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TWI872285B - 相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩 - Google Patents

相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩 Download PDF

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TWI872285B
TWI872285B TW110139194A TW110139194A TWI872285B TW I872285 B TWI872285 B TW I872285B TW 110139194 A TW110139194 A TW 110139194A TW 110139194 A TW110139194 A TW 110139194A TW I872285 B TWI872285 B TW I872285B
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etching
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三村祥平
樹
髙坂卓郎
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日商信越化學工業股份有限公司
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Abstract

[解決手段]一種相位移空白光罩，係具備有透光性基板、蝕刻保護膜及相位移膜，並以ArF準分子雷射光作為曝光光，該相位移空白光罩，其特徵係，蝕刻保護膜由含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所構成，膜厚為1~30nm，且相對於曝光光的透過率為85%以上，相位移膜由含有矽而不含有鉿的材料所構成，且膜厚為50~90nm。 [效果]由於蝕刻保護膜之對於使用了氟系氣體的乾蝕刻之特性與相位移膜不同，因此，在形成相位移膜的圖案時，相位移膜之蝕刻難以波及到透光性基板而透光性基板難以被蝕刻，故相位移膜之相位差的控制性良好，且可製造「確保了相對於透過未形成相位移膜之部分的曝光光所需要的高透過率」之相位移光罩。

Description

相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩
本發明，係關於半導體積體電路等之製造等中所使用的相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩。
在半導體技術所使用的光微影技術中，作為解析度提升技術之一，使用相位移法。相位移法，係例如使用將相位移膜形成於基板上之光罩的方法，且為在相對於曝光光為透明的基板上形成「對於透過未形成相位移膜之部分的曝光光，亦即通過與相位移膜之厚度相同長度的空氣之曝光光，透過相位移膜的光之相位的差大致180度」的相位移膜圖案，並利用光之干涉而使對比提高的方法。
作為應用其的光罩之一，有半色調相位移光罩。半色調相位移光罩，係在石英基板等之相對於曝光光為透明的基板之上，形成有半色調相位移膜的遮罩圖案者，該半色調相位移膜，係將與透過未形成相位移膜之部分的光之相位差設成為大致180度，並具有在實質上不幫助曝光之程度的透過率。直至目前為止，作為相位移光罩之相位移膜，係主要使用包含鉬及矽的膜(MoSi系相位移膜)(日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-140635號公報 [專利文獻2]日本特開2007-33469號公報 [專利文獻3]日本特開2007-233179號公報 [專利文獻4]日本特開2007-241065號公報
[本發明所欲解決之課題]
在具有MoSi系相位移膜之相位移光罩中，在形成相位移膜的圖案時，係一般而言，雖執行由氟系氣體所進行的乾蝕刻，但當MoSi系相位移膜之蝕刻到達透光性基板時，則由於透光性基板亦被由氟系氣體所進行的乾蝕刻稍微蝕刻，因此，所獲得的相位移光罩之具有相位移膜的部分與無相位移膜的部分之相位差，係因應透光性基板被蝕刻之程度而與在相位移膜所設定的相位差產生誤差。因此，相位移光罩之相位差難以正確地控制，又，形成於透光性基板上之MoSi系相位移膜，係在相位移膜產生圖案缺陷時難以修正。
作為對應於這樣的問題之相位移空白光罩，係例如吾人考慮一種「在包含矽之膜即MoSi系相位移膜的透光性基板側，形成如鉻系膜般的蝕刻特性與包含矽之膜不同的膜作為蝕刻阻擋膜」之相位移空白光罩。在使用了像這樣的蝕刻阻擋膜之相位移空白光罩中，係一般而言，在MoSi系相位移膜之遠離透光性基板的側形成鉻系膜作為遮光膜或蝕刻光罩膜，該蝕刻光罩膜，係在蝕刻MoSi系相位移膜時，作為硬光罩而發揮功能。在該情況下，包含矽之膜被蝕刻而露出的透光性基板側之鉻系膜，係在相位移膜上(遠離基板之側)之鉻系膜剝離的同時，藉由含有氧之氯氣等的氯系氣體來予以蝕刻。
但是，當將蝕刻阻擋膜設成為鉻系膜時，則難以提高相對於曝光光的透過率。尤其是，在相位移光罩中，係雖必需提高成為殘留於透光性基板與相位移膜的圖案之間的蝕刻阻擋膜之透過率，但在鉻系膜中難以獲得足夠的透過率。又，在提高鉻系膜之透過率的情況下，雖將鉻系膜所包含的氧或氮之比例提高，但在像這樣的鉻系膜被蝕刻時容易進行側蝕刻，且被形成於蝕刻阻擋膜之上的相位移膜之圖案會因側蝕刻而變得容易倒毀。
又，作為對應於上述問題之另一方法，係吾人考慮使用一種相位移空白光罩，在「從透光性基板側，使蝕刻阻擋膜、作為相位移膜的包含矽之膜、作為遮光膜或蝕刻光罩膜之鉻系膜被形成於透光性基板上」的相位移空白光罩中，將蝕刻阻擋膜設成為「對由使用於蝕刻包含矽之膜的氟系氣體所進行的乾蝕刻之蝕刻特性不同且對由使用於蝕刻鉻系膜之氯系氣體所進行的乾蝕刻具有耐性」之含有金屬的材料之膜。
如此一來，在由氟系氣體對相位移膜進行乾蝕刻時，係可藉由蝕刻阻擋膜來防止透光性基板被蝕刻，又，相位移膜被蝕刻而露出之蝕刻阻擋膜，係在由氯系氣體對遮光膜或蝕刻光罩膜進行乾蝕刻時，與鉻系膜之蝕刻阻擋膜不同且不會同時被蝕刻，可防止因側蝕刻所造成的相位移膜之圖案的倒毀。
但是，在該情況下，由於在相位移光罩未有相位移膜之部分的透光性基板上亦殘留有蝕刻阻擋膜，因此，蝕刻阻擋膜必需相對於曝光光為高透過率。在蝕刻阻擋膜之透過率較低的情況下，當使用了相位移光罩進行曝光時，透過相位移光罩之未有相位移膜的部分之光的量會變得不足而相位移光罩之功能即對比變得無法提高。又，在蝕刻阻擋膜之透過率較低的情況下，蝕刻阻擋膜會吸收許多曝光光，且因吸收到的曝光光之熱而產生相位移光罩的熱膨脹。熱膨脹，係使相位移光罩之圖案的位置精度惡化。
本發明，係為了解決上述課題而進行研究者，其目的在於提供一種「在由氟系氣體對以包含矽之膜所構成的相位移膜進行乾蝕刻時，透光性基板難以被蝕刻，且當作為相位移光罩時，在未形成相位移膜之部分確保所需要的高透過率」之相位移空白光罩，進而提供一種「在相位移膜上設置鉻系膜等的被氯系氣體予以乾蝕刻之膜，且即便藉由氯系氣體來對鉻系膜進行乾蝕刻，相位移膜之圖案的倒毀亦得到抑制」之相位移空白光罩。而且，本發明，係其目的在於提供一種使用像這樣的相位移空白光罩之相位移光罩之製造方法及相位移光罩。 [用以解決課題之手段]
本發明者們為了解決上述課題，經重複深入研究之結果，發現到「在將膜厚為50~90nm之相位移膜形成於透光性基板上的相位移空白光罩中，設置蝕刻保護膜(該蝕刻保護膜，係相接於相位移膜之透光性基板側，由含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所構成，膜厚為1~30nm而相對於曝光光的透過率為85%以上。)，藉此，在由氟系氣體對以包含矽之膜所構成的相位移膜進行乾蝕刻時，透光性基板難以被蝕刻，且當作為相位移光罩時，在未形成相位移膜之部分確保所需要的高透過率，並進而在相位移膜上設置鉻系膜等的被氯系氣體予以乾蝕刻之膜，且即便藉由氯系氣體來對鉻系膜進行乾蝕刻，相位移膜之圖案亦難以倒毀」，而終至完成本發明。
因此，本發明，係提供以下的相位移空白光罩、相位移光罩之製造方法及相位移光罩。 1.一種相位移空白光罩，係具備有透光性基板、被形成於該透光性基板上的蝕刻保護膜及相接於該蝕刻保護膜而形成的相位移膜，並以ArF準分子雷射光作為曝光光，該相位移空白光罩，其特徵係， 上述蝕刻保護膜由含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所構成，上述蝕刻保護膜之膜厚為1~30nm，且上述蝕刻保護膜之相對於上述曝光光的透過率為85%以上， 上述相位移膜由含有矽而不含有鉿的材料所構成，且膜厚為50~90nm。 2.如1之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜之含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所含有的矽相對於鉿及矽之合計的比率為0.1~99原子%。 3.如1或2之相位移空白光罩，其中， 上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下。 4.如1~3中任一之相位移空白光罩，其中，上述透光性基板為石英基板。 5.如1~4中任一之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜相接於上述透光性基板而形成。 6.如1~5中任一之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜之含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料中，所含有的氧之含有率為60原子%以上。 7.如1~6中任一之相位移空白光罩，其中，在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，上述相位移膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.5以上。 8.如1~7中任一之相位移空白光罩，其中，上述相位移膜之相對於上述曝光光的相位差為150~210度。 9.如1~8中任一之相位移空白光罩，其中，在上述相位移膜上更具備有由含有鉻之材料所構成的第3膜，在同一條件之由氯系氣體所進行的乾蝕刻中，上述第3膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為10以上。 10.一種相位移光罩之製造方法，係使用如1~8中任一之相位移空白光罩來製造相位移光罩的方法，該相位移光罩之製造方法，其特徵係，包含有： 藉由氟系氣體來對上述相位移膜進行乾蝕刻的工程。 11.一種相位移光罩之製造方法，係使用如9之相位移空白光罩來製造相位移光罩的方法，該相位移光罩之製造方法，其特徵係，包含有： 藉由氟系氣體來對上述相位移膜進行乾蝕刻的工程；及 藉由氯系氣體來對上述第3膜進行乾蝕刻的工程。 12.一種相位移光罩，係具備有透光性基板、被形成於該透光性基板上的蝕刻保護膜及相接於該蝕刻保護膜而形成之相位移膜的圖案，並以ArF準分子雷射光作為曝光光，該相位移光罩，其特徵係， 上述蝕刻保護膜由含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所構成，上述透光性基板與上述蝕刻保護膜之上述相位移膜的圖案之間的膜厚為1~30nm，且上述蝕刻保護膜之相對於上述曝光光的透過率為85%以上， 上述相位移膜的圖案由含有矽而不含有鉿的材料所構成，且膜厚為50~90nm。 13.如12之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜之含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所含有的矽相對於鉿及矽之合計的比率為0.1~99原子%。 14.如12或13之相位移光罩，其中， 上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下。 15.如12~14中任一之相位移光罩，其中，上述透光性基板為石英基板。 16.如12~15中任一之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜相接於上述透光性基板而形成。 17.如12~16中任一之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜之含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料中，所含有的氧之含有率為60原子%以上。 18.如12~17中任一之相位移光罩，其中，在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，上述相位移膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.5以上。 19.如12~18中任一之相位移光罩，其中，上述相位移膜之相對於上述曝光光的相位差為150~210度。 20.如12~19中任一之相位移光罩，其中，在上述相位移膜上更具備有由含有鉻之材料所構成的第3膜之圖案，在同一條件之由氯系氣體所進行的乾蝕刻中，上述第3膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為10以上。 [發明之效果]
本發明之相位移空白光罩，係由於蝕刻保護膜之對於使用了氟系氣體的乾蝕刻之特性與相位移膜不同，因此，在形成相位移膜的圖案時，相位移膜之蝕刻難以波及到透光性基板而透光性基板難以被蝕刻，故相位移膜之相位差的控制性良好，且從本發明之相位移空白光罩可製造「確保了相對於透過未形成相位移膜之部分的曝光光所需要的高透過率」之相位移光罩。而且，由於本發明之相位移空白光罩的蝕刻保護膜，係對於由氯系氣體所進行的乾蝕刻具有耐性，因此，可抑制因在鉻系膜的蝕刻阻擋膜中產生之側蝕刻所造成的相位移膜之圖案的倒毀。
以下，更詳細地說明關於本發明。 [相位移空白光罩之第1態樣] 本發明之相位移空白光罩，係具備有：透光性基板；蝕刻保護膜，被形成於透光性基板上；及相位移膜，被形成於蝕刻保護膜上。
作為本發明之相位移空白光罩(第1態樣)，具體而言，係可列舉出圖1所示者。圖1，係表示本發明之相位移空白光罩的第1態樣之一例的剖面圖，該相位移空白光罩1，係具備有：透光性基板10；蝕刻保護膜11，被形成於透光性基板10上；及相位移膜12，被形成於蝕刻保護膜11上。
本發明之相位移空白光罩，係適合於以ArF準分子雷射光(波長193nm)、F 2雷射光(波長157nm)等的波長250nm以下，特別是波長200nm以下之曝光光來轉印圖案的曝光，特別是在曝光光為ArF準分子雷射光的情況下特別有效果。
＜透光性基板＞ 在本發明中，作為透光性基板，係雖不特別限定，但在SEMI規格所規定的6英寸平方、厚度0.25英寸之被稱為6025基板者較為適合，在使用了SI單位系的情況下，通常表記為152mm平方、厚度6.35mm的基板。作為透光性基板，係石英基板為較佳。
＜蝕刻保護膜及相位移膜＞ 蝕刻保護膜，係由含有鉿及氧或鉿、矽及氧的材料所構成。含有矽及氧之材料，係雖相對於曝光光特別是ArF準分子雷射光的透過率較高，但如透光性基板例如石英基板般，容易被由氟系氣體所進行的乾蝕刻予以蝕刻。對此，構成本發明的蝕刻保護膜之含有鉿及氧的材料及含有鉿、矽及氧的材料，係雖相對於曝光光的透過率皆高且被由氟系氣體所進行的乾蝕刻稍微蝕刻，但由於其蝕刻特性與相位移膜不同，因此，相位移膜之蝕刻難以波及到透光性基板。又，含有鉿及氧或鉿、矽及氧之材料，係對由氯系氣體所進行的乾蝕刻具有耐性。
蝕刻保護膜，係相接於透光性基板而形成為較佳。蝕刻保護膜，係雖亦可更含有選自氮及碳的1種以上，但由僅以鉿及氧或鉿、矽及氧構成的材料所形成為較佳。蝕刻保護膜所含有的鉿之含有率，係0.5原子%以上，特別是10原子%以上為較佳，又，50原子%以下，特別是40原子%以下為較佳。
由於蝕刻保護膜，係可藉由設成為含有鉿、矽及氧之材料的方式，提高膜表面之平滑性，因此，蝕刻保護膜含有矽為較佳，在該情況下，蝕刻保護膜所含有的矽相對於鉿及矽之合計的比率，係0.1原子%以上為更佳。另一方面，為了使蝕刻保護膜之氟系氣體所致的乾蝕刻特性與相位移膜顯著不同，蝕刻保護膜所含有的矽相對於鉿及矽之合計的比率，係99原子%以下為較佳，65原子%以下為更佳。而且，蝕刻保護膜所含有氧之含有率，係60原子%以上為較佳。蝕刻保護膜所含有的氧之含有率，係雖不特別限定，但通常為80原子%以下。另外，在本發明中，形成於透光性基板上之各種膜的組成，係例如可藉由XPS(X射線光電分光)來測定。
蝕刻保護膜之膜厚，係1nm以上為較佳，又，30nm以下特別是10nm以下為較佳。又，如後述般，由於在藉由氟系氣體來對相位移膜進行乾蝕刻時，係通常將蝕刻清除時間之10%以上，一般而言為10~50%左右的時間設定為蝕刻處理時間(亦即，實施過蝕刻)，因此，蝕刻保護膜，係被曝露於過蝕刻時間量之氟系氣體的乾蝕刻。因此，蝕刻保護膜，係在由氟系氣體所進行的相位移膜之乾蝕刻時，於實施相位移膜之蝕刻清除時間的10%以上，特別是30%以上，尤其是50%以上之過蝕刻後，仍殘存有蝕刻保護膜的膜厚為較佳。蝕刻保護膜，係對於曝光光，特別是ArF準分子雷射光而言，透過率為85%以上，特別是90%以上為較佳。透過率之上限，係雖不特別限定，但通常為未滿100%。另外，作為該透過率，可應用「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例。
相位移膜，係由含有矽而不含有鉿的材料所構成。蝕刻保護膜，係雖被由氟系氣體所進行的乾蝕刻予以蝕刻，但對由氯系氣體所進行的乾蝕刻具有耐性。相位移膜，係相接於蝕刻保護膜而形成為較佳。相位移膜，係由更含有選自過渡金屬(但是，除了鉿以外，更佳為除了鉿及鉻以外)(Me)、氧(O)、氮(N)及碳(C)之1種以上的矽化合物所構成為較佳。作為這般者，係可列舉出過渡金屬氧化矽(MeSiO)、過渡金屬氮化矽(MeSiN)、過渡金屬碳化矽(MeSiC)、過渡金屬氮氧化矽(MeSiON)、過渡金屬碳氧化矽(MeSiOC)、過渡金屬碳氮化矽(MeSiNC)、過渡金屬矽氧化氮化碳化物(MeSiONC)等。另外，在此，表示矽化合物之化學式，係表示構成元素者，並非意味著構成元素的組成比(在以下的矽化合物中為相同。)。作為過渡金屬(Me)，係選自鉬(Mo)、鉭(Ta)、鋯(Zr)等的1種以上為較佳，鉬為特佳。
相位移膜之膜厚，係50nm以上，特別是60nm以上為較佳，又，90nm以下特別是80nm以下為較佳。相位移膜之相對於曝光光的相位差，係150度以上，特別是165度以上，尤其是175度以上為較佳，且210度以下，特別是195度以下，尤其是185度以下為較佳，且大致180度為特佳。在此，所謂相位差，係「透過相位移膜的曝光光與在空氣中僅通過等同於相位移膜的厚度之距離的曝光光」之間所產生的曝光光之相位的差異。又，相位移膜之相對於曝光光的透射率，係5%以上，特別是9%以上為較佳，且40%以下特別是30%以下為較佳。本發明之相位移膜、相位移空白光罩及相位移光罩，係可分別設成為半色調相位移膜、相位移空白光罩及相位移光罩。
在相位移膜之氟系氣體的乾蝕刻中，為了防止透光性基板之刻蝕，蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep)，係被要求足夠低於相位移膜的蝕刻率(Rps)。另一方面，在蝕刻相位移膜後未形成相位移膜之圖案的部分，亦即蝕刻保護膜露出的部分，係由於在蝕刻保護膜對其後之蝕刻(例如藉由氯系氣體對第3膜進行乾蝕刻)具有耐性的情況下會殘留於透光性基板上，因此，相對於曝光光被要求為高透過率。
在藉由氟系氣體之乾蝕刻來對相位移膜進行蝕刻而形成圖案時，一般而言，將蝕刻清除時間之10~ 50%左右的時間設定為蝕刻處理時間(亦即，實施蝕刻清除時間)。這是為了不使相位移膜殘留於未形成相位移膜之圖案的部分，但另一方面，當在透光性基板上直接形成相位移膜時，則透光性基板會因過蝕刻而被刻蝕，導致產生與在相位移膜已設定之相位差的差異。為了避免此情形，在本發明中，係雖在相位移膜與透光性基板之間設置相位移膜與氟系氣體之乾蝕刻特性不同的蝕刻保護膜，但在蝕刻保護膜因相位移膜之過蝕刻而被由氟系氣體所進行的乾蝕刻予以蝕刻時，存在有起因於乾蝕刻之面內分布而蝕刻量在蝕刻保護膜的面內產生差異的情形。特別是，在蝕刻保護膜的每單位膜厚之光學密度較大的情況下，恐有蝕刻保護膜的面內之透過率的均勻性因蝕刻保護膜之蝕刻量在面內的差而惡化之虞。
在本發明之相位移空白光罩中，使蝕刻保護膜之相對於曝光光的透過率充分高，且在相位移膜之氟系氣體的乾蝕刻中，為了防止產生於蝕刻保護膜之面內的透過率之均勻性因相位移膜的過蝕刻而惡化，例如由於「因蝕刻裝置而引起的蝕刻保護膜之蝕刻量的偏差或基板中央部的蝕刻保護膜與基板角部的蝕刻保護膜之蝕刻量的差異或因負載效應所致之蝕刻保護膜之蝕刻量的差異」所造成的蝕刻保護膜的面內之透過率的均勻性惡化，蝕刻保護膜及相位移膜，係在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值是0.002以下為有效。 藉由上述式(1)所算出的值，係相當於在以相位移膜被蝕刻膜厚1nm量的時間來對蝕刻保護膜進行蝕刻時，在蝕刻保護膜中藉由蝕刻而減少的光學密度。藉由上述式(1)所算出的值越小，則可使蝕刻保護膜的面內之透過率的分布越均勻。藉由上述式(1)所算出的值，係較佳為未滿0.002，更佳為0.0015以下。
蝕刻保護膜及相位移膜，係從確保對相位移膜進行了過蝕刻時之蝕刻保護膜的蝕刻耐性的觀點來看，在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.5以上，特別是5以上，尤其是10以上為較佳。該蝕刻選擇比之上限，係雖不特別限定，但通常為30以下。另外，該蝕刻選擇比，係相位移膜之蝕刻率相對於蝕刻保護膜之蝕刻率的比率。
＜蝕刻保護膜及相位移膜之成膜方法＞ 本發明中之蝕刻保護膜及相位移膜，係雖可應用相位移空白光罩的製造中之習知的成膜手法而進行成膜，但藉由可容易獲得均質性優異之膜的濺鍍法來進行成膜為較佳，且雖亦可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一方法，但磁控濺鍍為更佳。靶材與濺鍍氣體，係因應層構成或組成而適宜選擇。
蝕刻保護膜，係亦可使用鉿靶材，亦可使用由鉿及矽所構成的靶材，亦可設成為使用鉿靶材與矽靶材並使其同時放電的共濺鍍，亦可設成為使用鉿靶材及/或矽靶材與由鉿及矽所構成的靶材並使其同時放電的共濺鍍。
在相位移膜為不包含過渡金屬之含有矽的膜時，係可使用矽靶材。在形成包含過渡金屬之含有矽的膜時，係亦可使用由過渡金屬及矽所構成的靶材，亦可設成為使過渡金屬靶材與矽靶材並使其同時放電的共濺鍍，亦可設成為使用過渡金屬靶材及/或矽靶材與由過渡金屬及矽所構成的靶材並使其同時放電的共濺鍍。又，該些靶材，係亦可含有氮，且亦可同時使用含有氮的靶材與不含有氮的靶材。
蝕刻保護膜及相位移膜之氧、氮、碳等的含有率，係可藉由「在濺鍍氣體中，使用氧氣等的含氧氣體、氮氣等的含氮氣體、氧化亞氮氣體、氧化氮氣體、二氧化氮氣體等的含氧氮氣體、一氧化碳氣體、二氧化碳氣體、甲烷氣體等的碳氫氣體等的含碳氣體等作為反應性氣體，並適宜調整對濺鍍腔室之導入量而進行反應性濺鍍」的方式來調整。而且，在濺鍍氣體，係亦可使用氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣等來作為稀有氣體。
[相位移空白光罩之其他態樣] 在本發明之相位移空白光罩的相位移膜之上，係亦可從相位移膜側依序形成第3膜、第4膜及第5膜。作為將第3膜設置於相位移膜之上的相位移空白光罩(第2態樣)，具體而言，係可列舉出圖2所示者。圖2，係表示本發明之相位移空白光罩的第2態樣之一例的剖面圖，該相位移空白光罩1，係具備有：透光性基板10；蝕刻保護膜11，被形成於透光性基板10上；相位移膜12，被形成於蝕刻保護膜11上；及第3膜13，被形成於相位移膜12上。
又，作為將第3膜及第4膜設置於相位移膜之上的相位移空白光罩(第3態樣)，具體而言，係可列舉出圖3所示者。圖3，係表示本發明之相位移空白光罩的第3態樣之一例的剖面圖，該相位移空白光罩1，係具備有：透光性基板10；蝕刻保護膜11，被形成於透光性基板10上；相位移膜12，被形成於蝕刻保護膜11上；第3膜13，被形成於相位移膜12上；及第4膜14，被形成於第3膜13之上。
又，作為將第3膜、第4膜及第5膜設置於相位移膜之上的相位移空白光罩(第4態樣)，具體而言，係可列舉出圖4所示者。圖4，係表示本發明之相位移空白光罩的第4態樣之一例的剖面圖，該相位移空白光罩1，係具備有：透光性基板10；蝕刻保護膜11，被形成於透光性基板10上；相位移膜12，被形成於蝕刻保護膜11上；第3膜13，被形成於相位移膜12上；第4膜14，被形成於第3膜13之上；及第5膜15，被形成於第4膜14之上。
＜第3膜＞ 在本發明之相位移空白光罩的相位移膜之上，係可設置由單層或複數層所構成的第3膜。第3膜，係通常被設成為與相位移膜相鄰接。作為該第3膜，具體而言，係可列舉出遮光膜、遮光膜與反射防止膜的組合、相位移膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能的加工輔助膜(蝕刻光罩膜)等。又，在設置第4膜的情況下，亦可將該第3膜利用作為「第4膜之圖案形成中作為蝕刻阻擋而發揮功能」的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。作為第3膜之材料，係包含鉻的材料為較適合。
本發明之蝕刻保護膜，係成為難以被氯系氣體(例如，含有氧之氯氣，具體而言，係氯氣(Cl 2)與氧氣(O 2)之混合氣體(以下相同))予以乾蝕刻的膜。因此，將相位移膜剝離而未形成相位移膜之圖案的部分，亦即蝕刻保護膜露出的部分，係具有其後在藉由氯系氣體來對第3膜進行乾蝕刻時的蝕刻耐性。
蝕刻保護膜及第3膜(特別是，遮光膜、遮光膜與反射防止膜之組合)，係從確保對第3膜進行了蝕刻時之蝕刻保護膜的蝕刻耐性的觀點來看，在同一條件之由氯系氣體所進行的乾蝕刻中，第3膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為10以上，特別是15以上，尤其是20以上為較佳。該蝕刻選擇比之上限，係雖不特別限定，但通常為30以下。另外，該蝕刻選擇比，係第3膜之蝕刻率相對於蝕刻保護膜之蝕刻率的比率。
(作為第3膜之遮光膜及反射防止膜) 藉由設置包含遮光膜之第3膜的方式，可在相位移光罩中設置將曝光光完全遮光的區域。包含該遮光膜之第3膜，係亦可利用作為蝕刻中之加工輔助膜。
關於遮光膜及反射防止膜之膜構成及材料，係雖有諸多例子(例如，日本特開2007-33469號公報(專利文獻2)、日本特開2007-233179號公報(專利文獻3)等)，但作為較佳的遮光膜與反射防止膜之組合的膜構成，係可列舉出例如設置有包含鉻的材料之遮光膜，並更設置有使來自遮光膜的反射降低之包含鉻的材料之反射防止膜者等。遮光膜及反射防止膜，係皆亦可以單層來構成，或以複數層來構成。
作為遮光膜或反射防止膜之包含鉻的材料，係可列舉出鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等的鉻化合物等。另外，在此，表示包含鉻的材料之化學式，係表示構成元素者，並非意味著構成元素的組成比(在以下之包含鉻的材料中為相同。)。
在第3膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，遮光膜的鉻化合物中之鉻的含有率，係40原子%以上，特別是60原子%以上且未滿100原子%，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為較佳。氧之含有率，係60原子%以下，特別是40原子%以下為較佳，1原子%以上為更佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是40原子%以下為較佳，1原子%以上為更佳。碳之含有率，係20原子%以下，特別是10原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。在該情況下，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
又，在第3膜為遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，反射防止膜，係鉻化合物為較佳，鉻化合物中之鉻的含有率，係30原子%以上，特別是35原子%以上且70原子%以下，特別是50原子%以下為較佳。氧之含有率，係60原子%以下為較佳，1原子%以上，特別是20原子%以上為更佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是30原子%以下為較佳，1原子%以上，特別是3原子%以上為更佳。碳之含有率，係20原子%以下，特別是5原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。在該情況下，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
在第3膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為20nm以上，特別是40nm以上，且較佳為100nm以下，特別是70nm以下。又，以使相對於波長200nm以下之曝光光，特別是ArF準分子雷射(波長193nm)的相位移膜與第3膜之合計的光學密度成為2以上，特別是2.5以上，尤其是3以上為較佳。
(作為第3膜之加工輔助膜) 在第3膜為加工輔助膜的情況下，可利用作為「相位移膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能」的加工輔助膜(蝕刻光罩膜)，又，亦可利用作為「第4膜之圖案形成中作為蝕刻阻擋而發揮功能」的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。
作為加工輔助膜之例子，係可列舉出由如日本特開2007-241065號公報(專利文獻4)所示般的包含鉻之材料所構成的膜。加工輔助膜，係亦可以單層來構成，或以複數層來構成。
作為加工輔助膜之包含鉻的材料，係可列舉出鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等的鉻化合物等。
在第3膜為加工輔助膜的情況下，第3膜的鉻化合物中之鉻的含有率，係40原子%以上，特別是50原子%以上且未滿100原子%，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為較佳。氧之含有率，係60原子%以下，特別是55原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是40原子%以下為較佳，1原子%以上為更佳。碳之含有率，係20原子%以下，特別是10原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。在該情況下，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
在第3膜為加工輔助膜的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為2nm以上，特別是5nm以上，且較佳為20nm以下，特別是15nm以下。
＜第4膜＞ 在本發明之相位移空白光罩的第3膜之上，係可設置由單層或複數層所構成的第4膜。第4膜，係通常被設成為與第3膜相鄰接。作為該第4膜，具體而言，係可列舉出加工輔助膜、遮光膜、遮光膜與反射防止膜的組合等。作為第4膜之材料，係包含矽的材料為較適合，特別是不包含鉻者為較佳。
(作為第4膜之加工輔助膜) 在第3膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，抑或在第3膜為相位移膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能的加工輔助膜的情況下，作為第4膜，可設置「第3膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能」的加工輔助膜(蝕刻光罩膜)。又，在設置第5膜的情況下，亦可將該第4膜利用作為「第5膜之圖案形成中作為蝕刻阻擋而發揮功能」的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)。
該加工輔助膜，係設成為蝕刻特性與第3膜不同的材料，例如對由被應用於蝕刻包含鉻的材料之氯系氣體(特別是含有氧的氯氣)所進行的乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，係設成為能以SF 6或CF 4等的氟系氣體進行乾蝕刻之包含矽的材料為較佳。
作為包含矽的材料，具體而言，係可列舉出矽單體、包含矽與氮及氧之一者或兩者的材料、包含矽與過渡金屬的材料、包含矽、氮及氧之一者或兩者與過渡金屬的材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，係可列舉出鉬、鉭、鋯等。
在第4膜為加工輔助膜的情況下，加工輔助膜，係矽化合物為較佳，矽化合物中之矽的含有率，係20原子%以上，特別是33原子%以上且95原子%以下，特別是80原子%以下為較佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是30原子%以下為較佳，1原子%以上為更佳。氧之含有率，係70原子%以下，特別是66原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳，20原子%以上為再更佳。雖亦可含有過渡金屬或亦可不含有過渡金屬，但在含有過渡金屬的情況下，其含有率，係35原子%以下，特別是20原子%以下為較佳。在該情況下，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
在第3膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合且第4膜為加工輔助膜的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為20nm以上，特別是40nm以上且較佳為100nm以下，特別是70nm以下，第4膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且30nm以下，特別是15nm以下。又，以使相對於波長200nm以下之曝光光，特別是ArF準分子雷射(波長193nm)的相位移膜與第3膜與第4膜之合計的光學密度成為2以上，特別是2.5以上，尤其是3以上為較佳。
另一方面，在第3膜為加工輔助膜且第4膜為加工輔助膜的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且20nm以下，特別是10nm以下，第4膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且20nm以下，特別是10nm以下。
(作為第4膜之遮光膜及反射防止膜) 在第3膜為加工輔助膜的情況下，可設置遮光膜作為第4膜。又，作為第4膜，亦可組合設置遮光膜與反射防止膜。
第4膜之遮光膜及反射防止膜，係設成為蝕刻特性與第3膜不同的材料，例如對由被應用於蝕刻包含鉻的材料之氯系氣體(特別是含有氧的氯氣)所進行的乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，係設成為能以SF 6或CF 4等的氟系氣體進行乾蝕刻之包含矽的材料為較佳。
作為包含矽的材料，具體而言，係可列舉出矽單體、包含矽與氮及氧之一者或兩者的材料、包含矽與過渡金屬的材料、包含矽、氮及氧之一者或兩者與過渡金屬的材料等之矽化合物等，作為過渡金屬，係可列舉出鉬、鉭、鋯等。
在第4膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，遮光膜與反射防止膜，係矽化合物為較佳，矽化合物中之矽的含有率，係10原子%以上，特別是30原子%以上且未滿100原子%，特別是95原子%以下為較佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是40原子%以下，尤其是20原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。氧之含有率，係60原子%以下，特別是30原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為較佳。過渡金屬之含有率，係35原子%以下，特別是20原子%以下為較佳，1原子%以上為更佳。在該情況下，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
在第3膜為加工輔助膜且第4膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且20nm以下，特別是10nm以下，第4膜之膜厚，係較佳為20nm以上，特別是30nm以上且較佳為100nm以下，特別是70nm以下。又，以使相對於波長200nm以下之曝光光，特別是ArF準分子雷射(波長193nm)的相位移膜與第3膜與第4膜之合計的光學密度成為2以上，特別是2.5以上，尤其是3以上為較佳。
＜第5膜＞ 在本發明之相位移空白光罩的第4膜之上，係可設置由單層或複數層所構成的第5膜。第5膜，係通常被設成為與第4膜相鄰接。作為該第5膜，具體而言，係可列舉出第4膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能的加工輔助膜等。作為第5膜之材料，係包含鉻的材料為較適合。
(作為第5膜之加工輔助膜) 在第4膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合的情況下，作為第5膜，可設置第4膜之圖案形成中作為硬光罩而發揮功能的加工輔助膜(蝕刻光罩膜)。
該加工輔助膜，係設成為蝕刻特性與第4膜不同的材料，例如對由被應用於蝕刻包含矽的材料之氟系氣體所進行的乾蝕刻具有耐性之材料，具體而言，係設成為能以氯系氣體(特別是含有氧的氯氣)進行乾蝕刻之包含有鉻的材料為較佳。
作為包含鉻的材料，具體而言，係可列舉出鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等的鉻化合物等。
在第5膜為加工輔助膜的情況下，第5膜的鉻化合物中之鉻的含有率，係30原子%以上，特別是40原子%以上且未滿100原子%，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為較佳。氧之含有率，係60原子%以下，特別是40原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。氮之含有率，係50原子%以下，特別是40原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。碳之含有率，係20原子%以下，特別是10原子%以下為較佳，在必需調整蝕刻速度的情況下，係1原子%以上為更佳。在該情況下，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率，係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為較佳。
在第3膜為加工輔助膜且第4膜為遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合而第5膜為加工輔助膜的情況下，第3膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且20nm以下，特別是10nm以下，第4膜之膜厚，係較佳為20nm以上，特別是30nm以上且較佳為100nm以下，特別是70nm以下，第5膜之膜厚，係較佳為1nm以上，特別是2nm以上且30nm以下，特別是20nm以下。又，以使相對於波長200nm以下之曝光光，特別是ArF準分子雷射(波長193nm)的相位移膜與第3膜與第4膜與第5膜之合計的光學密度成為2以上，特別是2.5以上，尤其是3以上為較佳。
＜第3~5膜之成膜方法＞ 第3膜及第5膜之由包含鉻的材料所構成之膜，係可藉由反應性濺鍍來進行成膜，該反應性濺鍍，係使用鉻靶材、對鉻添加了選自氧、氮及碳之任1種或2種以上的靶材等，並使用「因應待成膜之膜的組成而對氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣等的稀有氣體適宜添加了選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等的反應性氣體」之濺鍍氣體。
另一方面，第4膜之由包含矽的材料所構成之膜，係可藉由反應性濺鍍來進行成膜，該反應性濺鍍，係使用矽靶材、氮化矽靶材、包含矽與氮化矽兩者的靶材、過渡金屬靶材、矽與過渡金屬的複合靶材等，並使用「因應待成膜之膜的組成而對氦氣、氖氣、氬氣、氪氣、氙氣等的稀有氣體適宜添加了選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等的反應性氣體」之濺鍍氣體。
＜相位移光罩之製造方法＞ 可藉由常用方法，從相位移空白光罩製造相位移光罩。本發明之相位移光罩，係可藉由包含有「使用相位移空白光罩，藉由氟系氣體來對相位移膜進行乾蝕刻」之工程的方法來製造。特別是，在使用具備第3膜的第2~第4態樣之相位移空白光罩的情況下，係可藉由包含有「藉由氟系氣體來對相位移膜進行乾蝕刻」之工程與「藉由氯系氣體來對第3膜進行乾蝕刻」之工程的方法來製造。以下，表示相位移光罩之製造方法的具體例。
(具體例1) 作為從第1態樣之相位移空白光罩製造相位移光罩的例子，係在將蝕刻保護膜及相位移膜以該順序形成於透明基板上的相位移空白光罩中，例如可藉由下述工程製造相位移光罩。
首先，在相位移空白光罩的相位移膜上形成電子束光阻膜，並在由電子束進行圖案描繪後，藉由預定的顯影操作獲得光阻圖案。其次，將所獲得的光阻圖案作為蝕刻光罩，可藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將光阻圖案轉印於相位移膜而獲得相位移膜的圖案，進而獲得相位移光罩。此時，因為蝕刻保護膜之存在，透明基板不會被使用了氟系氣體的乾蝕刻予以刻蝕。
(具體例2) 作為從第2態樣之相位移空白光罩製造相位移光罩的例子，係蝕刻保護膜、相位移膜及第3膜以該順序被形成於透明基板上，在第3膜為包含鉻的材料之膜的相位移空白光罩中，例如可藉由下述工程製造相位移光罩。
首先，在相位移空白光罩之第3膜上形成電子束光阻膜，並在由電子束進行圖案描繪後，藉由預定的顯影操作獲得光阻圖案。其次，將所獲得的光阻圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將光阻圖案轉印於第3膜而獲得第3膜的圖案。其次，將所獲得的第3膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將第3膜之圖案轉印於相位移膜而獲得相位移膜的圖案。此時，因為蝕刻保護膜之存在，透明基板不會被使用了氟系氣體的乾蝕刻予以刻蝕。其次，可藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，去除第3膜而獲得相位移光罩。此時，在未存在相位移膜之圖案的部分露出之蝕刻保護膜，係不會被使用了氯系氣體的乾蝕刻予以蝕刻。在此，在必需使第3膜之一部分殘留的情況下，係在將保護該部分的光阻圖案形成於第3膜之上後，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，去除未被光阻圖案保護之部分的第3膜。而且，可藉由常用方法來去除光阻圖案而獲得相位移光罩。
(具體例3) 作為從第3態樣之相位移空白光罩製造相位移光罩的例子，係蝕刻保護膜、相位移膜、第3膜及第4膜以該順序被形成於透明基板上，在第3膜為包含鉻的材料之遮光膜或包含鉻的材料之遮光膜與反射防止膜的組合且第4膜為包含矽的材料之加工輔助膜的相位移空白光罩中，例如可藉由下述工程製造相位移光罩。
首先，在相位移空白光罩的第4膜之上形成電子束光阻膜，並在由電子束進行圖案描繪後，藉由預定的顯影操作獲得光阻圖案。其次，將所獲得的光阻圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將光阻圖案轉印於第4膜而獲得第4膜的圖案。其次，將所獲得的第4膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將第4膜的圖案轉印於第3膜而獲得第3膜的圖案。其次，在去除光阻圖案後，將所獲得的第3膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將第3膜的圖案轉印於相位移膜而獲得相位移膜之圖案的同時，去除第4膜的圖案。此時，因為蝕刻保護膜之存在，透明基板不會被使用了氟系氣體的乾蝕刻予以刻蝕。其次，在將保護使第3膜殘留之部分的光阻圖案形成於第3膜之上後，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，去除未被光阻圖案保護之部分的第3膜。而且，可藉由常用方法來去除光阻圖案而獲得相位移光罩。
(具體例4) 作為從第3態樣之相位移空白光罩製造相位移光罩的其他例，係蝕刻保護膜、相位移膜、第3膜及第4膜以該順序被形成於透明基板上，在第3膜為包含鉻的材料之加工輔助膜且第4膜為包含矽的材料之遮光膜或包含矽的材料之遮光膜與反射防止膜的組合之相位移空白光罩中，例如可藉由下述工程製造相位移光罩。
首先，在相位移空白光罩的第4膜之上形成電子束光阻膜，並在由電子束進行圖案描繪後，藉由預定的顯影操作獲得光阻圖案。其次，將所獲得的光阻圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將光阻圖案轉印於第4膜而獲得第4膜的圖案。其次，將所獲得的第4膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將第4膜之圖案轉印於第3膜而獲得去除相位移膜的部分之第3膜被去除的第3膜之圖案。其次，在去除光阻圖案並將保護使第4膜殘留之部分的光阻圖案形成於第4膜之上後，將所獲得的第3膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將第3膜之圖案轉印於相位移膜而獲得相位移膜之圖案的同時，去除未被光阻圖案保護之部分的第4膜之圖案。此時，因為蝕刻保護膜之存在，透明基板不會被使用了氟系氣體的乾蝕刻予以刻蝕。其次，藉由常用方法來去除光阻圖案。而且，可藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將第4膜被去除之部分的第3膜去除而獲得相位移光罩。此時，在未存在相位移膜之圖案的部分露出之蝕刻保護膜，係不會被使用了氯系氣體的乾蝕刻予以蝕刻。
(具體例5) 作為從第4態樣之相位移空白光罩製造相位移光罩的例子，係蝕刻保護膜、相位移膜、第3膜、第4膜及第5膜以該順序被形成於透明基板上，在第3膜為包含鉻的材料之加工輔助膜且第4膜為包含矽的材料之遮光膜或包含矽的材料之遮光膜與反射防止膜的組合而第5膜為包含鉻的材料之加工輔助膜的相位移空白光罩中，例如可藉由下述工程製造相位移光罩。
首先，在相位移空白光罩的第5膜之上形成電子束光阻膜，並在由電子束進行圖案描繪後，藉由預定的顯影操作獲得光阻圖案。其次，將所獲得的光阻圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將光阻圖案轉印於第5膜而獲得第5膜的圖案。其次，將所獲得的第5膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將第5膜之圖案轉印於第4膜而獲得第4膜的圖案。其次，在去除光阻圖案並將保護使第4膜殘留之部分的光阻圖案形成於第5膜之上後，將所獲得的第4膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將第4膜之圖案轉印於第3膜而獲得第3膜之圖案的同時，去除未被光阻圖案保護之部分的第5膜。其次，將第3膜之圖案作為蝕刻光罩，藉由使用了氟系氣體的乾蝕刻，將第3膜之圖案轉印於相位移膜而獲得相位移膜之圖案的同時，去除未被光阻圖案保護之部分的第4膜之圖案。其次，藉由常用方法來去除光阻圖案。而且，可藉由使用了氯系氣體的乾蝕刻，將第4膜被去除之部分的第3膜與光阻圖案被去除之部分的第5膜去除而獲得相位移光罩。此時，在未存在相位移膜之圖案的部分露出之蝕刻保護膜，係不會被使用了氯系氣體的乾蝕刻予以蝕刻。
＜相位移光罩＞ 相位移光罩，係在透光性基板之上具備有遮罩圖案(光罩圖案)。本發明之相位移光罩，係具備有：透光性基板；蝕刻保護膜，被形成於透光性基板上，較佳為相接於透光性基板而形成；及相位移膜的圖案，相接於蝕刻保護膜而形成。相位移光罩，係亦可在相位移膜的圖案之上具備有第3膜(特別是，遮光膜或遮光膜與反射防止膜之組合)的圖案，更亦可具備有第4膜的圖案或第4膜的圖案及第5膜的圖案。
透光性基板、蝕刻保護膜、相位移膜、第3膜、第4膜及第5膜，係只要為與相位移空白光罩相同者即可。由於相位移光罩之無相位移膜的部分(相位移膜之圖案以外的部分)之蝕刻保護膜，係被曝露於在從相位移空白光罩製造相位移光罩時的乾蝕刻，因此，變得比被形成於相位移空白光罩者薄(例如，變薄10~50%左右)。在相位移光罩之無相位移膜的部分雖亦可不存在蝕刻保護膜，但在無相位移膜的部分亦形成(殘存)蝕刻保護膜為較佳。
本發明之相位移光罩，係在用於將半間距50nm以下，特別是30nm以下，尤其是20nm以下之圖案形成於被加工基板的光微影中，適合於「以ArF準分子雷射光(波長193nm)、F 2雷射光(波長157nm)等的波長250nm以下，特別是波長200nm以下之曝光光來將圖案轉印於已形成在被加工基板上之光阻膜」的曝光，特別是在曝光光為ArF準分子雷射光的情況下特別有效果。 [實施例]
以下，雖表示實施例及比較例而具體地說明本發明，但本發明並非被限制於下述的實施例。
[實施例1] 在濺鍍裝置之腔室內設置152mm平方、厚度6.35mm的6025石英基板，使用Hf靶材作為濺鍍靶材，並使用氬氣及氧氣作為濺鍍氣體，使由HfO所構成的蝕刻保護膜以2.0nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為95.3%(光學密度，係0.021)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0105。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Hf為36.2原子%，O為63.8原子%。在該情況下，Si相對於Hf與Si之合計的比率，係0原子%。
其次，在另一濺鍍裝置之腔室內設置使蝕刻保護膜成膜的石英基板，使用MoSi靶材及Si靶材作為濺鍍靶材，並使用氬氣、氧氣及氮氣作為濺鍍氣體，使由MoSiON所構成且對於波長193nm的光之相位差為177度而透過率為9%的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上。以XPS測定相位移膜之組成，其結果，Mo為6.8原子%，Si為38.3原子%，O為14.2原子%，N為40.7原子%。
其次，更在另一濺鍍裝置之腔室內設置使蝕刻保護膜及相位移膜成膜的石英基板，使用Cr靶材作為濺鍍靶材，並使用氬氣、氧氣及氮氣作為濺鍍氣體，使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。以XPS測定遮光膜之組成，其結果，Cr為45.7原子%，O為37.3原子%，N為17.0原子%。在該情況下，結合相位移膜與遮光膜的波長193nm之曝光光下的OD，係3.0。
在圖5所示之乾蝕刻裝置內設置所獲得的相位移空白光罩，針對相位移空白光罩之遮光膜、相位移膜及蝕刻保護膜的各者實施使用了氯系氣體的乾蝕刻(氯系乾蝕刻)、使用了氟系氣體的乾蝕刻(氟系乾蝕刻)，算出各個膜的蝕刻率。圖5，係表示乾蝕刻裝置之概略的圖，乾蝕刻裝置100，係具備有：腔室101；接地102；下部電極103；天線線圈104；及高頻電源RF1、RF2。在該情況下，被處理基板(相位移空白光罩)105被置放於下部電極103之上。
其結果，蝕刻保護膜(HfO膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.054[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為21。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.16[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為23。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.054nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0105)，藉由下述式(1)所算出的值為0.00049。
＜氯系乾蝕刻條件＞ RF1(RIE：反應式離子蝕刻)：CW(連續放電)700V RF2(ICP：感應耦合電漿)：CW(連續放電)400W 壓力：6mTorr Cl 2：185sccm O 2：55sccm He：9.25sccm
＜氟系乾蝕刻條件＞ RF1(RIE：反應式離子蝕刻)：CW(連續放電)54W RF2(ICP：感應耦合電漿)：CW(連續放電)325W 壓力：5mTorr SF 6：18sccm O 2：45sccm
[實施例2] 在濺鍍裝置之腔室內設置152mm平方、厚度6.35mm的6025石英基板，使用Hf靶材及Si靶材作為濺鍍靶材，並使用氬氣及氧氣作為濺鍍氣體，使由HfSiO所構成的蝕刻保護膜以7.3nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為96.2%(光學密度，係0.017)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0023。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Hf為13.2原子%，Si為21.4原子%，O為65.4原子%。在該情況下，Si相對於Hf與Si之合計的比率，係61.8原子%。
其次，以與實施例1相同之方法，使由MoSiON所構成的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上，更使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。
針對所獲得的相位移空白光罩，以與實施例1相同之方法，算出蝕刻率。其結果，蝕刻保護膜(HfSiO膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.22[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為5.2。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.16[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為23。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.22nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0023)，藉由上述式(1)所算出的值為0.00044。
[實施例3] 除了變更Hf靶材及Si靶材之施加電力以外，其他與實施例2相同地進行，且使由HfSiO所構成的蝕刻保護膜以21nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為89.3%(光學密度，係0.049)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0023。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Hf為3.4原子%，Si為30.8原子%，O為65.8原子%。在該情況下，Si相對於Hf與Si之合計的比率，係90.1原子%。
其次，以與實施例1相同之方法，使由MoSiON所構成的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上，更使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。
針對所獲得的相位移空白光罩，以與實施例1相同之方法，算出蝕刻率。其結果，蝕刻保護膜(HfSiO膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.64[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.8。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.18[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為20。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.64nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0023)，藉由上述式(1)所算出的值為0.00128。
[實施例4] 除了變更Hf靶材及Si靶材之施加電力以外，其他與實施例2相同地進行，且使由HfSiO所構成的蝕刻保護膜以24nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為88.6%(光學密度，係0.053)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0022。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Hf為2.0原子%，Si為32.1原子%，O為65.9原子%。在該情況下，Si相對於Hf與Si之合計的比率，係94.1原子%。
其次，以與實施例1相同之方法，使由MoSiON所構成的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上，更使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。
針對所獲得的相位移空白光罩，以與實施例1相同之方法，算出蝕刻率。其結果，蝕刻保護膜(HfSiO膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.73[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.6。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.18[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為20。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.73nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0022)，藉由上述式(1)所算出的值為0.00140。
[實施例5] 除了變更Hf靶材及Si靶材之施加電力以外，其他與實施例2相同地進行，且使由HfSiO所構成的蝕刻保護膜以25nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為88.0%(光學密度，係0.056)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0022。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Hf為0.6原子%，Si為33.4原子%，O為66.0原子%。在該情況下，Si相對於Hf與Si之合計的比率，係98.2原子%。
其次，以與實施例1相同之方法，使由MoSiON所構成的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上，更使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。
針對所獲得的相位移空白光罩，以與實施例1相同之方法，算出蝕刻率。其結果，蝕刻保護膜(HfSiO膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.76[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.51。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.19[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為19。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.76nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0022)，藉由上述式(1)所算出的值為0.00145。
[比較例1] 在濺鍍裝置之腔室內設置152mm平方、厚度6.35mm的6025石英基板，使用Cr靶材及Si靶材作為濺鍍靶材，並使用氬氣、氧氣及氮氣作為濺鍍氣體，使由CrSiON所構成的蝕刻保護膜以3.4nm之膜厚成膜於石英基板上。在使蝕刻保護膜成膜於石英基板上的狀態下，測定對於波長193nm的光之透過率(「透過透光性基板及蝕刻保護膜之曝光光相對於透過透光性基板之曝光光」的比例)，其結果為79.6%(光學密度，係0.099)。另一方面，蝕刻保護膜本身之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs)，係0.0291。又，以XPS測定蝕刻保護膜之組成，其結果，Cr為43原子%，Si為7原子%，O為20原子%，N為30原子%。
其次，以與實施例1相同之方法，使由MoSiON所構成的相位移膜以75nm之膜厚成膜於蝕刻保護膜上，更使由CrON所構成的遮光膜以48nm之膜厚成膜於相位移膜上而獲得相位移空白光罩。
針對所獲得的相位移空白光罩，以與實施例1相同之方法，算出蝕刻率。其結果，蝕刻保護膜(CrSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rep)，係0.10[nm/sec]，相位移膜(MoSiON膜)在由氟系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率(Rps)，係1.15[nm/sec]，相位移膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為12。又，蝕刻保護膜在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係0.16[nm/sec]，遮光膜(CrON膜)在由氯系氣體所進行的乾蝕刻中之蝕刻率，係3.61[nm/sec]，遮光膜相對於蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為23。
又，從相位移膜之蝕刻率(Rps=1.15nm/sec)、蝕刻保護膜之蝕刻率(Rep=0.10nm/sec)及蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度(ODs=0.0291)，藉由上述式(1)所算出的值為0.0025。
1:相位移空白光罩 10:透光性基板 11:蝕刻保護膜 12:相位移膜 13:第3膜 14:第4膜 15:第5膜 100:乾蝕刻裝置 101:腔室 102:接地 103:下部電極 104:天線線圈 105:被處理基板(相位移空白光罩) RF1,RF2:高頻電源
[圖1]表示本發明之相位移空白光罩的第1態樣之一例的剖面圖。 [圖2]表示本發明之相位移空白光罩的第2態樣之一例的剖面圖。 [圖3]表示本發明之相位移空白光罩的第3態樣之一例的剖面圖。 [圖4]表示本發明之相位移空白光罩的第4態樣之一例的剖面圖。 [圖5]表示在實施例及比較例中所使用之蝕刻裝置的概略圖。
1:相位移空白光罩
10:透光性基板
11:蝕刻保護膜
12:相位移膜
13:第3膜

Claims (20)

  1. 一種相位移空白光罩，係具備有透光性基板、被形成於該透光性基板上的蝕刻保護膜及相接於該蝕刻保護膜而形成的相位移膜，並以ArF準分子雷射光作為曝光光，該相位移空白光罩，其特徵係，上述蝕刻保護膜由僅以鉿及氧構成的材料或含有鉿、矽及氧的材料所構成，上述蝕刻保護膜之膜厚為1~30nm，且上述蝕刻保護膜之相對於上述曝光光的透過率為85%以上，上述相位移膜由含有矽而不含有鉿的材料所構成，且膜厚為50~90nm，上述蝕刻保護膜之含有鉿、矽及氧的材料所含有的矽相對於鉿及矽之合計的比率為0.1~99原子%，在氟系氣體中蝕刻特性與上述相位移膜不同。
  2. 如請求項1之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下，ODs×Rep/Rps (1)。
  3. 如請求項1之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分 別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下，ODs×Rep/Rps (1)。
  4. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中，上述透光性基板為石英基板。
  5. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜相接於上述透光性基板而形成。
  6. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中，上述蝕刻保護膜之僅以鉿及氧構成的材料或含有鉿、矽及氧的材料中，所含有的氧之含有率為60原子%以上。
  7. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中，在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，上述相位移膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.5以上。
  8. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中，上述相位移膜之相對於上述曝光光的相位差為150~210度。
  9. 如請求項1~3中任一項之相位移空白光罩，其中， 在上述相位移膜上更具備有由含有鉻之材料所構成的第3膜，在同一條件之由氯系氣體所進行的乾蝕刻中，上述第3膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為10以上。
  10. 一種相位移光罩之製造方法，係使用如請求項1~8中任一項之相位移空白光罩來製造相位移光罩的方法，該相位移光罩之製造方法，其特徵係，包含有：藉由氟系氣體來對上述相位移膜進行乾蝕刻的工程。
  11. 一種相位移光罩之製造方法，係使用如請求項9之相位移空白光罩來製造相位移光罩的方法，該相位移光罩之製造方法，其特徵係，包含有：藉由氟系氣體來對上述相位移膜進行乾蝕刻的工程；及藉由氯系氣體來對上述第3膜進行乾蝕刻的工程。
  12. 一種相位移光罩，係具備有透光性基板、被形成於該透光性基板上的蝕刻保護膜及相接於該蝕刻保護膜而形成之相位移膜的圖案，並以ArF準分子雷射光作為曝光光，該相位移光罩，其特徵係，上述蝕刻保護膜由僅以鉿及氧構成的材料或含有鉿、矽及氧的材料所構成，上述透光性基板與上述蝕刻保護膜之上述相位移膜的圖案之間的膜厚為1~30nm，且上述蝕刻保護膜之相對於上述曝光光的透過率為85%以上，上述相位移膜的圖案由含有矽而不含有鉿的材料所構成，且膜厚為50~90nm，上述蝕刻保護膜之含有鉿、矽及氧的材料所含有的矽 相對於鉿及矽之合計的比率為0.1~99原子%，在氟系氣體中蝕刻特性與上述相位移膜不同。
  13. 如請求項12之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下，ODs×Rep/Rps (1)。
  14. 如請求項12之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜及相位移膜在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，將相位移膜及蝕刻保護膜之蝕刻率分別設成為Rps[nm/sec]及Rep[nm/sec]並將蝕刻保護膜之相對於每1nm厚度的曝光光之光學密度設成為ODs時，藉由下述式(1)所算出的值為0.002以下，ODs×Rep/Rps (1)。
  15. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中，上述透光性基板為石英基板。
  16. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中，上述蝕刻保護膜相接於上述透光性基板而形成。
  17. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中， 上述蝕刻保護膜之僅以鉿及氧構成的材料或含有鉿、矽及氧的材料中，所含有的氧之含有率為60原子%以上。
  18. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中，在同一條件之由氟系氣體所進行的乾蝕刻中，上述相位移膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為1.5以上。
  19. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中，上述相位移膜之相對於上述曝光光的相位差為150~210度。
  20. 如請求項12~14中任一項之相位移光罩，其中，在上述相位移膜上更具備有由含有鉻之材料所構成的第3膜之圖案，在同一條件之由氯系氣體所進行的乾蝕刻中，上述第3膜相對於上述蝕刻保護膜之蝕刻選擇比為10以上。
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