[go: up one dir, main page]

TWI872101B - Cmp溫度控制的裝置及方法 - Google Patents

Cmp溫度控制的裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI872101B
TWI872101B TW109126617A TW109126617A TWI872101B TW I872101 B TWI872101 B TW I872101B TW 109126617 A TW109126617 A TW 109126617A TW 109126617 A TW109126617 A TW 109126617A TW I872101 B TWI872101 B TW I872101B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
gas
nozzle
source
polishing pad
Prior art date
Application number
TW109126617A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202129731A (zh
Inventor
吳昊晟
張壽松
卓志忠
建設 唐
輝 陳
海力 桑達拉拉珍
布萊恩Ｊ 布朗
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202129731A publication Critical patent/TW202129731A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI872101B publication Critical patent/TWI872101B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/015—Temperature control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H10P52/403—
    • H10P72/0602—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

一種化學機械研磨系統包括：一托板，其支撐具有一研磨表面的一研磨墊；一導管，其具有要聯接至一氣體源的入口；以及，一分配器，其聯接至導管，並且具有懸浮在托板上方的一斂散噴嘴，以將該氣體源中的氣體導引到研磨墊的研磨表面上。

Description

CMP溫度控制的裝置及方法
本案關於化學機械研磨（CMP），並且更具體地關於化學機械研磨期間的溫度控制。
通常透過在半導體晶片上順序沉積導電的、半導的、或絕緣層而在基板上形成積體電路。各種製造過程需要平坦化基板上的層。例如，一製造步驟，關於在非平面表面上沉積填充劑層並使該填充劑層平坦化。對於某些應用，將填充劑層平坦化，直到暴露出圖案化層的頂面。例如，可以在圖案化的絕緣層上沉積金屬層以填充絕緣層中的溝槽與孔。在平坦化之後，在圖案化層的溝槽與孔中的金屬的剩餘部分形成通孔、插塞、及線，以在基板上的薄膜電路之間提供導電路徑。作為另一個示例性，可以在圖案化的導電層上沉積介電層，然後將其平坦化以實現後續的光刻步驟。
化學機械研磨（CMP）是一種可接受的平面化方法。這種平面化方法通常需要將基板安裝在承載頭上。基板的暴露表面通常抵靠一旋轉研磨墊放置。承載頭在基板上提供可控制的負載，以將其推向研磨墊。通常將具有磨料顆粒的研磨漿料供應至研磨墊的表面。
在一個態樣，一種化學機械研磨系統包括：一托板，其支撐具有一研磨表面的一研磨墊；一導管，其具有要聯接至一氣體源的入口；以及，一分配器，其聯接至該導管，並且具有懸浮在該托板上方的一斂散噴嘴，以將該氣體源中的氣體導引到該研磨墊的該研磨表面上。
以上任一態樣的實施方式可以包括以下一或多個特徵。
氣體可以是空氣、氮氣、二氧化碳、氬氣、蒸發的乙醇、及/或蒸發的異丙醇。
一控制器可以被配置成在研磨操作的一選定步驟期間，使氣體源耦合，並且使氣體源將氣體透過該斂散噴嘴輸送到該研磨表面上。該控制器可以被配置成經耦合以使得該氣體源以每分鐘0至1000升的速率將氣體輸送到該斂散噴嘴中。
一注射器可具有聯接到液體源的一入口，及一出口以將液體從液體源輸送到斂散噴嘴中。液體可以是水、乙醇、及/或異丙醇。控制器可以聯接至液體源，該控制器可經配置以在研磨操作的選定步驟期間，使液體源將液體輸送至斂散噴嘴中。耦合到液體源的控制器可經配置以每分鐘0到300毫升的速率將液體輸送到斂散噴嘴中。耦合到氣體源的控制器，可經配置以使得通過斂散噴嘴的氣體流速為使得氣體被充分冷卻，以導致液體凍結的速度。
與氣體源聯接的控制器可經配置以使得通過該斂散噴嘴的氣體流速為使得冷卻劑氣體從高於20℃的一初始溫度冷卻至低於20ºC。控制器可經配置以使得通過斂散噴嘴的氣體流速為使得冷卻劑氣體冷卻至低於0ºC。控制器可經配置以使得通過該斂散噴嘴的氣體流速為使得冷卻劑氣體氣體冷卻至-70至-50ºC。
在另一態樣，一種用於化學機械研磨系統的溫度控制的方法包括：將氣體從氣體源輸送到斂散噴嘴；藉由使氣體流過斂散噴嘴來冷卻氣體；以及將冷卻的氣體導引至研磨墊。
以上任一態樣的實施方式可以包括以下一或多個特徵。
氣體可透過冷卻空氣，透過液態氮的蒸發，透過液態乙醇的蒸發，透過液體異丙醇的蒸發，及/或透過乾冰的昇華而形成。
氣體可以以每分鐘0到1000升的流速進入斂散噴嘴。
可以將液體注入到斂散噴嘴中。液體可以是水、乙醇、及/或異丙醇。可以將液體以每分鐘0到300毫升的流速注入到斂散噴嘴中。可以將液體透過暴露於冷卻的氣體而冷凍成固體顆粒。
可以將氣體從高於20ºC的初始溫度冷卻到低於20ºC。冷卻的氣體可以在低於0ºC的溫度下分配到研磨墊上。冷卻的氣體可以在-70到-50ºC之間的溫度下分配到研磨墊上。
可實現以下一種或多種可能的優點。
可快速有效地控制研磨墊的溫度。無需使研磨墊與諸如熱交換板的固體接觸，而可控制研磨墊的溫度，從而降低了污染研磨墊及產生缺陷的風險。可減少研磨操作中的溫度變化。這可以提高研磨過程的研磨可預測性。從一研磨操作到另一研磨操作的溫度變化可減小。這可以改善晶片間的均勻性，並改善研磨製程的可重複性。可以減小整個基板上的溫度變化。這可以改善晶片內均勻性。
特別地，可以快速且有效地降低研磨墊的溫度。例如，可以在研磨操作中的金屬清除、過度研磨、或修整步驟中的一或多個步驟中，降低研磨墊表面的溫度。這可以減少凹陷與腐蝕，及/或提高墊粗糙度的均勻性，從而改善研磨均勻性，並延長墊的壽命。
一種或多種實施方式的細節將在附圖及以下詳細說明中闡述。從詳細說明、附圖、及申請專利範圍可知，其他態樣、特徵、及優點將是顯而易見的。
化學機械研磨是透過在基板、研磨液、及研磨墊之間的界面處，進行機械磨蝕與化學蝕刻的組合來進行的。在研磨過程中，由於基板表面與研磨墊之間的摩擦而產生大量的熱量。另外，一些製程還包括現場墊修整步驟，在該步驟中將修整盤（例如，塗覆有研磨料金剛石顆粒的盤）壓靠在旋轉的研磨墊上，以修整並紋理化研磨墊表面。修整過程的研磨也會產生熱量。例如，在典型的一分鐘銅CMP製程中，名義下壓力為2 psi且去除速率為8000Å/min，聚氨酯研磨墊的表面溫度可能會升高約30℃。
CMP製程中與化學有關的變量（例如，反應開始及參與反應的速率）與機械有關的變量（例如，研磨墊的表面摩擦係數和黏彈性）兩者都與溫度密切相關。因此，研磨墊的表面溫度的變化會導致移除速率、研磨均勻性、腐蝕、凹陷、及殘留物的變化。透過在研磨過程中更嚴格地控制研磨墊的表面溫度，可以減少溫度變化，並且可以例如透過測量晶片內不均勻性或晶片間不均勻性來改善研磨效能。
可以解決這些問題的技術是使用一種噴嘴，其將冷卻劑氣體藉由斂散（CD）噴嘴導引至研磨墊上。可以將懸浮的水滴添加到CD噴嘴中。可以冷卻水以形成冰滴，由於冰滴融合的潛熱，冰滴可以有效地冷卻研磨墊。
圖1與圖2示出了化學機械研磨系統的示例研磨站20。研磨站20包括可旋轉的盤形托板24，研磨墊30位於盤形托板24上。托板24可操作以繞軸25旋轉（參見圖2中的箭頭A）。例如，馬達22可以轉動驅動軸28以旋轉托板24。研磨墊30可以是具有外研磨層34及較軟背襯層32的兩層研磨墊。
研磨站20可包括例如在漿料供應臂39的末端處的一供應埠，以將諸如研磨漿料的研磨液體38分配到研磨墊30上。研磨站20可以包括具有修整盤92（參見圖2）的一墊修整器設備91，以保持研磨墊30的表面粗糙度。修整盤92可設置在臂94的末端，該臂94可擺動以徑向地將盤92掃過研磨墊30（見圖2中的箭頭B）。
承載頭70可操作以將基板10保持抵靠研磨墊30。承載頭70係懸掛在例如旋轉盤或軌道的支撐結構72上，並藉由驅動軸74連接至承載頭旋轉馬達76，使得該承載頭可繞軸71旋轉（參見圖2中的箭頭C）。可選地，承載頭70可以例如透過沿著軌道的運動或者透過旋轉的傳送帶本身的旋轉，而在例如旋轉盤上的滑動器上橫向振動（參見圖2中的箭頭D）。
承載頭70可以包括保持環84以保持基板。在一些實施方式中，保持環84可以包括與研磨墊接觸的下部塑膠部分86及較硬材料的上部88。
在操作中，該托板繞其中心軸25旋轉，而該承載頭繞其中心軸71旋轉，並在研磨墊30的頂表面上橫向平移。
承載頭70可包括彈性膜80，其具有與基板10的背側接觸的一基板安裝表面，以及複數個可加壓室82，以將不同的壓力施加到基板10上的不同區域（例如不同的徑向區域）。承載頭還可包括保持環84以保持基板。
在一些實施方式中，研磨站20包括溫度偵測器64，以監測該研磨站或該研磨站中的部件的溫度，例如，研磨墊及/或研磨墊上的漿料的溫度。例如，溫度偵測器64可以是紅外（IR）偵測器，例如IR相機，其定位在研磨墊30上方並且係配置以測量研磨墊30及/或研磨墊上的漿料38的溫度。特別地，溫度偵測器64可經配置以沿著研磨墊30的半徑在多個點處測量溫度，以產生徑向溫度分佈。例如，IR相機可以具有跨過研磨墊30的半徑的視野。
在一些實施方式中，溫度偵測器是接觸偵測器而不是非接觸偵測器。例如，溫度偵測器64可以是定位在托板24之上或之中的熱電偶或IR溫度計。另外，溫度偵測器64可以與研磨墊直接接觸。
在一些實施方式中，多個溫度偵測器可以在研磨墊30上的不同徑向位置處間隔開，以便在沿著研磨墊30的半徑的多個點處提供溫度。此技術可以替代的方式或附加的方式使用IR相機。
儘管在圖1中示出，為監測研磨墊30及/或研磨墊30上的漿料38的溫度而設置溫度偵測器64，溫度偵測器64可設置在承載頭70內部以測量基板10的溫度。溫度偵測器64可以與基板10的半導體晶片直接接觸（亦即，一接觸偵測器）。在一些實施方式中，多個溫度偵測器被包括在研磨站22中，例如以測量該研磨站的或該研磨站中的不同部件的溫度。
研磨系統20還包括溫度控制系統100，以控制研磨墊30及/或研磨墊上的漿料38的溫度。溫度控制系統100可以包括冷卻系統102及/或加熱系統104。冷卻系統102與加熱系統104中的至少一個，並且在一些實施方式中的兩者，透過操作以將溫度控制介質（例如液體、蒸氣或噴霧）輸送到研磨墊30的研磨表面36上，或輸送到已在研磨墊上具有研磨液的研磨墊30上。
對於加熱系統104，加熱介質可以是氣體，例如蒸氣或加熱的空氣，或液體，例如加熱的水，或氣體和液體的組合。該介質係高於室溫，例如在40至120ºC，例如90至110ºC。介質可以是水，例如基本上純的去離子水，或包含添加劑或化學藥品的水。在一些實施方式中，加熱系統104使用蒸氣噴霧。蒸氣可以包括添加劑或化學物質。
加熱介質可以透過流過加熱輸送臂上的開孔（例如，由一或多個噴嘴提供的孔或狹槽）來輸送。該些開孔可由連接到加熱介質源的歧管來提供。
示例性加熱系統104包括臂140，臂140在托板24和研磨墊30上從研磨墊的邊緣延伸到或至少接近(例如，在研磨墊的總半徑的5%以內)研磨墊30的中心。臂140可以由基座142支撐，並且基座142可以與托板24被支撐在同一框架40上。基座142可包括一或多個致動器，例如，一線性致動器以升高或降低臂140，及/或一旋轉致動器以使臂140在托板24上橫向擺動。臂140的位置避免與其他硬體部件碰撞，例如承載頭70、研磨墊修整盤92、及漿料供應臂39。
沿著托板24的旋轉方向，加熱系統104的臂140可設置於冷卻系統102的臂110與承載頭70之間。沿著托板24的方向旋轉，加熱系統104的臂140可設置於冷卻系統102的臂110與漿料供應臂39之間。例如，冷卻系統102的臂110，加熱系統104的臂140，漿料供應臂39，及承載頭70可以沿著托板24的旋轉方向依次設置。
多個開口144形成在臂140的底表面中。每個開口144係配置以將氣體或蒸氣(例如蒸氣)導引到研磨墊30上。臂140可以由基部142支撐，使得開口144與研磨墊30隔開一間隙。間隙可以為0.5至5mm。特別地，間隙可經選擇以使得加熱流體的熱量在流體到達研磨墊之前不會顯著消散。例如，間隙可經選擇以使得從開口排放的蒸氣在到達研磨墊之前不會冷凝。
加熱系統104可以包括蒸氣源146，該蒸氣源可以藉由管道連接到臂140。每個開口144可經配置以將蒸氣導引向研磨墊30。
在一些實施方式中，可以針對每個噴嘴獨立地控制製程參數，例如流量、壓力、溫度、及/或液體與氣體的混合比。例如，用於每個開口144的流體可以流過獨立可控制的加熱器，以獨立地控制加熱流體的溫度，例如蒸氣的溫度。
各種開口144可以將蒸氣導引到研磨墊30上的不同徑向區域上。相鄰的徑向區域可以重疊。可選地，一些開口144可經定向以使得來自該開口的噴霧的中心軸線相對於研磨表面36成一傾斜角。可以從一或多個開口144導引蒸氣，以使蒸氣具有一水平分量，該水平分量在由托板24的旋轉所引起的衝擊區域中，在與研磨墊30的運動方向相反的方向上。
儘管圖2示出了以均勻間隔隔開的開口144，這不是必需的。噴嘴120可以在徑向、或角度上、或兩者上不均勻地分佈。例如，開口144可以朝研磨墊30的中心更密集地聚集。作為另一示例性，開口144可以在與漿料供應臂39將研磨液38輸送到研磨墊30的半徑相對應的半徑處更密集地聚集。另外，儘管圖2示出了九個開口，但是可以存在更多或更少數量的開口。
研磨系統20還可包括高壓沖洗系統106。高壓沖洗系統106包括複數個噴嘴154，例如三至二十個噴嘴，其 將高強度的清潔液(例如水)導引到研磨墊30上以清洗研磨墊30並去除用過的漿料、研磨碎屑等。
如圖2所示，示例性沖洗系統106包括臂150，臂150從研磨墊的邊緣延伸到托板24與研磨墊30上方，或者至少接近(例如，在研磨墊的總半徑的5%以內)研磨墊30的中心。臂150可以由基座152支撐，並且基座152可以與托板24被支撐在同一框架40上。基座152可包括一或多個致動器，例如，用於升高或降低臂150的線性致動器，及/或用於使臂150在托板24上橫向擺動的旋轉致動器。臂150的位置避免與其他硬體部件碰撞，例如承載頭70、研磨墊修整盤92、及漿料供應臂39。
沿著托板24的旋轉方向，沖洗系統106的臂150可以在冷卻系統102的臂110與加熱系統104的臂140之間。例如，冷卻系統102的臂110、沖洗系統106的臂150、加熱系統104的臂140、漿料供應臂39、及承載頭70，可以沿著托板24旋轉方向依序設置。可替代地，沿著托板24的旋轉方向，冷卻系統102的臂110可以在沖洗系統106的臂150與加熱系統104的臂140之間。例如，沖洗系統106的臂150、冷卻系統102的臂110、加熱系統104的臂140、漿料供應臂39、及承載頭70，可以沿著托板24旋轉方向依序設置。
多個噴嘴154懸掛在臂150上。每個噴嘴154係配置以將高壓清潔液噴射到研磨墊30上。臂150可以由基座152支撐，使得噴嘴120與研磨墊30隔開一間隙。沖洗系 統106可以包括清潔流體源156，該清潔流體源156可以藉由管道連接至臂150。
不同噴嘴154可以噴射到研磨墊30上的不同徑向區域上。相鄰的徑向區域可以重疊。在一些實施方式中，噴嘴154經定向以使得清潔液在研磨墊上的衝擊區域不重疊。例如，至少一些噴嘴154可經定位及定向，使得衝擊區域係成角度地分離。
至少一些噴嘴154可經定向以使得來自該噴嘴的噴霧的中心軸線相對於研磨表面36成一傾斜角。特別地，清潔流體可以從每個噴嘴154以徑向向外(朝向研磨墊的邊緣)的水平分量噴射。這會導致清潔流體更快地從研磨墊30上脫落下來，並在研磨墊30上留下更薄的流體區域。這可以在加熱及/或冷卻介質與研磨墊30之間熱耦合。
儘管圖2示出了噴嘴154以均勻間隔隔開，這不是必需的。另外，儘管圖1與圖2示出了九個噴嘴，可以有更多或更少數量的噴嘴，例如三至二十個噴嘴。
在一些實施方式中，研磨系統20包括刮水片或主體170，以將研磨液38均勻地分佈在研磨墊30上。沿著托板24的旋轉方向，刮水片170可以位於漿料供應臂39與承載頭70之間。
圖2示出了用於每個子系統(例如，加熱系統104、冷卻系統102、及沖洗系統106)的單獨的臂，但是各種子系統可以被包括在由共用臂支撐的單個組件中。例如，組件可以包括冷卻模組、沖洗模組、加熱模組、漿料輸送模組、以及可選地擦拭器模組。每個模組可以包括一主體，例如一弓形主體，其可以固定到共用安裝板上，並且該共用安裝板可以固定在一臂的末端，使得該組件位於研磨墊30上方。不同的流體輸送部件，例如管道、通道等，可以在每個主體內部延伸。在一些實施方式中，該些模組可與該安裝板分開地拆卸。每個模組可以具有類似的部件，以執行上述相關的系統的臂的功能。
對於冷卻系統102，冷卻介質可以是氣體，例如空氣，及/或液體，例如水。冷卻介質的氣態成分（如果存在）可以是空氣或對研磨過程呈惰性的其他氣體，例如氮氣、二氧化碳、氬氣、或其他稀有氣體，或其混合物。冷卻介質的液體成分（如果存在）可以是水或另一種液體，例如乙醇、或異丙醇，或其混合物。液體成分對研磨過程可能是惰性的。介質可以處於室溫，也可以冷卻至室溫以下，即低於20ºC。例如，介質的溫度可以為5至15ºC。在一些實施方式中，介質處於或低於0℃。
在一些實施方式中，介質是基本上純淨的氣體。在一些實施方式中，冷卻介質是氣體與液體的噴霧，例如一液體的霧化噴霧，如在一氣體載體（如空氣）中的水。在一些實施方式中，冷卻系統可具有噴嘴，該噴嘴產生水的霧化噴霧，其被冷卻至低於室溫。
在一些實施方式中，冷卻劑介質包括與氣體及/或液體混合的固體材料的顆粒。固體材料可以是冷卻的材料，例如冰、乾冰、或冷凍的乙醇或異丙醇。在一些實施方式中，冷卻介質是氣體(如空氣)與固體顆粒(例如冰顆粒)的噴霧，但是基本上不是液相的。固體材料也可以是當溶於水時透過化學反應吸收熱量的材料。
可藉由流過在冷卻劑輸送臂中的一或多個可選地形成在噴嘴中的開孔，例如孔或狹槽，來輸送冷卻介質。該些開孔可以由連接到一冷卻劑源的一歧管所提供。
如圖1與圖2所示，示例性冷卻系統102包括臂110，臂110在托板24和研磨墊30上從研磨墊的邊緣延伸到或至少接近(例如，在研磨墊的總半徑的5%以內)研磨墊30的中心。臂110可以由基座112支撐，並且基座112可以與托板24被支撐在同一框架40上。基座112可包括一或多個致動器，例如，用於升高或降低臂110的一線性致動器，及/或用於使臂110在托板24上橫向擺動的一旋轉致動器。臂110被定位成避免與其他硬體部件碰撞，例如承載頭70、墊修整盤92、及漿料供應臂39。
示例性冷卻系統102包括從臂110懸掛的多個噴嘴120。每個噴嘴120係配置以將液體冷卻劑介質(例如水)噴射到研磨墊30上。臂110可以由基座112支撐，使得噴嘴120藉由間隙126與研磨墊30分開。
每個噴嘴120可經配置以開始及停止(例如使用控制器12)藉由每個噴嘴120的流體流動。每個噴嘴120可經配置以將噴霧122中的霧化水導引向研磨墊30。冷卻系統102可以包括液體冷卻劑介質源130及氣體冷卻劑介質源132(見圖2)。來自源130的液體及來自源132的氣體，可以在被導引通過噴嘴120以形成噴霧122之前，在例如臂110內或臂110上的混合室134（見圖1）中混合。
在一些實施方式中，可以針對每個噴嘴獨立地控制（例如，透過控制器12）製程參數，例如流量、壓力、溫度、及/或液體與氣體的混合比。例如，用於每個噴嘴120的冷卻劑，可以流過獨立可控制的冷卻器以獨立地控制噴霧的溫度。作為另一示例性，可以將一對分離的泵（用於氣體的泵和用於液體的泵）連接到每個噴嘴，使得可以針對每個噴嘴獨立地控制氣體與液體的流速、壓力、及混合比。
各種噴嘴可以噴射到研磨墊30上的不同徑向區域124上。相鄰的徑向區域124可以重疊。在一些實施方式中，噴嘴120產生噴霧，噴霧沿著細長區域128衝擊研磨墊30。例如，噴嘴可經配置以大致上平面的三角形體積產生噴霧。
一或多個細長區域128，例如所有細長區域128，可具有一縱軸，其平行於延伸通過該些區域128的半徑（參見區域128a）。可替代地，噴嘴120產生一錐形噴霧。
儘管圖1示出了噴霧本身重疊，但是噴嘴120可經定向以使得細長區域不重疊。例如，至少一些噴嘴120，例如所有噴嘴120，可經定向以使得細長區域128相對於穿過細長區域（參見區域128b）的半徑成一傾斜角。
至少一些噴嘴120可經定向以使得來自該噴嘴的噴霧的中心軸線（參見箭頭A）相對於研磨表面36成一傾斜角。尤其，噴霧122可被導引從噴嘴120而具有一水平分量，該水平分量在由托板24的旋轉所引起的衝擊區域中，在與研磨墊30的運動方向相反的方向上（參見箭頭A）。
儘管圖1與圖2示出了噴嘴120以均勻間隔隔開，這不是必需的。噴嘴120可以在徑向、或角度上、或兩者上不均勻地分佈。例如，噴嘴120可沿徑向朝向研磨墊30的邊緣更密集地聚集。另外，儘管圖1與圖2示出了九個噴嘴，但是可以存在更多或更少數量的噴嘴，例如三至二十個噴嘴。
冷卻系統102可用於降低研磨表面36的溫度。例如，研磨表面36的溫度，可以使用來自液體冷卻劑130的液體經由噴霧122及/或來自氣體冷卻劑132的氣體經由噴霧122來降低。在一些實施例中，研磨表面36的溫度可以降低到等於或低於20℃。在一或多個金屬清除或過度研磨的製程中的較低的溫度，可以透過減少研磨液體38的選擇性，而減少在CMP期間的軟金屬的凹陷及腐蝕的步驟。
CMP期間的較低的溫度可用於減少腐蝕。例如，在金屬清除、過度研磨、或修整步驟中的一或多個步驟的期間的較低的溫度，可以減少各種部件中的電偶腐蝕，因為電偶反應會是隨溫度改變的。另外，在CMP期間，可以在研磨過程中使用惰性氣體。尤其，可以使用缺少氧氣（或比正常大氣中的氧氣要少的氧氣）的氣體，來產生局部惰性環境，從而減少局部惰性環境中的氧氣，從而減少腐蝕。這種氣體的例子，包括氮氣和二氧化碳，例如從液態氮或乾冰中蒸發的氣體。
降低研磨表面36的溫度，例如用於修整步驟，可以增加研磨墊30的儲存模數，並降低研磨墊30的黏彈性。增大的儲存模數及降低的黏彈性，伴隨著在墊修整盤92上的較低的下壓力，及/或墊修整盤92提供的較弱的修整，可導致更均勻的墊粗糙度。均勻的墊粗糙度的優點是減少在隨後的研磨操作期間在基板10上的刮擦，以及增加研磨墊30的壽命。
參考圖3，每個噴嘴120可以是一斂散（CD）噴嘴。斂散（CD）噴嘴也可以描述為第拉瓦噴嘴（de Laval nozzle）或超音速噴嘴。每個噴嘴120具有一收斂部分202（例如，一輸入埠），在該處，氣體（例如，來自氣體源132的氣體）以次音速速率進入噴嘴120。泵222可以導引氣體從氣體源132穿過分配器220進入CD噴嘴120。例如，進入收斂部分202的氣體可以在室溫下，例如20~30℃，或者低於室溫，並且可以以每分鐘0至1000升的速率進入每個噴嘴，例如每分鐘500升的速率進入每個噴嘴。氣體從收斂部分202進入一節流點或喉部204，在該處，噴嘴120的橫截面面積為最小。氣體的速度，隨著氣體從收斂部分202流過喉部204並到達發散部分206（例如，輸出埠）而增加。喉部204導致流過喉部204的氣體的速度增加，因此當氣體進入並離開發散部分206時，氣體的速度係增加至超音速。例如，離開發散部分206的氣體可以處於低於室溫的溫度，例如，-100到20℃、-90到0℃、-80到-25℃、或-70到-50℃。
冷卻系統102中使用的氣體可包括例如空氣、氮氣、二氧化碳、氬氣、或蒸發氣體，例如氣態乙醇或異丙醇。即使在將氣體輸送到CD噴嘴120之前，也可以對其進行冷卻。例如，冷卻的氣體可以是冷空氣(例如，藉由熱交換器進行冷卻)、冷氮氣(例如，來自液態氮的蒸發)、或冷二氧化碳氣體(例如，來自乾冰的昇華)。
CD噴嘴120可用於冷卻研磨墊30。例如，發散部分206可以將冷卻的氣體直接分配到研磨墊30上。例如，發散部分206的出口可以位於距研磨表面36約1至10cm的位置，並且噴嘴120可經定向以使得氣體流衝擊研磨表面。
在一些實施方式中，液體冷卻劑介質源130可以透過分配器210輸送液體，例如水。分配器210可以是一注射器，其定位成將水注入通過噴嘴120的氣體流中。例如，注射器可以定位成將水滴噴射進入收斂部分202、進入喉部204(如圖3所示)、進入發散部分206、或直接在發散部分206之後。
可透過閥212來控制液體冷卻劑進入氣體流的流速，例如進入噴嘴120。分配器210可以例如以每分鐘0至300毫升的速率分配水滴208，例如每分鐘3至50毫升的速率。液體流速可以是氣體流速的約0.001%至1%，例如0.01％至0.1％。當氣體通過CD噴嘴120時，隨著通過CD噴嘴120的氣體被冷卻，水滴208可以被氣體冷卻。在一些實施方式中，水滴208被冷卻以形成冰滴。冰滴的大小可以是均勻的，例如直徑大約為10 µm。
在一些實施方式中，水滴208也直接分配到研磨墊30上，其與冷卻的氣體一起可以進一步冷卻研磨墊30。另外，冰或水滴可以防止研磨墊30在被冷卻的氣體冷卻時變乾。在一些實施方式中，冷卻的氣體使水滴208凍結以形成冰滴，冰滴與冷卻的氣體一起可以冷卻研磨墊30。冰滴可以有效地冷卻研磨墊30，因為熔化潛熱可以隨著冰滴吸收熱量並熔化成水而冷卻研磨墊30。此外，冰滴可用於刮擦並清潔研磨墊30。
上述研磨設備及方法可以應用於各種研磨系統中。研磨墊或承載頭或兩者都可移動，以在研磨表面與基板之間提供相對運動。例如，托板可以繞軌道運動而不是旋轉。研磨墊可以是固定到托板的圓形（或其他形狀）的墊。研磨層可以是標準（例如，具有或不具有填料的聚氨酯）研磨材料、軟材料、或固定的研磨材料。
相對定位的用語，用於指示系統或基板內的相對定位，應該理解的是，在研磨操作期間，研磨表面與基板可以保持在垂直方向或某些其他方向。
研磨系統20還可以包括控制器90以控制各種部件的操作，例如溫度控制系統100。控制器90配置成從溫度偵測器64接收針對研磨墊的每個徑向區域的溫度測量值。控制器90可以將所測量的溫度曲線與所需的溫度曲線進行比較，並且針對每個噴嘴或開口向一控制機構（例如，致動器、電源、泵、閥等）產生一反饋信號。控制器90計算反饋信號，例如依據內部反饋算法，以使控制機構修整冷卻或加熱的量，使得研磨墊及/或漿料達到（或至少接近）所需的溫度曲線。
控制器90的功能操作，可以使用一或多個電腦程式產品，即有形地體現在非暫時性電腦可讀儲存媒體中的一或多個電腦程式來實現，以由資料處理設備執行或經控制其操作，例如，一可編程處理器、一電腦、或多個處理器或電腦。
已描述了本發明的多個實施例。然而，將理解的是，在不脫離本發明的精神與範圍的情況下可以做出各種修改。
例如，儘管以上描述集中於將加熱及/或冷卻介質輸送到研磨墊上，但是可以將加熱及/或冷卻介質輸送到其他部件上，以控制那些部件的溫度。例如，可以在將基板放置在轉移站中（例如在裝載杯中）的同時，將加熱及/或冷卻介質噴射到基板上。作為另一個例子，可以用加熱及/或冷卻介質來噴塗裝載杯本身。作為又一個示例性，可以加熱及/或冷卻介質來噴塗修整盤。
因此，其他實施例為以下申請專利範圍所涵蓋。
10:基板 20:研磨站 22:馬達 24:托板 25:軸 28:驅動軸 30:研磨墊 32:背襯層 34:外研磨層 36:研磨表面 38:研磨液體 39:漿料供應臂 40:框架 64:溫度偵測器 70:承載頭 71:軸 72:支撐結構 74:驅動軸 76:承載頭旋轉馬達 80:彈性膜 82:可加壓室 84:保持環 86:下部塑膠部分 88:上部 90:控制器 91:墊修整器設備 92:修整盤 94:臂 100:溫度控制系統 102:冷卻系統 104:加熱系統 106:沖洗系統 110:臂 112:基座 120:噴嘴 122:噴霧 124:徑向區域 126:間隙 128:細長區域 128a:區域 128b:區域 130:液體冷卻劑 132:氣體源 140:臂 142:基座 144:開口 146:蒸氣源 150:臂 152:基座 154:噴嘴 156:清潔流體源 170:刮水片 202:收斂部分 204:喉部 206:發散部分 208:水滴 210:分配器 212:閥 220:分配器 222:泵
圖1示出了示例性研磨設備的示意截面圖。
圖2示出了示例性化學機械研磨設備的示意俯視圖。
圖3示出了來自圖1與2的示例性噴嘴的示意截面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:基板
20:研磨站
22:馬達
24:托板
25:軸
28:驅動軸
30:研磨墊
32:背襯層
34:外研磨層
36:研磨表面
38:研磨液體
39:漿料供應臂
40:框架
64:溫度偵測器
70:承載頭
71:軸
72:支撐結構
74:驅動軸
76:承載頭旋轉馬達
80:彈性膜
82:可加壓室
84:保持環
86:下部塑膠部分
88:上部
90:控制器
100:溫度控制系統
102:冷卻系統
110:臂
112:基座
120:噴嘴
122:噴霧
124:徑向區域
126:間隙

Claims (12)

  1. 一種化學機械研磨系統，包括：一托板，該托板支撐具有一研磨表面的一研磨墊；一氣體源，該氣體源供應一冷卻劑氣體，該冷卻劑氣體係選自氮氣、二氧化碳、氬氣、蒸發的乙醇、或蒸發的異丙醇所組成的群組；一導管，該導管具有與該氣體源聯接的一入口；一分配器，該分配器與該導管相連，並具有一斂散噴嘴，該斂散噴嘴懸掛在該托板上方，以將來自該氣體源的該冷卻劑氣體導引到該研磨墊的該研磨表面上；一注射器，該注射器橫穿該斂散噴嘴的一側壁，並且具有與一液體源聯接的一入口，及從該液體源將一液體輸送至該斂散噴嘴的一喉部的一出口；以及一控制器，該控制器係配置以聯接到該氣體源，並且使得通過該斂散噴嘴的該冷卻劑氣體源的一流速為使得該冷卻劑氣體從高於20℃的一初始溫度冷卻至低於0℃。
  2. 如請求項1所述的系統，其中該冷卻劑氣體是氮氣。
  3. 如請求項1所述的系統，其中該控制器係配置以聯接到該氣體源，並且在一研磨操作的一選定步驟期間，使得該氣體源藉由該斂散噴嘴將該氣體輸送到該研磨表面上。
  4. 如請求項3所述的系統，其中該控制器係配 置以聯接到該氣體源，並且使得該氣體源以高達每分鐘1000升的速率將該氣體輸送到該斂散噴嘴中。
  5. 如請求項1所述的系統，包括該液體源及該液體，並且其中該液體是乙醇、或異丙醇。
  6. 如請求項1所述的系統，其中該控制器係配置以聯接至該液體源，並使得該液體源在一研磨操作的一選定步驟期間，將液體輸送到該斂散噴嘴中。
  7. 如請求項1所述的系統，其中該控制器係配置以使得該液體源以每分鐘0至300毫升的一速率將該液體輸送到該斂散噴嘴中。
  8. 如請求項1所述的系統，其中該控制器係配置以使得通過該斂散噴嘴的該冷卻劑氣體源的該流速為使得該冷卻劑氣體被充分冷卻，以使得該液體凍結。
  9. 如請求項8所述的系統，其中該控制器係配置以使得該液體在衝擊該研磨墊之前先冷卻。
  10. 一種化學機械研磨系統，包括：一托板，該托板支撐具有一研磨表面的一研磨墊；一氣體源，該氣體源供應一冷卻劑氣體，該冷卻劑氣體係選自氮氣、二氧化碳、氬氣、蒸發的乙醇、或蒸發的異丙醇所組成的群組；一導管，該導管具有與該氣體源聯接的一入口；一分配器，該分配器與該導管相連，並具有一斂散噴嘴，該斂散噴嘴懸掛在該托板上方，以將來自該氣體源的該冷卻劑氣體導引到該研磨墊的該研磨表面上，其中 該斂散噴嘴具有位在一凸部分的各一側的二個凹部分，該些凹部分係向該斂散噴嘴的一中線收斂，該凸部分係遠離該中線而發散；一注射器，該注射器具有一導管，該導管具有與一液體源聯接的一入口及從該液體源輸送一液體的一出口，該導管的該出口設置於該斂散噴嘴的該凸部分內；以及一控制器，該控制器係配置以聯接到該氣體源，並且使得通過該斂散噴嘴的該冷卻劑氣體源的一流速為使得該冷卻劑氣體從高於20℃的一初始溫度冷卻至低於0℃。
  11. 如請求項10所述的系統，包括該液體源及該液體，並且其中該液體是乙醇、或異丙醇。
  12. 一種化學機械研磨系統，包括：一托板，該托板支撐具有一研磨表面的一研磨墊；一氣體源，該氣體源供應一氮氣；一導管，該導管具有與該氣體源聯接的一入口；一分配器，該分配器與該導管相連，並具有一斂散噴嘴，該斂散噴嘴懸掛在該托板上方，以將來自該氣體源的該冷卻劑氣體導引到該研磨墊的該研磨表面上；一注射器，該注射器橫穿該斂散噴嘴的一側壁，並且具有與一液體源聯接的一入口，及從該液體源將液態乙醇或液態異丙醇輸送入該斂散噴嘴的一喉部的一出口；以及一控制器，該控制器係配置以聯接到該氣體源，並且 使得通過該斂散噴嘴的該冷卻劑氣體源的一流速為使得該冷卻劑氣體從高於20℃的一初始溫度冷卻至低於0℃。
TW109126617A 2019-08-13 2020-08-06 Cmp溫度控制的裝置及方法 TWI872101B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962886260P 2019-08-13 2019-08-13
US62/886,260 2019-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202129731A TW202129731A (zh) 2021-08-01
TWI872101B true TWI872101B (zh) 2025-02-11

Family

ID=74568111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109126617A TWI872101B (zh) 2019-08-13 2020-08-06 Cmp溫度控制的裝置及方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US12296427B2 (zh)
JP (3) JP2022544375A (zh)
KR (2) KR20240146106A (zh)
CN (1) CN114206553A (zh)
TW (1) TWI872101B (zh)
WO (1) WO2021030295A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI819009B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 美商應用材料股份有限公司 化學機械研磨設備及化學機械研磨方法
TWI885783B (zh) 2019-02-20 2025-06-01 美商應用材料股份有限公司 化學機械拋光裝置及化學機械拋光方法
TWI872101B (zh) * 2019-08-13 2025-02-11 美商應用材料股份有限公司 Cmp溫度控制的裝置及方法
US11897079B2 (en) 2019-08-13 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Low-temperature metal CMP for minimizing dishing and corrosion, and improving pad asperity
KR20240165485A (ko) 2020-06-29 2024-11-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Cmp에서의 온도 및 슬러리 유량 제어
WO2022006160A1 (en) 2020-06-30 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cmp temperature control
KR20230027248A (ko) 2021-05-04 2023-02-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마를 위한 온수 생성
CN113977458B (zh) * 2021-11-25 2022-12-02 中国计量科学研究院 抛光液注入装置及抛光系统
TWI861570B (zh) * 2022-06-06 2024-11-11 美商應用材料股份有限公司 凝結氣體墊調節器
CN115070605B (zh) * 2022-06-22 2024-07-05 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种抛光设备及其工作方法
KR20250043506A (ko) * 2022-08-02 2025-03-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Cmp 온도 제어 시스템의 세정
KR20240031673A (ko) 2022-09-01 2024-03-08 삼성전자주식회사 슬러리 암 및 이를 포함하는 화학기계적 연마 장치
EP4364890B1 (en) * 2022-11-03 2025-07-02 Hangzhou Sizone Electronic Technology Inc. Electrochemical mechanical polishing and planarization equipment for processing conductive wafer substrate
CN120569273A (zh) * 2023-01-26 2025-08-29 应用材料公司 用于控制基板抛光边缘均匀性的设备和方法
US20240408650A1 (en) * 2023-06-06 2024-12-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to clean substrate with atomizing nozzle
US20250073850A1 (en) * 2023-08-28 2025-03-06 Applied Materials, Inc. Gas amplifier for cmp cooling
US20250114909A1 (en) * 2023-10-05 2025-04-10 Applied Materials, Inc. Cold liquid polishing control
KR102784397B1 (ko) * 2023-10-27 2025-03-21 박미영 Cmp 장비용 온도제어 장치 및 이를 이용한 cmp 장비의 온도 제어 방법
CN120772966A (zh) * 2024-04-01 2025-10-14 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于快速调温的化学液输送单元及化学机械平坦化设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW501168B (en) * 2000-03-30 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
US7822500B2 (en) * 2004-06-21 2010-10-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US20130023186A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 Yasuyuki Motoshima Method and apparatus for polishing a substrate

Family Cites Families (183)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4450652A (en) 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
DE59005867D1 (de) 1989-04-01 1994-07-07 Messer Griesheim Gmbh Polier- oder Schleifeinrichtung.
US4919232A (en) 1989-05-12 1990-04-24 Hugh Lofton Cold lubricant misting device and method
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5512085A (en) 1992-06-25 1996-04-30 Envirocare International, Inc. Venturi scrubber and method with optimized remote spray
WO1994023896A1 (en) 1993-04-16 1994-10-27 Ice Blast International, Inc. Ice blast particle transport system for ice fracturing system
JPH0740232A (ja) 1993-08-05 1995-02-10 Hitachi Ltd 研磨加工装置および研磨加工方法
US5700180A (en) 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
CN2206182Y (zh) 1994-09-22 1995-08-30 阎通海 金属切削气液混合冷却装置
US5478435A (en) 1994-12-16 1995-12-26 National Semiconductor Corp. Point of use slurry dispensing system
JP3633062B2 (ja) 1994-12-22 2005-03-30 株式会社デンソー 研磨方法および研磨装置
US5722875A (en) 1995-05-30 1998-03-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for polishing
US5597442A (en) 1995-10-16 1997-01-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Chemical/mechanical planarization (CMP) endpoint method using measurement of polishing pad temperature
US5762544A (en) 1995-10-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus
US5709593A (en) 1995-10-27 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5643050A (en) 1996-05-23 1997-07-01 Industrial Technology Research Institute Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor
JP3672685B2 (ja) 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 研磨方法及び研磨装置
US20020157686A1 (en) 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
JPH10321570A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Tokuyama Corp 半導体ウェーハポリッシング用研磨剤及びその製造方法、ポリッシング方法
US5873769A (en) 1997-05-30 1999-02-23 Industrial Technology Research Institute Temperature compensated chemical mechanical polishing to achieve uniform removal rates
US5893753A (en) 1997-06-05 1999-04-13 Texas Instruments Incorporated Vibrating polishing pad conditioning system and method
US5868003A (en) 1997-07-14 1999-02-09 Praxair Technology, Inc. Apparatus for producing fine snow particles from a flow liquid carbon dioxide
US5765394A (en) 1997-07-14 1998-06-16 Praxair Technology, Inc. System and method for cooling which employs charged carbon dioxide snow
JPH1133897A (ja) 1997-07-24 1999-02-09 Matsushita Electron Corp 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
DE19737849A1 (de) 1997-08-29 1999-03-11 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Beheizen eines flüssigen oder zähflüssigen Poliermittels sowie Vorrichtung zum Polieren von Wafern
DE19748020A1 (de) 1997-10-30 1999-05-06 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
US5957750A (en) 1997-12-18 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling a temperature of a polishing pad used in planarizing substrates
US6121144A (en) 1997-12-29 2000-09-19 Intel Corporation Low temperature chemical mechanical polishing of dielectric materials
JPH11277410A (ja) 1998-03-27 1999-10-12 Mitsubishi Materials Silicon Corp 研磨装置
US6000997A (en) 1998-07-10 1999-12-14 Aplex, Inc. Temperature regulation in a CMP process
US6023941A (en) 1998-07-22 2000-02-15 Praxair Technology, Inc. Horizontal carbon dioxide snow horn with adjustment for desired snow
US6159073A (en) 1998-11-02 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing
US6280289B1 (en) 1998-11-02 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting an end-point in chemical mechanical polishing of metal layers
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6422927B1 (en) 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6224461B1 (en) 1999-03-29 2001-05-01 Lam Research Corporation Method and apparatus for stabilizing the process temperature during chemical mechanical polishing
US6315635B1 (en) 1999-03-31 2001-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method and apparatus for slurry temperature control in a polishing process
US6151913A (en) 1999-04-23 2000-11-28 Praxair Technology, Inc. Method and apparatus for agglomerating fine snow particles
US6225224B1 (en) 1999-05-19 2001-05-01 Infineon Technologies Norht America Corp. System for dispensing polishing liquid during chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6399501B2 (en) 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
US6640151B1 (en) 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Multi-tool control system, method and medium
US6461980B1 (en) 2000-01-28 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for controlling the temperature of a substrate in a plasma reactor chamber
AU2001238149A1 (en) 2000-02-09 2001-08-20 Semitool, Inc. Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece at an elevated temperature
US6257954B1 (en) 2000-02-23 2001-07-10 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and process for high temperature wafer edge polishing
JP2001237208A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置
US6647309B1 (en) 2000-05-22 2003-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for automated generation of test semiconductor wafers
US20020023715A1 (en) 2000-05-26 2002-02-28 Norio Kimura Substrate polishing apparatus and substrate polishing mehod
US20010055940A1 (en) 2000-06-15 2001-12-27 Leland Swanson Control of CMP removal rate uniformity by selective control of slurry temperature
US20020039874A1 (en) 2000-08-17 2002-04-04 Hecker Philip E. Temperature endpointing of chemical mechanical polishing
KR100470137B1 (ko) 2000-08-23 2005-02-04 주식회사 에프에스티 냉각 패드를 구비하는 연마 장치 및 이를 이용한 연마 방법
US6679769B2 (en) 2000-09-19 2004-01-20 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
US7196782B2 (en) 2000-09-20 2007-03-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a thin film characteristic and an electrical property of a specimen
US6494765B2 (en) 2000-09-25 2002-12-17 Center For Tribology, Inc. Method and apparatus for controlled polishing
US6300246B1 (en) 2000-11-21 2001-10-09 International Business Machines Corporation Method for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer
JP3544521B2 (ja) 2000-11-28 2004-07-21 日本圧着端子製造株式会社 モジュラジャック
JP2002170792A (ja) 2000-11-29 2002-06-14 Mitsubishi Electric Corp 研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法
US20020068454A1 (en) 2000-12-01 2002-06-06 Applied Materials, Inc. Method and composition for the removal of residual materials during substrate planarization
US6503131B1 (en) * 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US6887132B2 (en) * 2001-09-10 2005-05-03 Multi Planar Technologies Incorporated Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same
US6562185B2 (en) 2001-09-18 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Wafer based temperature sensors for characterizing chemical mechanical polishing processes
US6543251B1 (en) 2001-10-17 2003-04-08 Praxair Technology, Inc. Device and process for generating carbon dioxide snow
JP2003151942A (ja) * 2001-11-16 2003-05-23 Taiyo Toyo Sanso Co Ltd 洗浄材、洗浄材製造装置、洗浄方法及び洗浄システム
US6736720B2 (en) 2001-12-26 2004-05-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling wafer temperature in chemical mechanical polishing
JP3627182B2 (ja) 2001-12-28 2005-03-09 株式会社半導体先端テクノロジーズ Ｃｍｐ装置、研磨パッド及び研磨方法
US6686284B2 (en) 2002-02-06 2004-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Chemical mechanical polisher equipped with chilled retaining ring and method of using
JP2003257914A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Fujitsu Ltd 化学機械研磨方法と装置、及び半導体装置の製造方法
US6896586B2 (en) 2002-03-29 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for heating polishing pad
US6764388B2 (en) 2002-05-09 2004-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd High-pressure pad cleaning system
KR20040000067A (ko) 2002-06-21 2004-01-03 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 장치
JP2004042217A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Ebara Corp 研磨方法、研磨装置および研磨工具の製造方法
US6899592B1 (en) 2002-07-12 2005-05-31 Ebara Corporation Polishing apparatus and dressing method for polishing tool
DE10252613A1 (de) 2002-11-12 2004-05-27 Infineon Technologies Ag Verfahren, Vorrichtung, computerlesbares Speichermedium und Computerprogramm-Element zum Überwachen eines Herstellungsprozesses
JP2004202666A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Sony Corp 研磨装置、研磨部材、および研磨方法
JP4448297B2 (ja) 2002-12-27 2010-04-07 株式会社荏原製作所 基板研磨装置及び基板研磨方法
US7008295B2 (en) 2003-02-04 2006-03-07 Applied Materials Inc. Substrate monitoring during chemical mechanical polishing
JP2004306173A (ja) 2003-04-03 2004-11-04 Sharp Corp 基板研磨装置
US7040966B2 (en) 2003-04-16 2006-05-09 Applied Materials Carbonation of pH controlled KOH solution for improved polishing of oxide films on semiconductor wafers
US7112960B2 (en) 2003-07-31 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Eddy current system for in-situ profile measurement
US6908370B1 (en) 2003-12-04 2005-06-21 Intel Corporation Rinse apparatus and method for wafer polisher
US7195544B2 (en) 2004-03-23 2007-03-27 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with component-filled pores
US7255771B2 (en) 2004-03-26 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Multiple zone carrier head with flexible membrane
JP2005311246A (ja) 2004-04-26 2005-11-04 Tokyo Seimitsu Co Ltd 化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法
JP2007081322A (ja) 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
US20070205112A1 (en) * 2004-08-27 2007-09-06 Masako Kodera Polishing apparatus and polishing method
WO2006043928A1 (en) 2004-10-13 2006-04-27 Applied Materials, Inc. Conditioner disk for use in chemical mechanical polishing
JP4290158B2 (ja) 2004-12-20 2009-07-01 三洋電機株式会社 半導体装置
KR20060076332A (ko) 2004-12-29 2006-07-04 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 장치
US8398463B2 (en) 2005-03-07 2013-03-19 Rajeev Bajaj Pad conditioner and method
JP2007000968A (ja) 2005-06-23 2007-01-11 Ebara Corp 研磨テーブルの研磨面洗浄機構、及び研磨装置
JP2007035973A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び研磨装置
JP4120991B2 (ja) * 2005-09-05 2008-07-16 福岡県 洗浄ノズル及びそれを用いた洗浄方法
US7189140B1 (en) 2005-11-08 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Methods using eddy current for calibrating a CMP tool
US7201634B1 (en) 2005-11-14 2007-04-10 Infineon Technologies Ag Polishing methods and apparatus
JP4787063B2 (ja) 2005-12-09 2011-10-05 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP2007168039A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Ebara Corp 研磨テーブルの研磨面洗浄機構、及び研磨装置
US20070227901A1 (en) 2006-03-30 2007-10-04 Applied Materials, Inc. Temperature control for ECMP process
US8192257B2 (en) 2006-04-06 2012-06-05 Micron Technology, Inc. Method of manufacture of constant groove depth pads
DE602006007960D1 (de) 2006-05-18 2009-09-03 Air Liquide Verwendung einer Mischung aus flüssigem Stickstoff und Kohlendioxid Schaum zur Tiefkühlung
DE102006056623A1 (de) 2006-11-30 2008-06-05 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens durch steuerbares Bewegen eines Schleifmittelauslasses
CN101209528A (zh) 2006-12-26 2008-07-02 浙江工业大学 切削加工冷却装置
JP2008270627A (ja) 2007-04-24 2008-11-06 Rix Corp ダイシング装置およびダイシング方法
BRPI0702834B1 (pt) * 2007-05-11 2019-07-09 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Aparelho de resfriamento controlado e método de resfriamento de placas de aço
JP4151796B1 (ja) * 2007-06-13 2008-09-17 福岡県 バリ取り洗浄装置およびバリ取り洗浄方法
JP4902433B2 (ja) 2007-06-13 2012-03-21 株式会社荏原製作所 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置
US8257142B2 (en) 2008-04-15 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
KR20090046468A (ko) 2007-11-06 2009-05-11 주식회사 동부하이텍 화학 기계적 연마장치의 컨디셔닝 방법
US8172641B2 (en) 2008-07-17 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP by controlling polish temperature
US8439723B2 (en) 2008-08-11 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with heater and method
JP2010042487A (ja) 2008-08-14 2010-02-25 Fujitsu Microelectronics Ltd 研磨装置及び研磨方法
US8292691B2 (en) 2008-09-29 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Use of pad conditioning in temperature controlled CMP
JP2010183037A (ja) 2009-02-09 2010-08-19 Toshiba Corp 半導体製造装置
KR20100101379A (ko) 2009-03-09 2010-09-17 삼성전자주식회사 상변화 물질의 화학 기계적 연마 방법, 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자 제조 방법
JP5280280B2 (ja) 2009-04-03 2013-09-04 野村マイクロ・サイエンス株式会社 フォトレジスト除去装置
US20100279435A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Applied Materials, Inc. Temperature control of chemical mechanical polishing
JP2011079076A (ja) 2009-10-05 2011-04-21 Toshiba Corp 研磨装置及び研磨方法
JP5547472B2 (ja) 2009-12-28 2014-07-16 株式会社荏原製作所 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置
US8749667B2 (en) * 2010-08-02 2014-06-10 Texas Instruments Incorporated System and method for maintaining maximum input rate while up-scaling an image vertically
JP5481417B2 (ja) 2010-08-04 2014-04-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US8591286B2 (en) 2010-08-11 2013-11-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for temperature control during polishing
CN102528651B (zh) 2010-12-21 2014-10-22 中国科学院微电子研究所 化学机械抛光设备及其预热方法
US8329575B2 (en) 2010-12-22 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Fabrication of through-silicon vias on silicon wafers
JP2012148376A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置
JP5628067B2 (ja) 2011-02-25 2014-11-19 株式会社荏原製作所 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置
JP5695963B2 (ja) 2011-04-28 2015-04-08 株式会社荏原製作所 研磨方法
CN102419603A (zh) 2011-05-26 2012-04-18 上海华力微电子有限公司 一种化学机械研磨过程中研磨垫的温度控制系统
JP5791987B2 (ja) 2011-07-19 2015-10-07 株式会社荏原製作所 研磨装置および方法
JP5775797B2 (ja) * 2011-11-09 2015-09-09 株式会社荏原製作所 研磨装置および方法
JP2013042066A (ja) 2011-08-19 2013-02-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2013099814A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Toshiba Corp 研磨方法及び研磨装置
US20130210173A1 (en) 2012-02-14 2013-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple Zone Temperature Control for CMP
JP2013258213A (ja) 2012-06-11 2013-12-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US9005999B2 (en) 2012-06-30 2015-04-14 Applied Materials, Inc. Temperature control of chemical mechanical polishing
JP2014130881A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Ebara Corp 研磨装置
WO2014113220A1 (en) 2013-01-15 2014-07-24 Applied Materials, Inc Cryogenic liquid cleaning apparatus and methods
JP5983422B2 (ja) * 2013-01-21 2016-08-31 旭硝子株式会社 ガラス基板の研磨方法及び製造方法
US20140251952A1 (en) 2013-03-08 2014-09-11 Applied Materials, Inc. Surface modified polishing pad
US9770804B2 (en) 2013-03-18 2017-09-26 Versum Materials Us, Llc Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture
JP6030980B2 (ja) 2013-03-26 2016-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置温度制御システム、及び研磨装置
US20140315381A1 (en) 2013-04-19 2014-10-23 Applied Materials, Inc. Interconnect fabrication at an integrated semiconductor processing station
US20140323017A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus using energized fluids to clean chemical mechanical planarization polishing pads
US9630295B2 (en) 2013-07-17 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for removing debris from polishing pad
JP6161999B2 (ja) 2013-08-27 2017-07-12 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US9459825B2 (en) 2013-09-09 2016-10-04 Opus Medicus, Inc. Systems and methods for high-resolution image viewing
CN103708714B (zh) 2013-12-27 2016-04-20 合肥京东方光电科技有限公司 玻璃板切割装置及方法
JP6139420B2 (ja) 2014-01-10 2017-05-31 株式会社東芝 研磨装置および研磨方法
US9636797B2 (en) 2014-02-12 2017-05-02 Applied Materials, Inc. Adjusting eddy current measurements
US9539699B2 (en) * 2014-08-28 2017-01-10 Ebara Corporation Polishing method
JP2017536692A (ja) 2014-10-31 2017-12-07 ビーコ プリジション サーフェイス プロセシング エルエルシー ウェット・エッチング・プロセスを実行するための装置および方法
CN107107304A (zh) * 2014-12-12 2017-08-29 应用材料公司 用于cmp期间的原位副产物移除及台板冷却的系统及工艺
KR102264785B1 (ko) 2015-02-16 2021-06-14 삼성전자주식회사 연마 헤드 및 이를 갖는 연마 캐리어 장치
WO2017049763A1 (zh) 2015-09-21 2017-03-30 青岛理工大学 一种冷却与静电雾化成膜的骨外科手术磨削实验装置
KR102569631B1 (ko) 2015-12-18 2023-08-24 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
US10612841B2 (en) 2016-01-20 2020-04-07 Hylium Industries, Inc Small-scale hydrogen liquefaction system equipped with cryocooler
WO2017139079A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ temperature control during chemical mechanical polishing with a condensed gas
KR101672873B1 (ko) 2016-02-17 2016-11-04 주식회사 티에스시 화학기계식 웨이퍼연마장치
JP6929072B2 (ja) 2016-02-22 2021-09-01 株式会社荏原製作所 研磨パッドの表面温度を調整するための装置および方法
US10414018B2 (en) 2016-02-22 2019-09-17 Ebara Corporation Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad
KR101722555B1 (ko) 2016-03-08 2017-04-03 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치 및 방법
JP6744618B2 (ja) * 2016-04-19 2020-08-19 不二越機械工業株式会社 ノズルおよびワーク研磨装置
US11318577B2 (en) 2016-06-16 2022-05-03 Texas Instruments Incorporated System and method of delivering slurry for chemical mechanical polishing
JP6558806B2 (ja) * 2016-06-27 2019-08-14 株式会社ダイフク 洗車機及び洗車方法
CN107560317A (zh) 2016-06-30 2018-01-09 通用电气公司 用于生产液化天然气的系统和方法
KR101816694B1 (ko) 2016-07-26 2018-01-11 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
US10086543B2 (en) * 2016-08-09 2018-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Auto catch apparatus and method of use in making chemical mechanical polishing pads
JP6782628B2 (ja) 2016-12-21 2020-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP2018122406A (ja) 2017-02-02 2018-08-09 株式会社荏原製作所 研磨パッドの表面温度を調整するための熱交換器、研磨装置、研磨方法、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体
JP6923342B2 (ja) 2017-04-11 2021-08-18 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP2018187724A (ja) 2017-05-09 2018-11-29 株式会社荏原製作所 研磨装置及び基板処理装置
JP6924614B2 (ja) 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11103970B2 (en) 2017-08-15 2021-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, , Ltd. Chemical-mechanical planarization system
US20190126428A1 (en) 2017-10-31 2019-05-02 Ebara Corporation Heat exchanger for regulating temperature of polishing surface of polishing pad, polishing apparatus having such heat exchanger, polishing method for substrate using such heat exchanger, and computer-readable storage medium storing a program for regulating temperature of polishing surface of polishing pad
JP7059117B2 (ja) 2017-10-31 2022-04-25 株式会社荏原製作所 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6895872B2 (ja) 2017-11-13 2021-06-30 株式会社荏原製作所 基板を平坦化するための装置および方法
TWI825043B (zh) 2017-11-14 2023-12-11 美商應用材料股份有限公司 用於化學機械研磨的溫度控制的方法與系統
TWI819009B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 美商應用材料股份有限公司 化學機械研磨設備及化學機械研磨方法
US10807213B2 (en) * 2018-06-29 2020-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and method
KR20200056015A (ko) 2018-11-14 2020-05-22 부산대학교 산학협력단 Cmp 장치 및 다구역 온도 프로파일 제어 방법
TWI885783B (zh) 2019-02-20 2025-06-01 美商應用材料股份有限公司 化學機械拋光裝置及化學機械拋光方法
TWI872101B (zh) * 2019-08-13 2025-02-11 美商應用材料股份有限公司 Cmp溫度控制的裝置及方法
US11897079B2 (en) 2019-08-13 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Low-temperature metal CMP for minimizing dishing and corrosion, and improving pad asperity
US20210046603A1 (en) 2019-08-13 2021-02-18 Applied Materials, Inc. Slurry temperature control by mixing at dispensing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW501168B (en) * 2000-03-30 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system
US7822500B2 (en) * 2004-06-21 2010-10-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US20130023186A1 (en) * 2011-07-19 2013-01-24 Yasuyuki Motoshima Method and apparatus for polishing a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024069201A (ja) 2024-05-21
JP2022544375A (ja) 2022-10-18
KR102713102B1 (ko) 2024-10-07
TW202522580A (zh) 2025-06-01
JP2025160209A (ja) 2025-10-22
KR20240146106A (ko) 2024-10-07
KR20220044801A (ko) 2022-04-11
TW202129731A (zh) 2021-08-01
US20240109163A1 (en) 2024-04-04
WO2021030295A1 (en) 2021-02-18
CN114206553A (zh) 2022-03-18
US12296427B2 (en) 2025-05-13
US12434347B2 (en) 2025-10-07
US20210046604A1 (en) 2021-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI872101B (zh) Cmp溫度控制的裝置及方法
CN111836700B (zh) 用于cmp温度控制的装置及方法
TWI851044B (zh) 化學機械研磨系統
TWI859239B (zh) 用於化學機械研磨系統的蒸氣處置站的設備及方法
TWI912098B (zh) 化學機械研磨系統
TWI849129B (zh) 使用蒸氣以預熱或清潔ｃｍｐ元件的方法及系統
US20250205847A1 (en) Method for cmp temperature control