
本發明的暫時黏結用層疊體是為了經由暫時黏結層來將晶圓暫時黏結於支撐體而使用的暫時黏結用層疊體，其特徵為：包含前述支撐體及被形成於前述支撐體上的前述暫時黏結層，前述暫時黏結層是包含具有複數的柱狀構造的乾式黏 結性纖維構造體者。
包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者的暫時黏結層是藉由柱狀構造的前端接觸於晶圓的表面，可進行晶圓與支撐體的暫時黏結。雖不期望受理論束縛，但推測藉由柱狀構造的前端接觸於晶圓的表面，分子間力會在複數的柱狀構造的前端與晶圓的表面之間顯現，藉由此分子間力進行暫時黏結。
如此的暫時黏結是在晶圓的例如薄化加工、電極形成、金屬配線形成及保護膜形成等的加工中，為了可防止晶圓從支撐體分離，而在晶圓與支撐體之間提供充分的強度的暫時黏結。
另一方面，此暫時黏結是在加工後，即使不用高價的裝置，也可容易從支撐體剝離晶圓者。作為具體的剝離方法，例如，可舉將晶圓或支撐體的一方固定於水平，將另一方從水平方向以一定的角度舉起的方法、在被研削的晶圓的研削面貼上保護薄膜，以剝離法來從晶圓加工體剝離晶圓與保護薄膜的方法、及以鑷子來拿起晶圓的一部分而剝離的方法等。本發明是該等的剝離方法皆可適用。當然上述的方法是不被限定。
又，包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者的暫時黏結層是一旦將暫時黏結解放，還是可在其他的暫時黏結中再度使用。這推測因為根據乾式黏結性纖維構造體的暫時黏結為利用分子間力者，即使一旦剝離，只要使複數的柱狀構造的前端接觸於暫時黏結對 象，便可再度顯現分子間力，進行更進一步的暫時黏結。
而且，本發明的暫時黏結用層疊體的暫時黏結層是暫時黏結對象未必不平坦也可強力黏結。由於暫時黏結層所暫時黏結的第1主面是含有電路，因此通常不平坦。本發明的暫時黏結用層疊體的暫時黏結層是在含有電路的第1主面也可強力黏結。
又，由於利用本發明的暫時黏結用層疊體的暫時黏結層之暫時黏結是根據分子間力的暫時黏結，因此不須如使用黏結劑的情況般，追加的熱硬化處理。
而且，由於利用本發明的暫時黏結用層疊體的暫時黏結層之暫時黏結是根據分子間力的暫時黏結，因此重複的使用時的洗淨也未必需要。亦即，若根據本發明，則無須在以往的方法所必要的洗淨，可提供一種可削減半導體裝置製造工程的時間、洗淨成本的暫時黏結製程。
藉由如此使用本發明的暫時黏結用層疊體，可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因此，若利用本發明的暫時黏結用層疊體，則能以高的生產性及低的成本製造例如薄型裝置晶圓。
其次，一邊參照圖1~圖3，一邊更具體地說明本發明的暫時黏結用層疊體。
圖1是表示本發明的暫時黏結用層疊體之一例的概略部分剖面圖。
圖1所示的暫時黏結用層疊體20是包含支撐體3及被形成於支撐體3上的暫時黏結層2。暫時黏結層2是包含具有微細的複數的柱狀構造22的乾式黏結性纖維構造體21。
支撐體3的材料是不被特別加以限定，例如可使用矽、玻璃、石英等。亦即，支撐體3是例如可使用矽晶圓、玻璃板、石英晶圓等的基板，無任何限制。在本發明中，由於無須通過支撐體3來照射放射能量線等至暫時黏結層2，因此支撐體3是亦可為不具有光透過性者。
柱狀構造22是例如微細可撓的纖維。複數的柱狀構造22的各者是具有與支撐體3相反朝向的前端23。圖1所示的柱狀構造22的前端23是具有朝向上方逐漸擴展的寬幅形狀。
所謂微細的纖維是使例如樹脂材料延伸而加工成細的筒狀者，作為使延伸的方法是可使用射出成型、擠出成型等。又，作為取得微細的纖維的其他的方法，亦可在Si基板藉由乾蝕刻來形成圓柱狀的模型，在被形成的圓柱模型中流入樹脂材料而形成圓柱狀的樹脂亦即微細的纖維。
微細的纖維的形成方法是不限定於上述的方法。
又，微細纖維的素材理想是樹脂材料為佳，但其他亦可由碳纖維、玻璃纖維或其他複合材料所組成者，只要可顯現耐熱性、耐藥品性、可撓性等，素材不拘。
柱狀構造22是可由例如樹脂所形成。理想的樹脂是可舉環氧樹脂、丙烯樹脂、矽酮樹脂、聚酯、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯樹脂、氟樹脂、聚氨酯、聚碳 酸酯、聚苯乙烯、SBR、NBR等的橡膠等。
特別是柱狀構造22以熱硬化性樹脂所形成為理想。以熱硬化性樹脂所形成的柱狀構造22是對於TSV形成、晶圓背面配線工程等的工程之工程適合性高，具體而言CVD(化學氣相沈積)這種真空製程或晶圓熱製程耐性佳，可更提高薄型裝置晶圓的生產性。
例如由矽酮變性聚醯亞胺所形成的柱狀構造22是除了可顯示可撓性以外，在材料中持有聚醯亞胺骨架，可顯現300℃程度以上的耐熱性。
另一方面，以專利文獻2的200℃程度熱分解的黏結劑來貼合晶圓與支撐體時，在TSV形成或再配線製程中，熱分解溫度以上的製程溫度是變成無耐性。
複數的柱狀構造22是亦可直接被形成於支撐體3上，但例如圖1所示般，亦可被支撐於底部24上。亦即，在圖1所示的形態的暫時黏結用層疊體20中，乾式黏結性纖維構造體21包含：被形成於支撐體3上的底部24、及被支撐於底部24上的複數的柱狀構造22。底部24是亦可以和複數的柱狀構造22的材料同樣的材料所形成，亦可以不同的材料所形成。
複數的柱狀構造22是例如圖1所示般，在支撐體3表面例如規則地配列為理想。又，例如圖2所示般，以可計畫性地避開被設在暫時黏結的對象的晶圓10(成為裝置晶圓的晶圓)的第1主面11側的電極構造(電路)13之一定的間距，來將複數的柱狀構造22形成支撐基板3上，藉 此可進行更安定的暫時黏結。亦即，複數的柱狀構造22是亦可以和被形成於晶圓10的第1主面11的裝置圖案相反的圖案來配列。
複數的柱狀構造22是在支撐體3上規則且緻密地配置為理想。藉由如此的配置，可進行更安定的暫時黏結。複數的柱狀構造22是100個/mm2以上5000個/mm2以下，理想是250個/mm2以上1500個/mm2的密度形成為理想。
進一步，複數的柱狀構造22是可對於晶圓10的第1主面11的表面，以能迎合此第1主面的表面形狀之方式接觸。因此，例如圖2所示般，當晶圓10的第1主面11具有凹部11a及凸部11b時，亦即即使晶圓10為高階差基板時，複數的柱狀構造22也可對於晶圓10的第1主面11進行安定的暫時黏結。
複數的柱狀構造22的各者的形狀是柱狀即可，可無特別限制使用，例如圓柱及角柱皆可。如圖1所示般，若柱狀構造22的前端23為寬幅形狀(刮勺形狀)，則吸附力會更提高，為理想。柱狀構造22的前端23與主部25的剖面積的比是1：1~1：2為理想。亦即，柱狀構造是以接觸於晶圓的前端23作為上部時，上部比下部更寬幅為理想。柱狀構造22的前端23是亦可具有吸盤般的構造。
另外，柱狀構造22的各者是例如可將高度設為1μm~1mm，理想是高度為10μm~500μm的柱狀構造。又，柱狀構造22的各者是例如可設為具有直徑為10nm ~100μm的底面者，理想是具有直徑為1000nm~20μm的底面者。另一方面，柱狀構造22的各者的前端23是例如可具有20nm~200μm的直徑。
本發明的暫時黏結用層疊體20是可控制與暫時黏結對象的晶圓的暫時黏結力。具體而言，例如，能以柱狀構造22的前端23的直徑的大小、或每單位面積的柱狀構造22的個數、及柱狀構造22的主部25的直徑來規定支撐基板3與晶圓的暫時黏結力。
支撐基板3與晶圓被暫時黏結之後，在形成TSV或再配線的製程中，為了在製程裝置的操作(handling)、在CMP製程的剪應力等施加，反抗此應力的暫時黏結力在支撐基板3與晶圓之間成為必要。另一方面，由於支撐基板3是最終被剝離者，因此必須避免給予必要以上的暫時黏結力。由於本發明的暫時黏結用層疊體20是可控制與暫時黏結對象的晶圓10的暫時黏結力，因此可顯現一方面耐於加工中的應力，另一方面被壓制在最終可容易剝離的程度之暫時黏結力。
在暫時黏結層2上的例如與25mm寬的聚醯亞胺膠帶試驗片的180°剝離力(Peel Force)是2gf以上50gf以下為理想。原因是若為具有如此的剝離力的暫時黏結用層疊體20，則例如在晶圓研削時無產生晶圓的偏離之虞，且剝離容易。
暫時黏結用層疊體20是例如圖3所示般，更包含被形成於支撐體3上的包圍乾式黏結性纖維構造體21 的保護環4為理想。
在經由暫時黏結層2來暫時黏結的晶圓與支撐體3的貼合面內，由於暫時黏結層為乾式黏結性纖維構造體，因此會產生間隙。在支撐體3與晶圓的貼合後，晶圓被施以光阻的剝離金屬的蝕刻、裝置晶圓的洗淨等的濕製程的情形多，液體侵入至前述的此間隙會成為問題。藉由在支撐體3上設置上述保護環4，可防止加工用的液體侵入至上述間隙。
支撐體3的平面形狀是不被特別加以限定，亦可為與暫時黏結層2同樣的平面形狀，或亦可為比暫時黏結層2更大的平面形狀。設置圓形的保護環4時，支撐體3的平面形狀是亦可為與包圍暫時黏結層2的乾式黏結性纖維構造體21的保護環4的外周形狀同樣的平面形狀，或如圖3所示般，亦可為比保護環4的外周形狀更大的平面形狀。
到此為止，暫時黏結用層疊體20是例如舉直徑200mm或300mm的圓形為例，但暫時黏結用層疊體20是即使為正方形或長方形的面板形狀也無妨。
形成有柱狀構造22的面積相對於支撐體3的面積的比例是0.02%~50%為理想，1%~25%更為理想。
[裝置晶圓加工用層疊體]
本發明的裝置晶圓加工用層疊體，其特徵是包含：本發明的暫時黏結用層疊體；及 晶圓，其係具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面，前述第1主面會經由前述支撐體上的前述暫時黏結層來被暫時黏結於前述支撐體。
本發明的裝置晶圓加工用層疊體是包含先前說明的本發明的暫時黏結用層疊體。因此，本發明的裝置晶圓加工用層疊體是藉由利用包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層的暫時黏結，可在晶圓的第2主面的加工中防止晶圓從支撐體分離，且加工後，即使不用高價的裝置，也可容易從支撐體剝離晶圓。又，如先前說明般，加工後，可將暫時黏結層重複使用於其他的暫時黏結。因此，若使用本發明的裝置晶圓加工用層疊體，則能以高生產性且低成本製造例如薄型裝置晶圓。
其次，邊參照圖4，邊具體地說明本發明的裝置晶圓加工用層疊體。
圖4所示的裝置晶圓加工用層疊體1是包含暫時黏結用層疊體20及晶圓10。
暫時黏結用層疊體20是包含邊參照圖1及圖2邊說明的支撐體3及被形成於支撐體3上的暫時黏結層2。又，暫時黏結層2是包含具有圖1所示的複數的柱狀構造22的乾式黏結性纖維構造體21。
晶圓10是具有圖2所示的構造。亦即，晶圓10是具有：含電路13的第1主面11，及與第1主面11相反側的應加工的第2主面12。第1主面11是包含凹部11a及凸部 11b。晶圓10的第1主面11是可稱為電路形成面。晶圓10的第2主面12是可稱為電路非形成面。
本發明可適用的晶圓10通常是半導體晶圓。該半導體晶圓的例子，不僅矽晶圓，還可舉鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓的厚度是不特別限制，典型的是600~800μm，更典型的是625~775μm。
在圖4所示的裝置晶圓加工用層疊體1中，如圖2所示般，晶圓10的第1主面11會經由支撐體3上的暫時黏結層2來暫時黏結至支撐體3。若為本發明的裝置晶圓加工用層疊體1，則即使是在晶圓10的第1主面11如圖2所示般具有凹部11a及/或凸部11b的高階差基板，複數的柱狀構造22的前端23還是可迎合第1主面11的表面，因此如圖4所示般，可設為在與支撐體3大致平行的狀態下，將晶圓10的第2主面12與此支撐體3暫時黏結者。因此，本發明的裝置晶圓加工用層疊體1是可顯示對於TSV形成、晶圓背面配線工程之良好的工程適合性。
[暫時黏結方法]
本發明的暫時黏結方法是經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面之晶圓暫時黏結於支撐體之方法，其特徵為：經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏 結。
本發明的暫時黏結方法是例如可使用先前說明的本發明的暫時黏結層疊體來實施。
如先前說明般，經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層的晶圓的第1主面與支撐體的暫時黏結是在晶圓的第2主面的例如薄化加工、電極形成、金屬配線形成及保護膜形成等的加工中，為了可防止晶圓從支撐體分離，而可在晶圓與支撐體之間提供充分的強度的暫時黏結。另一方面，此暫時黏結是在加工後，即使不使用高價的裝置等，也可容易從支撐體剝離晶圓。
又，包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者的暫時黏結層是即使一旦將暫時黏結解放，還是可在其他的暫時黏結中再度使用。
如此，若根據本發明的暫時黏結方法，則可進行晶圓與支撐體的充分的強度的暫時黏結及晶圓容易自支撐體的剝離，且可重複進行暫時黏結及剝離。因此，若根據本發明的暫時黏結方法，則能以高的生產性及低的成本製造例如薄型裝置晶圓。
暫時黏結時，亦可使用貼合裝置來貼合暫時黏結層與晶圓。在貼合中，理想是室溫~100℃，更理想是室溫~80℃的溫度區域，可均一地壓接晶圓與暫時黏結層(理想是大於0~5MPa，更理想是1Pa~1MPa)。例如藉由此貼合，可形成晶圓經由暫時黏結層來暫時黏結於支撐體的 晶圓加工體(層疊體基板)，亦即先前說明的裝置晶圓加工用層疊體。之後一切的加熱處理等是不需要。
晶圓貼合裝置是可舉市售的晶圓接合裝置，例如EVG公司的EVG520IS、850TB、SUSS公司的XBC300等。
[裝置晶圓加工方法]
本發明的裝置晶圓加工方法是藉由本發明的暫時黏結方法來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結，加工被暫時黏結的前述晶圓的前述第2主面為其特徵。
在本發明的裝置晶圓加工方法中，由於藉由本發明的暫時黏結方法來進行暫時黏結之後進行晶圓的第2主面的加工，因此如先前說明般，可高生產性及低成本製造例如薄型裝置晶圓。
又，先前已述，包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者的暫時黏結層是即使一旦將暫時黏結解放，還是可在其他的暫時黏結中再度使用。亦即，在本發明中，可加工1個的晶圓的第2主面之後，將利用暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，在其他的暫時黏結中重複使用暫時黏結層。
在上述其他的暫時黏結中，亦可以和加工後的晶圓不同的矽晶圓作為支撐體暫時黏結，或亦可暫時黏結矽晶圓以外的基材。亦即，在本發明中，可加工晶圓的 第2主面加工之後，將利用暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，經由暫時黏結層來以和前述同樣的貼合條件，將與加工後的晶圓不同的基材暫時黏結於支撐體。矽晶圓以外的支撐體，是例如可舉金屬基板、玻璃基板或石英基板等。
又，支撐體是即使為正方形或長方形的面板形狀也無妨。在支撐體上被暫時黏結的基板也不限矽、玻璃、金屬、樹脂等。
其次，說明本發明的裝置晶圓加工方法的具體例。
本發明的裝置晶圓加工方法之一例是具有以下的(a)~(d)的工程。
[工程(a)]
工程(a)是經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面(電路形成面；表面)及與此第1主面相反側的應加工的第2主面(電路非形成面；背面)之晶圓暫時黏結於支撐體的工程。亦即，工程(a)是藉由本發明的暫時黏結方法來進行晶圓的第1主面與支撐體的暫時黏結之工程。
[工程(b)]
其次，施以研削或研磨被暫時黏結於支撐體的晶圓的第2主面(電路非形成面)的工程，亦即，將被貼合而取得的裝置晶圓加工用層疊體的晶圓背面側研削，削薄該晶圓 的厚度之工程(b)。晶圓的第2主面的研削加工的方式是無特別加以限制，可採用習知的研削方式。研削是邊對晶圓與砥石(鑽石等)澆水冷卻邊進行為理想。作為研削加工晶圓的第2主面的裝置，例如可舉DISCO Corporation製DAG-810(商品名)等。又，亦可將晶圓的第2主面予以CMP研磨。
藉由本發明的製造方法所取得的薄型晶圓的厚度，典型的是5~300μm，更典型的是10~100μm。
[工程(c)]
其次，對研削第2主面後的晶圓加工體，亦即藉由背面研削而被薄型化的晶圓的第2主面實施更進一步的加工之工程(c)。在此工程(c)中含有在晶圓等級使用的各種的製程。可舉電極形成、金屬配線形成、保護膜形成等為例。更具體而言，可舉電極等的形成用的金屬濺射、蝕刻金屬濺射層的濕蝕刻、用以作為金屬配線形成的遮罩的光阻的塗佈、曝光及顯像之圖案的形成、光阻的剝離、乾蝕刻、金屬電鍍的形成、TSV形成用的矽蝕刻、矽表面的氧化膜形成等以往習知的製程。
[工程(d)]
其次從支撐體剝離在上述工程實施加工後的晶圓之工程，亦即在薄型化的晶圓實施各種的加工之後，在切割之前從支撐體剝離晶圓的工程。換言之，此工程(d)是將利 用暫時黏結層的暫時黏結解放的工程。
此剝離工程是一般以室溫~60℃程度的比較低溫的條件實施。具體的方法是例如可舉將裝置晶圓加工用層疊體的晶圓或支撐體的一方固定於水平，將另一方從水平方向以一定的角度舉起的方法、在被研削的晶圓的研削面貼上保護薄膜，以剝離法來從支撐體剝離晶圓與保護薄膜的方法、及以鑷子來拿起晶圓的一部分而剝離的方法等。本發明是該等的剝離方法皆可適用。當然，上述的方法是不被限定。
藉由將利用暫時黏結層的暫時黏結解放(剝離)，可取得具有含電路的第1主面及與此第1主面相反側的實施加工的第2主面之裝置晶圓。
又，本發明的裝置晶圓的加工方法中，亦可在來自支撐體的裝置晶圓的剝離後，支撐體表面及裝置晶圓表面皆不洗淨。
[其他的工程]
工程(d)之後，可在其他的暫時黏結中重複使用暫時黏結層。其他的暫時黏結的對象是例如可設為晶圓以外的基材。若舉具體例，則為了在加工後的晶圓層疊玻璃基板或石英基板等的其他的基板，可使用利用暫時黏結層的暫時黏結。
或，工程(d)之後，為了加工與加工後的晶圓不同的更進一步的晶圓，可經由暫時黏結層來將與更進 一步的晶圓的應加工的第2主面相反側的第1主面暫時黏結於支撐體。
由於在本發明使用的暫時黏結層是在暫時黏結的解放後不需要洗淨，因此可有效率地在更進一步的暫時黏結中重複使用。
[乾式黏結性纖維構造體的製造方法]
在此，說明在本發明使用的暫時黏結層的乾式黏結性纖維構造體的製造方法的例子。然而，在本發明使用的暫時黏結層的乾式黏結性纖維構造體的製造方法是不被限定於以下的方法。
(第1例)
第1例是使複數的柱狀構造轉印至由矽、玻璃等所組成的支撐體的表面的方法。
具體而言，例如亦可在Si基板藉由乾蝕刻來形成圓柱狀的模型，在被形成的圓柱的模型中流入樹脂材料而形成圓柱狀的樹脂亦即微細的纖維。使乾式黏結性纖維構造體的寬幅的前端接觸於PET等的薄板狀基材，將以矽中的圓形的模型所成型的圓柱狀的樹脂進行轉印。將PET上的被轉印的乾式黏結性纖維構造體另一方的前端接合於支撐體之後藉由剝離PET等的薄板狀基材而可提供。
此時，往支撐體的接合是例如使用高融點焊錫來接合另一方的前端。或，將支撐體的表面予以矽烷耦 合劑處理、陽極氧化、化學性表面粗化等的處理後，邊將微細可撓的柱狀構造施加熱、壓力，邊使轉印至支撐體表面，藉此可與支撐體牢固接合。
(第2例)
作為在由矽、玻璃等所組成的支撐體的表面形成乾式黏結性纖維構造體的別的方法，例如藉由射出成形，可一併形成薄的薄膜與微細的柱狀構造。
然後藉由將含微細的柱狀構造的薄膜材料貼合於支撐體，可提供一種支撐體與被形成於支撐體上的暫時黏結層的複合體。
(第3例)
藉由在具有多孔質的樹脂流入所望的樹脂，整形加工，亦可取得在表面具有柱狀構造的構造體。
(第4例)
又，具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體是例如非專利文獻2記載般，亦可以使用具有微米刻度(microscale)或奈米刻度的凹凸的模型的壓印(imprint)法來取得。
又，到此為止先前所示作為具有寬幅的前端的微細可撓的柱狀構造，即使不是僅柱狀構造的一方的前端為寬幅的構造，而是兩端具有寬幅的構造的可撓的柱狀 構造也無妨。此時，在貼合後裝置晶圓的薄化之後，使支撐體剝離，但當然產生想要使剝離的面及不想要使剝離的面，此情況只要將想要使剝離的面的乾式黏結性纖維構造體全體的吸附力比不想要使剝離的面的乾式黏結性纖維構造體全體的吸附力更弱即可。吸附力的強弱是可控制為如先前說明般。
[實施例]
以下，利用實施例來具體地說明本發明，但本發明是不限定於此。
(實施例1)
以高度10μm、直徑40μm的銅柱(Cu Post)(電極構造)會被全面地形成於一方的主面的第1主面之直徑200mm矽晶圓(厚度：725μm，成為裝置晶圓的晶圓)作為暫時黏結的對象。
首先，為了使乾式黏結性纖維構造體的柱狀構造接觸於上述晶圓的第1主面的電極構造以外的區域來暫時黏結，而準備在直徑200mm(厚度：500μm)的玻璃基板支撐體全面旋轉塗佈矽烷耦合劑材者。
作為被形成於支撐基板上的乾式黏結性纖維構造體的準備，在厚度725μm的直徑300mm矽基板面內形成光阻劑膜，藉由通用方法，經由遮罩來形成用以在矽基板中形成圓柱狀的模孔的圖案。利用與矽有選擇比的光阻 圖案(resist pattern)，藉由根據波希(Bosch)法的乾蝕刻，在矽中形成直徑20微米、深度50微米的圓柱狀的細孔。將細孔形成用的光阻剝離之後，為了形成乾式黏結性纖維構造體的寬幅部分，再度形成光阻圖案。光阻開口部的中心位置是與矽中細孔的中心一致，開口徑是設為30微米。其次，矽中的細孔與開口部的光阻圖案之中，以網版印刷來流入矽酮變性聚醯亞胺樹脂，將矽基板加熱100℃，60分鐘。其次，將光阻圖案剝離之後進行190℃ 4小時的硬烤(Hard Bake)，使矽酮變性聚醯亞胺樹脂硬化。
其次，將在表面有黏著層的厚度100μm的PET薄膜層壓於在矽基板上形成的乾式黏結性纖維構造體的寬幅部分表面後壓接，將乾式黏結性纖維構造體轉印至PET薄膜上。以SEM確認被轉印的乾式黏結性纖維構造體時，圓柱部的直徑為20μm，規則備置的寬幅的前端部的直徑為30μm，高度為20μm，按照設計。
此時的乾式黏結性纖維構造體的密度(以平面SEM，倍率2000倍觀察)是約300個/mm2。
將持有複數的柱狀構造的PET薄膜邊對準邊以80Pa的陰壓、溫度110℃的條件來真空層壓於塗佈有矽烷耦合劑的玻璃支撐基板。
被層壓的支撐基板是被取出至大氣中，使表面的PET薄膜剝離，最終取得包含乾式黏結性纖維構造體的附暫時黏結層的玻璃支撐基板(暫時黏結用層疊體)。
在晶圓貼合裝置內，以腔室內壓力未滿 10Pa、平台溫度70℃、荷重0.21MPa、60秒的條件進行將暫時黏結的對象亦即在一方的主面的第1主面全面地形成有高度10μm、直徑40μm的銅柱之直徑200mm矽晶圓(厚度：725μm)貼合於前述暫時黏結用層疊體的形成有柱狀構造的面。此時，暫時黏結層的複數的柱狀構造的前端會接觸於晶圓的第1主面。藉此，製作裝置晶圓加工用層疊體。
另外，為了以目視判別基板黏結後的異常，而使用玻璃板作為支撐體，但晶圓等的不透過光的矽基板也可使用。
使用EVG公司的晶圓接合裝置EVG520IS作為貼合裝置進行。另外，在貼合後的目視確認，貼合的品質無問題。
其次，在研磨機(DISCO製、DAG810)利用鑽石砥石來進行矽晶圓的背面(與第1主面相反側的第2主面)研削。研磨至最終基板厚50μm為止後，以光學顯微鏡(100倍)來調查有無龜裂、剝離等的異常，確認無異常。
進一步，將背面研削矽晶圓之後的加工體導入至CVD裝置，進行2μm的SiO2膜的生成實驗，調查此時有無外觀異常。即使厚的氧化膜的成膜後也未發生外觀異常。在此使用的電漿CVD裝置是PD270STL(SUMCO Corporation製)，輸出RF500W、內壓40Pa、氣體種類是TEOS(四乙氧基矽烷)：O2=20sccm：680sccm。
最後，確認支撐基板的剝離性。具體而言， 按照以下來進行試驗。在薄型化至完成CVD耐性試驗的裝置晶圓加工體的50μm為止的晶圓側，利用切割框來貼上切割膠帶，藉由真空吸附來將此切割膠帶面設定於吸附板。然後，在室溫，以鑷子來拿起玻璃的1點，藉此剝離玻璃基板。結果，可不打破厚度為50μm的晶圓而剝離。
利用剝離後亦即暫時黏結解放後的暫時黏結用層疊體，進行其他的矽晶圓的暫時黏結(以和前述同條件)，製作另一個的裝置晶圓加工用層疊體。再度的暫時黏結之前是未進行暫時黏結層的洗淨。其次，對於此另一個的裝置晶圓加工用層疊體，與上述同樣地進行背面研削、CVD耐性試驗、剝離試驗，未觀察到異常或破裂。
如此，在實施例1中，為了耐於背面研削及CVD等加工，而實現充分的暫時黏結強度，另一方面，加工後是可容易地從支撐體剝離晶圓。並且，在實施例1中，利用暫時黏結層的暫時黏結解放後，不洗淨，可再度使用暫時黏結層。
(實施例2)
其次，進行檢討有關對扇出型面板級封裝(Fan-Out Panel Level Packaging)的晶片第一製程的適用。
樹脂基板(90mm×90mm、厚度500微米)，在一方的主面的第1主面，由直徑15μm、高度15μm的低融點金屬所組成的凸塊(電極構造)會被形成於全面，在另一方的面的第2主面是10微米見方的鋁墊會被形成於全面，第1 主面與第2主面是將以貫通樹脂基板的電極來結線的裝置構造體作為暫時黏結的對象。
作為暫時接合前述樹脂基板的支撐基板，使用AGC製的大小300mm×100mm、厚度700微米的玻璃基板。
作為被形成於支撐基板上的乾式黏結性纖維構造體的準備，在厚度725μm的直徑300mm矽基板面內形成光阻劑(photoresist)膜，藉由通用方法，經由遮罩來形成用以在矽基板中形成圓柱狀的模孔的圖案。利用與矽有選擇比的光阻圖案(resist pattern)，藉由根據波希(Bosch)法的乾蝕刻，在矽中形成直徑20微米、深度50微米的圓柱狀的細孔。
將細孔形成用的光阻剝離之後，為了形成乾式黏結性纖維構造體的寬幅部分，再度形成光阻圖案。光阻開口部的中心位置是與矽中細孔的中心一致，開口徑是設為30微米，將光阻厚設為3微米。其次，矽中的細孔與開口部的光阻圖案之中，以網版印刷來流入氟樹脂，將矽基板加熱100℃，60分鐘。其次，將光阻圖案剝離之後進行150℃ 1小時的硬烤(Hard Bake)，使氟樹脂硬化。
其次，將在表面有黏著層的厚度100μm的PET薄膜層壓於在矽基板上形成的乾式黏結性纖維構造體的寬幅部分表面後壓接，將乾式黏結性纖維構造體轉印至PET薄膜上。以SEM確認被轉印的乾式黏結性纖維構造體時，圓柱部、寬幅部的直徑及高度是按照設計，與實施例 1相同。重複進行此作業，最終將乾式黏結性纖維構造體轉印至300mm×100mm的PET薄膜全面。此時的乾式黏結性纖維構造體的密度是約300個/mm2。
其次，在300mm×100mm的玻璃支撐基板全面塗佈矽烷耦合劑材而使乾燥，進一步將持有全面的柱狀構造的PET薄膜邊對準邊以80Pa的陰壓、溫度110℃的條件來真空層壓於塗佈有矽烷耦合劑的玻璃支撐基板。被層壓的支撐基板是被取出至大氣中，使表面的PET薄膜剝離，最終取得包含乾式黏結性纖維構造體的附暫時黏結層的玻璃支撐基板(暫時黏結用層疊體)。
在前述暫時黏結用層疊體的形成有柱狀構造的面，暫時黏結的對象的樹脂基板(90mm×90mm，厚度500微米)，在一方的主面的第1主面，由直徑15μm、高度15μm的低融點金屬所組成的凸塊(電極構造)會被形成於全面，在另一方的面的第2主面是30微米見方的鋁墊會被形成於全面，第1主面與第2主面是將以貫通樹脂基板的電極來結線的裝置構造體在基板貼合裝置內以平台溫度70℃、荷重0.21MPa、60秒的條件進行貼合。此時，暫時黏結層的複數的柱狀構造的前端會在晶圓的第1主面邊避開凸塊構造邊接觸。在此附暫時黏結層的玻璃支撐基板上是搭載合計3片的樹脂基板(裝置晶圓加工用層疊體的完成)。
其次，對於以此玻璃作為支撐體的裝置加工用層疊體，使用壓縮裝置來以模製材料進行密封。在密封是使用信越化學工業製薄膜模製材料SINR-DF5770，且 將裝置上的膜厚設為100微米。
其次，在研磨機(DISCO製，DFG8020)利用砥石來進行模製材料的研削，進行研削至最終使第2主面的鋁墊露出為止。以光學顯微鏡(100倍)來調查研磨後的鋁墊表面有無龜裂、剝離等的異常，確認無異常。
進一步，在鋁墊露出後的平面，與模製薄膜同樣地以真空層壓機來層壓感光性薄膜材料50微米厚的SINR-DF3170SP(信越化學製)。層壓條件是100℃．80Pa。為了將第1主面上的鋁墊部開口，而藉由使用遮罩的通用方法來進行光蝕刻法(photolithography)。製程條件是預烘100℃．300秒，以i線曝光，曝光量1100mJ/cm2，曝光後加熱130℃．300秒。藉由在PEGMEA的顯像，在鋁墊上取得直徑20微米的開口圖案。
最後在玻璃支撐體上的一連串的製程後，為了切開成3片的裝置，而以切割裝置來切割模製層而進行個片化。個片化後的裝置是可容易從含乾式黏結性纖維構造體的暫時黏結層剝下。
另外，本發明是不被限定於上述實施形態者。上述實施形態是舉例說明者，具有與本發明的申請專利範圍記載的技術思想實質上相同的構成，取得同樣的作用效果者無論是何者皆為本發明的技術的範圍所包含。
2:暫時黏結層
3:支撐體
20:暫時黏結用層疊體
21:乾式黏結性纖維構造體
22:柱狀構造
23:前端
24:底部
25:主部

Claims (9)

  1. 一種暫時黏結方法，係經由暫時黏結層來將具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面之晶圓暫時黏結於支撐體之方法，其特徵為：經由包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體之暫時黏結層，來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結，該複數的柱狀構造具有前端朝末端變寬的形狀，使用以矽酮變性聚醯亞胺形成，並以100個/mm2以上5000個/mm2以下的密度形成，各個的高度為1μm~1mm，且各個具有直徑10nm~100μm的底面者，作為前述複數的柱狀構造。
  2. 如請求項1記載的暫時黏結方法，其中，使用前述複數的柱狀構造為以熱硬化性樹脂所形成者，作為前述乾式黏結性纖維構造體。
  3. 一種裝置晶圓加工方法，其特徵為：藉由請求項1或2記載的暫時黏結方法來進行前述晶圓的前述第1主面與前述支撐體的暫時黏結，加工被暫時黏結的前述晶圓的前述第2主面。
  4. 如請求項3記載的裝置晶圓加工方法，其中，加工前述晶圓的前述第2主面之後，將利用前述暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，在其他的暫時黏結中重複使用前述暫時黏結 層。
  5. 如請求項3記載的裝置晶圓加工方法，其中，加工前述晶圓的前述第2主面之後，將利用前述暫時黏結層的暫時黏結解放，其次，經由暫時黏結層來將與前述晶圓不同的基材暫時黏結於前述支撐體。
  6. 一種暫時黏結用層疊體，係為了經由暫時黏結層來將晶圓暫時黏結於支撐體而使用的暫時黏結用層疊體，其特徵為：包含前述支撐體、及被形成於前述支撐體上的前述暫時黏結層，前述暫時黏結層，係包含具有複數的柱狀構造的乾式黏結性纖維構造體者，該複數的柱狀構造具有前端朝末端變寬的形狀，前述複數的柱狀構造為以矽酮變性聚醯亞胺形成，並以100個/mm2以上5000個/mm2以下的密度形成，各個的高度為1μm~1mm，且各個具有直徑10nm~100μm的底面者。
  7. 如請求項6記載的暫時黏結用層疊體，其中，前述複數的柱狀構造為以熱硬化性樹脂所形成者。
  8. 如請求項6或7記載的暫時黏結用層疊體，其中，更包含被形成於前述支撐體上之包圍前述乾式黏結性纖維構造體的保護環。
  9. 一種裝置晶圓加工用層疊體，其特徵係包含： 如請求項6~8中的任一項記載的暫時黏結用層疊體；及晶圓，其係具有含電路的第1主面及與前述第1主面相反側的應加工的第2主面，前述第1主面係經由前述支撐體上的前述暫時黏結層來被暫時黏結於前述支撐體。
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